JP2002185136A

JP2002185136A - 多層セラミック基板の製造方法

Info

Publication number: JP2002185136A
Application number: JP2000385181A
Authority: JP
Inventors: Hirotsugu Kawakami; 弘倫川上; Yoshifumi Saito; 善史齋藤
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2000-12-19
Filing date: 2000-12-19
Publication date: 2002-06-28
Anticipated expiration: 2020-12-19
Also published as: JP4595199B2

Abstract

(57)【要約】【課題】多層セラミック基板をいわゆる多数個取りす
るための多層集合基板を得るための焼成工程の結果、多
数個取りの分割のための切り込み溝の存在のために、得
られた多層集合基板に反りが生じることがある。【解決手段】生の多層集合基板とこれを挟むように配
置される第１の収縮抑制層１６および第２の収縮抑制層
とを備える生の複合積層体１１を作製し、多数個取りの
ための縦方向切り込み溝１９および横方向切り込み溝２
０を設け、その後、焼成工程を実施して、複数の多層セ
ラミック基板を取り出すための焼結後の多層集合基板を
製造しようとするとき、縦方向切り込み溝１９の終端と
複合積層体１１の端縁との間の距離ｄ１ならびに横方向
切り込み溝２０の終端と複合積層体１１の端縁との間の
距離ｄ２を３ｍｍ以上となるようにし、収縮抑制層１５
のマージン部における剛性を高め、比較的大きい拘束力
を及ぼし得るようにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、多層セラミック
基板の製造方法に関するもので、特に、複数の多層セラ
ミック基板を取り出すための多層集合基板の製造に際し
て生じ得る焼成時の不所望な変形を防止するための改良
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】多層セラミック基板は、複数の積層され
たセラミック層を備えている。このような多層セラミッ
ク基板には、種々の形態の配線導体が設けられている。
配線導体としては、たとえば、多層セラミック基板の内
部において、セラミック層間の特定の界面に沿って延び
る内部導体膜が形成されたり、特定のセラミック層を貫
通するように延びるビアホール導体が形成されたり、ま
た、多層セラミック基板の外表面上において延びる外部
導体膜が形成されたりしている。

【０００３】多層セラミック基板は、半導体チップ部品
やその他のチップ部品等を搭載し、これらの電子部品を
相互に配線するために用いられている。上述した配線導
体は、この相互配線のための電気的経路を与えている。

【０００４】また、多層セラミック基板には、たとえば
コンデンサ素子やインダクタ素子のような受動部品が内
蔵されることがある。この場合には、上述した配線導体
としての内部導体膜やビアホール導体の一部によって、
これらの受動部品が与えられる。

【０００５】多層セラミック基板は、たとえば、移動体
通信端末機器の分野において、ＬＣＲ複合化高周波部品
として用いられたり、コンピュータの分野において、半
導体ＩＣチップのような能動素子とコンデンサやインダ
クタや抵抗のような受動素子とを複合化した部品とし
て、あるいは単なる半導体ＩＣパッケージとして用いら
れたりしている。

【０００６】より具体的には、多層セラミック基板は、
ＰＡモジュール基板、ＲＦダイオードスイッチ、フィル
タ、チップアンテナ、各種パッケージ部品、複合デバイ
ス等の種々の電子部品を構成するために広く用いられて
いる。

【０００７】多層セラミック基板をより多機能化、高密
度化、高性能化するためには、上述したような配線導体
を高密度に配置することが有効である。

【０００８】しかしながら、多層セラミック基板を得る
ためには、必ず、焼成工程を経なければならないが、こ
のような焼成工程においては、セラミックの焼結による
収縮がＸ、ＹおよびＺの３方向に生じ、この収縮は多層
セラミック基板全体において均一に生じにくく、Ｘおよ
びＹ方向には、各々、０．４〜０．６％程度の寸法誤差
が生じる。そのため、外部導体膜の位置精度の低下、お
よび内部配線導体において不所望な変形や歪みあるいは
断線がもたらされることがある。このような配線導体に
おいて生じ得る不具合は、上述のような配線導体の高密
度化を阻害してしまう。

【０００９】そこで、多層セラミック基板を製造するに
あたって、焼成工程において多層セラミック基板の主面
方向での収縮を実質的に生じさせないようにすることが
できる、いわゆる無収縮プロセスを適用することが提案
されている。

【００１０】無収縮プロセスによる多層セラミック基板
の製造方法においては、セラミック絶縁材料として、た
とえば１０００℃以下の温度で焼結可能な低温焼結セラ
ミック材料粉末が用意されるとともに、上述の低温焼結
セラミック材料粉末の焼結温度では焼結しない、収縮抑
制用として機能する無機材料粉末が用意される。そし
て、焼成することによって目的とする多層セラミック基
板となる生の積層体を作製するにあたっては、低温焼結
セラミック材料を含み、かつ積層された、複数のセラミ
ックグリーン層を挟むように、無機材料粉末を含む収縮
抑制層が配置され、また、セラミックグリーン層に関連
して、配線導体が設けられる。

【００１１】上述のようにして得られた生の積層体は、
次いで、焼成される。この焼成工程において、セラミッ
クグリーン層と収縮抑制層との界面部分に厚み２〜３μ
ｍ程度の反応層が生じ、この反応層がセラミックグリー
ン層と収縮抑制層とを接着するように作用する。また、
収縮抑制層に含まれる無機材料粉末は実質的に焼結しな
いため、収縮抑制層においては、収縮が実質的に生じな
い。このようなことから、収縮抑制層がセラミックグリ
ーン層を拘束し、それによって、セラミックグリーン層
は、Ｚ方向すなわち厚み方向にのみ実質的に収縮する
が、ＸおよびＹ方向すなわち主面方向での収縮が抑制さ
れる。その結果、生の積層体を焼成して得られた多層セ
ラミック基板において不均一な変形がもたらされにくく
なり、そのため、配線導体において前述のような不具合
がもたらされにくくすることができ、配線導体の高密度
化を可能にする。

【００１２】上述した収縮抑制層は、焼成後において、
除去される。

【００１３】他方、多層セラミック基板を製造するに際
して、その製造効率を高めるため、所定の分割線に沿っ
て分割されることによって複数の多層セラミック基板を
取り出すことができるようにされた多層集合基板を作製
し、この多層集合基板を上述の分割線に沿って分割する
ことによって、複数の多層セラミック基板を一挙に得よ
うとする方法、いわゆる多数個取りによる方法が採用さ
れている。

