JP2002151332A - 薄膜コイル及びその形成方法、並びに薄膜磁気ヘッド、薄膜インダクタ、薄膜磁気センサ - Google Patents

薄膜コイル及びその形成方法、並びに薄膜磁気ヘッド、薄膜インダクタ、薄膜磁気センサ

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JP2002151332A
JP2002151332A JP2000348429A JP2000348429A JP2002151332A JP 2002151332 A JP2002151332 A JP 2002151332A JP 2000348429 A JP2000348429 A JP 2000348429A JP 2000348429 A JP2000348429 A JP 2000348429A JP 2002151332 A JP2002151332 A JP 2002151332A
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thin
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conductor
winding portion
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Toru Katakura
亨 片倉
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 低抵抗・低インダクタンスである薄膜コイル
及びその形成方法、並びにこの薄膜コイルを用いた薄膜
磁気ヘッド、薄膜インダクタ、薄膜磁気センサを提供す
る。 【解決手段】 第１の巻線部１１の導体１４の少なくと
も側面全体を覆って絶縁膜１５が形成され、第２の巻線
部１２の導体１７は基体１上に絶縁膜１５を介して形成
されている薄膜コイル１０を構成する。基体１上にメッ
キ用下地膜１３を形成し、その上にメッキにより第１の
巻線部１１の導体１４を形成し、この導体１４下以外の
メッキ用下地膜１３をエッチング除去し、表面を覆って
全面的に絶縁膜１５を形成し、この絶縁膜１５上に第２
のメッキ用下地膜１６を形成し、第１の巻線部１１の間
の第２のメッキ用下地膜１６上にメッキにより第２の巻
線部１２の導体１７を形成し、第１の巻線部１１の絶縁
膜１５上にある第２のメッキ用下地膜１６を除去するこ
とにより上記薄膜コイル１０を形成する。上記薄膜コイ
ル１０を備えた薄膜磁気ヘッド、薄膜インダクタ、薄膜
磁気センサを構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜コイル（薄膜
巻線）及びその形成方法に係わり、また薄膜コイルを備
えて構成された薄膜磁気ヘッド、薄膜インダクタ、薄膜
磁気センサに係わる。
【０００２】
【従来の技術】いわゆるヘリカル系磁気テープシステ
ム、例えばビデオテープ等の磁気テープに対して磁気に
より記録／再生を行うビデオデッキ用磁気ヘッドにおい
ては、コイルの後段に接続されたロータリートランスを
介してテープに記録された信号を検出する構成となって
いるために、コイルの抵抗値に制約があり、周波数応答
をよくするために直流抵抗を低く例えば３Ω程度以下に
する必要がある。さらに、２００ＭＨｚ以上の高周波帯
応答に対応させるためにはインダクタンスを１００ｎＨ
以下とする必要もある。
【０００３】そして、従来の薄膜磁気ヘッドの形成方法
により上述のインダクタンスが１００ｎＨ以下の薄膜イ
ンダクティブヘッドを形成しようとすると、概ね磁気コ
ア長が５０μｍ以下、磁極間距離が２０μｍ以下、コイ
ル巻き数が１２ターン以下となる。
【０００４】ここで、従来のコイル形成方法を図１９Ａ
〜図２０Ｇに示す。まず、図１９Ａに示すように、基体
１０１上に、コイル１０３を構成するメッキ膜と同様の
組成のメッキ用の下地膜１０２を成膜する。次に、図１
９Ｂに示すように、この下地膜１０２上にレジスト１１
０を全面的に塗布する。続いて、レジスト１１０を露光
させた後現像することにより、図１９Ｃに示すように、
レジスト１１０を所定のパターンにする。
【０００５】次に、下地膜１０２を一方のメッキ電極と
してメッキを行って、図１９Ｄに示すように、レジスト
１１０のない部分の下地膜１０２上にメッキ膜を形成す
る。その後、図２０Ｅに示すように、レジスト１１０を
剥離することにより、メッキ膜から成るコイル１０３が
残る。
【０００６】そして、コイル１０３が所定の動作をする
ように各コイル１０３の導体を分離するために、図２０
Ｆに示すように、下地膜１０２に対して例えばアルゴン
イオン（Ａｒ+ ）を用いたイオンエッチング１０４を行
って、コイル１０３の間の下地膜１０２を除去する。こ
れにより、図２０Ｇに斜視図を示す薄膜コイル１０３が
形成される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、コイル１０
３の間隔は、通常コイル１０３の高さにほぼ比例して設
計されており、例えばコイル１０３の高さが３μｍの場
合には、コイル１０３の各導体に２μｍ程度の間隔が必
要であった。このために、上述した条件即ち磁気コア長
が５０μｍ以下で巻き数が１２ターン以下の条件では、
コイル１０３の各導体の間隔を２μｍ程度までしか拡げ
られないことから、磁気ヘッド内のコイル高さは３μｍ
程度が限度であった。そして、この場合、どのように設
計してもコイル１０３の直流抵抗が７Ω以下になること
はない。
【０００８】そこで、コイル１０３の抵抗を低くするに
は、コイル１０３の膜厚をより大きく、かつコイル１０
３の間隔を狭くしてコイル１０３の幅を広げる必要があ
る。例えばコイル１０３の高さを６μｍ、コイル１０３
の間隔を１μｍとした場合のように、コイル１０３の高
さと間隔の比を上述した場合（３／２）より充分大きく
した場合には、コイル１０３の抵抗を低減することがで
きる。
【０００９】しかしながら、この場合には、コイル１０
３のメッキ膜をメッキした後に下地膜１０２をエッチン
グしようとしても下地膜１０２が完全に除去できないた
