JP2002148120A

JP2002148120A - 薄膜部材及びこれを用いた放射検出装置

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Publication number: JP2002148120A
Application number: JP2000344125A
Authority: JP
Inventors: Toru Ishizuya; 徹石津谷
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 2000-11-10
Filing date: 2000-11-10
Publication date: 2002-05-22
Anticipated expiration: 2020-11-10
Also published as: JP4649727B2

Abstract

(57)【要約】【課題】所望の機械的強度を確保しつつ膜厚を薄くす
ることができる薄膜部材を用いることによって、感度等
の特性の向上を図る。【解決手段】膨張係数の異なる２つの膜４，５からな
る変位部３は、脚部２を介して基板１に支持される。変
位部３は赤外線吸収部を兼ねる。反射板６が、変位部３
の先端部に対して固定される。変位部３が赤外線ｉを受
けると熱を発生して撓み、反射板６による読み出し光ｊ
の反射方向が変化する。反射板６は、平板状部を有する
薄膜部材で構成される。この平板状部は、１層の膜から
なる平面部８と、平面部８に混在するように形成され平
面部８の下面側に突出した凸条部９とを有する。平面部
８が凸条部９により補強される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロマシンや
微少な素子を有する各種のデバイスなどにおいて用いら
れる薄膜部材、及びこれを用いた放射検出装置に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】従来から、マイクロマシンや、微少な素
子を有する各種のデバイスなどにおいては、空中に位置
するように支持された平板状部を備えた薄膜部材が用い
られている。この薄膜部材は、一般的に、半導体製造工
程を用いて作製されている。

【０００３】例えば、特開２０００−９５４２号に開示
された光読み出し型の熱型放射検出装置は、基体と、該
基体に支持され、放射を吸収する放射吸収部にて発生し
た熱に応じて前記基体に対して変位する変位部と、該変
位部に対して固定された読み出し光反射板とを備えてお
り、この反射板として前記薄膜部材が用いられている。

【０００４】前述したような従来の薄膜部材では、前記
平板状部は、単に、所望の平面形状を有する１層以上の
膜からなる平面部のみで構成されていた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】前記従来の薄膜部材で
は、平板状部が単に所望の平面形状を有する１層以上の
膜からなる平面部のみで構成されていたので、所望の機
械的強度を確保するためには、膜厚を厚くしなければな
らなかった。特に、平板状部の面積が比較的大きい場合
には、膜厚をかなり厚くしなければならなかった。この
ため、従来の薄膜部材では、その用途に応じて種々の不
都合が生じていた。

【０００６】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、所望の機械的強度を確保しつつ膜厚を薄くす
ることができる薄膜部材を提供することを目的とする。

【０００７】また、本発明は、所望の機械的強度を確保
しつつ膜厚を薄くすることができる薄膜部材を用いるこ
とによって、感度等の特性の向上を図ることができる放
射検出装置を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明の第１の態様による薄膜部材は、空中に位置
するように支持された平板状部を備えた薄膜部材であっ
て、前記平板状部は、１層又は複数層の膜からなる平面
部と、該平面部に混在するように形成され前記平面部の
表面側又は裏面側に突出した凸条部とを有するものであ
る。ここで、「混在する」とは、凸条部が平面部に混じ
って存在することを意味し、凸条部が平面部に必ずしも
複雑に混じり込む必要はなく、凸条部が平面部に単純な
形で混じっていてもよい。この第１の態様による薄膜部
材は、通常、半導体製造工程を用いて作製される。

【０００９】この第１の態様によれば、平板状部が平面
部のみならずこれに混在された凸条部を有しているの
で、平面部が凸条部により補強される。したがって、平
板状部の所望の機械的強度を確保しつつ、平板状部の膜
厚を薄くすることができる。

【００１０】また、平面部を複数層の膜で構成した場
合、各層の膜の膨張係数の差によって平面部が温度変化
により変位しようとしても、その変位が凸条部によって
阻止され、平面部の平坦性が維持されることとなる。

【００１１】本発明の第２の態様による薄膜部材は、前
記第１の態様において、前記凸条部は、前記平面部を実
質的に複数の領域に区分するように形成されたものであ
る。この第２の態様のように凸条部を形成すると、凸条
部により実質的に区分された平面部の個々の領域の面積
が小さくなるので、平板状部の機械的強度を向上させる
上で好ましい。

【００１２】本発明の第３の態様による薄膜部材は、前
記第１又は第２の態様において、前記凸条部は、前記平
面部を、前記平板状部の周辺部分から隔てられた１つ以
上の領域、及び、当該各領域の周辺部分の一部が前記平
板状部の周辺部分の一部となる複数の領域に、実質的に
区分するように、形成されたものである。

【００１３】この第３の態様のように、平面部を中央寄
りの１つ以上の領域及び周辺寄りの複数の領域に実質的
に区分するように、凸条部を形成すると、凸条部により
実質的に区分された平面部の個々の領域の面積が小さく
なることと相俟って、後述する第４の態様のような凸条
部の配置を実現し易くなるため、平板状部の機械的強度
を向上させる上で好ましい。

【００１４】本発明の第４の態様による薄膜部材は、前
記第１乃至第３のいずれかの態様において、前記凸条部
は、前記平板状部の周辺部分の任意の２点を結ぶ各仮想
直線について、当該仮想直線の全体に渡っては前記凸条
部が位置することがないように、形成されたものであ
る。

【００１５】本発明者の実験の結果、平板状部の周辺部
分の２点（例えば、ある点とこの点に対向する点）を結
ぶ仮想直線の全体に渡って凸条部が位置するように形成
すると、この直線に沿って平板状部が曲がり易くなる一
方、前記第４の態様のように凸条部を形成すれば、その
ような曲がりが生じ難くなり、平板状部の機械的強度を
向上させる上で好ましいことが判明した。