【００１４】また、このような多数個取りによる方法に
おいて、多層集合基板の分割を能率的に行なえるように
するため、多層集合基板には、所定の分割線の位置に沿
うように、切り込み溝が設けられていることが好まし
い。切り込み溝が設けられていると、いわゆるチョコレ
ートブレイク態様に基づいて多層集合基板を折り曲げる
だけで、多層集合基板を所定の分割線に沿って分割する
ことができる。

【００１５】上述した切り込み溝は、通常、多層集合基
板が未焼成の状態にあるときにカッター刃または金型等
を用いて形成される。

【００１６】図１１は、上述のような切り込み溝１が設
けられた生の多層集合基板２の一部を断面図で示したも
のである。なお、多層集合基板２に関連して設けられる
配線導体については図示を省略している。また、図１１
では、厚み方向寸法が誇張されて図示されていることを
指摘しておく。

【００１７】生の多層集合基板２は、複数の積層された
セラミックグリーン層３を備えており、このセラミック
グリーン層３の積層方向における一方端側に位置する第
１の主面４側において、所定の分割線５の位置に沿うよ
うに、切り込み溝１が設けられている。

【００１８】このような生の多層集合基板２は焼成さ
れ、それによって、焼結後の多層集合基板２が得られ
る。そして、焼結後の多層集合基板２は、切り込み溝１
に沿って分割され、それによって、複数の多層セラミッ
ク基板が取り出される。

【００１９】切り込み溝は、図１２に示すような態様で
設けられることもある。図１２は、図１１に相当する図
であって、図１２において、図１１に示す要素に相当す
る要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略
する。

【００２０】図１２に示した多層集合基板２ａにあって
は、第１の主面４側に切り込み溝１が設けられることに
加えて、第１の主面４とは逆の第２の主面６側にも切り
込み溝７が設けられている。後者の切り込み溝７につい
ても、その位置は所定の分割線５に沿うようにされる。

【００２１】図１２に示した多層集合基板２ａによれ
ば、切り込み溝１および７が比較的浅く形成されても、
分割線５に沿って折り曲げることによる分割をより小さ
い力で行なうことができる。

【００２２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１１
に示した多層集合基板２にあっては、前述したような工
程を経て得られたとき、反りが発生するという問題に遭
遇することがある。それは、焼成工程において、切り込
み溝１の部分およびその近傍での収縮の度合いが、他の
部分に比べて高いためであり、第１の主面４が凹状とな
るような反りが生じる。

【００２３】これに対して、図１２に示した多層集合基
板２ａにあっては、第１および第２の主面４および６の
双方に切り込み溝１および７が設けられているので、切
り込み溝１による収縮と切り込み溝７による収縮とが適
当にバランスされ、そのため、得られた多層集合基板２
ａにおいて反りを生じにくくすることができる。

【００２４】しかしながら、図１２に示した多層集合基
板２ａの場合には、第１および第２の主面４および６の
双方に切り込み溝１および７を設ける必要があるため、
工程数が増加するという問題に遭遇する。また、切り込
み溝１および７は、いずれも、同じ分割線５に沿う位置
に設けられなければならないので、たとえば、第１の主
面４側に切り込み溝１を形成した後、生の多層集合基板
２ａを裏返して、第２の主面６側に切り込み溝７を形成
しようとするとき、後者の切り込み溝７の形成に際し
て、前者の切り込み溝１との間で位置合わせが必要とな
り、そのため、特に切り込み溝７の形成のための工程が
煩雑となるという問題にも遭遇する。

【００２５】また、図１１および図１２に示した多層集
合基板２および２ａのいずれについても、前述した無収
縮プロセスが適用されていないため、焼結後の多層集合
基板２および２ａにおいて不均一な変形がもたらされや
すいという問題を残している。そのため、多数個取りに
よる方法に対しても、前述した無収縮プロセスを適用す
ることが好ましい。

【００２６】これに関連して、特開平７−９９２６３号
公報には、図１１に示すような未焼成の状態すなわち生
の状態の多層集合基板２に対して、これを挟むように収
縮抑制層を設けることが記載されている。

【００２７】しかしながら、特開平７−９９２６３号公
報に記載された方法では、切り込み溝１の形成前の段階
で、生の多層集合基板２に対してプレスを実施し、次い
で、多層集合基板２を挟むように収縮抑制層を配置し、
さらに、全体を再びプレスすることが行なわれるが、後
者のプレス工程の段階では、すでに多層集合基板２が一
度プレスされた状態にあるため、この多層集合基板２と
収縮抑制層との間で十分な密着強度が得られないことが
ある。

【００２８】その結果、焼成工程において、収縮抑制層
が、生の多層集合基板２に備えるセラミックグリーン層
３に対して十分な拘束力を及ぼし得ないことがあり、無
収縮プロセスによる効果を十分に発揮し得ないことがあ
る。

【００２９】そこで、この発明の目的は、上述のような
問題を解消し得る、多層セラミック基板の製造方法を提
供しようとすることである。

【００３０】

【課題を解決するための手段】この発明は、簡単に言え
ば、いわゆる無収縮プロセスおよび多数個取りの双方を
適用することによって、多層セラミック基板を製造しよ
うとするもので、無収縮プロセスのための一方の収縮抑
制層を厚み方向に貫通しながら、生の多層集合基板の厚
みの一部にまで届くように、多数個取りのための切り込
み溝を設け、焼成後の反りの問題については、切り込み
溝を設ける態様を制御することによって解決しようとす
ることを特徴としている。

【００３１】より詳細には、この発明は、複数の積層さ
れたセラミック層を備える、多層セラミック基板を製造
する方法に向けられ、次のような工程を備えることを特
徴としている。

【００３２】まず、セラミック絶縁材料を含みかつ焼成
されることによって複数のセラミック層となる複数のセ
ラミックグリーン層を有する生の多層集合基板を備え、
焼成後において互いに直交する複数の縦方向分割線およ
び複数の横方向分割線に沿ってそれぞれ分割されること
によって複数の多層セラミック基板を取り出すことがで
きるようにされていて、セラミック絶縁材料粉末の焼結
温度では焼結しない無機材料粉末を含む第１および第２
の収縮抑制層が、生の多層集合基板を積層方向に挟むよ
うに配置されている、生の複合積層体が作製される。

【００３３】次いで、生の複合積層体における縦方向分
割線および横方向分割線の各位置に沿い、かつ第１の収
縮抑制層を厚み方向に貫通しながら生の多層集合基板の
厚みの一部にまで届く深さをもって、縦方向切り込み溝
および横方向切り込み溝がそれぞれ設けられる。

