JP2002182236A - 平面表示装置用アレイ基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 透光性厚型樹脂膜、ＴＦＴ上の遮光膜、及
び柱状スペーサを備える平面表示装置用アレイ基板にお
いて、製造工程数を少なくすることができるとともに、
製造工程数の削減によって他の不良を発生させることの
ないものを提供する。 【解決手段】透光性厚型樹脂膜５にはＴＦＴ７のチャネ
ル部７１近傍の個所に抜き部５１を設けておく。遮光性
厚型樹脂膜８を、抜き部５１の個所、及び走査線１１上
の所定個所にのみ形成させる。これにより、柱状スペー
サ−は、遮光性厚型樹脂膜８と透光性厚型樹脂膜５とが
重ねられる、走査線１１上の所定個所でのみ形成され
る。一方、ＴＦＴ７のチャネル部７１近傍は遮光性厚型
樹脂膜８により充分に遮光される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に代
表される平面表示装置等に用いられるアレイ基板に関す
る。特には、画素電極を載置する厚型樹脂膜と、ＴＦＴ
のチャネル部近傍を覆う遮光膜と、柱状スペーサとを備
えるアレイ基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、液晶表示装置等の平面表示装置
は、薄型、軽量、低消費電力の特徴を生かして、パーソ
ナル・コンピュータ、ワードプロセッサあるいはＴＶ等
の表示装置として、更に投射型の表示装置として各種分
野で利用されている。

【０００３】中でも、各画素電極にスイッチ素子が電気
的に接続されて成るアクティブマトリクス型表示装置
は、隣接画素間でクロストークのない良好な表示画像を
実現できることから、盛んに研究・開発が行われてい
る。

【０００４】以下に、光透過型のアクティブマトリクス
型液晶表示装置を例にとり、その構成について簡単に説
明する。

【０００５】一般に、アクティブマトリクス型液晶表示
装置は、マトリクスアレイ基板（以下アレイ基板と呼
ぶ）と対向基板とが所定の間隔をなすよう近接配置さ
れ、この間隔中に、両基板の表層に設けられた配向膜を
介して液晶層が保持されて成っている。

【０００６】アレイ基板においては、ガラス等の透明絶
縁基板上に、上層の金属配線パターンとして例えば複数
本の信号線と、下層の金属配線パターンとして例えば複
数本の走査線とが絶縁膜を介して格子状に配置され、格
子の各マス目に相当する領域にＩＴＯ(Indium-Tin-Oxid
e)等の透明導電材料からなる画素電極が配される。そし
て、格子の各交点部分には、各画素電極を制御するスイ
ッチング素子が配されている。スイッチング素子が薄膜
トランジスタ（以下、ＴＦＴと略称する。）である場合
には、ＴＦＴのゲート電極は走査線に、ドレイン電極は
信号線にそれぞれ電気的に接続され、さらにソース電極
は画素電極に電気的に接続されている。

【０００７】対向基板は、ガラス等の透明絶縁基板上に
ＩＴＯから成る対向電極が配置されてなる。

【０００８】ここで、カラー表示を実現するのであれ
ば、カラーフィルタ層が対向基板またはアレイ基板上に
あって少なくとも画素電極に対応する個所に配置され
る。また、両基板の間には、これら基板の間の間隔を一
定にするための多数のスペーサが配置される。

【０００９】ＴＦＴがボトムゲートである場合、すなわ
ちゲート電極よりも表層側に半導体活性膜が配置される
ものである場合には、ＴＦＴのチャネル部近傍を遮光す
るための遮光膜が対向基板またはアレイ基板上に配置さ
れる。これは、チャネル部の両端側にあるサイドチャネ
ル部に光が照射された場合に、ＴＦＴにリーク電流が生
じ、動作不良を生じるからである。ここで、ＴＦＴのチ
ャネル部とは、チャネル保護膜を有しないバックチャネ
ルカット型の場合には、ソース及びドレイン電極の間の
個所である。チャネル保護膜を有する、いわゆるエッチ
ングストッパ型の場合は、ソース及びドレイン電極との
オーミックコンタクト部に挟まれた個所である。したが
って、エッチングストッパ型の場合にはチャネル保護膜
の幅がチャネル長となる。

【００１０】従前は、画素電極の縁部と信号線との間の
間隔、及び、画素電極の縁部と走査線との間の間隔を覆
う個所にも遮光膜が設けらていた。これは、画素電極と
信号線または走査線とが重なることによる不所望の電気
容量や短絡を充分に防止しつつ、画素電極のパターンと
信号線または走査線のパターンとの位置ずれを吸収し、
該間隔からの光漏れを確実に防止するためである。

