JP2002164459A - 半導体素子収納用パッケージ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体素子収納用パッケージ内部の気密性や高
周波伝送特性、さらには光結合効率を良好なものとし、
半導体素子を長期にわたり正常かつ安定に作動させ得る
ようにすること。 【解決手段】金属枠体２の取付部２ａに銀ロウ等のロウ
材で嵌着接合される入出力端子３を具備する半導体パッ
ケージにおいて、金属枠体２の内面および／または外面
の取付部２ａの両側辺に沿って、その側辺の長さと略同
じ長さ以上の溝２ｃが形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光通信やマイクロ
波通信、ミリ波通信等の分野に用いられる各種半導体素
子を収納する半導体素子収納用パッケージに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、マイクロ波帯域やミリ波帯域の高
周波信号や、光信号により作動する各種半導体素子を収
納する半導体素子収納用パッケージ（以下、半導体パッ
ケージという）のうち、光通信分野に用いられる光半導
体パッケージを図３に示す。

【０００３】同図に示すように、半導体パッケージは、
一般に、上面にＬＤ（半導体レーザ），ＰＤ（フォトダ
イオード）等の光半導体素子としての半導体素子１１０
が載置される載置部１０１ａを有するとともに、実装基
板（図示せず）にトルクをかけてネジ止めされるネジ止
め孔（フランジ）１０１ｂが形成される、鉄（Ｆｅ）−
ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金や銅（Ｃｕ）
−タングステン（Ｗ）合金等の金属材料から成る基体１
０１を有する。また、載置部１０１ａを囲繞するように
して基体１０１の上面に銀ロウ等のロウ材を介して接合
されるとともに、長辺の両側部に半導体素子１１０と外
部電気回路（図示せず）とを電気的に接続する入出力端
子１０３嵌着接合用の切欠部１０２ａが形成され、さら
に短辺の一側部に半導体素子１１０と光結合するための
光伝送路である貫通孔１０２ｂが形成された、Ｆｅ−Ｎ
ｉ−Ｃｏ合金等の金属材料から成る金属枠体１０２を有
する。

【０００４】入出力端子１０３は、上面に一辺から対向
する他辺にかけて形成された線路導体１０３ａ−Ａを有
する誘電体から成る平板部１０３ａおよび平板部１０３
ａの上面に線路導体１０３ａ−Ａを間に挟んで接合され
た誘電体から成る立壁部１０３ｂを有し、また入出力端
子１０３側面の一部には、線路導体１０３ａ−Ａを擬似
同軸状に囲み接地導体（グランド）として機能するとと
もに、切欠部１０２ａ内周面に銀ロウ等のロウ材１０８
（図３のものはプリモールドである）を介して接合させ
る接合媒体として機能するメタライズ層１０３ａ−Ｂが
形成されている。

【０００５】この線路導体１０３ａ−Ａ上面には、Ｆｅ
−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属材料から成り、銀ロウ等のロ
ウ材で接合されるとともに、入出力端子１０３と外部電
気回路との電気的接続を行う機能を有するリード端子１
０４が形成される。

【０００６】また、金属枠体１０２の光伝送路である貫
通孔１０２ｂの外側周辺部には、金属枠体１０２の熱膨
張係数に近似するＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金，Ｆｅ−Ｎｉ合
金等の金属材料から成る、光ファイバ１０７固定用の筒
状の固定部材１０５が銀ロウ等のロウ材で接合される。

【０００７】また、シールリング１０９は、金属枠体１
０２上面および入出力端子１０３上面に銀ロウ等のロウ
材１０８を介して接合され、入出力端子１０３を挟持す
るとともに、上面に蓋体（図示せず）をシーム溶接等に
より接合するための媒体として機能する。

【０００８】このような半導体パッケージに、半導体素
子１１０を載置部１０１ａにＳｎ−Ｐｂ半田等の低融点
ロウ材で載置固定するとともに、線路導体１０３ａ−Ａ
と半導体素子１１０とをボンディングワイヤ（図示せ
ず）で電気的に接続し、さらに光ファイバ１０７と半導
体素子１１０との光軸を調整した後、固定部材１０５外
側端面に、光ファイバ１０７を樹脂等の接着剤で取着し
た金属ホルダ１０６をＡｕ−Ｓｎ等の低融点ロウ材で接
合する。さらに、シールリング１０９上面に蓋体をシー
ム溶接等により接合することにより、製品としての光半
導体装置となる。

