JP2002174674A - 半導体試験装置及びその予防保守方法 - Google Patents
半導体試験装置及びその予防保守方法Info
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- JP2002174674A JP2002174674A JP2000374692A JP2000374692A JP2002174674A JP 2002174674 A JP2002174674 A JP 2002174674A JP 2000374692 A JP2000374692 A JP 2000374692A JP 2000374692 A JP2000374692 A JP 2000374692A JP 2002174674 A JP2002174674 A JP 2002174674A
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2884—Testing of integrated circuits [IC] using dedicated test connectors, test elements or test circuits on the IC under test
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、不具合が発生する前に保守ができ
る半導体試験装置の予防保守方法と、その予防保守機能
を有する半導体試験装置を提供する。 【解決手段】 自己診断プログラムにより動作の自己診
断をおこなう半導体試験装置の予防保守方法において、
前記自己診断により取得したデータに予防リミット値を
設定するステップと、前記半導体試験装置の設置時にお
ける基準となる第１の自己診断データを取得するステッ
プと、前記半導体試験装置の稼働後における第２の自己
診断データを取得するステップと、前記第２の自己診断
データと、前記第１の自己診断データとを前記予防リミ
ット値内かどうか比較判定するステップとを設ける。
る半導体試験装置の予防保守方法と、その予防保守機能
を有する半導体試験装置を提供する。 【解決手段】 自己診断プログラムにより動作の自己診
断をおこなう半導体試験装置の予防保守方法において、
前記自己診断により取得したデータに予防リミット値を
設定するステップと、前記半導体試験装置の設置時にお
ける基準となる第１の自己診断データを取得するステッ
プと、前記半導体試験装置の稼働後における第２の自己
診断データを取得するステップと、前記第２の自己診断
データと、前記第１の自己診断データとを前記予防リミ
ット値内かどうか比較判定するステップとを設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体試験装置の
予防保守方法、及びその予防保守方法の手段を設けた半
導体試験装置に関する。
予防保守方法、及びその予防保守方法の手段を設けた半
導体試験装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術の例について、図５〜図８を参
照して構成例と動作例について説明する。最初に、半導
体試験装置の全体構成例の概要について説明する。図５
に示すように、半導体試験装置は、ワークステーション
１０と、メインフレーム２０と、テストヘッド３０と、
パフォーマンスボード８０と、ＩＣソケット９０とで構
成している。
照して構成例と動作例について説明する。最初に、半導
体試験装置の全体構成例の概要について説明する。図５
に示すように、半導体試験装置は、ワークステーション
１０と、メインフレーム２０と、テストヘッド３０と、
パフォーマンスボード８０と、ＩＣソケット９０とで構
成している。
【０００３】ワークステーション１０は、半導体試験装
置と人と、また半導体試験装置と電気通信回線とのイン
タフェースとなる入出力手段である。
置と人と、また半導体試験装置と電気通信回線とのイン
タフェースとなる入出力手段である。
【０００４】メインフレーム２０は、半導体試験装置の
電源部と、電源ユニットと、コンピュータと、試験信号
の生成部と、論理比較器等の各種ユニットを内蔵してい
る。
電源部と、電源ユニットと、コンピュータと、試験信号
の生成部と、論理比較器等の各種ユニットを内蔵してい
る。
【０００５】テストヘッド３０は、ピンエレクトロニク
ス３１の基板を試験チャンネル数に対応して多数内蔵し
ている。
ス３１の基板を試験チャンネル数に対応して多数内蔵し
ている。
【０００６】パフォーマンスボード８０は、ＤＵＴ（被
試験デバイス）試験ボードであり、ピンエレクトロニク
ス３１の電子回路に電気接続されるＩＣソケット９０を
搭載している。
試験デバイス）試験ボードであり、ピンエレクトロニク
ス３１の電子回路に電気接続されるＩＣソケット９０を
搭載している。
【０００７】ＩＣソケット９０は、被試験デバイスであ
るＤＵＴを搭載するソケットである。
るＤＵＴを搭載するソケットである。
【０００８】次に、半導体試験装置の論理試験例の概要
について、図６のブロック図を参照して説明する。但
し、図を簡明とするため、ＤＵＴ９０の各ピンに対応し
て多数あるドライバＤＲとコンパレータＣＰとは、それ
ぞれ１つを示している。
について、図６のブロック図を参照して説明する。但
し、図を簡明とするため、ＤＵＴ９０の各ピンに対応し
て多数あるドライバＤＲとコンパレータＣＰとは、それ
ぞれ１つを示している。
【０００９】パターン発生器５において、タイミング発
生器４から出力された基本クロック信号に同期して論理
データを発生する。
生器４から出力された基本クロック信号に同期して論理
データを発生する。
【００１０】波形整形器６において、パターン発生器５
からの論理データと、タイミング発生器４からのクロッ
ク信号とで試験パターンを生成する。
からの論理データと、タイミング発生器４からのクロッ
ク信号とで試験パターンを生成する。
【００１１】ピンエレクトロニクス３１において、試験
パターンはドライバＤＲにより所望の論理電圧（ＶＩ
Ｈ、ＶＩＬ）に設定され、ＤＵＴ９１の入力ピンに出力
する。
