JP2002176222A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 外部回路への半田付け時におけるリード部の
抜け等を抑制し、かつコンパクトな半導体レーザ装置を
提供する。 【解決手段】 本発明の半導体レーザ装置は、半導体レ
ーザチップ３を搭載する搭載部を有する第１リード部７
と、電極用の第２リード部８と、第１および第２リード
部７，８を固定するための樹脂部２とを備える。第２リ
ード部８の長手方向に樹脂部２と係合する係合部９を設
け、かつ樹脂部２内で第２リード部８を真っ直ぐに延在
させる。
抜け等を抑制し、かつコンパクトな半導体レーザ装置を
提供する。 【解決手段】 本発明の半導体レーザ装置は、半導体レ
ーザチップ３を搭載する搭載部を有する第１リード部７
と、電極用の第２リード部８と、第１および第２リード
部７，８を固定するための樹脂部２とを備える。第２リ
ード部８の長手方向に樹脂部２と係合する係合部９を設
け、かつ樹脂部２内で第２リード部８を真っ直ぐに延在
させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレーム上
に半導体レーザチップを搭載し、量産性に優れた半導体
レーザ装置に関する。
に半導体レーザチップを搭載し、量産性に優れた半導体
レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】リードフレーム上に半導体レーザチップ
を搭載した半導体レーザ装置をフレームレーザと呼ぶ
が、従来のフレームレーザとして図２〜図４に示すもの
がある。
を搭載した半導体レーザ装置をフレームレーザと呼ぶ
が、従来のフレームレーザとして図２〜図４に示すもの
がある。
【０００３】図２は、特開平２−２６６５８４号公報に
開示されたフレームレーザの図であり、レーザチップ２
４を搭載する第１リード部２０は略真っ直ぐに延びてお
り、電極となる第２リード部２１，２２は、モールド樹
脂２３内部で屈曲した形状を有する。
開示されたフレームレーザの図であり、レーザチップ２
４を搭載する第１リード部２０は略真っ直ぐに延びてお
り、電極となる第２リード部２１，２２は、モールド樹
脂２３内部で屈曲した形状を有する。
【０００４】図３は、特開平６−４５６９１号公報に開
示されたフレームレーザの図であり、レーザ素子３４を
搭載する第１リード部３０の先端は幅方向に広げられて
いる。そのため、放熱については図２に示す例よりも優
れている。電極となる第２リード部３１，３２は、絶縁
枠３３内部で真っ直ぐな形状を有する。
示されたフレームレーザの図であり、レーザ素子３４を
搭載する第１リード部３０の先端は幅方向に広げられて
いる。そのため、放熱については図２に示す例よりも優
れている。電極となる第２リード部３１，３２は、絶縁
枠３３内部で真っ直ぐな形状を有する。
【０００５】図４（ａ），（ｂ）は、特開平１０−２０
９５５１号公報に開示されたフレームレーザの図であ
り、レーザチップ４４を搭載する第１リード部４０は略
真っ直ぐに延びている。そのため、半導体レーザで発生
した熱を効率よく逃がすことができず、第１リード部４
０の裏面に放熱板４５を設けている。
９５５１号公報に開示されたフレームレーザの図であ
り、レーザチップ４４を搭載する第１リード部４０は略
真っ直ぐに延びている。そのため、半導体レーザで発生
した熱を効率よく逃がすことができず、第１リード部４
０の裏面に放熱板４５を設けている。
【０００６】また、リード固定用のモールド樹脂４３の
外形を、部分的に切り欠いた円周形状とし、調整を容易
とするとともに、調整後に回転することを防止してい
る。電極とされる第２リード部４１，４２は、モールド
樹脂４３内部で真っ直ぐに延びている。
外形を、部分的に切り欠いた円周形状とし、調整を容易
とするとともに、調整後に回転することを防止してい
る。電極とされる第２リード部４１，４２は、モールド
樹脂４３内部で真っ直ぐに延びている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図２に示す例では、第
１リード部２０は真っ直ぐであるので、半導体レーザで
発生した熱を効率よく逃がすことができず、信頼性が低
下する。また、第２リード部２１，２２の先端が曲げら
れているので、フレームレーザが幅Ｗ方向に大きくな
る。
１リード部２０は真っ直ぐであるので、半導体レーザで
発生した熱を効率よく逃がすことができず、信頼性が低
下する。また、第２リード部２１，２２の先端が曲げら
れているので、フレームレーザが幅Ｗ方向に大きくな
る。
【０００８】それに対し、図３に示す例では、上述のよ
うに図２に示す例よりも放熱性を改善することができ
る。しかし、第２リード部３１，３２は、絶縁枠３３内
部で真っ直ぐな形状を有するので、第２リード部３１，
３２を外部回路に半田付けするとき、絶縁枠３３が軟化
して第２リード部３１，３２が抜けることがある。ま
た、第２リード部３１，３２が動き易く、第２リード部
３１，３２の向きが変わり易い。
うに図２に示す例よりも放熱性を改善することができ
る。しかし、第２リード部３１，３２は、絶縁枠３３内
