JPH11258529A - 導波路型光スイッチ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光路を切り替えても損失のアンバランスがな
く、クロストークが少ない導波路型光スイッチを提供す
る。 【解決手段】 コア層３を一つの光入力部から二つの光
出力部に向かってＹ字形状に形成することにより、光路
を切り替えても損失のアンバランスがない。また、コア
層３の二つの分岐部のコア層３−２、３−３入力側に形
成された空隙部６−１、６−２内に、ガラス転移温度以
上では隙間無く充填状態となり、ガラス転移温度以下で
は入力側に少なくとも５μｍの隙間ができるような大き
さの形状記憶ポリマ７−１、７−２を挿入し、薄膜ヒー
タ８−１、８−２への電圧の供給をオンオフすることに
より、分岐されたコア層３−２、３−３間の光の漏洩が
大幅に減少し出力光信号間の光アイソレーションを大き
くとることができ、クロストークを減少させることがで
きる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、導波路型光スイッ
チに関する。

【０００２】

【従来の技術】光通信システムが高度化するにつれて、
低挿入損失、低クロストーク特性及び自己保持性を有す
る空間分割形の光スイッチのニーズが高まってきてい
る。

【０００３】図７（ａ）は従来の導波路型光スイッチの
側面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）のＡ−Ａ線断面
図である。

【０００４】従来、光スイッチングの方式として、図７
（ａ）、（ｂ）に示すように、光導波路の交差部１２に
ギャップ１３を形成し、このギャップ１３内への液体の
注入／排出によって光導波路とギャップ１３との界面で
の全反射条件を制御することが行われていた。すなわ
ち、図７（ａ）、（ｂ）に示すように、導波路型光スイ
ッチは、基板１上に低屈折率のバッファ層２を設け、そ
のバッファ層２の上に略矩形断面形状の高屈折率のコア
層３をＴ字形状に３−１、３−２、３−３のようにパタ
ーン化し、Ｔ字の交差部１２にギャップ１３を形成し、
そのギャップ１３の両端に屈折率整合用液体（コア層の
屈折率と等しい値を有する液体）が充填された槽の液体
充填部６と空隙槽の空隙部７とを設け、バッファ層２、
コア層３、液体充填部６、空隙部７、交差部１２、ギャ
ップ１３の上部に低屈折率のクラッド層４を形成した構
造を有している。

【０００５】なお、液体充填部６及び空隙部７の近傍に
は薄膜ヒータ８−１、８−２がそれぞれ設けられてい
る。薄膜ヒータ８−１の両端にはリード部９−１、９−
２が形成され、リード部９−１、９−２間に電源１０−
１及び電気スイッチ１１−１が直列接続されている。薄
膜ヒータ８−２の両端にもリード部９−３、９−４が形
成され、リード部９−１、９−２間に電源１０−２及び
電気スイッチ１１−２が直列接続されている。

【０００６】この導波路型光スイッチは通常、電気スイ
ッチ１１−１がオフ状態で、電気スイッチ１１−２がオ
ン状態で、屈折率整合用液体が液体充填部６及びギャッ
プ１３内に満たされている。この状態で、コア層３−１
内を伝搬してきた入力光信号５−１が、交差部１２を通
過し、コア層３−２内を伝搬し、出力光信号５−２とし
て出力される。

【０００７】次に電気スイッチ１１−２をオフ状態に
し、電気スイッチ１１−１をオン状態にすると、液体充
填部６内及びギャップ１３内の液体が空隙部７内に移動
する。液体が移動すると、交差部１２は空隙になるの
で、コア層３−１内を伝搬していた入力光信号５−１
は、空隙で全反射されてコア層３−３内を伝搬し、出力
光信号５−３として出力される。

【０００８】以上のように、従来の導波路型光スイッチ
は、空隙部７の容積を液体充填部６の容積よりも大きく
しておき、電気スイッチ１１−１、１１−２をオンオフ
することにより、コア層３−１内を伝搬してきた入力光
信号５−１の伝搬方向を切り替えて出力光信号５−２或
いは出力光信号５−３として出力させることができるよ
うになっている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図７
（ａ）、（ｂ）に示した従来の導波路型光スイッチには
以下のような問題点があった。

