JP2002174710A - 回折光学素子及びその製造方法 - Google Patents
回折光学素子及びその製造方法Info
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- JP2002174710A JP2002174710A JP2000371104A JP2000371104A JP2002174710A JP 2002174710 A JP2002174710 A JP 2002174710A JP 2000371104 A JP2000371104 A JP 2000371104A JP 2000371104 A JP2000371104 A JP 2000371104A JP 2002174710 A JP2002174710 A JP 2002174710A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 安価で高性能な回折光学素子及びその製造方
法を提供する。 【解決手段】 炭酸ガスレーザ光に対して屈折率が４．
０以上となる基板上に、一定ピッチｐのラインアンドス
ペースのパターンが形成され、入射する炭酸ガスレーザ
光を、上記パターンにより回折させて、０次回折光と±
１次回折光、または±１次回折光で構成される複数のビ
ームに分光する。
法を提供する。 【解決手段】 炭酸ガスレーザ光に対して屈折率が４．
０以上となる基板上に、一定ピッチｐのラインアンドス
ペースのパターンが形成され、入射する炭酸ガスレーザ
光を、上記パターンにより回折させて、０次回折光と±
１次回折光、または±１次回折光で構成される複数のビ
ームに分光する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、高速微細穴加工
等に用いられるレーザ加工装置において使用される回折
光学素子及びその製造方法に関するものである。
等に用いられるレーザ加工装置において使用される回折
光学素子及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】レーザ加工装置において回折光学素子
（ＤＯＥ）を使用することにより、レーザビームを複数
のビームに分光し、同時に複数の穴明け等の加工を行わ
せることができ、高速の穴加工処理が可能となる。この
ようなレーザ加工に用いられる回折光学素子として、例
えば、文献「ＳＥＩテクニカルレビュー」第１５３号ｐ
１１９−１２７（１９９８年）に記載されるものがあっ
た。この回折光学素子は、ＺｎＳｅ（セレン化亜鉛。Ｃ
Ｏ２レーザ光に対する屈折率は２．４）などの基板に微
細なセルパターンを形成したものであり、任意の数のレ
ーザビームに分光することができるものである。
（ＤＯＥ）を使用することにより、レーザビームを複数
のビームに分光し、同時に複数の穴明け等の加工を行わ
せることができ、高速の穴加工処理が可能となる。この
ようなレーザ加工に用いられる回折光学素子として、例
えば、文献「ＳＥＩテクニカルレビュー」第１５３号ｐ
１１９−１２７（１９９８年）に記載されるものがあっ
た。この回折光学素子は、ＺｎＳｅ（セレン化亜鉛。Ｃ
Ｏ２レーザ光に対する屈折率は２．４）などの基板に微
細なセルパターンを形成したものであり、任意の数のレ
ーザビームに分光することができるものである。
【０００３】図４に従来の上記回折光学素子の製造方法
を示す。図において、１０はＺｎＳｅよりなる基板、２
はフォトレジスト、３０はフォトマスク、４はレジスト
露光用のＵＶ光である。まず、基板１０上にフォトレジ
スト２が塗布される。次に、フォトレジスト２上に微細
なセルパターンが形成されたフォトマスク３０が設置さ
れ、フォトマスク３０の上からＵＶ光４が照射され、パ
ターニング露光される。現像後、レジスト２のない部分
の基板１面がエッチングされ、所定の深さの溝が形成さ
れる。最後にレジスト２が除去される。
を示す。図において、１０はＺｎＳｅよりなる基板、２
はフォトレジスト、３０はフォトマスク、４はレジスト
露光用のＵＶ光である。まず、基板１０上にフォトレジ
スト２が塗布される。次に、フォトレジスト２上に微細
なセルパターンが形成されたフォトマスク３０が設置さ
れ、フォトマスク３０の上からＵＶ光４が照射され、パ