めに、コイル１０３を正しく形成できないという問題が
生じる。
【００１０】即ち図２１Ａに示すように、基体１０１上
の下地膜１０２を除去しようとして、例えばアルゴンイ
オンＡｒ+ を使用してイオンエッチング１０４を行う
と、図２１Ｂに示すように、アルゴンイオンの平行なビ
ームから発散した粒子１０４´（Ａｒ+ ）がメッキ膜か
ら成るコイル１０３側面に当たり、コイル１０３の金属
材料例えば銅Ｃｕ１０５が飛び出す。即ちコイル１０３
の側面が削られて、削られた銅Ｃｕ１０５は、底の下地
膜１０２に再付着（堆積）する。
【００１１】しかも、コイル１０３が厚くなったことに
より、アルゴンイオン分子が下地膜１０２まで届きにく
くなっている。このため、下地膜１０２のエッチングよ
りも下地膜１０２への銅等の再付着が優勢になるために
下地膜１０２が除去されにくくなる。従って、図２１Ｃ
に示すように、コイル１０３の間にも下地膜１０２が残
り、コイル１０３間の下地膜１０２を完全に除去するこ
とができないため、各コイル１０３を分離することがで
きなくなってコイル１０３間がショートしてしまう。
【００１２】以上のことより、抵抗値が２Ω程度と低い
小型の薄膜インダクティブヘッドを形成することは不可
能であった。
【００１３】上述した問題の解決のために、本発明にお
いては、低抵抗・低インダクタンスである薄膜コイル及
びその形成方法、並びにこの薄膜コイルを用いた薄膜磁
気ヘッド、薄膜インダクタ、薄膜磁気センサを提供する
ものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜コイルは、
導体の薄膜により形成され、同一基体上に形成された第
１の巻線部と第２の巻線部とを少なくとも有して成り、
第１の巻線部の導体の少なくとも側面全体を覆って絶縁
膜が形成され、第２の巻線部の導体は、基体上に絶縁膜
を介して形成されているものである。
【００１５】上述の本発明の薄膜コイルの構成によれ
ば、第１の巻線部の導体の側面全体を覆う絶縁膜によ
り、第１の巻線部の導体と第２の巻線部の導体とが絶縁
分離されているので、第１の巻線部と第２の巻線部を狭
い間隔で形成することが可能になる。
【００１６】本発明の薄膜コイルの形成方法は、基体上
にメッキ用下地膜を形成する工程と、メッキ用下地膜上
にメッキにより所定のパターンで薄膜コイルの導体を成
膜する工程と、導体下のメッキ用下地膜以外のメッキ用
下地膜をエッチング除去して薄膜コイルの第１の巻線部
を形成する工程と、表面を覆って全面的に絶縁膜を形成
する工程と、絶縁膜上に第２のメッキ用下地膜を形成す
る工程と、第１の巻線部の間の第２のメッキ用下地膜上
にメッキにより所定のパターンで薄膜コイルの第２の巻
線部の導体を形成する工程と、第１の巻線部の絶縁膜上
にある第２のメッキ用下地膜を除去する工程とを有する
ものである。
【００１７】上述の本発明の薄膜コイルの形成方法によ
れば、第１の巻線部を形成して表面を覆って全面的に絶
縁膜を形成することにより、第１の巻線部の導体が絶縁
分離される。第２の巻線部の導体はこの絶縁膜上に形成
した第２のメッキ下地膜上に形成するので、第１の巻線
部の導体と第２の巻線部の導体とは導通しない構造とな
る。そして、第１の巻線部の絶縁膜上にある第２のメッ
キ用下地膜を除去することにより、第２の巻線部の各導
体間で繋がっていた第２のメッキ用下地膜が切断されて
第２の巻線部の各導体も分離される。これにより、第１
の巻線部及び第２の巻線部の各導体が分離された薄膜コ
イルを形成することができる。
【００１８】本発明の薄膜磁気ヘッドは、同一基体上に
形成された第１の巻線部と第２の巻線部とを少なくとも
有して成り、第１の巻線部の導体の少なくとも側面全体
を覆って絶縁膜が形成され、第２の巻線部の導体は基体
上に絶縁膜を介して形成されている薄膜コイルを備え、
２つの磁気コアが薄膜コイルを挟んでかつ先端部に磁気
ギャップを介して配置されたものである。
【００１９】上述の本発明の薄膜磁気ヘッドの構成によ
れば、上述した本発明の薄膜コイルを挟んで磁気コアが
配置されていることにより、薄膜コイルの導体間を狭く
することができるため、例えば薄膜コイルを厚く形成し
て抵抗を低減したり、例えば同じ面積で薄膜コイルの巻
き数を増やして磁気コアに発生する磁界を強くしたり、
例えば同じ巻き数で薄膜コイルの面積を減らすことがで
きる。
【００２０】本発明の薄膜インダクタは、同一基体上に
形成された第１の巻線部と第２の巻線部とを少なくとも
有して成り、第１の巻線部の導体の少なくとも側面全体
を覆って絶縁膜が形成され、第２の巻線部の導体は基体
上に絶縁膜を介して形成されている薄膜コイルを備え、
薄膜コイルの第１の巻線部と第２の巻線部とが電気的に
接続され、かつ薄膜コイルの一端が外部に接続され、他
端が自由端とされているものである。
【００２１】上述の本発明の薄膜インダクタの構成によ
れば、上述した本発明の薄膜コイルを挟んで磁気コアが
配置されていることにより、薄膜コイルの導体間を狭く
することができるため、例えば薄膜コイルを厚く形成し
て抵抗を低減したり、例えば同じ面積で薄膜コイルの巻
き数を増やすことができる。
【００２２】本発明の薄膜磁気センサは、同一基体上に
形成された第１の巻線部と第２の巻線部とを少なくとも
有して成り、第１の巻線部の導体の少なくとも側面全体
を覆って絶縁膜が形成され、第２の巻線部の導体は基体
上に絶縁膜を介して形成されている薄膜コイルを備えて
成るものである。
【００２３】上述の本発明の薄膜磁気センサの構成によ
れば、上述した本発明の薄膜コイルを挟んで磁気コアが
配置されていることにより、薄膜コイルの導体間を狭く
することができるため、例えば薄膜コイルを厚く形成し
て抵抗を低減したり、例えば同じ面積で薄膜コイルの巻
き数を増やすことができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】本発明は、導体の薄膜により形成
された薄膜コイルであって、同一基体上に形成された第
１の巻線部と第２の巻線部とを少なくとも有して成り、