【００３４】次に、縦方向切り込み溝および横方向切り
込み溝がそれぞれ設けられた生の複合積層体は、セラミ
ック絶縁材料粉末が焼結するが無機材料粉末が焼結しな
い条件下で焼成され、それによって、第１および第２の
収縮抑制層によって挟まれた焼結後の多層集合基板が得
られる。

【００３５】次いで、収縮抑制層が除去され、それによ
って、焼結後の多層集合基板が取り出される。

【００３６】次いで、焼結後の多層集合基板を縦方向切
り込み溝および横方向切り込み溝に沿ってそれぞれ分割
し、それによって、複数の多層セラミック基板が取り出
される。

【００３７】このような多層セラミック基板の製造方法
において、この発明では、前述した技術的課題を解決す
るため、次のような構成を備えることを特徴としてい
る。

【００３８】すなわち、上述した縦方向切り込み溝およ
び横方向切り込み溝をそれぞれ設ける工程において、縦
方向切り込み溝および横方向切り込み溝の少なくとも一
方について、その配列における両端に位置するものを除
く切り込み溝の終端と当該切り込み溝の延長線上に位置
する生の複合積層体の端縁との間の距離が３ｍｍ以上と
なるようにされることを特徴としている。

【００３９】好ましくは、縦方向切り込み溝および横方
向切り込み溝をそれぞれ設ける工程において、縦方向切
り込み溝および横方向切り込み溝の双方について、切り
込み溝の終端と生の複合積層体の端縁との間の距離が３
ｍｍ以上となるようにされる。

【００４０】また、好ましくは、縦方向切り込み溝およ
び横方向切り込み溝をそれぞれ設ける工程において、縦
方向切り込み溝および横方向切り込み溝の少なくとも一
方について、切り込み溝の終端と生の複合積層体の端縁
との間の距離が１０ｍｍ以上とより長くなるようにされ
る。

【００４１】また、好ましくは、縦方向切り込み溝およ
び横方向切り込み溝をそれぞれ設ける工程において、縦
方向切り込み溝および横方向切り込み溝の双方につい
て、切り込み溝の終端と生の複合積層体の端縁との間の
距離が１０ｍｍ以上とより長くなるようにされる。

【００４２】また、好ましくは、縦方向切り込み溝およ
び横方向切り込み溝をそれぞれ設ける工程において、縦
方向切り込み溝および横方向切り込み溝の少なくとも一
方のすべての終端と生の複合積層体の端縁との間の距離
が３ｍｍ以上となるようにされる。

【００４３】また、セラミックグリーン層は、ガラスま
たは結晶化ガラスを含むことが好ましい。

【００４４】

【発明の実施の形態】図１および図２は、この発明の第
１の実施形態を説明するためのものであり、多層セラミ
ック基板を製造する途中の段階で得られる複合積層体１
１を示している。ここで、図１は、複合積層体１１の平
面図であり、図２は、図１に示した複合積層体１１の一
部を拡大して示す断面図である。

【００４５】なお、図２は、前述した図１１または図１
２に対応する図であって、図１１および図１２の場合と
同様、厚み方向寸法が誇張されて図示されており、ま
た、配線導体の図示が省略されている。また、図１にお
いては、複合積層体１１の内部に位置する配線導体の少
なくとも一部としての矩形の導体膜１２が破線によって
示されている。

【００４６】複合積層体１１から得ようとする多層セラ
ミック基板は、複数の積層されたセラミック層を備えて
いる。生の複合積層体１１は、セラミック絶縁材料を含
みかつ焼成されることによって上述の複数のセラミック
層となる複数のセラミックグリーン層１３を有する生の
多層集合基板１４を備えている。

【００４７】セラミックグリーン層１３は、たとえば、
セラミックグリーンシートを積層することによって得ら
れるもので、セラミックグリーンシートは、たとえば、
セラミック絶縁材料粉末にバインダ、可塑剤および溶剤
等を加えて、ボールミルまたはアトラクター等によって
混合することによってスラリーとし、このスラリーをド
クターブレード法等の方法によってシート状に成形する
ことによって得られる。

【００４８】上述のセラミック絶縁材料粉末としては、
従来の多層セラミック基板において用いられる通常のセ
ラミック絶縁材料粉末を用いることができる。たとえ
ば、アルミナ硼珪酸ガラス、軟化点６００〜８００℃の
非晶質ガラス、結晶化温度６００〜１０００℃の結晶化
ガラス等を含んでいてもよい。また、アルミナ、ジルコ
ン、ムライト、コージェライト、アノーサイト、シリカ
等のセラミックフィラーを添加したものを用いてもよ
い。

【００４９】バインダとしては、たとえば、ポリビニル
ブチラール、メタアクリルポリマー、アクリルポリマー
等を用いることができ、可塑剤としては、たとえば、フ
タル酸の誘導体等を用いることができる。さらに、溶剤
としては、たとえば、アルコール類、ケトン類、塩素系
有機溶剤等を用いることができる。

【００５０】セラミックグリーンシートは、所定の大き
さに切断され、必要に応じて、前述の導体膜１２のよう
な配線導体となるべき導体膜を導電性ペーストのスクリ
ーン印刷等によって形成したり、ビアホール導体のため
の貫通孔を設けたり、この貫通孔に導電性ペーストを充
填したりする工程が実施される。セラミックグリーンシ
ートの厚みについては、特に制限はないが、２５〜２０
０μｍ程度であることが好ましい。

【００５１】積層されたセラミックグリーン層１３を備
える生の多層集合基板１４を得るため、上述したような
セラミックグリーンシートが積層される。この生の多層
集合基板１４は、焼成後において互いに直交する複数の
縦方向分割線および複数の横方向分割線に沿ってそれぞ
れ分割されることによって複数の多層セラミック基板を
取り出すことができるようにされている。これら縦方向
分割線および横方向分割線のうち、図２に、縦方向分割
線の位置が「１５」の参照符号をもって図示されてい
る。

【００５２】また、生の複合積層体１１において、生の
多層集合基板１４を積層方向に挟むように、第１および
第２の収縮抑制層１６および１７が配置されている。こ
れら収縮抑制層１６および１７は、前述したセラミック
グリーン層１３に含まれるセラミック絶縁材料粉末の焼
結温度では焼結しない無機材料粉末を含んでいる。

