JPH0254980A - 集積型半導体レーザ - Google Patents
集積型半導体レーザInfo
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- JPH0254980A JPH0254980A JP20654888A JP20654888A JPH0254980A JP H0254980 A JPH0254980 A JP H0254980A JP 20654888 A JP20654888 A JP 20654888A JP 20654888 A JP20654888 A JP 20654888A JP H0254980 A JPH0254980 A JP H0254980A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
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- H01S5/4031—Edge-emitting structures
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- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は位相同期集積型半導体レーザに関し、特に集積
型半導体レーザの横モード制御に関するものである。
型半導体レーザの横モード制御に関するものである。
第７図は従来の集積型半導体レーザの断面図であり、図
中２１はｎ型ＧａＡｓ基板を示す。該ｎ型ＧａＡｓ基板
２１上には、ｎ型ＡＩＸ ｃａ、−ｘＡ３ （ｘ ＝０
．４５）クラッド層２２．アンドープＡ１． Ｇａ＋−
ｘ Ａ５ （ｘ ＃０．０６）活性層２３．ｐ型へｌｘ
Ｇａ＋−ｘ Ａｓ （ｘ ＃０．４５）クラッド層２
４がこの順に積層形成されており、該ｐ型ＡｌＧａＡｓ
クラッドＮ２４はその３個所においてリッジ状のりフジ
型導波部２８となっている。３個所のリッジ型導波部２
８の上面にはｐ型ＧａＡｓキャンプ層２５が形成されて
おり、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層２４．ｐ型ＧａＡｓ
キャップ層２５の表面には、ｐ型ＧａＡｓキャンプ層２
５の上面の一部を除いてＳｉ０ｇ膜からなる絶縁膜３０
が形成されている。また、該絶縁膜３０の表面には、ｐ
型ＧａＡｓキャップ層２５の上面の一部を含んでｐ側電
穫２７が被着され、ｎ型ＧａＡｓ基板２１の下面にはｎ
側電極２６が被着されている。また、図中２９は各リッ
ジ型導波部２８の直下部に形成される導波領域である。
中２１はｎ型ＧａＡｓ基板を示す。該ｎ型ＧａＡｓ基板
２１上には、ｎ型ＡＩＸ ｃａ、−ｘＡ３ （ｘ ＝０
．４５）クラッド層２２．アンドープＡ１． Ｇａ＋−
ｘ Ａ５ （ｘ ＃０．０６）活性層２３．ｐ型へｌｘ
Ｇａ＋−ｘ Ａｓ （ｘ ＃０．４５）クラッド層２
４がこの順に積層形成されており、該ｐ型ＡｌＧａＡｓ
クラッドＮ２４はその３個所においてリッジ状のりフジ
型導波部２８となっている。３個所のリッジ型導波部２
８の上面にはｐ型ＧａＡｓキャンプ層２５が形成されて
おり、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層２４．ｐ型ＧａＡｓ
キャップ層２５の表面には、ｐ型ＧａＡｓキャンプ層２
５の上面の一部を除いてＳｉ０ｇ膜からなる絶縁膜３０
が形成されている。また、該絶縁膜３０の表面には、ｐ
型ＧａＡｓキャップ層２５の上面の一部を含んでｐ側電
穫２７が被着され、ｎ型ＧａＡｓ基板２１の下面にはｎ
側電極２６が被着されている。また、図中２９は各リッ
ジ型導波部２８の直下部に形成される導波領域である。
次に動作について説明する。
ｐ側電極２７が正、ｎ側電極２６が負になるように電圧
