JP2002182171A - 外部調節が可能な光導波路形の高次モード発生器 - Google Patents
外部調節が可能な光導波路形の高次モード発生器Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 光導波路における０次の基本導波モードを１
次以上の高次モードに転換させる高次モード発生器を提
供する。 【解決手段】 導波路の材質は熱光学物質又は電気光
学物質とから構成される。このため、導波路は最小２つ
の横方向導波モードを有し、温度または電気場により屈
折率摂動を与えるための熱線または電極が、導波路と特
定角αを有しながら直線で導波路を斜めに横切る構造を
有する。
次以上の高次モードに転換させる高次モード発生器を提
供する。 【解決手段】 導波路の材質は熱光学物質又は電気光
学物質とから構成される。このため、導波路は最小２つ
の横方向導波モードを有し、温度または電気場により屈
折率摂動を与えるための熱線または電極が、導波路と特
定角αを有しながら直線で導波路を斜めに横切る構造を
有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は０次の基本モード導
波光を外部調節によって高次の導波モードに変換させる
高次モード発生器素子に関するものである。
波光を外部調節によって高次の導波モードに変換させる
高次モード発生器素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光導波路素子における異なる次数の導波
モードの間の結合は非常に難しくて基本的なものであ
り、これを利用すればスイッチや減衰器などのいろいろ
な素子で応用が可能である。基本モードと高次モードと
の間の結合が可能な手動素子としては、互いに幅が異な
る断熱Ｙ−分岐（Adiabatic Y-branch）程度であり、外
部電圧により結合量が調節可能な素子はない。断熱Ｙ−
分岐を利用した場合には２個のＹ−分岐をマッハツェン
ダー干渉計（Mach-Zehnder interferometer）形態に結
合して、２×２スイッチ、光減衰器などの光素子製作が
可能である。しかし、この場合Ｙ−分岐の角度が非常に
小さくて製作上の難しさがあるだけでなく、長さが長く
なり損失が増加される欠点もある。
モードの間の結合は非常に難しくて基本的なものであ
り、これを利用すればスイッチや減衰器などのいろいろ
な素子で応用が可能である。基本モードと高次モードと
の間の結合が可能な手動素子としては、互いに幅が異な
る断熱Ｙ−分岐（Adiabatic Y-branch）程度であり、外
部電圧により結合量が調節可能な素子はない。断熱Ｙ−
分岐を利用した場合には２個のＹ−分岐をマッハツェン
ダー干渉計（Mach-Zehnder interferometer）形態に結
合して、２×２スイッチ、光減衰器などの光素子製作が
可能である。しかし、この場合Ｙ−分岐の角度が非常に
小さくて製作上の難しさがあるだけでなく、長さが長く
なり損失が増加される欠点もある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、０次
の基本導波モードを高次の導波モードを転換させるため
の高次モード発生器として直線導波路と直線電極を利用
した非常に単純な構造の素子であり、結局、これを応用
した光素子の構造及び駆動方法を単純化することであ
る。
の基本導波モードを高次の導波モードを転換させるため
の高次モード発生器として直線導波路と直線電極を利用
した非常に単純な構造の素子であり、結局、これを応用
した光素子の構造及び駆動方法を単純化することであ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１において、１次
以上の高次モードを支援する上部クラッド層２と下部ク
ラッド層３とコア層１とから構成される直線光導波路
と、この光導波路との間の角度αを有しながら導波路を
斜めに横切る直線電極４とから構成された高次モード発
生器において、０次の光導波モードをｍ次の光導波モー
ドに転換するために、ｍ次の高次モードの進行角度をθ
ｍであるとする時、電極の角度αと高次モード進行角度