第１の巻線部の導体の少なくとも側面全体を覆って絶縁
膜が形成され、第２の巻線部の導体は、基体上に絶縁膜
を介して形成されている薄膜コイルである。
【００２５】また本発明は、上記薄膜コイルにおいて、
第１の巻線部の導体は基体上にメッキ用下地膜を介して
形成され、第２の巻線部の導体は絶縁膜上にメッキ用下
地膜を介して形成されている構成とする。
【００２６】本発明は、基体上にメッキ用下地膜を形成
する工程と、メッキ用下地膜上にメッキにより所定のパ
ターンで薄膜コイルの導体を成膜する工程と、導体下の
メッキ用下地膜以外のメッキ用下地膜をエッチング除去
して薄膜コイルの第１の巻線部を形成する工程と、表面
を覆って全面的に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜上に
第２のメッキ用下地膜を形成する工程と、第１の巻線部
の間の第２のメッキ用下地膜上にメッキにより所定のパ
ターンで薄膜コイルの第２の巻線部の導体を形成する工
程と、第１の巻線部の絶縁膜上にある第２のメッキ用下
地膜を除去する工程とを有する薄膜コイルの形成方法で
ある。
【００２７】本発明は、同一基体上に形成された第１の
巻線部と第２の巻線部とを少なくとも有して成り、第１
の巻線部の導体の少なくとも側面全体を覆って絶縁膜が
形成され、第２の巻線部の導体は基体上に絶縁膜を介し
て形成されている薄膜コイルを備え、２つの磁気コアが
薄膜コイルを挟んでかつ先端部に磁気ギャップを介して
配置された薄膜磁気ヘッドである。
【００２８】本発明は、同一基体上に形成された第１の
巻線部と第２の巻線部とを少なくとも有して成り、第１
の巻線部の導体の少なくとも側面全体を覆って絶縁膜が
形成され、第２の巻線部の導体は基体上に絶縁膜を介し
て形成されている薄膜コイルを備え、薄膜コイルの第１
の巻線部と第２の巻線部とが電気的に接続され、かつ薄
膜コイルの一端が外部に接続され、他端が自由端とされ
ている薄膜インダクタである。
【００２９】本発明は、同一基体上に形成された第１の
巻線部と第２の巻線部とを少なくとも有して成り、第１
の巻線部の導体の少なくとも側面全体を覆って絶縁膜が
形成され、第２の巻線部の導体は基体上に絶縁膜を介し
て形成されている薄膜コイルを備えて成る薄膜磁気セン
サである。
【００３０】図１は本発明の一実施の形態として、薄膜
コイルの概略構成図（斜視図）を示す。この薄膜コイル
１０は、基体１上にそれぞれ渦巻状に形成された第１の
巻線部１１（１１Ａ〜１１Ｂ）及び第２の巻線部１２
（１２Ａ〜１２Ｂ）から構成されている。２つの巻線部
１１，１２は、それぞれ第１の巻線部１１が内側に、第
２の巻線部１２が外側に配置されて成り、後述するよう
に２つの巻線部１１及び１２の間隔は非常に狭く形成さ
れている。尚、図１では、第１の巻線部１１に斜線を付
して、第２の巻線部１２と区別している。
【００３１】そして、第１の巻線部１１の端部と第２の
巻線部１２の端部、即ち例えば第１の巻線部１１の外側
の端部１１Ａと第２の巻線部１２の内側の端部１２Ｂと
を配線等により電気的に接続させれば、第１の巻線部１
１と第２の巻線部１２とから成る間隔の狭い薄膜コイル
１０が構成される。この配線は巻線部１１，１２の導体
の上或いは導体の下にコンタクト部を除き絶縁体を介し
て配置すればよい。
【００３２】薄膜コイル１０の材料としては、低抵抗の
金属材料例えば銅、金、銀、白金、アルミニウムもしく
はこれらの金属を有する合金を用いる。特に銅はメッキ
により容易に形成できるため、薄膜コイル１０の材料に
好適である。
【００３３】続いて、図１のＡ−Ａにおける断面図を図
２に示す。第１の巻線部１１においては、基体１上に下
地膜１３を介してコイルの導体１４が形成され、導体１
４の上面及び側面は絶縁膜１５で全面的に覆われてい
る。第２の巻線部１２においては、基体１上に第１の巻
線部１１の導体１４を覆っている絶縁膜１５があり、そ
の上に下地膜１６が形成され、この下地膜１６上にコイ
ルの導体１７が形成されている。また、下地膜１６は、
第１の巻線部１１の側面の絶縁膜１５の外側にも形成さ
れている。
【００３４】下地膜１３及び下地膜１６は、コイルの導
体１４及び１７をメッキにより形成するための電極とし
て用いられる下地膜が残っているものであり、導体１４
及び１７と同様の材料により構成される。
【００３５】絶縁膜１５の材料は特に限定されないが、
例えばアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）を用いることができる。
【００３６】本実施の形態の薄膜コイル１０は、このよ
うな構成とされていることにより、第１の巻線部１１の
導体１４と第２の巻線部１２の導体１７とが、絶縁膜１
５によってそれぞれ１ターンずつ絶縁分離されている。
また、第１の巻線部１１と第２の巻線部１２との間の間
隔は非常に狭くなっており、導体１４及び１７の幅と比
較して導体１４及び１７の間隔が狭くなっている。この
各導体１４及び１７の間には絶縁膜１５と下地膜１６と
僅かな隙間が存在しているだけである。
【００３７】続いて、本実施の形態の薄膜コイル１０の
形成方法を説明する。まず、図３Ａに示すように、基体
１上に下地膜１３を介して第１の巻線部１１の導体１４
をメッキにより形成する。この導体１４は、後に第２の
巻線部１２が形成される分を考慮した間隔をおいて形成
する。この図３Ａの状態までの工程は、先に説明した従
来の形成方法の図１９Ａ〜図２０Ｅの工程に準じて行
う。
【００３８】次に、図３Ｂに示すように、導体１４下以
外の部分の下地膜１３をエッチングにより除去する。こ
のときのエッチングは、例えば前述したアルゴンイオン
（Ａｒ+ ）を用いたイオンエッチングにより行うことが
できる。
【００３９】次に、図３Ｃに示すように、導体１４を覆
って全面的に絶縁膜１５例えばアルミナを形成する。こ
のとき、後に第２の巻線部１２が形成される領域では、
基体１の表面が絶縁膜１５で覆われる。
【００４０】続いて、図４Ｄに示すように、絶縁膜１５
上に表面を覆って全面的にメッキ用の下地膜１６を成膜
する。次に、図４Ｅに示すように、下地膜１６上に全面