【００５３】たとえば、セラミックグリーン層１３に含
まれるセラミック絶縁材料粉末として、その焼結温度が
１１００℃以下のものを用いる場合には、収縮抑制層１
６および１７に含まれる無機材料粉末としては、たとえ
ば、アルミナ、酸化ジルコニア、窒化アルミニウム、窒
化硼素、ムライト、酸化マグネシウム、炭化珪素等の粉
末を用いることができる。なお、これらの無機材料粉末
の粒度が粗すぎると、得られた多層セラミック基板の表
面粗さが粗くなるため、平均粒径０．５〜４μｍ程度で
あることが好ましい。

【００５４】収縮抑制層１６および１７は、上述したよ
うな無機材料粉末を含む無機材料グリーンシート１８を
積層することによって得られる。無機材料グリーンシー
１８の作製方法は、前述したセラミックグリーン層１３
のためのセラミックグリーンシートの場合と実質的に同
様である。また、無機材料グリーンシート１８の厚み
は、特に制限はないが、２５〜２００μｍ程度であるこ
とが好ましい。第１および第２の収縮抑制層１６および
１７の各々の厚みは、積層される無機材料グリーンシー
ト１８の積層数によって調整することができる。

【００５５】このように、生の多層集合基板１４を積層
方向に挟むように第１および第２の収縮抑制層１６およ
び１７が配置されている、生の複合積層体１１を得た
後、この生の複合積層体１１全体が積層方向にプレスさ
れる。このプレスに際しては、たとえば、３０〜２００
ＭＰａの圧力および４０〜９０℃の温度が適用される。

【００５６】次に、生の複合積層体１１における縦方向
分割線１５および横方向分割線の各位置に沿って、それ
ぞれ、縦方向切り込み溝１９および横方向切り込み溝２
０が設けられる。これら切り込み溝１９および２０の形
成には、たとえば、カッター刃を生の複合積層体１１の
表面に押し当てたり、回転刃で切り込む方法等を採用す
ることができる。

【００５７】縦方向切り込み溝１９および横方向切り込
み溝２０は、図１によく示されているように、格子状に
配列されている。また、縦方向切り込み溝１９および横
方向切り込み溝２０は、矩形の平面形状を有する生の複
合積層体１１の端縁にまで届かず、周囲にマージンを残
した状態で設けられる。

【００５８】より具体的には、縦方向切り込み溝１９の
終端とこの縦方向切り込み溝１９の延長線上に位置する
生の複合積層体１１の端縁との間の距離ｄ１は、３ｍｍ
以上、好ましくは１０ｍｍ以上となるようにされる。他
方、横方切り込み溝２０の終端とこの横方向切り込み溝
２０の延長線上に位置する生の複合積層体１１の端縁と
の間の距離ｄ２についても、３ｍｍ以上、好ましくは１
０ｍｍ以上となるようにされる。

【００５９】また、この実施形態では、縦方向切り込み
溝１９の各終端は、複数の横方向切り込み溝２０の配列
における両端に位置する横方向切り込み溝２０（ａ）お
よび２０（ｚ）の各上に位置している。他方、横方向切
り込み溝２０の各終端についても、複数の縦方向切り込
み溝１９の配列における両端に位置する縦方向切り込み
溝１９（ａ）および１９（ｚ）の各上に位置している。

【００６０】これら縦方向切り込み溝１９および横方向
切り込み溝２０は、縦方向切り込み溝１９について図２
に示されているように、第１の収縮抑制層１６を厚み方
向に貫通しかつ生の多層集合基板１４の厚みの一部にま
で届く深さをもって設けられる。この深さは、たとえ
ば、生の多層集合基板１４の厚みの１／１０〜４／１０
程度にまで届くようにされる。

【００６１】次に、縦方向切り込み溝１９および横方向
切り込み溝２０が設けられた生の複合積層体１１は、焼
成工程に付される。この焼成工程においては、セラミッ
クグリーン層１３に含まれるセラミック絶縁材料粉末の
みが焼結し、収縮抑制層１６および１７に含まれる無機
材料粉末が焼結しない条件が適用される。また、複合積
層体１１の焼成にあたっては、これをトレーに載せて焼
成することが行なわれるが、トレーとしては、たとえ
ば、通常のアルミナ板からなるものを用いることができ
る。また、トレーとして、通気性の良好な気孔率の高い
アルミナ板からなるものを使用してもよい。

【００６２】焼成工程において、収縮抑制層１６および
１７に含まれる無機材料粉末は実質的に焼結しないた
め、収縮抑制層１６および１７においては、収縮が実質
的に生じない。そのため、収縮抑制層１６および１７が
多層集合基板１４を拘束し、それによって、生の多層集
合基板１４は、厚み方向にのみ実質的に収縮するが、主
面方向での収縮が抑制される。その結果、焼結後の多層
集合基板１４において不均一な変形等がもたらされにく
くなる。

【００６３】また、焼成工程において、切り込み溝１９
および２０の部分およびその近傍において生じ得る収縮
の度合いは、他の部分において生じ得る収縮の度合いよ
り高いため、多層集合基板１４において、第１の収縮抑
制層１６側を凹状とするような反りを生じさせる力が及
ぼされるが、複合積層体１１の周囲の距離ｄ１およびｄ
２で表わされるマージン領域については、切り込み溝１
９および２０が形成されず、そのため、このマージン領
域については、生の多層集合基板１４における収縮の度
合いが低くされるとともに、第１の収縮抑制層１６にお
いては収縮抑制のための剛性が高められるので、上述し
たような反りを有利に抑制することができ、また、歪み
も低減することができる。

【００６４】このように、第１および第２の収縮抑制層
１６および１７によって挟まれた焼結後の多層集合基板
１４を得た後、たとえばブラシ等を用いて、収縮抑制層
１６および１７が除去され、それによって、焼結後の多
層集合基板１４が取り出される。

【００６５】次に、焼結後の多層集合基板１４が、縦方
向切り込み溝１９および横方向切り込み溝２０に沿って
それぞれ分割され、それによって、目的とする複数の多
層セラミック基板が取り出される。

【００６６】以下に、図３ないし図６を参照しながら、
この発明の他の実施形態について説明する。図３ないし
図６は、前述の第１の実施形態を示す図１に相当する図
である。したがって、図３ないし図６において、図１に
示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、
重複する説明は省略する。

【００６７】図３に示した第２の実施形態に係る複合積
層体１１ａでは、縦方向切り込み溝１９が、両端に位置
する横方向切り込み溝２０（ａ）および２０（ｚ）を越
えて延び、同様に、横方向切り込み溝２０が、両端に位
置する縦方向切り込み溝１９（ａ）および１９（ｚ）を
越えて延びていることを特徴としている。

