JP2002158249A - 金はんだを含むインジウム半導体装置用の接点とその製造方法 - Google Patents
金はんだを含むインジウム半導体装置用の接点とその製造方法Info
- Publication number
- JP2002158249A JP2002158249A JP2001243969A JP2001243969A JP2002158249A JP 2002158249 A JP2002158249 A JP 2002158249A JP 2001243969 A JP2001243969 A JP 2001243969A JP 2001243969 A JP2001243969 A JP 2001243969A JP 2002158249 A JP2002158249 A JP 2002158249A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gold
- layer
- solder
- indium
- ohmic contact
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 65
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 34
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 34
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 17
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 16
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 60
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 60
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 60
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 26
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 12
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 12
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical group [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N [Ge].[Au] Chemical compound [Ge].[Au] BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GUYIZQZWDFCUTA-UHFFFAOYSA-N (pentadecachlorophthalocyaninato(2-))-copper Chemical compound [Cu+2].N1=C([N-]2)C3=C(Cl)C(Cl)=C(Cl)C(Cl)=C3C2=NC(C2=C(Cl)C(Cl)=C(Cl)C(Cl)=C22)=NC2=NC(C2=C(Cl)C(Cl)=C(Cl)C(Cl)=C22)=NC2=NC2=C(C(Cl)=C(C(Cl)=C3)Cl)C3=C1[N-]2 GUYIZQZWDFCUTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- AKAXWKKNSMKFNL-UHFFFAOYSA-N [Sn].[Au].[Au] Chemical compound [Sn].[Au].[Au] AKAXWKKNSMKFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N lead tin Chemical compound [Sn].[Pb] LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28575—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising AIIIBV compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 金はんだを含むインジウム半導体装置用の接
点とその製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明は、インジウムを含む半導体基板
と、基板上のオーミックコンタクト層と、オーミックコ
ンタクト層を覆うインジウム拡散障壁層と、金はんだ、
金はんだ前駆物質、および双方の混合物からなる群から
選択され、インジウム拡散層を覆う少なくとも１つの層
とからなる半導体装置、およびかかる半導体装置を製造
する方法を含んでいる。
点とその製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明は、インジウムを含む半導体基板
と、基板上のオーミックコンタクト層と、オーミックコ
ンタクト層を覆うインジウム拡散障壁層と、金はんだ、
金はんだ前駆物質、および双方の混合物からなる群から
選択され、インジウム拡散層を覆う少なくとも１つの層
とからなる半導体装置、およびかかる半導体装置を製造
する方法を含んでいる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はインジウムを含む半
導体装置に関する。
導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造には“ステップ・ソル
ダリング”と呼ばれるプロセスが含まれる場合が多い。
ステップ・ソルダリングでは、アセンブリは融点が順次
低いはんだを使用して組立てられるので、プロセスの初