的にレジスト２１を塗布する。
【００４１】そして、レジスト２１を露光・現像するこ
とにより、図４Ｆに示すように、レジスト２１を所定の
パターンにパターニングする。このとき、レジスト２１
が薄く第１の巻線部１１の側面に残るようにしている。
【００４２】次に、下地膜１６を電極としてメッキを行
って、図５Ｇに示すように、レジスト２１の間の凹部に
第２の巻線部１２のコイルの導体１７を形成する。その
後、図５Ｈに示すように、レジスト２１を除去する。こ
のとき、第１の巻線部１１の側面と第２の巻線部１２の
導体１４との間には僅かな隙間が形成される。
【００４３】さらに、図５Ｉに示すように、第１の巻線
部１１の表面にある下地膜１６をエッチング例えば前述
したイオンエッチングにより除去する。これにより、第
２の巻線部１２の各導体１７が分離される。その後は、
全体を覆う絶縁膜や配線等を形成して薄膜コイルを完成
させる。このようにして、図１及び図２に示した薄膜コ
イル１０を形成することができる。
【００４４】尚、本実施の形態の薄膜コイル１０の構成
は、コイルの導体をメッキ以外の方法により形成する場
合にも応用することが可能であり、その場合は図２の下
地膜１３及び１６がなく、導体１４が基体１上に形成さ
れ、導体１７が絶縁膜１５上に形成された構成となる。
その場合も各導体１４，１７を絶縁膜１５で絶縁分離す
ることができる。
【００４５】しかしながら、特に前述したようにコイル
の厚さを幅に比して大きく、即ちコイルのアスペクト比
を大きくしようとする場合には、コイルの導体を形成す
る凹部のアスペクト比が大きくなるため、メッキにより
導体を形成する方が良質の膜を形成しやすいという利点
がある。
【００４６】また、本実施の形態では、第１の巻線部１
１の導体１４の上面が絶縁膜１５で全面的に覆われてい
るが、導体１４の上面は必ずしも絶縁膜１５により全面
的に覆われている必要はない。絶縁膜１５が少なくとも
導体１４の側面を全て覆っており、この導体１４と第２
の巻線部１２用の下地膜１６との絶縁が確保されていれ
ば、導体１４の上面の一部に絶縁膜１５がない部分があ
っても薄膜コイルとして動作させることが可能である。
【００４７】上述の本実施の形態の薄膜コイル１０によ
れば、第１の巻線部１１においては導体１４の上面と側
面が絶縁膜１５により覆われており、第２の巻線部１２
においては、基体１上に同じ絶縁膜１５を介して導体１
７が形成されていることにより、絶縁膜１５によりコイ
ル１０の各導体１４，１７を確実に絶縁分離することが
できる。これにより、２つの巻線部１１及び１２の間隔
を狭めて形成しても、各導体１４，１７が絶縁分離され
るためリークを発生しないので、コイルの間隔を従来よ
り狭くできる。例えば１．５μｍ以下と狭くすることが
できる。また、コイルを厚くしても、各導体１４、１７
が絶縁分離されるため、コイルを従来より厚くすること
ができる。例えば４μｍ以上の厚さに形成できる。従っ
て、コイルのアスペクト比（コイルの高さ／コイルの
幅）を容易に例えば３以上に上げることができると共
に、コイルの厚さを増やしてコイルの抵抗及びインダク
タンスを低減することができる。
【００４８】さらに、絶縁膜１５で確実に導体間の絶縁
分離がなされるため、コイル形成の歩留まりを改善する
ことができる。
【００４９】上述の実施の形態の薄膜コイル１０のよう
に、本発明の薄膜コイルは、薄膜コイルを備えて成る様
々な素子や装置に適用することができる。その場合の実
施の形態を以下に示す。
【００５０】図６は本発明の他の実施の形態として、イ
ンダクティブ型の薄膜磁気ヘッドの概略構成図（斜視
図）を示す。この薄膜磁気ヘッド３０は、下層磁気コア
３３とその上方の上層磁気コア３４との間の先端部に磁
気ギャップ（記録ギャップ）Ｇが形成され、中間部に薄
膜コイル３７が配置されている。薄膜コイル３７は、図
１及び図２に示した薄膜コイル１０と同様の構成を有す
る第１の巻線部３５と第２の巻線部３６とから構成され
ている。第１の巻線部３５の内側の端部３５Ｂには配線
３８が接続されている。また、第１の巻線部３５の外側
の端部３５Ａと第２の巻線部３６の内側の端部３６Ｂと
は破線で示すように接続配線３９で接続されている。こ
のように接続されていることにより、第１の巻線部３５
と第２の巻線部３６には同じ向きの電流が流れ、電流に
より発生する磁束を強め合うことができる。また、これ
らの各構成は基板３１上に形成され、薄膜コイル３７と
基板３１との間には磁気ギャップ膜を兼ねる絶縁膜３２
が形成されている。
【００５１】この薄膜磁気ヘッド３０は、例えば次のよ
うに形成することができる。まず、図７Ａに示すよう
に、基板３１例えばアルティック基板に、例えばパーマ
ロイ（Ｎｉ−Ｆｅ系合金）をメッキすることにより、例
えば３μｍの厚さで下層磁気コア３３を形成する。ま
た、図７Ｂに示すように、下層磁気コア３３の後方に、
薄膜コイル３７の２つの巻線部３５，３６を接続するた
めの接続配線３９を形成する。
【００５２】次に、アルミナ膜４０を例えば５μｍの厚
さに全面的にスパッタした後に、図７Ｃに示すように、
機械研磨によって下層磁気コア３３の部分とその周囲を
平坦化する。これはこれ以降の工程を簡単に行うための
処理であり、平坦化処理により、アルミナ膜４０の表面
に下層磁気コア３３及び接続配線３９が露出する。
【００５３】次に、ギャップ膜用として例えばアルミナ
膜を全面的に０．５μｍの厚さに成膜する。これによ
り、図８Ｄに示すように、下層磁気コア３３及び接続配
線３９がアルミナ膜で覆われる。この図８Ｄでは、先に
形成したアルミナ膜４０とギャップ膜とを合わせてアル
ミナ膜から成る絶縁膜３２として示している。
【００５４】続いて、図８Ｅに示すように、上部磁極と
下部磁極を接続するためのバックギャップ用の孔４１及
び接続配線３９にコンタクトする接続孔４２を形成する
ために下層磁気コア３３の後端部上及び接続配線３９の
両端部上のギャップ膜（絶縁膜３２）の一部を除去す
る。このギャップ膜の除去には、イオンエッチングによ
る物理的なエッチングやアルカリ溶液による溶解を利用
してもよい。