パターンはドライバＤＲにより所望の論理電圧（ＶＩ
Ｈ、ＶＩＬ）に設定され、ＤＵＴ９１の入力ピンに出力
する。
【００１２】ＤＵＴ９１の出力ピンからの出力信号は、
ピンエレクトロニクス３１のコンパレータＣＰの比較電
圧（ＶＯＨ、ＶＯＬ）により電圧比較した後、論理信号
として論理比較器７へ出力する。
ピンエレクトロニクス３１のコンパレータＣＰの比較電
圧（ＶＯＨ、ＶＯＬ）により電圧比較した後、論理信号
として論理比較器７へ出力する。
【００１３】論理比較器７において、タイミング発生器
４からのストローブ信号のタイミングで、コンパレータ
ＣＰの論理出力信号と、パターン発生器５からの期待値
とを、論理比較してパス／フェイル判定をおこなう。
４からのストローブ信号のタイミングで、コンパレータ
ＣＰの論理出力信号と、パターン発生器５からの期待値
とを、論理比較してパス／フェイル判定をおこなう。
【００１４】次に、半導体試験装置の試験精度を確保す
るためのキャリブレーションと、各ユニットの動作を半
導体試験装置自体で試験する自己診断について説明す
る。キャリブレーションは、電圧等のキャリブレーショ
ンとタイミングのキャリブレーションとがある。
るためのキャリブレーションと、各ユニットの動作を半
導体試験装置自体で試験する自己診断について説明す
る。キャリブレーションは、電圧等のキャリブレーショ
ンとタイミングのキャリブレーションとがある。
【００１５】電圧等のキャリブレーションは、電圧以外
に、電流や抵抗についてのキャリブレーションもある
が、電圧の場合と同様に行えるので電圧のキャリブレー
ションの例について以下説明する。タイミングのキャリ
ブレーションは、例えば、図６に示すクロックやストロ
ーブの出力タイミングのキャリブレーションがある。
に、電流や抵抗についてのキャリブレーションもある
が、電圧の場合と同様に行えるので電圧のキャリブレー
ションの例について以下説明する。タイミングのキャリ
ブレーションは、例えば、図６に示すクロックやストロ
ーブの出力タイミングのキャリブレーションがある。
【００１６】電圧のキャリブレーションが必要なものと
しては、例えば、図６に示すドライバＤＲ、及びコンパ
レータＣＰにおける設定電圧（ＶＩＨ、ＶＩＬ、ＶＯ
Ｈ、ＶＯＬ）等がある。図に示してはいないが、設定電
圧のキャリブレーションは、基準グランドを被測定デバ
イスの近傍に設けて、基準グランド電位と設定電圧生成
部のグランド電位とのオフセット（誤差）を補正するこ
とにより行っている。例えば、設定電圧のキャリブレー
ションを行う補正回路の一例について説明する。図７に
示すように、補正回路は、設定データをアナログ電圧に
変換するＤ／Ａ変換器２１と、補正データをアナログ電
圧に変換する補正用のＤ／Ａ変換器２２との出力電圧と
を加算回路２３で加算し、基準グランド電位からのオフ
セットを補正した試験電圧を出力している。
しては、例えば、図６に示すドライバＤＲ、及びコンパ
レータＣＰにおける設定電圧（ＶＩＨ、ＶＩＬ、ＶＯ
Ｈ、ＶＯＬ）等がある。図に示してはいないが、設定電
圧のキャリブレーションは、基準グランドを被測定デバ
イスの近傍に設けて、基準グランド電位と設定電圧生成
部のグランド電位とのオフセット（誤差）を補正するこ
とにより行っている。例えば、設定電圧のキャリブレー
ションを行う補正回路の一例について説明する。図７に
示すように、補正回路は、設定データをアナログ電圧に
変換するＤ／Ａ変換器２１と、補正データをアナログ電
圧に変換する補正用のＤ／Ａ変換器２２との出力電圧と
を加算回路２３で加算し、基準グランド電位からのオフ
セットを補正した試験電圧を出力している。
【００１７】次に、従来の半導体試験装置における自己
診断例について、図８のフローチャートを参照して以下
箇条書きで説明する。
診断例について、図８のフローチャートを参照して以下
箇条書きで説明する。
【００１８】（１）半導体試験装置のキャリブレーショ
ンを実行して電圧精度とタイミング精度とを確保した上
で、装置の各ユニットの動作を自己診断プログラムによ
り試験する（ステップ１００）。
ンを実行して電圧精度とタイミング精度とを確保した上
で、装置の各ユニットの動作を自己診断プログラムによ
り試験する（ステップ１００）。
【００１９】（２）自己診断プログラムを実行して取得
した自己診断データが診断リミット値内の結果であれば
パス（ＰＡＳＳ）となり自己診断を終了（エンド）し、
診断リミット値外の結果であればフェイル（ＦＡＩＬ）
となりステップ１２０へすすむ（ステップ１１０）。
した自己診断データが診断リミット値内の結果であれば
パス（ＰＡＳＳ）となり自己診断を終了（エンド）し、
診断リミット値外の結果であればフェイル（ＦＡＩＬ）
となりステップ１２０へすすむ（ステップ１１０）。
【００２０】（３）自己診断によりフェイルしたユニッ
トを交換して保守をおこない、ステップ１００へ戻る
（ステップ１２０）。
トを交換して保守をおこない、ステップ１００へ戻る
（ステップ１２０）。
【００２１】従来の半導体試験装置は、試験精度の確保
はキャリブレーションにより、また各ユニットの動作の
試験は自己診断により行うことができた。しかし、半導
体試験装置の各ユニット等の不良が発生したあとでなけ
れば保守作業を行えず、ＭＴＢＦ（Mean Time Between
Failuers）、ＭＴＴＲ(Mean Timeto Repair)の低下要因
となっていた。また、不具合が発生したあとで保守作業
を行うと、交換ユニットの手配をしてから入手するまで
の期間が長くなったり、ユニット交換のためダウンタイ
ムが長くなったりする不都合がある。
はキャリブレーションにより、また各ユニットの動作の
試験は自己診断により行うことができた。しかし、半導
体試験装置の各ユニット等の不良が発生したあとでなけ
れば保守作業を行えず、ＭＴＢＦ（Mean Time Between
Failuers）、ＭＴＴＲ(Mean Timeto Repair)の低下要因
となっていた。また、不具合が発生したあとで保守作業
を行うと、交換ユニットの手配をしてから入手するまで
の期間が長くなったり、ユニット交換のためダウンタイ
ムが長くなったりする不都合がある。
