JP2002171105A - 伝送線路基板、高周波伝送構造体およびこれを備えた高周波パッケージ - Google Patents
伝送線路基板、高周波伝送構造体およびこれを備えた高周波パッケージInfo
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- JP2002171105A JP2002171105A JP2000368955A JP2000368955A JP2002171105A JP 2002171105 A JP2002171105 A JP 2002171105A JP 2000368955 A JP2000368955 A JP 2000368955A JP 2000368955 A JP2000368955 A JP 2000368955A JP 2002171105 A JP2002171105 A JP 2002171105A
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- substrate
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 部品点数を増加させることなく、共振による
ディップをより低減し、伝送特性を向上できるような伝
送線路基板などを提供する。 【解決手段】 伝送線路基板は、誘電体基板１と、その
上面に線状に設けられた導電体である信号線２と、信号
線２を両側からそれぞれ間隙を介して挟むように配置さ
れた板状の導電体であるグランドプレーン３と、グラン
ドプレーン３と誘電体基板１の下面とを電気的に接続す
るグランドビア４とを備える。ただし、信号線２の中心
線を通り、誘電体基板１の上面に垂直な仮想基準平面か
ら、一方のグランドプレーン３に接続するグランドビア
４の中心線までの距離と、前記仮想基準平面から、他方
のグランドプレーン３に接続するグランドビア４の中心
線までの距離とが異なるものとなっている。
ディップをより低減し、伝送特性を向上できるような伝
送線路基板などを提供する。 【解決手段】 伝送線路基板は、誘電体基板１と、その
上面に線状に設けられた導電体である信号線２と、信号
線２を両側からそれぞれ間隙を介して挟むように配置さ
れた板状の導電体であるグランドプレーン３と、グラン
ドプレーン３と誘電体基板１の下面とを電気的に接続す
るグランドビア４とを備える。ただし、信号線２の中心
線を通り、誘電体基板１の上面に垂直な仮想基準平面か
ら、一方のグランドプレーン３に接続するグランドビア
４の中心線までの距離と、前記仮想基準平面から、他方
のグランドプレーン３に接続するグランドビア４の中心
線までの距離とが異なるものとなっている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波信号を伝送
するための伝送線路基板、高周波伝送構造体およびこれ
を備えた高周波パッケージに関するものである。
するための伝送線路基板、高周波伝送構造体およびこれ
を備えた高周波パッケージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図８、図９を参照して、従来の高周波パ
ッケージ（「メタルウォールパッケージ」ともいう。）
の構造について説明する。
ッケージ（「メタルウォールパッケージ」ともいう。）
の構造について説明する。
【０００３】高周波パッケージは、同軸ケーブル１０に
よって導かれてきた高周波信号に基づいて半導体素子１
５に所望の処理を行なわせてから、リードフレーム１７
から出力させるためのものである。ここでいう「高周波
信号」とは、たとえば、１０ＧＨｚ以上の高周波の信号
であり、そういった高周波信号が通過する配線は、「高
速信号線」と呼ばれる場合もある。
よって導かれてきた高周波信号に基づいて半導体素子１
５に所望の処理を行なわせてから、リードフレーム１７
から出力させるためのものである。ここでいう「高周波
信号」とは、たとえば、１０ＧＨｚ以上の高周波の信号
であり、そういった高周波信号が通過する配線は、「高
速信号線」と呼ばれる場合もある。
【０００４】図８、図９に示すように、高周波パッケー
ジは、メタルウォール１２によって囲まれた箱状のパッ
ケージである。図８は、内部を示すために、上面の金属
壁を取り去った状態で平面図を示している。図９は、側
方から見た部分断面図である。同軸ケーブル１０は、メ
タルウォール１２の一つの側壁に設けられた同軸コネク
タ１１を介して高周波パッケージに接続される。図９に
示されるように、同軸ケーブル１０の内芯７は引出され
て、伝送線路基板３１に接続される。伝送線路基板３１
は、コプレーナ伝送線路基板であり、高周波パッケージ
内に設けられた金属製の土台６の上に銀ロウなどで接続
されている。
ジは、メタルウォール１２によって囲まれた箱状のパッ
ケージである。図８は、内部を示すために、上面の金属
壁を取り去った状態で平面図を示している。図９は、側
方から見た部分断面図である。同軸ケーブル１０は、メ
タルウォール１２の一つの側壁に設けられた同軸コネク
タ１１を介して高周波パッケージに接続される。図９に
示されるように、同軸ケーブル１０の内芯７は引出され
て、伝送線路基板３１に接続される。伝送線路基板３１
は、コプレーナ伝送線路基板であり、高周波パッケージ
内に設けられた金属製の土台６の上に銀ロウなどで接続
されている。
【０００５】伝送線路基板３１のみを取り出した状態を
図１０、図１１に示す。伝送線路基板３１は、図１１に
示すように、誘電体基板１の上面に３つの導体部分が平
行に形成されたものである。すなわち、図１０に示すよ
うに、中央に信号線２、その両側にグランドプレーン３
が形成されている。上述のように内芯７が接続されるの
は、信号線２である。グランドプレーン３には、同軸ケ
ーブル１０の外側導体部分が、メタルウォール１２、土
台６を介して電気的に接続される。伝送線路基板３１の
信号線およびグランド線は、図８に示すように、ボンデ
ィングワイヤ１３によって半導体素子１５と接続され
る。メタルウォール１２の他の一辺には、導体層１６を
形成した誘電体基板１８が配置されている。半導体素子
１５は、ボンディングワイヤ１４によって、導体層１６
と接続されている。導体層１６はメタルウォール１２の
外側に配置されたリードフレーム１７と電気的に接続さ
れている。このようにして、半導体素子１５は、リード
フレーム１７と信号のやりとりを行なうことができる。
図１０、図１１に示す。伝送線路基板３１は、図１１に