【００１０】(1) 入力光信号５−１を出力光信号５−２
として出力させる場合と、光路を切り替えて出力光信号
５−３として出力させる場合とで、光信号の減衰状態に
極端なアンバランスが生じた。すなわち、入力光信号５
−１をコア層３−１からコア層３−２方向に伝搬させる
場合には比較的低損失で伝搬させることができるが、光
路を切り替えて入力光信号５−１をコア層３−１からコ
ア層３−３方向に伝搬させる場合には偏波依存性損失が
加わるために大きな損失が伴った。

【００１１】このように光路を切り替えることによって
光損失のアンバランスが生じると、光回線設計が困難に
なってしまう。

【００１２】(2) 出力光信号５−２と出力光信号５−３
との光アイソレーションを大きくとることができない
（約１５ｄＢ）。すなわち、入力光信号５−１をコア層
３−１からコア層３−２方向へ伝搬させる場合に、コア
層３−３方向へも入力光信号５−１が漏洩し、逆に入力
光信号５−１をコア層３−１からコア層３−３方向へ伝
搬させる場合に、コア層３−２へ入力光信号５−１が大
きく漏洩してしまい、クロストーク特性の劣化の要因と
なってしまう。

【００１３】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、光路を切り替えても損失のアンバランスがなく、ク
ロストークが少ない導波路型光スイッチを提供すること
にある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、基板と、基板上に設けられた低屈折率層
と、低屈折率層の中に設けられ、光入力部から二つの光
出力部に向かってＹ字状に形成された略矩形断面形状の
高屈折率のコア層と、コア層の二つの分岐部の入力側に
形成された空隙部と、各空隙部内に挿入され、ガラス転
移温度以上ではコア層の屈折率と略等しくなると共に隙
間がなくなり、ガラス転移温度以下では入力側に少なく
とも５μｍの隙間ができるような大きさの形状記憶ポリ
マと、二つの分岐部の入力側の近傍にそれぞれ設けられ
た薄膜状のヒータとを備え、各ヒータへの電圧の供給を
オンオフすることにより形状記憶ポリマの温度をそのガ
ラス転移温度よりも高く或いは低くなるように制御し、
光入力部から入力された光をいずれかの光出力部から出
力させるようにしたものである。

【００１５】上記構成に加え本発明の導波路型光スイッ
チは、コア層の下面を低屈折率のバッファ層で覆い、側
面を低屈折率の第１クラッド層で覆い、上面を低屈折率
の第２クラッド層で覆うのが好ましい。

【００１６】上記構成に加え本発明の導波路型光スイッ
チは、コア層をポリマ材料で構成してもよい。

【００１７】上記構成に加え本発明の導波路型光スイッ
チは、コア層がＹ字形状の分岐部を複数有すると共にカ
スケード接続するようにパターニングしてＭ入力Ｎ出力
（Ｍ≧１、Ｎ≧２）の光スイッチを構成してもよい。

【００１８】本発明によれば、コア層を一つの光入力部
から二つの光出力部に向かってＹ字形状に形成すること
により、光路を切り替えても損失のアンバランスがな
い。また、コア層の二つの分岐部の入力側に形成された
空隙部内に、ガラス転移温度以上では隙間無く充填状態
となり、ガラス転移温度以下では入力側に少なくとも５
μｍの隙間ができるような大きさの形状記憶ポリマを挿
入し、薄膜ヒータへの電圧の供給をオンオフすることに
より、分岐されたコア層間の光の漏洩が大幅に減少し出
力光信号間の光アイソレーションを大きくとることがで
き、クロストークを減少させることができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて詳述する。

【００２０】図１（ａ）は本発明の導波路型光スイッチ
の一実施の形態を示す側面図であり、図１（ｂ）は図１
（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。なお、図７（ａ）、
（ｂ）に示した従来例と同様の部材には共通の符号を用
いて説明する。

【００２１】この導波路型光スイッチは、コア層３−１
内に入射した入力光信号５−１をコア層３−２またはコ
ア層３−３のいずれかへ切り替えて伝搬させ、コア層３
−３からは出力光信号５−２として、コア層３−３から
は出力光信号５−３として切り替え自在に出力させるよ
うにしたものである。