期に行われるはんだ接合は融解せず、後続の工程中にリ
フローする。電子部品の製造で使用される融点が最も高
いはんだは、金- スズはんだ、および金- ゲルマニウム
はんだのような金をベースにしたはんだである。そこ
で、例えば、金はんだを含む装置が次に金をベースにし
たはんだよりも融点が低い鉛- スズはんだで、印刷配線
板にはんだ付けされる場合に、はんだのリフローを防止
するために、半導体基板の製造ステップで金はんだが使
用される。しかし、これは半導体基板がインジウムを含
んでいる場合には問題である。インジウムは急速に拡散
し、金と結合されると融点が高い金属間化合物を形成す
る。この融点は、金をベースにしたはんだの融点よりも
高い。金と、はんだづけの熱が存在するとインジウムは
金の内部に拡散し、はんだを融解させるのに必要な温度
が有害な程高くなるポイントまで、例えば装置の接合部
を過剰に拡散させ、装置の性能を劣化させるに充分な高
さまで金はんだの融点を上昇させることがある。
ダリング”と呼ばれるプロセスが含まれる場合が多い。
ステップ・ソルダリングでは、アセンブリは融点が順次
低いはんだを使用して組立てられるので、プロセスの初
期に行われるはんだ接合は融解せず、後続の工程中にリ
フローする。電子部品の製造で使用される融点が最も高
いはんだは、金- スズはんだ、および金- ゲルマニウム
はんだのような金をベースにしたはんだである。そこ
で、例えば、金はんだを含む装置が次に金をベースにし
たはんだよりも融点が低い鉛- スズはんだで、印刷配線
板にはんだ付けされる場合に、はんだのリフローを防止
するために、半導体基板の製造ステップで金はんだが使
用される。しかし、これは半導体基板がインジウムを含
んでいる場合には問題である。インジウムは急速に拡散
し、金と結合されると融点が高い金属間化合物を形成す
る。この融点は、金をベースにしたはんだの融点よりも
高い。金と、はんだづけの熱が存在するとインジウムは
金の内部に拡散し、はんだを融解させるのに必要な温度
が有害な程高くなるポイントまで、例えば装置の接合部
を過剰に拡散させ、装置の性能を劣化させるに充分な高
さまで金はんだの融点を上昇させることがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は上記の
問題点を解決することにある。
問題点を解決することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、インジウムを
含む半導体基板と、基板上のオーミックコンタクト（接
点）層と、オーミックコンタクト層上のインジウム拡散
障壁層と、金はんだ、金はんだ前駆物質、および双方の
混合物からなる群から選択され、インジウム拡散層上の
層と、からなる半導体装置とそのような装置の作製方法
を含んでいる。
含む半導体基板と、基板上のオーミックコンタクト（接
点）層と、オーミックコンタクト層上のインジウム拡散
障壁層と、金はんだ、金はんだ前駆物質、および双方の
混合物からなる群から選択され、インジウム拡散層上の
層と、からなる半導体装置とそのような装置の作製方法
を含んでいる。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明は添付図面を参照して以下
の詳細な説明を読むことによって最も明解に理解され
る。半導体産業の一般的な慣行に基づき、図面の様々な
機構は縮尺なしであることを強調しておく。むしろ、様
々な機構の寸法は明解にするために任意に拡大、または
縮小されている。
の詳細な説明を読むことによって最も明解に理解され
る。半導体産業の一般的な慣行に基づき、図面の様々な
機構は縮尺なしであることを強調しておく。むしろ、様
々な機構の寸法は明解にするために任意に拡大、または
縮小されている。
【０００６】本発明は、例えば、インジウムおよび金は
んだを含む基板の間に障壁層を挿入することによって従
来技術の限界を克服するものであり、この障壁層はイン
ジウムが金はんだ内に拡散することを抑止するものであ
る。
んだを含む基板の間に障壁層を挿入することによって従
来技術の限界を克服するものであり、この障壁層はイン
ジウムが金はんだ内に拡散することを抑止するものであ
る。
【０００７】図面全体で同様の装置には同様の参照符号
が付されている図面をここで参照すると、図１はインジ
ウムを含む基板１上の従来技術の金はんだ接点３、５、
７の横断面図であり、この例では基板はリン化インジウ
ムである。金はんだが使用される場合も多いが、この例
で実際に図示されているのは金はんだではなく、金の層
３と、スズの層５と、はんだ付け温度まで加熱すると合
金が作られて金- スズはんだが形成される、金はんだの
前駆物質を形成する第２の金の層７との積層である。残
念なことには、基板１からのインジウムは金の層３内に
拡散し、その結果として生ずる金はんだがはんだの融点
を不所望に上昇させてしまうことがある。
が付されている図面をここで参照すると、図１はインジ
ウムを含む基板１上の従来技術の金はんだ接点３、５、
７の横断面図であり、この例では基板はリン化インジウ
ムである。金はんだが使用される場合も多いが、この例
で実際に図示されているのは金はんだではなく、金の層
３と、スズの層５と、はんだ付け温度まで加熱すると合
金が作られて金- スズはんだが形成される、金はんだの
前駆物質を形成する第２の金の層７との積層である。残
念なことには、基板１からのインジウムは金の層３内に
拡散し、その結果として生ずる金はんだがはんだの融点
を不所望に上昇させてしまうことがある。
【０００８】図２は本発明の一実施形態について、この
例では金であるオーミックコンタクト層９を先ず蒸着
し、次に、この実施形態ではチタン層１１および白金層
１３であるインジウム拡散障壁を被覆することによっ
て、インジウムの拡散が抑止され、その結果、金の層
３、および生成される金はんだ（図示せず）の融点の不
所望な上昇が最小限になることを示している。このよう
にして、融解する必要がないオーミックコンタクト内に
ある金はインジウムに晒され、一方、金はんだまたは金