示すように、誘電体基板１の上面に３つの導体部分が平
行に形成されたものである。すなわち、図１０に示すよ
うに、中央に信号線２、その両側にグランドプレーン３
が形成されている。上述のように内芯７が接続されるの
は、信号線２である。グランドプレーン３には、同軸ケ
ーブル１０の外側導体部分が、メタルウォール１２、土
台６を介して電気的に接続される。伝送線路基板３１の
信号線およびグランド線は、図８に示すように、ボンデ
ィングワイヤ１３によって半導体素子１５と接続され
る。メタルウォール１２の他の一辺には、導体層１６を
形成した誘電体基板１８が配置されている。半導体素子
１５は、ボンディングワイヤ１４によって、導体層１６
と接続されている。導体層１６はメタルウォール１２の
外側に配置されたリードフレーム１７と電気的に接続さ
れている。このようにして、半導体素子１５は、リード
フレーム１７と信号のやりとりを行なうことができる。
【０００６】なお、本明細書では、便宜上、いくつかの
呼び名を使い分けている。誘電体基板１とその上面に形
成された信号線２、グランドプレーン３を合わせた部分
を「伝送線路基板」と呼ぶものとする。伝送線路基板に
さらに土台６を含めた部分を「高周波伝送構造体」と呼
ぶものとする。図８、図９に示したように、高周波伝送
構造体にさらにメタルウォール１２、半導体素子１５な
どを含めたパッケージ全体を「高周波パッケージ」と呼
ぶものとする。
呼び名を使い分けている。誘電体基板１とその上面に形
成された信号線２、グランドプレーン３を合わせた部分
を「伝送線路基板」と呼ぶものとする。伝送線路基板に
さらに土台６を含めた部分を「高周波伝送構造体」と呼
ぶものとする。図８、図９に示したように、高周波伝送
構造体にさらにメタルウォール１２、半導体素子１５な
どを含めたパッケージ全体を「高周波パッケージ」と呼
ぶものとする。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】信号の高周波化がさら
に進んだ近年では、４０ＧＨｚ程度あるいはそれ以上の
高周波信号を扱う必要性も生じてくる。しかし、そのよ
うなレベルの高周波になると、伝送線路基板３１上に共
振が発生し、伝送特性が劣化するという問題があった。
に進んだ近年では、４０ＧＨｚ程度あるいはそれ以上の
高周波信号を扱う必要性も生じてくる。しかし、そのよ
うなレベルの高周波になると、伝送線路基板３１上に共
振が発生し、伝送特性が劣化するという問題があった。
【０００８】共振による伝送特性劣化に対してとられて
きた従来のいくつかの対策について説明する。
きた従来のいくつかの対策について説明する。
【０００９】たとえば、高周波信号が矩形波で与えられ
る場合、高周波信号には、矩形波の周波数の整数倍の
「高調波」が含まれる。また、状況によっては、矩形波
の周波数より低い周波数の低周波も含まれる。したがっ
て、低周波はもちろんのこと、高調波の整数倍、たとえ
ば３倍の周波数までの範囲で共振が発生しないことが望
まれる。そこで、まず、共振の発生する共振周波数を、
何らかの手段によってより高周波側にシフトするという
方法がある。
る場合、高周波信号には、矩形波の周波数の整数倍の
「高調波」が含まれる。また、状況によっては、矩形波
の周波数より低い周波数の低周波も含まれる。したがっ
て、低周波はもちろんのこと、高調波の整数倍、たとえ
ば３倍の周波数までの範囲で共振が発生しないことが望
まれる。そこで、まず、共振の発生する共振周波数を、
何らかの手段によってより高周波側にシフトするという
方法がある。
【００１０】共振周波数を高周波側にシフトするために
は、図１２、図１３に示すように、信号線２に近いグラ
ンドプレーン３に、グランドプレーン３と土台６とを結
ぶ導体であるグランドビア４を設置する方法がある。た
だし、伝送線路基板３１の伝送特性にグランドビア４が
影響を与えないように配置する必要がある。
は、図１２、図１３に示すように、信号線２に近いグラ
ンドプレーン３に、グランドプレーン３と土台６とを結
ぶ導体であるグランドビア４を設置する方法がある。た
だし、伝送線路基板３１の伝送特性にグランドビア４が
影響を与えないように配置する必要がある。
【００１１】一般に、信号線２とグランドビア４との距
離を近くすればするほど、共振時の波長は短くなり、共
振周波数は高周波となる。そこで、信号線２とグランド
ビア４との距離を近づけた状態を図１４、図１５に示
す。
離を近くすればするほど、共振時の波長は短くなり、共
振周波数は高周波となる。そこで、信号線２とグランド
ビア４との距離を近づけた状態を図１４、図１５に示
す。
【００１２】一方、伝送線路基板３１は特性インピーダ
ンスを一定にする必要がある。特性インピーダンスは、
信号線２の幅（以下、「信号線幅」という。）、信号線
２とグランドプレーン３との間のギャップ１９の幅（以
下、「ギャップ幅」という。）によって決まる。したが
って、信号線２とグランドビア４との間の距離を小さく
するためには、信号線幅とギャップ幅との間に一定の関
係を保ったまま寸法を小さくする必要がある。信号線幅
は、内芯７と接続する都合上、一定以上にする必要があ
るから、これに対応してギャップ幅も一定以上にせざる
を得ない。具体的には、たとえば、内芯７の直径は、
０．３ｍｍであり、信号線幅も約０．３ｍｍ以上とする
ことが必要となる。このため、図１４、図１５に示した
ように、グランドビア４を信号線２に接近させるという
手法には限界がある。
ンスを一定にする必要がある。特性インピーダンスは、
信号線２の幅（以下、「信号線幅」という。）、信号線
２とグランドプレーン３との間のギャップ１９の幅（以
下、「ギャップ幅」という。）によって決まる。したが
って、信号線２とグランドビア４との間の距離を小さく
するためには、信号線幅とギャップ幅との間に一定の関
係を保ったまま寸法を小さくする必要がある。信号線幅
は、内芯７と接続する都合上、一定以上にする必要があ
るから、これに対応してギャップ幅も一定以上にせざる
を得ない。具体的には、たとえば、内芯７の直径は、
０．３ｍｍであり、信号線幅も約０．３ｍｍ以上とする
ことが必要となる。このため、図１４、図１５に示した
ように、グランドビア４を信号線２に接近させるという
手法には限界がある。
【００１３】次にとられうる対策としては、図１６、図
１７に示すように、誘電体基板１と土台６との間に抵抗
体５を挿入した構造がとられる。このような構造とする
ことで、共振のエネルギーは、抵抗体５の導体損失とし