部で真っ直ぐな形状を有するので、第２リード部３１，
３２を外部回路に半田付けするとき、絶縁枠３３が軟化
して第２リード部３１，３２が抜けることがある。ま
た、第２リード部３１，３２が動き易く、第２リード部
３１，３２の向きが変わり易い。
【０００９】図４に示す例においても、図３に示す例と
同様に第２リード部４１，４２の抜け等の問題が考えら
れるが、モールド樹脂４３において第２リード部４１，
４２を覆う部分を厚くして凸部４６を設けているので、
第２リード部４１，４２の抜け等をある程度は抑制する
ことができる。
同様に第２リード部４１，４２の抜け等の問題が考えら
れるが、モールド樹脂４３において第２リード部４１，
４２を覆う部分を厚くして凸部４６を設けているので、
第２リード部４１，４２の抜け等をある程度は抑制する
ことができる。
【００１０】しかし、凸部４６を設けるだけでは第２リ
ード部４１，４２の抜け等を充分には抑制することはで
きない。また、図４に示す例では、銅ブロックなどの放
熱部材を使用する必要があり、生産性が良くなく、コス
ト増大となる。
ード部４１，４２の抜け等を充分には抑制することはで
きない。また、図４に示す例では、銅ブロックなどの放
熱部材を使用する必要があり、生産性が良くなく、コス
ト増大となる。
【００１１】本発明は、上記のような課題を解決するた
めになされたものである。本発明の１つの目的は、リー
ドフレームを外部回路に半田付けする時におけるリード
フレームの抜け等を抑制可能であり、かつコンパクトな
半導体レーザ装置を提供することにある。
めになされたものである。本発明の１つの目的は、リー
ドフレームを外部回路に半田付けする時におけるリード
フレームの抜け等を抑制可能であり、かつコンパクトな
半導体レーザ装置を提供することにある。
【００１２】本発明の他の目的は、製造コストを増大さ
せることなく放熱性を良好とすることができ、かつコン
パクトな半導体レーザ装置を提供することにある。
せることなく放熱性を良好とすることができ、かつコン
パクトな半導体レーザ装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体レー
ザ装置は、１つの局面では、半導体レーザチップを搭載
する搭載部を有する第１リード部と、電極用の第２リー
ド部と、第１および第２リード部を固定するための樹脂
部とを備える。そして、第２リード部の長手方向（延在
方向）に樹脂部と係合する係合部を第２リード部に設
け、かつ樹脂部内で第２リード部を真っ直ぐに延在させ
る。
ザ装置は、１つの局面では、半導体レーザチップを搭載
する搭載部を有する第１リード部と、電極用の第２リー
ド部と、第１および第２リード部を固定するための樹脂
部とを備える。そして、第２リード部の長手方向（延在
方向）に樹脂部と係合する係合部を第２リード部に設
け、かつ樹脂部内で第２リード部を真っ直ぐに延在させ
る。
【００１４】このように第２リード部に係合部を設ける
ことにより、第２リード部を外部回路に半田付けする時
に樹脂部が軟化しても第２リード部と樹脂部との係合状
態を維持することができ、第２リード部の抜け等を効果
的に抑制することができる。また、樹脂部内で第２リー
ド部を真っ直ぐに延在させることにより、第２リード部
が樹脂部内で屈曲している場合と比較して半導体レーザ
装置を幅方向（第２リード部の延在方向と直交する方
向）に縮小することができ、半導体レーザ装置をコンパ
クトにすることができる。
ことにより、第２リード部を外部回路に半田付けする時
に樹脂部が軟化しても第２リード部と樹脂部との係合状
態を維持することができ、第２リード部の抜け等を効果
的に抑制することができる。また、樹脂部内で第２リー
ド部を真っ直ぐに延在させることにより、第２リード部
が樹脂部内で屈曲している場合と比較して半導体レーザ
装置を幅方向（第２リード部の延在方向と直交する方
向）に縮小することができ、半導体レーザ装置をコンパ
クトにすることができる。
【００１５】上記係合部は、樹脂部内で局所的に第２リ
ード部の幅を広げることで形成された広幅部を含む。
ード部の幅を広げることで形成された広幅部を含む。
【００１６】かかる広幅部を設けることにより、広幅部
を樹脂部と係合させることができ、第２リード部の抜け
等を効果的に抑制することができる。また、ワイヤボン
ドを行なう面積を広げることができるので、ワイヤボン
ドが容易となる。
を樹脂部と係合させることができ、第２リード部の抜け
等を効果的に抑制することができる。また、ワイヤボン
ドを行なう面積を広げることができるので、ワイヤボン
ドが容易となる。
【００１７】第２リード部と同じ側に樹脂部から延出す
る放熱用の第３リード部を設けることが好ましい。
る放熱用の第３リード部を設けることが好ましい。
【００１８】それにより、半導体レーザ装置をあまり拡
大することなく、放熱性を格段に改善することができ
る。また、放熱用部材としてリードフレームを使用する
ことにより、安価に放熱用部材を設けることができ、製
造コスト増大を回避できる。
大することなく、放熱性を格段に改善することができ
る。また、放熱用部材としてリードフレームを使用する