はんだの前駆物質はインジウムによる影響が軽減されて
融解する。
例では金であるオーミックコンタクト層９を先ず蒸着
し、次に、この実施形態ではチタン層１１および白金層
１３であるインジウム拡散障壁を被覆することによっ
て、インジウムの拡散が抑止され、その結果、金の層
３、および生成される金はんだ（図示せず）の融点の不
所望な上昇が最小限になることを示している。このよう
にして、融解する必要がないオーミックコンタクト内に
ある金はインジウムに晒され、一方、金はんだまたは金
はんだの前駆物質はインジウムによる影響が軽減されて
融解する。
【０００９】拡散障壁を含む材料は金はんだの融点より
も高い融点を有し、かつオーミックコンタクト９および
金の層３に良好に接着することが望ましい。オーミック
コンタクト層９と接触して使用してもよい材料はクロ
ム、ニッケル、タングステン、およびモリブデンであ
る。チタンが好適である。金の層３、または前もって合
金状態の金はんだ（図２の実施形態には図示せず）と接
触して使用しても良い材料にはニッケル、パラジウム、
モリブデン、およびタングステンが含まれる。白金が好
適である。幾つかの金属は双方のリストに含まれ、単層
のインジウム拡散障壁として使用してもよいことに留意
されたい。
も高い融点を有し、かつオーミックコンタクト９および
金の層３に良好に接着することが望ましい。オーミック
コンタクト層９と接触して使用してもよい材料はクロ
ム、ニッケル、タングステン、およびモリブデンであ
る。チタンが好適である。金の層３、または前もって合
金状態の金はんだ（図２の実施形態には図示せず）と接
触して使用しても良い材料にはニッケル、パラジウム、
モリブデン、およびタングステンが含まれる。白金が好
適である。幾つかの金属は双方のリストに含まれ、単層
のインジウム拡散障壁として使用してもよいことに留意
されたい。
【００１０】図３は本発明の好適な実施形態を示してい
る。融解すると金はんだを形成する、スズまたはゲルマ
ニウムのような材料層がオーミックコンタクト層９上に
蒸着される。さらに、スズ合金を形成可能である材料が
金はんだ（図示せず）または金はんだの前駆物質の積層
３、５、７と接触して使用される場合は、スズまたはゲ
ルマニウムと合金を作る傾向が少ない、チタンが好適で
ある金属層１７が金の前駆物質の積層３、５、７の近傍
に蒸着される。
る。融解すると金はんだを形成する、スズまたはゲルマ
ニウムのような材料層がオーミックコンタクト層９上に
蒸着される。さらに、スズ合金を形成可能である材料が
金はんだ（図示せず）または金はんだの前駆物質の積層
３、５、７と接触して使用される場合は、スズまたはゲ
ルマニウムと合金を作る傾向が少ない、チタンが好適で
ある金属層１７が金の前駆物質の積層３、５、７の近傍
に蒸着される。
【００１１】基板１はインジウムを含む何れかのIII−
Ｖ半導体でよい。これらにはヒ化インジウムおよびアン
チモン化インジウムが含まれる。リン化インジウムが好
適である。インジウムを含むIII−Ｖ半導体はさらにア
ルミニウムおよびガリウムを含んでいてもよい。
Ｖ半導体でよい。これらにはヒ化インジウムおよびアン
チモン化インジウムが含まれる。リン化インジウムが好
適である。インジウムを含むIII−Ｖ半導体はさらにア
ルミニウムおよびガリウムを含んでいてもよい。
【００１２】オーミックコンタクト層９の好適な材料は
当該のインジウムを含むIII−Ｖ半導体とダイオード接
合部を形成しない材料である。金が特に好適である。
当該のインジウムを含むIII−Ｖ半導体とダイオード接
合部を形成しない材料である。金が特に好適である。
【００１３】金はんだは前合金の金はんだでもよく、ま
たは所望の金はんだ合金を形成する金属を含む金属層の
積層として備えてもよい。金はんだをさらに融剤中の金
はんだ粉末のペーストとして備えてもよい。金- ゲルマ
ニウムのような金はんだを使用してもよい。金- スズは
んだ、または金- スズ- 金層の積層が特に好適である。
たは所望の金はんだ合金を形成する金属を含む金属層の
積層として備えてもよい。金はんだをさらに融剤中の金
はんだ粉末のペーストとして備えてもよい。金- ゲルマ
ニウムのような金はんだを使用してもよい。金- スズは
んだ、または金- スズ- 金層の積層が特に好適である。
【００１４】オーミックコンタクト層、インジウム障壁
層（単数または複数）、および金はんだまたは金はんだ
の前駆物質層の蒸着は、蒸着、スパッタリング、化学蒸
着などのような何れかの従来の手段で行ってもよい。金
はんだはドット・ディスペンサによって蒸着しても良い
ことに留意されたい。
層（単数または複数）、および金はんだまたは金はんだ
の前駆物質層の蒸着は、蒸着、スパッタリング、化学蒸
着などのような何れかの従来の手段で行ってもよい。金
はんだはドット・ディスペンサによって蒸着しても良い
ことに留意されたい。
【００１５】本発明を実施形態を参照して説明してきた
が、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではな
い。むしろ、添付の特許請求の範囲は本発明の真の趣旨
と範囲から離れることなく、当業者により行われること
が可能である本発明のその他の変形形態および実施形態
を含むものと理解されたい。
が、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではな
い。むしろ、添付の特許請求の範囲は本発明の真の趣旨
と範囲から離れることなく、当業者により行われること
が可能である本発明のその他の変形形態および実施形態
を含むものと理解されたい。
【図１】ＩｎＰ基板上の従来技術の金はんだ接点の横断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の一実施形態における、基板と金はんだ
接点との間にインジウム拡散障壁を備えたＩｎＰ基板上
の金をベースにした接点の横断面図である。
接点との間にインジウム拡散障壁を備えたＩｎＰ基板上
の金をベースにした接点の横断面図である。
