JP2002164218A - 閉磁路型薄膜インダクタおよびその製造方法 - Google Patents
閉磁路型薄膜インダクタおよびその製造方法Info
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- JP2002164218A JP2002164218A JP2000363020A JP2000363020A JP2002164218A JP 2002164218 A JP2002164218 A JP 2002164218A JP 2000363020 A JP2000363020 A JP 2000363020A JP 2000363020 A JP2000363020 A JP 2000363020A JP 2002164218 A JP2002164218 A JP 2002164218A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＥＭＩ問題とＥＭＳ対策を考慮し、洩れ磁束
がほとんどなく、高Ｑ値を有する閉磁路型薄膜インダク
タを得る。 【解決手段】 絶縁基板の片面あるいは両面にパターン
化した軟磁性多層膜を形成し、前記軟磁性多層膜をパタ
ーンに沿って切り離され、前記切り離した軟磁性多層膜
の断面周囲を回周するように巻線３が施され、前記軟磁
性多層膜をリング状にして該薄膜磁芯の端部が近接され
た閉磁路型薄膜インダクタとする。
がほとんどなく、高Ｑ値を有する閉磁路型薄膜インダク
タを得る。 【解決手段】 絶縁基板の片面あるいは両面にパターン
化した軟磁性多層膜を形成し、前記軟磁性多層膜をパタ
ーンに沿って切り離され、前記切り離した軟磁性多層膜
の断面周囲を回周するように巻線３が施され、前記軟磁
性多層膜をリング状にして該薄膜磁芯の端部が近接され
た閉磁路型薄膜インダクタとする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主としてハイパワ
ー用電源に使用されるＤＣ−ＤＣコンバータ及びＡＣ−
ＤＣコンバータ等に適用されると共に、数十ＭＨｚの高
周波数帯域で高Ｑ値を有する高Ｑ値の巻線型の閉磁路型
薄膜インダクタおよびその製造方法に関するものであ
る。
ー用電源に使用されるＤＣ−ＤＣコンバータ及びＡＣ−
ＤＣコンバータ等に適用されると共に、数十ＭＨｚの高
周波数帯域で高Ｑ値を有する高Ｑ値の巻線型の閉磁路型
薄膜インダクタおよびその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＤＣ−ＤＣコンバータ及びＡＣ−
ＤＣコンバータに使用されるインダクタは、フェライト
磁心に巻線コイルを付けたものが主であった。このよう
なインダクタは、サイズが大きく、素子の小型化、高周
波化は、特に半導体素子の集積化に比較すると、かなり
遅くなっていた。
ＤＣコンバータに使用されるインダクタは、フェライト
磁心に巻線コイルを付けたものが主であった。このよう
なインダクタは、サイズが大きく、素子の小型化、高周
波化は、特に半導体素子の集積化に比較すると、かなり
遅くなっていた。
【０００３】このため、薄膜インダクタの開発が盛んで
進めて行く。しかしながら、薄膜Ｌについては、形成プ
ロセスが複雑であり、開発された各種類のものはＱ値が
低く、実際、応用できるものは、まだ報告されていな
い。このような薄膜インダクタは、将来、発展方向であ
るが、時間がかなり掛かると推測される。
進めて行く。しかしながら、薄膜Ｌについては、形成プ
ロセスが複雑であり、開発された各種類のものはＱ値が
低く、実際、応用できるものは、まだ報告されていな
い。このような薄膜インダクタは、将来、発展方向であ
