JP2002185082A - 窒化物半導体レーザアレイ - Google Patents
窒化物半導体レーザアレイInfo
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- JP2002185082A JP2002185082A JP2000381851A JP2000381851A JP2002185082A JP 2002185082 A JP2002185082 A JP 2002185082A JP 2000381851 A JP2000381851 A JP 2000381851A JP 2000381851 A JP2000381851 A JP 2000381851A JP 2002185082 A JP2002185082 A JP 2002185082A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、特に、煩雑な工程を無くし小型化
をはかると共に、高出力でレーザ光が出射可能な窒化物
半導体レーザアレイを提供することにある。 【解決手段】 窒化物半導体からなる、ｎ型コンタクト
層を含むｎ型層と、活性層と、ｐ型コンタクト層を含む
ｐ型層と、が順に含まれた窒化物半導体レーザアレイで
ある。特に、この窒化物半導体レーザアレイは、１つの
ＬＤチップに複数のストライプ構造を備え、かつストラ
イプ構造の最上層となる各ｐ型コンタクト層に、ｐ電極
を有する。
をはかると共に、高出力でレーザ光が出射可能な窒化物
半導体レーザアレイを提供することにある。 【解決手段】 窒化物半導体からなる、ｎ型コンタクト
層を含むｎ型層と、活性層と、ｐ型コンタクト層を含む
ｐ型層と、が順に含まれた窒化物半導体レーザアレイで
ある。特に、この窒化物半導体レーザアレイは、１つの
ＬＤチップに複数のストライプ構造を備え、かつストラ
イプ構造の最上層となる各ｐ型コンタクト層に、ｐ電極
を有する。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数のストライプ
状の導波路領域を有する窒化物半導体レーザアレイに係
わり、特に活性層におけるキャリアの閉じ込め効果の向
上乃至各半導体層に流れる電流の均一化を行うために改
善した高出力発光が可能な窒化物半導体レーザアレイに
関する。
状の導波路領域を有する窒化物半導体レーザアレイに係
わり、特に活性層におけるキャリアの閉じ込め効果の向
上乃至各半導体層に流れる電流の均一化を行うために改
善した高出力発光が可能な窒化物半導体レーザアレイに
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体レーザは小型、高信頼性、
且つ高出力化が進み、主にパーソナルコンピューター、
ＤＶＤなどの電子機器、医療機器、加工機器や光ファイ
バー通信の光源などに利用されている。中でも窒化物半
導体（ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ）は比較的短波長の紫外
域から赤色が発光可能な半導体レーザとして注目されて
いる。
且つ高出力化が進み、主にパーソナルコンピューター、
ＤＶＤなどの電子機器、医療機器、加工機器や光ファイ
バー通信の光源などに利用されている。中でも窒化物半
導体（ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ）は比較的短波長の紫外
域から赤色が発光可能な半導体レーザとして注目されて
いる。
【０００３】一方、これまで、青色乃至白色を表現する
方法として、次に記載する方法が用いられてきた。すな
わち、青色を表す方法としては、窒化物半導体よりなる
青色発光が可能なＬＥＤ（発光ダイオード）を単体で用
いる。また、白色を表す方法としては、ＲＧＢ（赤色、
緑色、青色）をそれぞれ発光可能なＬＥＤを隣接して配
置し、各発光色を混合することにより白色を表現する方
法と、青色ＬＥＤと黄色の蛍光を発する蛍光体を組み合
わせることにより白色を表現する方法とがある。
方法として、次に記載する方法が用いられてきた。すな
わち、青色を表す方法としては、窒化物半導体よりなる
青色発光が可能なＬＥＤ（発光ダイオード）を単体で用
いる。また、白色を表す方法としては、ＲＧＢ（赤色、
緑色、青色）をそれぞれ発光可能なＬＥＤを隣接して配
置し、各発光色を混合することにより白色を表現する方
法と、青色ＬＥＤと黄色の蛍光を発する蛍光体を組み合
わせることにより白色を表現する方法とがある。
【０００４】また、一般に、ＬＤはＬＥＤに比較して電
流から光への変換効率が高いという特徴を有する。そこ
で、ＬＤは前述した種々の用途における光源だけでなく
照明用光源としても注目されている。
流から光への変換効率が高いという特徴を有する。そこ
で、ＬＤは前述した種々の用途における光源だけでなく
照明用光源としても注目されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、現在に
おける照明用光源として用いることができる少なくとも
青色発光が可能なＬＤ、特により高出力の半導体レーザ
アレイについては、その利用分野の拡大に伴い、さらな
る改良が求められている。本発明は、特に、煩雑な工程
を無くし小型化をはかると共に、高出力でレーザ光が出
射可能な窒化物半導体レーザアレイを提供することにあ
る。
おける照明用光源として用いることができる少なくとも
青色発光が可能なＬＤ、特により高出力の半導体レーザ
アレイについては、その利用分野の拡大に伴い、さらな
る改良が求められている。本発明は、特に、煩雑な工程
を無くし小型化をはかると共に、高出力でレーザ光が出
射可能な窒化物半導体レーザアレイを提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明における窒化物半
導体レーザアレイは、窒化物半導体からなる、ｎ型コン
タクト層を含むｎ型層と、活性層と、ｐ型コンタクト層
を含むｐ型層と、が順に含まれた窒化物半導体レーザア
レイであって、複数のストライプ構造を備え、かつ複数
のストライプ構造の最上層となる各ｐ型コンタクト層
に、ｐ電極を有する。このように構成することにより、
高出力化が可能であると共に小型化も可能となる。さら
には、それぞれのストライプ構造は同一チップ内に直接
形成されるため、１つのストライプ構造を備える窒化物
半導体レーザ素子を別の支持体上に複数配置したレーザ
アレイに比較して、より方向性よくレーザ光を出射する
ことができる。
導体レーザアレイは、窒化物半導体からなる、ｎ型コン
タクト層を含むｎ型層と、活性層と、ｐ型コンタクト層
を含むｐ型層と、が順に含まれた窒化物半導体レーザア
レイであって、複数のストライプ構造を備え、かつ複数
のストライプ構造の最上層となる各ｐ型コンタクト層
に、ｐ電極を有する。このように構成することにより、
高出力化が可能であると共に小型化も可能となる。さら
には、それぞれのストライプ構造は同一チップ内に直接
形成されるため、１つのストライプ構造を備える窒化物
半導体レーザ素子を別の支持体上に複数配置したレーザ
アレイに比較して、より方向性よくレーザ光を出射する
ことができる。
【０００７】また、本発明の窒化物半導体レーザアレイ
は、ｐ型層を備える側に、ｎ型コンタクト層を底面とす
る凹部を有する。さらに、この凹部は、前記複数のスト
ライプ構造の少なくとも一方の外側に、前記ストライプ
構造と並列して設けられ、この凹部の底面にｎ電極を有
する。このように構成することにより、各ストライプ構
造における複数のｐ電極に対するｎ電極を共通のものと
することができる。
は、ｐ型層を備える側に、ｎ型コンタクト層を底面とす
る凹部を有する。さらに、この凹部は、前記複数のスト
ライプ構造の少なくとも一方の外側に、前記ストライプ
構造と並列して設けられ、この凹部の底面にｎ電極を有
する。このように構成することにより、各ストライプ構
造における複数のｐ電極に対するｎ電極を共通のものと
することができる。
【０００８】また、本発明の窒化物半導体レーザアレイ
は、ｐ型層を備える側に、ｎ型コンタクト層を底面とす
る凹部を有する。さらに、この凹部は、少なくとも前記
各ストライプ構造の間に設けられ、これら凹部の底面に
ｎ電極を有する。このように構成することにより、窒化
物半導体に流れる電流をより均一にすることができる、
さらには、冷却効率すなわち放熱性を向上させることが
できる。
は、ｐ型層を備える側に、ｎ型コンタクト層を底面とす
る凹部を有する。さらに、この凹部は、少なくとも前記
各ストライプ構造の間に設けられ、これら凹部の底面に
ｎ電極を有する。このように構成することにより、窒化
物半導体に流れる電流をより均一にすることができる、
さらには、冷却効率すなわち放熱性を向上させることが
できる。
【０００９】また、本発明の窒化物半導体レーザアレイ
は、ｎ電極を有し、かつｎ電極とｐ電極は少なくとも前
記活性層を介すると共に対向して位置する。このように
構成することにより、より効率よくレーザ光を出射する
ことができる。
は、ｎ電極を有し、かつｎ電極とｐ電極は少なくとも前
記活性層を介すると共に対向して位置する。このように
構成することにより、より効率よくレーザ光を出射する
ことができる。
【００１０】また、本発明の請求項４に記載の窒化物半
導体レーザアレイにおいて、ｐ型層を備える側における
少なくとも各ストライプ構造の間に、凹部を備えること
ができる。このように構成することにより、放熱性をよ
り向上させることができる。
導体レーザアレイにおいて、ｐ型層を備える側における
少なくとも各ストライプ構造の間に、凹部を備えること
ができる。このように構成することにより、放熱性をよ
り向上させることができる。
【００１１】また、本発明の窒化物半導体レーザアレイ
は、活性層とｐ型層との間に、Ａｌを含む窒化物半導体
からなる電子閉じ込め層を有し、かつ電子閉じ込め層の
Ａｌ混晶比は０．３〜０．５とすることができる。この
ように構成することにより、電子閉じ込め層のバンドギ
ャップが大きくなるので、高電流を流したときに電子が
オーバーフローするのを効果的に防止することができ
る。
は、活性層とｐ型層との間に、Ａｌを含む窒化物半導体
からなる電子閉じ込め層を有し、かつ電子閉じ込め層の
Ａｌ混晶比は０．３〜０．５とすることができる。この
ように構成することにより、電子閉じ込め層のバンドギ
ャップが大きくなるので、高電流を流したときに電子が
オーバーフローするのを効果的に防止することができ
る。
【００１２】また、本発明の窒化物半導体レーザアレイ
は、複数のｐ電極を、同一のｐパッド電極に接続するこ
とができる。このように構成することにより、複数のワ
イヤーを用いる必要が無くなるので、小型化が可能とな
る。
は、複数のｐ電極を、同一のｐパッド電極に接続するこ
とができる。このように構成することにより、複数のワ
イヤーを用いる必要が無くなるので、小型化が可能とな
る。
【００１３】また、本発明の窒化物半導体レーザアレイ
は、ストライプ構造をリッジ導波型とすることができ
る。このように構成することにより、より容易にレーザ
光を出射させることができる。
は、ストライプ構造をリッジ導波型とすることができ
る。このように構成することにより、より容易にレーザ
光を出射させることができる。
【００１４】また、本発明の窒化物半導体レーザアレイ
における複数のｎ電極は、同一のｎパッド電極に接続す
ることができる。このように構成することにより、複数
のワイヤーを用いる必要が無くなるので、小型化が可能
となる。
における複数のｎ電極は、同一のｎパッド電極に接続す
ることができる。このように構成することにより、複数
のワイヤーを用いる必要が無くなるので、小型化が可能
となる。
【００１５】また、本発明の窒化物半導体レーザアレイ
におけるｎ電極はストライプ状であり、さらに、複数の
ストライプ状のｎ電極は、それぞれの両端部にて同一の
ｎパッド電極に接続することができる。このように構成
することにより、複数のワイヤーを用いる必要が無くな
り小型化が可能となるばかりでなく、電流をより均一に
流すことができる。
におけるｎ電極はストライプ状であり、さらに、複数の
ストライプ状のｎ電極は、それぞれの両端部にて同一の
ｎパッド電極に接続することができる。このように構成
することにより、複数のワイヤーを用いる必要が無くな
り小型化が可能となるばかりでなく、電流をより均一に
流すことができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明者等は、種々の実験の結
果、１つのＬＤ（レーザダイオード）チップ内に複数の
ストライプ構造を有する特定構造の窒化物半導体レーザ
アレイとすることにより、レーザ出力を飛躍的に高める
ことができることを見いだし、本発明をなすにいたっ
た。本発明は、小型化が可能であると共に、方向性よく
レーザ光を出射することができる高出力発光が可能な窒
化物半導体レーザアレイである。
果、１つのＬＤ（レーザダイオード）チップ内に複数の
ストライプ構造を有する特定構造の窒化物半導体レーザ
アレイとすることにより、レーザ出力を飛躍的に高める
ことができることを見いだし、本発明をなすにいたっ
た。本発明は、小型化が可能であると共に、方向性よく
レーザ光を出射することができる高出力発光が可能な窒
化物半導体レーザアレイである。
【００１７】すなわち、別の支持体上に個々の半導体レ
ーザチップをそれぞれ連なるように配置した窒化物半導
体レーザアレイは、各レーザ素子を制御性よく隣接して
配置し、さらには各電極それぞれにワイヤーを接続する
必要があった。しかしながら、各レーザ素子を限界まで
近接して配置することは非常に困難であると共に、支持
体上に各レーザ素子を配置する際にレーザ光出射方向に
所謂ズレが生じる可能性があった。さらに、各電極にワ
イヤーを接続する場合には、複数のワイヤーを用いるの
で手順が煩雑になるばかりでなく、ある程度のスペース
が必要となり、各レーザ素子を近接させて配置すること
が困難であった。
ーザチップをそれぞれ連なるように配置した窒化物半導