【０００９】このような光半導体装置は、実装基板上に
ネジ止めされた後、外部電気回路から供給される駆動信
号によって半導体素子１１０を光励起させ、励起したレ
ーザ光等の光を光ファイバ１０７に授受させるととも
に、光ファイバ１０７内を伝送させることにより、大容
量の情報を高速に伝送できる光電変換装置として機能す
るとともに、光通信分野等に多く用いられる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体パッケージにおいて、メタライズ層１０３ａ
−Ｂを切欠部１０２ａ内周面にロウ材１０８を介して接
合した際、図４に金属枠体１０２と入出力端子１０３と
の接合部の部分拡大平面図を示すように、少しでもロウ
材が多いと各々の接合にとって過剰なロウ材が、金属枠
体１０２とメタライズ層１０３ａ−Ｂとの間に溜まって
しまい、所謂ロウ材溜まり１２０を形成する。熱膨張係
数が金属枠体１０２，入出力端子１０３と異なるロウ材
溜まり１２０を起点として、金属枠体１０２や入出力端
子１０３、ひいては基体１０１に応力を加えることとな
る。この応力により、金属枠体１０２よりも弾性の低い
入出力端子１０３にクラック等が発生する場合があり、
高周波伝送特性や、金属枠体１０２内部の気密性が損な
われ、半導体素子１１０の作動性を良好なものとできな
いという問題点を有していた。

【００１１】上記問題点を解決する手段として、入出力
端子１０３の平板部１０３ａ，立壁部１０３ｂの厚さを
厚くすることにより応力による耐久性を強化することも
考えられるが、この場合、誘電体の表面積が大きくなる
ことによる浮遊容量の発生により、高周波伝送特性が損
なわる。

【００１２】また、クラック等が発生しない場合であっ
ても、基体１０１まで加わった応力により基体１０１が
反り変形することとなり、このような光半導体パッケー
ジをフランジ１０１ｂを介して実装基板にネジ止めした
際、基体１０１の反り変形が矯正され、反った状態で光
軸が合っていたため、光ファイバ１０７と半導体素子１
１０との光軸がずれて、光結合効率が損なわれ、半導体
素子１１０の光信号による作動性を良好なものとできな
いという問題点を有していた。

【００１３】従って、本発明はこのような問題点に鑑み
て完成されたもので、その目的は、金属枠体とメタライ
ズ層との間にロウ材溜まりを発生させないようにするこ
とにより、金属枠体内部の気密性や高周波伝送特性、さ
らには光結合効率を良好なものとし、半導体素子を長期
にわたり正常かつ安定に作動させ得ることにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体パッケー
ジは、上面に半導体素子が載置される載置部を有する基
体と、該基体上面に前記載置部を囲繞するように取着さ
れるとともに、側部に貫通孔または切欠部から成る入出
力端子の取付部を有する金属枠体と、前記取付部に嵌着
接合される入出力端子とを具備した半導体素子収納用パ
ッケージにおいて、前記金属枠体の内面および／または
外面の前記取付部の辺に沿って該辺の長さと略同じ長さ
以上の溝が形成されていることを特徴とする。

【００１５】本発明は、上記の構成により、入出力端子
を取付部に銀ロウ等のロウ材で嵌着接合させた際、過剰
なロウ材が、金属枠体内部の気密性，高周波伝送特性，
光結合効率を損なわせる程度に大きいロウ材溜まりを金
属枠体とメタライズ層との間に形成することはない。即
ち、金属枠体の内面および／または外面に取付部の辺に
沿って形成された溝は、過剰なロウ材のほとんどを内部
に引き込み溜めて金属枠体と入出力端子のメタライズ層
との間にロウ材のメニスカスによるロウ材溜りを発生さ
せない。その結果、ロウ材溜まりを起点として金属枠体
や入出力端子ひいては基体に応力を加えることはない。

【００１６】本発明において、好ましくは、前記溝の深
さＸは前記金属枠体の厚さの１／５〜１／３であり、前
記溝の幅Ｙは１〜５ｍｍであり、かつ前記取付部の辺と
前記溝との距離Ｌが０．１〜５ｍｍであることを特徴と
する。