て吸収され、共振の発生を抑制することができる。この
効果を検証するために、通過特性Ｓ２１をマクスウェル
の電磁方程式を有限要素法を用いて解く解析を行なっ
た。通過特性Ｓ２１とは、以下の式で規定されるパラメ
ータである。
１７に示すように、誘電体基板１と土台６との間に抵抗
体５を挿入した構造がとられる。このような構造とする
ことで、共振のエネルギーは、抵抗体５の導体損失とし
て吸収され、共振の発生を抑制することができる。この
効果を検証するために、通過特性Ｓ２１をマクスウェル
の電磁方程式を有限要素法を用いて解く解析を行なっ
た。通過特性Ｓ２１とは、以下の式で規定されるパラメ
ータである。
【００１４】Ｓ２１［ｄＢ］＝１０×ｌｏｇ（Ｐｏｕｔ
２／Ｐｉｎ１） Ｐｉｎ１：端子１への入力電力 Ｐｏｕｔ２：端子２からの出力電力 抵抗体５なしの構造（図１５参照）と抵抗体５ありの構
造（図１７参照）とのそれぞれにおける通過特性Ｓ２１
の解析結果の比較を、図１８に示す。曲線５１が、抵抗
体５なしによるものであり、曲線５２が、抵抗体５あり
によるものである。この結果から、抵抗体５を挿入する
ことによって、共振によって生じる波形の落ち込み、い
わゆる「ディップ（dip）」を大幅に低減できたことが
明らかである。
２／Ｐｉｎ１） Ｐｉｎ１：端子１への入力電力 Ｐｏｕｔ２：端子２からの出力電力 抵抗体５なしの構造（図１５参照）と抵抗体５ありの構
造（図１７参照）とのそれぞれにおける通過特性Ｓ２１
の解析結果の比較を、図１８に示す。曲線５１が、抵抗
体５なしによるものであり、曲線５２が、抵抗体５あり
によるものである。この結果から、抵抗体５を挿入する
ことによって、共振によって生じる波形の落ち込み、い
わゆる「ディップ（dip）」を大幅に低減できたことが
明らかである。
【００１５】また、抵抗体５によるディップ抑制の効果
をより効率的に発揮させるには、抵抗体の抵抗率ρが一
定の場合、電磁界が抵抗体を貫通しない条件である次式
を満たすように抵抗体の厚みｄを選ぶことが望ましい。
をより効率的に発揮させるには、抵抗体の抵抗率ρが一
定の場合、電磁界が抵抗体を貫通しない条件である次式
を満たすように抵抗体の厚みｄを選ぶことが望ましい。
【００１６】ｄ＞δ δ：表皮厚み ただし、δ＝（ρ／πｆμ）1/2 ｆ：周波数 μ：抵抗体の透磁率 しかし、抵抗体５の設置によって、緩やかになったとは
いえ、まだなお、ディップは存在する。また、抵抗体５
を設けることとすると、製造時の部品点数、工程数の増
加につながる。
いえ、まだなお、ディップは存在する。また、抵抗体５
を設けることとすると、製造時の部品点数、工程数の増
加につながる。
【００１７】そこで、本発明では、部品点数を増加させ
ることなく、共振によるディップをより低減し、伝送特
性を向上できるような伝送線路基板などを提供すること
を目的とする。
ることなく、共振によるディップをより低減し、伝送特
性を向上できるような伝送線路基板などを提供すること
を目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に基づく伝送線路基板の一つの局面では、誘
電体基板と、上記誘電体基板の上面に線状に設けられた
導電体である信号線と、上記誘電体基板の上面において
上記信号線を両側からそれぞれ間隙を介して挟むように
配置された板状の導電体であるグランドプレーンと、上
記誘電体基板内を貫通することによって、上記グランド
プレーンと上記誘電体基板の下面とを電気的に接続する
グランドビアとを備え、上記信号線の中心線を通り、上
記誘電体基板の上面に垂直な仮想基準平面から、一方の
グランドプレーンに接続する上記グランドビアの中心線
までの距離と、上記仮想基準平面から、他方のグランド
プレーンに接続する上記グランドビアの中心線までの距
離とが異なる。
め、本発明に基づく伝送線路基板の一つの局面では、誘
電体基板と、上記誘電体基板の上面に線状に設けられた
導電体である信号線と、上記誘電体基板の上面において
上記信号線を両側からそれぞれ間隙を介して挟むように
配置された板状の導電体であるグランドプレーンと、上
記誘電体基板内を貫通することによって、上記グランド
プレーンと上記誘電体基板の下面とを電気的に接続する
グランドビアとを備え、上記信号線の中心線を通り、上
記誘電体基板の上面に垂直な仮想基準平面から、一方の
グランドプレーンに接続する上記グランドビアの中心線
までの距離と、上記仮想基準平面から、他方のグランド
プレーンに接続する上記グランドビアの中心線までの距
離とが異なる。
【００１９】上記構成を採用することにより、信号線か
ら見てグランドビアが非対称となり、左に偏った共振体
と右に偏った共振体との共振周波数が異なるようにな
る。したがって、共振によって生じていた１つのディッ
プを２つのディップに分離するとともに、ディップの深
さを浅くすることができる。したがって、部品点数を増
加させることなく、ディップを低減することができる。
ら見てグランドビアが非対称となり、左に偏った共振体
と右に偏った共振体との共振周波数が異なるようにな
る。したがって、共振によって生じていた１つのディッ
プを２つのディップに分離するとともに、ディップの深
さを浅くすることができる。したがって、部品点数を増
加させることなく、ディップを低減することができる。
【００２０】上記目的を達成するため、本発明に基づく
伝送線路基板の他の局面では、誘電体基板と、上記誘電
体基板の上面に線状に設けられた導電体である信号線
と、上記誘電体基板の上面において上記信号線を両側か
ら間隙を介して挟むように配置された板状の導電体であ
るグランドプレーンと、上記誘電体基板内を貫通するこ
とによって、上記グランドプレーンと、上記誘電体基板
の下面とを電気的に接続するグランドビアとを備え、上
記信号線の中心線を通り、上記誘電体基板の上面に垂直
な仮想基準平面から、一方の上記グランドプレーンの上
記信号線側の端までの距離と、上記仮想基準平面から、
他方の上記グランドプレーンの上記信号線側の端までの
距離とが異なる。
伝送線路基板の他の局面では、誘電体基板と、上記誘電
体基板の上面に線状に設けられた導電体である信号線
と、上記誘電体基板の上面において上記信号線を両側か
ら間隙を介して挟むように配置された板状の導電体であ
るグランドプレーンと、上記誘電体基板内を貫通するこ
とによって、上記グランドプレーンと、上記誘電体基板
の下面とを電気的に接続するグランドビアとを備え、上
記信号線の中心線を通り、上記誘電体基板の上面に垂直
な仮想基準平面から、一方の上記グランドプレーンの上