【図３】本発明の別の実施形態における、基板と金はん
だ接点との間にインジウム拡散障壁を備えたＩｎＰ基板
上の金をベースにした接点の横断面図である。
だ接点との間にインジウム拡散障壁を備えたＩｎＰ基板
上の金をベースにした接点の横断面図である。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１３年１２月４日（２００１．１２．
４）
４）
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【図２】
【図３】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロバート アンソニー バロン アメリカ合衆国 19541 ペンシルヴァニ ア，モアーズヴィル，ボーア ロード 649 (72)発明者 ウトパル クマー チャクラバーティ アメリカ合衆国 18104 ペンシルヴァニ ア，アレンタウン，カート ドライヴ 5523 (72)発明者 ガスタヴ エドワード ダーキッツ ジュ ニヤ アメリカ合衆国 07974 ニュージャーシ ィ，ニュープロヴィデンス，ホルムズ オ ーヴァル 55 (72)発明者 ランジャニ シー．ムシアー アメリカ合衆国 18104 ペンシルヴァニ ア，アレンタウン，ラマポー トレイル 100，アパートメント エッチ８ Ｆターム(参考） 4M104 AA04 BB04 BB09 BB13 BB36 CC01 DD34 DD37 DD43 DD78 DD83 FF03 FF17 HH05
Claims (10)
- 【請求項１】 半導体装置であって、 インジウムを含む半導体基板と、 該基板上のオーミックコンタクト層と、 該オーミックコンタクト層を覆うインジウム拡散障壁層
と、 金はんだ、金はんだ前駆物質、および双方の混合物を含
む群から選択され、前記インジウム拡散層を覆う少なく
とも１つの層と、を含む半導体装置。 - 【請求項２】 前記インジウム拡散障壁層はチタン、ク
ロム、ニッケル、タングステン、およびモリブデンを含
む群から選択され、前記オーミックコンタクト素子を覆
う第１の層と、白金、ニッケル、パラジウム、モリブデ
ン、およびタングステンからなる群から選択され、前記
第１層を覆う第２層とを含む請求項１に記載の装置。 - 【請求項３】 前記オーミックコンタクト層は金である
請求項２に記載の装置。 - 【請求項４】 前記金はんだは、金- スズはんだと金-
ゲルマニウムはんだのうちの少なくとも一方である請求
項２に記載の装置。 - 【請求項５】 金と合金されると、金はんだを形成可能
である材料層が前記オーミックコンタクト上に蒸着さ
れ、かつスズおよびゲルマニウムを含む群から選択され
る請求項２に記載の装置。 - 【請求項６】 半導体装置の製造方法において、 インジウムを含む半導体基板上にオーミックコンタクト
層を蒸着するステップと、 前記オーミックコンタクト層を覆ってインジウム拡散障
壁層を蒸着するステップと、 金はんだ、金はんだの前駆物質、および双方の混合物を
含む群から選択された少なくとも１つの層を前記インジ
ウム拡散障壁層を覆って蒸着するステップと、を含む製
造方法。 - 【請求項７】 前記インジウム拡散障壁層を蒸着するス
テップは、チタン、クロム、ニッケル、タングステン、
およびモリブデンを含む群から選択された第１の層を前
記オーミックコンタクト層を覆って蒸着するステップ
と、白金、ニッケル、パラジウム、モリブデン、および
タングステンを含む群から選択された第２の層を前記第
１の層を覆って蒸着するステップとを含む請求項６に記
載の方法。 - 【請求項８】 前記オーミックコンタクト層は金である
請求項７に記載の方法。 - 【請求項９】 前記金はんだは金- スズはんだと、金-
ゲルマニウムはんだのうちの少なくとも一方である請求
項７に記載の方法。 - 【請求項１０】 金と合金されると、金はんだを形成可
能であり、かつゲルマニウムとスズとを含む群から選択
される材料層を前記オーミックコンタクト上に蒸着する
ステップを更に含む請求項７に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US63667000A | 2000-08-11 | 2000-08-11 | |
| US09/636670 | 2000-08-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002158249A true JP2002158249A (ja) | 2002-05-31 |
Family
ID=24552866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001243969A Pending JP2002158249A (ja) | 2000-08-11 | 2001-08-10 | 金はんだを含むインジウム半導体装置用の接点とその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1179836A3 (ja) |
| JP (1) | JP2002158249A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004235649A (ja) | 2003-01-31 | 2004-08-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 電気コンタクト領域を備えたモジュールの製造方法および半導体層列および活性ゾーンを有するモジュール |
| DE10308322B4 (de) * | 2003-01-31 | 2014-11-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Kontaktbereiches auf einer Halbleiterschicht und Bauelement mit derartigem Kontaktbereich |