θｍがα＞θｍ／２の条件を満足することを特徴とする
高次モード発生器が提供される。ここでｍは１以上の自
然数である。
以上の高次モードを支援する上部クラッド層２と下部ク
ラッド層３とコア層１とから構成される直線光導波路
と、この光導波路との間の角度αを有しながら導波路を
斜めに横切る直線電極４とから構成された高次モード発
生器において、０次の光導波モードをｍ次の光導波モー
ドに転換するために、ｍ次の高次モードの進行角度をθ
ｍであるとする時、電極の角度αと高次モード進行角度
θｍがα＞θｍ／２の条件を満足することを特徴とする
高次モード発生器が提供される。ここでｍは１以上の自
然数である。
【０００５】請求項２による高次モード発生器は、請求
項１において、導波路のクラッド層２，３及びコア層１
の材質としてシリカ又はポリマーを使用し、電極４に電
流を流すことによって、温度変化による屈折率変化を利
用して調節される。
項１において、導波路のクラッド層２，３及びコア層１
の材質としてシリカ又はポリマーを使用し、電極４に電
流を流すことによって、温度変化による屈折率変化を利
用して調節される。
【０００６】請求項３による高次モード発生器は、請求
項１の導波路の材質がLiNbO3や電気光学ポリマーである
場合、電極に印加された電圧による屈折率変化を利用す
る。
項１の導波路の材質がLiNbO3や電気光学ポリマーである
場合、電極に印加された電圧による屈折率変化を利用す
る。
【０００７】以上のような本発明の目的と別の特徴及び
長所などは以下に参照する本発明の好ましい実施例に対
する以下の説明から明確になるであろう。
長所などは以下に参照する本発明の好ましい実施例に対
する以下の説明から明確になるであろう。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１は本発明の高次モード発生器
素子の概略図を示す。図１の光導波路素子は、１次以上
の高次モードを支持することができる直線コア層１とク
ラッド層２，３とから構成された多重モード光導波路
と、多重モード光導波路を角度αで斜めに横切る直線電
極（熱線）４とから構成されている。本発明の高次モー
ド発生器を詳細に説明するために、まず三層構造の光導
波路での光導波特性を図２を通じて説明する。
素子の概略図を示す。図１の光導波路素子は、１次以上
の高次モードを支持することができる直線コア層１とク
ラッド層２，３とから構成された多重モード光導波路
と、多重モード光導波路を角度αで斜めに横切る直線電
極（熱線）４とから構成されている。本発明の高次モー
ド発生器を詳細に説明するために、まず三層構造の光導
波路での光導波特性を図２を通じて説明する。
【０００９】光導波路のコア層１の屈折率ｎ１は、クラ
ッド層２，３の屈折率ｎ２より大きく、光が導波路に沿
って進行するためには基本的に全反射条件及び垂直方向
の定常波条件を満足しなければならない。
ッド層２，３の屈折率ｎ２より大きく、光が導波路に沿
って進行するためには基本的に全反射条件及び垂直方向
の定常波条件を満足しなければならない。
【００１０】全反射条件は、導波路のコア層１内で、ク
ラッド層２，３に向かって進行する光が、コア層とクラ
ッド層との境界面で１００％反射されることを意味す
る。従って、図２でｍ次モードの進行角θｍにより決定
される上部クラッド層に対する入射角Ψｍが、導波路の
屈折率の差によって決定される全反射角Ψｃより小さく
なければならず、全反射角は次のように定義される。
ラッド層２，３に向かって進行する光が、コア層とクラ
ッド層との境界面で１００％反射されることを意味す
る。従って、図２でｍ次モードの進行角θｍにより決定
される上部クラッド層に対する入射角Ψｍが、導波路の
屈折率の差によって決定される全反射角Ψｃより小さく
なければならず、全反射角は次のように定義される。
【数１】
【００１１】しかし、全反射条件を満足する全ての光
が、導波路に沿って進行することはなく、そのうち垂直
方向の定常波条件を満足する光のみが、導波路に沿って
進行するようになる。垂直方向の定常波条件は次の通り
である。 ｋ０ｎ１ｄｓｉｎ（θｍ）−２πψｒ＝２πｍ （２） ここで、dは導波路コア層の厚さ、ｋ０=２π／λ０は光
