JP2002172864A - ２、２′−架橋ビフェニル化合物、光情報記録媒体および記録方法 - Google Patents
２、２′−架橋ビフェニル化合物、光情報記録媒体および記録方法Info
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- JP2002172864A JP2002172864A JP2001110119A JP2001110119A JP2002172864A JP 2002172864 A JP2002172864 A JP 2002172864A JP 2001110119 A JP2001110119 A JP 2001110119A JP 2001110119 A JP2001110119 A JP 2001110119A JP 2002172864 A JP2002172864 A JP 2002172864A
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- Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 短波長のレーザーを用いること無く、高容量
かつ高密度な光情報記録媒体を提供する。 【解決手段】 レーザー光により情報の記録が可能であ
る光情報記録媒体であって、該媒体中に下記一般式
（１）で表される化合物を含むことを特徴とする光情報
記録媒体。 【化１】 （式中Xは−CR1R2−、−NR3−、−O−、−S−または−S
e−を表し、R1、R2およびR3はそれぞれ独立に置換また
は無置換のアルキル基、置換または無置換のアルケニル
基、置換または無置換のアルキニル基、置換または無置
換のアリール基およびヘテロ環基から選ばれる基を表
す。Ｒは置換基を表し、ｎ１およびｎ２はそれぞれ０か
ら４の整数を表すが、ｎ１とｎ２は同時に０となること
はない。Ｒを２つ以上有する場合は、Ｒは同じでも異な
っていてもよい。）
かつ高密度な光情報記録媒体を提供する。 【解決手段】 レーザー光により情報の記録が可能であ
る光情報記録媒体であって、該媒体中に下記一般式
（１）で表される化合物を含むことを特徴とする光情報
記録媒体。 【化１】 （式中Xは−CR1R2−、−NR3−、−O−、−S−または−S
e−を表し、R1、R2およびR3はそれぞれ独立に置換また
は無置換のアルキル基、置換または無置換のアルケニル
基、置換または無置換のアルキニル基、置換または無置
換のアリール基およびヘテロ環基から選ばれる基を表
す。Ｒは置換基を表し、ｎ１およびｎ２はそれぞれ０か
ら４の整数を表すが、ｎ１とｎ２は同時に０となること
はない。Ｒを２つ以上有する場合は、Ｒは同じでも異な
っていてもよい。）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はレーザー光による情
報書き込みが可能な光情報記録媒体およびそれその記録
方法に関するものである。特に本発明は多光子吸収を用
いて情報を記録するのに適した光情報記録媒体に関する
ものである。さらには、光情報記録に適した新規の２、
２′−架橋ビフェニル化合物に関する。
報書き込みが可能な光情報記録媒体およびそれその記録
方法に関するものである。特に本発明は多光子吸収を用
いて情報を記録するのに適した光情報記録媒体に関する
ものである。さらには、光情報記録に適した新規の２、
２′−架橋ビフェニル化合物に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来からレーザー光を用いて情報を記録
する記録媒体としてＣＤ−ＲやＣＤ−ＲＷのような光デ
ィスクが知られている。これらの光ディスクでは約７８
０ｎｍの波長のレーザーが用いられている。近年、情報
技術の急速な発展にともない、記録媒体の高容量化、高
密度化がますます強く求められている。高容量化、記録
密度を実現するには、情報記録のためのレーザー光の半
径をできるだけ小さく絞ることが有効であるが、回折限
界を超えて絞り込むことはできない。回折限界はレーザ
ー光の波長に依存しており、短波長であるほど小さいこ
とが理論的に知られている。このため、従来から用いら
れている７８０ｎｍより短波長のレーザーを用いて記録
再生が可能な光ディスクの開発が進められており、例え
ばＤＶＤ−ＲやＤＶＤ−ＲＷと称される光ディスクが提
案されている。ＤＶＤ−ＲやＤＶＤ−ＲＷでは６００ｎ
ｍ〜７００ｎｍの波長のレーザーが用いられており、Ｃ
Ｄ−ＲやＣＤ−ＲＷよりも高容量かつ高密度の記録が可
能となっている。しかしながらレーザーの短波長化はよ
うやく６００ｎｍ台まで普及したレベルであり、更なる
短波長レーザーの普及とそれに必要な記録媒体構成の最
適化にはかなりの時間を要する。
する記録媒体としてＣＤ−ＲやＣＤ−ＲＷのような光デ
ィスクが知られている。これらの光ディスクでは約７８
０ｎｍの波長のレーザーが用いられている。近年、情報
技術の急速な発展にともない、記録媒体の高容量化、高
密度化がますます強く求められている。高容量化、記録
密度を実現するには、情報記録のためのレーザー光の半
径をできるだけ小さく絞ることが有効であるが、回折限
界を超えて絞り込むことはできない。回折限界はレーザ
ー光の波長に依存しており、短波長であるほど小さいこ
とが理論的に知られている。このため、従来から用いら
れている７８０ｎｍより短波長のレーザーを用いて記録
再生が可能な光ディスクの開発が進められており、例え
ばＤＶＤ−ＲやＤＶＤ−ＲＷと称される光ディスクが提
案されている。ＤＶＤ−ＲやＤＶＤ−ＲＷでは６００ｎ
ｍ〜７００ｎｍの波長のレーザーが用いられており、Ｃ
Ｄ−ＲやＣＤ−ＲＷよりも高容量かつ高密度の記録が可
能となっている。しかしながらレーザーの短波長化はよ
うやく６００ｎｍ台まで普及したレベルであり、更なる
短波長レーザーの普及とそれに必要な記録媒体構成の最
適化にはかなりの時間を要する。
【０００３】そこで、短波長のレーザーを用いること無
く、高容量かつ高密度な情報記録媒体を得るための手段
として、非線形光学効果の一つである２（多）光子吸収
過程を利用することが提案されている。
く、高容量かつ高密度な情報記録媒体を得るための手段
として、非線形光学効果の一つである２（多）光子吸収
過程を利用することが提案されている。
【０００４】２光子吸収とは、分子が２つの光子を同時
に吸収して励起される現象であり、照射したレーザー光
波長に対応する光子の２倍のエネルギーを分子が吸収す
るため、線形吸収の存在しないより長波な波長領域の光
を用いても分子を励起すること可能である。さらに、２
光子吸収の起こる確率は照射する光強度の２乗に比例す
るため、２光子吸収を誘起するレーザー光の強度分布が
半値幅の狭まったより鋭い形状になる。これはレーザー
光の半径をより絞り込むことに相当し、したがって照射
光の半径よりも小さい半径領域での情報記録が可能とな
る。これらの性質により、２光子吸収を用いれば、原理
的には短波長のレーザーを用いなくともより高密度な情
報記録が可能となる。
に吸収して励起される現象であり、照射したレーザー光
波長に対応する光子の２倍のエネルギーを分子が吸収す
るため、線形吸収の存在しないより長波な波長領域の光
を用いても分子を励起すること可能である。さらに、２
光子吸収の起こる確率は照射する光強度の２乗に比例す
るため、２光子吸収を誘起するレーザー光の強度分布が
半値幅の狭まったより鋭い形状になる。これはレーザー
光の半径をより絞り込むことに相当し、したがって照射
光の半径よりも小さい半径領域での情報記録が可能とな
る。これらの性質により、２光子吸収を用いれば、原理
的には短波長のレーザーを用いなくともより高密度な情
報記録が可能となる。
【０００５】しかしながら、２光子吸収は非線形光学過
程であるため、その効率は極めて小さいのが一般的であ
る。また効率良く２光子吸収を行う物質（大きな２光子
吸収断面積を有する化合物）もほとんど存在しないよう
な状況であった。
程であるため、その効率は極めて小さいのが一般的であ
る。また効率良く２光子吸収を行う物質（大きな２光子
吸収断面積を有する化合物）もほとんど存在しないよう
な状況であった。
【０００６】最近になって、大きな２光子吸収断面積を
有する化合物として、フルオレン誘導体が報告された
（Reinhardtら、Chem.Mater,1998,10,1863)。該論文中
には従来の化合物よりも数倍以上大きな２光子吸収断面
積を有する化合物が記載されているが、それらを用いた
記録材料などの応用面については全くふれられておら
ず、２光子吸収を利用した記録媒体は依然として実現さ
れていない状況にある。
有する化合物として、フルオレン誘導体が報告された
（Reinhardtら、Chem.Mater,1998,10,1863)。該論文中
には従来の化合物よりも数倍以上大きな２光子吸収断面
積を有する化合物が記載されているが、それらを用いた
記録材料などの応用面については全くふれられておら
ず、２光子吸収を利用した記録媒体は依然として実現さ
れていない状況にある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、短波
長のレーザーを用いること無く、高容量かつ高密度な情
報記録媒体を提供するとともに、そのための新規な情報
記録方法とそれらを実現するための新規な情報記録媒体
用素材を提供することである。
長のレーザーを用いること無く、高容量かつ高密度な情
報記録媒体を提供するとともに、そのための新規な情報
記録方法とそれらを実現するための新規な情報記録媒体
用素材を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明では、大きな２光
子吸収断面積を有する化合物を用いることで、２光子吸
収を利用した情報を記録媒体の実現が可能となった。本
発明の目的は、レーザー光により情報の記録が可能であ
る光情報記録媒体であって、該媒体中に下記一般式
（１）で表される化合物を含むことを特徴とする光情報
記録媒体により達成された。
子吸収断面積を有する化合物を用いることで、２光子吸
収を利用した情報を記録媒体の実現が可能となった。本
発明の目的は、レーザー光により情報の記録が可能であ
る光情報記録媒体であって、該媒体中に下記一般式
（１）で表される化合物を含むことを特徴とする光情報
記録媒体により達成された。
【０００９】
【化７】
【００１０】（式中Xは−CR1R2−、−NR3−、−O−、−
S−または−Se−を表し、R1、R2およびR3はそれぞれ独
立に置換または無置換のアルキル基、置換または無置換
のアルケニル基、置換または無置換のアルキニル基、置
換または無置換のアリール基およびヘテロ環基から選ば
れる基を表す。Ｒは置換基を表し、ｎ１およびｎ２はそ
れぞれ０から４の整数を表すが、ｎ１とｎ２は同時に０
となることはない。Ｒを２つ以上有する場合は、Ｒは同
じでも異なっていてもよい。）
S−または−Se−を表し、R1、R2およびR3はそれぞれ独
立に置換または無置換のアルキル基、置換または無置換
のアルケニル基、置換または無置換のアルキニル基、置
換または無置換のアリール基およびヘテロ環基から選ば
れる基を表す。Ｒは置換基を表し、ｎ１およびｎ２はそ
れぞれ０から４の整数を表すが、ｎ１とｎ２は同時に０
となることはない。Ｒを２つ以上有する場合は、Ｒは同
じでも異なっていてもよい。）
【００１１】さらに、本発明は上記の情報記録媒体に、
該記録媒体に含まれる化合物が有する線形吸収帯より長
波かつ線形吸収の存在しない波長のレーザー光を照射し
て誘起された２光子以上の多光子吸収を利用する情報の
記録方法にもある。
該記録媒体に含まれる化合物が有する線形吸収帯より長
波かつ線形吸収の存在しない波長のレーザー光を照射し
て誘起された２光子以上の多光子吸収を利用する情報の
記録方法にもある。
【００１２】本発明は以下の態様であることが望まし
い。 （１） 一般式（１）で表される化合物であって、置換
基Ｒの少なくとも１つが一般式（２）で表される。
い。 （１） 一般式（１）で表される化合物であって、置換
基Ｒの少なくとも１つが一般式（２）で表される。
【００１３】
【化８】
【００１４】（式中、Ｌ１およびＬ２は置換又は無置換
のメチン基を表し、ｍ１は０〜５の整数を表し、Aはハ
メットのσp値が−0.1以下または0.1以上となる置換基
を表す。） （２）一般式（２）において置換基Ａがオニウムイオン
を有する基である。 （３）一般式（２）において置換基Ａがピリジニオ基ま
たはアンモニオ基である。
のメチン基を表し、ｍ１は０〜５の整数を表し、Aはハ
メットのσp値が−0.1以下または0.1以上となる置換基
を表す。） （２）一般式（２）において置換基Ａがオニウムイオン
を有する基である。 （３）一般式（２）において置換基Ａがピリジニオ基ま
たはアンモニオ基である。
【００１５】また、本発明は下記一般式（３）、一般式
（４）、一般式（５）、一般式（６）および一般式
（７）で示される化合物にもある。
（４）、一般式（５）、一般式（６）および一般式
（７）で示される化合物にもある。
【００１６】
【化９】
【００１７】（式中Ｒ1、Ｒ2およびＲ4はそれぞれ独立
に置換または無置換のアルキル基、置換または無置換の
アルケニル基、置換または無置換のアルキニル基、置換
または無置換のアリール基、およびヘテロ環基から選ば
れる基を有する。Ｒ5は置換基を表し、ｈは０〜４の整
数を表し、ｈが２以上の整数のとき、複数個のＲ5はそ
れぞれ同一でも異なってもよく、また互いに連結して環
を形成してもよい。Ｒ6は二つのベンゼン環上の置換基
を表し、ｊは０〜６の整数を表し、ｊが２以上の整数の
とき、複数個のＲ6はそれぞれ同一でも異なってもよ
く、また互いに連結して環を形成してもよい。Ｒ7はＮ
に結合したベンゼン環上の置換基を表し、ｉは０〜１０
の整数を表し、ｉが２以上の整数のとき、複数個のＲ7
はそれぞれ同一でも異なってもよく、また互いに連結し
て環を形成してもよい。Ｒ8はメチン基上の置換基を表
し、ｐは０〜２の整数を表し、ｐが２のとき複数個のＲ
8はそれぞれ同一でも異なってもよく、また互いに連結
して環を形成してもよい。ｍは０〜５の整数を表す。Ｘ
Y-はＹ価の有機もしくは無機アニオンを表し、Ｙは１〜
５の整数を表す。）
に置換または無置換のアルキル基、置換または無置換の
アルケニル基、置換または無置換のアルキニル基、置換
または無置換のアリール基、およびヘテロ環基から選ば
れる基を有する。Ｒ5は置換基を表し、ｈは０〜４の整
数を表し、ｈが２以上の整数のとき、複数個のＲ5はそ
れぞれ同一でも異なってもよく、また互いに連結して環
を形成してもよい。Ｒ6は二つのベンゼン環上の置換基
を表し、ｊは０〜６の整数を表し、ｊが２以上の整数の
とき、複数個のＲ6はそれぞれ同一でも異なってもよ
く、また互いに連結して環を形成してもよい。Ｒ7はＮ
に結合したベンゼン環上の置換基を表し、ｉは０〜１０
の整数を表し、ｉが２以上の整数のとき、複数個のＲ7
はそれぞれ同一でも異なってもよく、また互いに連結し
て環を形成してもよい。Ｒ8はメチン基上の置換基を表
し、ｐは０〜２の整数を表し、ｐが２のとき複数個のＲ
8はそれぞれ同一でも異なってもよく、また互いに連結
して環を形成してもよい。ｍは０〜５の整数を表す。Ｘ
Y-はＹ価の有機もしくは無機アニオンを表し、Ｙは１〜
５の整数を表す。）
【００１８】
【化１０】
【００１９】（式中Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4およびＲ9はそれぞれ
独立に置換または無置換のアルキル基、置換または無置
換のアルケニル基、置換または無置換のアルキニル基、
置換または無置換のアリール基、およびヘテロ環基から
選ばれる基を有する。Ｒ5およびＲ10は置換基を表し、
ｈおよびｋはそれぞれ独立に０〜４の整数を表し、ｈお
よびｋが２以上の整数のとき、複数個のＲ5およびＲ10
はそれぞれ同一でも異なってもよく、また互いに連結し
て環を形成してもよい。Ｒ6は置換基を表し、ｊは０〜
６の整数を表し、ｊが２以上の整数のとき、複数個のＲ
6はそれぞれ同一でも異なってもよく、また互いに連結
して環を形成してもよい。ｍおよびｎはそれぞれ独立に
０〜５の整数を表し、Ｒ11およびＲ12は置換基を表し、
ｓおよびｔはそれぞれ独立に０〜２の整数を表し、ｓお
よびｔが２のとき複数のＲ11およびＲ12はそれぞれ同一
でも異なってもよく、また互いに連結して環を形成して
もよい。ＸY-はＹ価の有機もしくは無機アニオンを表
し、Ｙは１〜５の整数を表す。）
独立に置換または無置換のアルキル基、置換または無置
換のアルケニル基、置換または無置換のアルキニル基、
置換または無置換のアリール基、およびヘテロ環基から
選ばれる基を有する。Ｒ5およびＲ10は置換基を表し、
ｈおよびｋはそれぞれ独立に０〜４の整数を表し、ｈお
よびｋが２以上の整数のとき、複数個のＲ5およびＲ10
はそれぞれ同一でも異なってもよく、また互いに連結し
て環を形成してもよい。Ｒ6は置換基を表し、ｊは０〜
６の整数を表し、ｊが２以上の整数のとき、複数個のＲ
6はそれぞれ同一でも異なってもよく、また互いに連結
して環を形成してもよい。ｍおよびｎはそれぞれ独立に
０〜５の整数を表し、Ｒ11およびＲ12は置換基を表し、