【００１６】本発明の第５の態様による薄膜部材は、前
記第１乃至第４のいずれかの態様において、前記凸条部
は、曲線状に形成された部分を含むものである。

【００１７】この第５の態様のように、凸条部が曲線状
に形成された部分を含むと、前記第４の態様のような凸
条部の配置を実現し易くなるため、平板状部の機械的強
度を向上させる上で好ましい。

【００１８】本発明の第６の態様による薄膜部材は、前
記第１乃至第５のいずれかの態様において、前記凸条部
の少なくとも一部の断面形状が、突出側と反対の側に開
口する略コ字状であるか、あるいは、略中実形状である
ものである。

【００１９】この第６の態様は凸条部の断面形状の例を
挙げたものであるが、前記第１乃至第５の態様ではこの
例に限定されるものではない。

【００２０】本発明の第７の態様による薄膜部材は、前
記第１乃至第６のいずれかの態様において、前記凸条部
は、前記平面部を構成する少なくとも１層の膜からそれ
と同じ材料で連続して一体に形成されたものである。

【００２１】この第７の態様によれば、平面部の少なく
とも１層の膜を形成する際に凸条部を同時に形成するこ
とができるので、製造が容易となる。もっとも、前記第
１乃至第６の態様では、凸条部は、例えば、平面部と別
の材料で形成してもよい。

【００２２】本発明の第８の態様による薄膜部材は、前
記第１乃至第７のいずれかの態様において、前記平面部
の各領域の周辺部分のうち前記平板状部の周辺部分とな
る部分の少なくとも一部に渡って、当該平面部から立ち
上がるかあるいは立ち下がる立ち上がり部又は立ち下が
り部が形成されたものである。

【００２３】この第８の態様によれば、平板状部は立ち
上がり部又は立ち下がり部によっても補強される。した
がって、平板状部の所望の機械的強度を確保しつつ、平
板状部の膜厚を一層薄くすることができる。

【００２４】本発明の第９の態様による放射検出装置
は、基体と、該基体に支持され、放射を吸収する放射吸
収部にて発生した熱に応じて前記基体に対して変位する
変位部と、該変位部に対して固定された変位読み出し部
材であって、前記変位部に生じた変位に応じた所定の変
化を得るために用いられる変位読み出し部材とを備えた
放射検出装置において、前記変位読み出し部材が前記第
１乃至第８のいずれかの態様による薄膜部材で構成され
たものである。

【００２５】この第９の態様によれば、変位読み出し部
材が前記第１乃至第８のいずれかの態様による薄膜部材
で構成されているので、変位読み出し部材の所望の機械
的強度を確保しつつ、変位読み出し部材の膜厚を薄くす
ることができる。このため、変位読み出し部材の軽量化
を図ることができるので、変位部の機械的強度を低下さ
せることができ、変位部の膜厚を薄くすることができ
る。変位部は、通常、異なる膨張係数を有する異なる物
質の互いに重なった少なくとも２つの層を有する構造を
持つが、変位部の膜厚が薄いほど温度変化に対する変位
量が大きくなって感度が高くなる。したがって、前記第
９の態様によれば、変位部の感度を高めることができ、
ひいては、放射検出の感度を高めることができる。ま
た、変位部に対して固定された変位読み出し部材の膜厚
を薄くすることができるので、これら全体としての熱容
量が少なくなる。このため、熱に対する応答性が高ま
り、ひいては検出すべき放射の変化に対する応答性が高
まる。

【００２６】前記第９の態様において、前記変位読み出
し部材は、例えば、受光した読み出し光を反射する反射
板であってもよいし、電極であってもよい。前者は、前
記第９の態様を、入射放射量を読み出し光の変化として
読み出すいわば光読み出し型の放射検出装置に適用した
例である。後者は、前記第９の態様を、入射放射量を静
電容量の変化として読み出す静電容量型の放射検出装置
等に適用した例である。もっとも、前記第９の態様は、
これらのタイプの放射検出装置に限定されるものではな
い。これらの点は、後述する第１０の態様についても同
様である。なお、前記第１乃至第８の態様による薄膜部
材は、例えば、ボロメータ素子の受光部に適用すること
もできる。

【００２７】前記第９の態様による放射検出装置におい
て、前記変位部及び前記変位読み出し部材を１個の素子
として当該素子を複数個設け、当該素子を１次元状又は
２次元状に配列してもよい。この場合、放射の像を映像
化することが可能となるが、前記第９の態様では、変位
部及び変位読み出し部材の対を１個のみ有していてもよ
い。これらの点は、後述する第１０の態様についても同
様である。前記第９の態様では、読み出し部材の形状が
安定化することから、前記素子を複数個設ける場合に
は、各素子間での読み出し部材の形状のばらつきが小さ
くなるので、各素子間での変位読み出し特性のばらつき
が小さくなり、ひいては、各素子間での放射検出特性の
ばらつきが小さくなるという効果も得られる。

【００２８】本発明の第１０の態様による放射検出装置
は、基体と、該基体に支持され、放射を吸収する放射吸
収部にて発生した熱に応じて前記基体に対して変位する
変位部とを備えた放射検出装置において、前記放射吸収
部が入射した放射の一部を反射する特性を有し、ｎを奇
数、前記放射の所望の波長域の中心波長をλ_０として、
前記放射吸収部から実質的にｎλ_０／４の間隔をあけて
配置され前記放射を略々全反射する放射反射部を備え、
前記放射吸収部及び前記放射反射部の少なくとも一方が
前記第１乃至第８のいずれかの態様による薄膜部材で構
成されたものである。