【００２２】導波路型光スイッチは、基板１として石英
ガラス、バイコールガラス、多成分系ガラスのようなガ
ラス基板、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ等の半導体基板、ア
ルミナ、ムライト等のセラミックス基板、ＹＩＧ、ＧＧ
Ｇ等の磁性材料基板、プラスチック基板、サファイア基
板等を用いることができる。

【００２３】基板１の上には、屈折率ｎ_b のバッファ層
２が形成されている。このバッファ層２としてガラス、
ポリマ等の透明な光学材料が用いられる。バッファ層２
の上には、高屈折率ｎ_w （ｎ_w ＞ｎ_b ）の略矩形断面形
状のコア層３が形成されている。このコア層３は図１
（ｂ）に示すように、バッファ層２上にコア層３−１、
３−２、３−３が光入力部から二つの光出力部に向かう
Ｙ字形状のパターンに形成されている。

【００２４】このコア層３（３−１〜３−３）の両側面
には屈折率ｎ_c1（ｎ_c1＜ｎ_w ）の第１クラッド層４−１
が形成されている。

【００２５】形状記憶ポリマ挿入部（空隙部）６−１、
６−２はコア層３がない領域の溝部であり、形状記憶ポ
リマ挿入部６−１、６−２内には形状記憶ポリマ７−
１、７−２がガラス転移温度以下の状態で、入力側に少
なくとも５μｍの隙間１５−１、１５−２ができるよう
にそれぞれ挿入されている。形状記憶ポリマ挿入部６−
１、６−２の近傍の第１クラッド層４−１内には薄膜ヒ
ータ８−１、８−２が埋め込まれている。各薄膜ヒータ
８−１、８−２の両端にはリード部９−１〜９−４がそ
れぞれ接続するように形成されている。

【００２６】リード部９−１とリード部９−２との間、
或いはリード部９−３とリード部９−４との間には電源
１０と電気スイッチ１１によっていずれかの薄膜ヒータ
８−１、８−２に電圧が切り替え自在に印加されるよう
になっている。

【００２７】形状記憶ポリマ７−１、７−２は、ガラス
転移温度以上に加熱されると、体積膨張を起こして四方
に伸び、形状記憶ポリマ挿入部６−１、６−２内を隙間
なく充填状態にする。すなわち、両形状記憶ポリマ７−
１、７−２が体積膨張すると、コア層３−１、コア層３
−２及びコア層３−３が光学的に接続され、入力光信号
５−１はコア層３−２、３−３のいずれにも伝搬する状
態になるのである。

【００２８】ここで、形状記憶ポリマ７−１、７−２に
はガラス転移温度以上では、その屈折率がコア層３−
１、３−２、３−３の屈折率と略等しくなるような材料
が用いられる。なお、形状記憶ポリマ挿入部６−１、６
−２内の形状記憶ポリマ７−１、７−２はその温度がガ
ラス転移温度以下に下がると、元の状態、すなわち、Ｙ
分岐部の入力側に少なくとも５μｍの隙間１５−１、１
５−２が生じるように収縮する。この状態では光学的に
非導通状態となり、コア層３−１を伝搬してきた入力光
信号５−１は、いずれのコア層３−２、３−３側にも出
力されない。コア層３−１からコア層３−２、３−３へ
分岐する分岐角θは、１°から１５°の範囲から選択さ
れる。

【００２９】バッファ層２（クラッド層４）とコア層３
との比屈折率差Δが大きい程、分岐角θは大きくとるこ
とができるが、あまり大きくすると損失増大を招く。

【００３０】コア層３及び第１クラッド層４−１の上に
は、屈折率ｎ_c2（ｎ_c2＜ｎ_w ）の第２クラッド層４−２
が形成され、形状記憶ポリマ挿入部６−１、６−２の上
が蓋をされている。

【００３１】次にこの導波路型光スイッチの具体的な動
作について説明する。

【００３２】まず、電気スイッチ１１をＳ１側に倒す
と、電源１０の電圧がリード部９−１、９−２を介して
薄膜ヒータ８−１に印加される。形状記憶ポリマ７−１
がそのガラス転移温度以上に加熱されると、形状記憶ポ
リマ７−１が体積膨張して形状記憶ポリマ挿入部６−１
内に充填された状態となり、隙間１５−１がなくなる。