るが、時間がかなり掛かると推測される。
【０００４】従来のインダクタ素子では、数ｍｍのフェ
ライトに巻線を施したバルクタイプ、フェライトの中に
コイルを埋め込んだ外形寸法が、２０１２、１６０８系
の積層チップ素子、更に磁性体を使わない空心コイルが
主であった。バルクタイプの場合は、サイズが大きい、
チップインダクタの場合は、サイズがやや小さいが、高
インダクタンスを得るのは難しく、温度特性も不安定で
あった。
ライトに巻線を施したバルクタイプ、フェライトの中に
コイルを埋め込んだ外形寸法が、２０１２、１６０８系
の積層チップ素子、更に磁性体を使わない空心コイルが
主であった。バルクタイプの場合は、サイズが大きい、
チップインダクタの場合は、サイズがやや小さいが、高
インダクタンスを得るのは難しく、温度特性も不安定で
あった。
【０００５】これらのインダクタは、数十ＭＨｚから数
百ＭＨｚの高周波帯域で用いられるが、Ｌ値が大きいと
共振周波数が低くなり、最大Ｑ値を得る周波数帯も低く
なる。反面、Ｌ値が小さいと共振周波数及び最大Ｑ値を
有する周波数は高いという特徴があった。特に、空心コ
イルは、ＧＨｚに近い周波数帯では高Ｑ値を示すが、１
００ＭＨｚ前後の周波数帯域では高Ｑが得られなかっ
た。
百ＭＨｚの高周波帯域で用いられるが、Ｌ値が大きいと
共振周波数が低くなり、最大Ｑ値を得る周波数帯も低く
なる。反面、Ｌ値が小さいと共振周波数及び最大Ｑ値を
有する周波数は高いという特徴があった。特に、空心コ
イルは、ＧＨｚに近い周波数帯では高Ｑ値を示すが、１
００ＭＨｚ前後の周波数帯域では高Ｑが得られなかっ
た。
【０００６】そこで、現在は、従来のインダクタ素子と
将来の薄膜インダクタ素子との中間段階のインダクタン
ス素子が急務となっている。特に、数ＭＨｚから数十Ｍ
Ｈｚまでの周波数領域でＱ値の高いインダクタ素子が望
ましい。
将来の薄膜インダクタ素子との中間段階のインダクタン
ス素子が急務となっている。特に、数ＭＨｚから数十Ｍ
Ｈｚまでの周波数領域でＱ値の高いインダクタ素子が望
ましい。
【０００７】そこで、我々は、巻線型の薄膜インダクタ
を開発し、数十ＭＨｚの周波数で高Ｑ値を得た。このよ
うなインダクタは、従来のものに比べ、Ｑ値が高く、良
い温度特性が示した。
を開発し、数十ＭＨｚの周波数で高Ｑ値を得た。このよ
うなインダクタは、従来のものに比べ、Ｑ値が高く、良
い温度特性が示した。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の薄膜インダクタについては、磁路が開であったので、
実装して見ると、インダクタ端部の洩れ磁束は周りのデ
バイスに大きな影響を及ぼしていた。
の薄膜インダクタについては、磁路が開であったので、
実装して見ると、インダクタ端部の洩れ磁束は周りのデ
バイスに大きな影響を及ぼしていた。
【０００９】更に、デバイスの小型化、高周波化に伴
い、部品の実装密度が高くなる。各部品が正常に動作す
るためには、デバイスの回路設計だけではなく、各部品
自身のＥＭＩ問題、ＥＭＳ対策などを考慮しなければな
らなかった。
い、部品の実装密度が高くなる。各部品が正常に動作す
るためには、デバイスの回路設計だけではなく、各部品
自身のＥＭＩ問題、ＥＭＳ対策などを考慮しなければな
らなかった。
【００１０】従って、本発明の目的は、ＥＭＩ問題とＥ
ＭＳ対策を考慮し、洩れ磁束がほとんどなく、高Ｑ値を
有する閉磁路型薄膜インダクタおよびその製造方法を提
供することである。
ＭＳ対策を考慮し、洩れ磁束がほとんどなく、高Ｑ値を
有する閉磁路型薄膜インダクタおよびその製造方法を提
供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、薄くて