【００１７】上記の構成により、上記本発明の効果がさ
らに有効なものとなる。

【００１８】

【発明の実施の形態】本発明の半導体パッケージの一種
である光半導体パッケージについて以下に詳細に説明す
る。図１は本発明の光半導体パッケージの斜視図、図２
は金属枠体２と入出力端子３との接合部の部分拡大平面
図を示し、これらの図において、１は基体、２は金属枠
体、３は入出力端子、５は光ファイバ７が取着された金
属ホルダ６を固定する筒状の固定部材、９はシールリン
グである。これら基体１と金属枠体２と入出力端子３と
固定部材５とシールリング９とで、内部にＬＤ，ＰＤ等
の光半導体素子である半導体素子１０を収納し、シール
リング９上面に蓋体を取着することにより容器が構成さ
れる。

【００１９】基体１は、その上面に半導体素子１０を載
置する載置部１ａを有するとともに、外部の実装基板に
ネジ止めするためのフランジ１ｂが形成されており、半
導体素子１０を支持する支持部材として機能するととも
に、半導体素子１０の作動時に発する熱を外部に効率良
く放散する機能を有する。

【００２０】この基体１は、その形状は略直方体または
略長方形の平板であり、銅（Ｃｕ）−タングステン
（Ｗ）合金やＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属材料から成
る。また、その製作は金属材料のインゴットに圧延加工
やプレス加工等の金属加工を施すことにより所定の形状
に成される。

【００２１】なお、この基体１は、その表面に耐蝕性に
優れかつロウ材との濡れ性に優れる金属、具体的には厚
さ０．５〜９μｍのＮｉ層と、厚さ０．５〜５μｍのＡ
ｕ層とを順次メッキ法により被着させておくと、基体１
が酸化腐食するのを有効に防止できるとともに、基体１
上面に半導体素子１０を強固に接着固定できる。従っ
て、基体１表面には０．５〜９μｍのＮｉ層や厚さ０．
５〜５μｍのＡｕ層等の金属層をメッキ法により被着さ
せておくことが好ましい。

【００２２】また、この基体１の上面には、載置部１ａ
を囲繞するようにして銀ロウ等のロウ材を介して接合さ
れるとともに、長辺の両側部に半導体素子１０と外部電
気回路（図示せず）とを電気的に接続する入出力端子３
嵌着接合用の貫通孔または切欠部から成る取付部２ａが
形成され、さらに短辺の一側部に半導体素子１０と光結
合するための光伝送路である貫通孔２ｂが形成された、
Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属材料から成る金属枠体２
を有する。

【００２３】また、本発明において、この金属枠体２
は、その内面および／または外面の取付部２ａの辺に沿
ってその辺の長さと略同じ長さ以上の溝２ｃが形成され
ている。この溝２ｃは、入出力端子３を取付部２ａに銀
ロウ等のロウ材８で嵌着接合させた際、過剰なロウ材
が、金属枠体２内部の気密性，高周波伝送特性，光結合
効率を損なわせる程度に大きいロウ材溜まりを、金属枠
体２とメタライズ層３ａ−Ｂとの間にメニスカスを形成
することによって、生じることがないような機能を有す
る。即ち、溝２ｃは、過剰なロウ材のほとんどを引き込
み溜める機能を有するため、ロウ材溜まりを起点とし
て、金属枠体２や入出力端子３ひいては基体１に応力を
印加させることはない。

【００２４】また、このような溝２ｃは、その深さＸが
金属枠体２の厚さの１／５〜１／３であり、また溝２ｃ
の幅Ｙは１〜５ｍｍ、さらに取付部２ａの辺と溝２ｃと
の距離Ｌが０．１〜１０ｍｍであることがよく、この場
合上記機能を有効なものとできる。

【００２５】即ち、溝２ｃの深さＸが金属枠体２の厚さ
の１／５未満の場合、その深さＸが浅すぎるため過剰な
ロウ材を引き込み溜めることが困難であり、一方、溝２
ｃの深さＸが金属枠体２の厚さの１／３を超える場合、
金属枠体２の剛性が損なわれることとなり、外部からの
応力に対して金属枠体２が変形したり破損する等の問題
や、メタライズ層３ａ−Ｂと金属枠体２との接合時にお
ける応力により、溝２ｃ即ち金属枠体２にクラックが発
生する等の問題が起こり易くなる。