【００１１】しかし、近年、画素開口率を向上すべく、
絶縁性の厚型樹脂膜を介して、画素電極の四周の縁部を
信号線及び走査線と重ね合わせることが行われている。
厚型樹脂膜は、例えば１μｍ以上の厚さを有する低誘電
率の有機樹脂からなり、これを介して重ねられる画素電
極と信号線等との間での、電気容量の発生や短絡のおそ
れを充分に小さくすることを可能にするものである。こ
のような厚型樹脂膜の配置により、位置合わせマージン
に起因する画素開口の損失をなくすことができるので、
画素開口率を大きく向上することができる。

【００１２】また、画素開口率をさらに向上させるべ
く、ＴＦＴを覆う遮光膜をアレイ基板上に設けることが
検討されている。遮光膜をアレイ基板上に設けるならば
アレイ基板と対向基板との位置合わせに関連した位置合
わせマージンを設ける必要がないので、その分だけ画素
開口率を向上させることができるのである。

【００１３】そこで、アレイ基板上に、厚型樹脂膜とＴ
ＦＴを覆う遮光膜とを設けることが考えられる。

【００１４】一方、アレイ基板と対向基板との間のスペ
ーサとして、パターニングにより柱状のスペーサを設け
ることが種々検討されている（例えば特願平１０−１６
８４８０）。柱状スペーサを用いることにより、従前の
非固定の球状スペーサで生じる凝集や分布の不均一等に
よる表示不良を確実に防止することができる。

【００１５】柱状スペーサは、対向基板上に設けるの
が、より一般的である。しかし、柱状スペーサを確実に
ＴＦＴ上等の画素開口以外の個所に配置しつつ、アレイ
基板と対向基板との位置合わせ精度の要求を下げて組立
工程を簡略にするためには、柱状スペーサをもアレイ基
板上に形成するのが好ましい。カラー表示を行う液晶表
示装置であってもカラーフィルタを厚型樹脂膜により形
成することで、対向基板とアレイ基板との精密な位置合
わせを不要にすることができる（特願平１１−１８０３
４５）。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、アレイ基板
上に、透光性の厚型樹脂膜、ＴＦＴ上の遮光膜、及び柱
状スペーサを全て設けるためには、それぞれについて、
コーティングまたは堆積とパターニングとを行う必要が
あった。そのため、アレイ基板の製造コストの低減およ
び製造効率の向上において問題があった。

【００１７】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
であり、透光性の厚型樹脂膜、ＴＦＴ上の遮光膜、及び
柱状スペーサを備える平面表示装置用アレイ基板におい
て、製造工程数を少なくすることができ、これにより、
製造コストの低減および製造効率の向上を図ることがで
きるとともに、製造工程数の削減によって不良を発生さ
せることのないアレイ基板を提供するものである。

【００１８】

【課題を解決するための手段】請求項１の平面表示装置
用アレイ基板は、絶縁基板上に配置されるゲート電極、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して配置される半
導体活性膜、及び、前記半導体活性膜に電気的に接続さ
れるソース及びドレイン電極を含み、前記ソース及びド
レイン電極間の前記半導体活性膜をチャネル部となす薄
膜トランジスタと、前記ゲート電極に電気的に接続され
る複数の走査線と、前記ドレイン電極に電気的に接続さ
れ、前記走査線に略直交して配置される複数の信号線
と、前記走査線及び信号線により囲まれる領域内に配置
される光透過性絶縁膜と、前記光透過性絶縁膜上に配置
され、前記ソース電極と前記光透過性絶縁膜のコンタク
トホールを介して電気的に接続された画素電極と、前記
光透過性絶縁膜上に配置される遮光性樹脂膜と、を備え
た表示装置用アレイ基板において、前記光透過性絶縁膜
は前記薄膜トランジスタの少なくとも前記チャネル部に
対応する領域に抜き部または凹部を含み、前記抜き部ま
たは凹部に前記遮光性樹脂膜が選択的に配置されるとと
もに、前記光透過性絶縁膜と、この前記光透過性絶縁膜
上に配置される前記遮光性樹脂膜とで柱状スペーサを成
すことを特徴とする。