【００２９】この第１０の態様によれば、放射吸収部に
放射反射部と反対側から放射が入射すると、入射した放
射は放射吸収部で一部吸収され、残りは放射反射部で反
射され放射吸収部で反射し再度放射反射部に入射する。
このため、放射吸収部と放射反射部との間で干渉現象が
起こり、両者の間隔が入射放射の所望の波長域の中心波
長の１／４の略奇数倍とされているので、放射吸収部で
の放射吸収がほぼ最大となり、放射吸収部における放射
の吸収率が高まる。したがって、放射吸収部の厚みを薄
くしてその熱容量を小さくしても、放射の吸収率を高め
ることができる。その結果、検出感度及び検出応答性の
両方を高めることができる。なお、前記放射吸収部の反
射率を約３３％（約１／３）にすると、放射吸収部にお
ける放射の吸収率が一層高まるので、好ましい。

【００３０】そして、前記第１０の態様では、放射吸収
部及び放射反射部の少なくとも一方が前記第１乃至第８
のいずれかの態様による薄膜部材で構成されているの
で、放射吸収部や放射反射部の所望の機械的強度を確保
しつつ、放射吸収部や放射反射部の膜厚を薄くすること
ができる。このため、放射吸収部や放射反射部の軽量化
を図ることができるので、放射吸収部や放射反射部を直
接的又は間接的に変位部により支持されるように設けた
場合であっても、変位部の機械的強度を低下させること
ができ、変位部の膜厚を薄くすることができる。したが
って、前記第１０の態様によれば、前記第９の態様と同
様に、変位部の感度を高めることができ、ひいては、放
射検出の感度を高めることができる。また、前記第１０
の態様によれば、放射吸収部や放射反射部の膜厚を薄く
することができるので、放射吸収部や放射反射部を変位
部に対して直接的又は間接的に固定した場合、これら全
体としての熱容量が少なくなる。このため、熱に対する
応答性が高まり、ひいては検出すべき放射の変化に対す
る応答性が高まる。なお、前記第１０の態様において、
前記第９の態様の事項を具備していてもよいことは、言
うまでもない。

【００３１】なお、前記第９及び第１０の態様は、前記
第１乃至第８の態様による薄膜部材を放射検出装置に用
いた例であったが、前記第１乃至第８の態様による薄膜
部材は、他の種々のデバイスやマイクロマシン等におい
て用いることもできる。

【００３２】

【発明の実施の形態】以下の説明では、放射を赤外線と
し読み出し光を可視光とした例について説明するが、本
発明では、放射を赤外線以外のＸ線や紫外線やその他の
種々の放射としてもよいし、また、読み出し光を可視光
以外の他の光としてもよい。

【００３３】［第１の実施の形態］

【００３４】図１は本発明の第１の実施の形態による光
読み出し型の放射検出装置１００の単位画素（単位素
子）を示す図であり、図１（ａ）はその概略平面図、図
１（ｂ）は図１（ａ）中のＸ１−Ｘ２線に沿った概略断
面図である。

【００３５】この放射検出装置１００は、基体としての
赤外線ｉを透過させるＳｉ基板等の基板１と、脚部２を
介して基板１に支持され熱に応じて基板１に対して変位
する変位部３と、変位部３に生じた変位に応じた所定の
変化を得るために用いられる変位読み出し部材として
の、受光した読み出し光ｊを反射する反射板６を備えて
いる。

【００３６】変位部３は、互いに重なった２つの膜４，
５を有している。変位部３は、その一端が脚部２を介し
て支持されることにより、カンチレバーを構成してお
り、基板１上に間隔をあけて浮いた状態に支持されてい
る。膜４及び膜５は、互いに異なる膨張係数を有する異
なる物質で構成されており、いわゆる熱バイモルフ構造
（bi-material elementともいう。）を構成している。
したがって、変位部３は、受けた熱に応じて、下側の膜
４の膨張係数が上側の膜５の膨張係数より大きい場合に
は上方に、逆の場合には下方に湾曲して傾斜する。

【００３７】本実施の形態では、変位部３が赤外線ｉを
吸収する赤外線吸収部を兼用している。したがって、変
位部３は、赤外線ｉを受けると、自身が熱を発生し、こ
の熱に応じて変位することとなる。もっとも、必ずしも
変位部３が赤外線吸収部を兼用する必要はなく、例え
ば、膜４の下面に金黒等の赤外線吸収膜を形成しておい
てもよい。

【００３８】反射板６は、その一部が反射板用接続部７
を介して変位部３の先端部に対して固定されることによ
り、変位部３の上方に空間を隔てて配置され、単位画素
領域のほぼ全体をカバーするように配置されている。こ
れにより、反射板６は、空中に位置するように支持され
ている。反射板６は平面視で正方形状の平板状部からな
る薄膜部材で構成され、この平板状部は、１層の膜（２
層以上の膜でもよい）からなる平面部８と、平面部８に
混在するように形成され平面部８の下面側（裏面側）に
突出した凸条部９とから構成されている。すなわち、平
面部８及び凸条部９の全体が、平板状部を構成してい
る。平面部８が、平板状部の面積の大部分を占めてお
り、読み出し光ｊを反射する反射面として実質的に有効
な部分となっている。

【００３９】本実施の形態では、凸条部９は、図１
（ａ）に示すように、平面部８を、平板状部の周辺部分
から隔てられた１つの領域８ｅ、及び、当該各領域８ａ
〜８ｄの周辺部分の一部が平板状部の周辺部分の一部と
なる４つの領域８ａ〜８ｄの、合計５つの領域８ａ〜８
ｅに、区分するように形成されている。そして、図１に
示すように、平板状部の周辺部分の任意の２点を結ぶ各
仮想直線について、当該仮想直線の全体に渡っては前記
凸条部が位置することがないように、形成されている。
また、凸条部９の断面形状は、図１（ｂ）に示すよう
に、凸条部９の突出側と反対の側（上側）に開口する略
コ字状に構成されている。さらに、凸条部９は、平面部
８を構成する膜からそれと同じ材料で連続して一体に形
成されている。