を印加すると、活性層２３にはｐ型りラフト層２４から
正孔が、ｎ型クラッド層２２から電子が注入される。こ
れらの正孔及び電子は、ダブルへテロ構造のバリアによ
って活性層２３内に閉じ込められて放射再結合する。そ
して発生した光はｐｎ接合に垂直及び水平方向に形成さ
れた屈折率分布によって導波領域２９の近傍に閉じ込め
られる。
を印加すると、活性層２３にはｐ型りラフト層２４から
正孔が、ｎ型クラッド層２２から電子が注入される。こ
れらの正孔及び電子は、ダブルへテロ構造のバリアによ
って活性層２３内に閉じ込められて放射再結合する。そ
して発生した光はｐｎ接合に垂直及び水平方向に形成さ
れた屈折率分布によって導波領域２９の近傍に閉じ込め
られる。
このような集積型半導体レーザにおいて３個のストライ
プが約１０μｍ以内に近接している場合には、３個のレ
ーザは独立ではなくて光学的に結合し、その結果一定の
周期差を保ちながらの同波長でのレーザ発振、つまり位
相同期発振を行うことになる。このようにして複数個の
導波路が結合している場合には、夫々の単一の導波路と
しては基本モードのみを伝播するような条件であっても
、複合導波路の固有モード（アレイモード）は結合した
導波路の数だけ存在する。
プが約１０μｍ以内に近接している場合には、３個のレ
ーザは独立ではなくて光学的に結合し、その結果一定の
周期差を保ちながらの同波長でのレーザ発振、つまり位
相同期発振を行うことになる。このようにして複数個の
導波路が結合している場合には、夫々の単一の導波路と
しては基本モードのみを伝播するような条件であっても
、複合導波路の固有モード（アレイモード）は結合した
導波路の数だけ存在する。
第９図は３個の導波路が結合した構成をなす半導体レー
ザにおける３連導波路の電界分布（第９図（ａ））と光
強度分布（第９図（ｂ））とを示したものであり、同図
においてシー１が基本アレイモードである。集積型半導
体レーザにあっては、各モードに対する利得が等しい場
合、これらの３個のうちの何れのモードでも発振するこ
とができる。
ザにおける３連導波路の電界分布（第９図（ａ））と光
強度分布（第９図（ｂ））とを示したものであり、同図
においてシー１が基本アレイモードである。集積型半導
体レーザにあっては、各モードに対する利得が等しい場
合、これらの３個のうちの何れのモードでも発振するこ
とができる。
第８図は上述した従来の集積型半導体レーザにおける等
価回路を示している。半導体レーザに流れる電流■は下
記（１）式に示す如く求められる。
価回路を示している。半導体レーザに流れる電流■は下
記（１）式に示す如く求められる。
１＝ （Ｖ−Ｖｍ ）／Ｒ−・・・（１）但し、
Ｒ１：半導体レーザの直列抵抗
Ｖ：印加される電圧
■、：ダイオードの接合部にかかる電圧従来の集積型半
導体レーザにおいて、各半導体レーザにおける上記Ｖ、
の値は同一であるので、流れる電流の大きさは各半導体
レーザの直列抵抗Ｒ１の値に依存する。ところで従来の
集積型半導体レーザでは、Ｒ□” Ｒｍ！＝ Ｒｓ３で
あるので、各半導体レーザに流れる電流は同じ値となる
（Ｉ＋＝Ｉｚ”ｌ５）− 以上のように３個の導波領域２９に注入される電流の大
きさは等しくなるので、各アレイモードに対するモード
利得は等しくなって、３種のアレイモードにて発振する
ことになる。高次のアレイモードにて発振する場合、遠
視野像が双峰性となって出射ビームの角度が広くなり、
アレイ化した方向（ｐｎ接合に平行な方向）の出射角を
極めて狭くできるという位相同期集積型半導体レーザの
本来の特徴がなくなるという問題点があった。
導体レーザにおいて、各半導体レーザにおける上記Ｖ、
の値は同一であるので、流れる電流の大きさは各半導体
レーザの直列抵抗Ｒ１の値に依存する。ところで従来の
集積型半導体レーザでは、Ｒ□” Ｒｍ！＝ Ｒｓ３で
あるので、各半導体レーザに流れる電流は同じ値となる