【００１９】上記構成により、製造工程数を少なくする
ことができ、これにより、製造コストの低減および製造
効率の向上を図ることができる。

【００２０】

【発明の実施の形態】本発明の実施例について、図１〜
５を用いて説明する。

【００２１】図１の平面図は、アレイ基板の画素部分の
構成を模式的に示すものであり、図２〜５の積層断面図
は、それぞれ、ＴＦＴ近傍（図１のII−II断面）、補助
容量（Ｃｓ）形成部（図１のIII−III断面）、柱状スペ
ーサ形成部（図１のIV−IV断面）、及び、信号線の画素
開口に挟まれた部分（図１のＶ−Ｖ断面）を示す。

【００２２】図１に示すように、下層の走査線１１と上
層の信号線３１との交点付近には、走査線１１に印加さ
れるパルス電圧にしたがい信号線３１から画素電極５２
への信号入力をスイッチングするためのＴＦＴ７が配置
されている。ＴＦＴ７のゲート電極１１ａは走査線１１
からの延在部により形成されており、ＴＦＴ７のドレイ
ン電極３２は、信号線３１の延在部により形成されてい
る。そして、ＴＦＴ７のソース電極３３は、層間絶縁膜
４及び透光性厚型樹脂膜５を貫くコンタクトホール４
２，５２を通じて、画素電極６１に電気的に接続してい
る。

【００２３】画素電極６１は、走査線１１と信号線３１
とがなすマス目状の画素開口ごとに配置され、ＴＦＴ７
のチャネル部７１近傍以外で、画素開口の全体を覆うと
ともに四周の縁部が走査線１１及び信号線３１と重ねら
れている。

【００２４】透光性厚型樹脂膜５は、例えば厚さが１μ
ｍ以上であり、低誘電率の絶縁性の樹脂材料からなる。
特には、アクリル系樹脂等の感光型の硬化性有機樹脂材
料からなる。透光性厚型樹脂膜５は、ＴＦＴ７のチャネ
ル部７１近傍を露出させる抜き部５１と、コンタクトホ
ール５２，５３の個所とを除き、画素配列領域の全体を
被覆する。

【００２５】本実施例において、透光性厚型樹脂膜５
は、レッド（Ｒ）、グリーン（Ｇ）、及びブルー（Ｂ）
に塗り分けられた着色膜であって、カラー表示を実現す
るためのカラーフィルタの役割をも果たしている。図示
の例で、透光性厚型樹脂膜５は、信号線３１に沿って並
ぶ画素開口の列ごとに、ストライプ状に色分けされてい
る。

【００２６】色分けされて着色された透光性厚型樹脂膜
５の形成のためには、例えば、３色のそれぞれについ
て、顔料または染料を含む透光性樹脂層のコーティング
と、マスクパターンを露光及びパターニングとを行うこ
とができる。または、完全に硬化する前の一つの染料受
容性の無色の樹脂層に対してインクジェット法にて染料
を所定領域ごとに塗布することもできる。

【００２７】一方、図１〜２及び図４に示すように、遮
光性厚型樹脂膜８が、上記抜き部５１の個所と、走査線
１１上の柱状スペーサ形成部７５とに配置される。遮光
性厚型樹脂膜８は、画素電極６１と、対向基板上の対向
基板との所定間隔（セルギャップ）に相当する充分な厚
さを有し、柱状スペーサ形成部７５では、透光性厚型樹
脂膜５と重ねられて柱状スペーサをなす。一方、抜き部
５１の個所に配された遮光性厚型樹脂膜８は、柱状スペ
ーサ形成部７５におけるよりも突出高さが低いので柱状
スペーサをなさず、ＴＦＴ７のチャネル部７１近傍を確
実に遮光するのみである。

【００２８】遮光性厚型樹脂膜８は、例えば厚さ４〜６
μｍであり、絶縁性の樹脂材料からなる。特には、透光
性厚型樹脂膜５と同一の、アクリル系樹脂等の材料から
作成することができる。但し、遮光性を付与するため
に、黒色の顔料または染料が加えられる。

【００２９】柱状スペーサ形成部７５は、通常、５〜１
０個の画素開口ごとに１個、例えば６〜７個の画素開口
ごとに１個の割合で画素配列領域内に略均一に分布する
ように配される。柱状スペーサの分布密度が低すぎると
セルギャップを均一にできないための表示不良が生じる
が、分布密度が高すぎると低温環境で使用する場合に
「低温泡」と呼ばれる表示不良が生じる。「低温泡」と
は、基板のたわみ変形等によるセルギャップの調整が温
度低下による液晶の体積減少に充分に追随することがで
きずに、気泡が生じることをいう。

