JP2005136072A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 サブマウントがレーザ射出方向に対して半導体レーザダイオードよりも広く平らな表面を持ち、レーザ射出方向に対し、半田をサブマウントの表面の半導体レーザダイオードがマウントされる領域の内側の領域のみに形成している。
【選択図】 図1
Description
2 サブマウント
3 Ti/Pt/Au層
4 Au層
5 AuSn半田
6 ステム
7 レンズ
Claims (3)
- 半導体レーザダイオードが半田によりサブマウントにマウントされた構造の半導体レーザ装置において、前記サブマウントがレーザ射出方向に対して前記半導体レーザダイオードよりも広く平らな表面を持ち、前記レーザ射出方向に対して、前記半田を前記サブマウントの表面の半導体レーザダイオードをマウントする領域の内側の領域のみに形成したことを特徴とする半導体レーザ装置。
- 前方および後方にレーザ光を射出する半導体レーザダイオードが半田によりサブマウントにマウントされた半導体レーザ装置において、前記サブマウントがレーザ射出方向に対して前記半導体レーザダイオードよりも広く平らな表面を有し、前記半田は前記前方および後方に対し前記レーザダイオードの外側には延在していないことを特徴とする半導体レーザ装置。
- 前記半田がAuSnであることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体レーザ装置。
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Cited By (3)
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---|---|---|---|---|
JP2007227931A (ja) * | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 高出力アレイ型半導体レーザー装置の製造方法 |
JP2007250739A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光半導体装置 |
JP2019207976A (ja) * | 2018-05-30 | 2019-12-05 | 日亜化学工業株式会社 | 光源装置 |
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2003
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007227931A (ja) * | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 高出力アレイ型半導体レーザー装置の製造方法 |
US8153507B2 (en) | 2006-02-22 | 2012-04-10 | Samsung Led Co., Ltd. | Method of manufacturing high power array type semiconductor laser device |
JP2007250739A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光半導体装置 |
JP2019207976A (ja) * | 2018-05-30 | 2019-12-05 | 日亜化学工業株式会社 | 光源装置 |
JP7060798B2 (ja) | 2018-05-30 | 2022-04-27 | 日亜化学工業株式会社 | 光源装置 |
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