ｓおよびｔはそれぞれ独立に０〜２の整数を表し、ｓお
よびｔが２のとき複数のＲ11およびＲ12はそれぞれ同一
でも異なってもよく、また互いに連結して環を形成して
もよい。ＸY-はＹ価の有機もしくは無機アニオンを表
し、Ｙは１〜５の整数を表す。）
【００２０】
【化１１】
【００２１】（式中Ｒ1は置換または無置換のアルキル
基、置換または無置換のアルケニル基、置換または無置
換のアルキニル基、置換または無置換のアリール基、お
よびヘテロ環基から選ばれる基を有する。Ｒ13およびＲ
14はそれぞれ独立に置換または無置換のアルキル基、置
換または無置換のアルケニル基、置換または無置換のア
ルキニル基、置換または無置換のアリール基、およびヘ
テロ環基から選ばれる基を有する。Ｒ5は置換基を表
し、ｈは０〜４の整数を表し、ｈが２以上の整数のと
き、複数個のＲ5はそれぞれ同一でも異なってもよく、
また互いに連結して環を形成してもよい。Ｒ6は置換基
を表し、ｊは０〜６の整数を表し、ｊが２以上の整数の
とき、複数個のＲ6はそれぞれ同一でも異なってもよ
く、また互いに連結して環を形成してもよい。Ｒ8は置
換基を表し、pは０〜２ｍの整数を表し、pが２以上のと
き複数個のＲ6はそれぞれ同一でも異なってもよく、ま
た互いに連結して環を形成してもよい。ｍは０〜５の整
数を表す。）
基、置換または無置換のアルケニル基、置換または無置
換のアルキニル基、置換または無置換のアリール基、お
よびヘテロ環基から選ばれる基を有する。Ｒ13およびＲ
14はそれぞれ独立に置換または無置換のアルキル基、置
換または無置換のアルケニル基、置換または無置換のア
ルキニル基、置換または無置換のアリール基、およびヘ
テロ環基から選ばれる基を有する。Ｒ5は置換基を表
し、ｈは０〜４の整数を表し、ｈが２以上の整数のと
き、複数個のＲ5はそれぞれ同一でも異なってもよく、
また互いに連結して環を形成してもよい。Ｒ6は置換基
を表し、ｊは０〜６の整数を表し、ｊが２以上の整数の
とき、複数個のＲ6はそれぞれ同一でも異なってもよ
く、また互いに連結して環を形成してもよい。Ｒ8は置
換基を表し、pは０〜２ｍの整数を表し、pが２以上のと
き複数個のＲ6はそれぞれ同一でも異なってもよく、ま
た互いに連結して環を形成してもよい。ｍは０〜５の整
数を表す。）
【００２２】
【化１２】
【００２３】（式中Ｒ1は置換または無置換のアルキル
基、置換または無置換のアルケニル基、置換または無置
換のアルキニル基、置換または無置換のアリール基、お
よびヘテロ環基から選ばれる基を有する。Ｒ5およびＲ
10は置換基を表し、ｈおよびｋはそれぞれ独立に０〜４
の整数を表し、ｈおよびｋが２以上の整数のとき、複数
個のＲ5およびＲ10はそれぞれ同一でも異なってもよ
く、また互いに連結して環を形成してもよい。Ｒ6は置
換基を表し、ｊは０〜６の整数を表し、ｊが２以上の整
数のとき、複数個のＲ6はそれぞれ同一でも異なっても
よく、また互いに連結して環を形成してもよい。ｍおよ
びｎはそれぞれ独立に０〜５の整数を表し、Ｒ11および
Ｒ12は置換基を表し、ｓおよびｔはそれぞれ独立に０〜
２ｎ、０〜２ｍの整数を表し、ｓおよびｔが２以上のと
き複数のＲ11およびＲ12はそれぞれ同一でも異なっても
よく、また互いに連結して環を形成してもよい。）
基、置換または無置換のアルケニル基、置換または無置
換のアルキニル基、置換または無置換のアリール基、お
よびヘテロ環基から選ばれる基を有する。Ｒ5およびＲ
10は置換基を表し、ｈおよびｋはそれぞれ独立に０〜４
の整数を表し、ｈおよびｋが２以上の整数のとき、複数
個のＲ5およびＲ10はそれぞれ同一でも異なってもよ
く、また互いに連結して環を形成してもよい。Ｒ6は置
換基を表し、ｊは０〜６の整数を表し、ｊが２以上の整
数のとき、複数個のＲ6はそれぞれ同一でも異なっても
よく、また互いに連結して環を形成してもよい。ｍおよ
びｎはそれぞれ独立に０〜５の整数を表し、Ｒ11および
Ｒ12は置換基を表し、ｓおよびｔはそれぞれ独立に０〜
２ｎ、０〜２ｍの整数を表し、ｓおよびｔが２以上のと
き複数のＲ11およびＲ12はそれぞれ同一でも異なっても
よく、また互いに連結して環を形成してもよい。）
【００２４】
【化１３】
【００２５】（式中Ｒ13およびＲ14はそれぞれ独立に置
換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアル
ケニル基、置換または無置換のアルキニル基、置換また
は無置換のアリール基、およびヘテロ環基から選ばれる
基を有する。Ｒ6は置換基を表し、ｊは０〜６の整数を
表し、ｊが２以上の整数のとき、複数個のＲ6はそれぞ
れ同一でも異なってもよく、また互いに連結して環を形
成してもよい。Ｒ8は置換基を表し、pは０〜２ｍの整数
を表し、pが２以上のとき複数個のＲ8はそれぞれ同一で
も異なってもよく、また互いに連結して環を形成しても
よい。ｍは０〜５の整数を表す。Ｒ15は置換または無置
換のヘテロ環基を表す。）
換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアル
ケニル基、置換または無置換のアルキニル基、置換また
は無置換のアリール基、およびヘテロ環基から選ばれる
基を有する。Ｒ6は置換基を表し、ｊは０〜６の整数を
表し、ｊが２以上の整数のとき、複数個のＲ6はそれぞ
れ同一でも異なってもよく、また互いに連結して環を形
成してもよい。Ｒ8は置換基を表し、pは０〜２ｍの整数
を表し、pが２以上のとき複数個のＲ8はそれぞれ同一で
も異なってもよく、また互いに連結して環を形成しても
よい。ｍは０〜５の整数を表す。Ｒ15は置換または無置
換のヘテロ環基を表す。）
【００２６】
【発明の実施の形態】本発明の光情報記録媒体は前記一
般式（１）で表される化合物を含むことを特徴とする。
般式（１）で表される化合物を含むことを特徴とする。
【００２７】以下に本発明に用いられる上記化合物につ
いて詳しく説明する。一般式（１）においてXは−CR1R2
−、−NR3−、−O−、−S−または−Se−を表し、R1、R
2およびR3はそれぞれ独立に置換または無置換のアルキ
ル基、置換または無置換のアルケニル基、置換または無
置換のアルキニル基、置換または無置換のアリール基ま
たはヘテロ環基を表す。
いて詳しく説明する。一般式（１）においてXは−CR1R2
−、−NR3−、−O−、−S−または−Se−を表し、R1、R
2およびR3はそれぞれ独立に置換または無置換のアルキ
ル基、置換または無置換のアルケニル基、置換または無
置換のアルキニル基、置換または無置換のアリール基ま
たはヘテロ環基を表す。
【００２８】一般式（１）において、R1、R2およびR3は
炭素数１〜１８の置換または無置換のアルキル基、炭素
数２〜１８の置換または無置換のアルケニル基、炭素数
２〜１８の置換または無置換のアルキニル基、炭素数６
〜１０の置換または無置換のアリール基、炭素数４〜７
の飽和または不飽和のヘテロ環基を挙げることができ
る。
炭素数１〜１８の置換または無置換のアルキル基、炭素
数２〜１８の置換または無置換のアルケニル基、炭素数
２〜１８の置換または無置換のアルキニル基、炭素数６
〜１０の置換または無置換のアリール基、炭素数４〜７
の飽和または不飽和のヘテロ環基を挙げることができ
る。
【００２９】一般式（１）のR1、R2およびR3として好ま
しいものは、アルキル基またはアリール基である。一般
式（１）のR1、R2およびR3で表されるアルキル基として
好ましいものは、炭素数１〜１０の鎖状（直鎖もしくは
分岐）または環状のアルキル基であり、例えばメチル、
エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓ
−ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、シ
クロペンチル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキシル、ｎ−ヘ
プチル、シクロヘプチル、ｎ−オクチル、シクロオクチ
ル、ｎ−ノニル、ｎ−デシルを挙げることができるが、
メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブ
チル、ｓ−ブチル、イソブチル、ｔ−ブチルが特に好ま
しく、メチル、エチル、ｎ−プロピルが最も好ましい。
しいものは、アルキル基またはアリール基である。一般
式（１）のR1、R2およびR3で表されるアルキル基として
好ましいものは、炭素数１〜１０の鎖状（直鎖もしくは
分岐）または環状のアルキル基であり、例えばメチル、
エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓ
−ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、シ
クロペンチル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキシル、ｎ−ヘ
プチル、シクロヘプチル、ｎ−オクチル、シクロオクチ
ル、ｎ−ノニル、ｎ−デシルを挙げることができるが、
メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブ
チル、ｓ−ブチル、イソブチル、ｔ−ブチルが特に好ま
しく、メチル、エチル、ｎ−プロピルが最も好ましい。
【００３０】一般式（１）のR1、R2およびR3で表される
アリール基として好ましいものは、例えばフェニル、１
−ナフチル、トルイルを挙げることができるが、特にフ
ェニルが好ましい。なお、R1、R2およびR3は置換基を有
していてもよく、置換基としては、R1、R2およびR3とし
て挙げた基およびハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、
アミノ基、アミド基、スルホニル基、カルバモイル基、
スルファモイル基、スルフィニル基、スルホン酸基を挙
げることができる。
アリール基として好ましいものは、例えばフェニル、１
−ナフチル、トルイルを挙げることができるが、特にフ
ェニルが好ましい。なお、R1、R2およびR3は置換基を有
していてもよく、置換基としては、R1、R2およびR3とし
て挙げた基およびハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、
アミノ基、アミド基、スルホニル基、カルバモイル基、
スルファモイル基、スルフィニル基、スルホン酸基を挙
げることができる。
【００３１】一般式（１）中、Ｒは置換基を表す。式
（１）の各ベンゼン環に置換するＲの数、ｎ１およびｎ
２はそれぞれ０から４の整数を表すが、ｎ１とｎ２は同
時に０となることはない。Ｒを２つ以上有する場合は、
Ｒは同じでも異なっていてもよい。置換基Ｒの数は２〜
８個が好ましく、２〜４個が特に好ましく、２個が最も
好ましい。また、左右のベンゼン環に１個ずつ置換する
のが好ましい。
（１）の各ベンゼン環に置換するＲの数、ｎ１およびｎ
２はそれぞれ０から４の整数を表すが、ｎ１とｎ２は同
時に０となることはない。Ｒを２つ以上有する場合は、
Ｒは同じでも異なっていてもよい。置換基Ｒの数は２〜
８個が好ましく、２〜４個が特に好ましく、２個が最も
好ましい。また、左右のベンゼン環に１個ずつ置換する
のが好ましい。
【００３２】Ｒは、一般式（２）で表されるものが好ま
しい。
しい。
【００３３】
【化１４】
【００３４】式中、Ｌ１およびＬ２は置換又は無置換の
メチン基を表し、ｍ１は０〜５の整数を表し、Aはハメ
ットのσp値が−0.1以下または0.1以上となる置換基を
表す。ｍ１は０〜５の整数を表すが、ｍ１は０〜４が好
ましく、０〜２が特に好ましく、０または１が最も好ま
しい。
メチン基を表し、ｍ１は０〜５の整数を表し、Aはハメ
ットのσp値が−0.1以下または0.1以上となる置換基を
表す。ｍ１は０〜５の整数を表すが、ｍ１は０〜４が好
ましく、０〜２が特に好ましく、０または１が最も好ま
しい。
【００３５】一般式（２）においてAはハメットのσp値
が−0.1以下または0.1以上となる置換基を表すが、ハメ
ットのσp値は例えばChem．Rev．91、165（1991）に記
載されている。Aとして好ましくはニトロ、シアノ、ア
シル、ヒドロキシカルボニル、アルコキシカルボニル、
ホルミル、カルバモイル、スルファモイル、スルホニ
ル、スルフィニル、ハロゲン原子、アルコキシ、アミ
ノ、アルキルやオニウムイオンを含む基（アンモニオ、
ピリジニオ、ホスホニオ、スルホニオなど）を挙げるこ
とができるが、アミノ、アンモニオ、ピリジニオが特に
好ましく、アリールアミノ、１−アルキルピリジニオま
たはトリアルキルアンモニオが最も好ましい。
が−0.1以下または0.1以上となる置換基を表すが、ハメ
ットのσp値は例えばChem．Rev．91、165（1991）に記
載されている。Aとして好ましくはニトロ、シアノ、ア
シル、ヒドロキシカルボニル、アルコキシカルボニル、
ホルミル、カルバモイル、スルファモイル、スルホニ
ル、スルフィニル、ハロゲン原子、アルコキシ、アミ
ノ、アルキルやオニウムイオンを含む基（アンモニオ、
ピリジニオ、ホスホニオ、スルホニオなど）を挙げるこ
とができるが、アミノ、アンモニオ、ピリジニオが特に
好ましく、アリールアミノ、１−アルキルピリジニオま
たはトリアルキルアンモニオが最も好ましい。
【００３６】Ｌ１およびＬ２は、置換基を有してもよい
が、無置換の場合が好ましい。置換基としては、R1〜R3
として挙げた基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、
アミノ基、アミド基、スルホニル基、カルバモイル基、
スルファモイル基、スルフィニル基、スルホン酸基を挙
げることができる。
が、無置換の場合が好ましい。置換基としては、R1〜R3
として挙げた基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、
アミノ基、アミド基、スルホニル基、カルバモイル基、
スルファモイル基、スルフィニル基、スルホン酸基を挙
げることができる。
【００３７】また、一般式（１）で表される化合物のう
ち、下記一般式（３）、一般式（４）、一般式（５）、
一般式（６）および一般式（７）で示される化合物が好
ましく、これらは新規化合物である。
ち、下記一般式（３）、一般式（４）、一般式（５）、
一般式（６）および一般式（７）で示される化合物が好
ましく、これらは新規化合物である。
【００３８】
【化１５】
【００３９】
【化１６】
【００４０】
【化１７】
【００４１】
【化１８】
【００４２】
【化１９】
【００４３】一般式（３）のR1、R2、およびR4はそれぞ
れ独立に水素原子、炭素数１〜１８の置換または無置換
のアルキル基、炭素数２〜１８の置換または無置換のア
ルケニル基、炭素数２〜１８の置換または無置換のアル
キニル基、炭素数６〜１０の置換または無置換のアリー
ル基、炭素数４〜７の飽和または不飽和のヘテロ環基を
挙げることができる。
れ独立に水素原子、炭素数１〜１８の置換または無置換
のアルキル基、炭素数２〜１８の置換または無置換のア
ルケニル基、炭素数２〜１８の置換または無置換のアル
キニル基、炭素数６〜１０の置換または無置換のアリー
ル基、炭素数４〜７の飽和または不飽和のヘテロ環基を
挙げることができる。
【００４４】一般式（３）のR1、R2、およびR4で表され
るアルキル基として好ましいものは炭素数１〜１０の鎖
状（直鎖または分岐）または環状アルキル基であり、例
えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ
−ブチル、ｓ−ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ｎ−
ペンチル、シクロペンチル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキ
シル、ｎ−ヘプチル、シクロヘプチル、ｎ−オクチル、
シクロオクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシルを挙げること
ができるが、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロ
ピル、ｎ−ブチル、ｓ−ブチル、イソブチル、ｔ−ブチ
ルが特に好ましく、メチル、エチル、ｎ−プロピルが最
も好ましい。
るアルキル基として好ましいものは炭素数１〜１０の鎖
状（直鎖または分岐）または環状アルキル基であり、例
えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ
−ブチル、ｓ−ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ｎ−
ペンチル、シクロペンチル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキ
シル、ｎ−ヘプチル、シクロヘプチル、ｎ−オクチル、
シクロオクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシルを挙げること
ができるが、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロ
ピル、ｎ−ブチル、ｓ−ブチル、イソブチル、ｔ−ブチ
ルが特に好ましく、メチル、エチル、ｎ−プロピルが最
も好ましい。
【００４５】一般式（３）のR5およびR7は置換基を表
し、ｈおよびｉはそれぞれ独立に０〜４および０〜１０
の整数を表し、ｈおよびｉがそれぞれ独立に２以上のと
き、複数個のR5およびR7は同一でも異なってもよく、ま
た互いに連結して環を形成してもよい。R5およびR7で表
される置換基としては、一般式（２）のAで表される置
換基を挙げることができる。
し、ｈおよびｉはそれぞれ独立に０〜４および０〜１０
の整数を表し、ｈおよびｉがそれぞれ独立に２以上のと
き、複数個のR5およびR7は同一でも異なってもよく、ま
た互いに連結して環を形成してもよい。R5およびR7で表
される置換基としては、一般式（２）のAで表される置
換基を挙げることができる。
【００４６】一般式（３）のR6は置換基を表し、ｊは０
〜６の整数を表し、ｊが2以上の整数のとき、複数個のR
6は同一でも異なってもよく、また互いに連結して環を
形成してもよい。R6の置換基としては、例えば以下に記
載のものを挙げることができる。炭素原子数１〜２０の
鎖状または環状アルキル基（例えば、メチル、エチル、
ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル）、炭素数６
〜１８の置換または無置換のアリール基（例えば、フェ
ニル、クロロフェニル、アニシル、トルイル、１−ナフ
チル）、アルケニル基（例えばビニル、２−メチルビニ
ル）、アルキニル基（例えば、エチニル、２−メチルエ
チニル、２−フェニルエチニル）、ハロゲン原子（例え
ば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、シアノ基、ヒドロキシル
基、カルボキシル基、アシル基（例えば、アセチル、ベ
ンゾイル、サリチロイル、ピバロイル）、アルコキシ基
（例えば、メトキシ、ブトキシ、シクロヘキシルオキ
シ）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ、１−ナ
フトキシ）、アルキルチオ基（例えば、フェニルチオ、
４−クロロフェニルチオ）、アルキルスルホニル基（例
えば、メタンスルホニル、ブタンスルホニル）、アリー
ルスルホニル基（例えば、ベンゼンスルホニル、パラト
ルエンンスルホニル）、炭素原子数１〜１０のカルバモ
イル基、炭素原子数１〜１０のアミド基、炭素原子数２
〜１２のイミド基、炭素原子数２〜１０のアシルオキシ
基、炭素原子数２〜１０のアルコキシカルボニル基、ヘ
テロ環基（例えばピリジル、チエニル、フリル、チアゾ
リル、イミダゾリル、ピラゾリルなどの芳香族ヘテロ
環、ピロリジン環、ピペリジン環、モルホリン環、ピラ
ン環、チオピラン環、ジオキサン環、ジチオラン環など
の脂肪族ヘテロ環）。
〜６の整数を表し、ｊが2以上の整数のとき、複数個のR
6は同一でも異なってもよく、また互いに連結して環を
形成してもよい。R6の置換基としては、例えば以下に記
載のものを挙げることができる。炭素原子数１〜２０の
鎖状または環状アルキル基（例えば、メチル、エチル、
ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル）、炭素数６
〜１８の置換または無置換のアリール基（例えば、フェ
ニル、クロロフェニル、アニシル、トルイル、１−ナフ
チル）、アルケニル基（例えばビニル、２−メチルビニ
ル）、アルキニル基（例えば、エチニル、２−メチルエ
チニル、２−フェニルエチニル）、ハロゲン原子（例え
ば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、シアノ基、ヒドロキシル
基、カルボキシル基、アシル基（例えば、アセチル、ベ
ンゾイル、サリチロイル、ピバロイル）、アルコキシ基
（例えば、メトキシ、ブトキシ、シクロヘキシルオキ
シ）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ、１−ナ
フトキシ）、アルキルチオ基（例えば、フェニルチオ、
４−クロロフェニルチオ）、アルキルスルホニル基（例
えば、メタンスルホニル、ブタンスルホニル）、アリー
ルスルホニル基（例えば、ベンゼンスルホニル、パラト
ルエンンスルホニル）、炭素原子数１〜１０のカルバモ
イル基、炭素原子数１〜１０のアミド基、炭素原子数２
〜１２のイミド基、炭素原子数２〜１０のアシルオキシ
基、炭素原子数２〜１０のアルコキシカルボニル基、ヘ
テロ環基（例えばピリジル、チエニル、フリル、チアゾ
リル、イミダゾリル、ピラゾリルなどの芳香族ヘテロ
環、ピロリジン環、ピペリジン環、モルホリン環、ピラ
ン環、チオピラン環、ジオキサン環、ジチオラン環など
の脂肪族ヘテロ環）。
【００４７】一般式（３）においてｍは０〜５の整数を
表し、０〜４が好ましく、０〜２が更に好ましく、０〜
１が特に好ましい。
表し、０〜４が好ましく、０〜２が更に好ましく、０〜
１が特に好ましい。
【００４８】一般式（３）においてR8は不飽和炭素鎖上
の置換基を表し、ｐは０〜２ｍの整数を表す。Ｒ8とし
ては一般式（３）のＲ6に示した置換基を挙げることが
できる。
の置換基を表し、ｐは０〜２ｍの整数を表す。Ｒ8とし
ては一般式（３）のＲ6に示した置換基を挙げることが
できる。
【００４９】一般式（３）においてＸY-はＹ価の無機も
しくは有機アニオンを表し、Ｙは１〜５の整数を表す。
Ｙは１〜４の整数が好ましく、１または２が特に好まし
い。ＸY-として好ましいのは、例えばハロゲン化物イオ
ン（Ｆ-、Ｃｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-）、ＣｌＯ4 -、ＰＦ6 -、Ｓ
ｂＦ6 -、置換アリールスルホン酸イオン（ｐ−トルエン
スルホン酸イオン、ｐ−クロルベンゼンスルホン酸イオ
ンなど）、アリールジスルホン酸イオン（１，３−ベン
ゼンジスルホン酸イオン、１，５−ナフタレンジスルホ
ン酸イオン、２，６−ナフタレンジスルホン酸イオンな
ど）が挙げられる。
しくは有機アニオンを表し、Ｙは１〜５の整数を表す。
Ｙは１〜４の整数が好ましく、１または２が特に好まし
い。ＸY-として好ましいのは、例えばハロゲン化物イオ
ン（Ｆ-、Ｃｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-）、ＣｌＯ4 -、ＰＦ6 -、Ｓ
ｂＦ6 -、置換アリールスルホン酸イオン（ｐ−トルエン
スルホン酸イオン、ｐ−クロルベンゼンスルホン酸イオ
ンなど）、アリールジスルホン酸イオン（１，３−ベン
ゼンジスルホン酸イオン、１，５−ナフタレンジスルホ
ン酸イオン、２，６−ナフタレンジスルホン酸イオンな
ど）が挙げられる。
【００５０】一般式（４）のR1、R2、R4およびR9はそれ
ぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１８の置換または無置
換のアルキル基、炭素数２〜１８の置換または無置換の
アルケニル基、炭素数２〜１８の置換または無置換のア
ルキニル基、炭素数６〜１０の置換または無置換のアリ
ール基、炭素数４〜７の飽和または不飽和のヘテロ環基
を挙げることができる。
ぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１８の置換または無置
換のアルキル基、炭素数２〜１８の置換または無置換の
アルケニル基、炭素数２〜１８の置換または無置換のア
ルキニル基、炭素数６〜１０の置換または無置換のアリ
ール基、炭素数４〜７の飽和または不飽和のヘテロ環基
を挙げることができる。
【００５１】一般式（４）のR1、R2、R4およびR9で表さ
れるアルキル基として好ましいものは炭素数１〜１０の
鎖状（直鎖または分岐）または環状アルキル基であり、
例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、
ｎ−ブチル、ｓ−ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ｎ
−ペンチル、シクロペンチル、ｎ−ヘキシル、シクロヘ
キシル、ｎ−ヘプチル、シクロヘプチル、ｎ−オクチ
ル、シクロオクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシルを挙げる
ことができるが、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソ
プロピル、ｎ−ブチル、ｓ−ブチル、イソブチル、ｔ−
ブチルが特に好ましく、メチル、エチル、ｎ−プロピル
が最も好ましい。
れるアルキル基として好ましいものは炭素数１〜１０の
鎖状（直鎖または分岐）または環状アルキル基であり、
例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、
ｎ−ブチル、ｓ−ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ｎ
−ペンチル、シクロペンチル、ｎ−ヘキシル、シクロヘ
キシル、ｎ−ヘプチル、シクロヘプチル、ｎ−オクチ
ル、シクロオクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシルを挙げる
ことができるが、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソ
プロピル、ｎ−ブチル、ｓ−ブチル、イソブチル、ｔ−
ブチルが特に好ましく、メチル、エチル、ｎ−プロピル
が最も好ましい。
【００５２】一般式（４）のR5およびR10は置換基を表
し、ｈおよびｋはそれぞれ独立に０〜４の整数を表し、
ｈおよびｋがそれぞれ独立に２以上のとき、複数個のR5
およびR10は同一でも異なってもよく、また互いに連結
して環を形成してもよい。R5およびR10で表される置換
基としては、一般式（２）のAで表される置換基を挙げ
ることができる。
し、ｈおよびｋはそれぞれ独立に０〜４の整数を表し、
ｈおよびｋがそれぞれ独立に２以上のとき、複数個のR5
およびR10は同一でも異なってもよく、また互いに連結
して環を形成してもよい。R5およびR10で表される置換
基としては、一般式（２）のAで表される置換基を挙げ
ることができる。
【００５３】一般式（４）のR6は置換基を表し、ｊは０
〜６の整数を表し、ｊが2以上の整数のとき、複数個のR
6は同一でも異なってもよく、また互いに連結して環を
形成してもよい。R6の置換基としては、例えば以下に記
載のものを挙げることができる。炭素原子数１〜２０の
鎖状または環状アルキル基（例えば、メチル、エチル、
ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル）、炭素数６
〜１８の置換または無置換のアリール基（例えば、フェ
ニル、クロロフェニル、アニシル、トルイル、１−ナフ
チル）、アルケニル基（例えばビニル、２−メチルビニ
ル）、アルキニル基（例えば、エチニル、２−メチルエ
チニル、２−フェニルエチニル）、ハロゲン原子（例え
ば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、シアノ基、ヒドロキシル
基、カルボキシル基、アシル基（例えば、アセチル、ベ
ンゾイル、サリチロイル、ピバロイル）、アルコキシ基
（例えば、メトキシ、ブトキシ、シクロヘキシルオキ
シ）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ、１−ナ
フトキシ）、アルキルチオ基（例えば、フェニルチオ、
４−クロロフェニルチオ）、アルキルスルホニル基（例
えば、メタンスルホニル、ブタンスルホニル）、アリー
ルスルホニル基（例えば、ベンゼンスルホニル、パラト
ルエンンスルホニル）、炭素原子数１〜１０のカルバモ
イル基、炭素原子数１〜１０のアミド基、炭素原子数２
〜１２のイミド基、炭素原子数２〜１０のアシルオキシ
基、炭素原子数２〜１０のアルコキシカルボニル基、ヘ
テロ環基（例えばピリジル、チエニル、フリル、チアゾ
リル、イミダゾリル、ピラゾリルなどの芳香族ヘテロ
環、ピロリジン環、ピペリジン環、モルホリン環、ピラ
ン環、チオピラン環、ジオキサン環、ジチオラン環など
の脂肪族ヘテロ環）。
〜６の整数を表し、ｊが2以上の整数のとき、複数個のR
6は同一でも異なってもよく、また互いに連結して環を
形成してもよい。R6の置換基としては、例えば以下に記
載のものを挙げることができる。炭素原子数１〜２０の
鎖状または環状アルキル基（例えば、メチル、エチル、
ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル）、炭素数６
〜１８の置換または無置換のアリール基（例えば、フェ
ニル、クロロフェニル、アニシル、トルイル、１−ナフ
チル）、アルケニル基（例えばビニル、２−メチルビニ
ル）、アルキニル基（例えば、エチニル、２−メチルエ
チニル、２−フェニルエチニル）、ハロゲン原子（例え
ば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、シアノ基、ヒドロキシル
基、カルボキシル基、アシル基（例えば、アセチル、ベ
ンゾイル、サリチロイル、ピバロイル）、アルコキシ基
（例えば、メトキシ、ブトキシ、シクロヘキシルオキ
シ）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ、１−ナ
フトキシ）、アルキルチオ基（例えば、フェニルチオ、
４−クロロフェニルチオ）、アルキルスルホニル基（例
えば、メタンスルホニル、ブタンスルホニル）、アリー
ルスルホニル基（例えば、ベンゼンスルホニル、パラト
ルエンンスルホニル）、炭素原子数１〜１０のカルバモ
イル基、炭素原子数１〜１０のアミド基、炭素原子数２
〜１２のイミド基、炭素原子数２〜１０のアシルオキシ
基、炭素原子数２〜１０のアルコキシカルボニル基、ヘ
テロ環基（例えばピリジル、チエニル、フリル、チアゾ
リル、イミダゾリル、ピラゾリルなどの芳香族ヘテロ
環、ピロリジン環、ピペリジン環、モルホリン環、ピラ
ン環、チオピラン環、ジオキサン環、ジチオラン環など
の脂肪族ヘテロ環）。
【００５４】一般式（４）においてｍおよびｎはそれぞ
れ独立に０〜５の整数を表すが 、それぞれ独立に０〜
４が好ましく、０〜２が更に好ましく、０〜１が特に好
ましい。
れ独立に０〜５の整数を表すが 、それぞれ独立に０〜
４が好ましく、０〜２が更に好ましく、０〜１が特に好
ましい。
【００５５】一般式（４）においてR11およびR12はそれ
ぞれ独立に不飽和炭素鎖上の置換基を表し、ｓおよびｔ
はそれぞれ独立に０〜２ｎ、０〜２ｍの整数を表す。Ｒ
11およびR12としては一般式（４）のＲ6に示した置換基
を挙げることができる。
ぞれ独立に不飽和炭素鎖上の置換基を表し、ｓおよびｔ
はそれぞれ独立に０〜２ｎ、０〜２ｍの整数を表す。Ｒ
11およびR12としては一般式（４）のＲ6に示した置換基
を挙げることができる。
【００５６】一般式（４）においてＸY-はＹ価の無機も
しくは有機アニオンを表し、Ｙは１〜５の整数を表す。
Ｙは１〜４の整数が好ましく、１または２が特に好まし
い。ＸY-として好ましいのは、例えばハロゲン化物イオ
ン（Ｆ-、Ｃｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-）、ＣｌＯ4 -、ＰＦ6 -、Ｓ
ｂＦ6 -、置換アリールスルホン 酸イオン（ｐ−トルエ
ンスルホン酸イオン、ｐ−クロルベンゼンスルホン酸イ
オンなど）、アリールジスルホン酸イオン（１，３−ベ
ンゼンジスルホン酸イオン、１，５−ナフタレンジスル
ホン酸イオン、２，６−ナフタレンジスルホン酸イオン
など）が挙げられる。
しくは有機アニオンを表し、Ｙは１〜５の整数を表す。
Ｙは１〜４の整数が好ましく、１または２が特に好まし
い。ＸY-として好ましいのは、例えばハロゲン化物イオ
ン（Ｆ-、Ｃｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-）、ＣｌＯ4 -、ＰＦ6 -、Ｓ
ｂＦ6 -、置換アリールスルホン 酸イオン（ｐ−トルエ
ンスルホン酸イオン、ｐ−クロルベンゼンスルホン酸イ
オンなど）、アリールジスルホン酸イオン（１，３−ベ
ンゼンジスルホン酸イオン、１，５−ナフタレンジスル
ホン酸イオン、２，６−ナフタレンジスルホン酸イオン
など）が挙げられる。
【００５７】一般式（５）のＲ1は水素原子、炭素数１
〜１８の置換または無置換のアルキル基、炭素数２〜１
８の置換または無置換のアルケニル基、炭素数２〜１８
の置換または無置換のアルキニル基、炭素数６〜１０の
置換または無置換のアリール基、炭素数４〜７の飽和ま
たは不飽和のヘテロ環基を挙げることができる。
〜１８の置換または無置換のアルキル基、炭素数２〜１
８の置換または無置換のアルケニル基、炭素数２〜１８
の置換または無置換のアルキニル基、炭素数６〜１０の
置換または無置換のアリール基、炭素数４〜７の飽和ま
たは不飽和のヘテロ環基を挙げることができる。
【００５８】一般式（５）のＲ1で表されるアルキル基
として好ましいものは炭素数１〜１０の鎖状（直鎖また
は分岐）または環状アルキル基であり、例えばメチル、
エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓ
−ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、シ
クロペンチル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキシル、ｎ−ヘ
プチル、シクロヘプチル、ｎ−オクチル、シクロオクチ
ル、ｎ−ノニル、ｎ−デシルを挙げることができるが、
メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブ
チル、ｓ−ブチル、イソブチル、ｔ−ブチルが特に好ま
しく、メチル、エチル、ｎ−プロピルが最も好ましい。
として好ましいものは炭素数１〜１０の鎖状（直鎖また
は分岐）または環状アルキル基であり、例えばメチル、
エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓ
−ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、シ
クロペンチル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキシル、ｎ−ヘ
プチル、シクロヘプチル、ｎ−オクチル、シクロオクチ
ル、ｎ−ノニル、ｎ−デシルを挙げることができるが、
メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブ
チル、ｓ−ブチル、イソブチル、ｔ−ブチルが特に好ま
しく、メチル、エチル、ｎ−プロピルが最も好ましい。
【００５９】一般式（５）のＲ5は置換基を表し、ｈは
０〜４の整数を表し、ｈが２以上のとき、複数個のＲ5
は同一でも異なってもよく、また互いに連結して環を形
成してもよい。Ｒ5で表される置換基としては、一般式
（２）のAで表される置換基を挙げることができる。
０〜４の整数を表し、ｈが２以上のとき、複数個のＲ5
は同一でも異なってもよく、また互いに連結して環を形
成してもよい。Ｒ5で表される置換基としては、一般式
（２）のAで表される置換基を挙げることができる。
【００６０】一般式（５）のＲ6は置換基を表し、ｊは
０〜６の整数を表し、ｊが2以上の整数のとき、複数個
のＲ6は同一でも異なってもよく、また互いに連結して
環を形成してもよい。Ｒ6の置換基としては、例えば以
下に記載のものを挙げることができる。炭素原子数１〜
２０の鎖状または環状アルキル基（例えば、メチル、エ
チル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル）、炭
素数６〜１８の置換または無置換のアリール基（例え
ば、フェニル、クロロフェニル、アニシル、トルイル、
１−ナフチル）、アルケニル基（例えばビニル、２−メ
チルビニル）、アルキニル基（例えば、エチニル、２−
メチルエチニル、２−フェニルエチニル）、ハロゲン原
子（例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、シアノ基、ヒドロ
キシル基、カルボキシル基、アシル基（例えば、アセチ
ル、ベンゾイル、サリチロイル、ピバロイル）、アルコ
キシ基（例えば、メトキシ、ブトキシ、シクロヘキシル
オキシ）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ、１
−ナフトキシ）、アルキルチオ基（例えば、フェニルチ
オ、４−クロロフェニルチオ）、アルキルスルホニル基
（例えば、メタンスルホニル、ブタンスルホニル）、ア
リールスルホニル基（例えば、ベンゼンスルホニル、パ
ラトルエンンスルホニル）、炭素原子数１〜１０のカル
バモイル基、炭素原子数１〜１０のアミド基、炭素原子
数２〜１２のイミド基、炭素原子数２〜１０のアシルオ
キシ基、炭素原子数２〜１０のアルコキシカルボニル
基、ヘテロ環基（例えばピリジル、チエニル、フリル、
チアゾリル、イミダゾリル、ピラゾリルなどの芳香族ヘ
テロ環、ピロリジン環、ピペリジン環、モルホリン環、
ピラン環、チオピラン環、ジオキサン環、ジチオラン環
などの脂肪族ヘテロ環）。
０〜６の整数を表し、ｊが2以上の整数のとき、複数個
のＲ6は同一でも異なってもよく、また互いに連結して
環を形成してもよい。Ｒ6の置換基としては、例えば以
下に記載のものを挙げることができる。炭素原子数１〜
２０の鎖状または環状アルキル基（例えば、メチル、エ
チル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル）、炭
素数６〜１８の置換または無置換のアリール基（例え
ば、フェニル、クロロフェニル、アニシル、トルイル、
１−ナフチル）、アルケニル基（例えばビニル、２−メ
チルビニル）、アルキニル基（例えば、エチニル、２−
メチルエチニル、２−フェニルエチニル）、ハロゲン原
子（例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、シアノ基、ヒドロ
キシル基、カルボキシル基、アシル基（例えば、アセチ
ル、ベンゾイル、サリチロイル、ピバロイル）、アルコ
キシ基（例えば、メトキシ、ブトキシ、シクロヘキシル
オキシ）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ、１
−ナフトキシ）、アルキルチオ基（例えば、フェニルチ
オ、４−クロロフェニルチオ）、アルキルスルホニル基
（例えば、メタンスルホニル、ブタンスルホニル）、ア
リールスルホニル基（例えば、ベンゼンスルホニル、パ
ラトルエンンスルホニル）、炭素原子数１〜１０のカル
バモイル基、炭素原子数１〜１０のアミド基、炭素原子
数２〜１２のイミド基、炭素原子数２〜１０のアシルオ
キシ基、炭素原子数２〜１０のアルコキシカルボニル
基、ヘテロ環基（例えばピリジル、チエニル、フリル、
チアゾリル、イミダゾリル、ピラゾリルなどの芳香族ヘ
テロ環、ピロリジン環、ピペリジン環、モルホリン環、
ピラン環、チオピラン環、ジオキサン環、ジチオラン環
などの脂肪族ヘテロ環）。
【００６１】一般式（５）においてｍは０〜５の整数を
表し、０〜４が好ましく、０〜２が更に好ましく、０〜
１が特に好ましい。
表し、０〜４が好ましく、０〜２が更に好ましく、０〜
１が特に好ましい。
【００６２】一般式（５）においてＲ8は不飽和炭素鎖
上の置換基を表し、ｐは０〜２ｍの整数を表す。Ｒ8と
しては一般式（５）のＲ6に示した置換基を挙げること
ができる。
上の置換基を表し、ｐは０〜２ｍの整数を表す。Ｒ8と
しては一般式（５）のＲ6に示した置換基を挙げること
ができる。
【００６３】一般式（５）においてＲ13およびＲ14はそ
れぞれ独立に置換または無置換のアルキル基、置換また
は無置換のアルケニル基、置換または無置換のアルキニ
ル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置
換のヘテロ環基から選ばれる基を有する。
れぞれ独立に置換または無置換のアルキル基、置換また
は無置換のアルケニル基、置換または無置換のアルキニ
ル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置
換のヘテロ環基から選ばれる基を有する。
【００６４】一般式（５）のＲ13およびＲ14で表される
アルキル基として好ましいものは炭素数１〜１０の鎖状
（直鎖または分岐）または環状アルキル基であり、例え
ばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−
ブチル、ｓ−ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペ
ンチル、シクロペンチル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキシ
ル、ｎ−ヘプチル、シクロヘプチル、ｎ−オクチル、シ
クロオクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシルを挙げることが
できるが、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピ
ル、ｎ−ブチル、ｓ−ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル
が特に好ましい。
アルキル基として好ましいものは炭素数１〜１０の鎖状
（直鎖または分岐）または環状アルキル基であり、例え
ばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−
ブチル、ｓ−ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペ
ンチル、シクロペンチル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキシ
ル、ｎ−ヘプチル、シクロヘプチル、ｎ−オクチル、シ
クロオクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシルを挙げることが
できるが、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピ
ル、ｎ−ブチル、ｓ−ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル
が特に好ましい。
【００６５】一般式（５）のＲ13およびＲ14で表される
アリール基として好ましいものは、例えばフェニル、１
−ナフチル、トルイルを挙げることができるが、特にフ
ェニルが好ましい。
アリール基として好ましいものは、例えばフェニル、１
−ナフチル、トルイルを挙げることができるが、特にフ
ェニルが好ましい。
【００６６】一般式（５）のＲ13およびＲ14で表される
基はさらに置換基を有してもよく、Ｒ13およびＲ14に置
換する置換基としては、一般式（５）のＲ6に示した置
換基を挙げることができる。
基はさらに置換基を有してもよく、Ｒ13およびＲ14に置
換する置換基としては、一般式（５）のＲ6に示した置
換基を挙げることができる。
【００６７】一般式（６）のＲ1は水素原子、炭素数１
〜１８の置換または無置換のアルキル基、炭素数２〜１
８の置換または無置換のアルケニル基、炭素数２〜１８
の置換または無置換のアルキニル基、炭素数６〜１０の
置換または無置換のアリール基、炭素数４〜７の飽和ま
たは不飽和のヘテロ環基を挙げることができる。
〜１８の置換または無置換のアルキル基、炭素数２〜１
８の置換または無置換のアルケニル基、炭素数２〜１８
の置換または無置換のアルキニル基、炭素数６〜１０の
置換または無置換のアリール基、炭素数４〜７の飽和ま
たは不飽和のヘテロ環基を挙げることができる。
【００６８】一般式（６）のＲ1で表されるアルキル基
として好ましいものは炭素数１〜１０の鎖状（直鎖また
は分岐）または環状アルキル基であり、例えばメチル、
エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓ
−ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、シ
クロペンチル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキシル、ｎ−ヘ
プチル、シクロヘプチル、ｎ−オクチル、シクロオクチ
ル、ｎ−ノニル、ｎ−デシルを挙げることができるが、
メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブ
チル、ｓ−ブチル、イソブチル、ｔ−ブチルが特に好ま
しく、メチル、エチル、ｎ−プロピルが最も好ましい。
として好ましいものは炭素数１〜１０の鎖状（直鎖また
は分岐）または環状アルキル基であり、例えばメチル、
エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓ
−ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、シ
クロペンチル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキシル、ｎ−ヘ
プチル、シクロヘプチル、ｎ−オクチル、シクロオクチ
ル、ｎ−ノニル、ｎ−デシルを挙げることができるが、
メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブ
チル、ｓ−ブチル、イソブチル、ｔ−ブチルが特に好ま
しく、メチル、エチル、ｎ−プロピルが最も好ましい。
【００６９】一般式（６）のＲ5およびＲ10はそれぞれ
独立に置換基を表し、ｈおよびｋはそれぞれ独立に０〜
４の整数を表し、ｈおよびｋがそれぞれ独立に２以上の
とき、複数個のＲ5およびＲ10は同一でも異なってもよ
く、また互いに連結して環を形成してもよい。Ｒ5およ
びＲ10で表される置換基としては、一般式（２）のAで
表される置換基を挙げることができる。
独立に置換基を表し、ｈおよびｋはそれぞれ独立に０〜
４の整数を表し、ｈおよびｋがそれぞれ独立に２以上の
とき、複数個のＲ5およびＲ10は同一でも異なってもよ
く、また互いに連結して環を形成してもよい。Ｒ5およ
びＲ10で表される置換基としては、一般式（２）のAで
表される置換基を挙げることができる。
【００７０】一般式（６）のＲ6は置換基を表し、ｊは
０〜６の整数を表し、ｊが2以上の整数のとき、複数個
のＲ6は同一でも異なってもよく、また互いに連結して
環を形成してもよい。Ｒ6の置換基としては、例えば以
下に記載のものを挙げることができる。炭素原子数１〜
２０の鎖状または環状アルキル基（例えば、メチル、エ
チル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル）、炭
素数６〜１８の置換または無置換のアリール基（例え
ば、フェニル、クロロフェニル、アニシル、トルイル、
１−ナフチル）、アルケニル基（例えばビニル、２−メ
チルビニル）、アルキニル基（例えば、エチニル、２−
メチルエチニル、２−フェニルエチニル）、ハロゲン原
子（例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、シアノ基、ヒドロ
キシル基、カルボキシル基、アシル基（例えば、アセチ
ル、ベンゾイル、サリチロイル、ピバロイル）、アルコ
キシ基（例えば、メトキシ、ブトキシ、シクロヘキシル
オキシ）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ、１
−ナフトキシ）、アルキルチオ基（例えば、フェニルチ
オ、４−クロロフェニルチオ）、アルキルスルホニル基
（例えば、メタンスルホニル、ブタンスルホニル）、ア
リールスルホニル基（例えば、ベンゼンスルホニル、パ
ラトルエンンスルホニル）、炭素原子数１〜１０のカル
バモイル基、炭素原子数１〜１０のアミド基、炭素原子
数２〜１２のイミド基、炭素原子数２〜１０のアシルオ
キシ基、炭素原子数２〜１０のアルコキシカルボニル
基、ヘテロ環基（例えばピリジル、チエニル、フリル、
チアゾリル、イミダゾリル、ピラゾリルなどの芳香族ヘ
テロ環、ピロリジン環、ピペリジン環、モルホリン環、
ピラン環、チオピラン環、ジオキサン環、ジチオラン環
などの脂肪族ヘテロ環）。
０〜６の整数を表し、ｊが2以上の整数のとき、複数個
のＲ6は同一でも異なってもよく、また互いに連結して
環を形成してもよい。Ｒ6の置換基としては、例えば以
下に記載のものを挙げることができる。炭素原子数１〜
２０の鎖状または環状アルキル基（例えば、メチル、エ
チル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル）、炭
素数６〜１８の置換または無置換のアリール基（例え
ば、フェニル、クロロフェニル、アニシル、トルイル、
１−ナフチル）、アルケニル基（例えばビニル、２−メ
チルビニル）、アルキニル基（例えば、エチニル、２−
メチルエチニル、２−フェニルエチニル）、ハロゲン原
子（例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、シアノ基、ヒドロ
キシル基、カルボキシル基、アシル基（例えば、アセチ
ル、ベンゾイル、サリチロイル、ピバロイル）、アルコ
キシ基（例えば、メトキシ、ブトキシ、シクロヘキシル
オキシ）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ、１
−ナフトキシ）、アルキルチオ基（例えば、フェニルチ
オ、４−クロロフェニルチオ）、アルキルスルホニル基
（例えば、メタンスルホニル、ブタンスルホニル）、ア
リールスルホニル基（例えば、ベンゼンスルホニル、パ
ラトルエンンスルホニル）、炭素原子数１〜１０のカル
バモイル基、炭素原子数１〜１０のアミド基、炭素原子
数２〜１２のイミド基、炭素原子数２〜１０のアシルオ
キシ基、炭素原子数２〜１０のアルコキシカルボニル
基、ヘテロ環基（例えばピリジル、チエニル、フリル、
チアゾリル、イミダゾリル、ピラゾリルなどの芳香族ヘ
テロ環、ピロリジン環、ピペリジン環、モルホリン環、