体レーザアレイは、各レーザ素子を制御性よく隣接して
配置し、さらには各電極それぞれにワイヤーを接続する
必要があった。しかしながら、各レーザ素子を限界まで
近接して配置することは非常に困難であると共に、支持
体上に各レーザ素子を配置する際にレーザ光出射方向に
所謂ズレが生じる可能性があった。さらに、各電極にワ
イヤーを接続する場合には、複数のワイヤーを用いるの
で手順が煩雑になるばかりでなく、ある程度のスペース
が必要となり、各レーザ素子を近接させて配置すること
が困難であった。
【００１８】本発明の窒化物半導体レーザアレイは、窒
化物半導体からなるｎ型層と、活性層と、ｐ型層とが順
に積層された構造を有し、１つのＬＤチップ内に、複数
のストライプ構造すなわち導波路が形成されたものであ
る。詳しくは、ｎ型クラッド層、ｐ型クラッド層を有す
ることで、導波路が設けられた構造となる。なお、本明
細書における窒化物半導体とは、ＧａＮ、ＡｌＮ、もし
くはＩｎＮ、又はこれらの混晶であるIII−V族窒化物半
導体（ＩｎaＡｌbＧａ1-a-bＮ、０≦ａ、０≦ｂ、ａ＋
ｂ＜１）を指す。また、本発明における窒化物半導体を
用いたレーザ素子の共振器の長さは、４００〜９００μ
ｍ程度の範囲であれば、前後のミラーの反射率を制御す
ることで、駆動電流を低くすることができ、好ましい。 （ｎ型クラッド層） 本発明におけるｎ型クラッド層
は、後に記載するｐ型クラッド層と同様に、光を閉じ込
めるのに十分な屈折率差が設けられていれば良く、特に
Ａｌを含む窒化物半導体層が好ましく用いられる。ま
た、この層は、単一若しくは多層膜であっても良く、具
体的には、ＡｌＧａＮとＧａＮとを交互に積層した超格
子構造であっても良い。また、ｎ型クラッド層は、キャ
リアの閉じ込め層、及び光閉じ込め層として作用し、多
層膜構造とする場合には、前述のように、Ａｌを含む窒
化物半導体、好ましくはＡｌＧａＮを成長させることが
できる。さらに、本発明におけるｎ型クラッド層は、ｎ
型不純物がドープされていても良いし、アンドープであ
っても良く、また、多層膜層において、それを構成する
少なくとも１つの層にドープしたものであっても良い。
また、発振波長が長波長の４３０〜５５０ｎｍのレーザ
素子では、このクラッド層はｎ型不純物をドープしたＧ
ａＮが好ましい。ｎ型クラッド層の膜厚は、後に記載す
るｐ型クラッド層と同様に、特に限定されるものではな
いが、１００Å以上２μｍ以下、好ましくは５００Å以
上１．５μｍ以下の範囲で形成することができる。 （ｎ型光ガイド層及びｐ型光ガイド層） 本発明におい
て、ｎ型光ガイド層とｐ型光ガイド層を、それぞれｎ型
クラッド層とｐ型クラッド層よりも内側に設けて活性層
を挟み込み光導波路を形成することで、窒化物半導体に
おいて優れた導波路を形成することができる。この時、
導波路（活性層とそれを挟み込む両ガイド層）の膜厚を
６０００Å以下とすることにより、発振閾値電流の急激
な増大を抑制することができる。さらに好ましくは４５
００Å以下とすることで、より低く抑えられた発振閾値
電流で、連続発振が可能となる。また、各光ガイド層の
膜厚はほぼ同じである。具体的には１００Å以上１μｍ
以下、好ましくは５００Å以上２０００Å以下で形成す
ることで良好な光導波路とすることができる。更に、各
光ガイド層は、窒化物半導体からなり、その外側に設け
られるクラッド層と比較して、導波路形成に十分なエネ
ルギーバンドギャップを有していればよく、単一の膜、
多層膜のどちらでも良い。本発明におけるｐ型光ガイド
層は、発振波長が３７０〜４７０ｎｍの領域では、アン
ドープのＧａＮを用いることができる。また、比較的長
波長な領域（４５０μｍ以上）では、ＩｎＧａＮ／Ｇａ
Ｎの多層膜構造を用いることができる。また、本発明に
おけるｎ型光ガイド層及びｐ型光ガイド層は、活性層の
エネルギーバンドギャップを考慮して、ＧａＮ、ＩｎＧ
ａＮを用い、アンドープのＧａＮ、活性層に近づくに従
いＩｎ混晶比を小さくしたＩｎＧａＮとＧａＮとを交互
に積層した多層膜で設けることにより、好ましい導波路
とすることができる。 （活性層） 本発明の窒化物半導体レーザアレイにおけ
る活性層は、Ｉｎを含む窒化物半導体層を有することが
できる。これにより、紫外域、可視域において青色系か
ら赤色系の波長のレーザ光を得ることができる。また、
本発明における窒化物半導体レーザアレイは、リッジ導
波型とすることができる。すなわち、エッチング等によ
り活性層に達しない深さで窒化物半導体層の一部を取り
除くことで、本発明の窒化物半導体レーザアレイをリッ
ジ導波型とすることができる。さらに、本発明において
は、導波路領域となるストライプの幅を１以上６μｍ未
満、より好ましくは２以上５μｍ未満、さらに好ましく
は３．５以上４．５μｍ未満の範囲に調整することで、
安定した発振が可能となるばかりでなく、ストライプ幅
を範囲内で調整することによって、基本モード（単一）
かマルチモードを選択することができる。ここで、本発
明における窒化物半導体レーザアレイを照明用光源とし
て用いる場合には、基本モードである必要はなく、むし
ろマルチモードであったほうが好ましい。ちなみに、ス
トライプの幅が、１μｍ未満であるとストライプの形成
が困難となり、１以上２μｍ未満であると基本モードに
なり、２以上６μｍ未満であると基本モードが多モード
になり、さらに６μｍ以上であるとしきい値が高くなり
レーザ光が発振されにくくなる傾向にある。また、活性
層は、量子井戸構造であっても良く、その場合単一量子
井戸、多重量子井戸の各構造をとることができる。
化物半導体からなるｎ型層と、活性層と、ｐ型層とが順
に積層された構造を有し、１つのＬＤチップ内に、複数
のストライプ構造すなわち導波路が形成されたものであ
る。詳しくは、ｎ型クラッド層、ｐ型クラッド層を有す
ることで、導波路が設けられた構造となる。なお、本明
細書における窒化物半導体とは、ＧａＮ、ＡｌＮ、もし
くはＩｎＮ、又はこれらの混晶であるIII−V族窒化物半
導体（ＩｎaＡｌbＧａ1-a-bＮ、０≦ａ、０≦ｂ、ａ＋
ｂ＜１）を指す。また、本発明における窒化物半導体を
用いたレーザ素子の共振器の長さは、４００〜９００μ
ｍ程度の範囲であれば、前後のミラーの反射率を制御す
ることで、駆動電流を低くすることができ、好ましい。 （ｎ型クラッド層） 本発明におけるｎ型クラッド層
は、後に記載するｐ型クラッド層と同様に、光を閉じ込
めるのに十分な屈折率差が設けられていれば良く、特に
Ａｌを含む窒化物半導体層が好ましく用いられる。ま
た、この層は、単一若しくは多層膜であっても良く、具
体的には、ＡｌＧａＮとＧａＮとを交互に積層した超格
子構造であっても良い。また、ｎ型クラッド層は、キャ
リアの閉じ込め層、及び光閉じ込め層として作用し、多
層膜構造とする場合には、前述のように、Ａｌを含む窒
化物半導体、好ましくはＡｌＧａＮを成長させることが
できる。さらに、本発明におけるｎ型クラッド層は、ｎ
型不純物がドープされていても良いし、アンドープであ
っても良く、また、多層膜層において、それを構成する
少なくとも１つの層にドープしたものであっても良い。
また、発振波長が長波長の４３０〜５５０ｎｍのレーザ
素子では、このクラッド層はｎ型不純物をドープしたＧ
ａＮが好ましい。ｎ型クラッド層の膜厚は、後に記載す
るｐ型クラッド層と同様に、特に限定されるものではな
いが、１００Å以上２μｍ以下、好ましくは５００Å以
上１．５μｍ以下の範囲で形成することができる。 （ｎ型光ガイド層及びｐ型光ガイド層） 本発明におい
て、ｎ型光ガイド層とｐ型光ガイド層を、それぞれｎ型
クラッド層とｐ型クラッド層よりも内側に設けて活性層
を挟み込み光導波路を形成することで、窒化物半導体に
おいて優れた導波路を形成することができる。この時、
導波路（活性層とそれを挟み込む両ガイド層）の膜厚を
６０００Å以下とすることにより、発振閾値電流の急激
な増大を抑制することができる。さらに好ましくは４５
００Å以下とすることで、より低く抑えられた発振閾値
電流で、連続発振が可能となる。また、各光ガイド層の
膜厚はほぼ同じである。具体的には１００Å以上１μｍ
以下、好ましくは５００Å以上２０００Å以下で形成す
ることで良好な光導波路とすることができる。更に、各
光ガイド層は、窒化物半導体からなり、その外側に設け
られるクラッド層と比較して、導波路形成に十分なエネ
ルギーバンドギャップを有していればよく、単一の膜、
多層膜のどちらでも良い。本発明におけるｐ型光ガイド
層は、発振波長が３７０〜４７０ｎｍの領域では、アン
ドープのＧａＮを用いることができる。また、比較的長
波長な領域（４５０μｍ以上）では、ＩｎＧａＮ／Ｇａ
Ｎの多層膜構造を用いることができる。また、本発明に
おけるｎ型光ガイド層及びｐ型光ガイド層は、活性層の
エネルギーバンドギャップを考慮して、ＧａＮ、ＩｎＧ
ａＮを用い、アンドープのＧａＮ、活性層に近づくに従
いＩｎ混晶比を小さくしたＩｎＧａＮとＧａＮとを交互
に積層した多層膜で設けることにより、好ましい導波路
とすることができる。 （活性層） 本発明の窒化物半導体レーザアレイにおけ
る活性層は、Ｉｎを含む窒化物半導体層を有することが
できる。これにより、紫外域、可視域において青色系か
ら赤色系の波長のレーザ光を得ることができる。また、
本発明における窒化物半導体レーザアレイは、リッジ導
波型とすることができる。すなわち、エッチング等によ
り活性層に達しない深さで窒化物半導体層の一部を取り
除くことで、本発明の窒化物半導体レーザアレイをリッ
ジ導波型とすることができる。さらに、本発明において
は、導波路領域となるストライプの幅を１以上６μｍ未
満、より好ましくは２以上５μｍ未満、さらに好ましく
は３．５以上４．５μｍ未満の範囲に調整することで、
安定した発振が可能となるばかりでなく、ストライプ幅
を範囲内で調整することによって、基本モード（単一）
かマルチモードを選択することができる。ここで、本発
明における窒化物半導体レーザアレイを照明用光源とし
て用いる場合には、基本モードである必要はなく、むし
ろマルチモードであったほうが好ましい。ちなみに、ス
トライプの幅が、１μｍ未満であるとストライプの形成
が困難となり、１以上２μｍ未満であると基本モードに
なり、２以上６μｍ未満であると基本モードが多モード
になり、さらに６μｍ以上であるとしきい値が高くなり
レーザ光が発振されにくくなる傾向にある。また、活性
層は、量子井戸構造であっても良く、その場合単一量子
井戸、多重量子井戸の各構造をとることができる。
【００１９】本発明の窒化物半導体レーザアレイは、ｎ
型窒化物半導体とｐ型窒化物半導体とで、すなわちｎ型
クラッド層とｐ型クラッド層とで活性層を挟み込み、導
波路を構成するが、この時、両クラッド層と、活性層と
の間には、先に記載したガイド層や後に記載する電子閉
じ込め層などを設けても良い。 （電子閉じ込め層） また、活性層とｐ型クラッド層と
の間、好ましくは活性層と先に記載したｐ型光ガイド層
との間に設けられる電子閉じ込め層は、閾値電流の低下
により容易な発振に寄与し、活性層へのキャリアの閉じ
込めとしても機能する層であり、具体的にはＡｌＧａＮ
を用いることができる。この電子閉じ込め層にＡｌＧａ
Ｎを用いる場合には、好ましくはｐ型不純物をドープし
たものとすることで上記機能を有し得るが、ノンドープ
であっても上記キャリアの閉込めとして機能する傾向に
ある。また、膜厚としては、５００Å以下で形成し、Ａ
ｌxＧａ1-xＮの組成としては、ｘが０．２以上０．６未
満、好ましくは０．３以上０．５未満とすることで上記
機能を果たすことができる。これにより、電子閉じ込め
層のバンドギャップを広くすることができるので、電子
がオーバーフローするのを防ぐことができる。 （ｐ型クラッド層） 本発明におけるｐ型クラッド層
は、前述したｎ型クラッド層と同様に、光を閉じ込める
のに十分な屈折率差が設けられていれば良く、Ａｌを含
む窒化物半導体層が好ましく用いられる。また、この層
は、単一若しくは多層膜であっても良く、具体的には実
施例に示すように、ＡｌＧａＮとＧａＮとを交互に積層
した超格子構造であっても良い。さらに、ｐ型クラッド
層は、ｐ型不純物がドープされていても良いし、アンド
ープであっても良く、実施例に示すように多層膜層にお
いて、それを構成する少なくとも１つの層にドープした
ものであっても良い。なお、発振波長が長波長の４３０
〜５５０ｎｍのレーザ素子では、このクラッド層はｐ型
不純物をドープしたＧａＮが好ましい。また、膜厚とし
ては、特に限定されるものではないが、１００Å以上２
μｍ以下、より好ましくは５００Å以上１．５μｍ以下
の範囲で形成することができる。 （電極） 本発明において、ｐ電極は、特に限定される
ものではないが、実施例に示すように、部分的に絶縁膜
を介して、ストライプ状の凸部上面のほぼ全面に設ける
構造とすることができる。なお、電流を均一に流すため
に、ｐ電極とｐパッド電極の接続面積はできるだけ大き
く、ストライプ方向に長いことが好ましい。また、本発
明においては、複数のｐ電極の露出部を、共通のｐパッ
ト電極に接続することができる。これにより、複数のワ
イヤを使用する必要が無く、小型化が可能となる。
型窒化物半導体とｐ型窒化物半導体とで、すなわちｎ型
クラッド層とｐ型クラッド層とで活性層を挟み込み、導
波路を構成するが、この時、両クラッド層と、活性層と
の間には、先に記載したガイド層や後に記載する電子閉
じ込め層などを設けても良い。 （電子閉じ込め層） また、活性層とｐ型クラッド層と
の間、好ましくは活性層と先に記載したｐ型光ガイド層
との間に設けられる電子閉じ込め層は、閾値電流の低下
により容易な発振に寄与し、活性層へのキャリアの閉じ
込めとしても機能する層であり、具体的にはＡｌＧａＮ
を用いることができる。この電子閉じ込め層にＡｌＧａ
Ｎを用いる場合には、好ましくはｐ型不純物をドープし
たものとすることで上記機能を有し得るが、ノンドープ
であっても上記キャリアの閉込めとして機能する傾向に
ある。また、膜厚としては、５００Å以下で形成し、Ａ
ｌxＧａ1-xＮの組成としては、ｘが０．２以上０．６未