（Ｉ＋＝Ｉｚ”ｌ５）− 以上のように３個の導波領域２９に注入される電流の大
きさは等しくなるので、各アレイモードに対するモード
利得は等しくなって、３種のアレイモードにて発振する
ことになる。高次のアレイモードにて発振する場合、遠
視野像が双峰性となって出射ビームの角度が広くなり、
アレイ化した方向（ｐｎ接合に平行な方向）の出射角を
極めて狭くできるという位相同期集積型半導体レーザの
本来の特徴がなくなるという問題点があった。
そこでこのような問題点を解決すべく、集積型半導体レ
ーザの提案が特開昭６２−３０３９１号公報になされて
いる。この集積型半導体レーザは電流狭窄層を有し、各
半導体レーザの電流分布を制御して基本アレイモードを
実現することを特徴としている。
ーザの提案が特開昭６２−３０３９１号公報になされて
いる。この集積型半導体レーザは電流狭窄層を有し、各
半導体レーザの電流分布を制御して基本アレイモードを
実現することを特徴としている。
ところが上述の集積型半導体レーザでは、電流狭窄層の
ストライプの幅によって電流分布を制御することとして
いるので、細かな電流分布の制御を行い難いという難点
がある。この結果、ストライプの本数が４本以上である
ような多数連の場合には、基本アレイモードを実現でき
ないという問題点がある。
ストライプの幅によって電流分布を制御することとして
いるので、細かな電流分布の制御を行い難いという難点
がある。この結果、ストライプの本数が４本以上である
ような多数連の場合には、基本アレイモードを実現でき
ないという問題点がある。
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、電流
分布を、基本アレイモードと同型の形状、または中央の
導波上が最大である山型の形状とすることにより、スト
ライプの本数に影響されることなく、基本アレイモード
にて発振することができる集積型半導体レーザを提供す
ることを目的とする。
分布を、基本アレイモードと同型の形状、または中央の
導波上が最大である山型の形状とすることにより、スト
ライプの本数に影響されることなく、基本アレイモード
にて発振することができる集積型半導体レーザを提供す
ることを目的とする。
本発明に係る集積型半導体レーザは、複数個の導波領域
をストライプ状に並べて形成した複合導波領域を有する
集積型半導体レーザにおいて、前記複合導波領域全体内
にて、ストライプに垂直な面内での利得の分布は、基本
アレイモードの光強度分布と略同型の形状、または山型
の形状をなすことを特徴とする。
をストライプ状に並べて形成した複合導波領域を有する
集積型半導体レーザにおいて、前記複合導波領域全体内
にて、ストライプに垂直な面内での利得の分布は、基本
アレイモードの光強度分布と略同型の形状、または山型
の形状をなすことを特徴とする。
本発明の集積型半導体レーザにあっては、電流分布（利
得分布）が、基本アレイモードの光強度分布に同型、ま
たは中央の導波路上が大きい山型をなす。従って各アレ
イモードが有する光強度分布の中では基本アレイモード
の光強度分布との重なりが最大となり、この結果基本ア
レイモードにて発振する。
得分布）が、基本アレイモードの光強度分布に同型、ま
たは中央の導波路上が大きい山型をなす。従って各アレ
イモードが有する光強度分布の中では基本アレイモード
の光強度分布との重なりが最大となり、この結果基本ア
レイモードにて発振する。
以下、本発明をその実施例を示す図面に基づいて具体的
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明の集積型半導体レーザの一実施例の断面
図であり、図中１はｎ型ＧａＡｓ基板を示す。
図であり、図中１はｎ型ＧａＡｓ基板を示す。
該ｎ型ＧａＡｓ基板ｌ上には、ｎ型Ａ１． Ｇａ＋−ｘ