ことにより、安価に放熱用部材を設けることができ、製
造コスト増大を回避できる。
【００１９】樹脂部の外周形状を、半導体レーザチップ
を中心とする円周状とすることが好ましい。ここで、
「円周状」とは、全体として円周状であることを意味
し、一部に切り欠きや面取り部等を有するものであって
も全体として略円周状であれば上記「円周状」に含まれ
る。
を中心とする円周状とすることが好ましい。ここで、
「円周状」とは、全体として円周状であることを意味
し、一部に切り欠きや面取り部等を有するものであって
も全体として略円周状であれば上記「円周状」に含まれ
る。
【００２０】樹脂部の外周形状を円周状とすることによ
り、光ピックアップに搭載したときに、外部の光学系に
対してレーザチップを回転させることができるので、遠
視野像の広がり方向、レーザ光の偏光方向等を容易に調
整することができる。
り、光ピックアップに搭載したときに、外部の光学系に
対してレーザチップを回転させることができるので、遠
視野像の広がり方向、レーザ光の偏光方向等を容易に調
整することができる。
【００２１】樹脂部は、半導体レーザチップから出射さ
れる光を通す窓部を有する。それにより、レーザ光の反
射やレーザ光障害を阻止しながらレーザチップを保護す
ることができ、組立時等に外力によりレーザチップのワ
イヤ切れ、ダイ剥れ等を起こすのを防止できる。
れる光を通す窓部を有する。それにより、レーザ光の反
射やレーザ光障害を阻止しながらレーザチップを保護す
ることができ、組立時等に外力によりレーザチップのワ
イヤ切れ、ダイ剥れ等を起こすのを防止できる。
【００２２】樹脂部の外周に、好ましくは、回転止め用
の切欠き部を設ける。それにより、半導体レーザ装置の
位置調整後に、半導体レーザ装置が回転して調整位置が
ずれるのを防止できる。
の切欠き部を設ける。それにより、半導体レーザ装置の
位置調整後に、半導体レーザ装置が回転して調整位置が
ずれるのを防止できる。
【００２３】第１リード部における半導体レーザチップ
の搭載部を、好ましくは、該搭載部以外の第１リード部
よりも広幅とする。それにより、放熱性を改善すること
ができる。
の搭載部を、好ましくは、該搭載部以外の第１リード部
よりも広幅とする。それにより、放熱性を改善すること
ができる。
【００２４】本発明に係る半導体レーザ装置は、他の局
面では、半導体レーザチップを搭載する第１リード部
と、電極用の第２リード部と、放熱用の第３リード部
と、第１、第２および第３リード部を固定するための樹
脂部とを備え、第２および第３リード部が樹脂部から同
じ側に延出する。
面では、半導体レーザチップを搭載する第１リード部
と、電極用の第２リード部と、放熱用の第３リード部
と、第１、第２および第３リード部を固定するための樹
脂部とを備え、第２および第３リード部が樹脂部から同
じ側に延出する。
【００２５】このように樹脂部から延出する放熱用の第
３リード部を設けることにより、放熱性を格段に向上す
ることができる。このとき、放熱用部材としてリードフ
レームを用いることにより、従来例のように銅ブロック
などの放熱部材を別途準備する場合と比較して、放熱部
材を安価に準備することができ、かつ生産性を向上する
ことができる。それにより、製造コストを低減すること
ができる。このとき、第２および第３リード部を樹脂部
の同じ側に延出させることにより、半導体レーザ装置が
幅方向にほとんど大きくならず、半導体レーザ装置をコ
ンパクト化することができる。
３リード部を設けることにより、放熱性を格段に向上す
ることができる。このとき、放熱用部材としてリードフ
レームを用いることにより、従来例のように銅ブロック
などの放熱部材を別途準備する場合と比較して、放熱部
材を安価に準備することができ、かつ生産性を向上する
ことができる。それにより、製造コストを低減すること
ができる。このとき、第２および第３リード部を樹脂部
の同じ側に延出させることにより、半導体レーザ装置が
幅方向にほとんど大きくならず、半導体レーザ装置をコ
ンパクト化することができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図１（ａ）〜（ｃ）を用いて説明する。図１（ａ）
は、本実施の形態における半導体レーザ装置（フレーム
レーザ）の平面図であり、（ｂ）は正面図であり、
（ｃ）は側面図である。
て、図１（ａ）〜（ｃ）を用いて説明する。図１（ａ）
は、本実施の形態における半導体レーザ装置（フレーム
レーザ）の平面図であり、（ｂ）は正面図であり、
（ｃ）は側面図である。
【００２７】本実施の形態における半導体レーザ装置
は、図１（ａ）〜（ｃ）に示すように、リード部の固定
用の樹脂部２と、半導体レーザチップ３と、放熱用のサ
ブマウント部６と、第１〜第３リード部７，８，１１
ａ，１１ｂとを備える。
は、図１（ａ）〜（ｃ）に示すように、リード部の固定
用の樹脂部２と、半導体レーザチップ３と、放熱用のサ
ブマウント部６と、第１〜第３リード部７，８，１１
ａ，１１ｂとを備える。
【００２８】モニター用受光素子を一体化したサブマウ
ント部６に半導体レーザチップ３を搭載し、サブマウン
ト一体型半導体レーザチップ３を搭載する搭載部を有す