【００５５】次に、図８Ｆに示すように、絶縁膜３２上
に薄膜コイル３７の第１の巻線部３５の導体４３を形成
する。前述した薄膜コイルの形成方法に従って、初めに
絶縁膜３２上にメッキ下地膜を成膜し、薄膜コイルの形
にレジスト（図示せず）をパターニングする。このと
き、下地膜がエッチングされやすいように最終的に形成
される薄膜コイル３７の導体のうちの第１の巻線部３５
に該当する１つ置きの導体になるようにレジストのパタ
ーンを形成する。このようにメッキ膜から成る第１の巻
線部３５の導体４３を形成する。この導体４３は、その
一方の端部４３Ａが接続配線３９の後端側の接続孔４２
を埋めるように形成され、これにより第１の巻線部３５
の導体４３と接続配線３９との電気的接続がなされる。
【００５６】次に、レジストを溶剤例えばアセトンによ
り剥離した後、イオンエッチング装置にて導体４３下以
外の部分の下地膜を除去する。その後、導体４３を覆っ
て絶縁膜（図２の絶縁膜１５に相当する）例えばアルミ
ナ膜を例えば０．２μｍの厚さに成膜し、薄膜コイル３
７のうち第１の巻線部３５を形成する。
【００５７】引き続き、図９Ｇに示すように、同様に薄
膜コイル３７の第２の巻線部３６の導体４４を形成す
る。初めに、接続配線３９の前端部上の接続孔４２を埋
めている絶縁膜をエッチング除去する。次に、第１の巻
線部３５の導体４３を覆う絶縁膜上に下地膜を成膜し、
下地膜上に第１の巻線部３５の間に凹部を有するように
レジストパターンを形成する。そして、メッキにより第
２の巻線部３６の導体４４を形成する。この第２の巻線
部３６の導体４４は、その内側の端部４４Ｂが接続配線
３９の前端部上の接続孔４２を埋めるように形成する。
これにより、第２の巻線部３６の導体４４と接続配線３
９との電気的接続がなされる。
【００５８】その後、表面を研磨して、第１の巻線部３
５の上面にあるメッキ用の下地膜を除去して、第２の巻
線部３６の各導体４４を分離する。そして、第１の巻線
部３５及び第２の巻線部３６から成る薄膜コイル３７を
覆って層間絶縁膜を形成する。このとき、バックギャッ
プ用の孔４１を層間絶縁膜が埋めないようにマスクをし
て層間絶縁膜を形成するか、或いはバックギャップ用の
孔４１上の層間絶縁膜を除去する。
【００５９】次に、図９Ｈに示すように、第１の巻線部
３５の内側の端部３５Ｂに、層間絶縁膜に開口した接続
孔を通じて配線３８を接続する。
【００６０】さらに、バックギャップ用の孔４１を埋め
るように、薄膜コイル３７及び下層磁気コア３３の上方
に上層磁気コア３４を形成する。バックギャップ用の孔
４１を通じて上層磁気コア３４と下層磁気コア３３とが
接続されて磁路を構成する。このようにして、図６に示
すインダクティブ型の薄膜磁気ヘッド３０を製造するこ
とができる。
【００６１】本実施の形態の薄膜磁気ヘッド３０では、
前述した薄膜コイル１０と同様の構成の薄膜コイル３７
を有していることにより、薄膜コイル３７の導体４３，
４４間の間隔を狭くすると共に、薄膜コイル３７の厚さ
を大きくして抵抗やインダクタンスが低減される。
【００６２】そして、薄膜コイル３７を高い密度のコイ
ルとすることができ、同じ面積で薄膜コイル３７の巻き
数を多くすることができるため、磁束密度を増やして電
磁変換効率を向上させることができる。
【００６３】また、薄膜コイル３７を厚く形成すること
ができるので、同じ電流を流すために必要な薄膜コイル
３７の水平方向の断面積を低減することが可能になり、
かつ薄膜コイル３７の間隔も狭くできる。従って、薄膜
コイル３７の占める領域の面積を低減することが可能に
なるため、磁気コア３３，３４を小さくすることがで
き、磁気ヘッド３０全体の小型化を図ることが可能にな
る。
【００６４】図１０は本発明のさらに他の実施の形態と
して、インダクティブ型の薄膜磁気ヘッドの概略構成図
（斜視図）を示す。本実施の形態は、特に薄膜コイルが
２層構造を取っており、各層のコイルはさらにそれぞれ
２つの巻線部から構成されている。即ち４つの巻線部に
より薄膜コイルが形成されている。
【００６５】この薄膜磁気ヘッド５０は、第１の巻線部
５１及び第２の巻線部５２から成る下層コイル５３と、
第１の巻線部５４及び第２の巻線部５５から成る上層コ
イル５６の２層構造の薄膜コイル５７を有して構成され
ている。下層コイル５３と上層コイル５６とは、図示し
ない層間絶縁膜を介して互いに上下に対向して配置され
ている。
【００６６】そして、層間絶縁膜に形成された接続孔を
通じて、上層コイル５６の第１の巻線部５４の外側の端
部５４Ａと下層コイル５３の第１の巻線部５１の外側の
端部５１Ａとが接続され、上層コイル５６の第１の巻線
部５４の内側の端部５４Ｂと下層コイル５３の第２の巻
線部５２の内側の端部５２Ｂとが接続され、上層コイル
５６の第２の巻線部５５の内側の端部５５Ｂと下層コイ
ル５３の第１の巻線部５１の内側の端部５１Ｂとが接続
されている。残った下層コイル５３の第２の巻線部５２
の外側の端部５２Ａ及び上層コイル５６の第２の巻線部
５５の外側の端部５５Ａは延長されて外部に接続され
る。これにより、５２Ａ−５２Ｂ−５４Ｂ−５４Ａ−５
１Ａ−５１Ｂ−５５Ｂ−５５Ａという経路で４つの巻線
部５１，５２，５４，５５が１本に電気的に接続され
る。このように接続されていることにより、４つの巻線
部５１，５２，５４，５５には同じ向きの電流が流れ、
電流により発生する磁束を強め合うことができる。
【００６７】その他の構成のうち、図６の薄膜磁気ヘッ
ド３０と同様のものは同一符号を付している。ただし、
この場合は薄膜コイル５７の巻線部同士を直接接続して
いるため、巻線部を接続する接続配線は形成していな
い。
【００６８】この薄膜磁気ヘッド５０は、例えば次のよ
うに形成することができる。まず、図１１Ａに示すよう
に、基板３１例えばアルティック基板に、例えばパーマ
ロイ（Ｎｉ−Ｆｅ系合金）をメッキすることにより、例
えば３μｍの厚さで下層磁気コア３３を形成する。
【００６９】次に、アルミナ膜４０を例えば５μｍの厚
さに全面的にスパッタした後に、図１１Ｂに示すよう
に、機械研磨によって下層磁気コア３３の部分とその周