（例、０.１ｍｍ）柔らかい絶縁基板の片面或いは両面
に、リフトオフ法を用いて、パターン化したＱ値の高い
軟磁性薄膜を形成し、これらの基板をストリップ状に切
断し、薄膜磁心を提供するものである。
（例、０.１ｍｍ）柔らかい絶縁基板の片面或いは両面
に、リフトオフ法を用いて、パターン化したＱ値の高い
軟磁性薄膜を形成し、これらの基板をストリップ状に切
断し、薄膜磁心を提供するものである。
【００１２】また、本発明によれば、前記薄膜磁心を一
枚、或いは数枚を用いて、薄膜の磁化困難軸方向全長に
巻線を施して巻線インダクタを形成し、このようなイン
ダクタを折り曲げてインダクタの両端を接着し、リング
状或いは２層直線状の巻線型の閉磁路薄膜インダクタを
提供するものである。
枚、或いは数枚を用いて、薄膜の磁化困難軸方向全長に
巻線を施して巻線インダクタを形成し、このようなイン
ダクタを折り曲げてインダクタの両端を接着し、リング
状或いは２層直線状の巻線型の閉磁路薄膜インダクタを
提供するものである。
【００１３】また、本発明によれば、前記インダクタ磁
心が偶数枚を用いて、中心部に長さ半分の範囲で巻線を
施して巻線インダクタを形成し、残った両端側磁心を折
り曲げて、磁心の両端を接着することで、超低磁束洩れ
の閉磁路型薄膜インダクタが得られる。
心が偶数枚を用いて、中心部に長さ半分の範囲で巻線を
施して巻線インダクタを形成し、残った両端側磁心を折
り曲げて、磁心の両端を接着することで、超低磁束洩れ
の閉磁路型薄膜インダクタが得られる。
【００１４】また、空心コイルを先ず形成し、前記イン
ダクタ磁心の偶数枚をコイルの両端から対称に挿入し、
閉磁路の接着点がコイル内部に存在する超低磁束洩れの
閉磁路型薄膜インダクタがえられる。
ダクタ磁心の偶数枚をコイルの両端から対称に挿入し、
閉磁路の接着点がコイル内部に存在する超低磁束洩れの
閉磁路型薄膜インダクタがえられる。
【００１５】即ち、本発明は、絶縁基板の片面あるいは
両面にパターン化した薄膜磁芯を形成し、前記薄膜磁芯
をパターンに沿って切り離され、前記切り離した薄膜磁
芯の断面周囲を回周するように巻線が施され、前記薄膜
磁芯をリング状にして該薄膜磁芯の端部が近接された閉
磁路型薄膜インダクタである。
両面にパターン化した薄膜磁芯を形成し、前記薄膜磁芯
をパターンに沿って切り離され、前記切り離した薄膜磁
芯の断面周囲を回周するように巻線が施され、前記薄膜
磁芯をリング状にして該薄膜磁芯の端部が近接された閉
磁路型薄膜インダクタである。
【００１６】また、本発明は、絶縁基板の片面あるいは
両面にパターン化した薄膜磁芯を形成し、前記薄膜磁芯
をパターンに沿って切り離された、前記薄膜磁芯の断面
周囲を回周するように巻線が施され、薄膜磁芯を長方形
状にして該薄膜磁芯の端部が近接された閉磁路型薄膜イ
ンダクタである。
両面にパターン化した薄膜磁芯を形成し、前記薄膜磁芯
をパターンに沿って切り離された、前記薄膜磁芯の断面
周囲を回周するように巻線が施され、薄膜磁芯を長方形
状にして該薄膜磁芯の端部が近接された閉磁路型薄膜イ
ンダクタである。
【００１７】また、本発明は、絶縁基板の片面あるいは
両面にパターン化した薄膜磁芯を形成し、前記薄膜磁芯
をパターンに沿って切り離された、前記薄膜磁芯の内側
部略半分の領域の断面周囲を回周するように巻線が施さ
れ、前記薄膜磁芯の外側領域を巻線の外側へ折り返して
該薄膜磁芯の端部が近接された閉磁路を構成する閉磁路
型薄膜インダクタである。
両面にパターン化した薄膜磁芯を形成し、前記薄膜磁芯
をパターンに沿って切り離された、前記薄膜磁芯の内側
部略半分の領域の断面周囲を回周するように巻線が施さ