記信号線側の端までの距離と、上記仮想基準平面から、
他方の上記グランドプレーンの上記信号線側の端までの
距離とが異なる。
【００２１】上記構成を採用することにより、信号線か
ら見てグランドプレーンが非対称となり、左に偏った共
振体と右に偏った共振体との共振周波数が異なるように
なる。したがって、共振によって生じていた１つのディ
ップを２つのディップに分離するとともに、ディップの
深さを浅くすることができる。したがって、部品点数を
増加させることなく、ディップを低減することができ
る。
ら見てグランドプレーンが非対称となり、左に偏った共
振体と右に偏った共振体との共振周波数が異なるように
なる。したがって、共振によって生じていた１つのディ
ップを２つのディップに分離するとともに、ディップの
深さを浅くすることができる。したがって、部品点数を
増加させることなく、ディップを低減することができ
る。
【００２２】上記発明において好ましくは、上記誘電体
基板の下面に膜状の抵抗体を備える。この構成を採用す
ることにより、共振のエネルギーは、抵抗体の導体損失
として吸収されるため、共振の発生を抑制することがで
きる。グランドビアまたはグランドプレーンを左右非対
称に配置して、かつ、抵抗体も配置することによって、
左右それぞれを中心として構成する共振体が蓄積する電
磁エネルギーに対して、抵抗体のもたらす導体損失の比
率が大きくなるため、共振抑制効果が高まる。
基板の下面に膜状の抵抗体を備える。この構成を採用す
ることにより、共振のエネルギーは、抵抗体の導体損失
として吸収されるため、共振の発生を抑制することがで
きる。グランドビアまたはグランドプレーンを左右非対
称に配置して、かつ、抵抗体も配置することによって、
左右それぞれを中心として構成する共振体が蓄積する電
磁エネルギーに対して、抵抗体のもたらす導体損失の比
率が大きくなるため、共振抑制効果が高まる。
【００２３】また、上記目的を達成するため、本発明に
基づく高周波伝送構造体の一つの局面では、上述の伝送
線路基板と、上記伝送線路基板の下側に配置された導電
体の土台とを備え、上記土台は上記信号線を投影した領
域にほぼ対応する領域に凹部を有する。この構成を採用
することにより、凹部の存在により、伝送線路基板の下
側において、高周波信号の伝送方向に対する垂直方向に
電流が流れにくくなる。したがって、伝送方向に磁界成
分を持つ基板下側の共振を抑制することができ、上述の
グランドビアまたはグランドプレーンの非対称な配置に
よるディップ低減効果に加えて、さらにディップを低減
できる。
基づく高周波伝送構造体の一つの局面では、上述の伝送
線路基板と、上記伝送線路基板の下側に配置された導電
体の土台とを備え、上記土台は上記信号線を投影した領
域にほぼ対応する領域に凹部を有する。この構成を採用
することにより、凹部の存在により、伝送線路基板の下
側において、高周波信号の伝送方向に対する垂直方向に
電流が流れにくくなる。したがって、伝送方向に磁界成
分を持つ基板下側の共振を抑制することができ、上述の
グランドビアまたはグランドプレーンの非対称な配置に
よるディップ低減効果に加えて、さらにディップを低減
できる。
【００２４】上記発明において好ましくは、上記誘電体
基板と上記土台との間には膜状の抵抗体が介在し、上記
抵抗体は、上記凹部を上記誘電体基板に投影した領域を
挟む両側が互いに電気的に隔絶されている。この構成を
採用することにより、共振のエネルギーは、抵抗体の導
体損失として吸収され、ディップを低減できる。なおか
つ、凹部の上方において、抵抗体を通じて高周波信号の
伝送方向に対する垂直方向に電流が流れることを防止で
きるため、凹部による共振抑制効果を阻害しない。
基板と上記土台との間には膜状の抵抗体が介在し、上記
抵抗体は、上記凹部を上記誘電体基板に投影した領域を
挟む両側が互いに電気的に隔絶されている。この構成を
採用することにより、共振のエネルギーは、抵抗体の導
体損失として吸収され、ディップを低減できる。なおか
つ、凹部の上方において、抵抗体を通じて高周波信号の
伝送方向に対する垂直方向に電流が流れることを防止で
きるため、凹部による共振抑制効果を阻害しない。
【００２５】上記目的を達成するため、本発明に基づく
高周波パッケージの一つの局面では、上述の伝送線路基
板と、上記伝送線路基板を載置する導電性の土台と、上
記伝送線路基板に対して電気的に接続された同軸コネク
タと、上記伝送線路基板に対して電気的に接続された半
導体素子とを備える。この構成を採用することにより、
グランドビアまたはグランドプレーンの非対称な配置に
よってディップを低減できる伝送線路基板を備えるた
め、ディップを低減した高周波パッケージを得ることが
できる。
高周波パッケージの一つの局面では、上述の伝送線路基
板と、上記伝送線路基板を載置する導電性の土台と、上
記伝送線路基板に対して電気的に接続された同軸コネク
タと、上記伝送線路基板に対して電気的に接続された半
導体素子とを備える。この構成を採用することにより、
グランドビアまたはグランドプレーンの非対称な配置に
よってディップを低減できる伝送線路基板を備えるた
め、ディップを低減した高周波パッケージを得ることが
できる。
【００２６】上記目的を達成するため、本発明に基づく
高周波パッケージの他の局面では、上述の高周波伝送構
造体と、上記高周波伝送構造体に対して電気的に接続さ
れた同軸コネクタと、上記高周波伝送構造体に対して電
気的に接続された半導体素子とを備える。この構成を採
用することにより、グランドビアまたはグランドプレー
ンの非対称な配置および凹部の配置によってディップを
低減できる高周波伝送構造体を備えるため、ディップを
低減した高周波パッケージを得ることができる。
高周波パッケージの他の局面では、上述の高周波伝送構
造体と、上記高周波伝送構造体に対して電気的に接続さ
れた同軸コネクタと、上記高周波伝送構造体に対して電
気的に接続された半導体素子とを備える。この構成を採
用することにより、グランドビアまたはグランドプレー
ンの非対称な配置および凹部の配置によってディップを
低減できる高周波伝送構造体を備えるため、ディップを
低減した高周波パッケージを得ることができる。
【００２７】上記目的を達成するため、本発明に基づく
高周波伝送構造体の他の局面では、誘電体基板と、上記
誘電体基板の上面に線状に設けられた導電体である信号
線と、上記誘電体基板の上面において上記信号線を両側
からそれぞれ間隙を介して挟むように配置された板状の