囲を平坦化する。これはこれ以降の工程を簡単に行うた
めの処理であり、平坦化処理により、アルミナ膜４０の
表面に下層磁気コア３３が露出する。
【００７０】次に、ギャップ膜用として例えばアルミナ
膜を全面的に０．５μｍの厚さに成膜する。これによ
り、図１１Ｃに示すように、下層磁気コア３３がアルミ
ナ膜で覆われる。この図１１Ｃでは、先に形成したアル
ミナ膜４０とギャップ膜とを合わせてアルミナ膜から成
る絶縁膜３２として示している。
【００７１】続いて、図１２Ｄに示すように、上部磁極
と下部磁極を接続するためのバックギャップ用の孔４１
を形成するために下層磁気コア３３の後端部上のギャッ
プ膜（絶縁膜３２）の一部を除去する。このギャップ膜
の除去には、イオンエッチングによる物理的なエッチン
グやアルカリ溶液による溶解を利用してもよい。
【００７２】次に、図１２Ｅに示すように、絶縁膜３２
上に下層コイル５３の第１の巻線部５１の導体５８を形
成する。その後、図１２Ｆに示すように、導体５８を覆
って絶縁膜５９例えばアルミナ膜を例えば０．２μｍの
厚さに成膜し、下層コイル５３のうち第１の巻線部５１
を形成する。
【００７３】引き続き、図１３Ｇに示すように、同様に
下層コイル５３の第２の巻線部５２の導体６０を形成す
る。第１の巻線部５１の導体５８を覆う絶縁膜５９上に
下地膜を成膜し、下地膜上に第１の巻線部５１の間に凹
部を有するようにレジストパターンを形成する。そし
て、メッキにより第２の巻線部５２の導体６０を形成す
る。その後、表面を研磨して、第１の巻線部５１の上面
にあるメッキ用の下地膜を除去して、第２の巻線部５２
の各導体６０を分離する。
【００７４】そして、第１の巻線部５１及び第２の巻線
部５２から成る下層コイル５３を覆って層間絶縁膜（ま
たは平坦化膜）を形成する。このとき、バックギャップ
用の孔４１を層間絶縁膜が埋めないようにマスクをして
層間絶縁膜を形成するか、或いはバックギャップ用の孔
４１上の層間絶縁膜を除去する。その後、下層コイル５
３の各巻線部５１，５２の端部の導体上の絶縁膜即ち第
１の巻線部５１の導体５８を覆う絶縁膜６０及び／また
は層間絶縁膜（または平坦化膜）に接続孔（図示せず）
を開口する。
【００７５】次に、図１３Ｈに示すように、上層コイル
５６の第１の巻線部５４の導体６１を形成する。このと
き導体６１の両端部が接続孔を埋めて形成され、この接
続孔を通じて下層コイル５３の第１の巻線部５１の導体
５８或いは第２の巻線部５２の導体６０に電気的に接続
される。
【００７６】次に、図１４Ｉに示すように、上層コイル
５６の第１の巻線部５４の導体６１を覆うように絶縁膜
６２例えばアルミナ膜を形成する。これにより上層コイ
ル５６の第１の巻線部５４が形成される。
【００７７】続いて、図１４Ｊに示すように、上層コイ
ル５６の第２の巻線部５５の導体６３を形成する。この
とき導体６３の内側の端部が接続孔を埋めて形成され、
この接続孔を通じて下層コイル５３の第１の巻線部５１
の導体５８に電気的に接続される。これにより、下層コ
イル５３及び上層コイル５６の４つの巻線部５１，５
２，５４，５５が１本に接続される。そして、下層コイ
ル５３及び上層コイル５６から成る薄膜コイル５７を覆
って層間絶縁膜を形成する。このとき、バックギャップ
用の孔４１を層間絶縁膜を埋めないようにマスクをして
層間絶縁膜を形成するか、或いはバックギャップ用の孔
４１上の層間絶縁膜を除去する。
【００７８】さらに、バックギャップ用の孔４１を埋め
るように、薄膜コイル５７及び下層磁気コア３３の上方
に上層磁気コア３４を形成する。バックギャップ用の孔
４１を通じて上層磁気コア３４と下層磁気コア３３とが
接続されて磁路を構成する。このようにして、図１０に
示すインダクティブ型の薄膜磁気ヘッド５０を製造する
ことができる。
【００７９】本実施の形態の薄膜磁気ヘッド５０では、
先の実施の形態の薄膜磁気ヘッド３０と同様に、薄膜コ
イル５７の導体５８，６０及び６１，６３間の間隔を狭
くすると共に、薄膜コイル５７の厚さを大きくして抵抗
が低減されるため、電磁変換効率を向上させることがで
き、また磁気コア３３，３４を小さくして磁気ヘッド５
０全体の小型化を図ることが可能になる。
【００８０】本実施の形態の薄膜磁気ヘッド５０は、特
に薄膜コイル５７が下層コイル５３と上層コイル５６の
２層構造となっているため、磁路長が短く薄膜コイル５
７の占める面積が少ないままでコイルの巻き数を増やす
ことができ、磁気ヘッド５０のオーバーライト特性を向
上させることが可能になるという利点を有している。
【００８１】尚、その他のインダクティブ型薄膜磁気ヘ
ッドの構成として、それぞれ電気的に分離された複数層
のコイルを有し、各層のコイルがそれぞれ２つの巻線部
から構成された１層コイルからなる薄膜インダクティブ
ヘッドも可能である。
【００８２】上述した実施の形態のインダクティブ型薄
膜磁気ヘッド３０または５０は、例えば図１５に示すよ
うなヘリカルスキャン用の磁気ヘッド２００として用い
ることができる。図１５に示すように、磁気テープ２０
１に磁気記録を行うための磁気ヘッド２００が、上ドラ
ム２０３、下ドラム２０２からなる円柱状のドラム部２
０４に設けられ、磁気テープ２０１がドラム部２０４に
沿って走行することにより、磁気ヘッド２００によって
磁気記録がなされる。
【００８３】上述した実施の形態のインダクティブ型薄
膜磁気ヘッド３０または５０はコイルの抵抗が低減さ
れ、電磁変換効率が向上されているため、このようなヘ
リカルスキャン用の磁気ヘッド２００において周波数応
答特性が向上する。
【００８４】続いて、本発明の別の実施の形態について
説明する。本実施の形態は、薄膜コイルを薄膜インダク
タに適用する場合である。薄膜インダクタに適用する場
合には、薄膜コイルの一端は外部と接続するが、他端は
自由端とする点が磁気ヘッド用薄膜コイルと異なってい
る。
【００８５】図１６は、平面型の薄膜インダクタに適用
した実施の形態を示す。この薄膜インダクタ７０は、基
板７１上に第１の巻線部７２と第２の巻線部７３とから
成る薄膜コイルが形成されて成る。第１の巻線部７２の