【００３０】なお、各画素電極６１にあって、ソース電
極３３との接続個所から見て逆側の縁からは、走査線１
１を覆う画素電極延在部６２が設けられている。この画
素電極延在部６２の近傍の個所では、信号線３１等と同
時に形成される島状金属パターン３５が走査線１１との
間で補助容量（Ｃｓ）を形成する。そして、画素電極延
在部６２と島状金属パターン３５とが層間絶縁膜４及び
透光性厚型樹脂膜５を貫くコンタクトホール４３，５３
を通じて電気的に接続される。

【００３１】次に、実施例のアレイ基板の製造工程につ
いて詳細に説明する。

【００３２】(1) 第１のパターニング ガラス基板１８上（図２）上に、スパッタ法により、例
えばモリブデン−タングステン合金膜（ＭｏＷ膜）を堆
積させた後、走査線１１、及びその延在部からなるゲー
ト電極１１ａを形成する。

【００３３】(2) 第２のパターニング プラズマＣＶＤ法により、酸化シリコン膜からなる第１
ゲート絶縁膜１６、および、窒化シリコン膜からなる第
２ゲート絶縁膜１７を堆積させて２層膜からなるゲート
絶縁膜１５を形成し、さらに、ＴＦＴ９の半導体活性層
をなすためのアモルファスシリコン(ａ-Ｓｉ:Ｈ)層３
６、及び窒化シリコン膜からなる絶縁保護膜を、連続し
て堆積させる。

【００３４】この後、窒化シリコン膜をパターニングし
てＴＦＴ７のチャネル部７１に対応する個所にチャネル
保護膜２１を形成する。

【００３５】(3) 第３のパターニング プラズマＣＶＤ法によりリンドープアモルファスシリコ
ン(ｎ^＋ａ-Ｓｉ:Ｈ)層３７を堆積し、さらに、スパッタ
リングにより、例えばアルミニウム金属層が上下のモリ
ブデン層によりサンドイッチ状となった三層金属膜（Mo
／Al／Mo）を堆積する。この三層金属膜と半導体層３
６，３７を一括してパターニングすることにより、信号
線３１と、この延在部から成るドレイン電極３２と、ソ
ース電極３３とを作成する。これと同時に、走査線１１
と重なる領域に補助容量形成用の島状金属パターン３５
を作成する（図１及び３）。

【００３６】(4) 第４のパターニング 窒化シリコンから成る層間絶縁膜４を堆積した後、ソー
ス電極３３と画素電極６１を導通させるためのコンタク
トホール４２、及び島状金属パターン３５と画素電極延
在部６２とを導通させるためのコンタクトホール４３を
作成する。なお、図には示さないが、画素配列領域を囲
む周縁領域でパッド部を露出させるコンタクトホールを
同時に作成する。

【００３７】(5) 第５のパターニング レッド、ブルー、及びグリーンの各色について、着色し
たアクリル系樹脂等からなる厚さ２μｍの感光性の硬化
性樹脂液を均一に塗布した後、マスクパターンによる露
光をはじめとする一連の操作を行う。このようにして、
画素開口の列ごとに塗り分けられたストライプ状の着色
パターンを備えた透光性厚型樹脂膜５を形成する。この
透光性厚型樹脂膜５には、ＴＦＴ７のチャネル部７１近
傍に相当する抜き部５１と、層間絶縁膜４のコンタクト
ホール４２，４３にそれぞれ略一致するコンタクトホー
ル５２，５３とパターニングにより形成されている。

【００３８】上記に代えてインクジェット法により塗り
わけを行う場合には次のように行う。

【００３９】無色透明のアクリル系樹脂等からなる厚さ
２μｍの感光性の硬化性樹脂液を均一に塗布した後、マ
スクパターンによる露光をはじめとする一連の操作を行
うことより、抜き部５１とコンタクトホール５２，５３
とを備えた一つの透光性厚型樹脂膜５を形成する。

【００４０】次いで、この無色透明の透光性厚型樹脂膜
５をプリベークした後、パターン露光及び熱処理によ
り、信号線３１の幅方向中央部、及び走査線１１の幅方
向中央部について、インクが吸収されにくくなるよう疎
水化を行う。これにより隣接する画素間での染料の混色
を防止する。次いで、インクジェット法により、所定領
域ごとの疎水化されていない個所に、レッド（Ｒ）、グ
リーン（Ｇ）、及びブルー（Ｂ）の各色の染料を吐出し
て着色を行う。乾燥後、熱処理により硬化性樹脂材料を
硬化させて、着色パターンを含む透光性厚型樹脂膜５を
完成させる。