Ａｓ （ｘ−０，４５）クラフト層２．アンドープＡ
ｌｘＧａｐ−、Ａｓ（ｘ＃０．０６）活性層３． ｐ
型ＡＩＸ Ｇａ＋−ｘ Ａｓ （ｘ ＃０．４５）クラ
フト層４がこの順に積層形成されており、該ｐ型ＡｌＧ
ａＡｓクラフトＮ４はその３個所においてリッジ状とな
っている。ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層４の３個所のり
フジ状部分の上面にはｐ型ＧａＡｓキャップ層５が形成
されており、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド１１４． ｐ
型ＧａＡｓキャップ層５の表面には、ｐ型ＧａＡｓキャ
ップ層５の上面の一部を除いてＳｉＯ□膜からなる絶縁
膜１０が形成されている。
Ａｓ （ｘ−０，４５）クラフト層２．アンドープＡ
ｌｘＧａｐ−、Ａｓ（ｘ＃０．０６）活性層３． ｐ
型ＡＩＸ Ｇａ＋−ｘ Ａｓ （ｘ ＃０．４５）クラ
フト層４がこの順に積層形成されており、該ｐ型ＡｌＧ
ａＡｓクラフトＮ４はその３個所においてリッジ状とな
っている。ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層４の３個所のり
フジ状部分の上面にはｐ型ＧａＡｓキャップ層５が形成
されており、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド１１４． ｐ
型ＧａＡｓキャップ層５の表面には、ｐ型ＧａＡｓキャ
ップ層５の上面の一部を除いてＳｉＯ□膜からなる絶縁
膜１０が形成されている。
また、３個所のりフジ状部分のうちの中央のりフジ状部
分では、ｐ型ＧａＡｓキャップ層５の上面の一部を含ん
で絶縁膜１０の表面にｐ側電極７ｂが被着されており、
更にこのｐ側電極７ｂの上面を含んで絶縁膜１０の表面
にはｐ側電極７ａが被着されている。
分では、ｐ型ＧａＡｓキャップ層５の上面の一部を含ん
で絶縁膜１０の表面にｐ側電極７ｂが被着されており、
更にこのｐ側電極７ｂの上面を含んで絶縁膜１０の表面
にはｐ側電極７ａが被着されている。
ｐ側電極７ａ、 ７ｂは何れも、下層から順にＳｎ膜、
Ｚｎ膜、 Ａｕ膜をこの順に積層した３層構造をなし
ているが、両ｐ側電極７ａ＋ ７ｂではＺｎ膜の膜厚が
異なっており（ｐ側電極７ａ ： １６３０人、ｐ側電
極７ｂ ： １８５０人）、中央部の１個の半導体レー
ザと周縁部の２個の半導体レーザとにおいてｐ型ＧａＡ
ｓキャップ層５との接触抵抗を異ならせている。なお、
ｐ側電極７ａ、 ７ｂ間は金属間の接触であるので、そ
の両者間の接触抵抗は無視できる。更にｎ型ＧａＡｓ基
板１の下面にはｎ側電極６が被着されている。
Ｚｎ膜、 Ａｕ膜をこの順に積層した３層構造をなし
ているが、両ｐ側電極７ａ＋ ７ｂではＺｎ膜の膜厚が
異なっており（ｐ側電極７ａ ： １６３０人、ｐ側電
極７ｂ ： １８５０人）、中央部の１個の半導体レー
ザと周縁部の２個の半導体レーザとにおいてｐ型ＧａＡ
ｓキャップ層５との接触抵抗を異ならせている。なお、
ｐ側電極７ａ、 ７ｂ間は金属間の接触であるので、そ
の両者間の接触抵抗は無視できる。更にｎ型ＧａＡｓ基
板１の下面にはｎ側電極６が被着されている。
ここで半導体レーザにおけるｐ側電極のＺｎ膜の膜厚と
流れる電流の大きさとの関係について説明する。第４図
は１ストライプの半導体レーザにおけるｐ側電極のＺｎ
膜の膜厚と■（半導体レーザに印加される電圧）−Ｉ（
半導体レーザに流れる電流）特性との関係を示すグラフ
であり、図中（ａ）。
流れる電流の大きさとの関係について説明する。第４図
は１ストライプの半導体レーザにおけるｐ側電極のＺｎ
膜の膜厚と■（半導体レーザに印加される電圧）−Ｉ（
半導体レーザに流れる電流）特性との関係を示すグラフ
であり、図中（ａ）。
（ｂ）、 （Ｃ）のグラフは夫々Ｚｎ膜の膜厚を１８５