満、好ましくは０．３以上０．５未満とすることで上記
機能を果たすことができる。これにより、電子閉じ込め
層のバンドギャップを広くすることができるので、電子
がオーバーフローするのを防ぐことができる。 （ｐ型クラッド層） 本発明におけるｐ型クラッド層
は、前述したｎ型クラッド層と同様に、光を閉じ込める
のに十分な屈折率差が設けられていれば良く、Ａｌを含
む窒化物半導体層が好ましく用いられる。また、この層
は、単一若しくは多層膜であっても良く、具体的には実
施例に示すように、ＡｌＧａＮとＧａＮとを交互に積層
した超格子構造であっても良い。さらに、ｐ型クラッド
層は、ｐ型不純物がドープされていても良いし、アンド
ープであっても良く、実施例に示すように多層膜層にお
いて、それを構成する少なくとも１つの層にドープした
ものであっても良い。なお、発振波長が長波長の４３０
〜５５０ｎｍのレーザ素子では、このクラッド層はｐ型
不純物をドープしたＧａＮが好ましい。また、膜厚とし
ては、特に限定されるものではないが、１００Å以上２
μｍ以下、より好ましくは５００Å以上１．５μｍ以下
の範囲で形成することができる。 （電極） 本発明において、ｐ電極は、特に限定される
ものではないが、実施例に示すように、部分的に絶縁膜
を介して、ストライプ状の凸部上面のほぼ全面に設ける
構造とすることができる。なお、電流を均一に流すため
に、ｐ電極とｐパッド電極の接続面積はできるだけ大き
く、ストライプ方向に長いことが好ましい。また、本発
明においては、複数のｐ電極の露出部を、共通のｐパッ
ト電極に接続することができる。これにより、複数のワ
イヤを使用する必要が無く、小型化が可能となる。
【００２０】また、特に限定されるものではないが、積
層面側から見たｎパッド電極の形状は、実施例１におけ
る窒化物半導体レーザアレイ１のように、ｐパッド電極
を囲む形状とすることが好ましい。実施例１の場合、ｎ
電極はストライプ状であり、両端部の２カ所が露出し、
共通のｎパッド電極に接続されている。また、複数のス
トライプ状のｎ電極における一方の端部を露出させ、同
一のｎパッド電極に接続することもできる。
層面側から見たｎパッド電極の形状は、実施例１におけ
る窒化物半導体レーザアレイ１のように、ｐパッド電極
を囲む形状とすることが好ましい。実施例１の場合、ｎ
電極はストライプ状であり、両端部の２カ所が露出し、
共通のｎパッド電極に接続されている。また、複数のス
トライプ状のｎ電極における一方の端部を露出させ、同
一のｎパッド電極に接続することもできる。
【００２１】また、実施例２における窒化物半導体レー
ザアレイ２１におけるｎ電極は、積層面側から見て、複
数のストライプ状のｐ電極に並列して位置することが好
ましく、より好ましくは複数のストライプ状のｐ電極の
両隣に並列して位置することができる。一方、窒化物半
導体レーザアレイ２１においては、ｐ電極とｐパッド電
極及びｎ電極とｎパッド電極の各接続部を図７のように
交互に位置させることができる。
ザアレイ２１におけるｎ電極は、積層面側から見て、複
数のストライプ状のｐ電極に並列して位置することが好
ましく、より好ましくは複数のストライプ状のｐ電極の
両隣に並列して位置することができる。一方、窒化物半
導体レーザアレイ２１においては、ｐ電極とｐパッド電
極及びｎ電極とｎパッド電極の各接続部を図７のように
交互に位置させることができる。
【００２２】また、実施例３及び４における窒化物半導
体レーザアレイ４１及び５７のｎ電極は、特に限定され
るものではないが、半導体積層面と逆の側、すなわち裏
面の側のほぼ全面に共通のｎ電極として形成することが
できる。
体レーザアレイ４１及び５７のｎ電極は、特に限定され
るものではないが、半導体積層面と逆の側、すなわち裏
面の側のほぼ全面に共通のｎ電極として形成することが
できる。
【００２３】また、各パッド電極とワイヤーとの接続箇
所は特に限定されない。すなわち、ｐパッド電極とワイ
ヤーとの接続箇所は、例えば図６に示すように、ｐパッ
ド電極をｐ電極が複数露出した領域よりも大きく設け、
その余剰箇所すなわち複数のｐ電極が露出した領域以外
で接続することができる。また、複数のｐ電極が露出し
た領域に直接接続させることもできる。一方、例えば、
ｎパッド電極とワイヤーとの接続箇所は、ｐパッド電極
とワイヤーとの接続箇所と同様に、例えば図６に示すよ
うに、ｎパッド電極をｎ電極が複数露出した領域よりも
大きく設け、その余剰箇所すなわち複数のｎ電極が露出
した領域以外で接続することができる。また、複数のｎ
電極が露出した領域に直接接続することもできる。ま
た、例えば、図１１のように、ｐ電極とｐパッド電極及
びｎ電極とｎパッド電極の各接続部が交互に位置する場
合、各パッド電極とそれぞれに対応するワイヤーとの接
続箇所は、各パッド電極を各電極の露出領域よりも大き
く設け、その余剰箇所にて接続することができる。また
特に限定されるものではないが、各パッド電極とそれぞ
れに対応するワイヤーとの接続位置は、ストライプ方向
あるいはストライプ方向と垂直な方向で一致してもよい
し、対角線上に位置することもできる。以上のように各
電極を形成することにより、電流を均一に流すことがで
き、効率のよい通電を得ることができる。
所は特に限定されない。すなわち、ｐパッド電極とワイ
ヤーとの接続箇所は、例えば図６に示すように、ｐパッ
ド電極をｐ電極が複数露出した領域よりも大きく設け、
その余剰箇所すなわち複数のｐ電極が露出した領域以外
で接続することができる。また、複数のｐ電極が露出し
た領域に直接接続させることもできる。一方、例えば、
ｎパッド電極とワイヤーとの接続箇所は、ｐパッド電極
とワイヤーとの接続箇所と同様に、例えば図６に示すよ
うに、ｎパッド電極をｎ電極が複数露出した領域よりも
大きく設け、その余剰箇所すなわち複数のｎ電極が露出
した領域以外で接続することができる。また、複数のｎ
電極が露出した領域に直接接続することもできる。ま
た、例えば、図１１のように、ｐ電極とｐパッド電極及
びｎ電極とｎパッド電極の各接続部が交互に位置する場
合、各パッド電極とそれぞれに対応するワイヤーとの接
続箇所は、各パッド電極を各電極の露出領域よりも大き
く設け、その余剰箇所にて接続することができる。また
特に限定されるものではないが、各パッド電極とそれぞ
れに対応するワイヤーとの接続位置は、ストライプ方向
あるいはストライプ方向と垂直な方向で一致してもよい
し、対角線上に位置することもできる。以上のように各
電極を形成することにより、電流を均一に流すことがで
き、効率のよい通電を得ることができる。
【００２４】また、共振器面の形成方法として、各実施
例に示すように劈開する他に、エッチングにより共振器
面を作製しても良い。
例に示すように劈開する他に、エッチングにより共振器
面を作製しても良い。
【００２５】以下、各実施例について詳述するが、本発
明はこれのみに限定されるものではない。また、本発明
において、窒化物半導体の成長はＭＯＶＰＥ、ＭＯＣＶ
Ｄ（有機金属化学気相成長法）、ＨＶＰＥ（ハライド気
相成長法）、ＭＢＥ（分子線気相成長法）等、窒化物半
導体を成長させるのに知られているすべての方法を適用
できる。
明はこれのみに限定されるものではない。また、本発明
において、窒化物半導体の成長はＭＯＶＰＥ、ＭＯＣＶ
Ｄ（有機金属化学気相成長法）、ＨＶＰＥ（ハライド気
相成長法）、ＭＢＥ（分子線気相成長法）等、窒化物半
導体を成長させるのに知られているすべての方法を適用
できる。
【００２６】
【実施例１】以下、実施例として、図１乃至３に示す窒
化物半導体レーザアレイ１について説明する。なお、図
１において（ａ）は図２のＡ−Ａ部の断面概略図であ
り、（ｂ）は層構造を示すための（ａ）の部分拡大図で
ある。また、図３は積層面側から見た各パッド電極の形
状を示すための概略図である。本実施例では、基板とし
て窒化物半導体と異なる異種基板を用いているが、Ｇａ
Ｎ基板などの窒化物半導体からなる基板を用いても良
い。異種基板としては、例えば、Ｃ面、Ｒ面、及びＡ面
のいずれかを主面とするサファイア、スピネル（ＭｇＡ
１2Ｏ4のような絶縁性基板、ＳｉＣ（６Ｈ、４Ｈ、３Ｃ
を含む）、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、Ｓｉ、及び窒化
物半導体と格子整合する酸化物基板等がある。中でも、
好ましい異種基板として、サファイア、スピネルが挙げ
られる。また、異種基板は、オフアングルしていてもよ
く、この場合ステップ状にオフアングルしたものを用い
ると窒化ガリウムからなる下地層の成長が結晶性よく成
長させるため好ましい。更に、異種基板を用いる場合に
は、異種基板上に素子構造形成前の下地層となる窒化物
半導体を成長させた後、異種基板を研磨などの方法によ
り除去して、窒化物半導体の単体基板として素子構造を
形成してもよい。また、素子構造形成後に、異種基板を
除去しても良い。
化物半導体レーザアレイ１について説明する。なお、図
１において（ａ）は図２のＡ−Ａ部の断面概略図であ
り、（ｂ）は層構造を示すための（ａ）の部分拡大図で
ある。また、図３は積層面側から見た各パッド電極の形
状を示すための概略図である。本実施例では、基板とし
て窒化物半導体と異なる異種基板を用いているが、Ｇａ
Ｎ基板などの窒化物半導体からなる基板を用いても良
い。異種基板としては、例えば、Ｃ面、Ｒ面、及びＡ面
のいずれかを主面とするサファイア、スピネル（ＭｇＡ
１2Ｏ4のような絶縁性基板、ＳｉＣ（６Ｈ、４Ｈ、３Ｃ
を含む）、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、Ｓｉ、及び窒化
物半導体と格子整合する酸化物基板等がある。中でも、
好ましい異種基板として、サファイア、スピネルが挙げ
られる。また、異種基板は、オフアングルしていてもよ
く、この場合ステップ状にオフアングルしたものを用い
ると窒化ガリウムからなる下地層の成長が結晶性よく成
長させるため好ましい。更に、異種基板を用いる場合に
は、異種基板上に素子構造形成前の下地層となる窒化物
半導体を成長させた後、異種基板を研磨などの方法によ
り除去して、窒化物半導体の単体基板として素子構造を
形成してもよい。また、素子構造形成後に、異種基板を
除去しても良い。
【００２７】まず、２インチφ、Ｃ面を主面とするサフ
ァイアよりなる異種基板（図示せず）をＭＯＶＰＥ反応
容器内にセットし、温度を５００℃にして、トリメチル
ガリウム（ＴＭＧ）、アンモニア（ＮＨ3）を用い、Ｇ
ａＮよりなるバッファ層（図示せず）を２００Åの膜厚
で成長させる。バッファ層成長後、温度を１０５０℃に
して、ＴＭＧ、アンモニアを用い、アンドープＧａＮよ
りなる下地層（図示せず）を４μｍの膜厚で成長させ
る。 （窒化物半導体基板３） 次に、下地層上にストライプ
幅１０μｍ、ストライプ間幅（窓部）２μｍのＳｉＯ2
膜（図示せず）を形成し、引き続きノンドープのＧａＮ
よりなる窒化物半導体基板３を２０μｍの膜厚で成長さ
せる。また、その他の形態では、異種基板上に成長させ
た下地層に開口部を設け、その開口部側面から横方向へ
成長させてもよい。 （ｎ型コンタクト層４） 次に、得られた窒化物半導体
基板３上にトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、ＴＭ
Ｇ、アンモニア、不純物ガスとしてシランガスを用い、
１０５０℃でＳｉを１×１０18／ｃｍ3ドープしたＡｌ
ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層４を４μｍの膜厚で成
長させる。 （クラック防止層５） 次に、ＴＭＧ、ＴＭＩ（トリメ
チルインジウム）、アンモニアを用い、温度を８００℃
にしてＩｎ0.06Ｇａ0.94Ｎよりなるクラック防止層５を
０．１５μｍの膜厚で成長させる。なお、このクラック
防止層は省略可能である。 （ｎ型クラッド層６） 次に、温度を１０５０℃にし
て、原料ガスにＴＭＡ、ＴＭＧ及びアンモニアを用い、
アンドープのＡｌＧａＮよりなるＡ層を２５Åの膜厚で
成長させ、続いて、ＴＭＡを止め、不純物ガスとしてシ
ランガスを用い、Ｓｉを５×１０18／ｃｍ3ドープした
ＧａＮよりなるＢ層を２５Åの膜厚で成長させる。そし
て、この操作をそれぞれ１６０回繰り返して、総膜厚８
０００Åの多層膜（超格子構造）よりなるｎ型クラッド
層６を成長させる。この時、アンドープＡｌＧａＮのＡ
ｌ混晶比としては、０．０５以上０．３以下の範囲であ
れば、十分にクラッド層として機能する屈折率差を設け
ることができる。 （ｎ型光ガイド層７） 次に、同様の温度で、原料ガス
にＴＭＧ及びアンモニアを用い、アンドープのＧａＮよ
りなるｎ型光ガイド層７を０．１５μｍの膜厚で成長さ
せる。また、ｎ型不純物をドープしてもよい。 （活性層８） 次に、温度を８００℃にして、原料ガス
にＴＭＩ（トリメチルインジウム）、ＴＭＧ及びアンモ
ニアを用い、不純物ガスとしてシランガスを用い、Ｓｉ
を５×１０18／ｃｍ3ドープしたＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎよ
りなる障壁層を１００Åの膜厚で成長させる。続いて、
シランガスを止め、アンドープのＩｎ0.1Ｇａ0.9Ｎより
なる井戸層を５０Åの膜厚で成長させる。この操作を３
回繰り返し、最後に障壁層を積層した総膜厚５５０Åの
多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の活性層８を成長させる。 （電子閉じ込め層９） 次に、同様の温度で、原料ガス
にＴＭＡ、ＴＭＧ及びアンモニアを用い、不純物ガスと
してＣｐ2Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）
を用い、Ｍｇを１×１０19／ｃｍ3ドープしたＡｌ0.4Ｇ
ａ0.6Ｎよりなる電子閉じ込め層９を１００Åの膜厚で
成長させる。また、ＡｌＧａＮのＡｌ混晶比を０．２以
上０．６未満、より好ましくは０．３以上０．５未満、
さらに好ましくは０．３５以上０．４５未満とすること