外側の端部７２Ａは基板７１上の左端部の導体７６に接
続され、第１の巻線部７２の内側の端部７２Ｂと第２の
巻線部７３の外側の端部７３Ａとが配線７４により接続
され、第２の巻線部７３の内側の端部７３Ｂは自由端と
なっている。そして、基板７１上の導体７６とは反対側
の右端部にも導体７５が形成されている。この導体７５
は薄膜コイルとは接続されない。
【００８６】また、図１７は、平面積層型の薄膜インダ
クタに適用した実施の形態を示す。この図１７は薄膜イ
ンダクタの積層構造を分解して示している。この薄膜イ
ンダクタ８０は、第１の巻線部８２と第２の巻線部８３
とから成る薄膜コイル８１が形成されて成る。第１の巻
線部８２の外側の端部８２Ａは延長されて外部に接続さ
れ、第１の巻線部８２の内側の端部８２Ｂと第２の巻線
部８３の外側の端部８３Ａとが配線８４により接続さ
れ、第２の巻線部８３の内側の端部８３Ｂは自由端とな
っている。そして、薄膜コイル８１の上下には図示しな
い絶縁膜を介して磁性膜８５及び８６が配置されて成
る。
【００８７】これらの薄膜インダクタ７０及び８０にお
いては、本発明の構成の薄膜コイルを有して成ることに
より、コイルの間隔を狭くすることができ、またコイル
を厚くしてコイルの抵抗を低減することができる。ま
た、コイルのアスペクト比を大きくする、或いはコイル
の幅を５μｍ以下とすることにより、高周波領域におい
て表皮効果による抵抗の増大を防止して、低い抵抗を維
持することが可能になる。また、単位面積当たりのコイ
ルの巻き数を増やしたり、薄膜コイルの面積を低減して
薄膜インダクタ７０，８０を小型化したりすることが可
能になる。
【００８８】このような薄膜インダクタは、例えば携帯
電話用のマイクロインダクターとして使用することがで
きる。
【００８９】続いて、本発明のさらに別の実施の形態に
ついて説明する。本実施の形態は、本発明の薄膜コイル
を薄膜磁気センサに適用する場合である。
【００９０】図１８は、薄膜磁気センサに適用した実施
の形態を示す。この薄膜磁気センサ９０は、図示しない
基板上の２カ所にそれぞれ磁心となる高透磁率材料膜９
１Ａ，９１Ｂが形成され、各高透磁率材料膜９１Ａ及び
９１Ｂの周囲に、薄膜コイル９２及び９３が配置されて
いる。これら薄膜コイル９２及び９３は、共に本発明の
２つの巻線部が接続された本発明の薄膜コイルの構成を
有して成り、互いに一方の端部が配線９４で接続され、
さらにコイルの巻線が逆向きとなっている。薄膜コイル
９２，９３の外側には、薄膜により形成された受信コイ
ル９５及びフィードバックコイル９６が形成されてい
る。
【００９１】薄膜コイル９２及び９３は励磁コイルとし
て作用するものであり、外部から特定周期の電流を流す
ことにより、高透磁率材料膜９１Ａ及び９１Ｂに互いに
逆向きの交流の磁束を発生させることができる。この磁
束により受信コイル９５に発生した誘起電圧を外部の回
路により直流電圧信号（外部の被測定磁界に比例する）
に変換し、さらに増幅して磁界計測信号として外部に出
力する。また、被測定磁界により生じる高透磁率材料膜
９１Ａ及び９１Ｂ内の直流磁束を打ち消すように負帰還
回路（図示しない）を経てフィードバックコイル９６に
電流をフィードバックすることにより、零位法に基づい
た高精度の磁界測定を行うことができるものである。即
ちこの薄膜磁気センサ９０は、いわゆるフラックスゲー
ト型の磁気センサを薄膜により形成した薄膜磁気センサ
である（例えば特開平８−２０１０６１号参照）。この
ような薄膜磁気センサは、例えば地磁気補正用の磁気セ
ンサや微弱磁界を検出するための磁気センサとして用い
ることができる。
【００９２】この薄膜磁気センサ９０においては、本発
明の構成の薄膜コイルを有して成ることにより、コイル
の抵抗を低減することができる。これにより、同じ印加
電圧に対してコイルの電流量を大きくしたり、磁心とな
る高透磁率材料膜９１Ａ，９１Ｂを磁気的に飽和させる
ために必要な印加電圧を低減したりすることが可能にな
る。また、単位面積当たりのコイルの巻き数を増やした
り、薄膜コイルの面積を低減して薄膜磁気センサ９０を
小型化したりすることが可能になる。
【００９３】上述の各実施の形態は、薄膜コイル、薄膜
磁気ヘッド、薄膜インダクタ、薄膜磁気センサの典型的
な形態を示すものであり、細部の構成は様々な変更を行
うことが可能である。例えば薄膜コイルにおいては、巻
線の向き、巻線部の巻き数や配線の接続の繋ぎ方等は任
意に変更が可能である。
【００９４】尚、上述の本発明の薄膜コイルの形成方法
は、薄膜コイル以外にもメッキ等の方法により金属薄膜
を形成する場合に応用することが可能である。例えば各
種回路の素子において金属薄膜による配線を形成する場
合に、配線の間隔を狭くすることも可能である。
【００９５】本発明は、上述の各実施の形態に限定され
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその
他様々な構成が取り得る。
【００９６】
【発明の効果】上述の本発明の薄膜コイル及びその形成
方法によれば、絶縁膜により薄膜コイルの第１の巻線部
及び第２の巻線部の各導体を確実に絶縁分離することが
できる。これにより、コイルの間隔を従来より狭く、例
えば１．５μｍ以下とすることができる。また、コイル
を厚くしても各導体が絶縁分離されるため、コイルを従
来より厚く、例えば４μｍ以上の厚さに形成できる。従
って、コイルのアスペクト比（コイルの高さ／コイルの
幅）を容易に例えば３以上に上げることができると共
に、コイルの厚さを増やしてコイルの抵抗及びインダク
タンスを低減することができる。さらに、絶縁膜で確実
に導体間の絶縁分離がなされるため、コイル形成の歩留
まりを改善することができる。
【００９７】また、上述の本発明の薄膜コイルを備え
て、薄膜磁気ヘッド、薄膜インダクタ、薄膜磁気センサ
を構成することにより、薄膜コイルが狭い間隔でかつ低
抵抗にすることができるため、これら薄膜磁気ヘッド、
薄膜インダクタ、薄膜磁気センサの特性（例えば電磁変
換特性等）を向上させたり、小型化を図ることが可能に