【００２６】また、溝２ｃの幅Ｙが１ｍｍ未満の場合、
幅Ｙが狭すぎるため過剰なロウ材を有効に溜めることが
困難であり、一方、溝２ｃの幅Ｙが５ｍｍを超える場
合、金属枠体２の剛性が損なわれることとなり、外部か
らの応力により金属枠体２が変形したり破損する等の問
題や、メタライズ層３ａ−Ｂと金属枠体２との接合時に
おける応力により、溝２ｃ即ち金属枠体２にクラックが
発生する等の問題が起こり易くなる。

【００２７】また、取付部２ａの辺と溝２ｃとの距離
（間隔）Ｌが０．１ｍｍ未満の場合、金属枠体２に溝２
ｃを形成することは製造上困難である。一方、取付部２
ａの辺と溝２ｃとの距離Ｌが５ｍｍを超える場合、その
距離が取付部２ａの辺から長いため過剰なロウ材が、こ
の溝２ｃまで流れない場合があり、即ち溝２ｃの機能を
発揮できない場合がある。

【００２８】なお、溝２ｃは、金属枠体２の内面および
／または外面の取付部２ａの辺に沿ってその辺の長さと
略同じ長さ以上で形成されていれば良く、辺の長さと略
同じ長さで設けられていても良い。本実施形態では、図
１に示すように、金属枠体２の内面に２つの取付部２ａ
の両側辺に沿って４箇所に溝２ｃを形成したが、メタラ
イズ層３ａ−Ｂと金属枠体２の内面との間に形成される
メニスカスによるロウ材溜まりの発生を有効に防止でき
た。

【００２９】この溝２ｃの平面視における断面形状は、
凹形状，Ｕ形状，Ｖ形状等の種々の形状とし得る。ま
た、図５に示すように、過剰なロウ材が溝２ｃ内に引き
込まれ易いように、取付部２ａの辺（図５では側辺）か
ら遠ざかるにつれて深くなる斜面とされ、かつ辺と反対
側の内側面が金属枠体２の内面（または外面）に略垂直
とされた断面形状であってもよい。さらには、図６に示
すように、過剰なロウ材が下方に垂れて溝２ｃから漏れ
るのを防ぐために、溝２ｃの深さＸが下方にいくにつれ
て深くなるように形成してもよい。

【００３０】また、メタライズ層３ａ−Ｂに接合される
部位から少なくとも溝２ｃの内周面までは金属枠体２表
面にＮｉ層を形成しておく方が良く、その場合ロウ材を
溝２ｃまで流して引き込み溜めることが容易となる。

【００３１】このような金属枠体２の製作は、基体１と
同様、金属材料のインゴットに圧延加工やプレス加工等
の金属加工を施すことにより所定の形状に形成される。

【００３２】なお、金属枠体２の基体１への接合は基体
１上面と金属枠体２下面とを、基体１上面に敷設したプ
リフォーム状の銀ロウ等のロウ材を介して接合される。
さらに、金属枠体２表面には、基体１と同様に０．５〜
９μｍのＮｉ層や厚さ０．５〜５μｍのＡｕ層等の金属
層をメッキ法により被着させておくと良い。

【００３３】また、この金属枠体２の切欠部から成る取
付部２ａには、半導体素子１０と外部電気回路との高周
波信号の入出力を行う機能を有するとともに、光半導体
パッケージの内外部を遮断する機能を有する入出力端子
３が、これに設けられているメタライズ層３ａ−Ｂを介
して銀ロウ等のロウ材で接合される。