【００４１】(6) 第６のパターニング 透明導電層として、例えばＩＴＯを堆積した後、パター
ニングにより、画素電極６２を作成する。このとき、同
時にパッド部を覆うＩＴＯ膜が形成される。

【００４２】(7) 第７のパターニング 次いで、黒色の顔料または染料を含む厚さ５μｍの感光
性の硬化性樹脂液を均一に塗布した後、マスクパターン
による露光をはじめとする一連の操作を行う。これによ
り、画素配列領域において、透光性厚型樹脂膜５の抜き
部５１の個所と、柱状スペーサ形成部７５とにのみ遮光
性厚型樹脂膜８を配置する。

【００４３】図１においては、ＴＦＴ７の個所で、抜き
部５１の内縁と、遮光性厚型樹脂膜８の外縁との間に間
隔が空いているように描かれているが、これらの間を充
分に密着させることができる。これら厚型樹脂膜５，８
のパターンの縁はある程度テーパー状になるのであり、
膜厚が大きいことからテーパー状の縁部にある程度の幅
が生じることとなる。したがって、このようなテーパー
状縁部を重ねることによって、マスクパターンの位置合
わせずれを吸収しつつ、不所望の柱状スペーサーの生成
や、抜き部５１の内縁と遮光性厚型樹脂膜８の外縁との
間の間隙の生成を防止することができる。特には、透光
性及び遮光性の厚型樹脂膜５，８が、互いに組み合わさ
って、ＴＦＴ７近傍を完全に被覆する保護絶縁膜をなす
ようにすることができる。

【００４４】上記実施例の構成により、透光性の厚型樹
脂膜、ＴＦＴ上の遮光膜、及び柱状スペーサを、それぞ
れ別個の工程により製造する場合に比べて、製造工程数
を大幅に削減することができる。また、同時に、柱状ス
ペーサーの分布密度を任意の最適な値に設定することが
できる。

【００４５】上記実施例において、ＴＦＴ７のチャネル
部７１近傍に対応して透光性厚型樹脂膜５に抜き部５１
が設けられるとしたが、適当な凹部であっても良い。例
えば、ネガ型の感光性樹脂を用い、マスクパターンを用
いる露光の際に、通常より弱い光を照射することによっ
て、凹部を形成することが可能である。この場合、透光
性厚型樹脂膜５そのものに、充分な保護絶縁膜としての
機能を持たせることができる。

【００４６】上記実施例においては、窒化シリコンから
なる層間絶縁膜４を設けることにより絶縁の信頼性を高
めたが、上記のように透光性厚型樹脂膜５に凹部のみが
設けられる場合や、透光性及び遮光性の厚型樹脂膜５，
８が組み合わさって信頼性のある絶縁保護膜をなす場合
には、層間絶縁膜４を省くことができる。

【００４７】

【発明の効果】透光性の厚型樹脂膜、ＴＦＴ上の遮光
膜、及び柱状スペーサを備える平面表示装置用アレイ基
板において、製造工程数を少なくすることができ、これ
により、製造コストの低減および製造効率の向上を図る
ことができる。また、製造工程数を削減しても低温泡等
の不良を発生させることがない。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例に係るアレイ基板の画素部分の構成を模
式的に示す平面図である。

【図２】実施例のアレイ基板におけるＴＦＴ近傍の積層
断面図である。

【図３】実施例のアレイ基板における補助容量（Ｃｓ）
形成部の積層断面図である。

【図４】実施例のアレイ基板における柱状スペーサ形成
部の積層断面図である。

【図５】実施例のアレイ基板における画素開口に挟まれ
た部分の信号線を示す積層断面図である。

【符号の説明】

１０ アレイ基板 １１ 走査線 １１ａ ゲート電極 １５ ゲート絶縁膜 ３１ 信号線 ３２ ドレイン電極 ３３ ソース電極 ４ 層間絶縁膜 ４２，４３ 層間絶縁膜を貫くコンタクトホール ５ 透光性厚型樹脂膜 ５１ 透光性厚型樹脂膜の抜き部 ５２，５３ 層間絶縁膜を貫くコンタクトホール ６１ 画素電極 ７ ＴＦＴ ７１ ＴＦＴのチャネル部 ７５ 柱状スペーサ形成部 ８ 遮光性厚型樹脂膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川野 英郎 兵庫県姫路市余部区上余部50番地 株式会 社東芝姫路工場内 (72)発明者 西野 哲哉 兵庫県姫路市余部区上余部50番地 株式会 社東芝姫路工場内 Ｆターム(参考） 2H089 LA09 LA10 LA11 LA20 MA03X QA05 QA12 QA13 TA12 2H092 GA29 JA24 JA28 JA34 JA37 JA41 JA46 JB22 JB31 JB51 NA27 PA03 PA08 5C094 AA09 AA42 AA43 AA44 BA03 BA43 CA19 DA15 EA04 EA07 EC03 ED15 5F110 AA16 CC07 EE06 EE44 FF02 FF03 FF09 FF30 GG02 GG15 GG33 HK03 HK04 HK08 HK16 HK22 HK25 HL07 NN02 NN12 NN24 NN27 NN49 NN72