導電体であるグランドプレーンと、上記誘電体基板の下
側に配置された導電体の土台とを備え、上記土台は上記
信号線を投影した領域にほぼ対応する領域に凹部を有す
る。
高周波伝送構造体の他の局面では、誘電体基板と、上記
誘電体基板の上面に線状に設けられた導電体である信号
線と、上記誘電体基板の上面において上記信号線を両側
からそれぞれ間隙を介して挟むように配置された板状の
導電体であるグランドプレーンと、上記誘電体基板の下
側に配置された導電体の土台とを備え、上記土台は上記
信号線を投影した領域にほぼ対応する領域に凹部を有す
る。
【００２８】上記構成を採用することにより、凹部の存
在により、伝送線路基板の下側において、高周波信号の
伝送方向に対する垂直方向に電流が流れにくくなる。し
たがって、伝送方向に磁界成分を持つ共振を抑制するこ
とができ、ディップを低減できる。
在により、伝送線路基板の下側において、高周波信号の
伝送方向に対する垂直方向に電流が流れにくくなる。し
たがって、伝送方向に磁界成分を持つ共振を抑制するこ
とができ、ディップを低減できる。
【００２９】上記発明において好ましくは、上記誘電体
基板と上記土台との間には膜状の抵抗体が介在し、上記
抵抗体は、上記凹部を上記誘電体基板に投影した領域を
挟む両側が分離されている。この構成を採用することに
より、共振のエネルギーは、抵抗体の導体損失として吸
収され、ディップを低減できる。なおかつ、凹部の上方
において、抵抗体を通じて高周波信号の伝送方向に対す
る垂直方向に電流が流れることを防止できるため、凹部
による共振抑制効果を阻害しない。
基板と上記土台との間には膜状の抵抗体が介在し、上記
抵抗体は、上記凹部を上記誘電体基板に投影した領域を
挟む両側が分離されている。この構成を採用することに
より、共振のエネルギーは、抵抗体の導体損失として吸
収され、ディップを低減できる。なおかつ、凹部の上方
において、抵抗体を通じて高周波信号の伝送方向に対す
る垂直方向に電流が流れることを防止できるため、凹部
による共振抑制効果を阻害しない。
【００３０】上記目的を達成するため、本発明に基づく
高周波パッケージのさらに他の局面では、上述の高周波
伝送構造体と、上記高周波伝送構造体に対して電気的に
接続された同軸コネクタと、上記高周波伝送構造体に対
して電気的に接続された半導体素子とを備える。この構
成を採用することにより、凹部の配置によってディップ
を低減できる伝送線路基板を備えるため、ディップを低
減した高周波パッケージを得ることができる。
高周波パッケージのさらに他の局面では、上述の高周波
伝送構造体と、上記高周波伝送構造体に対して電気的に
接続された同軸コネクタと、上記高周波伝送構造体に対
して電気的に接続された半導体素子とを備える。この構
成を採用することにより、凹部の配置によってディップ
を低減できる伝送線路基板を備えるため、ディップを低
減した高周波パッケージを得ることができる。
【００３１】
【発明の実施の形態】（実施の形態１） （構成）図１を参照して、本発明に基づく実施の形態１
における伝送線路基板ないし高周波伝送構造体について
説明する。この伝送線路基板においては、信号線２は、
依然として中心にあるが、信号線２を基準に考えたとき
のグランドビア４の相対的位置は、左右非対称となって
いる。
における伝送線路基板ないし高周波伝送構造体について
説明する。この伝送線路基板においては、信号線２は、
依然として中心にあるが、信号線２を基準に考えたとき
のグランドビア４の相対的位置は、左右非対称となって
いる。
【００３２】グランドビア４に関していうときの「非対
称」の定義は、以下の通りである。すなわち、信号線２
の中心線を通り、誘電体基板１の上面に垂直な仮想基準
平面をまず考える。この仮想基準平面から一方のグラン
ドプレーン３に接続するグランドビア４の中心線までの
距離と、仮想基準平面から、他方のグランドプレーン３
に接続するグランドビア４の中心線までの距離とが異な
るときに左右非対称に該当する。
称」の定義は、以下の通りである。すなわち、信号線２
の中心線を通り、誘電体基板１の上面に垂直な仮想基準
平面をまず考える。この仮想基準平面から一方のグラン
ドプレーン３に接続するグランドビア４の中心線までの
距離と、仮想基準平面から、他方のグランドプレーン３
に接続するグランドビア４の中心線までの距離とが異な
るときに左右非対称に該当する。
【００３３】（作用・効果）グランドビア４を図１に示
すように左右非対称に配置したときの通過特性Ｓ２１の
解析結果を図２に示す。ただし、抵抗体５がない条件で
比較した。曲線５３が、グランドビア４が対称の構造
（図１５参照）によるもので、曲線５４が、グランドビ
ア４が非対称の構造（図１参照）によるものである。図
２から、グランドビア４を非対称とすることで、ディッ
プが２つに分離し、それぞれ浅くなることがわかる。
すように左右非対称に配置したときの通過特性Ｓ２１の
解析結果を図２に示す。ただし、抵抗体５がない条件で
比較した。曲線５３が、グランドビア４が対称の構造
（図１５参照）によるもので、曲線５４が、グランドビ
ア４が非対称の構造（図１参照）によるものである。図
２から、グランドビア４を非対称とすることで、ディッ
プが２つに分離し、それぞれ浅くなることがわかる。
【００３４】伝送線路基板において、信号線２と右側部
分とを中心として構成する共振体と、信号線２と左側部
分とを中心として構成する共振体とがそれぞれ存在し、
図１５に示したようなグランドビア４が対称の構造で
は、左右とも同じ共振周波数であったために、１つの大
きな共振体を構成することとなっていたと考えられる。
そのため、グランドビア４を非対称とすることで、左右
の共振周波数が異なるようになり、１つの深いディップ
が２つの浅いディップに分離したと考えられる。
分とを中心として構成する共振体と、信号線２と左側部
分とを中心として構成する共振体とがそれぞれ存在し、
図１５に示したようなグランドビア４が対称の構造で
は、左右とも同じ共振周波数であったために、１つの大
きな共振体を構成することとなっていたと考えられる。
そのため、グランドビア４を非対称とすることで、左右
の共振周波数が異なるようになり、１つの深いディップ
が２つの浅いディップに分離したと考えられる。
【００３５】さらに、抵抗体５がある場合において、グ
ランドビア４を図３に示すように左右非対称に配置した
ときの通過特性Ｓ２１の解析結果を図４に示す。曲線５
５が、グランドビア４が対称の構造（図１７参照）によ
るもので、曲線５６が、グランドビア４が非対称の構造