| TWI243488B (en) | 2003-02-26 | 2005-11-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Electrical contact-area for optoelectronic semiconductor-chip and its production method |
| DE10350707B4 (de) * | 2003-02-26 | 2014-02-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektrischer Kontakt für optoelektronischen Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung |
| DE102005029246B4 (de) | 2005-03-31 | 2023-06-22 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Halbleiterchip mit einer Lötschichtenfolge und Verfahren zum Löten eines Halbleiterchips |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4510514A (en) * | 1983-08-08 | 1985-04-09 | At&T Bell Laboratories | Ohmic contacts for semiconductor devices |
| US5179041A (en) * | 1989-06-16 | 1993-01-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for manufacturing an electrode structure for III-V compound semiconductor element |
| JPH0492471A (ja) * | 1990-08-08 | 1992-03-25 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JP3115148B2 (ja) * | 1993-03-31 | 2000-12-04 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
-
2001
- 2001-08-08 EP EP01306774A patent/EP1179836A3/en not_active Withdrawn
- 2001-08-10 JP JP2001243969A patent/JP2002158249A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1179836A3 (en) | 2003-05-28 |
| EP1179836A2 (en) | 2002-02-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2984068B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4334647B2 (ja) | 半導体デバイス上に導電性バンプを形成する方法 | |
| JPH1084003A (ja) | 半導体メタリゼイションシステムを形成する方法およびその構造 | |
| US6927492B2 (en) | Solder pads and method of making a solder pad | |
| JPS61196564A (ja) | フイルムキヤリヤ集積回路とその製造方法 | |
| CN114256184A (zh) | 混合接合结构、焊膏组成物、半导体器件及其制造方法 | |
| JP2002158249A (ja) | 金はんだを含むインジウム半導体装置用の接点とその製造方法 | |
| US7851910B2 (en) | Diffusion soldered semiconductor device | |
| JP2000151095A (ja) | プリント配線基板に対する部品のはんだ付け方法、プリント配線基板の作製方法 | |
| JP2002373960A (ja) | 素子接合用基板及びその製造方法 | |
| JP4011214B2 (ja) | 半導体装置及び半田による接合方法 | |
| JP2001308673A (ja) | 圧電振動子 | |
| JP2001127375A (ja) | 光半導体素子搭載用サブマウント | |
| JP2006286958A (ja) | セラミックス配線基板とそれを用いた半導体装置 | |
| JPS61196546A (ja) | フイルムキヤリヤ集積回路とその製造方法 | |
| USH1934H1 (en) | Gold-tin solder suitable for self-aligning applications | |
| JPH07235763A (ja) | 電子回路の製造方法 | |
| US4921158A (en) | Brazing material | |
| JP2011071152A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2892455B2 (ja) | Ｔａｂテープ | |
| JP3596445B2 (ja) | 半田接合方法ならびに実装構造 | |
| JPH06246479A (ja) | 接合金属シート | |
| EP0201954B1 (en) | Semiconductor device comprising a heat sink | |
| JP2008016730A (ja) | サブマウント基板およびそれを用いた半導体装置並びにサブマウント基板の製造方法 | |
| JP2007096250A (ja) | 蓋体、電子部品収納用パッケージおよびこれを用いた電子装置 |