の波数ベクトル、λ０は真空での波長、ψｒはコア層と
クラッド層の境界面での光の反射位相変化、ｍは０或い
は自然数である。ｍ＝０の場合が最も基本的な０次の基
本導波モードであり、ｍ＝１の場合が１次の高次モー
ド、ｍ＝２の場合が２次の導波モードとなる。また、図
２から明らかなように、導波モードの次数が高くなるほ
ど進行角が大きくなる。
が、導波路に沿って進行することはなく、そのうち垂直
方向の定常波条件を満足する光のみが、導波路に沿って
進行するようになる。垂直方向の定常波条件は次の通り
である。 ｋ０ｎ１ｄｓｉｎ（θｍ）−２πψｒ＝２πｍ （２） ここで、dは導波路コア層の厚さ、ｋ０=２π／λ０は光
の波数ベクトル、λ０は真空での波長、ψｒはコア層と
クラッド層の境界面での光の反射位相変化、ｍは０或い
は自然数である。ｍ＝０の場合が最も基本的な０次の基
本導波モードであり、ｍ＝１の場合が１次の高次モー
ド、ｍ＝２の場合が２次の導波モードとなる。また、図
２から明らかなように、導波モードの次数が高くなるほ
ど進行角が大きくなる。
【００１２】導波路の総導波モード数は、導波路コア層
の厚さｄ及びコア層とクラッド層の屈折率の差により決
定されて次のように定義される。 Ｍ＝２×ｄ／λ０ｋ（ｎ１ ２−ｎ２ ２）１／２ （３）
の厚さｄ及びコア層とクラッド層の屈折率の差により決
定されて次のように定義される。 Ｍ＝２×ｄ／λ０ｋ（ｎ１ ２−ｎ２ ２）１／２ （３）
【００１３】図３は各導波モード間の導波路内の進行方
向特性を比較するために、波数ベクトル平面で導波可能
な全ての高次モードを同時に示した。進行方向（ｚ軸）
への波数ベクトル成分が導波路の有効伝播定数となり、
これは高次モードになるほど小さくなる。即ち、高次モ
ードになるほど、光の進行角θｍが大きくなり、従っ
て、光の進行速度が遅くなる。
向特性を比較するために、波数ベクトル平面で導波可能
な全ての高次モードを同時に示した。進行方向（ｚ軸）
への波数ベクトル成分が導波路の有効伝播定数となり、
これは高次モードになるほど小さくなる。即ち、高次モ
ードになるほど、光の進行角θｍが大きくなり、従っ
て、光の進行速度が遅くなる。
【００１４】以上の基本原理を基に、本発明の高次モー
ド発生器の原理を説明すれば次の通りとなる。まず、０
次の基本導波モードをｍ番目の導波モードに転換させる
ための熱線４と導波路がなす角をα＝θｍ／２とする。
熱線４に電力を印加すれば熱線４の下部の光導波路域は
温度が高くなり、導波路の屈折率が高くなったり（シリ
カの場合）、または低くなる（ポリマーの場合）。従っ
て、進行する光は熱線４の境界面で熱線４に対して角度
αで反射するようになり、光導波路進行方向に対しては
２αの角度で反射して進行する。この時、２αの角度が
ｍ次の導波モードの進行角θｍと一致すれば、ｍ次の高
次モードが進行する方向と一致するために、０次の導波
モードはｍ次の導波モードに転換される。そして、熱線
に印加される電力量を増加させれば熱線下部の温度上昇
はさらに大きくなり、それにつれて導波路屈折率の変化
量が増加する。これにしたがって反射光の量は更に増加
して、０次からｍ次への高次モード転換量が増加するよ
うになる。
ド発生器の原理を説明すれば次の通りとなる。まず、０
次の基本導波モードをｍ番目の導波モードに転換させる
ための熱線４と導波路がなす角をα＝θｍ／２とする。
熱線４に電力を印加すれば熱線４の下部の光導波路域は
温度が高くなり、導波路の屈折率が高くなったり（シリ
カの場合）、または低くなる（ポリマーの場合）。従っ
て、進行する光は熱線４の境界面で熱線４に対して角度
αで反射するようになり、光導波路進行方向に対しては
２αの角度で反射して進行する。この時、２αの角度が
ｍ次の導波モードの進行角θｍと一致すれば、ｍ次の高
次モードが進行する方向と一致するために、０次の導波
モードはｍ次の導波モードに転換される。そして、熱線
に印加される電力量を増加させれば熱線下部の温度上昇
はさらに大きくなり、それにつれて導波路屈折率の変化
量が増加する。これにしたがって反射光の量は更に増加
して、０次からｍ次への高次モード転換量が増加するよ
うになる。