【００３４】この入出力端子３は、略長方形で板状の平
板部３ａの上面に、略直方体で横倒しにされた四角柱状
の立壁部３ｂが積層されて成る。

【００３５】この平板部３ａは、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）
セラミックス，窒化アルミニウム（ＡｌＮ）セラミック
ス，ムライト（３Ａｌ₂Ｏ₃・２ＳｉＯ₂）セラミックス
等の誘電体か成る。そして、平板部３ａの上面には、長
辺の１辺から対向する他辺にかけて、Ｗ，Ｍｏ−Ｍｎ等
のメタライズ層から成る線路導体３ａ−Ａが形成され
る。平板部３ａの下面には、全面に線路導体３ａ−Ａと
同様の金属層が形成され、また線路導体３ａ−Ａと平行
となる側面にも同様のメタライズ層３ａ−Ｂが形成され
る。

【００３６】このような線路導体３ａ−Ａやメタライズ
層３ａ−Ｂ等は、例えばＷ等の粉末に有機溶剤、溶媒を
添加混合して得た金属ペーストを、平板部３ａ用のセラ
ミックグリーンシートに、予め従来周知のスクリーン印
刷法により所定パターンに印刷塗布しておき、焼成する
ことにより形成される。

【００３７】また、立壁部３ｂは、平板部３ａと同様の
誘電体からなり、その上面の全面に線路導体３ａ−Ａと
同様のメタライズ層が形成されるとともに、取付部２ａ
内周面に接合される面にメタライズ層３ａ−Ｂが形成さ
れている。

【００３８】このようなメタライズ層３ａ−Ｂ等は、線
路導体３ａ−Ａ等と同様の方法により金属ペーストを所
定パターンに印刷塗布し焼成することにより形成され
る。

【００３９】この入出力端子３の線路導体３ａ−Ａの金
属枠体２外部に導出される部位には、外部電気回路と入
出力端子３との高周波信号の入出力を行い、Ｆｅ−Ｎｉ
−Ｃｏ合金等の金属材料から成るリード端子４が銀ロウ
等のロウ材で接合される。

【００４０】また、金属枠体２の短辺側の一側部には、
貫通孔２ｂが形成されており、一端面が貫通孔２ｂの開
口を囲むように銀ロウ等のロウ材で接合され、かつ他方
の端面には光ファイバ７を樹脂等の接着剤で取着した金
属ホルダ６が、Ａｕ−Ｓｎ等の低融点ロウ材で接合され
る固定部材５が設けられる。この固定部材５は、基体１
や金属枠体２と同様の材料を同様の加工法で所望の形状
に加工されるとともに、その表面に０．５〜９μｍのＮ
ｉ層や０．５〜５μｍのＡｕ層等の金属層をメッキ法に
より被着させておくと良い。

【００４１】このように、入出力端子３および固定部材
５が取着される金属枠体２上面にはシールリング９が銀
ロウ等のロウ材８で接合される。このシールリング９
は、金属枠体２上面に銀ロウ等のロウ材で接合されて入
出力端子３を挟持するとともに、その上面に、半導体素
子１０を封止するための蓋体をシーム溶接等により接合
するための接合媒体として機能する。

【００４２】本発明の半導体パッケージとしての光半導
体パッケージは、金属材料から成る基体１と、その上面
に半導体素子１０の載置部１ａを囲繞するように接合さ
れ、取付部２ａ，貫通孔２ｂを有するとともに、取付部
２ａの辺に沿って内面および／または外面に溝２ｃが形
成された金属枠体２と、この取付部２ａに銀ロウ等のロ
ウ材で接合された入出力端子３とを具備している。この
金属枠体２の溝２ｃは、入出力端子３を取付部２ａに銀
ロウ等のロウ材で嵌着接合させた際、金属枠体２内部の
気密性，高周波伝送特性，光結合効率を損なわせる程度
に大きいロウ材溜まりを金属枠体２とメタライズ層３ａ
−Ｂとの間に形成させることはない。

【００４３】このような光半導体パッケージに、光半導
体素子等の半導体素子１０を載置部１ａにＳｎ−Ｐｂ半
田等の低融点ロウ材で載置固定するとともに、線路導体
３ａ−Ａと半導体素子１０とをボンディングワイヤで電
気的に接続し、さらに固定部材５に、光ファイバ７を樹
脂等の接着剤で取着した金属ホルダ６を、Ａｕ−Ｓｎ等
の低融点ロウ材で接合した後、シールリング９上面に蓋
体をシーム溶接等により接合することにより、製品とし
ての光半導体装置となる。