【００６８】しかしながら、縦方向切り込み溝１９の終
端と生の複合積層体１１ａの端縁との間の距離ｄ１およ
び横方向切り込み溝２０の終端と生の複合積層体１１ａ
の端縁との間の距離ｄ２は、ともに、３ｍｍ以上、好ま
しくは１０ｍｍ以上となるようにされることは、第１の
実施形態の場合と同様である。

【００６９】図４に示す第３の実施形態に係る複合積層
体１１ｂでは、第２の実施形態と比較して、両端にそれ
ぞれ位置する縦方向切り込み溝１９（ａ）および１９
（ｚ）ならびに横方向切り込み溝２０（ａ）および２０
（ｚ）が、それぞれ、より長くされ、したがって、生の
複合積層体１１ｂの端縁により近い位置まで延びている
ことを特徴としている。

【００７０】また、この実施形態では、両端に位置する
縦方向切り込み溝１９（ａ）および１９（ｚ）を除く縦
方向切り込み溝１９の終端と生の複合積層体１１ｂの端
縁との間の距離ｄ１ならびに両端に位置する横方向切り
込み溝２０（ａ）および２０（ｚ）を除く横方向切り込
み溝２０と生の複合積層体１１ｂの端縁との間の距離ｄ
２については、３ｍｍ以上、好ましくは１０ｍｍ以上と
なるようにされる。

【００７１】図４に示した第３の実施形態によれば、距
離ｄ１およびｄ２が特定の長さ以上とされなければなら
ないのは、両端に位置する縦方向切り込み溝１９（ａ）
および１９（ｚ）を除く縦方向切り込み溝１９ならびに
両端に位置する横方向切り込み溝２０（ａ）および
（ｚ）を除く横方向切り込み溝２０についてのみである
ことがわかる。

【００７２】図５に示した第４の実施形態に係る複合積
層体１１ｃでは、図４に示した第３の実施形態と比較し
て、両端に位置する縦方向切り込み溝１９（ａ）および
１９（ｚ）ならびに両端に位置する横方向切り込み溝２
０（ａ）および２０（ｚ）が、生の複合積層体１１ｃの
端縁にまで届くように延び、したがって、これら切り込
み溝１９（ａ）および１９（ｚ）ならびに２０（ａ）お
よび２０（ｚ）の各終端が、生の複合積層体１１ｃの端
縁上に位置していることを特徴としている。

【００７３】図６に示した第５の実施形態に係る複合積
層体１１ｄでは、図５に示した第４の実施形態の場合と
同様、両端に位置する縦方向切り込み溝１９（ａ）およ
び１９（ｚ）ならびに横方向切り込み溝２０（ａ）およ
び２０（ｚ）の各終端が、複合積層体１１ｄの端縁上に
位置しているが、これら両端に位置する切り込み溝１９
（ａ）および１９（ｚ）ならびに２０（ａ）および２０
（ｚ）は、これらに沿う分割によってもたらされた分割
面が、目的とする多層セラミック基板の一側面となるの
ではなく、これらに沿う分割は、目的とする多層セラミ
ック基板の取り出しに直接寄与するものではないことを
特徴としている。

【００７４】なお、図６に示した実施形態では、両端に
位置する縦方向切り込み溝１９（ａ）および１９（ｚ）
を除く縦方向切り込み溝１９の各終端は、両端に位置す
る横方向切り込み溝２０（ａ）および２０（ｚ）上に位
置し、また、両端に位置する横方向切り込み溝２０
（ａ）および２０（ｚ）を除く横方向切り込み溝２０の
各終端は、両端に位置する縦方向切り込み溝１９（ａ）
および１９（ｚ）上に位置している。

【００７５】以上説明した第１ないし第５の実施形態で
は、特定の長さ以上とされなければならない距離ｄ１お
よびｄ２を与えるのが、縦方向切り込み溝１９および横
方向切り込み溝２０の双方であったが、後述する実験例
において参照する図９に示すように、縦方向切り込み溝
１９のみであっても、横方向切り込み溝２０のみであっ
てもよい。

【００７６】また、第１ないし第５の実施形態では、両
端に位置する縦方向切り込み溝１９（ａ）および１９
（ｚ）が互いに同じ長さであり、また、両端に位置する
横方向切り込み溝２０（ａ）および２０（ｚ）が互いに
同じ長さであったが、これらの長さは互いに異なってい
てもよい。すなわち、両端にそれぞれ位置する縦方向切
り込み溝１９（ａ）および１９（ｚ）ならびに横方向切
り込み溝２０（ａ）および２０（ｚ）については、第１
ないし第５の実施形態での態様を適宜組み合わせてもよ
い。

【００７７】また、両端に位置するものを除く縦方向切
り込み溝１９および横方向切り込み溝２０についても、
第１ないし第５の実施形態では、互いに同じ長さとされ
たが、互いに異ならされてもよい。

【００７８】また、縦方向切り込み溝１９について図２
に示されるように、切り込み溝１９および２０は、断面
Ｖ字状の形態をなしていたが、たとえば断面Ｕ字状等の
他の形態であってもよく、少なくとも焼成後に複合積層
体を取り扱う際、不用意に割れが生じにくい形態であれ
ば、どのような形態であってもよい。

【００７９】また、図示の実施形態では、複合積層体
は、実質的に正方形の平面形状を有していたが、隣り合
う辺の長さが互いに異なる長方形の平面形状を有してい
てもよい。

【００８０】次に、この発明による効果を確認するため
に実施した実験例について説明する。

【００８１】

【実験例】ＳｉＯ₂、ＣａＯ、Ａｌ₂Ｏ₃およびＢ₂Ｏ
₃の各粉末を混合したガラス粉末と、アルミナ粉末とを
等重量比率で混合した。この混合粉末に対して、有機バ
インダとしてのポリビニルブチラールおよび溶剤として
のトルエンを添加し、混合し、ボールミルによって十分
混練することによって、均一な分散状態を得た後、減圧
下で脱泡処理し、スラリーを得た。

【００８２】次いで、このスラリーを、ドクターブレー
ドを用いたキャスティング法を適用して、キャリアフィ
ルム上でシート状に成形することによって、厚み０．１
ｍｍのセラミックグリーンシートを作製し、このセラミ
ックグリーンシートを乾燥させた後、キャリアフィルム
から剥がし、これを打ち抜いて、平面寸法が１００ｍｍ
□の大きさを有するセラミックグリーンシートとした。

【００８３】次に、上述のセラミックグリーンシート上
に、銀粉末を含む導電性ペーストを印刷し、乾燥するこ
とによって、平面寸法が１ｍｍ□のパターンを有する導
体膜を形成した。なお、この導体膜は、歪み確認用に形
成したものであり、後述する切り込み溝によって区画さ
れる各領域に分布させた。