る第１リード部（ＬＤチップダイボンド用リード）７と
電気的接続を行なうための第２リード部（電極用リー
ド）８を樹脂部２で固定する。
ント部６に半導体レーザチップ３を搭載し、サブマウン
ト一体型半導体レーザチップ３を搭載する搭載部を有す
る第１リード部（ＬＤチップダイボンド用リード）７と
電気的接続を行なうための第２リード部（電極用リー
ド）８を樹脂部２で固定する。
【００２９】第２リード部８の長手方向（延在方向）に
樹脂部２と係合する係合部９を第２リード部８に設け
る。それにより、第２リード部８を外部回路に半田付け
する時に樹脂部２と係合部９の係合状態を維持でき、第
２リード部８の抜け等を効果的に抑制することができ
る。
樹脂部２と係合する係合部９を第２リード部８に設け
る。それにより、第２リード部８を外部回路に半田付け
する時に樹脂部２と係合部９の係合状態を維持でき、第
２リード部８の抜け等を効果的に抑制することができ
る。
【００３０】上記係合部９は、図１（ｂ）に示すよう
に、たとえば樹脂部２内で局所的に第２リード部８の幅
を広げた広幅部で構成する。それにより、第２リード部
８の抜け等を効果的に抑制することができるとともに、
ワイヤボンドを行なう面積を広げることができるのでワ
イヤボンドが容易となる。
に、たとえば樹脂部２内で局所的に第２リード部８の幅
を広げた広幅部で構成する。それにより、第２リード部
８の抜け等を効果的に抑制することができるとともに、
ワイヤボンドを行なう面積を広げることができるのでワ
イヤボンドが容易となる。
【００３１】なお、第２リード部８の長手方向に張り出
し、第２リード部８の長手方向に樹脂部２と係合するも
のであれば、上記の広幅部以外の任意形状の係合部９を
採用可能である。
し、第２リード部８の長手方向に樹脂部２と係合するも
のであれば、上記の広幅部以外の任意形状の係合部９を
採用可能である。
【００３２】また、図１（ｂ）に示すように、樹脂部２
内で第２リード部８を真っ直ぐに延在させている。それ
により、リード部が樹脂部内で屈曲している場合と比較
して半導体レーザ装置を幅方向（第２リード部８の延在
方向と直交する方向）に縮小することができ、半導体レ
ーザ装置をコンパクトにすることができる。
内で第２リード部８を真っ直ぐに延在させている。それ
により、リード部が樹脂部内で屈曲している場合と比較
して半導体レーザ装置を幅方向（第２リード部８の延在
方向と直交する方向）に縮小することができ、半導体レ
ーザ装置をコンパクトにすることができる。
【００３３】また、図１（ｂ）に示すように、第１リー
ド部７における半導体レーザチップ３の搭載部を、該搭
載部以外の第１リード部７よりも広幅としている。それ
により、放熱性を改善することができる。
ド部７における半導体レーザチップ３の搭載部を、該搭
載部以外の第１リード部７よりも広幅としている。それ
により、放熱性を改善することができる。
【００３４】それに加え、第１リード部７に、上記の半
導体レーザチップ３の搭載部から延び、樹脂部２から延
出する放熱部７ａを設けている。それにより、熱を外部
回路に逃すことができ、放熱性をさらに改善することが
できる。この放熱部７ａは、外部回路との電気的接続を
も行なう。
導体レーザチップ３の搭載部から延び、樹脂部２から延
出する放熱部７ａを設けている。それにより、熱を外部
回路に逃すことができ、放熱性をさらに改善することが
できる。この放熱部７ａは、外部回路との電気的接続を
も行なう。
【００３５】また、図１（ｂ）に示すように、第２リー
ド部８と同じ側に樹脂部２から延出する放熱用の第３リ
ード部１１を設ける。第３リード部１１は、第２リード
部８の両側に第２リード部８に沿って延在し、第２リー
ド部８と同等の幅を有する。
ド部８と同じ側に樹脂部２から延出する放熱用の第３リ
ード部１１を設ける。第３リード部１１は、第２リード
部８の両側に第２リード部８に沿って延在し、第２リー
ド部８と同等の幅を有する。
【００３６】このような第３リード部１１を設けること
により、半導体レーザ装置を幅方向にあまり拡大するこ
となく放熱性を格段に改善することができ、温度特性の
悪い半導体レーザ素子、たとえば赤色レーザ光を発生す
るＩｎＧａＡｌＰ／ＧａＡｓ系の半導体レーザチップ
や、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ，ＩｎＧａＡｌＮ系の半導
体レーザチップもフレームレーザとして用いることがで
きる。
により、半導体レーザ装置を幅方向にあまり拡大するこ
となく放熱性を格段に改善することができ、温度特性の
悪い半導体レーザ素子、たとえば赤色レーザ光を発生す
るＩｎＧａＡｌＰ／ＧａＡｓ系の半導体レーザチップ
や、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ，ＩｎＧａＡｌＮ系の半導
体レーザチップもフレームレーザとして用いることがで
きる。
【００３７】ここで、温度特性Ｔ０とは、発振閾値Ｉｔ
ｈの温度依存性を表すパラメータで、使用温度をＴとし
たとき、Ｉｔｈは下記の数式（１）で近似される。
ｈの温度依存性を表すパラメータで、使用温度をＴとし
たとき、Ｉｔｈは下記の数式（１）で近似される。