【００３３】他方、形状記憶ポリマ挿入部６−２内の形
状記憶ポリマ７−２はガラス転移温度以下にあるので、
形状記憶ポリマ挿入部６−２内には隙間１５−２が存在
した状態となる。このような状態で、コア層３−１内に
入射した入力光信号５−１は、コア層３−１内を伝搬
し、形状記憶ポリマ７−１が充填された形状記憶ポリマ
挿入部６−１を通り、コア層３−２内を伝搬し、出力光
信号５−２として出力される。ただし、コア層３−３か
らは出力されない。その理由は、形状記憶ポリマ挿入部
６−２内に空気の隙間１５−２があり、この隙間１５−
２で光信号が全反射されるためである。

【００３４】次に電気スイッチ１１をＳ２側に倒すと、
薄膜ヒータ８−２が加熱されると共に薄膜ヒータ８−１
が自然冷却されるので、形状記憶ポリマ挿入部６−２内
の形状記憶ポリマ７−２が体積膨張して隙間１５−２が
なくなると共に、形状記憶ポリマ７−１が収縮し、形状
記憶ポリマ挿入部６−１内に再び隙間１５−１ができ
る。このような状態になると、コア層３−１内に入射し
た入力光信号５−１は、コア層３−３内を伝搬し出力光
信号５−３として出力される。すなわち、電気スイッチ
１１をＳ１側からＳ２側に切り替えて接続することによ
り、コア層３−１内を伝搬する入力光信号５−１の光路
をコア層３−２からコア層３−３へ切り替えて伝搬させ
ることができる。これとは逆に電気スイッチ１１をＳ２
側からＳ１側へ切り替えることにより、コア層３−１内
を伝搬する入力光信号５−１の光路をコア層３−３から
コア層３−２へ切り替えて伝搬させることができる。

【００３５】

【実施例】次に図１に示した導波路型光スイッチの一実
施例について説明する。

【００３６】シングルモード伝送用の場合には、コア層
３と第１クラッド層４−１（第２クラッド層４−２）と
の比屈折率差Δ₁ 或いはコア層３とバッファ層２との比
屈折率差Δ₂ は０．２％から２．５％の範囲から選択さ
れる。コア層３の厚みは２μｍから１０μｍの範囲から
選択され、コア層３の幅は４μｍから１０μｍの範囲か
ら選択されるのが好ましい。

【００３７】バッファ層２の厚みは５μｍから数十μｍ
の範囲から選択され、第１クラッド層４−１の厚みは２
μｍから１０μｍの範囲から選択されるのが好ましい。
第２クラッド層４−２の厚みも５μｍから数十μｍの範
囲から選択されるのが好ましい。

【００３８】形状記憶ポリマ挿入部６−１、６−２の幅
はコア層３の幅と等しく、深さもコア層３の厚みと略等
しい。形状記憶ポリマ挿入部６−１、６−２の長さは数
十μｍから数ｍｍの範囲から選択されるが、この長さは
短い程薄膜ヒータ８−１、８−２に印加される電圧を低
くすることができ、かつ光スイッチング速度を速くする
ことができる。

【００３９】形状記憶ポリマ７−１、７−２には例えば
ポリウレタン系形状記憶ポリマ（三菱重工業（株）製、
ダイアリィ）を用いることができる。

【００４０】図２は本発明の導波路型光スイッチの導波
路構造の他の実施例の側面図である。

【００４１】ＳｉＯ₂ 基板１自体がクラッド（図１のバ
ッファ層２と第１クラッド層４−１に相当する部分）を
兼ねたもので、この基板１に凹字断面形状の溝を形成
し、この凹字溝内にコア層３を埋め込んだものである。
そしてコア層３を埋め込んだＳｉＯ₂ 基板１の全表面を
クラッド層４で覆った構造を有している。このような導
波路構造であっても図１に示した導波路型光スイッチと
同様の効果が得られる。