ターニング露光される。現像後、レジスト２のない部分
の基板１面がエッチングされ、所定の深さの溝が形成さ
れる。最後にレジスト２が除去される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の回折光学素子の
構造及び製造方法は上記の通りであったので、以下のよ
うな問題点があった。 ・基板上に形成されるパターンは微細なセルパターンで
あり、このような微細なセルパターンを刻んだフォトマ
スクが高価である。 ・回折光学素子に使用される基板はＺｎＳｅであるた
め、所定のパターンを形成するためにはエッチングによ
らねばならず、その際、エッチングの条件出しが難し
い。特に、エッチングにより削られる溝の深さが深い
程、溝深さ不良や面荒れ等が問題となる場合が多く、こ
れらは分光強度比不良や回折効率低下の原因となった。
構造及び製造方法は上記の通りであったので、以下のよ
うな問題点があった。 ・基板上に形成されるパターンは微細なセルパターンで
あり、このような微細なセルパターンを刻んだフォトマ
スクが高価である。 ・回折光学素子に使用される基板はＺｎＳｅであるた
め、所定のパターンを形成するためにはエッチングによ
らねばならず、その際、エッチングの条件出しが難し
い。特に、エッチングにより削られる溝の深さが深い
程、溝深さ不良や面荒れ等が問題となる場合が多く、こ
れらは分光強度比不良や回折効率低下の原因となった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたものであり、安価で高性能な回折光学素
子及びその製造方法を提供するものである。
ためになされたものであり、安価で高性能な回折光学素
子及びその製造方法を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の回折光学素子
は、炭酸ガスレーザ光に対して屈折率が４．０以上とな
る基板上に、一定ピッチのラインアンドスペースのパタ
ーンが形成され、入射する炭酸ガスレーザ光を、上記パ
ターンにより回折させて、０次回折光と±１次回折光、
または±１次回折光で構成される複数のビームに分光す
るものである。
は、炭酸ガスレーザ光に対して屈折率が４．０以上とな
る基板上に、一定ピッチのラインアンドスペースのパタ
ーンが形成され、入射する炭酸ガスレーザ光を、上記パ
ターンにより回折させて、０次回折光と±１次回折光、
または±１次回折光で構成される複数のビームに分光す
るものである。
【０００７】また、本発明の回折光学素子は、ラインに
垂直な断面のパターン形状が矩形であるものである。
垂直な断面のパターン形状が矩形であるものである。
【０００８】また、本発明の回折光学素子は、基板上に
形成されるパターンが、ノイズ光となる±２次回折光の
光強度と±３次回折光の光強度とが同じ強度となるよう
なパターン形状であるものである。
形成されるパターンが、ノイズ光となる±２次回折光の
光強度と±３次回折光の光強度とが同じ強度となるよう
なパターン形状であるものである。
【０００９】また、本発明の回折光学素子の製造方法
は、炭酸ガスレーザ光に対して屈折率が４．０以上とな
る基板上にフォトレジストを塗布する工程、上記レジス
トに一定ピッチのラインアンドスペースのパターンを露
光する工程、露光した上記レジストを現像する工程、現
像後に上記基板をソフトエッチングする工程、ソフトエ
ッチング後に上記基板と同一材料を蒸着する工程、及び
蒸着後に上記レジストを除去する工程を施すものであ
る。
は、炭酸ガスレーザ光に対して屈折率が４．０以上とな
る基板上にフォトレジストを塗布する工程、上記レジス
トに一定ピッチのラインアンドスペースのパターンを露
光する工程、露光した上記レジストを現像する工程、現
像後に上記基板をソフトエッチングする工程、ソフトエ
ッチング後に上記基板と同一材料を蒸着する工程、及び
蒸着後に上記レジストを除去する工程を施すものであ
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】実施の形態１．以下、本発明の実
施の形態１を図を用いて説明する。図１は本発明の実施
の形態１による回折光学素子を用いたレーザ加工装置を
示す構成図である。図において、１００は回折光学素子
（ＤＯＥ）、２００はレンズ、３００は穴加工を施すワ