【００３８】 Ｉｔｈ＝ｅｘｐ（ａＴ／Ｔ０）…（１） 上記数式（１）においてａは比例定数である。数式
（１）において、Ｔ０が大きいほどＩｔｈの温度変化が
小さく、温度特性が良い。Ｔ０が１３０Ｋ（ケルビン）
以上であれば放熱部７ａのみで対応できるが、Ｔ０がこ
れより小さくなると、第３リード部１１等の放熱手段を
設ける必要がある。因みに、赤外用ＧａＡｌＡｓ／Ｇａ
Ａｓ系の半導体レーザ素子のＴ０は１３０Ｋ〜１５０Ｋ
である。
（１）において、Ｔ０が大きいほどＩｔｈの温度変化が
小さく、温度特性が良い。Ｔ０が１３０Ｋ（ケルビン）
以上であれば放熱部７ａのみで対応できるが、Ｔ０がこ
れより小さくなると、第３リード部１１等の放熱手段を
設ける必要がある。因みに、赤外用ＧａＡｌＡｓ／Ｇａ
Ａｓ系の半導体レーザ素子のＴ０は１３０Ｋ〜１５０Ｋ
である。
【００３９】図１（ｂ）に示すように、放熱用部材とし
てリードフレームを使用することにより、従来例のよう
に銅ブロックなどの放熱部材を別途準備する場合と比較
して、安価に放熱用部材を設けることができ、かつ生産
性をも向上することができる。それにより、製造コスト
増大を回避することができる。
てリードフレームを使用することにより、従来例のよう
に銅ブロックなどの放熱部材を別途準備する場合と比較
して、安価に放熱用部材を設けることができ、かつ生産
性をも向上することができる。それにより、製造コスト
増大を回避することができる。
【００４０】また、第２および第３リード部８，１１を
樹脂部２の同じ側に延出させることにより、半導体レー
ザ装置が幅方向にほとんど大きくならず、半導体レーザ
装置をコンパクトにすることができる。
樹脂部２の同じ側に延出させることにより、半導体レー
ザ装置が幅方向にほとんど大きくならず、半導体レーザ
装置をコンパクトにすることができる。
【００４１】上記の第１〜第３リード部７，８，１１
は、樹脂部２で固定され、図１（ｃ）に示すように、直
線状のフレーム部１０を構成する。
は、樹脂部２で固定され、図１（ｃ）に示すように、直
線状のフレーム部１０を構成する。
【００４２】樹脂部２の外周形状は、図１（ａ）に示す
ように、半導体レーザチップ３を中心とする円周状とす
る。それにより、光ピックアップに搭載したときに、外
部の光学系に対してレーザチップを回転させることがで
きるので、遠視野像の広がり方向、レーザ光の偏光方向
等を容易に調整することができる。
ように、半導体レーザチップ３を中心とする円周状とす
る。それにより、光ピックアップに搭載したときに、外
部の光学系に対してレーザチップを回転させることがで
きるので、遠視野像の広がり方向、レーザ光の偏光方向
等を容易に調整することができる。
【００４３】樹脂部２の外周に、図１（ａ）に示すよう
に、回転止め用の切欠き部１を設ける。この切欠き部１
は、半導体レーザ装置の位置決め用および半導体レーザ
装置の回転防止用に使用される。
に、回転止め用の切欠き部１を設ける。この切欠き部１
は、半導体レーザ装置の位置決め用および半導体レーザ
装置の回転防止用に使用される。
【００４４】図１（ａ）に示す例では、切欠き部１は断
面Ｕ字状の凹部で構成されるが、この場合には、半導体
レーザ装置の取付け側における対応部分に、切欠き部１
と嵌合する突起を設けておけばよい。
面Ｕ字状の凹部で構成されるが、この場合には、半導体
レーザ装置の取付け側における対応部分に、切欠き部１
と嵌合する突起を設けておけばよい。
【００４５】樹脂部２は、図１（ａ）に示すように、両
側面に面取り部（切欠き部）４を有する。図１（ａ）に
示す例では、面取り部４は、平坦な面で構成される。こ
の面取り部４も、半導体レーザ装置の位置決めに使用さ
れる。
側面に面取り部（切欠き部）４を有する。図１（ａ）に
示す例では、面取り部４は、平坦な面で構成される。こ
の面取り部４も、半導体レーザ装置の位置決めに使用さ
れる。
【００４６】リード、フレームを樹脂で固定するとき上
型と下型がリードの面で当たるが、その際、上型と下型
の隙間に樹脂が入り、バリが発生する。上記面取り部４
は、このバリをとる機能をも有する。
型と下型がリードの面で当たるが、その際、上型と下型
の隙間に樹脂が入り、バリが発生する。上記面取り部４
は、このバリをとる機能をも有する。
【００４７】樹脂部２は、図１（ｂ）に示すように、半
導体レーザチップ３から出射される光が通過する部分
（光路）に窓部５と、ダイボンド、ワイヤボンドを行な
うための開口部とを有し、これらを除く半導体レーザ装
置の外周を覆う。
導体レーザチップ３から出射される光が通過する部分
（光路）に窓部５と、ダイボンド、ワイヤボンドを行な
うための開口部とを有し、これらを除く半導体レーザ装
置の外周を覆う。
【００４８】それにより、レーザ光の反射やレーザ光障
害を除去しながら、半導体レーザ装置を調整設置すると
きに、工具や外部回路に半導体レーザチップ３が接触し
てワイヤ切れ、ダイ剥れ等が発生するのを防止できる。
害を除去しながら、半導体レーザ装置を調整設置すると
きに、工具や外部回路に半導体レーザチップ３が接触し
てワイヤ切れ、ダイ剥れ等が発生するのを防止できる。
【００４９】以上のように本発明の実施の形態について