【００１５】次に、本発明の高次モード発生器を利用し
て製作可能である光素子の実施例として、外部電圧によ
り入力光の強さを調節することができる可変光減衰器の
構造を図４に示した。この実施例で使用する光導波路の
物質はポリマーであり、この場合温度が上昇すれば屈折
率が減少する熱光学効果を有している。
て製作可能である光素子の実施例として、外部電圧によ
り入力光の強さを調節することができる可変光減衰器の
構造を図４に示した。この実施例で使用する光導波路の
物質はポリマーであり、この場合温度が上昇すれば屈折
率が減少する熱光学効果を有している。
【００１６】図４に示した可変光減衰器の動作原理は次
の通りである。入力部の単一モード光導波路６を通過し
た光は、横方向にテーパー状領域７を通り、光パワーの
損失なしに本発明の多重モード発生器の領域５に入射さ
れる。熱線４に外部電力が印加されない場合は、多重モ
ード発生器の領域５を通過した光は再び出力部のテーパ
ー状領域８を通り、出力部単一モード光導波路９の０次
導波モードで、いかなる光パワーの損失もなく変換され
る。従って、光は減衰なしに素子を通過するようにな
る。しかし、熱線４に沿って電流を流すと、熱線下部の
光導波路屈折率が温度に比例して低くなる。この場合、
熱線下部を通る進行光の一部が熱線４に対する入射角と
同じ角度αとして熱線４で反射するようになる。従っ
て、光導波路の進行方向に対しては２αの角度で進行す
るようになる。もし２αの角度で反射された光が高次モ
ード発生器の１次導波モードの進行角度以上であれば、
高次モード発生器では１次以上の高次モードが励起され
るようになり、このような高次モードは出力部のテーパ
ー状領域８、及び出力部の単一モード光導波路９で除去
されて結果的に入力光の減衰をもたらす。従って、熱線
４に流れる電流量が多くなれば、反射される光の強さも
多くなって、より多くの入力光が減衰され、結局、熱線
に流れる電流（または電圧）の量により入力光の強さを
調節することができる可変光減衰器で動作する。
の通りである。入力部の単一モード光導波路６を通過し
た光は、横方向にテーパー状領域７を通り、光パワーの
損失なしに本発明の多重モード発生器の領域５に入射さ
れる。熱線４に外部電力が印加されない場合は、多重モ
ード発生器の領域５を通過した光は再び出力部のテーパ
ー状領域８を通り、出力部単一モード光導波路９の０次
導波モードで、いかなる光パワーの損失もなく変換され
る。従って、光は減衰なしに素子を通過するようにな
る。しかし、熱線４に沿って電流を流すと、熱線下部の
光導波路屈折率が温度に比例して低くなる。この場合、
熱線下部を通る進行光の一部が熱線４に対する入射角と
同じ角度αとして熱線４で反射するようになる。従っ
て、光導波路の進行方向に対しては２αの角度で進行す
るようになる。もし２αの角度で反射された光が高次モ
ード発生器の１次導波モードの進行角度以上であれば、
高次モード発生器では１次以上の高次モードが励起され
るようになり、このような高次モードは出力部のテーパ
ー状領域８、及び出力部の単一モード光導波路９で除去
されて結果的に入力光の減衰をもたらす。従って、熱線
４に流れる電流量が多くなれば、反射される光の強さも
多くなって、より多くの入力光が減衰され、結局、熱線
に流れる電流（または電圧）の量により入力光の強さを
調節することができる可変光減衰器で動作する。
【００１７】図５は、ＢＰＭ（Beam Propagation Metho
d；ビーム伝搬法）計算機シミュレーションを利用して
計算された図４に示した可変光減衰器の光導波特性であ
り、導波路の熱光学係数を-１.２×１０-４/℃と仮定し
て計算した結果を示す。図５（ａ）は熱線４の下部の温
度上昇量が０℃の場合であり、図５（ｂ）は熱線４の下
部の温度上昇量が３０℃の場合である。計算時に使用し
た入力部の導波路６の幅は７μｍ、テーパー状領域の長
さＬｔ ａｐ＝３２００μｍ、高次モード発生器の幅はｄ
＝４０μｍ、高次モード発生器の長さはＬｍｍｒ＝３８
００μｍである。そして、クラッド層とコア層の屈折率
は波長λ０＝１.５５μｍでｎ１＝１.４９３７、ｎ２＝
１.４８５６である。温度上昇がない時（図５（ａ））
は、入力部の０次単一モード入力光の大部分が、出力部