ピラン環、チオピラン環、ジオキサン環、ジチオラン環
などの脂肪族ヘテロ環）。
【００７１】一般式（６）においてｍおよびｎはそれぞ
れ独立に０〜５の整数を表し、０〜４が好ましく、０〜
２が更に好ましく、０〜１が特に好ましい。
れ独立に０〜５の整数を表し、０〜４が好ましく、０〜
２が更に好ましく、０〜１が特に好ましい。
【００７２】一般式（６）においてＲ11およびＲ12はそ
れぞれ独立に不飽和炭素鎖上の置換基を表し、ｓおよび
ｔはそれぞれ独立に０〜２ｎ、０〜２ｍの整数を表す。
Ｒ11およびＲ12としては一般式（６）のＲ6に示した置
換基を挙げることができる。
れぞれ独立に不飽和炭素鎖上の置換基を表し、ｓおよび
ｔはそれぞれ独立に０〜２ｎ、０〜２ｍの整数を表す。
Ｒ11およびＲ12としては一般式（６）のＲ6に示した置
換基を挙げることができる。
【００７３】一般式（７）のＲ6は置換基を表し、ｊは
０〜６の整数を表し、ｊが2以上の整数のとき、複数個
のＲ6は同一でも異なってもよく、また互いに連結して
環を形成してもよい。Ｒ6の置換基としては、例えば以
下に記載のものを挙げることができる。炭素原子数１〜
２０の鎖状または環状アルキル基（例えば、メチル、エ
チル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル）、炭
素数６〜１８の置換または無置換のアリール基（例え
ば、フェニル、クロロフェニル、アニシル、トルイル、
１−ナフチル）、アルケニル基（例えばビニル、２−メ
チルビニル）、アルキニル基（例えば、エチニル、２−
メチルエチニル、２−フェニルエチニル）、ハロゲン原
子（例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、シアノ基、ヒドロ
キシル基、カルボキシル基、アシル基（例えば、アセチ
ル、ベンゾイル、サリチロイル、ピバロイル）、アルコ
キシ基（例えば、メトキシ、ブトキシ、シクロヘキシル
オキシ）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ、１
−ナフトキシ）、アルキルチオ基（例えば、フェニルチ
オ、４−クロロフェニルチオ）、アルキルスルホニル基
（例えば、メタンスルホニル、ブタンスルホニル）、ア
リールスルホニル基（例えば、ベンゼンスルホニル、パ
ラトルエンンスルホニル）、炭素原子数１〜１０のカル
バモイル基、炭素原子数１〜１０のアミド基、炭素原子
数２〜１２のイミド基、炭素原子数２〜１０のアシルオ
キシ基、炭素原子数２〜１０のアルコキシカルボニル
基、ヘテロ環基（例えばピリジル、チエニル、フリル、
チアゾリル、イミダゾリル、ピラゾリルなどの芳香族ヘ
テロ環、ピロリジン環、ピペリジン環、モルホリン環、
ピラン環、チオピラン環、ジオキサン環、ジチオラン環
などの脂肪族ヘテロ環）。
０〜６の整数を表し、ｊが2以上の整数のとき、複数個
のＲ6は同一でも異なってもよく、また互いに連結して
環を形成してもよい。Ｒ6の置換基としては、例えば以
下に記載のものを挙げることができる。炭素原子数１〜
２０の鎖状または環状アルキル基（例えば、メチル、エ
チル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル）、炭
素数６〜１８の置換または無置換のアリール基（例え
ば、フェニル、クロロフェニル、アニシル、トルイル、
１−ナフチル）、アルケニル基（例えばビニル、２−メ
チルビニル）、アルキニル基（例えば、エチニル、２−
メチルエチニル、２−フェニルエチニル）、ハロゲン原
子（例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、シアノ基、ヒドロ
キシル基、カルボキシル基、アシル基（例えば、アセチ
ル、ベンゾイル、サリチロイル、ピバロイル）、アルコ
キシ基（例えば、メトキシ、ブトキシ、シクロヘキシル
オキシ）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ、１
−ナフトキシ）、アルキルチオ基（例えば、フェニルチ
オ、４−クロロフェニルチオ）、アルキルスルホニル基
（例えば、メタンスルホニル、ブタンスルホニル）、ア
リールスルホニル基（例えば、ベンゼンスルホニル、パ
ラトルエンンスルホニル）、炭素原子数１〜１０のカル
バモイル基、炭素原子数１〜１０のアミド基、炭素原子
数２〜１２のイミド基、炭素原子数２〜１０のアシルオ
キシ基、炭素原子数２〜１０のアルコキシカルボニル
基、ヘテロ環基（例えばピリジル、チエニル、フリル、
チアゾリル、イミダゾリル、ピラゾリルなどの芳香族ヘ
テロ環、ピロリジン環、ピペリジン環、モルホリン環、
ピラン環、チオピラン環、ジオキサン環、ジチオラン環
などの脂肪族ヘテロ環）。
【００７４】一般式（７）においてｍは０〜５の整数を
表し、０〜４が好ましく、０〜２が更に好ましく、０〜
１が特に好ましい。
表し、０〜４が好ましく、０〜２が更に好ましく、０〜
１が特に好ましい。
【００７５】一般式（７）においてＲ8は不飽和炭素鎖
上の置換基を表し、ｐは０〜２ｍの整数を表す。Ｒ8と
しては一般式（７）のＲ6に示した置換基を挙げること
ができる。
上の置換基を表し、ｐは０〜２ｍの整数を表す。Ｒ8と
しては一般式（７）のＲ6に示した置換基を挙げること
ができる。
【００７６】一般式（７）においてＲ13およびＲ14はそ
れぞれ独立に置換または無置換のアルキル基、置換また
は無置換のアルケニル基、置換または無置換のアルキニ
ル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置
換のヘテロ環基から選ばれる基を有する。
れぞれ独立に置換または無置換のアルキル基、置換また
は無置換のアルケニル基、置換または無置換のアルキニ
ル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置
換のヘテロ環基から選ばれる基を有する。
【００７７】一般式（７）のＲ13およびＲ14で表される
アルキル基として好ましいものは炭素数１〜１０の鎖状
（直鎖または分岐）または環状アルキル基であり、例え
ばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−
ブチル、ｓ−ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペ
ンチル、シクロペンチル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキシ
ル、ｎ−ヘプチル、シクロヘプチル、ｎ−オクチル、シ
クロオクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシルを挙げることが
できるが、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピ
ル、ｎ−ブチル、ｓ−ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル
が特に好ましい。
アルキル基として好ましいものは炭素数１〜１０の鎖状
（直鎖または分岐）または環状アルキル基であり、例え
ばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−
ブチル、ｓ−ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペ
ンチル、シクロペンチル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキシ
ル、ｎ−ヘプチル、シクロヘプチル、ｎ−オクチル、シ
クロオクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシルを挙げることが
できるが、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピ
ル、ｎ−ブチル、ｓ−ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル
が特に好ましい。
【００７８】一般式（７）のＲ13およびＲ14で表される
アリール基として好ましいものは、例えばフェニル、１
−ナフチル、トルイルを挙げることができるが、特にフ
ェニルが好ましい。
アリール基として好ましいものは、例えばフェニル、１
−ナフチル、トルイルを挙げることができるが、特にフ
ェニルが好ましい。
【００７９】一般式（７）のＲ13およびＲ14で表される
基はさらに置換基を有してもよく、Ｒ13およびＲ14に置
換する置換基としては、一般式（７）のＲ6に示した置
換基を挙げることができる。
基はさらに置換基を有してもよく、Ｒ13およびＲ14に置
換する置換基としては、一般式（７）のＲ6に示した置
換基を挙げることができる。
【００８０】一般式（７）のＲ15で表されるヘテロ環基
として好ましいものは、炭素数４〜７の飽和または不飽
和のヘテロ環であり、含有されるヘテロ原子としては、
窒素原子、酸素原子、硫黄原子が好ましく、たとえば４
−ピリジル、４−ピリジニオ、２−ピリジル、２−ピリ
ジニオ、２−ピラジル、２−イミダゾリル、２−フリ
ル、２−チオフェニル、２−ベンゾオキサゾリル、２−
ベンゾチオキサゾリルおよび、下記構造式（Ｉ）および
構造式（ＩＩ）を挙げることができる。
として好ましいものは、炭素数４〜７の飽和または不飽
和のヘテロ環であり、含有されるヘテロ原子としては、
窒素原子、酸素原子、硫黄原子が好ましく、たとえば４
−ピリジル、４−ピリジニオ、２−ピリジル、２−ピリ
ジニオ、２−ピラジル、２−イミダゾリル、２−フリ
ル、２−チオフェニル、２−ベンゾオキサゾリル、２−
ベンゾチオキサゾリルおよび、下記構造式（Ｉ）および
構造式（ＩＩ）を挙げることができる。
【００８１】
【化２０】
【００８２】（式中Ｘは酸素原子または硫黄原子を表
し、Ｒ18は置換または無置換のアルキル基、置換または
無置換のアリール基を表す。）
し、Ｒ18は置換または無置換のアルキル基、置換または
無置換のアリール基を表す。）
【００８３】
【化２１】
【００８４】（式中Ｒ19は置換または無置換のアルキル
基、置換または無置換のアリール基を表すし、Ｒ20およ
びＲ21はそれぞれ独立に置換または無置換のアルキル
基、置換または無置換のアルケニル基を表す。）
基、置換または無置換のアリール基を表すし、Ｒ20およ
びＲ21はそれぞれ独立に置換または無置換のアルキル
基、置換または無置換のアルケニル基を表す。）
【００８５】一般式（７）のＲ15で表されるヘテロ環基
はさらに置換基を有してもよく、置換基としては一般式
（７）のＲ6に示したものを挙げることができる。
はさらに置換基を有してもよく、置換基としては一般式
（７）のＲ6に示したものを挙げることができる。
【００８６】一般式（７）のＲ15で表されるヘテロ環基
としては、構造式（Ｉ）、構造式（ＩＩ）、４−ピリジ
ル、４−ピリジニオが特に好ましい。
としては、構造式（Ｉ）、構造式（ＩＩ）、４−ピリジ
ル、４−ピリジニオが特に好ましい。
【００８７】本発明に用いられる一般式（１）で示され
る化合物の具体例を次に挙げるが、本発明はこれらに限
定されるものではない。
る化合物の具体例を次に挙げるが、本発明はこれらに限
定されるものではない。
【００８８】
【化２２】
【００８９】
【化２３】
【００９０】
【化２４】
【００９１】
【化２５】
【００９２】次に、本発明の光情報記録媒体の構造につ
いて説明する。本発明の光情報記録媒体は、前記一般式
（１）で表される化合物を含むものであれば特に制限は
なく、一般式（１）で表される化合物を含む記録層を基
板上に薄膜状に形成したものでも、一般式（１)で表さ
れる化合物をポリマーマトリックス中に分散したブロッ
ク状のものでも良い。
いて説明する。本発明の光情報記録媒体は、前記一般式
（１）で表される化合物を含むものであれば特に制限は
なく、一般式（１）で表される化合物を含む記録層を基
板上に薄膜状に形成したものでも、一般式（１)で表さ
れる化合物をポリマーマトリックス中に分散したブロッ
ク状のものでも良い。
【００９３】一般式（I）で表される化合物を含む記録
層を基板上に薄膜状に形成した記録媒体の場合には、プ
レグルーブ（例えば、トラックピッチ0.1〜2.0μｍ）が
形成された厚さ0.1〜３ｍｍの透明な円盤状基板上に、
前記一般式（I）で表される化合物を含む記録層を設け
た構成を好ましく用いることができる。また、プレグル
ーブは有っても無くても良い。
層を基板上に薄膜状に形成した記録媒体の場合には、プ
レグルーブ（例えば、トラックピッチ0.1〜2.0μｍ）が
形成された厚さ0.1〜３ｍｍの透明な円盤状基板上に、
前記一般式（I）で表される化合物を含む記録層を設け
た構成を好ましく用いることができる。また、プレグル
ーブは有っても無くても良い。
【００９４】基板（保護基板も含む）は、従来の光情報
記録媒体の基板として用いられている各種の材料から任
意に選択することができる。基板材料としては、例え
ば、ガラス；ポリカーボネート；ポリメチルメタクリレ
ート等のアクリル樹脂；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共
重合体等の塩化ビニル系樹脂；エポキシ樹脂；アモルフ
ァスポリオレフィンおよびポリエステル等を挙げること
ができ、所望によりそれらを併用してもよい。なお、こ
れらの材料はフィルム状としてまたは剛性のある基板と
して使うことができる。上記材料の中では、耐湿性、寸
法安定性および価格などの点からポリカーボネートが好
ましい。
記録媒体の基板として用いられている各種の材料から任
意に選択することができる。基板材料としては、例え
ば、ガラス；ポリカーボネート；ポリメチルメタクリレ
ート等のアクリル樹脂；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共
重合体等の塩化ビニル系樹脂；エポキシ樹脂；アモルフ
ァスポリオレフィンおよびポリエステル等を挙げること
ができ、所望によりそれらを併用してもよい。なお、こ
れらの材料はフィルム状としてまたは剛性のある基板と
して使うことができる。上記材料の中では、耐湿性、寸
法安定性および価格などの点からポリカーボネートが好
ましい。
【００９５】基板（又は下塗層）上にプレグルーブがあ
る場合は、トラッキング用溝又はアドレス信号等の情報
を表す凹凸（プレグルーブ）であり、ポリカーボネート
などの樹脂材料を射出成形あるいは押出成形する際に直
接基板上に前記のトラックピッチで形成されることが好
ましい。また、プレグルーブの形成を、プレグルーブ層
を設けることにより行ってもよい。プレグルーブ層の材
料としては、アクリル酸のモノエステル、ジエステル、
トリエステルおよびテトラエステルのうち少なくとも一
種のモノマー（またはオリゴマー）と光重合開始剤との
混合物を用いることができる。プレグルーブ層の形成
は、例えば、まず精密に作られた母型（スタンパー）上
に上記のアクリル酸エステルおよび重合開始剤からなる
混合液を塗布し、さらにこの塗布液層上に基板を載せた
のち、基板または母型を介して紫外線を照射することに
より塗布層を硬化させて基板と塗布層とを固着させる。
次いで、基板を母型から剥離することにより得ることが
できる。プレグルーブ層の層厚は、０．０５〜１００μ
ｍの範囲にあり、好ましくは０．１〜５０μｍの範囲で
ある。
る場合は、トラッキング用溝又はアドレス信号等の情報
を表す凹凸（プレグルーブ）であり、ポリカーボネート
などの樹脂材料を射出成形あるいは押出成形する際に直
接基板上に前記のトラックピッチで形成されることが好
ましい。また、プレグルーブの形成を、プレグルーブ層
を設けることにより行ってもよい。プレグルーブ層の材
料としては、アクリル酸のモノエステル、ジエステル、
トリエステルおよびテトラエステルのうち少なくとも一
種のモノマー（またはオリゴマー）と光重合開始剤との
混合物を用いることができる。プレグルーブ層の形成
は、例えば、まず精密に作られた母型（スタンパー）上
に上記のアクリル酸エステルおよび重合開始剤からなる
混合液を塗布し、さらにこの塗布液層上に基板を載せた
のち、基板または母型を介して紫外線を照射することに
より塗布層を硬化させて基板と塗布層とを固着させる。
次いで、基板を母型から剥離することにより得ることが
できる。プレグルーブ層の層厚は、０．０５〜１００μ
ｍの範囲にあり、好ましくは０．１〜５０μｍの範囲で
ある。
【００９６】基板（又は下塗層）上あるいはプレグルー
ブが形成されているその表面上に、本発明に係る前記式
で示される色素化合物を含む記録層が設けられる。記録
層の形成方法としては、真空蒸着方や塗布法などを用い
ることができる。塗布法としては、スプレー法、スピン
コート法、ディップ法、ロールコート法、ブレードコー
ト法、ドクターロール法、スクリーン印刷法などを挙げ
ることができる。記録層は単層でも重層でもよい。記録
層の層厚は一般に２０〜５００ｎｍの範囲とすることが
でき、好ましくは５０〜３００ｎｍの範囲である。さら
には、レーザー光の焦点深度を制御することにより、多
層記録も可能であり、この場合は、さらに厚い記録層と
することができる。これにより、さらなる高密度記録を