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】絶縁基板上に配置されるゲート電極、前記
   ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して配置される半導体
   活性膜、及び、前記半導体活性膜に電気的に接続される
   ソース及びドレイン電極を含み、前記ソース及びドレイ
   ン電極間の前記半導体活性膜をチャネル部となす薄膜ト
   ランジスタと、 前記ゲート電極に電気的に接続される複数の走査線と、 前記ドレイン電極に電気的に接続され、前記走査線に略
   直交して配置される複数の信号線と、 前記走査線及び信号線により囲まれる領域内に配置され
   る光透過性絶縁膜と、 前記光透過性絶縁膜上に配置され、前記ソース電極と前
   記光透過性絶縁膜のコンタクトホールを介して電気的に
   接続された画素電極と、 前記光透過性絶縁膜上に配置される遮光性樹脂膜と、を
   備えた表示装置用アレイ基板において、 前記光透過性絶縁膜は前記薄膜トランジスタの少なくと
   も前記チャネル部に対応する領域に抜き部または凹部を
   含み、前記抜き部または凹部に前記遮光性樹脂膜が選択
   的に配置されるとともに、 前記光透過性絶縁膜と、この前記光透過性絶縁膜上に配
   置される前記遮光性樹脂膜とで柱状スペーサを成すこと
   を特徴とする平面表示装置用アレイ基板。
2. 【請求項２】前記柱状スペーサが前記走査線と重なる領
   域に設けられることを特徴とする請求項１記載の平面表
   示装置用アレイ基板。
3. 【請求項３】前記柱状スペーサが、５〜１０個の前記画
   素開口に対して１個の割合で分布していることを特徴と
   する請求項１記載の平面表示装置用アレイ基板。
4. 【請求項４】前記光透過性樹脂膜が、特定の前記画素開
   口ごとに色分けされた着色膜であることを特徴とする請
   求項１記載の平面表示装置用アレイ基板。
5. 【請求項５】前記抜き部を有する前記光透過性樹脂膜と
   前記遮光性樹脂膜との組み合わせ、または、前記凹部を
   有する前記遮光性樹脂膜が、層間絶縁膜の役割を果たす
   ことを特徴とする請求項１記載の平面表示装置用アレイ
   基板。
6. 【請求項６】絶縁基板上に配置されるゲート電極、前記
   ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して配置される半導体
   活性膜、及び、前記半導体活性膜に電気的に接続される
   ソース電極及びドレイン電極を含み、前記ソース及びド
   レイン電極間の前記半導体活性膜をチャネル部となす薄
   膜トランジスタを作成するとともに、前記ゲート電極に
   電気的に接続される複数の走査線と、前記ドレイン電極
   に電気的に接続され、前記走査線に略直交して配置され
   る複数の信号線とを作成するための一連の工程と、 前記走査線及び信号線により囲まれる領域内に配置され
   る光透過性絶縁膜を作成する工程と、 前記光透過性絶縁膜上に配置され、前記ソース電極と前
   記光透過性絶縁膜のコンタクトホールを介して電気的に
   接続された画素電極を作成する工程と、 前記光透過性絶縁膜上に配置される遮光性樹脂膜を作成
   する工程とからなる表示装置用アレイ基板の製造方法に
   おいて、 前記光透過性絶縁膜を作成する工程にて、前記薄膜トラ
   ンジスタのうちの少なくとも一部のものにおける少なく
   とも前記チャネル部に対応する領域に、前記光透過性絶
   縁膜の抜き部または凹部が形成され、 前記遮光性樹脂膜を形成する工程にて、前記光透過性絶
   縁膜と、この前記光透過性絶縁膜上に配置される前記遮
   光性樹脂膜とで柱状スペーサが形成されることを特徴と
   する表示装置用アレイ基板の製造方法。