【００４０】さらに、本実施の形態では、平面部８の各
領域８ａ〜８ｅの周辺部分のうち平板状部の周辺部分と
なる部分（具体的には、図１において、領域８ａの上辺
部分、領域８ｂの右辺部分、領域８ｃの下辺部分、領域
８ｄの左辺部分）の全体（その一部でもよい）に渡っ
て、平面部８から立ち下がる立ち下がり部８ｆが形成さ
れている。そして、立ち下がり部８ｆの下部から側方に
外側にわずかに延びた水平部８ｇも、形成されている。
水平部８ｇは、必ずしも必要ではなく、取り除いておい
てもよい。また、立ち下がり部８ｆは、強度をより向上
させるためには形成しておくことが好ましいが、本発明
では必ずしも形成しておかなくてもよい。

【００４１】本実施の形態では、平面部８、凸条部９、
立ち下がり部８ｆ及び水平部８ｇは、反射板用接続部７
と共に、Ａｌ膜等の１層の膜で一体に形成されている。
なお、反射板用接続部７は、反射板６より熱伝導率の低
い材料で構成してもよい。わずかながら読み出し光ｊの
一部が反射板６に吸収されて反射板６の温度が上昇する
が、接続部７を反射板６より熱伝導率の低い材料で構成
しておけば、接続部７が断熱材として作用してその熱が
変位部３に伝わり難くなり、赤外線検出のＳ／Ｎが高ま
るので、好ましい。

【００４２】図面には示していないが、変位部３、脚部
２及び反射板６を単位素子（画素）として、この画素が
基板１上に１次元状又は２次元状に配置されている。

【００４３】次に、本実施の形態による放射検出装置１
００の製造方法の一例について、図２を参照して説明す
る。図２は、この製造工程を模式的に示す概略断面図で
あり、図１（ｂ）に対応している。

【００４４】まず、図２（ａ）に示すように、Ｓｉ基板
１上の全面に犠牲層としてのレジスト１０を塗布し、脚
部２に応じた開口１０ａをフォトリソグラフィーにより
形成する。次に、脚部２となるべきＳｉＯ膜（例えば、
厚さ５０００オングストローム）をＰ−ＣＶＤ法等によ
りデポした後、フォトエッチ法によりパターニングし、
脚部２の形状とする（図２（ａ））。その後、変位部３
の下側膜４となるべきＳｉＮ膜（例えば、厚さ２５００
オングストローム）をＰ−ＣＶＤ法等によりデポした
後、フォトエッチ法によりパターニングし、下側膜４の
形状とする（図２（ａ））。さらに、変位部３の上側膜
５となるべきＡｌ膜（例えば、厚さ１５００オングスト
ローム）を蒸着法等によりデポした後、フォトエッチ法
によりパターニングし、上側膜５の形状とする（図２
（ａ））。

【００４５】次に、図２（ａ）に示す状態の基板上の全
面に犠牲層としてのレジスト１１を塗布し、反射板用接
続部７に応じた開口１１ａをレジスト１１にフォトリソ
グラフィーにより形成する（図２（ｂ））。

【００４６】その後、図２（ｂ）に示す状態の基板上の
全面にスピンコート法等により犠牲層としてのポリイミ
ド膜１２を被着させ、反射板６の立ち下がり部８ｆ及び
水平部８ｇに応じた溝１２ａ、反射板用接続部７に応じ
た開口１２ｂ並びに凸条部９に応じた溝１２ｃを、ポリ
イミド膜１２にフォトエッチ法により形成する（図２
（ｃ））。

【００４７】次いで、図２（ｃ）に示す状態の基板上
に、反射板６及び反射板用接続部７となるべきＡｌ膜
（例えば、厚さ２０００オングストローム）を蒸着法等
（例えば、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッ
タ法、ＭＢＥ法など）により形成した後、フォトエッチ
法によりパターニングし、反射板６の形状とする（図２
（ｄ））。このとき、Ａｌ膜のパターニングによって残
す領域を、ポリイミド膜１２と重なりかつポリイミド膜
１２の大きさよりも大きくすることによって、立ち下が
り部８ｆ及び水平部８ｇが形成されることとなる。ま
た、このＡｌ膜により、平面部８のみならず、凸条部９
も同時に形成されることになる。なお、前記Ａｌ膜のパ
ターニングの大きさを適宜変更することによって、水平
部８ｇを形成しないようにすることも可能である。な
お、反射板６及び反射板用接続部７となるべき薄膜の材
質は、Ａｌに代えて、例えば、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐ
ｄ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｗ又はＭｏなどを用いて
もよい。

【００４８】最後に、図２（ｄ）に示す状態の基板を、
ダイシングなどによりチップ毎に分割し、レジスト１
０，１１及びポリイミド膜１２をアッシング法などによ
り除去する。これにより、図１に示す放射検出装置が完
成する。

【００４９】本実施の形態によれば、反射板６を構成す
る平板状部が平面部８のみならずこれに混在された凸条
部９を有しているので、平面部８が凸条部９により補強
される。したがって、反射板６の所望の機械的強度を確
保しつつ、反射板６の膜厚を薄くすることができてい
る。そして、本実施の形態では、凸条部９が平面部８を
複数の領域８ａ〜８ｅに区分するように形成されている
ことから、凸条部９により区分された平面部８の個々の
領域８ａ〜８ｅの面積が小さくなるので、反射板６の機
械的強度が更に向上している。また、本実施の形態で
は、凸条部９が平板状部の周辺部分の任意の２点を結ぶ
各仮想直線について、当該仮想直線の全体に渡っては凸
条部９が位置することがないように、形成されているの
で、反射板６が曲がり難くなり、反射板６の機械的強度
が更に向上している。さらに、本実施の形態による放射
検出装置では、反射板６は立ち下がり部８ｆによっても
補強されるので、反射板６の機械的強度が更に向上して
いる。