【００４２】図３は本発明の導波路型光スイッチの他の
導波路構造の実施例の側面図である。

【００４３】ＳｉＯ₂ 基板１自体がバッファ層（図１の
バッファ層２に相当する部分）を兼ねたものであり、こ
の基板１上にコア層３と第１クラッド層４−１とを形成
し、各層３、４−１を覆うように第２クラッド層４−２
を形成した構造を有している。このような導波路構造で
あっても図１に示した導波路型光スイッチと同様の効果
が得られる。

【００４４】図４（ａ）は本発明の導波路型光スイッチ
の他の実施例の側面図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＣ−
Ｃ線断面図である。

【００４５】図１に示した導波路型光スイッチとの相違
点は、薄膜ヒータ８−１、８−２、リード部９−１〜９
−４がバッファ層２内に構成されている点である。

【００４６】薄膜ヒータ８−１、８−２及びリード部９
−１〜９−４は、第１クラッド層４−１内に構成されて
いる。これら薄膜ヒータ８−１、８−２及びリード部９
−１〜９−４をバッファ層２内か、第１クラッド層４−
１内か、或いは第２クラッド層４−２内に実装するかは
導波路形成プロセスの容易性、形状記憶ポリマ挿入部６
−１、６−２の気密性等を考慮に入れて決めればよい。
なお、図４に示した構成では、電気スイッチ１１をＳ１
側に倒して薄膜ヒータ８−１を加熱し、形状記憶ポリマ
７−１を体積膨張させて形状記憶ポリマ挿入部６−１内
に充填させた状態を示しており、この状態では入力光信
号５−１はコア層３−２を伝搬して出力光信号として出
力される。このような導波路構造であっても図１に示し
た導波路型光スイッチと同様の効果が得られる。

【００４７】図５は本発明の導波路型光スイッチの他の
実施例を示したものである。

【００４８】コア層３−１から二つのコア層３−２、３
−３に分岐するＹ分岐部での放射損失を小さくし、かつ
フォトリソグラフィやドライエッチングによりパターニ
ングしやすい構造にするために、分岐部の頂点１４を平
坦化したものである。このような導波路構造であっても
図１に示した導波路型光スイッチと同様の効果が得られ
る。

【００４９】図６（ａ）は本発明の導波路型光スイッチ
の側面図を示し、図６（ｂ）は図６（ａ）のＤ−Ｄ線断
面図である。

【００５０】これは１入力４出力のいわゆる１×４型光
スイッチであり、入力光信号５−１を出力側に矢印５−
２〜５−５のいずれかの方向に切り替えて出力させるよ
うにしたものである。例えば入力光信号５−１を矢印５
−２方向に出力させる場合には、薄膜ヒータ８−１と薄
膜ヒータ８−３とに電圧を印加して形状記憶ポリマ挿入
部６−１及び形状記憶ポリマ挿入部６−３内の形状記憶
ポリマ７−１、７−３を体積膨張させて形状記憶ポリマ
挿入部６−１、６−３内を形状記憶ポリマ７−１、７−
３で充填させればよい。

【００５１】なお、本発明は上記実施例に限定されな
い。例えば図６は１×４型光スイッチの例であるが、図
６の構成の組み合わせとして４×４型光スイッチのよう
にＭ×Ｎ（Ｍ≧１、Ｎ≧２）を構成することができる。
また、薄膜ヒータ８−１、８−２等は第２クラッド層４
−２の上面に形成してもよい。このように薄膜ヒータを
上面に形成すると、形状記憶ポリマ挿入部６−１、６−
２の気密封止性が向上することと、光スイッチの実装が
容易になるという特徴がある。図１の構成において、バ
ッファ層２、コア層３、クラッド層４にポリマ材料、例
えばポリイミド（日立化成（株）製ＯＰＩ１００５、Ｏ
ＰＩ１３０５）を用いれば簡単なプロセスで、低コスト
で実現することができる。また、低コスト化を図る方法
として感光性ポリマ材料を用いて構成しても良い。さら
に図１において、薄膜ヒータ８−１と薄膜ヒータ８−２
との間に断熱用の溝や穴等を形成してもよい。