０人、 １７００人、 １５５０人とした場合を示す、
なお、Ａｕ膜、 Ｓｎ膜の膜厚は何れの場合も、夫々２
５００人、１５０人とする。
０人、 １７００人、 １５５０人とした場合を示す、
なお、Ａｕ膜、 Ｓｎ膜の膜厚は何れの場合も、夫々２
５００人、１５０人とする。
Ｚｎ膜の膜厚を変化させることによって、ｐ型ＧａＡｓ
キャップ層と電極との接触抵抗が変化し、第４図に示す
ようにＶ−Ｉ特性のカーブの傾きが変化する。
キャップ層と電極との接触抵抗が変化し、第４図に示す
ようにＶ−Ｉ特性のカーブの傾きが変化する。
第５図はＺｎ膜の膜厚と半導体レーザの直列抵抗Ｒ１と
の関係を示すグラフであり、直列抵抗は前記接触抵抗を
含むので、Ｚｎ膜の膜厚を変化させることによって直列
抵抗は変化する。そして直列抵抗を最小にするためには
Ｚｎ膜の膜厚を１８５０人にすればよいことが理解され
る。第６図は、半導体レーザに印加される電圧を一定と
した場合の前記（１）式に基づく直列抵抗Ｒ３と電流比
Ｉ／ｒ。との関係を示すグラフである。但し１０は、Ｚ
ｎ膜の膜厚を最適値（１８５０人）とした場合に半導体
レーザに流れる電流値である。第５，６図から理解され
る如く、半導体レーザに印加される電圧を一定にした場
合、その半導体レーザに流れる電流の大きさはｐ側電極
におけるＺｎ膜の膜厚に依存する。
の関係を示すグラフであり、直列抵抗は前記接触抵抗を
含むので、Ｚｎ膜の膜厚を変化させることによって直列
抵抗は変化する。そして直列抵抗を最小にするためには
Ｚｎ膜の膜厚を１８５０人にすればよいことが理解され
る。第６図は、半導体レーザに印加される電圧を一定と
した場合の前記（１）式に基づく直列抵抗Ｒ３と電流比
Ｉ／ｒ。との関係を示すグラフである。但し１０は、Ｚ
ｎ膜の膜厚を最適値（１８５０人）とした場合に半導体
レーザに流れる電流値である。第５，６図から理解され
る如く、半導体レーザに印加される電圧を一定にした場
合、その半導体レーザに流れる電流の大きさはｐ側電極
におけるＺｎ膜の膜厚に依存する。
従って、第１図に示す本発明例では３本のストライプの
うちの中央のストライプの半導体レーザにおけるｐ側電
極のＺｎ膜の膜厚を最適値にすることにより、その直列
抵抗を他の２本のストライプの半導体レーザに比して小
さくしている。第２図は第１図に示した集積型半導体レ
ーザの等価回路を示したものであり、中央の半導体レー
ザは両端の２個の半導体レーザに比してｐ型ＧａＡｓキ
ャップ層との接触抵抗が小さいので、それらの直列抵抗
の関係は下記（２）に示す如くなる。
うちの中央のストライプの半導体レーザにおけるｐ側電
極のＺｎ膜の膜厚を最適値にすることにより、その直列
抵抗を他の２本のストライプの半導体レーザに比して小
さくしている。第２図は第１図に示した集積型半導体レ
ーザの等価回路を示したものであり、中央の半導体レー
ザは両端の２個の半導体レーザに比してｐ型ＧａＡｓキ
ャップ層との接触抵抗が小さいので、それらの直列抵抗
の関係は下記（２）に示す如くなる。
Ｒ＊＋ ＝ Ｒｔ、＞ Ｒｓｚ ・・・（２）従
って各半導体レーザに印加される電圧が同じである場合
、各半導体レーザに流れる電流の大きさの関係は下記（
３）に示す如くなる。
って各半導体レーザに印加される電圧が同じである場合
、各半導体レーザに流れる電流の大きさの関係は下記（
３）に示す如くなる。
ｒ、＝ｒ、＜ｒ、 ・・・（３）なお、本実施例
ではＩ＋ ” ｌ５−０．６６Ｉｚとなるように各半導
体レーザにおけるｐ側電極のＺｎ膜の膜厚を設定した。
ではＩ＋ ” ｌ５−０．６６Ｉｚとなるように各半導
体レーザにおけるｐ側電極のＺｎ膜の膜厚を設定した。
第３図は本実施例における電流分布を示したものである
。なお利得分布と電流分布とは同型であるので、第３図
に示す分布図を本実施例における利得分布として捉えて
もよい。第３図の利得分布は前述の第９図山）に示した