【００５０】このように、反射板６の所望の機械的強度
を確保しつつ反射板６の膜厚（特に、平面部８の膜厚）
を薄くすることができるので、反射板６の軽量化を図る
ことができる。このため、反射板６を支持している変位
部３の機械的強度を低下させることができ、変位部３を
構成する膜４，５の膜厚を薄くすることができる。変位
部３の膜厚が薄くなるほど、温度の変化量に対する変位
部３の変位量が増大し、変位部３の感度が高まる。した
がって、本実施の形態によれば、変位部３の感度を高め
ることができ、赤外線検出の感度を高めることができ
る。

【００５１】また、本実施の形態によれば、変位部３に
対して固定された反射板６の膜厚を薄くすることができ
るので、これら全体としての熱容量が少なくなる。この
ため、熱に対する応答性が高まり、ひいては赤外線の変
化に対する応答性が高まる。

【００５２】さらに、本実施の形態によれば、反射板６
を構成する平板状部が平面部８のみならずこれに混在さ
れた凸条部９を有しているので、反射板６の形状が安定
化する。このため、各画素間での反射板６の形状のばら
つきが小さくなるので、各画素間での変位読み出し特性
のばらつきが小さくなり、ひいては、各画素間での赤外
線検出特性のばらつきが小さくなるという効果も得られ
る。

【００５３】さらにまた、本実施の形態によれば、凸条
部９は、平面部８を構成する膜からそれと同じ材料で連
続して一体に形成されていることから、前述したよう
に、平面部８及び凸条部９を同時に形成することができ
るので、製造が容易となる。

【００５４】ここで、本実施の形態による放射検出装置
１００を用いた映像化装置の一例について、図３を参照
して説明する。図３は、この映像化装置を示す概略構成
図である。

【００５５】この映像化装置は、前述した放射検出装置
１００の他に、読み出し光学系と、撮像手段としての２
次元ＣＣＤ２０と、観察対象（目標物体）としての熱源
２１からの赤外線ｉを集光して、放射検出装置１００の
赤外線吸収部としての変位部３が分布している面上に、
熱源２１の赤外線画像を結像させる赤外線用の結像レン
ズ２２とから構成されている。

【００５６】この映像化装置では、前記読み出し光学系
は、読み出し光を供給するための読み出し光供給手段と
してのＬＤ（レーザーダイオード）２３と、ＬＤ２３か
らの読み出し光を放射検出装置１００の全ての画素の反
射板６へ導く第１レンズ系２４と、第１レンズ系２４を
通過した後に全ての画素の反射板６にて反射された読み
出し光の光線束のうち所望の光線束のみを選択的に通過
させる光線束制限部２５と、第１レンズ系２５と協働し
て各画素の反射板６と共役な位置を形成し且つ該共役な
位置に光線束制限部２５を通過した光線束を導く第２レ
ンズ系２６とから構成されている。前記共役な位置には
ＣＣＤ２０の受光面が配置されており、レンズ系２４，
２６によって全ての画素の反射板６とＣＣＤ２０の複数
の受光素子とが光学的に共役な関係となっている。

【００５７】ＬＤ２３は、第１レンズ系２４の光軸Ｏに
関して一方の側（図３中の右側）に配置されており、当
該一方の側の領域を読み出し光が通過するように読み出
し光を供給する。本例では、ＬＤ２３が第１レンズ系２
４の第２レンズ系２６側の焦点面付近に配置されて、第
１レンズ系２４を通過した読み出し光が略平行光束とな
って全ての画素の反射板６を照射するようになってい
る。ＣＣＤ２０上の光学像のコントラストを高めるた
め、ＬＤ２３の前部に読み出し光絞りを設けてもよい。
本例では、放射検出装置１００は、その基板１の面（本
例では、目標物体からの赤外線が入射しない場合の反射
板６の面と平行）が光軸Ｏと直交するように配置されて
いる。もっとも、このような配置に限定されるものでは
ない。

【００５８】光線束制限部２５は、前記所望の光線束の
みを選択的に通過させる部位が第１レンズ系２４の光軸
Ｏに関して他方の側（図３中の左側）の領域に配置され
るように構成されている。本例では、光線束制限部２５
は、開口２５ａを有する遮光板からなり、開口絞りとし
て構成されている。本例では、いずれの画素の赤外線吸
収膜を兼ねる変位部３にも目標物体からの赤外線が入射
していなくて全ての画素の反射板６の面が基板１の面と
平行である場合に、全ての画素の反射板６で反射した光
線束（各反射板６で反射した個別光線束の束）が第１レ
ンズ系２４によって集光する集光点の位置と開口２５ａ
の位置とがほぼ一致するように、光線束制限部２５が配
置されている。また、開口２５ａの大きさは、この光線
束の前記集光点での断面の大きさとほぼ一致するように
定められている。もっとも、このような配置や大きさに
限定されるものではない。

【００５９】図３に示す映像化装置によれば、ＬＤ２３
から出射した読み出し光の光線束３１は、第１レンズ系
２４に入射し、略平行化された光線束３２となる。次に
この略平行化された光線束３２は、放射検出装置１００
の全ての画素の反射板６に、基板１の法線に対してある
角度をもって入射する。