【００８４】他方、アルミナ粉末に対して、有機バイン
ダとしてのポリビニルブチラールおよび溶剤としてのト
ルエンを添加し、混合し、ボールミルによって十分混練
することによって、均一な分散状態を得た後、減圧下で
脱泡処理して、スラリーを得た。

【００８５】次いで、このスラリーを、ドクターブレー
ドを用いたキャスティング法を適用して、キャリアフィ
ルム上でシート状に成形することによって、厚み０．１
ｍｍの無機材料グリーンシートを作製した。次いで、こ
の無機材料グリーンシートを乾燥させた後、キャリアフ
ィルムから剥がし、これを打ち抜いて、平面寸法が１０
０ｍｍ□の大きさを有する無機材料グリーンシートとし
た。

【００８６】次に、上述した６枚のセラミックグリーン
シートを積層するとともに、これを挟むように、各々５
枚の無機材料グリーシートを積層し、積層方向にプレス
することによって、平面寸法が１００ｍｍ□の大きさを
有する生の複合積層体を得た。

【００８７】次に、表１に示す各条件をもって、２０本
の縦方向切り込み溝および１０本の横方向切り込み溝を
形成した。表１には、各試料について参照すべき図面が
示されている。表１に示した各試料について、縦方向切
り込み溝および横方向切り込み溝の形成態様の詳細につ
いて、図７ないし図１０を参照しながら説明する。な
お、図７ないし図１０において、前述した図１および図
３ないし図６に示した要素に相当する要素には同様の参
照符号を付し、重複する説明は省略する。

【００８８】

【表１】

【００８９】表１において、試料番号に「＊」を付した
ものは、この発明の範囲外にある比較例に相当する。

【００９０】試料１は、比較例となるものである。試料
１では、図１０に示すように、縦方向切り込み溝１９の
すべておよび横方向切り込み溝２０のすべてが、複合積
層体１１ｈの端縁にまで届くように形成した。したがっ
て、表１に示すように、縦方向切り込み溝および横方向
切り込み溝の双方について、切り込み溝の終端と複合積
層体端縁との距離は０ｍｍであり、両端の切り込み溝の
終端の位置は複合積層体の端縁上である。

【００９１】試料２〜４では、図７に示すような態様
で、切り込み溝１９および２０を形成した。すなわち、
縦方向切り込み溝１９の終端と複合積層体１１ｅの端縁
との間に距離ｄ１を設け、横方向切り込み溝２０の終端
と複合積層体１１ｅの端縁との間に距離ｄ２を設け、両
端に位置する縦方向切り込み溝１９（ａ）および１９
（ｚ）の各終端を両端に位置する横方向切り込み溝２０
（ａ）および２０（ｚ）上に位置させ、両端に位置する
横方向切り込み溝２０（ａ）および（ｚ）の各終端を両
端に位置する縦方向切り込み溝１９（ａ）および１９
（ｚ）上に位置させた。

【００９２】これら試料２〜４のうち、試料２が比較例
となるもので、試料３および４がこの発明の範囲内の実
施例となるものである。

【００９３】表１に示すように、試料２では、距離ｄ１
およびｄ２を、ともに１ｍｍとし、試料３では、同じ
く、３ｍｍとし、試料４では、同じく、１０ｍｍとし
た。

【００９４】試料５および６は、実施例となるものであ
る。これら試料５および６では、図８に示すように、両
端に位置するものを除く縦方向切り込み溝１９の各終端
と複合積層体１１の端縁との間に距離ｄ１を設け、両端
に位置するものを除く横方向切り込み溝２０の各終端と
複合積層体１１ｆの端縁との間に距離ｄ２を設け、両端
に位置する縦方向切り込み溝１９（ａ）および１９
（ｚ）ならびに横方向切り込み溝２０（ａ）および２０
（ｚ）の各終端を複合積層体１１ｆの端縁上に位置させ
た。

【００９５】表１に示すように、これら試料５および６
のうち、試料５では、距離ｄ１およびｄ２を、ともに３
ｍｍとし、試料６では、同じく、１０ｍｍとした。

【００９６】試料７は、実施例となるものである。試料
７では、図９に示すように、縦方向切り込み溝１９の各
終端を両端に位置する横方向切り込み溝２０（ａ）およ
び２０（ｚ）上に位置させるとともに、表１に示すよう
に、縦方向切り込み溝１９の各終端と複合積層体１１ｇ
の端縁との間の距離ｄ１を３ｍｍとし、横方向切り込み
溝２０の各終端を複合積層体１１ｇの端縁上に位置させ
た。

【００９７】次に、上述した試料１〜７の各々に係る複
合積層体を、４００℃の温度まで１．５℃／分の速度で
昇温し、４００℃の温度から９００℃の温度まで５℃／
分〜６０℃／分の速度で昇温し、次いで、９００℃の温
度で１時間キープする、焼成プロファイルをもって焼成
し、それによって、複合積層体における多層集合基板の
部分を焼結させた。

【００９８】そして、焼結後の多層集合基板の両面にあ
る、無機材料グリーンシートによって与えられた収縮抑
制層を除去し、評価用の多層集合基板を得た。

【００９９】このようにして得られた多層集合基板の各
試料について、平板の上に載せ、その表面および裏面に
おいて最大となる反り量を測定した。

【０１００】また、試料となる多層集合基板において、
評価用の導体膜を任意に１０点選び、Ｘ−Ｙ測長機を用
いて、多層集合基板の平面方向での重心を原点とし、導
体膜の位置の設計値からの最大ずれ量を測定し、最大歪
み量を求めた。

【０１０１】また、収縮抑制層を除去する前の複合積層
体の状態で、焼成炉から取り出した直後、これを１回ひ
っくり返し、その結果、収縮抑制層がマージン部におい
て剥がれた部分の面積を測定し、マージン部全体の面積
に対する剥がれた部分の面積の比率を求めた。

【０１０２】以上の最大反り量、最大歪み量およびマー
ジン部における収縮抑制層の剥がれ面積率が、表２に示
されている。

【０１０３】

【表２】

【０１０４】表１に示したように、この発明の範囲内に
ある実施例３〜７では、縦方向切り込み溝および横方向
切り込み溝の少なくとも一方について、両端に位置する
ものを除く切り込み溝の終端と複合積層体の端縁との間
の距離が３ｍｍ以上となるようにされているので、表２
からわかるように、最大反り量を０．８ｍｍ以下とし、
最大歪み量を０．２ｍｍ以下とし、また、収縮抑制層の
剥がれ面積率を３％以下とすることができる。