基本アレイモードの光強度分布と同型であるので、本発
明の集積型半導体レーザではアレイモードとして基本ア
レイモードが選択される。
。なお利得分布と電流分布とは同型であるので、第３図
に示す分布図を本実施例における利得分布として捉えて
もよい。第３図の利得分布は前述の第９図山）に示した
基本アレイモードの光強度分布と同型であるので、本発
明の集積型半導体レーザではアレイモードとして基本ア
レイモードが選択される。
従って本発明では、横モードを基本モードに制御でき、
狭い出射ビームを有する高出力な半導体レーザを提供で
きる。
狭い出射ビームを有する高出力な半導体レーザを提供で
きる。
両端の半導体レーザでは直列抵抗が増加するので多量の
発熱が懸念されるが、直列抵抗が増加すると電・流値は
下がるので消費される電力（Ｒ，・Ｉ２）は直列抵抗が
小さい中央の半導体レーザに比して小さい。また直列抵
抗の増加はｐ型ＧａＡｓキャンプ層との接触抵抗の増加
に起因するので、ｊｕｎｃｔｉｏｎ−ｄｏｗｎの状態に
て半導体レーザを組み立てることとすれば、熱の影響は
小さくなる。
発熱が懸念されるが、直列抵抗が増加すると電・流値は
下がるので消費される電力（Ｒ，・Ｉ２）は直列抵抗が
小さい中央の半導体レーザに比して小さい。また直列抵
抗の増加はｐ型ＧａＡｓキャンプ層との接触抵抗の増加
に起因するので、ｊｕｎｃｔｉｏｎ−ｄｏｗｎの状態に
て半導体レーザを組み立てることとすれば、熱の影響は
小さくなる。
なお各半導体レーザに流れる電流の大きさを変えること
によって、第３図に示すような利得分布の形状を山型に
することも可能であり、このような場合の集積型半導体
レーザにあっても基本アレイモードが選択されることは
勿論である。
によって、第３図に示すような利得分布の形状を山型に
することも可能であり、このような場合の集積型半導体
レーザにあっても基本アレイモードが選択されることは
勿論である。
また本実施例では３連の集積型半導体レーザについて説
明したが、これに限らす４連以上の集積型半導体レーザ
であっても、各ストライプの半導体レーザでの電極の接
触抵抗を変化させて流れる電流を制御する場合には、全
く同様に行なえることは言うまでもない。
明したが、これに限らす４連以上の集積型半導体レーザ
であっても、各ストライプの半導体レーザでの電極の接
触抵抗を変化させて流れる電流を制御する場合には、全
く同様に行なえることは言うまでもない。
以上詳述した如く本発明の集積型半導体レーザでは、基
本アレイモードに対するモード利得が最大となる形状に
利得分布を構成したので、横モードを基本モードに制御
でき、狭い出射ビームを有する高出力な半導体レーザと
することができる。
本アレイモードに対するモード利得が最大となる形状に
利得分布を構成したので、横モードを基本モードに制御
でき、狭い出射ビームを有する高出力な半導体レーザと
することができる。
またストライプの本数に影響されることなく、容易に基
本アレイモードにて発振できる等、本発明は優れた効果
を奏する。
本アレイモードにて発振できる等、本発明は優れた効果
を奏する。
第１図は本発明の集積型半導体レーザの構造を示す断面
図、第２図は第１図に示す集積型半導体レーザの等価回
路図、第３図は第１図に示す集積型半導体レーザの電流
（利得）分布図、第４図はｎ側電極のＺｎ１ｌＡ厚と半
導体レーザの電圧−電流特性との関係を朱すグラフ、第
５図はｎ側電極のＺｎ膜厚と半導体レーザの直列抵抗と
の関係を示すグラフ、第６図は半導体レーザの直列抵抗
と電流との関係を示すグラフ、第７図は従来の集積型半
導体レーザの構造を示す断面図、第８図は従来の集積型
半導体レーザの等価回路図、第９図は集積型半導体レー
ザの電界分布図及び光強度分布図である。 １・・・ｎ型ＧａＡｓ基板 ２・・・ｎ型ＡｌＧａＡｓ
クラフト層３・・・活性層 ４・・・ｐ型ＡｔＧａＡｓ