【００６０】一方、結像レンズ２２によって、熱源（目
標物体）２１からの赤外線が集光され、放射検出装置１
００の変位部３が分布している面上に、熱源２１の赤外
線画像が結像される。これにより、放射検出装置１００
の各画素の変位部３に熱源２１からの赤外線が入射す
る。この入射赤外線は、各画素の反射板６の傾きに変換
される。

【００６１】今、全ての画素の変位部３には熱源２１か
らの赤外線が入射しておらず、全ての画素の反射板６が
基板１と平行であるものとする。全ての画素の反射板６
に入射した光線束３２は、これらの反射板６にて反射さ
れて光線束３３となり、再び第１レンズ系２４に今度は
ＬＤ２３の側とは反対の側から入射して集光光束３４と
なり、この集光光束３４の集光点の位置に配置された光
線束制限部２５の開口２５ａの部位に集光する。その結
果、集光光束３４は開口２５ａを透過して発散光束３５
となって第２レンズ系２６に入射する。第２レンズ系２
６に入射した発散光束３５は、第２レンズ系２６により
例えば略平行光束３６となってＣＣＤ２０の受光面に入
射する。ここで、各画素の反射板６とＣＣＤ２０の受光
面とはレンズ系２４，２６によって共役な関係にあるの
で、ＣＣＤ２０の受光面上の対応する各部位にそれぞれ
各反射板６の像が形成され、全体として、全ての画素の
反射板６の分布像である光学像が形成される。

【００６２】今、ある画素の変位部３に熱源２１からあ
る量の赤外線が入射して、その入射量に応じた量だけ当
該画素の反射板６が基板１の面に対して傾いたものとす
る。光線束３２のうち当該反射板６に入射する個別光線
束は、当該反射板６によってその傾き量だけ異なる方向
に反射されるので、第１レンズ系２４を通過した後、そ
の傾き量に応じた量だけ前記集光点（すなわち、開口２
５ａ）の位置からずれた位置に集光し、その傾き量に応
じた量だけ光線束制限部２５により遮られることにな
る。したがって、ＣＣＤ２０上に形成された全体として
の光学像のうち当該反射板６の像の光量は、当該反射板
６の傾き量に応じた量だけ低下することになる。

【００６３】したがって、ＣＣＤ２０の受光面上に形成
された読み出し光による光学像は、放射検出装置１００
に熱源２１から入射した赤外線像を反映したものとな
る。この光学像は、ＣＣＤ２０により撮像される。な
お、ＣＣＤ２０を用いずに、接眼レンズ等を用いて前記
光学像を肉眼で観察してもよい。

【００６４】なお、読み出し光学系の構成が前述した構
成に限定されるものではないことは、言うまでもない。

【００６５】以上は映像化装置の例であったが、図３に
おいて、放射検出装置１００として、単一の画素（素
子）のみを有する放射検出装置を用い、２次元ＣＣＤ２
０に代えて、単一の受光部のみを有する光検出器を用い
れば、赤外線のいわゆるポイントセンサとしての検出装
置を構成することができる。この点は、後述する各実施
の形態についても同様である。

【００６６】［第２の実施の形態］

【００６７】図４は、本発明の第２の実施の形態による
光読み出し型の放射検出装置の単位画素（単位素子）を
示す概略断面図であり、図１（ｂ）に対応している。図
４において、図１中の要素と同一又は対応する要素には
同一符号を付し、その重複する説明は省略する。

【００６８】本実施の形態が前記第１の実施の形態と異
なる所は、反射板６の凹凸構成が逆になっている点のみ
である。すなわち、本実施の形態では、すなわち、反射
板６において、凸条部９が平面部８の上面側（表面側）
に突出し、立ち下がり部８ｆに代えて立ち上がり部８
ｆ’が形成されている点のみである。本実施の形態も前
記第１の実施の形態と同様の製造方法によって製造する
ことができることは、言うまでもない。

【００６９】本実施の形態によっても、前記第１の実施
の形態と同様の利点が得られる。

【００７０】［第３の実施の形態］

【００７１】図５は、本発明の第３の実施の形態による
光読み出し型の放射検出装置の単位画素（単位素子）を
示す概略断面図であり、図１（ｂ）に対応している。図
５において、図１中の要素と同一又は対応する要素には
同一符号を付し、その重複する説明は省略する。

【００７２】本実施の形態が前記第１の実施の形態と異
なる所は、反射板６の凸条部９の断面形状が略中実形状
とされている点のみである。本実施の形態も、前記第１
の実施の形態と同様の製造方法によって製造することが
できる。この場合、図２（ｃ）に示す工程において凸条
部９に対応する溝１２ｃの幅を狭めておけば、図２
（ｄ）に示す工程において、断面略中実形状の凸条部９
が形成されることになる。

【００７３】本実施の形態によっても、前記第１の実施
の形態と同様の利点が得られる。

【００７４】［第４の実施の形態］

【００７５】図６は、本発明の第４の実施の形態による
光読み出し型の放射検出装置の単位画素（単位素子）を
示す概略断面図であり、図１（ｂ）に対応している。図
６において、図１中の要素と同一又は対応する要素には
同一符号を付し、その重複する説明は省略する。

【００７６】本実施の形態が前記第１の実施の形態と異
なる所は、反射板６において、凸条部９が、平面部８を
構成する膜とは別の材料で形成されている点である。本
実施の形態も、前記第１の実施の形態と同様の製造方法
によって製造することができる。この場合、図２（ｃ）
に示す工程において凸条部９に対応する溝１２ｃは形成
せず、図２（ｄ）に示す工程の後に、凸条部９を構成す
ることになる膜を形成し、その膜を凸条部９の形状にパ
ターニングすればよい。