れ、前記薄膜磁芯の外側領域を巻線の外側へ折り返して
該薄膜磁芯の端部が近接された閉磁路を構成する閉磁路
型薄膜インダクタである。
【００１８】また、本発明は、空芯コイルを形成し、絶
縁基板の片面或いは表裏両面にパターン化した薄膜磁心
を形成し、前記薄膜磁芯をパターンに沿って切り離し、
前記切り離した薄膜磁心を前記空芯コイルに対称に挿入
し、前記薄膜磁心の接着面が、前記空芯コイル内部に存
在し、閉磁路を構成された閉磁路型薄膜インダクタであ
る。
縁基板の片面或いは表裏両面にパターン化した薄膜磁心
を形成し、前記薄膜磁芯をパターンに沿って切り離し、
前記切り離した薄膜磁心を前記空芯コイルに対称に挿入
し、前記薄膜磁心の接着面が、前記空芯コイル内部に存
在し、閉磁路を構成された閉磁路型薄膜インダクタであ
る。
【００１９】また、本発明は、絶縁基板の片面あるいは
両面にパターン化した薄膜磁芯を形成し、前記薄膜磁芯
をパターンに沿って切り離し、前記切り離した薄膜磁芯
の断面周囲を回周するように巻線を施し、前記薄膜磁芯
をリング状にして形成する閉磁路型薄膜インダクタの製
造方法である。
両面にパターン化した薄膜磁芯を形成し、前記薄膜磁芯
をパターンに沿って切り離し、前記切り離した薄膜磁芯
の断面周囲を回周するように巻線を施し、前記薄膜磁芯
をリング状にして形成する閉磁路型薄膜インダクタの製
造方法である。
【００２０】また、本発明は、絶縁基板の片面あるいは
両面にパターン化した薄膜磁芯を形成し、前記薄膜磁芯
をパターンに沿って切り離し、前記薄膜磁芯の断面周囲
を回周するように巻線を施し、薄膜磁芯を長方形状にし
て形成する閉磁路型薄膜インダクタの製造方法である。
両面にパターン化した薄膜磁芯を形成し、前記薄膜磁芯
をパターンに沿って切り離し、前記薄膜磁芯の断面周囲
を回周するように巻線を施し、薄膜磁芯を長方形状にし
て形成する閉磁路型薄膜インダクタの製造方法である。
【００２１】また、本発明は、絶縁基板の片面あるいは
両面にパターン化した薄膜磁芯を形成し、前記薄膜磁芯
をパターンに沿って切り離し、前記薄膜磁芯の内側領域
の断面周囲を回周するように巻線を施し、前記薄膜磁芯
の外側領域を巻線の外側へ折り返して接着し、閉磁路を
構成する閉磁路型薄膜インダクタの製造方法である。
両面にパターン化した薄膜磁芯を形成し、前記薄膜磁芯
をパターンに沿って切り離し、前記薄膜磁芯の内側領域
の断面周囲を回周するように巻線を施し、前記薄膜磁芯
の外側領域を巻線の外側へ折り返して接着し、閉磁路を
構成する閉磁路型薄膜インダクタの製造方法である。
【００２２】また、本発明は、空芯コイルを形成し、絶
縁基板の片面或いは表裏両面にパターン化した薄膜磁心
を形成し、前記薄膜磁芯をパターンに沿って切り離し、
前記切り離した薄膜磁心を前記空芯コイルに対称に挿入
し、前記薄膜磁心の接着面が、前記空芯コイル内部に存
在し、閉磁路を構成する閉磁路型薄膜インダクタの製造
方法である。
縁基板の片面或いは表裏両面にパターン化した薄膜磁心
を形成し、前記薄膜磁芯をパターンに沿って切り離し、
前記切り離した薄膜磁心を前記空芯コイルに対称に挿入
し、前記薄膜磁心の接着面が、前記空芯コイル内部に存
在し、閉磁路を構成する閉磁路型薄膜インダクタの製造
方法である。
【００２３】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態による閉磁路
型薄膜インダクタおよびその製造方法について、以下に
説明する。
型薄膜インダクタおよびその製造方法について、以下に
説明する。
【００２４】図１は、本発明の実施の形態による閉磁路
型薄膜インダクタに使用される軟磁性多層膜の外観図で