可能にすることができる。
ブが形成されているその表面上に、本発明に係る前記式
で示される色素化合物を含む記録層が設けられる。記録
層の形成方法としては、真空蒸着方や塗布法などを用い
ることができる。塗布法としては、スプレー法、スピン
コート法、ディップ法、ロールコート法、ブレードコー
ト法、ドクターロール法、スクリーン印刷法などを挙げ
ることができる。記録層は単層でも重層でもよい。記録
層の層厚は一般に２０〜５００ｎｍの範囲とすることが
でき、好ましくは５０〜３００ｎｍの範囲である。さら
には、レーザー光の焦点深度を制御することにより、多
層記録も可能であり、この場合は、さらに厚い記録層と
することができる。これにより、さらなる高密度記録を
可能にすることができる。
【００９７】塗布法による記録層の形成は、本発明に係
る化合物、更に所望により結合剤などを溶剤に溶解して
塗布液を調製し、次いでこの塗布液を基板表面に塗布し
て塗膜を形成したのち乾燥することにより行うことがで
きる。色素記録層形成用の塗布液の溶剤としては、酢酸
ブチル、乳酸エチル、セロソルブアセテートなどのエス
テル；メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル
イソブチルケトンなどのケトン；ジクロルメタン、１，
２−ジクロルエタン、クロロホルムなどの塩素化炭化水
素；ジメチルホルムアミドなどのアミド；シクロヘキサ
ンなどの炭化水素；テトラヒドロフラン、エチルエーテ
ル、ジオキサンなどのエーテル；エタノ−ル、ｎ−プロ
パノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ジアセ
トンアルコールなどのアルコール；２，２，３，３−テ
トラフロロプロパノールなどのフッ素系溶剤；エチレン
グリコールモノメチルエーテル、エチレンングリコール
モノエチルエーテル、プロピレンングリコールモノメチ
ルエーテルなどのグリコールエーテル類などを挙げるこ
とができる。上記溶剤は使用する化合物の溶解性を考慮
して単独または二種以上組み合わせて用いることができ
る。塗布液中にはさらに酸化防止剤、ＵＶ吸収剤、可塑
剤、潤滑財などの各種の添加剤を目的に応じて添加して
もよい。
る化合物、更に所望により結合剤などを溶剤に溶解して
塗布液を調製し、次いでこの塗布液を基板表面に塗布し
て塗膜を形成したのち乾燥することにより行うことがで
きる。色素記録層形成用の塗布液の溶剤としては、酢酸
ブチル、乳酸エチル、セロソルブアセテートなどのエス
テル；メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル
イソブチルケトンなどのケトン；ジクロルメタン、１，
２−ジクロルエタン、クロロホルムなどの塩素化炭化水
素；ジメチルホルムアミドなどのアミド；シクロヘキサ
ンなどの炭化水素；テトラヒドロフラン、エチルエーテ
ル、ジオキサンなどのエーテル；エタノ−ル、ｎ−プロ
パノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ジアセ
トンアルコールなどのアルコール；２，２，３，３−テ
トラフロロプロパノールなどのフッ素系溶剤；エチレン
グリコールモノメチルエーテル、エチレンングリコール
モノエチルエーテル、プロピレンングリコールモノメチ
ルエーテルなどのグリコールエーテル類などを挙げるこ
とができる。上記溶剤は使用する化合物の溶解性を考慮
して単独または二種以上組み合わせて用いることができ
る。塗布液中にはさらに酸化防止剤、ＵＶ吸収剤、可塑
剤、潤滑財などの各種の添加剤を目的に応じて添加して
もよい。
【００９８】結合剤の例としては、例えばゼラチン、セ
ルロース誘導体、デキストラン、ロジン、ゴムなどの天
然有機高分子物質；およびポリエチレン、ポリプロピレ
ン、ポリスチレン、ポリイソブチレン等の炭化水素系樹
脂；ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビ
ニル・ポリ酢酸ビニル共重合体等のビニル系樹脂；ポリ
アクリル酸メチル、ポリメタクリル酸メチルなどのアク
リル樹脂；ポリビニルアルコール、塩素化ポリエチレ
ン、エポキシ樹脂、ブチラール樹脂、ゴム誘導体、フェ
ノール・ホルムアルデヒド樹脂等の熱硬化性樹脂の初期
縮合物などの合成有機高分子を挙げることができる。記
録層の材料として結合剤を併用する場合に、結合剤の使
用量は、色素に対して一般に０．０１〜５０倍量（質量
比）の範囲にあり、好ましくは０．１〜５倍量（質量
比）の範囲にある。このようにして調製される塗布液の
色素の濃度は一般に０．０１〜１０質量％の範囲にあ
り、好ましくは０．１〜５質量％の範囲にある。
ルロース誘導体、デキストラン、ロジン、ゴムなどの天
然有機高分子物質；およびポリエチレン、ポリプロピレ
ン、ポリスチレン、ポリイソブチレン等の炭化水素系樹
脂；ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビ
ニル・ポリ酢酸ビニル共重合体等のビニル系樹脂；ポリ
アクリル酸メチル、ポリメタクリル酸メチルなどのアク
リル樹脂；ポリビニルアルコール、塩素化ポリエチレ
ン、エポキシ樹脂、ブチラール樹脂、ゴム誘導体、フェ
ノール・ホルムアルデヒド樹脂等の熱硬化性樹脂の初期
縮合物などの合成有機高分子を挙げることができる。記
録層の材料として結合剤を併用する場合に、結合剤の使
用量は、色素に対して一般に０．０１〜５０倍量（質量
比）の範囲にあり、好ましくは０．１〜５倍量（質量
比）の範囲にある。このようにして調製される塗布液の
色素の濃度は一般に０．０１〜１０質量％の範囲にあ
り、好ましくは０．１〜５質量％の範囲にある。
【００９９】記録層には、更に記録層の耐光性を向上さ
せるために、種々の褪色防止剤を含有させることもでき
る。褪色防止剤としては、有機酸化剤や一重項酸素クエ
ンチャーを挙げることができる。
せるために、種々の褪色防止剤を含有させることもでき
る。褪色防止剤としては、有機酸化剤や一重項酸素クエ
ンチャーを挙げることができる。
【０１００】記録層が設けられる側の基板表面には、平
面性の改善および接着力の向上および記録層の変質防止
などの目的で、下塗層が設けられてもよい。下塗層の材
料としては例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリ
ル酸・メタクリル酸共重合体、スチレン・無水マレイン
酸共重合体、ポリビニルアルコール、Ｎ−メチロールア
クリルアミド、スチレン・ビニルトルエン共重合体、ク
ロルスルホン化ポリエチレン、ニトロセルロース、ポリ
塩化ビニル、塩素化ポリオレフィン、ポリエステル、ポ
リイミド、酢酸ビニル・塩化ビニル共重合体、エチレン
・酢酸ビニル共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、ポリカーボネート等の高分子物質；およびシランカ
ップリング剤などの表面改質剤をあげることができる。
面性の改善および接着力の向上および記録層の変質防止
などの目的で、下塗層が設けられてもよい。下塗層の材
料としては例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリ
ル酸・メタクリル酸共重合体、スチレン・無水マレイン
酸共重合体、ポリビニルアルコール、Ｎ−メチロールア
クリルアミド、スチレン・ビニルトルエン共重合体、ク
ロルスルホン化ポリエチレン、ニトロセルロース、ポリ
塩化ビニル、塩素化ポリオレフィン、ポリエステル、ポ
リイミド、酢酸ビニル・塩化ビニル共重合体、エチレン
・酢酸ビニル共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、ポリカーボネート等の高分子物質；およびシランカ
ップリング剤などの表面改質剤をあげることができる。
【０１０１】上記記録層の上に、情報再生時における反
射率の向上の目的で、光反射層を設けてもよい。光反射
層の材料である光反射性物質はレーザー光に対する反射
率が高い物質であり、その例としては、Ｍｇ、Ｓｅ、
Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐ
ｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａ
ｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓ
ｎ、Ｂｉなどの金属及び半金属あるいはステンレス鋼を
挙げることができる。これらのうちで好ましいものは、
Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌおよびステ
ンレス鋼であり、特に好ましいものはＡｇである。これ
らの物質は単独で用いてもよいし、あるいは二種以上の
組み合わせで、または合金として用いてもよい。光反射
層は、例えば上記反射性物質を蒸着、スパッタリングま
たはイオンプレーティングすることにより記録層の上に
形成することができる。光反射層の層厚は、一般に１０
〜３００ｎｍの範囲とすることができ、好ましくは５０
〜２００ｎｍの範囲である。
射率の向上の目的で、光反射層を設けてもよい。光反射
層の材料である光反射性物質はレーザー光に対する反射
率が高い物質であり、その例としては、Ｍｇ、Ｓｅ、
Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐ
ｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａ
ｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓ
ｎ、Ｂｉなどの金属及び半金属あるいはステンレス鋼を
挙げることができる。これらのうちで好ましいものは、
Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌおよびステ
ンレス鋼であり、特に好ましいものはＡｇである。これ
らの物質は単独で用いてもよいし、あるいは二種以上の
組み合わせで、または合金として用いてもよい。光反射
層は、例えば上記反射性物質を蒸着、スパッタリングま
たはイオンプレーティングすることにより記録層の上に
形成することができる。光反射層の層厚は、一般に１０
〜３００ｎｍの範囲とすることができ、好ましくは５０
〜２００ｎｍの範囲である。
【０１０２】光反射層の上には、記録層などを物理的お
よび化学的に保護する目的で保護層が設けられていても
よい。この保護層は、基盤の記録層が設けられていない
側にも耐傷性、耐湿性を高める目的で設けられてもよ
い。保護層に用いられる材料としては、例えば、Ｓｉ
Ｏ、ＳｉＯ2、ＭｇＦ2、ＳｎＯ2、Ｓｉ3Ｎ4などの無機
物質、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等
の有機物質を挙げることができる。保護層は、たとえば
プラスチックの押出加工で得られたフィルムを光反射層
上及び／または基板上にラミネートすることにより形成
することができる。あるいは真空蒸着、スパッタリン
グ、塗布等の方法により設けられてもよい。また、熱可
塑性樹脂、熱硬化性樹脂の場合には、これらの適当な溶
剤に溶解して塗布液を調製したのち、この塗布液を塗布
し、乾燥することによっても形成することができる。Ｕ
Ｖ硬化性樹脂の場合には、そのままもしくは適当な溶剤
に溶解して塗布液を調製したのちこの塗布液を塗布し、
ＵＶ光を照射して硬化させることによっても形成するこ
とができる。これらの塗布液中には、更に帯電防止剤、
酸化防止剤、ＵＶ吸収剤等の各種添加剤を目的に応じて
添加してもよい。保護層の層厚は一般には０．１〜１０
０μｍの範囲とすることができる。
よび化学的に保護する目的で保護層が設けられていても
よい。この保護層は、基盤の記録層が設けられていない
側にも耐傷性、耐湿性を高める目的で設けられてもよ
い。保護層に用いられる材料としては、例えば、Ｓｉ
Ｏ、ＳｉＯ2、ＭｇＦ2、ＳｎＯ2、Ｓｉ3Ｎ4などの無機
物質、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等
の有機物質を挙げることができる。保護層は、たとえば
プラスチックの押出加工で得られたフィルムを光反射層
上及び／または基板上にラミネートすることにより形成
することができる。あるいは真空蒸着、スパッタリン
グ、塗布等の方法により設けられてもよい。また、熱可
塑性樹脂、熱硬化性樹脂の場合には、これらの適当な溶
剤に溶解して塗布液を調製したのち、この塗布液を塗布
し、乾燥することによっても形成することができる。Ｕ
Ｖ硬化性樹脂の場合には、そのままもしくは適当な溶剤
に溶解して塗布液を調製したのちこの塗布液を塗布し、
ＵＶ光を照射して硬化させることによっても形成するこ
とができる。これらの塗布液中には、更に帯電防止剤、
酸化防止剤、ＵＶ吸収剤等の各種添加剤を目的に応じて
添加してもよい。保護層の層厚は一般には０．１〜１０
０μｍの範囲とすることができる。
【０１０３】本発明の光情報記録媒体が、一般式（１)
で表される化合物をポリマーマトリックス中に分散させ
たブロック状の場合には、分散させるポリマーマトリッ
クスとしては特に制限はなく、ポリカーボネート、ポリ
メチルメタクリレート等のアクリル樹脂、エポキシ樹
脂、アモルファスポリオレフィン、ポリエステル、塩化
ビニル系樹脂、ポリエチレンテレフタレート等を用いる
ことができる。
で表される化合物をポリマーマトリックス中に分散させ
たブロック状の場合には、分散させるポリマーマトリッ
クスとしては特に制限はなく、ポリカーボネート、ポリ
メチルメタクリレート等のアクリル樹脂、エポキシ樹
脂、アモルファスポリオレフィン、ポリエステル、塩化
ビニル系樹脂、ポリエチレンテレフタレート等を用いる
ことができる。
【０１０４】ポリマーマトリックス中に含まれる一般式
（１）の化合物は、１〜９０質量％の割合で含まれるこ
とが必要であり、５〜８０質量％の割合で含まれること
が好ましい。また、ブロックの形状は縦、横、高さがそ
れぞれ独立に１〜１００ｍｍの立方体または直方体であ
ることが好ましい。
（１）の化合物は、１〜９０質量％の割合で含まれるこ
とが必要であり、５〜８０質量％の割合で含まれること
が好ましい。また、ブロックの形状は縦、横、高さがそ
れぞれ独立に１〜１００ｍｍの立方体または直方体であ
ることが好ましい。
【０１０５】一般式（１）の化合物をポリマーマトリッ
クス中に分散させる方法には特に制限はなく、種々の方
法を用いることができる。例えば、ポリマー化合物を溶
解し、これに一般式（１）の化合物を添加し、均一に混
合した後、放冷するか、ポリマー化合物と一般式（１）
の化合物を適当な溶媒に溶解させて、加熱しながら溶媒
を蒸発させる方法、もしくは一般式（１）の化合物を相
当するモノマーに溶解させて重合反応によりポリマー化
させる方法等が挙げられる。
クス中に分散させる方法には特に制限はなく、種々の方
法を用いることができる。例えば、ポリマー化合物を溶
解し、これに一般式（１）の化合物を添加し、均一に混
合した後、放冷するか、ポリマー化合物と一般式（１）
の化合物を適当な溶媒に溶解させて、加熱しながら溶媒
を蒸発させる方法、もしくは一般式（１）の化合物を相
当するモノマーに溶解させて重合反応によりポリマー化
させる方法等が挙げられる。
【０１０６】次に、本発明の情報記録方法について説明
する。記録光源としては、一般式（１）の化合物が有す
る線形吸収帯より長波長で、かつ、線形吸収の存在しな
い波長のレーザー光を用いる。具体的には、中心波長７
８０ｎｍ付近の発振波長を有する半導体レーザーや固体
レーザー、６２０〜６８０ｎｍの範囲の発振波長を有す
る半導体レーザーや固体レーザーなどを用いることがで
きる。本発明の光情報記録媒体を、例えば定線速度また
は定角速度にて回転させながら、基板側から半導体レー
ザーなどの記録用のレーザーを照射する。この光の照射
により、記録層に情報が記録されるが、前述のように２
光子吸収の起こる確率は照射する光強度の２乗に比例す
るため、２光子吸収を誘起するレーザー光のスポットサ
イズより小さいピットが形成される。
する。記録光源としては、一般式（１）の化合物が有す
る線形吸収帯より長波長で、かつ、線形吸収の存在しな
い波長のレーザー光を用いる。具体的には、中心波長７
８０ｎｍ付近の発振波長を有する半導体レーザーや固体
レーザー、６２０〜６８０ｎｍの範囲の発振波長を有す
る半導体レーザーや固体レーザーなどを用いることがで
きる。本発明の光情報記録媒体を、例えば定線速度また
は定角速度にて回転させながら、基板側から半導体レー
ザーなどの記録用のレーザーを照射する。この光の照射
により、記録層に情報が記録されるが、前述のように２
光子吸収の起こる確率は照射する光強度の２乗に比例す
るため、２光子吸収を誘起するレーザー光のスポットサ
イズより小さいピットが形成される。
【０１０７】
【実施例】〔実施例１〕 化合物（４）の合成
【０１０８】
【化２６】
【０１０９】原料に用いた化合物（１）はB.A.Reinhard
tら、Chem.Mater.1998,10,1863-1874に記載の方法に従
って合成した。50mlのナス型フラスコに化合物（１）0.