【００７７】本実施の形態によっても、前記第１の実施
の形態と同様の利点が得られる。

【００７８】［凸条部のパターン例］

【００７９】前記第１乃至第５の実施の形態では、反射
板６における平面視での凸条部９のパターンは、前述し
たように図１（ａ）に示す通りであった。このパターン
を模式的に示したものが、図７（ａ）である。ただし、
図７（ａ）では、平板状部の平面視での外形は長方形状
となっている。図７（ｂ）〜（ｎ）は、平面視での凸条
部９の他のパターンをそれぞれ模式的に示す図である。
図７（ａ）〜（ｎ）において、外形線以外の線は凸条部
９を示し、線で囲まれた領域は平面部８の領域を示して
いる。ただし、これらの図において、凸条部９の幅は省
略している。

【００８０】前述した第１乃至第４の実施の形態におい
て、反射部６における平面視での凸条部９のパターン
を、図１（ａ）及び図７（ｂ）に示すパターンの代わり
に、例えば、図７（ｂ）〜（ｎ）に示すパターンとして
もよい。

【００８１】既に説明したように、図１（ａ）及び図７
（ｂ）に示すパターンでは、強度が大幅に向上する。こ
のようなパターンの場合に強度が大幅に向上すること
は、本発明者の実験により判明した。

【００８２】図７（ｂ）〜（ｄ）に示すパターンは、凸
条部９により区切られた平面部８の中央の領域の形状が
それぞれ円形、たなびいた旗のような形状、及び菱形と
なるように、図１（ａ）及び図７（ａ）に示すパターン
を変更したものである。これらのパターンであっても、
図１（ａ）及び図７（ａ）に示すパターンと同様に、強
度が向上する。

【００８３】図７（ｅ）（ｆ）に示すパターンはそれぞ
れ、凸条部９により区切られた平板状部の領域のうち平
板状部の周辺部分から隔てられた領域（中央寄りの領
域）が５つとなるように、凸条部９が形成されたもので
ある。これらのパターンであっても、図１（ａ）及び図
７（ａ）に示すパターンと同様に、強度が向上する。

【００８４】図７（ｇ）に示すパターンは、図７（ｂ）
において平板状部の対角線に沿ってＸ字状に配置された
凸条部９の部分を、十字状に配置し直したものである。
このパターンによっても凸条部９を形成しない場合に比
べて強度が大幅に向上するが、図７（ｂ）に示すパター
ンに比べると、例えば図７（ｇ）中のＡ点とＢ点とを結
ぶ直線に沿って比較的曲がり易いことから、やや強度が
低下する。

【００８５】図７（ｈ）に示すパターンは、図１（ａ）
及び図７（ａ）に示すパターンと基本的に同じである
が、平板状部の形状が、図１（ａ）及び図７（ａ）の場
合の平板状部の角部を面取りした形状となっている。こ
の平板状部の外形や凸条部９のパターンであっても、図
１（ａ）及び図７（ａ）に示す場合と同様に、強度が向
上する。

【００８６】図７（ｉ）に示すパターンでは、長方形状
の平板状部の対角線に完全に沿うように、凸条部９が形
成されている。このパターンによっても凸条部９を形成
しない場合に比べて強度が大幅に向上するが、図７
（ａ）〜（ｈ）に示すパターンのように、平板状部の周
辺部分の任意の２点を結ぶ各仮想直線について、当該仮
想直線の全体に渡っては前記凸条部が位置することがな
いように、凸条部９が形成されている場合に比べると、
図７（ｇ）中の対角線に沿って比較的曲がり易いことか
ら、やや強度が低下する。

【００８７】図７（ｊ）は、平板状部の形状が三角形状
である場合の凸条部９のパターンの例を示している。こ
の例では、図７（ｉ）の場合と同じく、凸条部９により
区切られた領域のうちには、平板状部の周辺部分から隔
てられた領域が存在しないが、平板状部の周辺部分の任
意の２点を結ぶ各仮想直線について、当該仮想直線の全
体に渡っては前記凸条部９が位置することがないよう
に、凸条部９が形成されているため、図１（ａ）及び図
７（ａ）に示す場合と同様に、強度が向上する。

【００８８】図７（ｋ）に示すパターンは、図１（ａ）
及び図７（ａ）に示すパターンと基本的に同じである
が、凸条部９が途中の５箇所で若干途切れており、厳密
に言えば凸条部９が平面部８を複数の領域には区分して
いない。しかし、このパターンであっても、凸条部９が
平面部８を実質的に５つの領域に区分しており、図１
（ａ）及び図７（ａ）に示す場合と同様に、強度が向上
する。

【００８９】図７（ａ）〜（ｋ）に示すパターンでは凸
条部９が平面部８を実質的に複数の領域に区分している
のに対し、図７（ｌ）〜（ｎ）に示すパターンでは、凸
条部９は平面部８を実質的に複数の領域に区分していな
い。しかしながら、図７（ｌ）では凸条部９が平板状部
の長辺と平行に３本互いに間隔をあけて形成され、図７
（ｍ）では凸条部９がジグザグ状に形成され、図７
（ｎ）では凸条部９が波形に曲がりくねって形成されて
いるため、これらのパターンの場合であっても、凸条部
９を形成しない場合に比べて強度が大幅に向上する。

【００９０】図７（ｂ）（ｃ）（ｇ）（ｎ）のパターン
のように、凸条部９が曲線状に形成された部分を含む
と、応力の集中が緩和されたり直線に沿った曲がりに対
して強くなったりするので、好ましい。

【００９１】［第５の実施の形態］

【００９２】図８は、本発明の第５の実施の形態による
静電容量型の放射検出装置の単位画素（単位素子）を示
す図であり、図８（ａ）はその概略平面図、図８（ｂ）
は図８（ａ）中のＹ１−Ｙ２線に沿った概略断面図であ
る。