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】上記説明のように、従
来の半導体試験装置は、試験精度の確保はキャリブレー
ションにより、また各ユニットの動作の試験は自己診断
により行うことができたが、不具合が発生したあとでな
ければ保守作業を行えずＭＴＢＦ、ＭＴＴＲが低下する
等の実用上の問題があった。そこで、本発明は、こうし
た問題に鑑みなされたもので、その目的は、自己診断に
よる不具合が発生する前に保守ができる半導体試験装置
の予防保守方法と、その予防保守手段を設けた半導体試
験装置を提供することにある。
来の半導体試験装置は、試験精度の確保はキャリブレー
ションにより、また各ユニットの動作の試験は自己診断
により行うことができたが、不具合が発生したあとでな
ければ保守作業を行えずＭＴＢＦ、ＭＴＴＲが低下する
等の実用上の問題があった。そこで、本発明は、こうし
た問題に鑑みなされたもので、その目的は、自己診断に
よる不具合が発生する前に保守ができる半導体試験装置
の予防保守方法と、その予防保守手段を設けた半導体試
験装置を提供することにある。
【００２３】
【課題を解決するための手段】即ち、上記目的を達成す
るためになされた本発明の第１は、自己診断プログラム
により動作の自己診断をおこなう半導体試験装置の予防
保守方法において、自己診断により取得するデータに予
防リミット値を設定するステップと、自己診断の実行に
より基準データを取得するステップと、前記自己診断の
基準データの取得後における自己診断の実行により比較
データを取得するステップと、前記比較データと、前記
基準データとの差が、前記予防リミット値内かどうか比
較判定するステップと、を設けた半導体試験装置の予防
保守方法を要旨としている。
るためになされた本発明の第１は、自己診断プログラム
により動作の自己診断をおこなう半導体試験装置の予防
保守方法において、自己診断により取得するデータに予
防リミット値を設定するステップと、自己診断の実行に
より基準データを取得するステップと、前記自己診断の
基準データの取得後における自己診断の実行により比較
データを取得するステップと、前記比較データと、前記
基準データとの差が、前記予防リミット値内かどうか比
較判定するステップと、を設けた半導体試験装置の予防
保守方法を要旨としている。
【００２４】また、上記目的を達成するためになされた
本発明の第２は、キャリブレーションによりオフセット
の補正をおこなう半導体試験装置の予防保守方法におい
て、前記キャリブレーションにより取得するオフセット
の補正データに予防リミット値を設定するステップと、
キャリブレーションの実行によりオフセットの基準補正
データを取得するステップと、基準となる補正データ取
得後におけるキャリブレーションの実行による比較補正
データを取得するステップと、前記比較補正データと、
前記基準補正データとを比較するステップと、を設けた
半導体試験装置の予防保守方法を要旨としている。
本発明の第２は、キャリブレーションによりオフセット
の補正をおこなう半導体試験装置の予防保守方法におい
て、前記キャリブレーションにより取得するオフセット
の補正データに予防リミット値を設定するステップと、
キャリブレーションの実行によりオフセットの基準補正
データを取得するステップと、基準となる補正データ取
得後におけるキャリブレーションの実行による比較補正
データを取得するステップと、前記比較補正データと、
前記基準補正データとを比較するステップと、を設けた
半導体試験装置の予防保守方法を要旨としている。
【００２５】また、上記目的を達成するためになされた
本発明の第３は、前記予防リミット値内かどうか比較判
定した結果を表示手段に表示するステップを設けた本発
明第１又は２記載の半導体試験装置の予防保守方法を要
旨としている。
本発明の第３は、前記予防リミット値内かどうか比較判
定した結果を表示手段に表示するステップを設けた本発
明第１又は２記載の半導体試験装置の予防保守方法を要
旨としている。
【００２６】また、上記目的を達成するためになされた
本発明の第４は、本発明第１、２又は３記載の前記基準
データが、半導体試験装置の設置、移設又は保守を行っ
たときに取得更新する診断データである半導体試験装置
の予防保守方法を要旨としている。
本発明の第４は、本発明第１、２又は３記載の前記基準
データが、半導体試験装置の設置、移設又は保守を行っ
たときに取得更新する診断データである半導体試験装置
の予防保守方法を要旨としている。
【００２７】また、上記目的を達成するためになされた
本発明の第５は、前記比較判定結果をファイルとして電
気通信回線により転送する本発明第１、２、３又は４記
載の半導体試験装置の予防保守方法を要旨としている。
本発明の第５は、前記比較判定結果をファイルとして電
気通信回線により転送する本発明第１、２、３又は４記
載の半導体試験装置の予防保守方法を要旨としている。
【００２８】また、上記目的を達成するためになされた
本発明の第６は、自己診断プログラムにより動作の自己
診断をおこなう半導体試験装置において、自己診断によ
り取得するデータに予防リミット値を設定する手段と、
自己診断の実行により基準データを取得する手段と、前
記自己診断の基準データの取得後における自己診断の実
行により比較データを取得する手段と、前記比較データ
と、前記基準データとの差が、前記予防リミット値内か
どうか比較判定する手段と、を設けた半導体試験装置を
要旨としている。
本発明の第６は、自己診断プログラムにより動作の自己
診断をおこなう半導体試験装置において、自己診断によ
り取得するデータに予防リミット値を設定する手段と、
自己診断の実行により基準データを取得する手段と、前
記自己診断の基準データの取得後における自己診断の実
行により比較データを取得する手段と、前記比較データ
と、前記基準データとの差が、前記予防リミット値内か
どうか比較判定する手段と、を設けた半導体試験装置を
要旨としている。
【００２９】また、上記目的を達成するためになされた
本発明の第７は、キャリブレーションによりオフセット