【００５２】以上において本導波路型光スイッチは、 (1) 光路を切り替えても損失のアンバランスが生じな
い。また、低損失光スイッチを実現することができる。

【００５３】(2) 硬化した形状記憶ポリマを使用してい
るので、従来の液体を用いる方法に比べ、長期的に信頼
性が高い。また、ガラス転移温度以下からガラス転移温
度以上の温度範囲（−２０℃〜１２０℃）で可逆的で安
定であるので、光スイッチ特性の劣化が生じにくい。

【００５４】(3) 偏光依存性が小さい。

【００５５】(4) 薄膜ヒータへの電圧印加による形状記
憶ポリマの加熱温度は高くないので、低消費電力の光ス
イッチを実現することができる。

【００５６】(5) 形状記憶ポリマは、ガラス転移温度以
上に加熱することにより、その伸び率は２００％以上に
なるので、形状記憶ポリマ挿入部内を短時間で充填させ
ることができる。また、上記理由により、形状記憶ポリ
マ挿入部内に挿入されるポリマ材料の量は厳密に調合す
る必要はない。

【００５７】(6) 形状記憶ポリマ挿入部内の内壁面の加
工精度は、高寸法精度に加工しなくてもよい。すなわ
ち、ポリマ材料の体積膨張、伸び率は非常に大きく、逆
に体積収縮率も非常に大きいため、簡単に光の透過部や
光の反射部を形成することができる。

【００５８】(7) 液体注入方式に比べて製造が容易であ
るため低コスト化が可能である。

【００５９】

【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。

【００６０】光路を切り替えても損失のアンバランスが
なく、クロストークが少ない導波路型光スイッチの提供
を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は本発明の導波路型光スイッチの一実施
の形態を示す側面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線
断面図である。

【図２】本発明の導波路型光スイッチの導波路構造の他
の実施例の側面図である。

【図３】本発明の導波路型光スイッチの他の導波路構造
の実施例の側面図である。

【図４】（ａ）は本発明の導波路型光スイッチの他の実
施例の側面図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ線断面図であ
る。

【図５】本発明の導波路型光スイッチの他の実施例を示
したものである。

【図６】（ａ）は本発明の導波路型光スイッチの側面図
を示し、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ線断面図である。

【図７】（ａ）は従来の導波路型光スイッチの側面図で
あり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ バッファ層 ３、３−１、３−２、３−３ コア層 ６−１、６−２ 空隙部（形状記憶ポリマ挿入部） ７−１、７−２ 形状記憶ポリマ ８−１、８−２ 薄膜ヒータ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板と、該基板上に設けられた低屈折率
   層と、該低屈折率層の中に設けられ、光入力部から二つ
   の光出力部に向かってＹ字状に形成された略矩形断面形
   状の高屈折率のコア層と、該コア層の二つの分岐部の入
   力側に形成された空隙部と、各空隙部内に挿入され、ガ
   ラス転移温度以上では上記コア層の屈折率と略等しくな
   ると共に隙間がなくなり、ガラス転移温度以下では入力
   側に少なくとも５μｍの隙間ができるような大きさの形
   状記憶ポリマと、上記二つの分岐部の入力側の近傍にそ
   れぞれ設けられた薄膜状のヒータとを備え、各ヒータへ
   の電圧の供給をオンオフすることにより上記形状記憶ポ
   リマの温度をそのガラス転移温度よりも高く或いは低く
   なるように制御し、光入力部から入力された光をいずれ
   かの光出力部から出力させるようにしたことを特徴とす
   る導波路型光スイッチ。
2. 【請求項２】 上記コア層の下面を低屈折率のバッファ
   層で覆い、側面を低屈折率の第１クラッド層で覆い、上
   面を低屈折率の第２クラッド層で覆った請求項１に記載
   の導波路型光スイッチ。
3. 【請求項３】 上記コア層をポリマ材料で構成した請求
   項１または２に記載の導波路型光スイッチ。
4. 【請求項４】 上記コア層がＹ字形状の分岐部を複数有
   すると共にカスケード接続するようにパターニングして
   Ｍ入力Ｎ出力（Ｍ≧１、Ｎ≧２）の光スイッチを構成し
   た請求項１に記載の導波路型光スイッチ。