により、大量の電流を流す際に電子がオーバーフローす
るのを効果的に防ぐことができる。 （ｐ型光ガイド層１０） 次に、温度を１０５０℃にし
て、原料ガスにＴＭＧ及びアンモニアを用い、アンドー
プのＧａＮよりなるｐ型光ガイド層１０を０．１５μｍ
の膜厚で成長させる。このｐ型光ガイド層１０は、アン
ドープとして成長させるが、電子閉じ込め層９からのＭ
ｇの拡散により、Ｍｇ濃度が５×１０16／ｃｍ3となり
ｐ型を示す。またこの層は成長時に意図的にＭｇをドー
プしても良い。 （ｐ型クラッド層１１） 次に、１０５０℃でアンドー
プＡｌ0.16Ｇａ0.84Ｎよりなる層を２５Åの膜厚で成長
させ、次にＣｐ2Ｍｇを用いて、ＭｇドープＧａＮより
なる層を２５Åの膜厚で成長させる。続いてこの操作を
８０回繰り返して、総膜厚４０００Åμｍの超格子層よ
りなるｐ型クラッド層１１を成長させる。ｐ側クラッド
層は、少なくとも一方がＡｌを含む窒化物半導体層を有
し、互いにバンドギャップエネルギーが異なる窒化物半
導体層を積層した超格子で作製する場合、不純物をいず
れか一方の層に多くドープする、所謂変調ドープを行う
と結晶性が良くなる傾向にあるが、両方に同じようにド
ープしても良い。ｐ型クラッド層１１は、Ａｌを含む窒
化物半導体層、好ましくはＡｌaＧａ1-aＮ（０＜ａ＜
１）を含む超格子構造とすることが望ましく、さらに好
ましくはＧａＮとＡｌＧａＮとを積層した超格子構造と
することができる。ｐ側クラッド層１１を超格子構造と
することによって、クラッド層全体のＡｌ混晶比を上げ
ることができるので、クラッド層自体の屈折率が小さく
なり、さらにバンドギャップエネルギーが大きくなるの
で、閾値を低下させる上で非常に有効である。さらに、
超格子とすることにより、クラッド層自体に発生するピ
ットが超格子にしないものよりも少なくなるので、ショ
ートの発生も低くなる。
ァイアよりなる異種基板（図示せず）をＭＯＶＰＥ反応
容器内にセットし、温度を５００℃にして、トリメチル
ガリウム（ＴＭＧ）、アンモニア（ＮＨ3）を用い、Ｇ
ａＮよりなるバッファ層（図示せず）を２００Åの膜厚
で成長させる。バッファ層成長後、温度を１０５０℃に
して、ＴＭＧ、アンモニアを用い、アンドープＧａＮよ
りなる下地層（図示せず）を４μｍの膜厚で成長させ
る。 （窒化物半導体基板３） 次に、下地層上にストライプ
幅１０μｍ、ストライプ間幅（窓部）２μｍのＳｉＯ2
膜（図示せず）を形成し、引き続きノンドープのＧａＮ
よりなる窒化物半導体基板３を２０μｍの膜厚で成長さ
せる。また、その他の形態では、異種基板上に成長させ
た下地層に開口部を設け、その開口部側面から横方向へ
成長させてもよい。 （ｎ型コンタクト層４） 次に、得られた窒化物半導体
基板３上にトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、ＴＭ
Ｇ、アンモニア、不純物ガスとしてシランガスを用い、
１０５０℃でＳｉを１×１０18／ｃｍ3ドープしたＡｌ
ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層４を４μｍの膜厚で成
長させる。 （クラック防止層５） 次に、ＴＭＧ、ＴＭＩ（トリメ
チルインジウム）、アンモニアを用い、温度を８００℃
にしてＩｎ0.06Ｇａ0.94Ｎよりなるクラック防止層５を
０．１５μｍの膜厚で成長させる。なお、このクラック
防止層は省略可能である。 （ｎ型クラッド層６） 次に、温度を１０５０℃にし
て、原料ガスにＴＭＡ、ＴＭＧ及びアンモニアを用い、
アンドープのＡｌＧａＮよりなるＡ層を２５Åの膜厚で
成長させ、続いて、ＴＭＡを止め、不純物ガスとしてシ
ランガスを用い、Ｓｉを５×１０18／ｃｍ3ドープした
ＧａＮよりなるＢ層を２５Åの膜厚で成長させる。そし
て、この操作をそれぞれ１６０回繰り返して、総膜厚８
０００Åの多層膜（超格子構造）よりなるｎ型クラッド
層６を成長させる。この時、アンドープＡｌＧａＮのＡ
ｌ混晶比としては、０．０５以上０．３以下の範囲であ
れば、十分にクラッド層として機能する屈折率差を設け
ることができる。 （ｎ型光ガイド層７） 次に、同様の温度で、原料ガス
にＴＭＧ及びアンモニアを用い、アンドープのＧａＮよ
りなるｎ型光ガイド層７を０．１５μｍの膜厚で成長さ
せる。また、ｎ型不純物をドープしてもよい。 （活性層８） 次に、温度を８００℃にして、原料ガス
にＴＭＩ（トリメチルインジウム）、ＴＭＧ及びアンモ
ニアを用い、不純物ガスとしてシランガスを用い、Ｓｉ
を５×１０18／ｃｍ3ドープしたＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎよ
りなる障壁層を１００Åの膜厚で成長させる。続いて、
シランガスを止め、アンドープのＩｎ0.1Ｇａ0.9Ｎより
なる井戸層を５０Åの膜厚で成長させる。この操作を３
回繰り返し、最後に障壁層を積層した総膜厚５５０Åの
多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の活性層８を成長させる。 （電子閉じ込め層９） 次に、同様の温度で、原料ガス
にＴＭＡ、ＴＭＧ及びアンモニアを用い、不純物ガスと
してＣｐ2Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）
を用い、Ｍｇを１×１０19／ｃｍ3ドープしたＡｌ0.4Ｇ
ａ0.6Ｎよりなる電子閉じ込め層９を１００Åの膜厚で
成長させる。また、ＡｌＧａＮのＡｌ混晶比を０．２以
上０．６未満、より好ましくは０．３以上０．５未満、
さらに好ましくは０．３５以上０．４５未満とすること
により、大量の電流を流す際に電子がオーバーフローす
るのを効果的に防ぐことができる。 （ｐ型光ガイド層１０） 次に、温度を１０５０℃にし
て、原料ガスにＴＭＧ及びアンモニアを用い、アンドー
プのＧａＮよりなるｐ型光ガイド層１０を０．１５μｍ
の膜厚で成長させる。このｐ型光ガイド層１０は、アン
ドープとして成長させるが、電子閉じ込め層９からのＭ
ｇの拡散により、Ｍｇ濃度が５×１０16／ｃｍ3となり
ｐ型を示す。またこの層は成長時に意図的にＭｇをドー
プしても良い。 （ｐ型クラッド層１１） 次に、１０５０℃でアンドー
プＡｌ0.16Ｇａ0.84Ｎよりなる層を２５Åの膜厚で成長
させ、次にＣｐ2Ｍｇを用いて、ＭｇドープＧａＮより
なる層を２５Åの膜厚で成長させる。続いてこの操作を
８０回繰り返して、総膜厚４０００Åμｍの超格子層よ
りなるｐ型クラッド層１１を成長させる。ｐ側クラッド
層は、少なくとも一方がＡｌを含む窒化物半導体層を有
し、互いにバンドギャップエネルギーが異なる窒化物半
導体層を積層した超格子で作製する場合、不純物をいず
れか一方の層に多くドープする、所謂変調ドープを行う
と結晶性が良くなる傾向にあるが、両方に同じようにド
ープしても良い。ｐ型クラッド層１１は、Ａｌを含む窒
化物半導体層、好ましくはＡｌaＧａ1-aＮ（０＜ａ＜
１）を含む超格子構造とすることが望ましく、さらに好
ましくはＧａＮとＡｌＧａＮとを積層した超格子構造と
することができる。ｐ側クラッド層１１を超格子構造と
することによって、クラッド層全体のＡｌ混晶比を上げ
ることができるので、クラッド層自体の屈折率が小さく
なり、さらにバンドギャップエネルギーが大きくなるの
で、閾値を低下させる上で非常に有効である。さらに、
超格子とすることにより、クラッド層自体に発生するピ
ットが超格子にしないものよりも少なくなるので、ショ
ートの発生も低くなる。
【００２８】（ｐ型コンタクト層１２） 次に、１０５
０℃で、ｐ型クラッド層１１の上に、Ｍｇを１×１０20
／ｃｍ3ドープしたｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト
層１２を１５０Åの膜厚で成長させる。ｐ型コンタクト
層はｐ型のＩｎaＡｌbＧａ1- a-bＮ（０≦ａ、０≦ｂ、
ａ＋ｂ≦１）で構成することができ、好ましくはＭｇを
ドープしたＧａＮとすれば、ｐ電極１４と最も好ましい
オーミック接触が得られる。ｐ型コンタクト層１２は電
極を形成する層であるので、１×１０17／ｃｍ 3以上の
高キャリア濃度とすることが望ましい。これは、１×１
０17／ｃｍ3よりも低いと電極と好ましいオーミックを
得るのが難しくなる傾向にあるからである。さらに、コ
ンタクト層の組成をＧａＮとすると、電極材料と好まし
いオーミックが得られやすくなる。反応終了後、反応容
器内において、ウエハを窒素雰囲気中、７００℃でアニ
ーリングを行い、ｐ型層を更に低抵抗化する。 （凹部２の形成） 窒化物半導体を成長させ各層を積層
した後、ウエハを反応容器から取り出し、最上層のｐ型
コンタクト層１２の表面の所望の領域にＳｉＯ2よりな
る保護膜を形成する。次にＲＩＥ（反応性イオンエッチ
ング）装置を用いてＳｉＣｌ4ガスによりエッチングを
行い、積層面側にｎコンタクト層を底面とするの凹部２
を形成する。本実施例においては、次に述べる５つのス
トライプ構造に対して２つのｎ電極が形成できるよう
に、複数のストライプ構造の両隣に２つの凹部が形成さ
れている。 （ストライプ構造の形成） 次に、最上層のｐ型コンタ
クト層１２のほぼ全面に、ＣＶＤ装置により、Ｓｉ酸化
物（主としてＳｉＯ2）よりなる第１の保護膜を０．５
μｍの膜厚で形成した後、第１の保護膜の上にさらに所
定の形状のマスクをかけ、フォトレジストよりなる厚さ
２μｍ、ストライプ幅４μｍの第２の保護膜を２０μｍ
の間隔で５つ形成する。第２の保護膜を形成した後、Ｒ
ＩＥ装置により、ＣＦ4ガスを用いて、第２の保護膜を
マスクとして、第１の保護膜をエッチングして、ストラ
イプ状とする。その後、エッチング液で処理してフォト
レジストのみを除去することにより、ｐ型コンタクト層
の上に、ストライプ幅４μｍの第１の保護膜が５つ形成
される。引き続き、ＲＩＥ装置によりＳｉＣｌ4ガスを
用いて、ｐ型コンタクト層及びｐ型クラッド層をエッチ
ングしてストライプ幅４μｍのストライプ構造（リッジ
導波型）を２０μｍの間隔で５つ形成する。なお、各ス
トライプ構造は、効率よくレーザ光を出射するために、
同じストライプ幅乃至同じ間隔で配置されると共に平行
であることが好ましい。
０℃で、ｐ型クラッド層１１の上に、Ｍｇを１×１０20
／ｃｍ3ドープしたｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト
層１２を１５０Åの膜厚で成長させる。ｐ型コンタクト
層はｐ型のＩｎaＡｌbＧａ1- a-bＮ（０≦ａ、０≦ｂ、
ａ＋ｂ≦１）で構成することができ、好ましくはＭｇを
ドープしたＧａＮとすれば、ｐ電極１４と最も好ましい
オーミック接触が得られる。ｐ型コンタクト層１２は電
極を形成する層であるので、１×１０17／ｃｍ 3以上の
高キャリア濃度とすることが望ましい。これは、１×１
０17／ｃｍ3よりも低いと電極と好ましいオーミックを
得るのが難しくなる傾向にあるからである。さらに、コ
ンタクト層の組成をＧａＮとすると、電極材料と好まし
いオーミックが得られやすくなる。反応終了後、反応容
器内において、ウエハを窒素雰囲気中、７００℃でアニ
ーリングを行い、ｐ型層を更に低抵抗化する。 （凹部２の形成） 窒化物半導体を成長させ各層を積層
した後、ウエハを反応容器から取り出し、最上層のｐ型
コンタクト層１２の表面の所望の領域にＳｉＯ2よりな
る保護膜を形成する。次にＲＩＥ（反応性イオンエッチ
ング）装置を用いてＳｉＣｌ4ガスによりエッチングを
行い、積層面側にｎコンタクト層を底面とするの凹部２
を形成する。本実施例においては、次に述べる５つのス
トライプ構造に対して２つのｎ電極が形成できるよう
に、複数のストライプ構造の両隣に２つの凹部が形成さ
れている。 （ストライプ構造の形成） 次に、最上層のｐ型コンタ
クト層１２のほぼ全面に、ＣＶＤ装置により、Ｓｉ酸化
物（主としてＳｉＯ2）よりなる第１の保護膜を０．５
μｍの膜厚で形成した後、第１の保護膜の上にさらに所
定の形状のマスクをかけ、フォトレジストよりなる厚さ
２μｍ、ストライプ幅４μｍの第２の保護膜を２０μｍ
の間隔で５つ形成する。第２の保護膜を形成した後、Ｒ
ＩＥ装置により、ＣＦ4ガスを用いて、第２の保護膜を
マスクとして、第１の保護膜をエッチングして、ストラ
イプ状とする。その後、エッチング液で処理してフォト
レジストのみを除去することにより、ｐ型コンタクト層
の上に、ストライプ幅４μｍの第１の保護膜が５つ形成
される。引き続き、ＲＩＥ装置によりＳｉＣｌ4ガスを
用いて、ｐ型コンタクト層及びｐ型クラッド層をエッチ
ングしてストライプ幅４μｍのストライプ構造（リッジ
導波型）を２０μｍの間隔で５つ形成する。なお、各ス
トライプ構造は、効率よくレーザ光を出射するために、
同じストライプ幅乃至同じ間隔で配置されると共に平行
であることが好ましい。
【００２９】次に、ストライプ状の導波路領域を形成し
たウエハを、スパッタ装置に移送し、Ｚｒ酸化物（主と
してＺｒＯ2）よりなる第３の保護膜１３を、第１の保
護膜とエッチングにより露出したｐ型コンタクト層１２
及びｐ型クラッド層１１表面に０．２μｍの厚さで形成
する。第３の保護膜を形成後、ウエハを６００℃で熱処
理する。これは、ＳｉＯ2以外の材料を第３の保護膜と
する場合、３００℃以上、好ましくは４００℃以上、窒
化物半導体の分解温度（１２００℃）以下で熱処理する
ことにより、次に行う第１の保護膜の除去工程における
第１の保護膜を溶解させるための材料（フッ酸）に対し
て、溶解しにくくさせるためである。次に、ウエハをフ
ッ酸に浸漬し、第１の保護膜をリフトオフ法により除去
する。この段階で、第１及び第２の保護膜が除去され、
第３の保護膜のみが残った状態となる。 （電極の形成） 次に、第１の保護膜が除去されること
により露出したｐ型コンタクト層１２及び第３の保護膜
１３の略全面に、Ｎｉ／Ａｕよりなるｐ電極１４を形成
する。ｐ電極１４を形成した後、既に露出させたｎ型コ
ンタクト層４の表面の一部に、Ｔｉ／Ａｌよりなるｎ電
極１５を、１５０μｍのストライプ幅で形成する。な
お、各電極は、より均一に電流を流すために、同じ幅及