【０１０５】このことから、この発明の範囲内にある試
料３〜７によれば、焼成工程において、収縮抑制層によ
る拘束力を多層集合基板に対して十分に及ぼすことがで
き、また、マージン部における収縮抑制層の剛性が高め
られ、それによって、反りや歪みを低減できることがわ
かる。

【０１０６】これに対して、比較例となる試料１および
２では、表１に示すように、切り込み溝の終端と複合積
層体の端縁との間の距離が３ｍｍ未満のそれぞれ０ｍｍ
および１ｍｍであるため、表２に示すように、１．２ｍ
ｍ以上の最大反り量となり、０．４ｍｍ以上の最大歪み
量となっている。また、収縮抑制層の剥がれ面積率につ
いては、試料２では、１２％と極めて高い。なお、試料
１における収縮抑制層の剥がれ面積率については、極め
て高かったため、測定しなかった。

【０１０７】以下に、この発明の範囲内にある試料３〜
７の間での比較を行なう。

【０１０８】試料３と試料４との間、あるいは試料５と
試料６との間で比較すると、表１に示すように、距離ｄ
１およびｄ２について、試料３および５が３ｍｍであ
り、試料４および６が１０ｍｍである。その結果、表２
に示すように、最大反り量、最大歪み量および収縮抑制
層の剥がれ面積率については、試料３および５に比べ
て、試料４および６の方がそれぞれ低減されている。こ
のことから、距離ｄ１およびｄ２は、より長くされるこ
と、具体的には、１０ｍｍ以上となるようにされること
が好ましいことがわかる。

【０１０９】次に、試料３および７の間で比較すると、
表１に示すように、試料３では、縦方向切り込み溝およ
び横方向切り込み溝の双方について、切り込み溝の終端
と複合積層体の端縁との間の距離が３ｍｍであるのに対
し、試料７では、縦方向切り込み溝についてのみ、切り
込み溝の終端と複合積層体の端縁との間の距離が３ｍｍ
であり、横方向切り込み溝については、その各終端が複
合積層体の端縁上に位置している。そして、表２に示す
ように、最大反り量および収縮抑制層の剥がれ面積率に
関して、試料３は、試料７より優れた結果を示してい
る。このことから、試料３のように、縦方向切り込み溝
および横方向切り込み溝の双方について、切り込み溝の
終端と複合積層体の端縁との間の距離が３ｍｍ以上とな
るようにされることがより好ましいと言える。

【０１１０】次に、試料３および５の間で比較すると、
表１に示すように、試料３では、縦方向切り込み溝のす
べておよび横方向切り込み溝のすべての各終端と複合積
層体の端縁との間の距離が３ｍｍであるのに対し、試料
５では、縦方向切り込み溝および横方向切り込み溝の各
々の両端に位置するものを除いて、各切り込み溝の終端
と複合積層体の端縁との間の距離が３ｍｍとされてい
る。そのため、表２に示すように、最大反り量に関し
て、試料３の方が、試料５より優れた結果を示してい
る。このことから、縦方向切り込み溝および横方向切り
込み溝の少なくとも一方のすべての終端と複合積層体の
端縁との間の距離が３ｍｍ以上となるようにされること
が好ましいと言える。

【０１１１】

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、生の
多層集合基板ならびにこれを挟むように配置されている
第１および第２の収縮抑制層を備える、生の複合積層体
において、複数の多層セラミック基板を取り出すように
分割される互いに直交する複数の縦方向分割線および複
数の横方向分割線の各位置に沿って、第１の収縮抑制層
を厚み方向に貫通しながら生の多層集合基板の厚みの一
部にまで届く深さをもって、縦方向切り込み溝および横
方向切り込み溝をそれぞれ設けるにあたって、縦方向切
り込み溝および横方向切り込み溝の少なくとも一方につ
いては、その配列における両端に位置するものを除く切
り込み溝の終端と当該切り込み溝の延長線上に位置する
生の複合積層体の端縁との間の距離が３ｍｍ以上となる
ようにされている。

【０１１２】したがって、焼成工程において、生の複合
積層体において収縮抑制層による拘束力を多層集合基板
に対して及ぼすに際して、収縮抑制層のマージン部にお
ける剛性を高く維持することができる。

【０１１３】また、生の複合積層体には、第１の収縮抑
制層を厚み方向に貫通しかつ生の多層集合基板の厚みの
一部にまで届く深さをもって、分割のための切り込み溝
が形成されるので、この生の複合積層体全体を積層方向
に十分にプレスした後、切り込み溝を形成する工程を実
施できる。したがって、生の多層集合基板と第１および
第２の収縮抑制層との間の密着強度を十分に高めること
が容易であり、そのため、収縮抑制層により収縮抑制作
用が十分に及ぼされた状態で焼成工程を実施することが
できる。

【０１１４】これらのことから、焼結後の多層集合基板
において、不所望な反りや変形や歪み等を生じにくくす
ることができ、得ようとする多層セラミック基板の配線
導体の高密度化を問題なく図ることができるようになる
とともに、得られた多層集合基板の反り等による歩留ま
りの低下を防止することができ、そのため、多層集合基
板の大面積化を図ることが可能となり、その結果、多層
セラミック基板の生産効率を高めることができる。

【０１１５】また、第１の収縮抑制層側にのみ切り込み
溝が設けられても、上述のように、切り込み溝の設ける
態様を制御することによって反りが抑制されるので、こ
のような反りを抑制するため、あえて第２の収縮抑制層
側にも切り込み溝を設ける必要はない。そのため、第１
および第２の収縮抑制層のいずれの側にも切り込み溝を
設ける場合に遭遇する、互いの間での厳密な位置合わせ
を必要とするといった問題を回避でき、また、切り込み
溝を設けるための工程数が増えるという問題も解消する
ことができる。

【０１１６】この発明において、以下のような条件を満
たすようにされると、このような条件を満たさないもの
に比べて、反りおよび／または歪みの抑制効果がより高
められる。

【０１１７】すなわち、第１に、切り込み溝の終端と生
の複合積層体の端縁との間の距離が１０ｍｍ以上となる
ようにされることである。第２に、縦方向切り込み溝お
よび横方向切り込み溝の双方について、切り込み溝の終
端と生の複合積層体の端縁との間の距離が３ｍｍ以上、
より好ましくは１０ｍｍ以上となるようにされることで
ある。第３に、縦方向切り込み溝および横方向切り込み
溝の少なくとも一方のすべての終端と生の複合積層体の
端縁との間の距離が３ｍｍ以上となるようにされること
である。