データの補正をおこなう半導体試験装置において、前記
キャリブレーションにより取得するオフセットデータに
予防リミット値を設定する手段と、キャリブレーション
の実行により基準オフセットデータを取得する手段と、
基準となるオフセットデータ取得後におけるキャリブレ
ーションの実行による比較オフセットデータを取得する
手段と、前記比較オフセットデータと、前記基準オフセ
ットデータとを比較する手段と、比較結果が前記予防リ
ミット値内かどうか比較判定する手段と、を設けた半導
体試験装置を要旨としている。
本発明の第７は、キャリブレーションによりオフセット
データの補正をおこなう半導体試験装置において、前記
キャリブレーションにより取得するオフセットデータに
予防リミット値を設定する手段と、キャリブレーション
の実行により基準オフセットデータを取得する手段と、
基準となるオフセットデータ取得後におけるキャリブレ
ーションの実行による比較オフセットデータを取得する
手段と、前記比較オフセットデータと、前記基準オフセ
ットデータとを比較する手段と、比較結果が前記予防リ
ミット値内かどうか比較判定する手段と、を設けた半導
体試験装置を要旨としている。
【００３０】また、上記目的を達成するためになされた
本発明の第８は、前記予防リミット値内かどうか比較判
定した結果を表示手段に表示する手段を設けた本発明第
５、６又は７記載の半導体試験装置を要旨としている。
本発明の第８は、前記予防リミット値内かどうか比較判
定した結果を表示手段に表示する手段を設けた本発明第
５、６又は７記載の半導体試験装置を要旨としている。
【００３１】また、上記目的を達成するためになされた
本発明の第９は、本発明第５、６、７又は８記載の前記
基準データは、半導体試験装置の設置、移設又は保守を
行ったときに取得更新する半導体試験装置を要旨として
いる。
本発明の第９は、本発明第５、６、７又は８記載の前記
基準データは、半導体試験装置の設置、移設又は保守を
行ったときに取得更新する半導体試験装置を要旨として
いる。
【００３２】また、上記目的を達成するためになされた
本発明の第１０は、前記比較判定結果をファイルとして
電気通信回線により転送する本発明第５、６、７、８又
は９記載の半導体試験装置を要旨としている。 〔発明の詳細な説明〕
本発明の第１０は、前記比較判定結果をファイルとして
電気通信回線により転送する本発明第５、６、７、８又
は９記載の半導体試験装置を要旨としている。 〔発明の詳細な説明〕
【００３３】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態は、下記の実
施例において説明する。
施例において説明する。
【００３４】
【実施例】（実施例１）本発明の実施例について、図１
〜図７を参照して説明する。半導体試験装置の全体構成
例の概要と、半導体試験装置の論理試験例の概要と、従
来技術と同様であり、従来技術において説明したので説
明を省略する。
〜図７を参照して説明する。半導体試験装置の全体構成
例の概要と、半導体試験装置の論理試験例の概要と、従
来技術と同様であり、従来技術において説明したので説
明を省略する。
【００３５】そして、半導体試験装置の試験精度を確保
するためのキャリブレーションと、各ユニットの動作を
半導体試験装置自体で試験する自己診断についても従来
と同様であり従来技術において説明したので説明を省略
する。
するためのキャリブレーションと、各ユニットの動作を
半導体試験装置自体で試験する自己診断についても従来
と同様であり従来技術において説明したので説明を省略
する。
【００３６】また、電圧のキャリブレーションを行う補
正回路も図７において示したように、設定データをアナ
ログ電圧に変換するＤ／Ａ変換器２１と、補正データを
アナログ電圧に変換する補正用のＤ／Ａ変換器２２との
出力電圧を加算回路２３で加算して、設定電圧を補正し
た試験電圧を出力している。
正回路も図７において示したように、設定データをアナ
ログ電圧に変換するＤ／Ａ変換器２１と、補正データを
アナログ電圧に変換する補正用のＤ／Ａ変換器２２との
出力電圧を加算回路２３で加算して、設定電圧を補正し
た試験電圧を出力している。
【００３７】本発明の半導体試験装置における予防保守
の方法について、図１のフローチャートを参照して以下
箇条書きで説明する。
の方法について、図１のフローチャートを参照して以下
箇条書きで説明する。
【００３８】（１）予防リミット値を設定する（ステッ
プ２００）。
プ２００）。
【００３９】（２）半導体試験装置のキャリブレーショ
ンを実行して電圧精度とタイミング精度とを確保した上
で、装置の各ユニットの動作を自己診断プログラムを実
行することにより自己診断データを取得する（ステップ
２１０）。
ンを実行して電圧精度とタイミング精度とを確保した上
で、装置の各ユニットの動作を自己診断プログラムを実
行することにより自己診断データを取得する（ステップ
２１０）。
【００４０】（３）自己診断プログラムを実行した自己
診断データが診断リミット値内の結果であればパス（Ｐ
ＡＳＳ）となりステップ２３０へすすみ、診断リミット
値外の結果であればフェイル（ＦＡＩＬ）となりステッ
プ２２１へすすむ（ステップ２２０）。
診断データが診断リミット値内の結果であればパス（Ｐ
ＡＳＳ）となりステップ２３０へすすみ、診断リミット
値外の結果であればフェイル（ＦＡＩＬ）となりステッ
プ２２１へすすむ（ステップ２２０）。
【００４１】（４）自己診断によりフェイルしたユニッ
トを交換して保守をおこない、ステップ２１０へ戻る
（ステップ２２１）。
トを交換して保守をおこない、ステップ２１０へ戻る
（ステップ２２１）。
【００４２】（５）半導体試験装置を設置または保守を
おこなった場合は、ステップ２４０へすすみ、そうでな
ければステップ２７０へすすむ（ステップ２３０）。
おこなった場合は、ステップ２４０へすすみ、そうでな
ければステップ２７０へすすむ（ステップ２３０）。
【００４３】（６）半導体試験装置を設置または保守を
おこなった後のパスした自己診断データを基準データと
して設定する（ステップ２４０）。
おこなった後のパスした自己診断データを基準データと