説明を行なったが、今回開示した実施の形態はすべての
点で例示であって制限的なものではないと考えられるべ
きである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示さ
れ、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべ
ての変更が含まれる。
説明を行なったが、今回開示した実施の形態はすべての
点で例示であって制限的なものではないと考えられるべ
きである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示さ
れ、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべ
ての変更が含まれる。
【００５０】
【発明の効果】本発明の１つの局面では、第２リード部
に係合部を設けているので外部回路への半田付け時にお
ける第２リード部の抜け等を効果的に抑制することがで
き、また樹脂部内で第２リード部を真っ直ぐに延在させ
ることにより、半導体レーザ装置をコンパクトにするこ
とができる。それにより、半導体レーザ装置をコンパク
トにしながら、リード部の抜け等を効果的に抑制するこ
とができる。
に係合部を設けているので外部回路への半田付け時にお
ける第２リード部の抜け等を効果的に抑制することがで
き、また樹脂部内で第２リード部を真っ直ぐに延在させ
ることにより、半導体レーザ装置をコンパクトにするこ
とができる。それにより、半導体レーザ装置をコンパク
トにしながら、リード部の抜け等を効果的に抑制するこ
とができる。
【００５１】本発明の他の局面では、放熱用の第３リー
ド部を設けているので、放熱性を格段に向上することが
でき、かつ製造コストをも低減することができる。ま
た、第２および第３リード部を樹脂部の同じ側に延出さ
せることにより、半導体レーザ装置をコンパクトにする
こともできる。それにより、半導体レーザ装置をコンパ
クトにし、製造コストをも低減しながら、放熱性を向上
させることができる。
ド部を設けているので、放熱性を格段に向上することが
でき、かつ製造コストをも低減することができる。ま
た、第２および第３リード部を樹脂部の同じ側に延出さ
せることにより、半導体レーザ装置をコンパクトにする
こともできる。それにより、半導体レーザ装置をコンパ
クトにし、製造コストをも低減しながら、放熱性を向上
させることができる。
【図１】 （ａ）は本発明の１つの実施の形態における
半導体レーザ装置の平面図である。（ｂ）は、（ａ）に
示す半導体レーザ装置の正面図である。（ｃ）は、
（ａ）に示す半導体レーザ装置の側面図である。
半導体レーザ装置の平面図である。（ｂ）は、（ａ）に
示す半導体レーザ装置の正面図である。（ｃ）は、
（ａ）に示す半導体レーザ装置の側面図である。
【図２】 従来の半導体レーザ装置の一例の正面図であ
る。
る。
【図３】 従来の半導体レーザ装置の他の例の正面図で
ある。
ある。
【図４】 （ａ）は、従来の半導体レーザ装置のさらに
他の例の平面図である。（ｂ）は、（ａ）に示す半導体
レーザ装置の正面図である。
他の例の平面図である。（ｂ）は、（ａ）に示す半導体
レーザ装置の正面図である。
１ 切欠き部、２ 樹脂部、３ 半導体レーザチップ、
４ 面取り部、５ 窓部、６ サブマウント部、７ 第
１リード部、７ａ 放熱部、８ 第２リード部、９ 係
合部、１０ フレーム部、１１ 第３リード部。
４ 面取り部、５ 窓部、６ サブマウント部、７ 第
１リード部、７ａ 放熱部、８ 第２リード部、９ 係
合部、１０ フレーム部、１１ 第３リード部。
Claims (8)
- 【請求項１】 半導体レーザチップを搭載する搭載部を
有する第１リード部と、 電極用の第２リード部と、 前記第１および第２リード部を固定するための樹脂部と
を備え、 前記第２リード部の長手方向に前記樹脂部と係合する係
合部を前記第２リード部に設け、かつ前記樹脂部内で前
記第２リード部を真っ直ぐに延在させた、半導体レーザ
装置。 - 【請求項２】 前記係合部は、前記樹脂部内で前記第２
リード部の幅を局所的に広げることで形成された広幅部
を含む、請求項１に記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 前記第２リード部と同じ側に前記樹脂部
から延出する放熱用の第３リード部を備える、請求項１
または請求項２に記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項４】 前記樹脂部の外周形状を、半導体レーザ
チップを中心とする円周状とする、請求項１から請求項
３のいずれかに記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項５】 前記樹脂部は、前記半導体レーザチップ
から出射される光が通過する窓部を有する、請求項１か
ら請求項４のいずれかに記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項６】 前記樹脂部の外周に回転止め用の切欠き
部を備える、請求項１から請求項５のいずれかに記載の