（図３参照）によるものである。図４から、グランドビ
ア４を非対称とすることで、ディップがより浅くなるこ
とがわかる。
ランドビア４を図３に示すように左右非対称に配置した
ときの通過特性Ｓ２１の解析結果を図４に示す。曲線５
５が、グランドビア４が対称の構造（図１７参照）によ
るもので、曲線５６が、グランドビア４が非対称の構造
（図３参照）によるものである。図４から、グランドビ
ア４を非対称とすることで、ディップがより浅くなるこ
とがわかる。
【００３６】グランドビア４を左右非対称に配置して、
かつ、抵抗体５も配置することによって、左右それぞれ
の構成する共振体が蓄積する電磁エネルギーに対して、
抵抗体５のもたらす導体損失の比率が大きくなるため、
共振抑制効果が高まったと考えられる。
かつ、抵抗体５も配置することによって、左右それぞれ
の構成する共振体が蓄積する電磁エネルギーに対して、
抵抗体５のもたらす導体損失の比率が大きくなるため、
共振抑制効果が高まったと考えられる。
【００３７】なお、本実施の形態では、伝送線路基板な
いし高周波伝送構造体についての説明という体裁をとっ
たが、この伝送線路基板ないし高周波伝送構造体を用い
て構成される高周波パッケージによっても、同様のディ
ップ低減の効果を得ることができる。 （実施の形態２） （構成）図５を参照して、本発明に基づく実施の形態２
における伝送線路基板および高周波伝送構造体について
説明する。この伝送線路基板においては、信号線２は、
中心にあり、グランドビア４の配置も、左右対称となっ
ているが、信号線２とグランドプレーン３とのギャップ
幅が左右非対称となっている。
いし高周波伝送構造体についての説明という体裁をとっ
たが、この伝送線路基板ないし高周波伝送構造体を用い
て構成される高周波パッケージによっても、同様のディ
ップ低減の効果を得ることができる。 （実施の形態２） （構成）図５を参照して、本発明に基づく実施の形態２
における伝送線路基板および高周波伝送構造体について
説明する。この伝送線路基板においては、信号線２は、
中心にあり、グランドビア４の配置も、左右対称となっ
ているが、信号線２とグランドプレーン３とのギャップ
幅が左右非対称となっている。
【００３８】グランドプレーン３に関していうときの
「非対称」の定義は、以下の通りである。すなわち、信
号線２の中心線を通り、誘電体基板１の上面に垂直な仮
想基準平面をまず考える。仮想基準平面から、一方のグ
ランドプレーン３の信号線２側の端までの距離と、仮想
基準平面から、他方のグランドプレーン３の信号線２側
の端までの距離とが異なるときに左右非対称に該当す
る。
「非対称」の定義は、以下の通りである。すなわち、信
号線２の中心線を通り、誘電体基板１の上面に垂直な仮
想基準平面をまず考える。仮想基準平面から、一方のグ
ランドプレーン３の信号線２側の端までの距離と、仮想
基準平面から、他方のグランドプレーン３の信号線２側
の端までの距離とが異なるときに左右非対称に該当す
る。
【００３９】（作用・効果）この場合も、実施の形態１
でグランドビア４の配置を非対称とした場合と同様のこ
とがいえる。すなわち、左右各部分のそれぞれを中心と
して構成する共振体が異なる共振周波数となるため、共
振によって生じるディップを分離することができ、ディ
ップを浅くすることができると考えられる。
でグランドビア４の配置を非対称とした場合と同様のこ
とがいえる。すなわち、左右各部分のそれぞれを中心と
して構成する共振体が異なる共振周波数となるため、共
振によって生じるディップを分離することができ、ディ
ップを浅くすることができると考えられる。
【００４０】実施の形態１，２とも非対称とする際の左
右の距離の差によってディップの分離度合いが変化する
が、たとえば、グランドビア４を非対称としようとした
ときに、製造上の制限により、グランドビア４の位置を
ある程度以上ずらせず、そのため、ディップの分離が十
分に行なえないような場合には、本実施の形態の考え方
を組み合わせて適用することもできる。すなわち、グラ
ンドビア４を一定の向きに非対称としたときに、さらに
グランドプレーン３を逆向きに非対称とすることによっ
て、ディップの分離の度合いを補完し、十分なものとす
ることもできる。
右の距離の差によってディップの分離度合いが変化する
が、たとえば、グランドビア４を非対称としようとした
ときに、製造上の制限により、グランドビア４の位置を
ある程度以上ずらせず、そのため、ディップの分離が十
分に行なえないような場合には、本実施の形態の考え方
を組み合わせて適用することもできる。すなわち、グラ
ンドビア４を一定の向きに非対称としたときに、さらに
グランドプレーン３を逆向きに非対称とすることによっ
て、ディップの分離の度合いを補完し、十分なものとす
ることもできる。
【００４１】なお、本実施の形態では、伝送線路基板な
いし高周波伝送構造体についての説明という体裁をとっ
たが、この伝送線路基板ないし高周波伝送構造体を用い
て構成される高周波パッケージによっても、同様のディ
ップ低減の効果を得ることができる。
いし高周波伝送構造体についての説明という体裁をとっ
たが、この伝送線路基板ないし高周波伝送構造体を用い
て構成される高周波パッケージによっても、同様のディ
ップ低減の効果を得ることができる。
【００４２】（実施の形態３） （構成）図６を参照して、本発明に基づく実施の形態３
における高周波伝送構造体について説明する。この伝送
線路基板においては、信号線２は中心にあり、グランド
ビア４、グランドプレーン３の配置は左右対称となって
いる。その代わり、従来の土台６の代わりに、中央に凹
部８のある土台６ａが用いられている。
における高周波伝送構造体について説明する。この伝送
線路基板においては、信号線２は中心にあり、グランド
ビア４、グランドプレーン３の配置は左右対称となって
いる。その代わり、従来の土台６の代わりに、中央に凹
部８のある土台６ａが用いられている。
【００４３】（作用・効果）土台に凹部８を設けたこと
による効果を検証するための通過特性Ｓ２１の解析結果
を図７に示す。曲線５７が、凹部８がない構造（図１７
参照）によるもので、曲線５８が、凹部８がある構造
（図６参照）によるものである。図７から、凹部８を設
けることで、ディップが低減できていることがわかる。
による効果を検証するための通過特性Ｓ２１の解析結果
を図７に示す。曲線５７が、凹部８がない構造（図１７
参照）によるもので、曲線５８が、凹部８がある構造
（図６参照）によるものである。図７から、凹部８を設