ある。
型薄膜インダクタに使用される軟磁性多層膜の外観図で
ある。
【００２５】図２は、前記図１の軟磁性多層膜１に巻線
３を巻いた、本発明の実施の形態による閉磁路型薄膜イ
ンダクタの外観図である。
３を巻いた、本発明の実施の形態による閉磁路型薄膜イ
ンダクタの外観図である。
【００２６】図３は、本発明によるリング状の閉磁路型
薄膜インダクタの説明図であり、図３（ａ）は外観図
を、図３（ｂ）は、断面図を示す。図３の閉磁路型薄膜
インダクタは、先の図２での開磁路型構造の巻線薄膜イ
ンダクタをリング状にまげて形成したものである。
薄膜インダクタの説明図であり、図３（ａ）は外観図
を、図３（ｂ）は、断面図を示す。図３の閉磁路型薄膜
インダクタは、先の図２での開磁路型構造の巻線薄膜イ
ンダクタをリング状にまげて形成したものである。
【００２７】本発明の閉磁路型薄膜インダクタは、薄く
て柔らかい絶縁基板（例えば、厚み０.１ｍｍのポリイ
ミド基板）透明の補助基板にフォトレジストで接着し、
リフトオフ法を用いて、パターン化したＱ値の高い軟磁
性多層膜を形成し、裏側から露光、現像する事により、
補助基板から剥離する。同じ工程でポリイミド基板の裏
側にパターン化したＱ値の高い軟磁性多層膜を形成し、
これらの基板を図１のようなストライプ状に切断し、薄
膜磁心がえられる。２は軟磁性多層膜であり、困難軸方
向はStripの長手方向である。
て柔らかい絶縁基板（例えば、厚み０.１ｍｍのポリイ
ミド基板）透明の補助基板にフォトレジストで接着し、
リフトオフ法を用いて、パターン化したＱ値の高い軟磁
性多層膜を形成し、裏側から露光、現像する事により、
補助基板から剥離する。同じ工程でポリイミド基板の裏
側にパターン化したＱ値の高い軟磁性多層膜を形成し、
これらの基板を図１のようなストライプ状に切断し、薄
膜磁心がえられる。２は軟磁性多層膜であり、困難軸方
向はStripの長手方向である。
【００２８】このような薄膜磁心を一枚、或いは数枚を
用いて、全長に巻線を施して図２に示す巻線インダクタ
を形成する。最適な巻線スペースを実施することによ
り、高Ｑ値のインダクタ素子が得られる。
用いて、全長に巻線を施して図２に示す巻線インダクタ
を形成する。最適な巻線スペースを実施することによ
り、高Ｑ値のインダクタ素子が得られる。
【００２９】しかし、図２のインダクタ素子は開磁路で
あり、インダクタ素子の端部には、磁束洩れが存在し、
ＥＭＩが問題になる。そこで、このようなインダクタ素
子をリング状にまげてインダクタの両端を接着し、図３
に示すようなリング状或いは図４に示すような２層直線
状の閉磁路型薄膜インダクタを得るものである。
あり、インダクタ素子の端部には、磁束洩れが存在し、
ＥＭＩが問題になる。そこで、このようなインダクタ素
子をリング状にまげてインダクタの両端を接着し、図３
に示すようなリング状或いは図４に示すような２層直線
状の閉磁路型薄膜インダクタを得るものである。
【００３０】これらの形状の閉磁路型薄膜インダクタで
は、磁束洩れがなくなるため、ＥＭＩ問題の解消だけで
はなく、Ｑ値のさらなる向上も期待できる。
は、磁束洩れがなくなるため、ＥＭＩ問題の解消だけで
はなく、Ｑ値のさらなる向上も期待できる。
【００３１】さらに、前記薄膜磁心である軟磁性多層膜
を偶数枚を用いて、中心部に長さ半分の範囲で巻線を施
して図５に示すような巻線インダクタを形成し、残った
両端側磁心を折り曲げて、薄膜磁心の両端を接着し、超
低磁束洩れの閉磁路型薄膜インダクタが得られる。
を偶数枚を用いて、中心部に長さ半分の範囲で巻線を施
して図５に示すような巻線インダクタを形成し、残った
両端側磁心を折り曲げて、薄膜磁心の両端を接着し、超