クラフトＮ ５・・・ｐ型ＧａＡｓキャップ層 ６・・
・ｎ側電極 ７ａ、 ７ｂ・・・ｎ側電極 １０・・・
絶縁膜 （ａ） （ｂ） ■
図、第２図は第１図に示す集積型半導体レーザの等価回
路図、第３図は第１図に示す集積型半導体レーザの電流
（利得）分布図、第４図はｎ側電極のＺｎ１ｌＡ厚と半
導体レーザの電圧−電流特性との関係を朱すグラフ、第
５図はｎ側電極のＺｎ膜厚と半導体レーザの直列抵抗と
の関係を示すグラフ、第６図は半導体レーザの直列抵抗
と電流との関係を示すグラフ、第７図は従来の集積型半
導体レーザの構造を示す断面図、第８図は従来の集積型
半導体レーザの等価回路図、第９図は集積型半導体レー
ザの電界分布図及び光強度分布図である。 １・・・ｎ型ＧａＡｓ基板 ２・・・ｎ型ＡｌＧａＡｓ
クラフト層３・・・活性層 ４・・・ｐ型ＡｔＧａＡｓ
クラフトＮ ５・・・ｐ型ＧａＡｓキャップ層 ６・・
・ｎ側電極 ７ａ、 ７ｂ・・・ｎ側電極 １０・・・
絶縁膜 （ａ） （ｂ） ■
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、複数個の導波領域をストライプ状に並べて形成した
複合導波領域を有する集積型半導体レーザにおいて、 前記複合導波領域全体内にて、ストライプに垂直な面内
での利得の分布は、基本アレイモードの光強度分布と略
同型の形状、または山型の形状をなすことを特徴とする
集積型半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20654888A JPH0254980A (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 集積型半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20654888A JPH0254980A (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 集積型半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0254980A true JPH0254980A (ja) | 1990-02-23 |
Family
ID=16525208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20654888A Pending JPH0254980A (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 集積型半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0254980A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002185082A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-06-28 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レーザアレイ |
-
1988
- 1988-08-19 JP JP20654888A patent/JPH0254980A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002185082A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-06-28 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レーザアレイ |
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