ークである。レーザ加工装置において本実施の形態１に
よる回折光学素子（ＤＯＥ）１００を使用することによ
り、レーザビームは３つにビームに分光され、分光され
たビーム１、２、３により、同時に複数の穴あけ等の加
工を行うことができる。図２にこの発明の実施の形態１
による回折光学素子１００を示す。回折光学素子１００
の基板上には一定ピッチのラインアンドスペースのパタ
ーンが形成されており、ラインに垂直な断面のパターン
形状は矩形である。また、上記パターンは、繰返しパタ
ーンのピッチがｐ、谷部分の幅がａ、山部分の幅がｂ、
山部分の高さがｈである。基板材料としては、炭酸ガス
（ＣＯ2）レーザ光に対して４．０以上の屈折率となる
ものを選定する。ここでは屈折率４．０であるＧｅ（ゲ
ルマニウム）を選定する。
施の形態１を図を用いて説明する。図１は本発明の実施
の形態１による回折光学素子を用いたレーザ加工装置を
示す構成図である。図において、１００は回折光学素子
（ＤＯＥ）、２００はレンズ、３００は穴加工を施すワ
ークである。レーザ加工装置において本実施の形態１に
よる回折光学素子（ＤＯＥ）１００を使用することによ
り、レーザビームは３つにビームに分光され、分光され
たビーム１、２、３により、同時に複数の穴あけ等の加
工を行うことができる。図２にこの発明の実施の形態１
による回折光学素子１００を示す。回折光学素子１００
の基板上には一定ピッチのラインアンドスペースのパタ
ーンが形成されており、ラインに垂直な断面のパターン
形状は矩形である。また、上記パターンは、繰返しパタ
ーンのピッチがｐ、谷部分の幅がａ、山部分の幅がｂ、
山部分の高さがｈである。基板材料としては、炭酸ガス
（ＣＯ2）レーザ光に対して４．０以上の屈折率となる
ものを選定する。ここでは屈折率４．０であるＧｅ（ゲ
ルマニウム）を選定する。
【００１１】一般に、矩形の断面形状を持つ回折格子に
よる０次回折効率η0及びＮ次回折効率ηNは以下の式に
示す通りである。 η0＝１−４ｄ（１−ｄ）ｓｉｎ2［π（ｎ−１）ｈ／λ］ ηN＝４ｓｉｎ2［πＮｄ］ｓｉｎ2［π（ｎ−１）ｈ／λ］／（πＮ）2 …（１） ただし、Ｎ＝±１， ±２， ±３，… λ：レーザ光の波長 ｎ：基板材料の屈折率 ｄ：格子のｄｕｔｙ比（ピッチｐに対する山部分の幅ｂ
／ｐ、またはピッチｐに対する谷部分の幅ａ／ｐ） ｈ：パターンの溝の深さ（山部分の高さ）
よる０次回折効率η0及びＮ次回折効率ηNは以下の式に
示す通りである。 η0＝１−４ｄ（１−ｄ）ｓｉｎ2［π（ｎ−１）ｈ／λ］ ηN＝４ｓｉｎ2［πＮｄ］ｓｉｎ2［π（ｎ−１）ｈ／λ］／（πＮ）2 …（１） ただし、Ｎ＝±１， ±２， ±３，… λ：レーザ光の波長 ｎ：基板材料の屈折率 ｄ：格子のｄｕｔｙ比（ピッチｐに対する山部分の幅ｂ
／ｐ、またはピッチｐに対する谷部分の幅ａ／ｐ） ｈ：パターンの溝の深さ（山部分の高さ）
【００１２】例えば、炭酸ガスレーザ（λ＝９．３μ
ｍ）を用い、基板材料をＧｅ（ｎ＝４．００４）とし
て、形成するパターンのｄ、ｈをそれぞれｄ＝０．５、
ｈ＝０．９９μｍとすると、（１）式は となり、０次回折光及び±１次回折光の光強度がほぼ等
しくなり、レーザビームを３つのビームに分光すること
ができる。またこの場合、±２次回折光は現れず、±３
次回折光はノイズ光（不要な光）となる。
ｍ）を用い、基板材料をＧｅ（ｎ＝４．００４）とし
て、形成するパターンのｄ、ｈをそれぞれｄ＝０．５、
ｈ＝０．９９μｍとすると、（１）式は となり、０次回折光及び±１次回折光の光強度がほぼ等
しくなり、レーザビームを３つのビームに分光すること
ができる。またこの場合、±２次回折光は現れず、±３
次回折光はノイズ光（不要な光）となる。
【００１３】なお、ＺｎＳｅ基板を用いて同様に一定ピ
ッチのラインアンドスペースのパターンを形成し、炭酸
ガスレーザ光を３分光（０次回折光と±１次回折光で構
成）する回折光学素子、または２分光（±１次回折光で
構成）する回折光学素子を作製した場合、屈折率ｎがＧ
ｅに比べ低いため、パターンの溝の深さ（山部分の高
さ）ｈは２．１〜３．３μｍ程度必要となる。これに対
して、基板としてＧｅを用いた本実施の形態では、溝の
深さｈが０．９９〜１．５５μｍとなり、ＺｎＳｅ基板
を用いた場合より浅くすることができるため、溝深さ不