低磁束洩れの閉磁路型薄膜インダクタが得られる。
【００３２】また、図６に示すように、先ず大きさが一
定の空心コイルを形成し、前記インダクタ磁心が偶数枚
をコイルの両端に対称に挿入し、閉磁路インダクタを作
製する。このような作製方法が複雑であるが、閉磁路の
接着点がコイル内部に存在するので、磁束洩れが最低程
度の抑えるため、より良い特性を有する超低磁束洩れの
閉磁路型薄膜インダクタが得られる。
定の空心コイルを形成し、前記インダクタ磁心が偶数枚
をコイルの両端に対称に挿入し、閉磁路インダクタを作
製する。このような作製方法が複雑であるが、閉磁路の
接着点がコイル内部に存在するので、磁束洩れが最低程
度の抑えるため、より良い特性を有する超低磁束洩れの
閉磁路型薄膜インダクタが得られる。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、特殊
な基板と作製方法に基づいて、薄膜磁心を作製し、巻線
を施して巻線インダクタを形成する後、閉磁路型薄膜イ
ンダクタおよびその製造方法を提供できるものである。
な基板と作製方法に基づいて、薄膜磁心を作製し、巻線
を施して巻線インダクタを形成する後、閉磁路型薄膜イ
ンダクタおよびその製造方法を提供できるものである。
【図１】本発明の実施の形態による閉磁路型薄膜インダ
クタに使用される軟磁性多層膜の説明図。
クタに使用される軟磁性多層膜の説明図。
【図２】図１の軟磁性多層膜に巻線をした本発明の実施
の形態による閉磁路型薄膜インダクタの外観図。
の形態による閉磁路型薄膜インダクタの外観図。
【図３】本発明の実施の形態による閉磁路型薄膜インダ
クタの説明図、図３（ａ）は、外観図、図３（ｂ）は、
断面図である。
クタの説明図、図３（ａ）は、外観図、図３（ｂ）は、
断面図である。
【図４】本発明による、他の実施の形態による閉磁路型
薄膜インダクタの説明図、図４（ａ）は、外観図、図４
（ｂ）は、断面図。
薄膜インダクタの説明図、図４（ａ）は、外観図、図４
（ｂ）は、断面図。
【図５】本発明による、更に他の実施の形態による閉磁
路型薄膜インダクタの説明図、図５（ａ）は、外観図、
図５（ｂ）は、断面図。
路型薄膜インダクタの説明図、図５（ａ）は、外観図、
図５（ｂ）は、断面図。
【図６】本発明による、更に他の実施の形態による閉磁
路型薄膜インダクタの断面図。
路型薄膜インダクタの断面図。
１ ポリイミド基板 ２、２ａ 軟磁性多層膜 ３ 巻線 Ａ，Ｂ 巻線の端部
Claims (8)
- 【請求項１】 絶縁基板の片面あるいは両面にパターン
化した薄膜磁芯を形成し、前記薄膜磁芯をパターンに沿
って切り離し、前記切り離された薄膜磁芯の断面周囲を
回周するように巻線が施され、前記薄膜磁芯をリング状
にして該薄膜磁芯の端部が近接されたことを特徴とする
閉磁路型薄膜インダクタ。 - 【請求項２】 絶縁基板の片面あるいは両面にパターン
化した薄膜磁芯を形成し、前記薄膜磁芯をパターンに沿
って切り離された、前記薄膜磁芯の断面周囲を回周する
ように巻線を施し、薄膜磁芯を長方形状にして該薄膜磁
芯の端部が近接されたことを特徴とする閉磁路型薄膜イ
ンダクタ。 - 【請求項３】 絶縁基板の片面あるいは両面にパターン
化した薄膜磁芯を形成し、前記薄膜磁芯をパターンに沿
って切り離された、前記薄膜磁芯の内側部略半分の領域
の断面周囲を回周するように巻線が施され、前記薄膜磁
芯の外側領域を巻線の外側へ折り返して該薄膜磁芯の端
部が近接されたことを特徴とする閉磁路型薄膜インダク
タ。 - 【請求項４】 空芯コイルを形成し、絶縁基板の片面或
いは表裏両面にパターン化した薄膜磁心を形成し、前記
薄膜磁芯をパターンに沿って切り離し、前記切り離した