【０１１８】また、この発明において、生の多層集合基
板に備えるセラミックグリーン層が、ガラスまたは結晶
化ガラスを含むとき、比較的低温での焼結が可能である
ので、収縮抑制層に含まれる無機材料粉末の選択の幅を
広げることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施形態による製造方法を実
施して多層セラミック基板を製造する途中の段階で得ら
れる複合積層体１１を示す平面図である。

【図２】図１に示した複合積層体１１の一部を拡大して
図解的に示す断面図である。

【図３】この発明の第２の実施形態による製造方法を実
施して多層セラミック基板を製造する途中の段階で得ら
れる複合積層体１１ａを示す、図１に相当する平面図で
ある。

【図４】この発明の第３の実施形態による製造方法を実
施して多層セラミック基板を製造する途中の段階で得ら
れる複合積層体１１ｂを示す、図１に相当する平面図で
ある。

【図５】この発明の第４の実施形態による製造方法を実
施して多層セラミック基板を製造する途中の段階で得ら
れる複合積層体１１ｃを示す、図１に相当する平面図で
ある。

【図６】この発明の第５の実施形態による製造方法を実
施して多層セラミック基板を製造する途中の段階で得ら
れる複合積層体１１ｄを示す、図１に相当する平面図で
ある。

【図７】実験例において試料２〜４として作製した複合
積層体１１ｅを示す平面図である。

【図８】実験例において試料５および６として作製した
複合積層体１１ｆを示す平面図である。

【図９】実験例において試料７として作製した複合積層
体１１ｇを示す平面図である。

【図１０】実験例において試料１として作製した複合積
層体１１ｈを示す平面図である。

【図１１】この発明にとって興味ある従来の多層集合基
板２を示す、図２に相当する断面図である。

【図１２】この発明にとって興味ある従来の他の多層集
合基板２ａを示す、図２に相当する断面図である。

【符号の説明】

１１，１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ，１１ｅ，１１
ｆ，１１ｇ，１１ｈ複合積層体１２導体膜１３セラミックグリーン層１４多層集合基板１５縦方向分割線１６第１の収縮抑制層１７第２の収縮抑制層１８無機材料グリーンシート１９縦方向切り込み溝２０横方向切り込み溝

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5E338 AA03 AA18 BB47 CC01 CD11 EE28 EE33 5E346 AA12 AA15 AA24 AA38 AA60 BB01 CC18 CC31 DD02 DD34 EE24 EE25 GG03 GG08 GG09 HH11 HH33

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の積層されたセラミック層を備え
る、多層セラミック基板を製造する方法であって、セラミック絶縁材料粉末を含みかつ焼成されることによ
って複数の前記セラミック層となる複数のセラミックグ
リーン層を有する生の多層集合基板を備え、焼成後にお
いて互いに直交する複数の縦方向分割線および複数の横
方向分割線に沿ってそれぞれ分割されることによって複
数の前記多層セラミック基板を取り出すことができるよ
うにされていて、前記セラミック絶縁材料粉末の焼結温
度では焼結しない無機材料粉末を含む第１および第２の
収縮抑制層が、前記生の多層集合基板を積層方向に挟む
ように配置されている、生の複合積層体を作製する工程
と、前記生の複合積層体における前記縦方向分割線および前
記横方向分割線の各位置に沿い、かつ前記第１の収縮抑
制層を厚み方向に貫通しながら前記生の多層集合基板の
厚みの一部にまで届く深さをもって、縦方向切り込み溝
および横方向切り込み溝をそれぞれ設ける工程と、前記縦方向切り込み溝および前記横方向切り込み溝がそ
れぞれ設けられた前記生の複合積層体を、前記セラミッ
ク絶縁材料粉末が焼結するが前記無機材料粉末が焼結し
ない条件下で焼成し、それによって、前記第１および第
２の収縮抑制層によって挟まれた焼結後の前記多層集合
基板を得る工程と、次いで、前記第１および第２の収縮
抑制層を除去し、それによって、焼結後の前記多層集合
基板を取り出す工程と、焼結後の前記多層集合基板を前記縦方向切り込み溝およ
び前記横方向切り込み溝に沿ってそれぞれ分割し、それ
によって、複数の前記多層セラミック基板を取り出す工
程とを備え、前記縦方向切り込み溝および横方向切り込み溝をそれぞ
れ設ける工程において、前記縦方向切り込み溝および前
記横方向切り込み溝の少なくとも一方について、その配
列における両端に位置するものを除く切り込み溝の終端
と当該切り込み溝の延長線上に位置する前記生の複合積
層体の端縁との間の距離が３ｍｍ以上となるようにされ
ることを特徴とする、多層セラミック基板の製造方法。
【請求項２】前記縦方向切り込み溝および横方向切り
込み溝をそれぞれ設ける工程において、前記縦方向切り
込み溝および前記横方向切り込み溝の双方について、前
記切り込み溝の終端と前記生の複合積層体の端縁との間
の距離が３ｍｍ以上となるようにされることを特徴とす
る、請求項１に記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項３】前記縦方向切り込み溝および横方向切り
込み溝をそれぞれ設ける工程において、前記縦方向切り
込み溝および前記横方向切り込み溝の少なくとも一方に
ついて、前記切り込み溝の終端と前記生の複合積層体の
端縁との間の距離が１０ｍｍ以上となるようにされるこ
とを特徴とする、請求項１または２に記載の多層セラミ
ック基板の製造方法。
【請求項４】前記縦方向切り込み溝および横方向切り
込み溝をそれぞれ設ける工程において、前記縦方向切り
込み溝および前記横方向切り込み溝の双方について、前
記切り込み溝の終端と前記生の複合積層体の端縁との間
の距離が１０ｍｍ以上となるようにされることを特徴と
する、請求項１ないし３のいずれかに記載の多層セラミ
ック基板の製造方法。
【請求項５】前記縦方向切り込み溝および横方向切り
込み溝をそれぞれ設ける工程において、前記縦方向切り
込み溝および前記横方向切り込み溝の少なくとも一方の
すべての終端と前記生の複合積層体の端縁との間の距離
が３ｍｍ以上となるようにされることを特徴とする、請
求項１または２に記載の多層セラミック基板の製造方
法。
【請求項６】前記セラミックグリーン層は、ガラスま
たは結晶化ガラスを含む、請求項１ないし５のいずれか
に記載の多層セラミック基板の製造方法。