の０次単一モードで通過し、出力端のテーパー状領域８
でわずかな付加損失のみの損失があることが分かる。し
かし、温度上昇が３０℃の場合（図５（ｂ））、熱線の
境界で光が反射されて、それ以後、高次モードが励起さ
れることが分かる。この場合、出力端のテーパー状領域
８、及び単一モード領域９で大部分の光が除去されるこ
とが明確に示されている。図５（ｃ）は、上記構造の可
変光減衰器において、熱線下部の温度上昇に応じて出力
光パワーの減衰特性を模擬実験した結果を示す。温度上
昇が約３５℃の場合、３０ｄＢ以上の減衰が起こること
が分かる。
d；ビーム伝搬法）計算機シミュレーションを利用して
計算された図４に示した可変光減衰器の光導波特性であ
り、導波路の熱光学係数を-１.２×１０-４/℃と仮定し
て計算した結果を示す。図５（ａ）は熱線４の下部の温
度上昇量が０℃の場合であり、図５（ｂ）は熱線４の下
部の温度上昇量が３０℃の場合である。計算時に使用し
た入力部の導波路６の幅は７μｍ、テーパー状領域の長
さＬｔ ａｐ＝３２００μｍ、高次モード発生器の幅はｄ
＝４０μｍ、高次モード発生器の長さはＬｍｍｒ＝３８
００μｍである。そして、クラッド層とコア層の屈折率
は波長λ０＝１.５５μｍでｎ１＝１.４９３７、ｎ２＝
１.４８５６である。温度上昇がない時（図５（ａ））
は、入力部の０次単一モード入力光の大部分が、出力部
の０次単一モードで通過し、出力端のテーパー状領域８
でわずかな付加損失のみの損失があることが分かる。し
かし、温度上昇が３０℃の場合（図５（ｂ））、熱線の
境界で光が反射されて、それ以後、高次モードが励起さ
れることが分かる。この場合、出力端のテーパー状領域
８、及び単一モード領域９で大部分の光が除去されるこ
とが明確に示されている。図５（ｃ）は、上記構造の可
変光減衰器において、熱線下部の温度上昇に応じて出力
光パワーの減衰特性を模擬実験した結果を示す。温度上
昇が約３５℃の場合、３０ｄＢ以上の減衰が起こること
が分かる。
【００１８】図６は、図５の可変光減衰器を実際に製作
して、熱線に印加された電力に応じた減衰特性を測定し
た結果を示す。熱線に印加された電力が増加するほど、
熱線による温度変化量も比例して増加するために、図５
（ｃ）に図示されたように模擬実験結果と実際の測定結
果が同様の傾向であることが分かる。
して、熱線に印加された電力に応じた減衰特性を測定し
た結果を示す。熱線に印加された電力が増加するほど、
熱線による温度変化量も比例して増加するために、図５
（ｃ）に図示されたように模擬実験結果と実際の測定結
果が同様の傾向であることが分かる。
【００１９】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の高次モー
ド発生器は、その構造が非常に簡易な上、製作も容易で
ある。更に、これを利用した可変光減衰器等の様々な光
導波素子を製作することも容易であり、再生性があり、
その上、大量生産が容易な長所がある。
ド発生器は、その構造が非常に簡易な上、製作も容易で
ある。更に、これを利用した可変光減衰器等の様々な光
導波素子を製作することも容易であり、再生性があり、
その上、大量生産が容易な長所がある。
【００２０】以上では本発明を実施例によって詳細に説
明したが、本発明は実施例によって限定されず、本発明
が属する技術分野において通常の知識を有するものであ
れば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修
正または変更できるであろう。
明したが、本発明は実施例によって限定されず、本発明
が属する技術分野において通常の知識を有するものであ
れば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修
正または変更できるであろう。
【図１】本発明の高次モード発生器素子の略図である。
【図２】本発明の高次モード発生器において、導波光の
次数によって光が導波路に進行する形態を示した線図で
ある。
次数によって光が導波路に進行する形態を示した線図で
ある。
【図３】導波光の次数による波数ベクトルの大きさ、及
びコア層、クラッド層の波数ベクトルの関係を示した線