3gと沃化エチル20mlを加え、2時間還流した。放冷後、
析出した赤色粉末をろ過し、メチルアルコール15mlに溶
解させて得たオレンジ色透明溶液に過塩素酸ナトリウム
１水和物0.17gのメタノール溶液を加え、析出した赤色
粉末をろ過した。収量0.3g（収率80％）。得られた化合
物は1H NMRにより構造を確認した。1 H NMR（DMSO−d6) δ＝0.30(t、6H、‐CH3)、1.55(t、3H、‐CH3)、1.95(d
q、4H、−CH2 −)、4.53(q、2H、−CH2−)、7.03−7.
9、7.29−7.34および7.77−7.82（ｍ、それぞれ8H、4
H、4H、芳香環）、7.59および8.07（d、それぞれ1H、−
CH=CH−）、8.22および8.94（d、それぞれ2H、ピリジ
ル）
tら、Chem.Mater.1998,10,1863-1874に記載の方法に従
って合成した。50mlのナス型フラスコに化合物（１）0.
3gと沃化エチル20mlを加え、2時間還流した。放冷後、
析出した赤色粉末をろ過し、メチルアルコール15mlに溶
解させて得たオレンジ色透明溶液に過塩素酸ナトリウム
１水和物0.17gのメタノール溶液を加え、析出した赤色
粉末をろ過した。収量0.3g（収率80％）。得られた化合
物は1H NMRにより構造を確認した。1 H NMR（DMSO−d6) δ＝0.30(t、6H、‐CH3)、1.55(t、3H、‐CH3)、1.95(d
q、4H、−CH2 −)、4.53(q、2H、−CH2−)、7.03−7.
9、7.29−7.34および7.77−7.82（ｍ、それぞれ8H、4
H、4H、芳香環）、7.59および8.07（d、それぞれ1H、−
CH=CH−）、8.22および8.94（d、それぞれ2H、ピリジ
ル）
【０１１０】〔実施例２〕 化合物（６）の合成
【０１１１】
【化２７】
【０１１２】原料に用いた化合物（３）はB.A.Reinhard
tら、Chem.Mater.1998,10,1863-1874に記載の方法に従
って合成した。50mlのナス型フラスコに化合物（３）0.
5gとよう化エチル30mlを加え、2時間還流した。放冷
後、析出したオレンジ色粉末をろ過し、メチルアルコー
ル15mlに溶解させて得たオレンジ色透明溶液に過塩素酸
ナトリウム１水和物0.5gのメタノール溶液を加え、析出
した赤色粉末をろ過した。収量0.8g（収率90％）。得ら
れた化合物は1H NMRにより構造を確認した。1 H NMR（DMSO−d6) δ＝0.3(t、6H、−CH3)、1.55(t，6H，−CH3)，2.20
(q，4H，−CH2−)，4.55(q，4H，−CH2−)，7.65−8.20
(m，10H，芳香環)、8.25および9.00(d、それぞれ4H、ピ
リジル)
tら、Chem.Mater.1998,10,1863-1874に記載の方法に従
って合成した。50mlのナス型フラスコに化合物（３）0.
5gとよう化エチル30mlを加え、2時間還流した。放冷
後、析出したオレンジ色粉末をろ過し、メチルアルコー
ル15mlに溶解させて得たオレンジ色透明溶液に過塩素酸
ナトリウム１水和物0.5gのメタノール溶液を加え、析出
した赤色粉末をろ過した。収量0.8g（収率90％）。得ら
れた化合物は1H NMRにより構造を確認した。1 H NMR（DMSO−d6) δ＝0.3(t、6H、−CH3)、1.55(t，6H，−CH3)，2.20
(q，4H，−CH2−)，4.55(q，4H，−CH2−)，7.65−8.20
(m，10H，芳香環)、8.25および9.00(d、それぞれ4H、ピ
リジル)
【０１１３】〔実施例３〕化合物（１７）の合成
【０１１４】
【化２８】
【０１１５】化合物（１７）の合成法は下記スキーム１
にしたがって行った。
にしたがって行った。
【０１１６】
【化２９】
【０１１７】化合物（Ａ−２）の合成 原料に用いた化合物（Ａ−１）はアルドリッチより購入
した試薬をそのまま用いた。７０ｍｌの酢酸に化合物
（Ａ−１）１５．４ｇを溶解させ、これにＢｒ2１１．
１ｇを溶解させた酢酸溶液３０ｍｌを室温で滴下した。
反応溶液は室温で３時間攪拌した後、５００ｍｌの蒸留
水を加え、酢酸エチルで抽出した。得られた酢酸エチル
層は食塩水で３回洗浄し、ＭｇＳＯ4を加えて乾燥した
後、これをろ別し、溶媒を蒸発させて白色粉末を得た。
この白色粉末を酢酸エチルとヘキサンの混合溶媒より再
結晶して、化合物（Ａ−２）の結晶１２．１ｇ（収率５
８％）を得た。
した試薬をそのまま用いた。７０ｍｌの酢酸に化合物
（Ａ−１）１５．４ｇを溶解させ、これにＢｒ2１１．
１ｇを溶解させた酢酸溶液３０ｍｌを室温で滴下した。
反応溶液は室温で３時間攪拌した後、５００ｍｌの蒸留
水を加え、酢酸エチルで抽出した。得られた酢酸エチル
層は食塩水で３回洗浄し、ＭｇＳＯ4を加えて乾燥した
後、これをろ別し、溶媒を蒸発させて白色粉末を得た。
この白色粉末を酢酸エチルとヘキサンの混合溶媒より再
結晶して、化合物（Ａ−２）の結晶１２．１ｇ（収率５
８％）を得た。
【０１１８】化合物（Ａ−４）の合成 γ‐picoline１１．２ｇを２０ｍｌのＴＨＦに溶解さ
せ、窒素雰囲気下、−７８℃でLitium Diisopropylamid
e(LDA)をゆっくりと滴下した。得られた淡黄色懸濁液を
昇温し、０℃に保ったまま１時間攪拌した。この懸濁液
に、化合物（Ａ−２）１２ｇのＴＨＦ溶液２０ｍｌをゆ
っくり滴下し、室温で１時間攪拌した後、蒸留水を加
え、酢酸エチルを用いて抽出した。抽出した有機層はロ
ータリーエバポレーターを用いて溶媒を除き、化合物
（Ａ−３）の茶色のオイル状物質を得た。得られた化合
物（Ａ−３）はこれ以上精製せずに用いた。茶色オイル
状の化合物（Ａ−３）に１０％硫酸水溶液１００ｍｌを
加え３時間還流した後、室温まで放冷し、酢酸エチルで
抽出した。得られた淡黄色固体を酢酸エチル／ヘキサン
＝２／１の溶離液を用いたシリカゲルカラムで精製し、
化合物（Ａ−４）の淡黄色結晶３．０ｇ（収率２０％）
を得た。
せ、窒素雰囲気下、−７８℃でLitium Diisopropylamid
e(LDA)をゆっくりと滴下した。得られた淡黄色懸濁液を
昇温し、０℃に保ったまま１時間攪拌した。この懸濁液
に、化合物（Ａ−２）１２ｇのＴＨＦ溶液２０ｍｌをゆ
っくり滴下し、室温で１時間攪拌した後、蒸留水を加
え、酢酸エチルを用いて抽出した。抽出した有機層はロ
ータリーエバポレーターを用いて溶媒を除き、化合物
（Ａ−３）の茶色のオイル状物質を得た。得られた化合
物（Ａ−３）はこれ以上精製せずに用いた。茶色オイル
状の化合物（Ａ−３）に１０％硫酸水溶液１００ｍｌを
加え３時間還流した後、室温まで放冷し、酢酸エチルで
抽出した。得られた淡黄色固体を酢酸エチル／ヘキサン
＝２／１の溶離液を用いたシリカゲルカラムで精製し、
化合物（Ａ−４）の淡黄色結晶３．０ｇ（収率２０％）
を得た。
【０１１９】化合物（１７）の合成 Diphenylamine２．７ｇを２０ｍｌのトルエンに溶解さ
せ、窒素雰囲気下、−７８℃でn-Butyllithium 1.6Mヘ
キサン溶液（n-BuLi）を滴下して、白色懸濁液を得た。
この懸濁液を０℃まで昇温し、化合物（Ａ−４）３．０
ｇ、tri-o-tolylphosphine０．５ｇおよびTris (dibenz
ylidenacetone)dipalladium (Pd2(dba)3) ０．１５ｇを
加え、３日間還流した。反応溶液を室温まで放冷した
後、蒸留水を加え、酢酸エチルで抽出した。得られた粗
生成物は酢酸エチル／ヘキサン＝１／１の溶離液を用い
たシリカゲルカラムで２回精製し、化合物（１７）の黄
色固体０．８ｇ（収率２１％）を得た。得られた化合物
は1Ｈ ＮＭＲにより構造を確認した。1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3−ｄ1） δ＝1.5（t, 3H,−CH3）、4.35（q, 2H,−CH2−）、6.9
−7.7（m、17H、芳香環、−CH＝CH−）、7.9、8.1
（ｄ、それぞれ１H、芳香環）、8.54（ｄ、2H、ピリジ
ル）
せ、窒素雰囲気下、−７８℃でn-Butyllithium 1.6Mヘ
キサン溶液（n-BuLi）を滴下して、白色懸濁液を得た。
この懸濁液を０℃まで昇温し、化合物（Ａ−４）３．０
ｇ、tri-o-tolylphosphine０．５ｇおよびTris (dibenz
ylidenacetone)dipalladium (Pd2(dba)3) ０．１５ｇを
加え、３日間還流した。反応溶液を室温まで放冷した
後、蒸留水を加え、酢酸エチルで抽出した。得られた粗
生成物は酢酸エチル／ヘキサン＝１／１の溶離液を用い
たシリカゲルカラムで２回精製し、化合物（１７）の黄
色固体０．８ｇ（収率２１％）を得た。得られた化合物
は1Ｈ ＮＭＲにより構造を確認した。1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3−ｄ1） δ＝1.5（t, 3H,−CH3）、4.35（q, 2H,−CH2−）、6.9
−7.7（m、17H、芳香環、−CH＝CH−）、7.9、8.1
（ｄ、それぞれ１H、芳香環）、8.54（ｄ、2H、ピリジ
ル）
【０１２０】〔実施例４〕化合物（１９）の合成
【０１２１】
【化３０】
【０１２２】化合物（１９）の合成法は下記スキーム２
にしたがって行った。
にしたがって行った。
【０１２３】
【化３１】
【０１２４】化合物（B-2）の合成 原料に用いた化合物（B-1）はアルドリッチより購入し
た試薬をそのまま用いた。原料化合物（B-1）３２．５
ｇを１００ｍｌのDMFに溶解させ、NaH２．７６ｇとEtI
１５．６gを加えて室温で1時間攪拌した。反応溶液に蒸
留水を加え、酢酸エチルから抽出して化合物（B-2）２
３．６ｇ（収率６７％）を得た。
た試薬をそのまま用いた。原料化合物（B-1）３２．５
ｇを１００ｍｌのDMFに溶解させ、NaH２．７６ｇとEtI
１５．６gを加えて室温で1時間攪拌した。反応溶液に蒸
留水を加え、酢酸エチルから抽出して化合物（B-2）２
３．６ｇ（収率６７％）を得た。
【０１２５】化合物（B-３）の合成 化合物（B-2）５ｇを５０ｍｌのTHFに溶解させ、窒素雰
囲気下、−７８℃でn-BuLiを滴下した。反応溶液をその
まま1時間攪拌し、DMF４．２ｇを滴下した後、室温まで
昇温してさらに1時間攪拌を続けた。反応溶液に蒸留水
を添加し、酢酸エチルより抽出したのち、加熱した酢酸
エチル‐ヘキサンの混合溶媒より再結晶して化合物（B-
3）の白色粉末１．３ｇ（収率３６％）を得た。
囲気下、−７８℃でn-BuLiを滴下した。反応溶液をその
まま1時間攪拌し、DMF４．２ｇを滴下した後、室温まで
昇温してさらに1時間攪拌を続けた。反応溶液に蒸留水
を添加し、酢酸エチルより抽出したのち、加熱した酢酸
エチル‐ヘキサンの混合溶媒より再結晶して化合物（B-
3）の白色粉末１．３ｇ（収率３６％）を得た。
【０１２６】化合物（１９）の合成 γ‐Picoline ０．７５ｇをTHFに溶解させ、窒素雰囲
気下、−７８℃で攪拌しながらLDA６ｍｌを滴下した。
反応溶液をそのままの温度で1時間攪拌したのち、得ら
れた赤色懸濁液を０℃まで昇温し、化合物（B-3）１ｇ
のTHF溶液２０ｍｌを滴下した。反応溶液を室温で1時間
攪拌し、蒸留水を加えて酢酸エチルより抽出した。得ら
れた化合物（B-4）は精製せず、酢酸エチルを除いたの
ち、トルエン５０ｍｌを加え、p-Toluenesulfonic acid
３８ｍｇを加え、３時間還流し、放冷後、蒸留水を加
え、酢酸エチルで抽出した。溶媒を留去して得られた淡
黄色固体は酢酸エチル／ヘキサン＝５０／１の溶離液を
用いてシリカゲルカラムで精製し、化合物（１９）０．
５ｇ（収率３１％）を得た。得られた化合物は1Ｈ Ｎ
ＭＲにより構造を確認した。1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3−ｄ1） δ＝1.45（t,３H,−CH3）、4.35（q, 2H,−CH2−）、7.