良や面荒れ等が問題になることが少なく、高性能な回折
光学素子が得られる。
ッチのラインアンドスペースのパターンを形成し、炭酸
ガスレーザ光を３分光（０次回折光と±１次回折光で構
成）する回折光学素子、または２分光（±１次回折光で
構成）する回折光学素子を作製した場合、屈折率ｎがＧ
ｅに比べ低いため、パターンの溝の深さ（山部分の高
さ）ｈは２．１〜３．３μｍ程度必要となる。これに対
して、基板としてＧｅを用いた本実施の形態では、溝の
深さｈが０．９９〜１．５５μｍとなり、ＺｎＳｅ基板
を用いた場合より浅くすることができるため、溝深さ不
良や面荒れ等が問題になることが少なく、高性能な回折
光学素子が得られる。
【００１４】なお、本実施の形態において、基板上に形
成するパターンのｄ、ｈをそれぞれｄ＝０．４２、ｈ＝
１．０２μｍとすると、（１）式は となり、（２）式に示す実施の形態に比べると、０次回
折光及び±１次回折光の強度はやや低下するが、±３次
回折光の強度は、ｄ＝０．５、ｈ＝０．９９μｍの場合
と比べて小さくなる。この場合、同様にノイズ光である
±２次回折光が生じるが、その光強度は±３次回折光の
光強度と同じであり小さい。レーザ加工時にはノイズ光
のピークを小さくする方が良いケースが多く、ノイズ光
の小さい、品質のよいビームが得られる効果がある。
成するパターンのｄ、ｈをそれぞれｄ＝０．４２、ｈ＝
１．０２μｍとすると、（１）式は となり、（２）式に示す実施の形態に比べると、０次回
折光及び±１次回折光の強度はやや低下するが、±３次
回折光の強度は、ｄ＝０．５、ｈ＝０．９９μｍの場合
と比べて小さくなる。この場合、同様にノイズ光である
±２次回折光が生じるが、その光強度は±３次回折光の
光強度と同じであり小さい。レーザ加工時にはノイズ光
のピークを小さくする方が良いケースが多く、ノイズ光
の小さい、品質のよいビームが得られる効果がある。
【００１５】次に、上記回折光学素子の製造方法を述べ
る。図３において、１はＧｅなどの基板、２はフォトレ
ジスト、３はフォトマスク、４はレジスト露光用のＵＶ
光である。まず、基板１上にフォトレジスト２を塗布す
る。次に、フォトレジスト２上にフォトマスク３を設置
し、フォトマスク３の上からＵＶ光４を照射してパター
ニング露光する。フォトマスク３のパターンは一定ピッ
チのラインアンドスペースである。現像後、レジスト２
のない部分の基板１面をソフトエッチングする。ソフト
エッチングとは、０．０２μｍ程度基板表面を削り、次
の蒸着工程で材料の密着性を良くするために行う処理で
ある。削り量が少ないので溝深さ不良や面荒れ等は生じ
ない。蒸着工程において蒸着される材料は基板１と同じ
材料であり、蒸着膜厚は作製する回折光学素子のパター
ンの溝深さにソフトエッチング深さを加算した値とす
る。蒸着工程において用いられる電子ビーム蒸着等の真
空蒸着は、蒸着時の膜厚制御がエッチング時より容易で
あり、溝深さの制御が容易にできる。最後に、レジスト
２を除去すると矩形の断面形状を有するパターン形成が
完了する。
る。図３において、１はＧｅなどの基板、２はフォトレ
ジスト、３はフォトマスク、４はレジスト露光用のＵＶ
光である。まず、基板１上にフォトレジスト２を塗布す
る。次に、フォトレジスト２上にフォトマスク３を設置
し、フォトマスク３の上からＵＶ光４を照射してパター
ニング露光する。フォトマスク３のパターンは一定ピッ
チのラインアンドスペースである。現像後、レジスト２
のない部分の基板１面をソフトエッチングする。ソフト
エッチングとは、０．０２μｍ程度基板表面を削り、次
の蒸着工程で材料の密着性を良くするために行う処理で
ある。削り量が少ないので溝深さ不良や面荒れ等は生じ
ない。蒸着工程において蒸着される材料は基板１と同じ
材料であり、蒸着膜厚は作製する回折光学素子のパター
ンの溝深さにソフトエッチング深さを加算した値とす
る。蒸着工程において用いられる電子ビーム蒸着等の真
空蒸着は、蒸着時の膜厚制御がエッチング時より容易で
あり、溝深さの制御が容易にできる。最後に、レジスト
２を除去すると矩形の断面形状を有するパターン形成が
完了する。
【００１６】実施の形態２．上記実施の形態１では、基
板１の片面に矩形の断面形状のパターンを形成し、入射
する炭酸ガスレーザ光を、上記パターンにより回折して