半導体レーザ装置。 - 【請求項７】 前記第１リード部における前記搭載部の
幅を、前記搭載部以外の前記第１リード部よりも広幅と
する、請求項１から請求項６のいずれかに記載の半導体
レーザ装置。 - 【請求項８】 半導体レーザチップを搭載する搭載部を
有する第１リード部と、 電極用の第２リード部と、 放熱用の第３リード部と、 前記第１、第２および第３リード部を固定するための樹
脂部とを備え、 前記第２および第３リード部が、前記樹脂部から同じ側
に延出する、半導体レーザ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000372275A JP3735033B2 (ja) | 2000-12-07 | 2000-12-07 | 半導体レーザ装置 |
| US10/006,297 US6862305B2 (en) | 2000-12-07 | 2001-12-06 | Semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000372275A JP3735033B2 (ja) | 2000-12-07 | 2000-12-07 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002176222A true JP2002176222A (ja) | 2002-06-21 |
| JP3735033B2 JP3735033B2 (ja) | 2006-01-11 |
Family
ID=18841848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000372275A Expired - Fee Related JP3735033B2 (ja) | 2000-12-07 | 2000-12-07 | 半導体レーザ装置 |
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| US (1) | US6862305B2 (ja) |
| JP (1) | JP3735033B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP2007048839A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子 |
| US7567599B2 (en) | 2005-01-03 | 2009-07-28 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Semiconductor laser diode device with thermal conductive encapsulating resin and method for manufacturing the same |
| US7729402B2 (en) | 2002-10-29 | 2010-06-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser assembly |
| KR101020146B1 (ko) | 2003-10-06 | 2011-03-08 | 로무 가부시키가이샤 | 반도체 레이저 |
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| JP4171621B2 (ja) * | 2002-07-15 | 2008-10-22 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| JP2005251838A (ja) * | 2004-03-02 | 2005-09-15 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置 |
| US8101955B2 (en) * | 2009-04-17 | 2012-01-24 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | PLCC package with a reflector cup surrounded by an encapsulant |
| US8089075B2 (en) * | 2009-04-17 | 2012-01-03 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | LFCC package with a reflector cup surrounded by a single encapsulant |
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|---|---|---|---|---|
| JPH02266584A (ja) | 1989-04-06 | 1990-10-31 | Nec Kagoshima Ltd | 光半導体装置 |