図である。
びコア層、クラッド層の波数ベクトルの関係を示した線
図である。
【図４】本発明の高次モード発生器を利用した実施例の
一つである可変光減衰器の構造の略図である。
一つである可変光減衰器の構造の略図である。
【図５】図４の実施例における波長λ０＝１.５５μ
ｍ、ｎ１＝１.４９３７、ｎ２＝１.４８５６，ｄ＝４０
μｍ、Ｌｔａｐ＝３２００μｍ、Ｌｍｍｒ＝３８００μ
ｍ、ｗ＝７μｍの条件での光の導波特性を示すものであ
り、ａは、導波路の温度上昇が０℃の場合の、ＢＰＭ計
算機シミュレーションによる光の導波特性を撮影した写
真である。ｂは、導波路の温度上昇が３０℃の場合の、
ＢＰＭ計算機シミュレーションによる光の導波特性を撮
影した写真である。ｃは、ＢＰＭで数値計算された温度
による導波路の減衰特性を示したグラフである。
ｍ、ｎ１＝１.４９３７、ｎ２＝１.４８５６，ｄ＝４０
μｍ、Ｌｔａｐ＝３２００μｍ、Ｌｍｍｒ＝３８００μ
ｍ、ｗ＝７μｍの条件での光の導波特性を示すものであ
り、ａは、導波路の温度上昇が０℃の場合の、ＢＰＭ計
算機シミュレーションによる光の導波特性を撮影した写
真である。ｂは、導波路の温度上昇が３０℃の場合の、
ＢＰＭ計算機シミュレーションによる光の導波特性を撮
影した写真である。ｃは、ＢＰＭで数値計算された温度
による導波路の減衰特性を示したグラフである。
【図６】図５の構造を有するポリマー可変光減衰器を実
際に製作して、印加電力による減衰特性を測定した線図
である。
際に製作して、印加電力による減衰特性を測定した線図
である。
１ 高次モード発生器のコア層 ２ 高次モード発生器の上部クラッド層 ３ 高次モード発生器の下部クラッド層 ４ 外部電圧（または電流）が印加される電極 ５ 高次モード発生器 ６ 可変光減衰器入力部の０次単一モード光導波路 ７ 可変光減衰器入力部のテーパー状光導波路 ８ 可変光減衰器出力部のテーパー状光導波路 ９ 可変光減衰器出力部の０次単一モード光導波路
Claims (3)
- 【請求項１】 １次以上の高次モードを支援する上部ク
ラッド層２と下部クラッド層３とコア層１とから構成さ
れる直線光導波路と、この光導波路との間の角度αを有
し、導波路を斜めに横切る直線電極４とから構成された
高次モード発生器において、０次の光導波モードをｍ次
の光導波モードに転換するためにｍ次の高次モードの進
行角度をθｍであるとする時、電極の角度αと高次モー
ド進行角度θｍがα＞θｍ／２の条件を満足することを
特徴とする高次モード発生器。ここでｍは１以上の自然
数を示す。 - 【請求項２】 導波路のクラッド層２，３とコア層１の
材質としてシリカ又はポリマーを使用して、電極４に電
流を流すことによって温度変化による屈折率変化を利用
して調節される請求項１記載の高次モード発生器。 - 【請求項３】 導波路材質としてLiNbO3又は電気光学ポ
リマーである場合、電極に印加された電圧による屈折率
変化を利用した請求項１記載の高次モード発生器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020000058040A KR100350413B1 (ko) | 2000-10-02 | 2000-10-02 | 외부 조절이 가능한 광도파로형 고차모드 발생기 |
| KR2000-58040 | 2000-10-02 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002182171A true JP2002182171A (ja) | 2002-06-26 |
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ID=19691604
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2001306568A Ceased JP2002182171A (ja) | 2000-10-02 | 2001-10-02 | 外部調節が可能な光導波路形の高次モード発生器 |
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| EP (1) | EP1193515A3 (ja) |