び間隔であると共に平行であることが好ましい。
たウエハを、スパッタ装置に移送し、Ｚｒ酸化物（主と
してＺｒＯ2）よりなる第３の保護膜１３を、第１の保
護膜とエッチングにより露出したｐ型コンタクト層１２
及びｐ型クラッド層１１表面に０．２μｍの厚さで形成
する。第３の保護膜を形成後、ウエハを６００℃で熱処
理する。これは、ＳｉＯ2以外の材料を第３の保護膜と
する場合、３００℃以上、好ましくは４００℃以上、窒
化物半導体の分解温度（１２００℃）以下で熱処理する
ことにより、次に行う第１の保護膜の除去工程における
第１の保護膜を溶解させるための材料（フッ酸）に対し
て、溶解しにくくさせるためである。次に、ウエハをフ
ッ酸に浸漬し、第１の保護膜をリフトオフ法により除去
する。この段階で、第１及び第２の保護膜が除去され、
第３の保護膜のみが残った状態となる。 （電極の形成） 次に、第１の保護膜が除去されること
により露出したｐ型コンタクト層１２及び第３の保護膜
１３の略全面に、Ｎｉ／Ａｕよりなるｐ電極１４を形成
する。ｐ電極１４を形成した後、既に露出させたｎ型コ
ンタクト層４の表面の一部に、Ｔｉ／Ａｌよりなるｎ電
極１５を、１５０μｍのストライプ幅で形成する。な
お、各電極は、より均一に電流を流すために、同じ幅及
び間隔であると共に平行であることが好ましい。
【００３０】次に、各電極にパッド電極を形成するため
に所望の領域にマスクを施し、ｐ電極の露出部１７とｎ
電極の露出部１８が開口した例えばＳｉＯ2とＴｉＯ2よ
りなる誘電体多層膜１６を設けた後、Ｎｉ−Ｔｉ−Ａｕ
（１０００Å−１０００Å−８０００Å）よりなるｐパ
ッド電極１９とｎパッド電極２０をそれぞれ形成する。
なお、波線部は各電極の露出部、すなわち各電極とそれ
ぞれに対応するパット電極との接合部を示す。 （サファイア基板、バッファ層、下地層、及びＳｉＯ2
膜の除去） 以上のようにして、各電極を形成した後、
サファイア基板、バッファ層、下地層、及びＳｉＯ2膜
を除去する。まず、サファイア基板を積層面と反対の側
となる裏面から研磨し、その表面を略平らにする。次に
波長２４８ｎｍのエキシマレーザを裏面に照射し、サフ
ァイア基板をバッファ層から剥離させる。そしてさら
に、バッファ層、下地層、及びＳｉＯ2膜を研磨するこ
とにより除去し、窒化物半導体基板３表面を鏡面に仕上
げる。
に所望の領域にマスクを施し、ｐ電極の露出部１７とｎ
電極の露出部１８が開口した例えばＳｉＯ2とＴｉＯ2よ
りなる誘電体多層膜１６を設けた後、Ｎｉ−Ｔｉ−Ａｕ
（１０００Å−１０００Å−８０００Å）よりなるｐパ
ッド電極１９とｎパッド電極２０をそれぞれ形成する。
なお、波線部は各電極の露出部、すなわち各電極とそれ
ぞれに対応するパット電極との接合部を示す。 （サファイア基板、バッファ層、下地層、及びＳｉＯ2
膜の除去） 以上のようにして、各電極を形成した後、
サファイア基板、バッファ層、下地層、及びＳｉＯ2膜
を除去する。まず、サファイア基板を積層面と反対の側
となる裏面から研磨し、その表面を略平らにする。次に
波長２４８ｎｍのエキシマレーザを裏面に照射し、サフ
ァイア基板をバッファ層から剥離させる。そしてさら
に、バッファ層、下地層、及びＳｉＯ2膜を研磨するこ
とにより除去し、窒化物半導体基板３表面を鏡面に仕上
げる。
【００３１】次に、導波路領域の端部となる面をストラ
イプ方向に対して垂直な方向で劈開により形成する。引
き続き、露出させた面にＳｉＯ2とＴｉＯ2よりなる誘電
体多層膜（図示せず）を設け、一対のミラーとする。こ
の時、共振器長は６７５μｍである。そしてさらにバー
状のウエハを分割して共振器長６７５μｍのレーザアレ
イ素子１を得る。
イプ方向に対して垂直な方向で劈開により形成する。引
き続き、露出させた面にＳｉＯ2とＴｉＯ2よりなる誘電
体多層膜（図示せず）を設け、一対のミラーとする。こ
の時、共振器長は６７５μｍである。そしてさらにバー
状のウエハを分割して共振器長６７５μｍのレーザアレ
イ素子１を得る。
【００３２】
【実施例２】以下、実施例として、図４乃至６及び１１
に示す窒化物半導体レーザアレイ２１について説明す
る。なお、図４において（ａ）は図５のＡ−Ａ部の断面
概略図であり、（ｂ）は層構造を示すための（ａ）の部
分拡大図である。また、図６は積層面側から見た各パッ
ド電極の形状を示すための概略図であり、さらに図１１
は各パッド電極の他の形状を示す概略図である。まず、
実施例１と同様に、ｐ型コンタクト層３２まで各層を積
層する。 （凹部２２の形成） 以上のようにして、窒化物半導体
を成長させ各層を積層した後、ウエハを反応容器から取
り出し、最上層のｐ型コンタクト層３２の表面の一部に
ＳｉＯ2よりなる複数のストライプ状の保護膜を形成す
る。次にＲＩＥ（反応性イオンエッチング）装置を用い
てＳｉＣｌ4ガスによりエッチングを行い、積層面側に
ｎコンタクト層を底面とする複数の凹部２２をエッチン
グにより形成する。なお、凹部２２の深さは特に限定さ
れず、窒化物半導体レーザアレイ２１を形成できる程度
であればよいが、放熱性の点を考慮するとより深いこと
が好ましい。本実施例においては、６つの凹部２２を形
成することにより５つの凸部を形成し、さらに６つの凹
部２２の底面にそれぞれｎ電極３５が形成されている。
また凸部の幅と凹部の幅はそれぞれ４０μｍと６０μｍ
である。 （ストライプ構造の形成） 次に、各凸部の最上層のｐ
型コンタクト層３２のほぼ全面に、ＣＶＤ装置により、
Ｓｉ酸化物（主としてＳｉＯ2）よりなる第１の保護膜
を０．５μｍの膜厚で形成した後、第１の保護膜の上に
さらに所定の形状のマスクをかけ、フォトレジストより
なる厚さ２μｍ、ストライプ幅４μｍの第２の保護膜
を、各凸部の略中央にそれぞれ形成する。５つの第２の
保護膜を形成した後、ＲＩＥ装置により、ＣＦ4ガスを
用いて、第２の保護膜をマスクとして、第１の保護膜を
エッチングして、ストライプ状とする。その後、エッチ
ング液で処理してフォトレジストのみを除去することに
より、ｐ型コンタクト層の上に、ストライプ幅４μｍの
第１の保護膜が５つ形成される。引き続き、ＲＩＥ装置
によりＳｉＣｌ4ガスを用いて、ｐ型コンタクト層及び
ｐ型クラッド層をエッチングして５つのストライプ状の
導波路領域（リッジ導波型）を形成する。
に示す窒化物半導体レーザアレイ２１について説明す
る。なお、図４において（ａ）は図５のＡ−Ａ部の断面
概略図であり、（ｂ）は層構造を示すための（ａ）の部
分拡大図である。また、図６は積層面側から見た各パッ
ド電極の形状を示すための概略図であり、さらに図１１
は各パッド電極の他の形状を示す概略図である。まず、
実施例１と同様に、ｐ型コンタクト層３２まで各層を積
層する。 （凹部２２の形成） 以上のようにして、窒化物半導体
を成長させ各層を積層した後、ウエハを反応容器から取
り出し、最上層のｐ型コンタクト層３２の表面の一部に
ＳｉＯ2よりなる複数のストライプ状の保護膜を形成す
る。次にＲＩＥ（反応性イオンエッチング）装置を用い
てＳｉＣｌ4ガスによりエッチングを行い、積層面側に
ｎコンタクト層を底面とする複数の凹部２２をエッチン
グにより形成する。なお、凹部２２の深さは特に限定さ
れず、窒化物半導体レーザアレイ２１を形成できる程度
であればよいが、放熱性の点を考慮するとより深いこと
が好ましい。本実施例においては、６つの凹部２２を形
成することにより５つの凸部を形成し、さらに６つの凹
部２２の底面にそれぞれｎ電極３５が形成されている。
また凸部の幅と凹部の幅はそれぞれ４０μｍと６０μｍ
である。 （ストライプ構造の形成） 次に、各凸部の最上層のｐ
型コンタクト層３２のほぼ全面に、ＣＶＤ装置により、
Ｓｉ酸化物（主としてＳｉＯ2）よりなる第１の保護膜
を０．５μｍの膜厚で形成した後、第１の保護膜の上に
さらに所定の形状のマスクをかけ、フォトレジストより
なる厚さ２μｍ、ストライプ幅４μｍの第２の保護膜
を、各凸部の略中央にそれぞれ形成する。５つの第２の
保護膜を形成した後、ＲＩＥ装置により、ＣＦ4ガスを
用いて、第２の保護膜をマスクとして、第１の保護膜を
エッチングして、ストライプ状とする。その後、エッチ
ング液で処理してフォトレジストのみを除去することに
より、ｐ型コンタクト層の上に、ストライプ幅４μｍの
第１の保護膜が５つ形成される。引き続き、ＲＩＥ装置
によりＳｉＣｌ4ガスを用いて、ｐ型コンタクト層及び
ｐ型クラッド層をエッチングして５つのストライプ状の
導波路領域（リッジ導波型）を形成する。
【００３３】次に、ストライプ状の導波路領域を形成し
たウエハを、スパッタ装置に移送し、Ｚｒ酸化物（主と
してＺｒＯ2）よりなる第３の保護膜３３を、第１の保
護膜とエッチングにより露出したｐ型コンタクト層３２
及びｐ型クラッド層３１表面に０．２μｍの厚さで形成
する。第３の保護膜を形成後、実施例１と同様にウエハ
を６００℃で熱処理する。次に、ウエハをフッ酸に浸漬
し、第１の保護膜をリフトオフ法により除去する。この
段階で、第１及び第２の保護膜が除去され、第３の保護
膜３３のみが残った状態となる。 （電極の形成） 次に、第１の保護膜が除去されること
により露出したｐ型コンタクト層３２及び第３の保護膜
３３の表面に、Ｎｉ／Ａｕよりなるｐ電極３４を形成す
る。ｐ電極３４を形成した後、既に露出させたｎ型コン
タクト層２４の表面の一部に、Ｔｉ／Ａｌよりなるｎ電
極３５を、４０μｍのストライプ幅で、凹部の底面の中
央に位置するように形成する。
たウエハを、スパッタ装置に移送し、Ｚｒ酸化物（主と
してＺｒＯ2）よりなる第３の保護膜３３を、第１の保
護膜とエッチングにより露出したｐ型コンタクト層３２
及びｐ型クラッド層３１表面に０．２μｍの厚さで形成
する。第３の保護膜を形成後、実施例１と同様にウエハ
を６００℃で熱処理する。次に、ウエハをフッ酸に浸漬
し、第１の保護膜をリフトオフ法により除去する。この
段階で、第１及び第２の保護膜が除去され、第３の保護
膜３３のみが残った状態となる。 （電極の形成） 次に、第１の保護膜が除去されること
により露出したｐ型コンタクト層３２及び第３の保護膜
３３の表面に、Ｎｉ／Ａｕよりなるｐ電極３４を形成す
る。ｐ電極３４を形成した後、既に露出させたｎ型コン
タクト層２４の表面の一部に、Ｔｉ／Ａｌよりなるｎ電
極３５を、４０μｍのストライプ幅で、凹部の底面の中
央に位置するように形成する。
【００３４】次に、各電極にパッド電極を形成するため
に所望の領域にマスクを施し、ｐ電極の露出部３７とｎ
電極の露出部３８が開口したＳｉＯ2とＴｉＯ2よりなる
誘電体多層膜３６を設けた後、Ｎｉ−Ｔｉ−Ａｕ（１０
００Å−１０００Å−８０００Å）よりなるｐパッド電
極３９とｎパッド電極４０を、図６に示すようにそれぞ
れ形成する。なお、波線部は各電極の露出部、すなわち
各電極とそれぞれに対応するパット電極との接合部を示
す。
に所望の領域にマスクを施し、ｐ電極の露出部３７とｎ
電極の露出部３８が開口したＳｉＯ2とＴｉＯ2よりなる
誘電体多層膜３６を設けた後、Ｎｉ−Ｔｉ−Ａｕ（１０
００Å−１０００Å−８０００Å）よりなるｐパッド電
極３９とｎパッド電極４０を、図６に示すようにそれぞ
れ形成する。なお、波線部は各電極の露出部、すなわち
各電極とそれぞれに対応するパット電極との接合部を示
す。
【００３５】以上のようにして、各電極を形成した後、
実施例１と同様の操作を行い、共振器長６７５μｍのレ
ーザアレイ素子２１を得た。
実施例１と同様の操作を行い、共振器長６７５μｍのレ
ーザアレイ素子２１を得た。
【００３６】以上のようにして形成された窒化物半導体
レーザアレイ２１は、室温において、しきい値電流２９
６ｍＡ、１．９６Ａ駆動で２７８７ｍＷの最高出力、発
振波長４０５ｎｍの連続発振が確認された。
レーザアレイ２１は、室温において、しきい値電流２９
６ｍＡ、１．９６Ａ駆動で２７８７ｍＷの最高出力、発
振波長４０５ｎｍの連続発振が確認された。
【００３７】
【実施例３】以下、実施例として、図７及び８に示す窒
化物半導体レーザアレイについて説明する。なお、図７
において（ａ）は図８のＡ−Ａ部の断面概略図であり、
（ｂ）は層構造を示すための（ａ）の部分拡大図であ
る。本実施例における窒化物半導体レーザアレイ４１
は、１つのＬＤチップ内に複数のストライプ構造すなわ
ち導波路領域を備え、ｐ電極と対向する面、すなわち裏
面にｎ電極を有することを特徴とする。まず実施例１と
同様にサファイア基板（図示せず）上にバッファ層（図
示せず）及び下地層（図示せず）を積層する。 （窒化物半導体基板４３） 次に下地層上に、ＴＭＧ、
アンモニア、不純物ガスとしてシランガスを用い、１０
５０℃でＳｉを１×１０18／ｃｍ3ドープしたＧａＮよ
りなる窒化物半導体層４３を２０μｍの膜厚で成長させ
る。この層は、素子構造を形成する各層の成長において
成長基板となると共に本実施例においてはｎ電極を形成
するための層として作用する。また、本実施例において
は、Ｓｉを１×１０18／ｃｍ3ドープしたが、１×１０
17〜１×１０19／ｃｍ3程度であればｎ電極を形成する
ための層として機能することができる。
化物半導体レーザアレイについて説明する。なお、図７
において（ａ）は図８のＡ−Ａ部の断面概略図であり、
（ｂ）は層構造を示すための（ａ）の部分拡大図であ
る。本実施例における窒化物半導体レーザアレイ４１
は、１つのＬＤチップ内に複数のストライプ構造すなわ
ち導波路領域を備え、ｐ電極と対向する面、すなわち裏
面にｎ電極を有することを特徴とする。まず実施例１と
同様にサファイア基板（図示せず）上にバッファ層（図
示せず）及び下地層（図示せず）を積層する。 （窒化物半導体基板４３） 次に下地層上に、ＴＭＧ、
アンモニア、不純物ガスとしてシランガスを用い、１０
５０℃でＳｉを１×１０18／ｃｍ3ドープしたＧａＮよ
りなる窒化物半導体層４３を２０μｍの膜厚で成長させ
る。この層は、素子構造を形成する各層の成長において
成長基板となると共に本実施例においてはｎ電極を形成
するための層として作用する。また、本実施例において
は、Ｓｉを１×１０18／ｃｍ3ドープしたが、１×１０
17〜１×１０19／ｃｍ3程度であればｎ電極を形成する