して設定する（ステップ２４０）。
【００４４】（７）半導体試験装置のキャリブレーショ
ンを実行して電圧とタイミング精度を確保した上で、各
ユニットの動作を自己診断プログラムを実行することに
より自己診断データを取得する（ステップ２５０）。
ンを実行して電圧とタイミング精度を確保した上で、各
ユニットの動作を自己診断プログラムを実行することに
より自己診断データを取得する（ステップ２５０）。
【００４５】（８）自己診断プログラムを実行した自己
診断データが診断リミット値内の結果であればパス（Ｐ
ＡＳＳ）となりステップ２７０へすすみ、診断リミット
値外の結果であればフェイル（ＦＡＩＬ）となりステッ
プ２２１へすすむ（ステップ２６０）。
診断データが診断リミット値内の結果であればパス（Ｐ
ＡＳＳ）となりステップ２７０へすすみ、診断リミット
値外の結果であればフェイル（ＦＡＩＬ）となりステッ
プ２２１へすすむ（ステップ２６０）。
【００４６】（９）ステップ２４０の基準データと、ス
テップ２１０またはステップ２５０で取得した自己診断
データの比較データとを比較して差のデータを求める
（ステップ２７０）。
テップ２１０またはステップ２５０で取得した自己診断
データの比較データとを比較して差のデータを求める
（ステップ２７０）。
【００４７】（１０）比較した差のデータがステップ２
００で設定した予防リミット値内であれば終了（エン
ド）し、予防リミット値外であればステップ２９０へす
すむ（ステップ２８０）。
００で設定した予防リミット値内であれば終了（エン
ド）し、予防リミット値外であればステップ２９０へす
すむ（ステップ２８０）。
【００４８】（１１）ステップ２８０での比較結果のデ
ータが予防リミット値外であれば、表示手段に警告表示
をさせる（２９０）。
ータが予防リミット値外であれば、表示手段に警告表示
をさせる（２９０）。
【００４９】（１２）警告表示により予防保守するなら
ばステップ２２１へすすみ、予防保守しないならば終了
（エンド）する（３００）。
ばステップ２２１へすすみ、予防保守しないならば終了
（エンド）する（３００）。
【００５０】以上のステップの方法により、時系列での
変化の大きいデータをとらえて故障予測して対策するこ
とができるので半導体試験装置の予防保守ができる。次
に、予防保守をおこなうための取得データの具体例につ
いて説明する。例えば、ステップ２４０で設定した自己
診断による基準データは、図２（ａ）に示すように、ド
ライバの出力電圧が−３Ｖ、自己診断の上限値（ＵＬＭ
Ｔ）が−２．９５２Ｖ、下限値（ＬＬＭＴ）が−３．０
４８Ｖとしたとき、各ピン番号１、２、３、４・・・に
対応して得られる。
変化の大きいデータをとらえて故障予測して対策するこ
とができるので半導体試験装置の予防保守ができる。次
に、予防保守をおこなうための取得データの具体例につ
いて説明する。例えば、ステップ２４０で設定した自己
診断による基準データは、図２（ａ）に示すように、ド
ライバの出力電圧が−３Ｖ、自己診断の上限値（ＵＬＭ
Ｔ）が−２．９５２Ｖ、下限値（ＬＬＭＴ）が−３．０
４８Ｖとしたとき、各ピン番号１、２、３、４・・・に
対応して得られる。
【００５１】また、ステップ２５０で取得する自己診断
による比較データは、図２（ｂ）に示すように、ステッ
プ２１０に対応するドライバの出力電圧が−３Ｖ、自己
診断の上限値（ＵＬＭＴ）が−２．９５２Ｖ、下限値
（ＬＬＭＴ）が−３．０４８Ｖのとき、各ピン番号１、
２、３、４・・・に対応して得られる。
による比較データは、図２（ｂ）に示すように、ステッ
プ２１０に対応するドライバの出力電圧が−３Ｖ、自己
診断の上限値（ＵＬＭＴ）が−２．９５２Ｖ、下限値
（ＬＬＭＴ）が−３．０４８Ｖのとき、各ピン番号１、
２、３、４・・・に対応して得られる。
【００５２】また、ステップ２７０では、図３に示すよ
うに、各ピン番号１、２、３、４・・・に対応して基準
データと比較データとの差のデータが得られる。図３の
例では、予防リミット値を±３０ｍＶとしたとき、ピン
番号４のデータ３４ｍＶが予防リミット値を越えている
ので、ピン番号４の信号系に関して保守するかどうか決
める。
うに、各ピン番号１、２、３、４・・・に対応して基準
データと比較データとの差のデータが得られる。図３の
例では、予防リミット値を±３０ｍＶとしたとき、ピン
番号４のデータ３４ｍＶが予防リミット値を越えている
ので、ピン番号４の信号系に関して保守するかどうか決
める。
【００５３】ここで、自己診断の上限値と下限値の範囲
を単に狭くすることにより予防リミット値を定めていな
いのは、各ピンの実際の測定データは自己診断の中心値
とはなっていないし、各ピンの時系列での変化の傾向を
とらえるには、実際に測定した値を基準値とする必要が
あるからである。
を単に狭くすることにより予防リミット値を定めていな
いのは、各ピンの実際の測定データは自己診断の中心値
とはなっていないし、各ピンの時系列での変化の傾向を
とらえるには、実際に測定した値を基準値とする必要が
あるからである。
【００５４】例えば、自己診断の上限値と下限値の範囲
を単に狭くして、予防リミットをドライバＤＲ出力３Ｖ
を中心に±３０ｍＶとすれば、上限値は−２．９７０
Ｖ、下限値は−３．０３０Ｖとなる。この場合、図２の
（ｂ）の例ではピン番号３のみが予防リミット値を越え
ていることになる。しかし、半導体試験装置を設置した
ときからの時系列的なデータ差でみた場合、図３に示す
ようにピン番号３は５ｍＶにすぎないが、予防リミット
値の範囲内にあるピン番号４は３４ｍＶもある。従っ
て、単に自己診断の上限値と下限値の範囲を単に狭くす
ることにより予防リミット値を定めることは、電気部品
等の時系列的な劣化による故障モードの検出方法として
適していない。
を単に狭くして、予防リミットをドライバＤＲ出力３Ｖ
を中心に±３０ｍＶとすれば、上限値は−２．９７０
Ｖ、下限値は−３．０３０Ｖとなる。この場合、図２の
（ｂ）の例ではピン番号３のみが予防リミット値を越え
ていることになる。しかし、半導体試験装置を設置した
ときからの時系列的なデータ差でみた場合、図３に示す
ようにピン番号３は５ｍＶにすぎないが、予防リミット