| JP (1) | JP2002182171A (ja) |
| KR (1) | KR100350413B1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2006521583A (ja) * | 2003-03-19 | 2006-09-21 | オプティマー・フォトニックス・インコーポレーテッド | 光電変調器及びこれを内蔵した導波路素子 |
| JP2012027437A (ja) * | 2010-07-21 | 2012-02-09 | Korea Electronics Telecommun | 光スイッチ素子及びその製造方法 |
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| JPH06186451A (ja) * | 1992-12-16 | 1994-07-08 | Nec Eng Ltd | 光導波路デバイス |
| JPH07306324A (ja) * | 1994-05-13 | 1995-11-21 | Nikon Corp | 光導波路デバイス |
| KR0138850B1 (ko) * | 1994-10-14 | 1998-06-15 | 양승택 | 고분자 도파로형 te-tm 모드변환기 |
| KR0162755B1 (ko) * | 1994-12-09 | 1999-04-15 | 양승택 | 고분자 도파로형 광 세기 변조기 |
| KR100207599B1 (ko) * | 1997-01-29 | 1999-07-15 | 윤종용 | 저전압 광스위치 및 그 제조방법 |
| US5841913A (en) * | 1997-05-21 | 1998-11-24 | Lucent Technologies Inc. | Acousto-optic planar waveguide modulators |
| JP3322200B2 (ja) * | 1997-09-26 | 2002-09-09 | 日立電線株式会社 | 導波路型光スイッチ |
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| JP3431841B2 (ja) * | 1998-09-14 | 2003-07-28 | 日本電信電話株式会社 | 干渉型光スイッチ |
-
2000
- 2000-10-02 KR KR1020000058040A patent/KR100350413B1/ko active IP Right Grant
-
2001
- 2001-10-01 US US09/966,076 patent/US6728438B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-10-02 EP EP01308393A patent/EP1193515A3/en not_active Withdrawn
- 2001-10-02 JP JP2001306568A patent/JP2002182171A/ja not_active Ceased
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| CN106415345A (zh) * | 2014-05-26 | 2017-02-15 | 三菱电机株式会社 | 光学装置 |
| US9825424B2 (en) | 2014-05-26 | 2017-11-21 | Mitsubishi Electric Corporation | Optical device |
| CN106415345B (zh) * | 2014-05-26 | 2018-01-02 | 三菱电机株式会社 | 光学装置 |
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| US20040052454A1 (en) | 2004-03-18 |
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