０次回折光と±１次回折光で構成される３つのビームに
分光する場合を示したが、基板１上に形成するパターン
のｄ、ｈをそれぞれ、例えばｄ＝０．５、ｈ＝１．５５
μｍとし、 η0＝０ η1＝η-1＝０．４１ η2＝η-2＝０ η3＝η-3＝０．０４ となるようにして、入射する炭酸ガスレーザ光を、±１
次回折光で構成される２つのビームに分光するようにし
てもよい。
板１の片面に矩形の断面形状のパターンを形成し、入射
する炭酸ガスレーザ光を、上記パターンにより回折して
０次回折光と±１次回折光で構成される３つのビームに
分光する場合を示したが、基板１上に形成するパターン
のｄ、ｈをそれぞれ、例えばｄ＝０．５、ｈ＝１．５５
μｍとし、 η0＝０ η1＝η-1＝０．４１ η2＝η-2＝０ η3＝η-3＝０．０４ となるようにして、入射する炭酸ガスレーザ光を、±１
次回折光で構成される２つのビームに分光するようにし
てもよい。
【００１７】また、基板１の両面にラインアンドスペー
スのパターンを形成し、その際、上記パターンを、例え
ば一方の面に３分光、他方の面に２分光のパターンを形
成するようにすれば、レーザ光を６分光することができ
る。同様に、両面に３分光のパターンを形成するとレー
ザビームを９分光することができる。また、両面に２分
光のパターンを形成するとレーザ光を４分光することが
できる。このように、本発明の回折光学素子は、簡単な
パターン構造によりレーザ光を２、３、４、６、９分光
することができ、安価で、かつ高性能の回折光学素子が
得られる効果がある。
スのパターンを形成し、その際、上記パターンを、例え
ば一方の面に３分光、他方の面に２分光のパターンを形
成するようにすれば、レーザ光を６分光することができ
る。同様に、両面に３分光のパターンを形成するとレー
ザビームを９分光することができる。また、両面に２分
光のパターンを形成するとレーザ光を４分光することが
できる。このように、本発明の回折光学素子は、簡単な
パターン構造によりレーザ光を２、３、４、６、９分光
することができ、安価で、かつ高性能の回折光学素子が
得られる効果がある。
【００１８】なお、上記各実施の形態においては、ライ
ンに垂直な断面のパターン形状が矩形形状のものを示し
たが、パターンの断面形状は、回折光による分光が可能
な範囲で多少の曲面があってもよい。
ンに垂直な断面のパターン形状が矩形形状のものを示し
たが、パターンの断面形状は、回折光による分光が可能
な範囲で多少の曲面があってもよい。
【００１９】
【発明の効果】以上のように、この発明の回折光学素子
は、炭酸ガスレーザ光に対して屈折率が４．０以上とな
る基板上に、一定ピッチのラインアンドスペースのパタ
ーンが形成され、入射する炭酸ガスレーザ光を、上記パ
ターンにより回折させて、０次回折光と±１次回折光、
または±１次回折光で構成される複数のビームに分光す
るものであるので、形成されるパターンは簡単であり、
かつパターンの溝の深さが浅く構成できるため、安価で
高性能な回折光学素子が得られる効果がある。
は、炭酸ガスレーザ光に対して屈折率が４．０以上とな
る基板上に、一定ピッチのラインアンドスペースのパタ
ーンが形成され、入射する炭酸ガスレーザ光を、上記パ
ターンにより回折させて、０次回折光と±１次回折光、
または±１次回折光で構成される複数のビームに分光す
るものであるので、形成されるパターンは簡単であり、
かつパターンの溝の深さが浅く構成できるため、安価で
高性能な回折光学素子が得られる効果がある。
【００２０】また、この発明の回折光学素子は、ライン
に垂直な断面のパターン形状が矩形であるので、分光特
性の優れた回折光が得られる効果がある。
に垂直な断面のパターン形状が矩形であるので、分光特
性の優れた回折光が得られる効果がある。
【００２１】また、この発明の回折光学素子は、基板上
に形成されるパターンが、ノイズ光となる±２次回折光
の光強度と±３次回折光の光強度とが同じ強度となるよ
うなパターン形状であるので、ノイズ光（不要な光）を
小さくでき、レーザ加工の品質を良くできる効果があ
る。
に形成されるパターンが、ノイズ光となる±２次回折光
の光強度と±３次回折光の光強度とが同じ強度となるよ
うなパターン形状であるので、ノイズ光（不要な光）を
小さくでき、レーザ加工の品質を良くできる効果があ
る。