値の範囲内にあるピン番号４は３４ｍＶもある。従っ
て、単に自己診断の上限値と下限値の範囲を単に狭くす
ることにより予防リミット値を定めることは、電気部品
等の時系列的な劣化による故障モードの検出方法として
適していない。
【００５５】また、本実施例では、テストプログラム設
定値に対して取得した自己診断データを基準データとし
て説明したが、テストプログラムに依存しない半導体試
験装置固有のオフセット誤差を補正するキャリブレーシ
ョンにより得られる補正データを使用することもでき
る。そして、補正データを基準データとしたときは、予
防リミット値も補正データに対して設け、比較データも
補正データとすれば同様に予防保守が実現できる。例え
ば、図７に示す補正用のＤ／Ａ変換器２２の補正データ
の予防リミット値を＃２０（１６進数）とした場合、半
導体試験装置を設置後のあるピンの基準データが＃０３
８５（１６進数）で、その後取得したそのピンの比較デ
ータが＃０３Ａ９（１６進数）としたとき、その差のデ
ータは＃００２４（１６進数）となるので、そのピンの
系に関して予防保守をおこなう。
定値に対して取得した自己診断データを基準データとし
て説明したが、テストプログラムに依存しない半導体試
験装置固有のオフセット誤差を補正するキャリブレーシ
ョンにより得られる補正データを使用することもでき
る。そして、補正データを基準データとしたときは、予
防リミット値も補正データに対して設け、比較データも
補正データとすれば同様に予防保守が実現できる。例え
ば、図７に示す補正用のＤ／Ａ変換器２２の補正データ
の予防リミット値を＃２０（１６進数）とした場合、半
導体試験装置を設置後のあるピンの基準データが＃０３
８５（１６進数）で、その後取得したそのピンの比較デ
ータが＃０３Ａ９（１６進数）としたとき、その差のデ
ータは＃００２４（１６進数）となるので、そのピンの
系に関して予防保守をおこなう。
【００５６】ところで、本実施例の半導体試験装置で試
験するＤＵＴは、ロジックＩＣ、メモリＩＣ、ＡＳＩ
Ｃ、アナログ・デジタル混在ＩＣ、システムＬＳＩ等何
ら制限はなく同様に実現できる。また、本実施例では、
基準データの取得を、半導体試験装置の設置または保守
をおこなった場合で説明したが、半導体試験装置の状況
に変化がある移設などの場合も同様に適用できる。
験するＤＵＴは、ロジックＩＣ、メモリＩＣ、ＡＳＩ
Ｃ、アナログ・デジタル混在ＩＣ、システムＬＳＩ等何
ら制限はなく同様に実現できる。また、本実施例では、
基準データの取得を、半導体試験装置の設置または保守
をおこなった場合で説明したが、半導体試験装置の状況
に変化がある移設などの場合も同様に適用できる。
【００５７】また、本実施例では電圧のキャリブレーシ
ョンの場合で説明したが、タイミングのキャリブレーシ
ョンの場合でも、タイミングのキャリブレーションを遅
延時間の可変により行う場合、電圧制御の遅延手段等を
使用して同様に実現できる。例えば、図７に示すよう
に、Ｄ／Ａ変換器２１によりデータ設定し、補正用のＤ
／Ａ変換器２２によりデータ補正し、加算回路２３で加
算した試験電圧を遅延手段の制御電圧とすることで同様
にタイミングのキャリブレーションを行える。
ョンの場合で説明したが、タイミングのキャリブレーシ
ョンの場合でも、タイミングのキャリブレーションを遅
延時間の可変により行う場合、電圧制御の遅延手段等を
使用して同様に実現できる。例えば、図７に示すよう
に、Ｄ／Ａ変換器２１によりデータ設定し、補正用のＤ
／Ａ変換器２２によりデータ補正し、加算回路２３で加
算した試験電圧を遅延手段の制御電圧とすることで同様
にタイミングのキャリブレーションを行える。
【００５８】（実施例２）本発明の実施例２について、
図４を参照して説明する。予防保守のリミット値は、ユ
ーザ側のデータに基づき自己診断プログラムに設定して
おくことも出来るが、多数のユーザが使用している保守
情報を取得しているメーカ側からリミット値をフィード
バックすることでより的確に設定できる。
図４を参照して説明する。予防保守のリミット値は、ユ
ーザ側のデータに基づき自己診断プログラムに設定して
おくことも出来るが、多数のユーザが使用している保守
情報を取得しているメーカ側からリミット値をフィード
バックすることでより的確に設定できる。
【００５９】そこで、図４に示すように、例えばユーザ
側の半導体試験装置５１のワークステーション、半導体
試験装置５２のワークステーションを通信回線６０に接
続する。
側の半導体試験装置５１のワークステーション、半導体
試験装置５２のワークステーションを通信回線６０に接
続する。
【００６０】そして、通信回線６０を介してデータの転
送がユーザ側とメーカ側と相互にできる。例えば、通信
回線６０として電気通信回線のインターネットを利用し
て、プロバイダのサーバ６１を介してユーザ側とメーカ
側と相互にデータ転送してもよい。また、メーカ側にお
いて、例えば通信回線６０に接続されたサーバ７０と、
そのサーバ７０とＬＡＮ接続されたコンピュータ７１と
がある。
送がユーザ側とメーカ側と相互にできる。例えば、通信
回線６０として電気通信回線のインターネットを利用し
て、プロバイダのサーバ６１を介してユーザ側とメーカ
側と相互にデータ転送してもよい。また、メーカ側にお
いて、例えば通信回線６０に接続されたサーバ７０と、
そのサーバ７０とＬＡＮ接続されたコンピュータ７１と
がある。
【００６１】そして、ユーザ側の自己診断データを通信
回線６０により所定アドレスのメーカのコンピュータ７
１にサーバ７０を介して転送し、またその自己診断デー
タを統計処理してユーザ側の半導体試験装置５１のワー
クステーション、半導体試験装置５２のワークステーシ
ョンに予防保守のリミット値をフィードバックする。
回線６０により所定アドレスのメーカのコンピュータ７
１にサーバ７０を介して転送し、またその自己診断デー
タを統計処理してユーザ側の半導体試験装置５１のワー
クステーション、半導体試験装置５２のワークステーシ
ョンに予防保守のリミット値をフィードバックする。
【００６２】上記実施例１及び２は、本発明の一例にす