ための層として機能することができる。
【００３８】引き続き、ストライプ構造を形成するま
で、実施例１と同様の操作を行い、さらに実施例１と同
様にサファイア基板、バッファ層、下地層、及びＳｉＯ
2膜を除去し窒化物半導体基板４３を鏡面に仕上げる。 （電極の形成） 次に、ｐ型コンタクト層５２及び第３
の保護膜５３の表面に、Ｎｉ／Ａｕよりなるｐ電極５４
を形成する。ｐ電極５４を形成した後、既に露出させた
下地層４３の略全面に、Ｔｉ／Ａｌよりなるｎ電極４２
を形成する。
で、実施例１と同様の操作を行い、さらに実施例１と同
様にサファイア基板、バッファ層、下地層、及びＳｉＯ
2膜を除去し窒化物半導体基板４３を鏡面に仕上げる。 （電極の形成） 次に、ｐ型コンタクト層５２及び第３
の保護膜５３の表面に、Ｎｉ／Ａｕよりなるｐ電極５４
を形成する。ｐ電極５４を形成した後、既に露出させた
下地層４３の略全面に、Ｔｉ／Ａｌよりなるｎ電極４２
を形成する。
【００３９】次に、各電極にパッド電極を形成するため
に所望の領域にマスクを施し、ｐ電極の露出部５６が開
口したＳｉＯ2とＴｉＯ2よりなる誘電体多層膜５５を設
けた後、Ｎｉ−Ｔｉ−Ａｕ（１０００Å−１０００Å−
８０００Å）よりなるｐパッド電極（図示せず）と、裏
面のｎ電極４２の略全面にｎパッド電極（図示せず）を
それぞれ形成する。
に所望の領域にマスクを施し、ｐ電極の露出部５６が開
口したＳｉＯ2とＴｉＯ2よりなる誘電体多層膜５５を設
けた後、Ｎｉ−Ｔｉ−Ａｕ（１０００Å−１０００Å−
８０００Å）よりなるｐパッド電極（図示せず）と、裏
面のｎ電極４２の略全面にｎパッド電極（図示せず）を
それぞれ形成する。
【００４０】以上のようにして、各電極を形成した後、
実施例１と同様に劈開を行いミラーを形成することによ
り、共振器長６７５μｍのレーザアレイ素子４１を得
る。
実施例１と同様に劈開を行いミラーを形成することによ
り、共振器長６７５μｍのレーザアレイ素子４１を得
る。
【００４１】
【実施例４】 以下、実施例として、図９及び１０に示
す窒化物半導体レーザアレイについて説明する。なお、
図９において（ａ）は図１０のＡ−Ａ部の断面概略図で
あり、（ｂ）は層構造を示すための（ａ）の部分拡大図
である。本実施例における窒化物半導体レーザアレイ５
７は、積層面側に複数の凹部５８を備え、ｐ電極７１と
対向する面、すなわち裏面にｎ電極５９を有することを
特徴とする。なお、凹部５８の深さは特に限定されず、
窒化物半導体レーザアレイ５７を形成できる程度であれ
ばよいが、放熱性の点を考慮するとより深い方が好まし
い。
す窒化物半導体レーザアレイについて説明する。なお、
図９において（ａ）は図１０のＡ−Ａ部の断面概略図で
あり、（ｂ）は層構造を示すための（ａ）の部分拡大図
である。本実施例における窒化物半導体レーザアレイ５
７は、積層面側に複数の凹部５８を備え、ｐ電極７１と
対向する面、すなわち裏面にｎ電極５９を有することを
特徴とする。なお、凹部５８の深さは特に限定されず、
窒化物半導体レーザアレイ５７を形成できる程度であれ
ばよいが、放熱性の点を考慮するとより深い方が好まし
い。
【００４２】まず、ｐ型コンタクト層６９を積層するま
で、実施例３と同様の操作を行う。引き続き、実施例２
と同様の操作で複数の凹部５８を形成した後、ストライ
プ状の導波路領域を形成する。次に、サファイア基板、
バッファ層、下地層及びＳｉＯ2膜を実施例３と同様の
操作により除去する。次に、実施例１と同様にｐ型コン
タクト層６９及び第３の保護膜７０の表面に、Ｎｉ／Ａ
ｕよりなるｐ電極７１を形成する。さらに、実施例３と
同様に既に露出させた窒化物半導体基板６０の略全面
に、Ｔｉ／Ａｌよりなるｎ電極５９を形成する。
で、実施例３と同様の操作を行う。引き続き、実施例２
と同様の操作で複数の凹部５８を形成した後、ストライ
プ状の導波路領域を形成する。次に、サファイア基板、
バッファ層、下地層及びＳｉＯ2膜を実施例３と同様の
操作により除去する。次に、実施例１と同様にｐ型コン
タクト層６９及び第３の保護膜７０の表面に、Ｎｉ／Ａ
ｕよりなるｐ電極７１を形成する。さらに、実施例３と
同様に既に露出させた窒化物半導体基板６０の略全面
に、Ｔｉ／Ａｌよりなるｎ電極５９を形成する。
【００４３】次に、各電極にパッド電極を形成するため
に所望の領域にマスクを施し、ｐ電極の露出部７３が開
口したＳｉＯ2とＴｉＯ2よりなる誘電体多層膜７２を設
けた後、Ｎｉ−Ｔｉ−Ａｕ（１０００Å−１０００Å−
８０００Å）よりなるｐパッド電極（図示せず）と、裏
面のｎ電極５９の略全面にｎパッド電極（図示せず）を
それぞれ形成する。
に所望の領域にマスクを施し、ｐ電極の露出部７３が開
口したＳｉＯ2とＴｉＯ2よりなる誘電体多層膜７２を設
けた後、Ｎｉ−Ｔｉ−Ａｕ（１０００Å−１０００Å−
８０００Å）よりなるｐパッド電極（図示せず）と、裏
面のｎ電極５９の略全面にｎパッド電極（図示せず）を
それぞれ形成する。
【００４４】以上のようにして、各電極を形成した後、
実施例１と同様に劈開を行いミラーを形成することによ
り、共振器長６７５μｍのレーザアレイ素子５７を得
る。
実施例１と同様に劈開を行いミラーを形成することによ
り、共振器長６７５μｍのレーザアレイ素子５７を得
る。
【００４５】
【図１】 実施例１における窒化物半導体レーザアレイ
の断面概略図である。
の断面概略図である。
【図２】 実施例１における窒化物半導体レーザアレイ
の平面図である。
の平面図である。
【図３】 実施例１における窒化物半導体レーザアレイ
にパッド電極を形成した際の平面図である。
にパッド電極を形成した際の平面図である。
【図４】 実施例２における窒化物半導体レーザアレイ
の断面概略図である。
の断面概略図である。
【図５】 実施例２における窒化物半導体レーザアレイ
の平面図である。
の平面図である。
【図６】 実施例２における窒化物半導体レーザアレイ
にパッド電極を形成した際の平面図である。
にパッド電極を形成した際の平面図である。
【図７】 実施例３における窒化物半導体レーザアレイ
の断面概略図である。
の断面概略図である。
【図８】 実施例３における窒化物半導体レーザアレイ
の平面図である。
の平面図である。
【図９】 実施例４における窒化物半導体レーザアレイ
の断面概略図である。
の断面概略図である。
【図１０】 実施例４における窒化物半導体レーザアレ
イの平面図である。
イの平面図である。
【図１１】 実施例２における窒化物半導体レーザアレ
イに他の形状のパッド電極を形成した際の平面図であ
る。
イに他の形状のパッド電極を形成した際の平面図であ
る。
１、２１、４１、５７・・・本発明における窒化物半導
体レーザアレイ ２、２２、５８・・・凹部 ３、２３、４３、６０・・・窒化物半導体基板 ４、２４、４４、６１・・・ｎ型コンタクト層 ５、２５、４５、６２・・・クラック防止層 ６、２６、４６、６３・・・ｎ型クラッド層 ７、２７、４７、６４・・・ｎ型光ガイド層 ８、２８、４８、６５・・・活性層 ９、２９、４９、６６・・・電子閉じ込め層 １０、３０、５０、６７・・・ｐ型光ガイド層 １１、３１、５１、６８・・・ｐ型クラッド層 １２、３２、５２、６９・・・ｐ型コンタクト層 １３、３３、５３、７０・・・保護膜 １４、３４、５４、７１・・・ｐ電極 １５、３５、４２、５９・・・ｎ電極 １６、３６、５５、７２・・・誘電体多層膜 １７、３７、５６、７３・・・ｐ電極の露出部 １８、３８・・・ｎ電極の露出部 １９、３９、７４・・・ｐパッド電極 ２０、４０、７５・・・ｎパッド電極
体レーザアレイ ２、２２、５８・・・凹部 ３、２３、４３、６０・・・窒化物半導体基板 ４、２４、４４、６１・・・ｎ型コンタクト層 ５、２５、４５、６２・・・クラック防止層 ６、２６、４６、６３・・・ｎ型クラッド層 ７、２７、４７、６４・・・ｎ型光ガイド層 ８、２８、４８、６５・・・活性層 ９、２９、４９、６６・・・電子閉じ込め層 １０、３０、５０、６７・・・ｐ型光ガイド層 １１、３１、５１、６８・・・ｐ型クラッド層 １２、３２、５２、６９・・・ｐ型コンタクト層 １３、３３、５３、７０・・・保護膜 １４、３４、５４、７１・・・ｐ電極 １５、３５、４２、５９・・・ｎ電極 １６、３６、５５、７２・・・誘電体多層膜 １７、３７、５６、７３・・・ｐ電極の露出部 １８、３８・・・ｎ電極の露出部 １９、３９、７４・・・ｐパッド電極 ２０、４０、７５・・・ｎパッド電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F073 AA11 AA13 AA45 AA51 AA73 AB05 CA07 CB02 CB05 CB07 DA05 DA25 EA24
Claims (10)
- 【請求項１】 窒化物半導体からなる、ｎ型コンタクト
層を含むｎ型層と、活性層と、ｐ型コンタクト層を含む
ｐ型層と、が順に含まれた窒化物半導体レーザアレイに
おいて、 前記窒化物半導体レーザアレイは、複数のストライプ構
造を備え、かつ前記複数のストライプ構造の最上層とな
る各ｐ型コンタクト層に、ｐ電極を有することを特徴と
する窒化物半導体レーザアレイ。 - 【請求項２】 前記ｐ型層を備える側に、前記ｎ型コン
タクト層を底面とする凹部を有し、 前記凹部は、前記複数のストライプ構造の少なくとも一
方の外側に、前記ストライプ構造と並列して設けられ、 前記凹部の底面に、ｎ電極を有することを特徴とする請
求項１に記載の窒化物半導体レーザアレイ。 - 【請求項３】 前記ｐ型層を備える側に、前記ｎ型コン
タクト層を底面とする凹部を有し、 前記凹部は、少なくとも前記各ストライプ構造の間に設
けられ、 前記複数の凹部の底面に、ｎ電極を有することを特徴と
する請求項１に記載の窒化物半導体レーザアレイ。 - 【請求項４】 前記窒化物半導体レーザアレイは、ｎ電
極を有し、 前記ｎ電極と前記ｐ電極は、少なくとも前記活性層を介
すると共に対向して位置することを特徴とする請求項１
に記載の窒化物半導体レーザアレイ。 - 【請求項５】 前記ｐ型層を備える側に、凹部を有し、 前記凹部は、少なくとも前記各ストライプ構造の間に設
けられることを特徴とする請求項４に記載の窒化物半導
体レーザアレイ。 - 【請求項６】 前記窒化物半導体レーザアレイは、前記
活性層と前記ｐ型層との間に、Ａｌを含む窒化物半導体
からなる電子閉じ込め層を有し、かつ前記電子閉じ込め
層のＡｌ混晶比は０．３〜０．５であることを特徴とす
る請求項１乃至５に記載の窒化物半導体レーザアレイ。 - 【請求項７】 前記複数のｐ電極は、同一のｐパッド電
極に接続されることを特徴とする請求項１乃至６に記載
の窒化物半導体レーザアレイ。 - 【請求項８】 前記ストライプ構造は、リッジ導波型で
あることを特徴とする請求項１乃至７に記載の窒化物半
導体レーザアレイ。 - 【請求項９】 前記複数のｎ電極は、同一のｎパッド電
極に接続されることを特徴とする請求項２乃至８に記載
の窒化物半導体レーザアレイ。 - 【請求項１０】 前記ｎ電極はストライプ状であり、さ
らに前記複数のストライプ状のｎ電極は、それぞれの両
端部にて同一のｎパッド電極に接続されることを特徴と
する請求項２乃至８に記載の窒化物半導体レーザアレ
イ。
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|---|---|
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Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009296018A (ja) * | 2009-09-18 | 2009-12-17 | Sony Corp | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| JP2012164981A (ja) * | 2011-01-24 | 2012-08-30 | Soraa Inc | 基板部材上に構成された複数のエミッタを有するレーザーパッケージ |
| JP2013062300A (ja) * | 2011-09-12 | 2013-04-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ素子 |
| US8638828B1 (en) | 2010-05-17 | 2014-01-28 | Soraa, Inc. | Method and system for providing directional light sources with broad spectrum |
| US8717505B1 (en) | 2009-05-29 | 2014-05-06 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser based display method and system |
| US8837546B1 (en) | 2009-05-29 | 2014-09-16 | Soraa Laser Diode, Inc. | Gallium nitride based laser dazzling device and method |
| US9025635B2 (en) | 2011-01-24 | 2015-05-05 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser package having multiple emitters configured on a support member |
| US9250044B1 (en) | 2009-05-29 | 2016-02-02 | Soraa Laser Diode, Inc. | Gallium and nitrogen containing laser diode dazzling devices and methods of use |