けることで、ディップが低減できていることがわかる。
【００４４】これは、以下のように考えられる。凹部８
の存在により、伝送線路基板の下側において、高周波信
号の伝送方向（信号線２の長手方向）に対して垂直方向
（図６における左右方向）に電流が流れにくくなる。し
たがって、伝送線路基板の下側において伝送方向に磁界
成分を持つ共振を抑制することができたものと考えられ
る。ただし、図６に示すように、抵抗体５ａにも切れ目
を設けて、凹部８の上方で左右方向に電流が流れないよ
うにしておくことが重要である。図６の例では、抵抗体
５ａには２ヶ所に切れ目を設けているが、凹部８の上方
において抵抗体５の左側部分と右側部分とが電気的に分
離されていればよく、切れ目は２ヶ所とは限らず１ヶ所
であってもよい。
の存在により、伝送線路基板の下側において、高周波信
号の伝送方向（信号線２の長手方向）に対して垂直方向
（図６における左右方向）に電流が流れにくくなる。し
たがって、伝送線路基板の下側において伝送方向に磁界
成分を持つ共振を抑制することができたものと考えられ
る。ただし、図６に示すように、抵抗体５ａにも切れ目
を設けて、凹部８の上方で左右方向に電流が流れないよ
うにしておくことが重要である。図６の例では、抵抗体
５ａには２ヶ所に切れ目を設けているが、凹部８の上方
において抵抗体５の左側部分と右側部分とが電気的に分
離されていればよく、切れ目は２ヶ所とは限らず１ヶ所
であってもよい。
【００４５】なお、図６に示した例では、誘電体基板１
の下側に抵抗体５ａがあるが、図１３や図１５に示した
ように抵抗体を挿入しない構造で、凹部８を設けること
としてもよい。
の下側に抵抗体５ａがあるが、図１３や図１５に示した
ように抵抗体を挿入しない構造で、凹部８を設けること
としてもよい。
【００４６】また、本実施の形態のような凹部８を設け
る構造と、実施の形態１，２のようなグランドビア４の
非対称な配置、グランドパターン３の非対称な配置を適
宜選択して組み合わせても、ディップ低減の効果を高め
ることができる。
る構造と、実施の形態１，２のようなグランドビア４の
非対称な配置、グランドパターン３の非対称な配置を適
宜選択して組み合わせても、ディップ低減の効果を高め
ることができる。
【００４７】なお、今回開示した上記実施の形態はすべ
ての点で例示であって制限的なものではない。本発明の
範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって
示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での
すべての変更を含むものである。
ての点で例示であって制限的なものではない。本発明の
範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって
示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での
すべての変更を含むものである。
【００４８】
【発明の効果】本発明によれば、信号線から見てグラン
ドビアまたはグランドプレーンが非対称となり、左右の
共振周波数が異なるようになる。したがって、共振によ
って生じていた１つのディップを２つのディップに分離
するとともに、ディップの深さを浅くすることができ
る。したがって、部品点数を増加させることなく、ディ
ップを低減することができる。さらに、凹部を設けるこ
ととすれば、伝送線路基板の下側において、高周波信号
の伝送方向に対する垂直方向に電流が流れにくくなり、
伝送方向に磁界成分を持つ共振を抑制することができ
る。
ドビアまたはグランドプレーンが非対称となり、左右の
共振周波数が異なるようになる。したがって、共振によ
って生じていた１つのディップを２つのディップに分離
するとともに、ディップの深さを浅くすることができ
る。したがって、部品点数を増加させることなく、ディ
ップを低減することができる。さらに、凹部を設けるこ
ととすれば、伝送線路基板の下側において、高周波信号
の伝送方向に対する垂直方向に電流が流れにくくなり、
伝送方向に磁界成分を持つ共振を抑制することができ
る。
【図１】 本発明に基づく実施の形態１における高周波
伝送構造体の一つの例の断面図である。
伝送構造体の一つの例の断面図である。
【図２】 本発明に基づく実施の形態１における、抵抗
体のない場合の高周波伝送構造体の通過特性を従来のも
のと比較したグラフである。
体のない場合の高周波伝送構造体の通過特性を従来のも
のと比較したグラフである。
【図３】 本発明に基づく実施の形態１における高周波
伝送構造体の他の例の断面図である。
伝送構造体の他の例の断面図である。
【図４】 本発明に基づく実施の形態１における、抵抗
体のある場合の高周波伝送構造体の通過特性を従来のも
のと比較したグラフである。
体のある場合の高周波伝送構造体の通過特性を従来のも
のと比較したグラフである。
【図５】 本発明に基づく実施の形態２における高周波
伝送構造体の断面図である。
伝送構造体の断面図である。
【図６】 本発明に基づく実施の形態３における高周波
伝送構造体の断面図である。
伝送構造体の断面図である。
【図７】 本発明に基づく実施の形態３における、凹部
を設けた場合の高周波伝送構造体の通過特性を従来のも
のと比較したグラフである。
を設けた場合の高周波伝送構造体の通過特性を従来のも
のと比較したグラフである。
【図８】 従来技術に基づく高周波パッケージの平面図
である。
である。
【図９】 従来技術に基づく高周波パッケージの断面図
である。
である。
【図１０】 従来技術に基づく高周波伝送構造体の第１
の例の平面図である。
の例の平面図である。
【図１１】 従来技術に基づく高周波伝送構造体の第１
の例の断面図である。
の例の断面図である。
【図１２】 従来技術に基づく高周波伝送構造体の第２
の例の平面図である。
の例の平面図である。
【図１３】 従来技術に基づく高周波伝送構造体の第２
の例の断面図である。
の例の断面図である。
【図１４】 従来技術に基づく高周波伝送構造体の第３
の例の平面図である。
の例の平面図である。
【図１５】 従来技術に基づく高周波伝送構造体の第３
の例の断面図である。
の例の断面図である。
【図１６】 従来技術に基づく高周波伝送構造体の第４
の例の断面図である。
の例の断面図である。
【図１７】 従来技術に基づく高周波伝送構造体の第５
の例の断面図である。
の例の断面図である。
【図１８】 従来技術に基づく高周波伝送構造体におけ