ぎず、例示の内容で本発明を限定するものではない。
ぎず、例示の内容で本発明を限定するものではない。
【００６３】
【発明の効果】本発明は、以上説明したような形態で実
施され、以下に記載されるような効果を奏する。即ち、
本発明の半導体試験装置は、不具合の発生する前に予防
としての保守作業を行えるので、予め保守に必要なボー
ド類の部品を手配しておいて故障にそなえておくことで
ダウンタイムが少なくでき、またＭＴＢＦ、ＭＴＴＲが
向上する効果がある。
施され、以下に記載されるような効果を奏する。即ち、
本発明の半導体試験装置は、不具合の発生する前に予防
としての保守作業を行えるので、予め保守に必要なボー
ド類の部品を手配しておいて故障にそなえておくことで
ダウンタイムが少なくでき、またＭＴＢＦ、ＭＴＴＲが
向上する効果がある。
【図１】本発明の半導体試験装置の予防保守のフローチ
ャートである。
ャートである。
【図２】本発明の半導体試験装置の予防保守の基準デー
タ（ａ）と比較データ（ｂ）の取得例の図である。
タ（ａ）と比較データ（ｂ）の取得例の図である。
【図３】本発明の半導体試験装置の予防保守の基準デー
タと比較データとの比較結果例の図である。
タと比較データとの比較結果例の図である。
【図４】本発明の電気通信回線によるデータ転送のブロ
ック図である。
ック図である。
【図５】半導体試験装置の構成を示す外観図である。
【図６】半導体試験装置のブロック図である。
【図７】半導体試験装置の補正回路のブロック図であ
る。
る。
【図８】従来の半導体試験装置の保守のフローチャート
である。
である。
４ タイミング発生器 ５ パターン発生器 ６ 波形整形器 ７ 論理比較器 １０ ワークステーション ２０ メインフレーム ２１、２２ Ｄ／Ａ変換器 ２３ 加算回路 ３０ テストヘッド ３１ ピンエレクトロニクス ５１、５２ ユーザ側半導体試験装置 ６０ 通信回線 ６１、７０ サーバ ７１ コンピュータ ８０ パフォーマンスボード ９０ ＩＣソケット ９１ ＤＵＴ
Claims (10)
- 【請求項１】 自己診断プログラムにより動作の自己診
断をおこなう半導体試験装置の予防保守方法において、 自己診断により取得するデータに予防リミット値を設定
するステップと、 自己診断の実行により基準データを取得するステップ
と、 前記自己診断の基準データの取得後における自己診断の
実行により比較データを取得するステップと、 前記比較データと、前記基準データとの差が、前記予防
リミット値内かどうか比較判定するステップと、 を設けた半導体試験装置の予防保守方法。 - 【請求項２】 キャリブレーションによりオフセットの
補正をおこなう半導体試験装置の予防保守方法におい
て、 前記キャリブレーションにより取得するオフセットの補
正データに予防リミット値を設定するステップと、 キャリブレーションの実行によりオフセットの基準補正
データを取得するステップと、 基準となる補正データ取得後におけるキャリブレーショ
ンの実行による比較補正データを取得するステップと、 前記比較補正データと、前記基準補正データとを比較す
るステップと、 を設けた半導体試験装置の予防保守方法。 - 【請求項３】 前記予防リミット値内かどうか比較判定
した結果を表示手段に表示するステップを設けた請求項
１又は２記載の半導体試験装置の予防保守方法。 - 【請求項４】 請求項１、２又は３記載の前記基準デー
タが、半導体試験装置の設置、移設又は保守を行ったと
きに取得更新する自己診断データである半導体試験装置
の予防保守方法。 - 【請求項５】 前記比較判定結果をファイルとして電気
通信回線により転送する請求項１、２、３又は４記載の
半導体試験装置の予防保守方法。 - 【請求項６】 自己診断プログラムにより動作の自己診
断をおこなう半導体試験装置において、 自己診断により取得するデータに予防リミット値を設定
する手段と、 自己診断の実行により基準データを取得する手段と、 前記自己診断の基準データの取得後における自己診断の
実行により比較データを取得する手段と、 前記比較データと、前記基準データとの差が、前記予防
リミット値内かどうか比較判定する手段と、 を設けた半導体試験装置。 - 【請求項７】 キャリブレーションによりオフセットデ
ータの補正をおこなう半導体試験装置において、 前記キャリブレーションにより取得するオフセットデー
タに予防リミット値を設定する手段と、 キャリブレーションの実行により基準オフセットデータ
を取得する手段と、 基準となるオフセットデータ取得後におけるキャリブレ
ーションの実行による比較オフセットデータを取得する
手段と、 前記比較オフセットデータと、前記基準オフセットデー
タとを比較する手段と、 比較結果が前記予防リミット値内かどうか比較判定する
手段と、 を設けた半導体試験装置。 - 【請求項８】 前記予防リミット値内かどうか比較判定
した結果を表示手段に表示する手段を設けた請求項５、
６又は７記載の半導体試験装置。 - 【請求項９】 請求項５、６、７又は８記載の前記基準
データは、半導体試験装置の設置、移設又は保守を行っ
たときに取得更新する半導体試験装置。 - 【請求項１０】 前記比較判定結果をファイルとして電
気通信回線により転送する請求項５、６、７、８又は９
記載の半導体試験装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000374692A JP2002174674A (ja) | 2000-12-05 | 2000-12-05 | 半導体試験装置及びその予防保守方法 |
| PCT/JP2001/010497 WO2002046785A1 (fr) | 2000-12-05 | 2001-11-30 | Materiel d'essai de semi-conducteurs et procede de maintenance preventive |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000374692A JP2002174674A (ja) | 2000-12-05 | 2000-12-05 | 半導体試験装置及びその予防保守方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002174674A true JP2002174674A (ja) | 2002-06-21 |