| US9287684B2 (en) | 2011-04-04 | 2016-03-15 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser package having multiple emitters with color wheel |
| US9787963B2 (en) | 2015-10-08 | 2017-10-10 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser lighting having selective resolution |
| US9800017B1 (en) | 2009-05-29 | 2017-10-24 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser device and method for a vehicle |
| US9829780B2 (en) | 2009-05-29 | 2017-11-28 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser light source for a vehicle |
| US10108079B2 (en) | 2009-05-29 | 2018-10-23 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser light source for a vehicle |
| US10222474B1 (en) | 2017-12-13 | 2019-03-05 | Soraa Laser Diode, Inc. | Lidar systems including a gallium and nitrogen containing laser light source |
| US10551728B1 (en) | 2018-04-10 | 2020-02-04 | Soraa Laser Diode, Inc. | Structured phosphors for dynamic lighting |
| US10771155B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-09-08 | Soraa Laser Diode, Inc. | Intelligent visible light with a gallium and nitrogen containing laser source |
| JP2021072299A (ja) * | 2019-10-29 | 2021-05-06 | 住友電気工業株式会社 | 半導体光素子 |
| US11239637B2 (en) | 2018-12-21 | 2022-02-01 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Fiber delivered laser induced white light system |
| US11421843B2 (en) | 2018-12-21 | 2022-08-23 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Fiber-delivered laser-induced dynamic light system |
| US11884202B2 (en) | 2019-01-18 | 2024-01-30 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Laser-based fiber-coupled white light system |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0254980A (ja) * | 1988-08-19 | 1990-02-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 集積型半導体レーザ |
| JPH03278491A (ja) * | 1990-03-27 | 1991-12-10 | Canon Inc | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| JPH06120614A (ja) * | 1992-09-22 | 1994-04-28 | Xerox Corp | 多ビーム半導体量子井戸レーザ |
| JPH1070336A (ja) * | 1996-08-28 | 1998-03-10 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体レーザアレイ |
| JPH10117016A (ja) * | 1996-10-14 | 1998-05-06 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子の製造方法 |
| JPH10294529A (ja) * | 1996-09-09 | 1998-11-04 | Toshiba Corp | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| JPH10294533A (ja) * | 1997-02-21 | 1998-11-04 | Toshiba Corp | 窒化物化合物半導体レーザ及びその製造方法 |
| JP2000082865A (ja) * | 1998-09-04 | 2000-03-21 | Sony Corp | 半導体装置およびパッケージならびにそれらの製造方法 |
| JP2000183462A (ja) * | 1998-12-14 | 2000-06-30 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ素子 |
| JP2000188423A (ja) * | 2000-01-01 | 2000-07-04 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子の形成方法 |
| JP2000196197A (ja) * | 1998-12-30 | 2000-07-14 | Xerox Corp | 成長基板が除去された窒化物レ―ザダイオ―ドの構造及び窒化物レ―ザダイオ―ドアレイ構造の製造方法 |
-
2000
- 2000-12-15 JP JP2000381851A patent/JP4029565B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0254980A (ja) * | 1988-08-19 | 1990-02-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 集積型半導体レーザ |
| JPH03278491A (ja) * | 1990-03-27 | 1991-12-10 | Canon Inc | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| JPH06120614A (ja) * | 1992-09-22 | 1994-04-28 | Xerox Corp | 多ビーム半導体量子井戸レーザ |
| JPH1070336A (ja) * | 1996-08-28 | 1998-03-10 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体レーザアレイ |
| JPH10294529A (ja) * | 1996-09-09 | 1998-11-04 | Toshiba Corp | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| JPH10117016A (ja) * | 1996-10-14 | 1998-05-06 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子の製造方法 |
| JPH10294533A (ja) * | 1997-02-21 | 1998-11-04 | Toshiba Corp | 窒化物化合物半導体レーザ及びその製造方法 |
| JP2000082865A (ja) * | 1998-09-04 | 2000-03-21 | Sony Corp | 半導体装置およびパッケージならびにそれらの製造方法 |
| JP2000183462A (ja) * | 1998-12-14 | 2000-06-30 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ素子 |
| JP2000196197A (ja) * | 1998-12-30 | 2000-07-14 | Xerox Corp | 成長基板が除去された窒化物レ―ザダイオ―ドの構造及び窒化物レ―ザダイオ―ドアレイ構造の製造方法 |
| JP2000188423A (ja) * | 2000-01-01 | 2000-07-04 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子の形成方法 |
Cited By (86)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9019437B2 (en) | 2009-05-29 | 2015-04-28 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser based display method and system |
| US8717505B1 (en) | 2009-05-29 | 2014-05-06 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser based display method and system |
| US9829780B2 (en) | 2009-05-29 | 2017-11-28 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser light source for a vehicle |
| US11088507B1 (en) | 2009-05-29 | 2021-08-10 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Laser source apparatus |
| US10904506B1 (en) | 2009-05-29 | 2021-01-26 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser device for white light |
| US8749719B2 (en) | 2009-05-29 | 2014-06-10 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser based display method and system |
| US8773598B2 (en) | 2009-05-29 | 2014-07-08 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser based display method and system |
| US9100590B2 (en) | 2009-05-29 | 2015-08-04 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser based display method and system |
| US11016378B2 (en) | 2009-05-29 | 2021-05-25 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Laser light source |
| US8908731B1 (en) | 2009-05-29 | 2014-12-09 | Soraa Laser Diode, Inc. | Gallium nitride based laser dazzling device and method |
| US9013638B2 (en) | 2009-05-29 | 2015-04-21 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser based display method and system |
| US9014229B1 (en) | 2009-05-29 | 2015-04-21 | Soraa Laser Diode, Inc. | Gallium nitride based laser dazzling method |
| US11101618B1 (en) | 2009-05-29 | 2021-08-24 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Laser device for dynamic white light |
| US11619871B2 (en) | 2009-05-29 | 2023-04-04 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Laser based display system |
| US8837546B1 (en) | 2009-05-29 | 2014-09-16 | Soraa Laser Diode, Inc. | Gallium nitride based laser dazzling device and method |
| US9829778B2 (en) | 2009-05-29 | 2017-11-28 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser light source |