なる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態の薄膜コイルの概略構成
図（斜視図）である。
【図２】図１のＡ−Ａにおける断面図である。
【図３】Ａ〜Ｃ 図１の薄膜コイルの形成方法を示す工
程図である。
【図４】Ｄ〜Ｆ 図１の薄膜コイルの形成方法を示す工
程図である。
【図５】Ｇ〜Ｉ 図１の薄膜コイルの形成方法を示す工
程図である。
【図６】本発明の薄膜磁気ヘッドの実施の形態の概略構
成図（斜視図）である。
【図７】Ａ〜Ｃ 図６の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示
す製造工程図である。
【図８】Ｄ〜Ｆ 図６の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示
す製造工程図である。
【図９】Ｇ、Ｈ 図６の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示
す製造工程図である。
【図１０】本発明の薄膜磁気ヘッドの他の実施の形態の
概略構成図（斜視図）である。
【図１１】Ａ〜Ｃ 図１０の薄膜磁気ヘッドの製造方法
を示す製造工程図である。
【図１２】Ｄ〜Ｆ 図１０の薄膜磁気ヘッドの製造方法
を示す製造工程図である。
【図１３】Ｇ、Ｈ 図１０の薄膜磁気ヘッドの製造方法
を示す製造工程図である。
【図１４】Ｉ、Ｊ 図１０の薄膜磁気ヘッドの製造方法
を示す製造工程図である。
【図１５】ヘリカルスキャン用の磁気ヘッドを備えたド
ラム部の構成を示す図である。
【図１６】本発明を薄膜インダクタに適用した実施の形
態を示す図である。
【図１７】本発明を薄膜インダクタに適用した他の実施
の形態を示す図である。
【図１８】本発明を薄膜磁気センサに適用した実施の形
態を示す図である。
【図１９】Ａ〜Ｄ 従来の薄膜コイルの形成方法を示す
工程図である。
【図２０】Ｅ〜Ｇ 従来の薄膜コイルの形成方法を示す
工程図である。
【図２１】Ａ〜Ｃ 従来の薄膜コイルの形成方法におけ
る問題点を説明する図である。
【符号の説明】
１，３１，７１ 基板、１０，３７，５７，８１，９
２，９３ 薄膜コイル、１１，３５，５１，５４，７
２，８２ 第１の巻線部、１２，３６，５２，５５，７
３，８３ 第２の巻線部、１３，１６ 下地膜、１４，
１７，４３，４４，５８，６０，６１，６３ 導体、１
５，５９，６２ 絶縁膜、３０，５０ 薄膜磁気ヘッ
ド、３３ 下層磁気コア、３４ 上層磁気コア、３８，
３９ 接続配線、５３ 下層コイル、５６ 上層コイ
ル、２００ 磁気ヘッド、２０１ 磁気テープ、２０４
ドラム部、７０，８０ 薄膜インダクタ、７４，８
４，９４ 配線、８５，８６ 磁性膜、９０ 薄膜磁気
センサ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｆ 41/04 Ｈ０１Ｆ 41/04 Ｃ

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 導体の薄膜により形成された薄膜コイル
    であって、 同一基体上に形成された第１の巻線部と第２の巻線部と
    を少なくとも有して成り、 上記第１の巻線部の導体の少なくとも側面全体を覆って
    絶縁膜が形成され、 上記第２の巻線部の導体は、上記基体上に上記絶縁膜を
    介して形成されていることを特徴とする薄膜コイル。
  2. 【請求項２】 上記第１の巻線部の導体は上記基体上に
    メッキ用下地膜を介して形成され、上記第２の巻線部の
    導体は上記絶縁膜上にメッキ用下地膜を介して形成され
    ていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜コイル。
  3. 【請求項３】 基体上にメッキ用下地膜を形成する工程
    と、 上記メッキ用下地膜上に、メッキにより所定のパターン
    で薄膜コイルの導体を成膜する工程と、 上記導体下の上記メッキ用下地膜以外の上記メッキ用下
    地膜をエッチング除去して薄膜コイルの第１の巻線部を
    形成する工程と、 表面を覆って全面的に絶縁膜を形成する工程と、 上記絶縁膜上に第２のメッキ用下地膜を形成する工程
    と、 上記第１の巻線部の間の上記第２のメッキ用下地膜上
    に、メッキにより所定のパターンで薄膜コイルの第２の
    巻線部の導体を形成する工程と、 上記第１の巻線部の上記絶縁膜上にある上記第２のメッ
    キ用下地膜を除去する工程とを有することを特徴とする
    薄膜コイルの形成方法。
  4. 【請求項４】 同一基体上に形成された第１の巻線部と
    第２の巻線部とを少なくとも有して成り、 上記第１の巻線部の導体の少なくとも側面全体を覆って
    絶縁膜が形成され、 上記第２の巻線部の導体は、上記基体上に上記絶縁膜を
    介して形成されている薄膜コイルを備え、 ２つの磁気コアが上記薄膜コイルを挟んでかつ先端部に
    磁気ギャップを介して配置されたことを特徴とする薄膜
    磁気ヘッド。
  5. 【請求項５】 同一基体上に形成された第１の巻線部と
    第２の巻線部とを少なくとも有して成り、 上記第１の巻線部の導体の少なくとも側面全体を覆って
    絶縁膜が形成され、 上記第２の巻線部の導体は、上記基体上に上記絶縁膜を
    介して形成されている薄膜コイルを備え、 上記薄膜コイルの上記第１の巻線部と上記第２の巻線部
    とが電気的に接続され、かつ薄膜コイルの一端が外部に
    接続され、他端が自由端とされていることを特徴とする
    薄膜インダクタ。
  6. 【請求項６】 同一基体上に形成された第１の巻線部と
    第２の巻線部とを少なくとも有して成り、 上記第１の巻線部の導体の少なくとも側面全体を覆って
    絶縁膜が形成され、 上記第２の巻線部の導体は、上記基体上に上記絶縁膜を
    介して形成されている薄膜コイルを備えて成ることを特
    徴とする薄膜磁気センサ。
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