【００４４】この光半導体装置は、外部の実装基板上に
ネジ止めされた後、外部電気回路から供給される駆動信
号によって半導体素子１０を光励起させ、励起したレー
ザ光等の光を光ファイバ７に授受させるとともに、光フ
ァイバ７内を伝送させることにより、大容量の情報を高
速に伝送できる光電変換装置として機能するものであ
り、光通信分野等に多く用いられる。

【００４５】かくして、本発明は、金属枠体２と入出力
端子３とをロウ材で接合した際に、入出力端子３にクラ
ックが発生することにより、高周波信号の伝送効率や、
金属枠体２内部の気密性が損なわれることを有効に防止
でき、また半導体パッケージを実装基板上にネジ止めを
行った際に、基体１の反り変形が矯正され、光ファイバ
７と半導体素子１０との光結合効率が損なわれることを
有効に防止できる。その結果、半導体素子１０を長期間
にわたり、正常かつ安定に作動させ得る。

【００４６】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変
更を行うことは何等支障ない。例えば、取付部２ａのメ
タライズ層３ａ−Ｂが直接接合されない内周面（下側内
周面）に相当する下辺に沿って、溝２ｃを形成しても良
い。この場合、自重によって垂れた過剰なロウ材のほと
んど全てを溝２ｃに溜めることができ、ロウ材溜まりに
よる応力の発生を皆無にできる。

【００４７】

【発明の効果】本発明は、金属枠体の取付部に銀ロウ等
のロウ材で嵌着接合される入出力端子を具備する半導体
パッケージにおいて、金属枠体の内面および／または外
面の取付部の辺に沿ってその辺の長さと略同じ長さ以上
の溝が形成されていることにより、金属枠体の取付部に
入出力端子をロウ材で接合した際、過剰なロウ材を引き
込んで溝内に溜めることができ、例えば金属枠体の内面
または外面と入出力端子側面のメタライズ層との間にロ
ウ材のメニスカスが形成されてロウ材溜りが生じるのを
防ぐことができ、その結果、金属枠体内部の気密性や高
周波伝送特性、さらには光結合効率を良好なものとし、
半導体素子を長期にわたり正常かつ安定に作動させ得
る。

【００４８】また本発明は、好ましくは、溝の深さＸを
金属枠体の厚さの１／５〜１／３とし、溝の幅Ｙを１〜
５ｍｍ、かつ取付部の辺と溝との距離Ｌを０．１〜５ｍ
ｍとすることにより、例えば金属枠体の内面または外面
と入出力端子側面のメタライズ層との間にロウ材のメニ
スカスが形成されてロウ材溜りが生じるのを有効に防ぐ
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体パッケージの一実施形態を示す
分解斜視図である。

【図２】図１の金属枠体と入出力端子との接合部の部分
拡大平面図である。

【図３】従来の半導体パッケージの分解斜視図である。

【図４】図３の金属枠体と入出力端子との接合部の部分
拡大平面図である。

【図５】本発明の溝についての一実施形態であり平面視
における溝の断面形状を示す要部断面図である。

【図６】本発明の溝についての他の実施形態であり側面
からみた溝の断面形状を示す要部断面図である。

【符号の説明】

１：基体 １ａ：載置部 ２：金属枠体 ２ａ：取付部 ２ｃ：溝 ３：入出力端子 ３ａ−Ｂ：メタライズ層

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】上面に半導体素子が載置される載置部を有
   する基体と、該基体上面に前記載置部を囲繞するように
   取着されるとともに、側部に貫通孔または切欠部から成
   る入出力端子の取付部を有する金属枠体と、前記取付部
   に嵌着接合される入出力端子とを具備した半導体素子収
   納用パッケージにおいて、前記金属枠体の内面および／
   または外面の前記取付部の辺に沿って該辺の長さと略同
   じ長さ以上の溝が形成されていることを特徴とする半導
   体素子収納用パッケージ。
2. 【請求項２】前記溝の深さＸは前記金属枠体の厚さの１
   ／５〜１／３であり、前記溝の幅Ｙは１〜５ｍｍであ
   り、かつ前記取付部の辺と前記溝との距離Ｌが０．１〜
   ５ｍｍであることを特徴とする請求項１記載の半導体素
   子収納用パッケージ。