る抵抗体の有無による通過特性への影響を比較したグラ
フである。
る抵抗体の有無による通過特性への影響を比較したグラ
フである。
１ 誘電体基板、２ 信号線、３ グランドプレーン、
４ グランドビア、５抵抗体、６ 土台、７ 内芯、８
凹部、１０ 同軸ケーブル、１１ 同軸コネクタ、１
２ メタルウォール、１３，１４ ボンディングワイ
ヤ、１５ 半導体素子、１６ 導体層、１７ リードフ
レーム、１８ 誘電体基板、１９ ギャップ、３１，３
２，３３ 伝送線路基板、５１，５２，５３，５４，５
５，５６，５７，５８ 曲線。
４ グランドビア、５抵抗体、６ 土台、７ 内芯、８
凹部、１０ 同軸ケーブル、１１ 同軸コネクタ、１
２ メタルウォール、１３，１４ ボンディングワイ
ヤ、１５ 半導体素子、１６ 導体層、１７ リードフ
レーム、１８ 誘電体基板、１９ ギャップ、３１，３
２，３３ 伝送線路基板、５１，５２，５３，５４，５
５，５６，５７，５８ 曲線。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 1/11 Ｈ０５Ｋ 1/11 Ｈ
Claims (10)
- 【請求項１】 誘電体基板と、 前記誘電体基板の上面に線状に設けられた導電体である
信号線と、 前記誘電体基板の上面において前記信号線を両側からそ
れぞれ間隙を介して挟むように配置された板状の導電体
であるグランドプレーンと、 前記誘電体基板内を貫通することによって、前記グラン
ドプレーンと前記誘電体基板の下面とを電気的に接続す
るグランドビアとを備え、 前記信号線の中心線を通り、前記誘電体基板の上面に垂
直な仮想基準平面から、一方のグランドプレーンに接続
する前記グランドビアの中心線までの距離と、前記仮想
基準平面から、他方のグランドプレーンに接続する前記
グランドビアの中心線までの距離とが異なる、伝送線路
基板。 - 【請求項２】 誘電体基板と、 前記誘電体基板の上面に線状に設けられた導電体である
信号線と、 前記誘電体基板の上面において前記信号線を両側から間
隙を介して挟むように配置された板状の導電体であるグ
ランドプレーンと、 前記誘電体基板内を貫通することによって、前記グラン
ドプレーンと前記誘電体基板の下面とを電気的に接続す
るグランドビアとを備え、 前記信号線の中心線を通り、前記誘電体基板の上面に垂
直な仮想基準平面から、一方の前記グランドプレーンの
前記信号線側の端までの距離と、前記仮想基準平面か
ら、他方の前記グランドプレーンの前記信号線側の端ま
での距離とが異なる、伝送線路基板。 - 【請求項３】 前記誘電体基板の下面に膜状の抵抗体を
備える、請求項１または２に記載の伝送線路基板。 - 【請求項４】 請求項１または２に記載の伝送線路基板
と、前記伝送線路基板の下側に配置された導電体の土台
とを備え、前記土台は前記信号線を投影した領域にほぼ
対応する領域に凹部を有する、高周波伝送構造体。 - 【請求項５】 前記誘電体基板と前記土台との間には膜
状の抵抗体が介在し、前記抵抗体は、前記凹部を前記誘
電体基板に投影した領域を挟む両側が互いに電気的に隔
絶されている、請求項４に記載の高周波伝送構造体。 - 【請求項６】 請求項１から３のいずれかに記載の伝送
線路基板と、 前記伝送線路基板を載置する導電性の土台と、 前記伝送線路基板に対して電気的に接続された同軸コネ
クタと、 前記伝送線路基板に対して電気的に接続された半導体素
子とを備えた高周波パッケージ。 - 【請求項７】 請求項４または５に記載の高周波伝送構
造体と、 前記高周波伝送構造体に対して電気的に接続された同軸
コネクタと、 前記高周波伝送構造体に対して電気的に接続された半導
体素子とを備えた高周波パッケージ。 - 【請求項８】 誘電体基板と、 前記誘電体基板の上面に線状に設けられた導電体である
信号線と、 前記誘電体基板の上面において前記信号線を両側からそ
れぞれ間隙を介して挟むように配置された板状の導電体
であるグランドプレーンと、 前記誘電体基板の下側に配置された導電体の土台とを備
え、 前記土台は前記信号線を投影した領域にほぼ対応する領
域に凹部を有する、高周波伝送構造体。 - 【請求項９】 前記誘電体基板と前記土台との間には膜
状の抵抗体が介在し、前記抵抗体は、前記凹部を前記誘
電体基板に投影した領域を挟む両側が分離されている、
請求項８に記載の高周波伝送構造体。 - 【請求項１０】 請求項８または９に記載の高周波伝送
構造体と、 前記高周波伝送構造体に対して電気的に接続された同軸
コネクタと、 前記高周波伝送構造体に対して電気的に接続された半導
体素子とを備えた高周波パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000368955A JP3748770B2 (ja) | 2000-12-04 | 2000-12-04 | 伝送線路基板、高周波伝送構造体およびこれを備えた高周波パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000368955A JP3748770B2 (ja) | 2000-12-04 | 2000-12-04 | 伝送線路基板、高周波伝送構造体およびこれを備えた高周波パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002171105A true JP2002171105A (ja) | 2002-06-14 |
| JP3748770B2 JP3748770B2 (ja) | 2006-02-22 |
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ID=18839072
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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|---|---|
| JP (1) | JP3748770B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004013928A1 (ja) * | 2002-08-01 | 2004-02-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 伝送線路及び半導体集積回路装置 |
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