薄膜磁心を前記空芯コイルに対称に挿入し、前記薄膜磁
心の接着面が、前記空芯コイル内部に存在し、閉磁路を
構成されたことを特徴とする閉磁路型薄膜インダクタ。 - 【請求項５】 絶縁基板の片面あるいは両面にパターン
化した薄膜磁芯を形成し、前記薄膜磁芯をパターンに沿
って切り離し、前記切り離した薄膜磁芯の断面周囲を回
周するように巻線を施し、前記薄膜磁芯をリング状にし
て形成することを特徴とする閉磁路型薄膜インダクタの
製造方法。 - 【請求項６】 絶縁基板の片面あるいは両面にパターン
化した薄膜磁芯を形成し、前記薄膜磁芯をパターンに沿
って切り離し、前記薄膜磁芯の断面周囲を回周するよう
に巻線を施し、薄膜磁芯を長方形状にして形成すること
を特徴とする閉磁路薄膜型インダクタの製造方法。 - 【請求項７】 絶縁基板の片面あるいは両面にパターン
化した薄膜磁芯を形成し、前記薄膜磁芯をパターンに沿
って切り離し、前記薄膜磁芯の内側領域の断面周囲を回
周するように巻線を施し、前記薄膜磁芯の外側領域を巻
線の外側へ折り返して接着し、閉磁路を構成することを
特徴とする閉磁路型薄膜インダクタの製造方法。 - 【請求項８】 空芯コイルを形成し、絶縁基板の片面或
いは表裏両面にパターン化した薄膜磁心を形成し、前記
薄膜磁芯をパターンに沿って切り離し、前記切り離した
薄膜磁心を前記空芯コイルに対称に挿入し、前記薄膜磁
心の接着面が、前記空芯コイル内部に存在し、閉磁路を
構成することを特徴とする閉磁路型薄膜インダクタの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000363020A JP2002164218A (ja) | 2000-11-29 | 2000-11-29 | 閉磁路型薄膜インダクタおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000363020A JP2002164218A (ja) | 2000-11-29 | 2000-11-29 | 閉磁路型薄膜インダクタおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002164218A true JP2002164218A (ja) | 2002-06-07 |
Family
ID=18834196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000363020A Pending JP2002164218A (ja) | 2000-11-29 | 2000-11-29 | 閉磁路型薄膜インダクタおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002164218A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007035879A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Sumida Corporation | 磁気素子 |
-
2000
- 2000-11-29 JP JP2000363020A patent/JP2002164218A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007035879A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Sumida Corporation | 磁気素子 |
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