| US9250044B1 (en) | 2009-05-29 | 2016-02-02 | Soraa Laser Diode, Inc. | Gallium and nitrogen containing laser diode dazzling devices and methods of use |
| US11796903B2 (en) | 2009-05-29 | 2023-10-24 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Laser based display system |
| US11817675B1 (en) | 2009-05-29 | 2023-11-14 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Laser device for white light |
| US10297977B1 (en) | 2009-05-29 | 2019-05-21 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser device and method for a vehicle |
| US10205300B1 (en) | 2009-05-29 | 2019-02-12 | Soraa Laser Diode, Inc. | Gallium and nitrogen containing laser diode dazzling devices and methods of use |
| US10108079B2 (en) | 2009-05-29 | 2018-10-23 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser light source for a vehicle |
| US10084281B1 (en) | 2009-05-29 | 2018-09-25 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser device and method for a vehicle |
| US9800017B1 (en) | 2009-05-29 | 2017-10-24 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser device and method for a vehicle |
| JP2009296018A (ja) * | 2009-09-18 | 2009-12-17 | Sony Corp | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| US9106049B1 (en) | 2010-05-17 | 2015-08-11 | Soraa Laser Diode, Inc. | Method and system for providing directional light sources with broad spectrum |
| US9362720B1 (en) | 2010-05-17 | 2016-06-07 | Soraa Laser Diode, Inc. | Method and system for providing directional light sources with broad spectrum |
| US8638828B1 (en) | 2010-05-17 | 2014-01-28 | Soraa, Inc. | Method and system for providing directional light sources with broad spectrum |
| US9837790B1 (en) | 2010-05-17 | 2017-12-05 | Soraa Laser Diode, Inc. | Method and system for providing directional light sources with broad spectrum |
| US8848755B1 (en) | 2010-05-17 | 2014-09-30 | Soraa Laser Diode, Inc. | Method and system for providing directional light sources with broad spectrum |
| US10923878B1 (en) | 2010-05-17 | 2021-02-16 | Soraa Laser Diode, Inc. | Method and system for providing directional light sources with broad spectrum |
| US11791606B1 (en) | 2010-05-17 | 2023-10-17 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Method and system for providing directional light sources with broad spectrum |
| US10122148B1 (en) | 2010-05-17 | 2018-11-06 | Soraa Laser Diodide, Inc. | Method and system for providing directional light sources with broad spectrum |
| US10505344B1 (en) | 2010-05-17 | 2019-12-10 | Soraa Laser Diode, Inc. | Method and system for providing directional light sources with broad spectrum |
| US10655800B2 (en) | 2011-01-24 | 2020-05-19 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser package having multiple emitters configured on a support member |
| US9810383B2 (en) | 2011-01-24 | 2017-11-07 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser package having multiple emitters configured on a support member |
| US9371970B2 (en) | 2011-01-24 | 2016-06-21 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser package having multiple emitters configured on a support member |
| US11543590B2 (en) | 2011-01-24 | 2023-01-03 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Optical module having multiple laser diode devices and a support member |
| US11573374B2 (en) | 2011-01-24 | 2023-02-07 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Gallium and nitrogen containing laser module configured for phosphor pumping |
| US9595813B2 (en) | 2011-01-24 | 2017-03-14 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser package having multiple emitters configured on a substrate member |
| JP2012164981A (ja) * | 2011-01-24 | 2012-08-30 | Soraa Inc | 基板部材上に構成された複数のエミッタを有するレーザーパッケージ |
| US9835296B2 (en) | 2011-01-24 | 2017-12-05 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser package having multiple emitters configured on a support member |
| US9025635B2 (en) | 2011-01-24 | 2015-05-05 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser package having multiple emitters configured on a support member |
| US10247366B2 (en) | 2011-01-24 | 2019-04-02 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser package having multiple emitters configured on a support member |
| US10587097B1 (en) | 2011-04-04 | 2020-03-10 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser bar device having multiple emitters |
| US9287684B2 (en) | 2011-04-04 | 2016-03-15 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser package having multiple emitters with color wheel |
| US10050415B1 (en) | 2011-04-04 | 2018-08-14 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser device having multiple emitters |
| US9716369B1 (en) | 2011-04-04 | 2017-07-25 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser package having multiple emitters with color wheel |
| US11005234B1 (en) | 2011-04-04 | 2021-05-11 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Laser bar device having multiple emitters |
| US11742634B1 (en) | 2011-04-04 | 2023-08-29 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Laser bar device having multiple emitters |
| JP2013062300A (ja) * | 2011-09-12 | 2013-04-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ素子 |
| US9787963B2 (en) | 2015-10-08 | 2017-10-10 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser lighting having selective resolution |
| US11800077B2 (en) | 2015-10-08 | 2023-10-24 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Laser lighting having selective resolution |
| US10506210B2 (en) | 2015-10-08 | 2019-12-10 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser lighting having selective resolution |
| US11172182B2 (en) | 2015-10-08 | 2021-11-09 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Laser lighting having selective resolution |
| US11121772B2 (en) | 2017-09-28 | 2021-09-14 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Smart laser light for a vehicle |
| US11502753B2 (en) | 2017-09-28 | 2022-11-15 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Intelligent visible light with a gallium and nitrogen containing laser source |
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