【００２２】また、この発明の回折光学素子の製造方法
は、炭酸ガスレーザ光に対して屈折率が４．０以上とな
る基板上にフォトレジストを塗布する工程、上記レジス
トに一定ピッチのラインアンドスペースのパターンを露
光する工程、露光した上記レジストを現像する工程、現
像後に上記基板をソフトエッチングする工程、ソフトエ
ッチング後に上記基板と同一材料を蒸着する工程、及び
蒸着後に上記レジストを除去する工程を施すので、形成
されるパターンの溝の深さは浅くてよく、かつ深さ制御
が容易であるため、面荒れが生じず、安定した性能の素
子を製造できる効果がある。
は、炭酸ガスレーザ光に対して屈折率が４．０以上とな
る基板上にフォトレジストを塗布する工程、上記レジス
トに一定ピッチのラインアンドスペースのパターンを露
光する工程、露光した上記レジストを現像する工程、現
像後に上記基板をソフトエッチングする工程、ソフトエ
ッチング後に上記基板と同一材料を蒸着する工程、及び
蒸着後に上記レジストを除去する工程を施すので、形成
されるパターンの溝の深さは浅くてよく、かつ深さ制御
が容易であるため、面荒れが生じず、安定した性能の素
子を製造できる効果がある。
【図１】 本発明の実施の形態１による回折光学素子を
使用したレーザ加工装置を示す構成図である。
使用したレーザ加工装置を示す構成図である。
【図２】 本発明の実施の形態１による回折光学素子を
示す部分斜視図である。
示す部分斜視図である。
【図３】 本発明の実施の形態１による回折光学素子の
製造方法を示す図である。
製造方法を示す図である。
【図４】 従来の回折光学素子の製造方法を示す図であ
る。
る。
１，１０ 基板、２ フォトレジスト、３，３０ フォ
トマスク、４ ＵＶ光、１００ 回折光学素子、２００
レンズ、３００ ワーク。
トマスク、４ ＵＶ光、１００ 回折光学素子、２００
レンズ、３００ ワーク。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 祝 靖彦 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 森 誉 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 2H049 AA03 AA13 AA31 AA37 AA46 AA53 AA66 4E068 CD04 CD08 DA11
Claims (4)
- 【請求項１】 炭酸ガスレーザ光に対して屈折率が４．
０以上となる基板上に、一定ピッチのラインアンドスペ
ースのパターンが形成され、入射する炭酸ガスレーザ光
を、上記パターンにより回折させて、０次回折光と±１
次回折光、または±１次回折光で構成される複数のビー
ムに分光する回折光学素子。 - 【請求項２】 ラインに垂直な断面のパターン形状は矩
形である請求項１記載の回折光学素子。 - 【請求項３】 基板上に形成されるパターンは、ノイズ
光となる±２次回折光の光強度と±３次回折光の光強度
とが同じ強度となるようなパターン形状である請求項１
または２記載の回折光学素子。 - 【請求項４】 炭酸ガスレーザ光に対して屈折率が４．
０以上となる基板上にフォトレジストを塗布する工程、
上記レジストに一定ピッチのラインアンドスペースのパ
ターンを露光する工程、露光した上記レジストを現像す
る工程、現像後に上記基板をソフトエッチングする工
程、ソフトエッチング後に上記基板と同一材料を蒸着す
る工程、及び蒸着後に上記レジストを除去する工程を施
した回折光学素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000371104A JP2002174710A (ja) | 2000-12-06 | 2000-12-06 | 回折光学素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000371104A JP2002174710A (ja) | 2000-12-06 | 2000-12-06 | 回折光学素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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