05、7.50（ｄ、ともに２H、−CH=CH−）、7.4（ｍ、2
H、芳香環、4H、ピリジル）、7.70（ｄ、2H、芳香
環）、8.28（ｓ、2H、芳香環）、8.57（ｄ、4H、ピリジ
ル）
気下、−７８℃で攪拌しながらLDA６ｍｌを滴下した。
反応溶液をそのままの温度で1時間攪拌したのち、得ら
れた赤色懸濁液を０℃まで昇温し、化合物（B-3）１ｇ
のTHF溶液２０ｍｌを滴下した。反応溶液を室温で1時間
攪拌し、蒸留水を加えて酢酸エチルより抽出した。得ら
れた化合物（B-4）は精製せず、酢酸エチルを除いたの
ち、トルエン５０ｍｌを加え、p-Toluenesulfonic acid
３８ｍｇを加え、３時間還流し、放冷後、蒸留水を加
え、酢酸エチルで抽出した。溶媒を留去して得られた淡
黄色固体は酢酸エチル／ヘキサン＝５０／１の溶離液を
用いてシリカゲルカラムで精製し、化合物（１９）０．
５ｇ（収率３１％）を得た。得られた化合物は1Ｈ Ｎ
ＭＲにより構造を確認した。1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3−ｄ1） δ＝1.45（t,３H,−CH3）、4.35（q, 2H,−CH2−）、7.
05、7.50（ｄ、ともに２H、−CH=CH−）、7.4（ｍ、2
H、芳香環、4H、ピリジル）、7.70（ｄ、2H、芳香
環）、8.28（ｓ、2H、芳香環）、8.57（ｄ、4H、ピリジ
ル）
【０１２７】〔実施例５〕化合物（３３）の合成
【０１２８】
【化３２】
【０１２９】化合物（３３）の合成法は下記スキーム３
にしたがって行った。
にしたがって行った。
【０１３０】
【化３３】
【０１３１】化合物（C-2）の合成 原料に用いた化合物（C-1）は和光純薬より購入した試
薬をそのまま使用した。化合物（C-1）５０ｇを酢酸５
００ｍｌに溶解させ、Br2１０４ｇをゆっくりと滴下
し、室温で1日攪拌した後、6時間還流した。反応溶液に
蒸留水を加え、析出した乳白色固体を濾別し、熱メタノ
ール１Lより再結晶して化合物（C-2）の乳白色固体６１
ｇ（収率６２％）を得た。
薬をそのまま使用した。化合物（C-1）５０ｇを酢酸５
００ｍｌに溶解させ、Br2１０４ｇをゆっくりと滴下
し、室温で1日攪拌した後、6時間還流した。反応溶液に
蒸留水を加え、析出した乳白色固体を濾別し、熱メタノ
ール１Lより再結晶して化合物（C-2）の乳白色固体６１
ｇ（収率６２％）を得た。
【０１３２】化合物（C-3）の合成 化合物（C-3）の合成は、化合物（C-2）１６．３ｇを原
料に用いて、B.A.Reinhardtら、Chem.Mater.1998.10,18
63-1874.に記載の方法と同様の条件で行った。得られた
粗生成物を、酢酸エチル／ヘキサン＝１／１の溶離液を
用いたシリカゲルカラムで精製し、化合物（C-3）３．
８ｇ（収率１８）を得た。
料に用いて、B.A.Reinhardtら、Chem.Mater.1998.10,18
63-1874.に記載の方法と同様の条件で行った。得られた
粗生成物を、酢酸エチル／ヘキサン＝１／１の溶離液を
用いたシリカゲルカラムで精製し、化合物（C-3）３．
８ｇ（収率１８）を得た。
【０１３３】化合物（３３）の合成 化合物（３３）の合成は、化合物（C-3）３ｇを原料に
用い、B.A.Reinhardtら、Chem.Mater.1998.10,1863-187
4.に記載の方法と同様の条件で行った。得られた粗生成
物を、酢酸エチル／ヘキサン＝１／１の溶離液を用いた
シリカゲルカラムで３回精製し、酢酸エチル−ヘキサン
の混合溶媒から再結晶して、化合物（３３）の淡黄色結
晶１．８ｇ（収率４９％）を得た。得られた化合物は1
Ｈ ＮＭＲにより構造を確認した。1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3−ｄ1） δ＝6.9〜7.6（ｍ、2H、−CH=CH−、10H、−N-フェニ
ル、2H,ピリジル、4H,芳香環）、7.7（ｓ、1H、芳香
環）、7.9（ｓ、1H、芳香環）、8.6（ｄ、2H、ピリジ
ル）
用い、B.A.Reinhardtら、Chem.Mater.1998.10,1863-187
4.に記載の方法と同様の条件で行った。得られた粗生成
物を、酢酸エチル／ヘキサン＝１／１の溶離液を用いた
シリカゲルカラムで３回精製し、酢酸エチル−ヘキサン
の混合溶媒から再結晶して、化合物（３３）の淡黄色結
晶１．８ｇ（収率４９％）を得た。得られた化合物は1
Ｈ ＮＭＲにより構造を確認した。1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3−ｄ1） δ＝6.9〜7.6（ｍ、2H、−CH=CH−、10H、−N-フェニ
ル、2H,ピリジル、4H,芳香環）、7.7（ｓ、1H、芳香
環）、7.9（ｓ、1H、芳香環）、8.6（ｄ、2H、ピリジ
ル）
【０１３４】〔実施例３〕 情報記録媒体の作成 化合物（１）１ｇをメチルシクロヘキサン100mlに溶解
し、記録層形成用塗布液を得た。この塗布液をガラス基
板にスピンコートにより塗布し、記録層を形成した情報
記録媒体を作成した。
し、記録層形成用塗布液を得た。この塗布液をガラス基
板にスピンコートにより塗布し、記録層を形成した情報
記録媒体を作成した。
【０１３５】〔実施例４〕 情報記録媒体の作成 実施例３において、前記化合物（１）の変わりに化合物
（４）を用い、メチルシクロヘキサンの変わりにアセト
ンを使用する以外は、実施例３と同様にして記録媒体を
作成した。
（４）を用い、メチルシクロヘキサンの変わりにアセト
ンを使用する以外は、実施例３と同様にして記録媒体を
作成した。
【０１３６】〔実施例５〕 情報記録媒体の作成 実施例３において、前記化合物（１）の変わりに化合物
（６）を用い、メチルシクロヘキサンの変わりにアセト
ンを使用する以外は、実施例３と同様にして記録媒体を
作成した。 ［情報記録媒体の評価］実施例３、４および５において
作成した情報記録媒体に、780nmの波長のレーザー光線
を照射したところ、良好な記録マーク（ピットサイズ
０．７５μｍ）が形成されたことをAFMにより確認し
た。
（６）を用い、メチルシクロヘキサンの変わりにアセト
ンを使用する以外は、実施例３と同様にして記録媒体を
作成した。 ［情報記録媒体の評価］実施例３、４および５において
作成した情報記録媒体に、780nmの波長のレーザー光線
を照射したところ、良好な記録マーク（ピットサイズ
０．７５μｍ）が形成されたことをAFMにより確認し
た。
【０１３７】
【発明の効果】前記一般式（１）で表される化合物を用
いる光情報記録媒体によって、短波長のレーザーを用い
ることなく、高密度情報記録媒体を得ることができる。
いる光情報記録媒体によって、短波長のレーザーを用い
ることなく、高密度情報記録媒体を得ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０７Ｄ 401/06 Ｃ０７Ｄ 401/14 ５Ｄ０２９ 401/14 405/06 405/06 Ｇ１１Ｂ 7/24 ５１６ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５１６ Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｙ Ｆターム(参考） 2H111 EA03 EA22 EA32 FB42 4C037 SA05 4C055 AA04 BA01 CA01 DA27 DA29 DB02 DB04 EA00 GA01 4C056 AA01 AB01 AC02 AD03 AE02 AF05 CA06 CC01 CD01 4C063 AA01 AA03 BB03 CC12 CC76 DD08 DD12 EE10 5D029 JA04 JC20
Claims (3)
- 【請求項１】 レーザー光により情報の記録が可能であ
る光情報記録媒体であって、該媒体中に下記一般式
（１）で表される化合物を含むことを特徴とする光情報
記録媒体。 【化１】 （式中Xは−CR1R2−、−NR3−、−O−、−S−または−S
e−を表し、R1、R2およびR3はそれぞれ独立に置換また
は無置換のアルキル基、置換または無置換のアルケニル
基、置換または無置換のアルキニル基、置換または無置
換のアリール基およびヘテロ環基から選ばれる基を表
す。Ｒは置換基を表し、ｎ１およびｎ２はそれぞれ０か
ら４の整数を表すが、ｎ１とｎ２は同時に０となること
はない。Ｒを２つ以上有する場合は、Ｒは同じでも異な
っていてもよい。） - 【請求項２】 請求項１に記載の光情報記録媒体に、一
般式（１）の化合物が有する線形吸収帯より長波長で、
かつ、線形吸収の存在しない波長のレーザー光を照射し
て誘起された２光子以上の多光子吸収を利用することを
特徴とする情報の記録方法。 - 【請求項３】 下記一般式（３）〜（７）で表される
２、２′−架橋ビフェニル化合物。 【化２】 （式中Ｒ1、Ｒ2およびＲ4はそれぞれ独立に置換または
無置換のアルキル基、置換または無置換のアルケニル
基、置換または無置換のアルキニル基、置換または無置
換のアリール基、およびヘテロ環基から選ばれる基を有
する。Ｒ5は置換基を表し、ｈは０〜４の整数を表し、
ｈが２以上の整数のとき、複数個のＲ5はそれぞれ同一
でも異なってもよく、また互いに連結して環を形成して
もよい。Ｒ 6は二つのベンゼン環上の置換基を表し、ｊ
は０〜６の整数を表し、ｊが２以上の整数のとき、複数
個のＲ6はそれぞれ同一でも異なってもよく、また互い
に連結して環を形成してもよい。Ｒ7はＮに結合したベ
ンゼン環上の置換基を表し、ｉは０〜１０の整数を表
し、ｉが２以上の整数のとき、複数個のＲ7はそれぞれ
同一でも異なってもよく、また互いに連結して環を形成
してもよい。Ｒ8は置換基を表し、ｐは０〜２ｍの整数
を表し、ｐが２以上のとき複数個のＲ8はそれぞれ同一
でも異なってもよく、また互いに連結して環を形成して
もよい。ｍは０〜５の整数を表す。ＸY-はＹ価の有機も
しくは無機アニオンを表し、Ｙは１〜５の整数を表
す。） 【化３】 （式中Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4およびＲ9はそれぞれ独立に置換ま
たは無置換のアルキル基、置換または無置換のアルケニ
ル基、置換または無置換のアルキニル基、置換または無
置換のアリール基、およびヘテロ環基から選ばれる基を
有する。Ｒ5およびＲ10は置換基を表し、ｈおよびｋは
それぞれ独立に０〜４の整数を表し、ｈおよびｋが２以
上の整数のとき、複数個のＲ5およびＲ10はそれぞれ同
一でも異なってもよく、また互いに連結して環を形成し
てもよい。Ｒ6は置換基を表し、ｊは０〜６の整数を表
し、ｊが２以上の整数のとき、複数個のＲ6はそれぞれ
同一でも異なってもよく、また互いに連結して環を形成
してもよい。ｍおよびｎはそれぞれ独立に０〜５の整数
を表し、Ｒ11およびＲ12は置換基を表し、ｓおよびｔは
それぞれ独立に０〜２ｎ、０〜２ｍの整数を表し、ｓお
よびｔが２以上のとき複数のＲ11およびＲ12はそれぞれ
同一でも異なってもよく、また互いに連結して環を形成
してもよい。ＸY-はＹ価の有機もしくは無機アニオンを
表し、Ｙは１〜５の整数を表す。） 【化４】 （式中Ｒ1は置換または無置換のアルキル基、置換また
は無置換のアルケニル基、置換または無置換のアルキニ
ル基、置換または無置換のアリール基、およびヘテロ環
基から選ばれる基を有する。Ｒ13およびＲ14はそれぞれ
独立に置換または無置換のアルキル基、置換または無置
換のアルケニル基、置換または無置換のアルキニル基、
置換または無置換のアリール基、およびヘテロ環基から
選ばれる基を有する。Ｒ5は置換基を表し、ｈは０〜４
の整数を表し、ｈが２以上の整数のとき、複数個のＲ5
はそれぞれ同一でも異なってもよく、また互いに連結し
て環を形成してもよい。Ｒ6は置換基を表し、ｊは０〜
６の整数を表し、ｊが２以上の整数のとき、複数個のＲ
6はそれぞれ同一でも異なってもよく、また互いに連結
して環を形成してもよい。ｍは０〜５の整数を表す。Ｒ
8は置換基を表し、ｐは０〜２ｍの整数を表し、ｐが２
以上のとき複数個のＲ6はそれぞれ同一でも異なっても
よく、また互いに連結して環を形成してもよい。） 【化５】 （式中Ｒ1は置換または無置換のアルキル基、置換また
は無置換のアルケニル基、置換または無置換のアルキニ
ル基、置換または無置換のアリール基、およびヘテロ環
基から選ばれる基を有する。Ｒ5およびＲ10は置換基を
表し、ｈおよびｋはそれぞれ独立に０〜４の整数を表
し、ｈおよびｋが２以上の整数のとき、複数個のＲ5お
よびＲ10はそれぞれ同一でも異なってもよく、また互い
に連結して環を形成してもよい。Ｒ6は置換基を表し、
ｊは０〜６の整数を表し、ｊが２以上の整数のとき、複
数個のＲ6はそれぞれ同一でも異なってもよく、また互
いに連結して環を形成してもよい。ｍおよびｎはそれぞ
れ独立に０〜５の整数を表し、Ｒ11およびＲ12は置換基
を表し、ｓおよびｔはそれぞれ独立に０〜２ｎ、０〜２
ｍの整数を表し、ｓおよびｔが２以上のとき複数のＲ11
およびＲ12はそれぞれ同一でも異なってもよく、また互
いに連結して環を形成してもよい。） 【化６】 （式中Ｒ13およびＲ14はそれぞれ独立に置換または無置
換のアルキル基、置換または無置換のアルケニル基、置
換または無置換のアルキニル基、置換または無置換のア
リール基、およびヘテロ環基から選ばれる基を有する。
Ｒ6は置換基を表し、ｊは０〜６の整数を表し、ｊが２
以上の整数のとき、複数個のＲ6はそれぞれ同一でも異
なってもよく、また互いに連結して環を形成してもよ
い。Ｒ8は置換基を表し、pは０〜２ｍの整数を表し、p
が２以上のとき複数個のＲ8はそれぞれ同一でも異なっ
てもよく、また互いに連結して環を形成してもよい。ｍ
は０〜５の整数を表す。Ｒ15は置換または無置換のヘテ
ロ環基を表す。）
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