| DE69118482T2 (de) * | 1990-11-07 | 1996-08-22 | Fuji Electric Co Ltd | Laserdiode mit einer Schutzschicht auf ihrer lichtemittierenden Endfläche |
| US5444726A (en) * | 1990-11-07 | 1995-08-22 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| US5590144A (en) * | 1990-11-07 | 1996-12-31 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| US5485479A (en) * | 1990-11-07 | 1996-01-16 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device encapsulated in a transparent resin layer |
| JPH07170019A (ja) | 1993-12-14 | 1995-07-04 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JPH0523563U (ja) * | 1991-07-17 | 1993-03-26 | ソニー株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| US5327443A (en) * | 1991-10-30 | 1994-07-05 | Rohm Co., Ltd. | Package-type semiconductor laser device |
| JPH0645691A (ja) | 1992-07-24 | 1994-02-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JP3074112B2 (ja) | 1994-06-08 | 2000-08-07 | シャープ株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JPH07335980A (ja) * | 1994-06-07 | 1995-12-22 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JPH09186390A (ja) * | 1995-12-28 | 1997-07-15 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| US5808325A (en) * | 1996-06-28 | 1998-09-15 | Motorola, Inc. | Optical transmitter package assembly including lead frame having exposed flange with key |
| JP3082695B2 (ja) | 1997-01-16 | 2000-08-28 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザ装置、その製造方法 |
-
2000
- 2000-12-07 JP JP2000372275A patent/JP3735033B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-12-06 US US10/006,297 patent/US6862305B2/en not_active Expired - Lifetime
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| US7729402B2 (en) | 2002-10-29 | 2010-06-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser assembly |
| KR101020146B1 (ko) | 2003-10-06 | 2011-03-08 | 로무 가부시키가이샤 | 반도체 레이저 |
| US7567599B2 (en) | 2005-01-03 | 2009-07-28 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Semiconductor laser diode device with thermal conductive encapsulating resin and method for manufacturing the same |
| JP2007048839A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3735033B2 (ja) | 2006-01-11 |
| US6862305B2 (en) | 2005-03-01 |
| US20020071461A1 (en) | 2002-06-13 |
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