Family
ID=18843833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000374692A Withdrawn JP2002174674A (ja) | 2000-12-05 | 2000-12-05 | 半導体試験装置及びその予防保守方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002174674A (ja) |
| WO (1) | WO2002046785A1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006120852A1 (ja) * | 2005-05-12 | 2006-11-16 | Advantest Corporation | 試験装置、診断プログラムおよび診断方法 |
| JP2007248200A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Nec Electronics Corp | 半導体試験装置の保守システムおよび保守方法 |
| JP2010511869A (ja) * | 2006-11-30 | 2010-04-15 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | グループ化された回路モジュールにおける自己試験、監視、および診断 |
| WO2020194524A1 (ja) * | 2019-03-26 | 2020-10-01 | 三菱電機株式会社 | 基板解析装置 |
| WO2021065086A1 (ja) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | 株式会社アドバンテスト | 保守装置、保守方法、および、保守プログラム |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006275986A (ja) | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Advantest Corp | 診断プログラム、切替プログラム、試験装置、および診断方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05322843A (ja) * | 1992-05-22 | 1993-12-07 | Shimadzu Corp | イオン電極を用いた電解質分析装置 |
| JP2902338B2 (ja) * | 1995-10-06 | 1999-06-07 | 株式会社アドバンテスト | 半導体試験装置 |
| JPH10319093A (ja) * | 1997-05-16 | 1998-12-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路 |
| JP4030031B2 (ja) * | 1998-05-13 | 2008-01-09 | 日本インター株式会社 | 電子部品の検査方法 |
-
2000
- 2000-12-05 JP JP2000374692A patent/JP2002174674A/ja not_active Withdrawn
-
2001
- 2001-11-30 WO PCT/JP2001/010497 patent/WO2002046785A1/ja active Search and Examination
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006120852A1 (ja) * | 2005-05-12 | 2006-11-16 | Advantest Corporation | 試験装置、診断プログラムおよび診断方法 |
| US7158908B2 (en) | 2005-05-12 | 2007-01-02 | Advantest Corporation | Test apparatus, diagnosing program and diagnosing method therefor |
| JP2007248200A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Nec Electronics Corp | 半導体試験装置の保守システムおよび保守方法 |
| JP2010511869A (ja) * | 2006-11-30 | 2010-04-15 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | グループ化された回路モジュールにおける自己試験、監視、および診断 |
| KR101383754B1 (ko) | 2006-11-30 | 2014-04-10 | 일렉트로 싸이언티픽 인더스트리이즈 인코포레이티드 | 그룹화된 회로 모듈에서의 셀프 테스트, 모니터링 및 진단방법 |
| WO2020194524A1 (ja) * | 2019-03-26 | 2020-10-01 | 三菱電機株式会社 | 基板解析装置 |
| JPWO2020194524A1 (ja) * | 2019-03-26 | 2020-10-01 | ||
| WO2021065086A1 (ja) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | 株式会社アドバンテスト | 保守装置、保守方法、および、保守プログラム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2002046785A1 (fr) | 2002-06-13 |
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