【００９３】本実施の形態による放射検出装置は、基体
としてのＳｉ基板等の基板４１と、基板４１から立ち上
がった２つの脚部４２，４３と、赤外線ｉを吸収する赤
外線吸収部４４と、脚部４２，４３を介して基板４１に
支持され、赤外線吸収部４４にて発生した熱に応じて基
板４１に対して変位する変位部４５，４６と、該変位部
４５，４６の先端部分に接続された部材５０と、を備え
ている。

【００９４】図８中、４２ａ，４３ａは、脚部４２，４
３における基板４１へのコンタクト部をそれぞれ示して
いる。脚部４２，４３の平面部４２ｂ，４３ｂは、それ
ぞれＬ字状に構成されている。脚部４２，４３は、断熱
性の高い材料として、例えば、ＳｉＯ膜で構成される。

【００９５】変位部４５，４６はそれぞれ、互いに重な
った２つの膜４８，４９で構成されている。変位部４
５，４６は、それらの一方端部が脚部４２，４３の平面
部４２ｂ，４３ｂの先端部分にそれぞれ接続されて支持
されることにより、それぞれカンチレバーを構成してお
り、基板１上に浮いた状態に支持されている。膜４８及
び膜４９は、互いに異なる膨張係数を有する異なる物質
で構成されており、変位部４５，４６はそれぞれ、いわ
ゆる熱バイモルフ構造（bi-material elementともい
う。）を構成している。したがって、変位部４５，４６
は、受けた熱に応じて、下側の膜４８の膨張係数が上側
の膜４９の膨張係数より大きい場合には上方に、逆の場
合には下方に湾曲して傾斜する。本実施の形態では、膜
４８は例えば厚さ３０００オングストロームのＳｉＮ膜
で構成され、膜４９は例えば厚さ１０００オングストロ
ームのＡｌ膜で構成されている。

【００９６】部材５０は、Ａｌ膜４９が変位部４５，４
６からそのまま延びることによって構成されている。こ
の部材５０は、変位部４５，４６に生じた変位に応じた
静電容量の変化を得るために用いられる変位読み出し部
材としての可動電極部となっている。また、部材５０
は、赤外線ｉを略々全反射する赤外線反射部となってい
る。すなわち、本実施の形態では、赤外線反射部は可動
電極部として兼用されている。なお、部材５０における
後述する赤外線吸収部４４との対向面に赤外線反射部と
しての反射膜を形成し、部材５０を可動電極部のみとし
て用いることもできる。

【００９７】赤外線吸収部４４は、入射した赤外線ｉの
一部を反射する特性を有している。赤外線吸収部５の赤
外線反射率は、約３３％であることが好ましい。赤外線
吸収部４４は、前記第１の実施の形態における反射板６
と同様の薄膜部材で構成され、１層の膜からなる平面部
５１と、平面部５１に混在するように形成され平面部５
１の下面側（裏面側）に突出した凸条部５２とから構成
されている。ただし、赤外線吸収部４４は、前記第１の
実施の形態における反射板６と異なり、立ち下がり部８
ｆに相当する立ち下がり部は形成されていない。もっと
も、このような立ち下がり部を形成してもよいことは、
言うまでもない。赤外線吸収部４４の断面構造は、例え
ば、図１（ａ）、図４、図５、図６のうちのいずれの反
射板６の断面構造と同様にしてもよいし、凸条部５２の
平面視でのパターンは、例えば、図７中のいずれのパタ
ーンと同様にしてもよい。

【００９８】赤外線吸収部４４の４箇所（１箇所以上で
あればよい。）の部分が接続部５３を介して部材５０に
固定されることにより、部材５０の上方に間隔（部材５
０と赤外線吸収部４４の平面部５３との間の間隔）Ｌ１
をあけて部材５０と実質的に平行に配置されている。本
実施の形態では、赤外線吸収部４４の各部及び接続部５
３は、例えば厚さ３０００オングストロームのＳｉＮ膜
で一体に形成されている。

【００９９】前記間隔Ｌ１は、ｎを奇数、入射赤外線ｉ
の所望の波長域の中心波長をλ_０として、実質的にｎλ
_０／４となるように設定されている。本実施の形態で
は、具体的には、λ_０を１０μｍ、ｎを１として、間隔
Ｌ１は約２．５μｍに設定されているが、これに限定さ
れるものではない。

【０１００】基板４１には、可動電極部としての部材５
０と対向するように、金属膜からなる固定電極部５４が
設けられている。固定電極部５４の上面は、必要に応じ
て誘電体膜で覆ってもよい。また、基板４１には、この
固定電極部５４の下側にこの電極５４と電気的に接続さ
れた拡散層５５が形成されるとともに、脚部４２，４３
のコンタクト部４２ａ，４３ａ付近の下側に拡散層５６
が形成されている。脚部４２，４３上にはそれぞれ、Ａ
ｌ膜４９と拡散層５６との間（ひいては、可動電極部と
しての部材５０と拡散層５６との間）を電気的に接続す
る配線層５７が形成されている。コンタクト部４２ａ，
４３ａにはそれぞれ開口が形成され、これらの開口を介
して配線層５７が拡散層５６と電気的に接続されるよう
になっている。

【０１０１】本実施の形態による放射検出装置は、前述
した第１の実施の形態と同様に、膜の形成及びパターニ
ング、犠牲層の形成及び除去などの半導体製造技術を利
用して、製造することができる。

【０１０２】本実施の形態による放射検出装置では、上
方から目標物体からの赤外線ｉが入射すると、入射した
赤外線ｉは赤外線吸収部４４で一部吸収され、残りは赤
外線反射部としての部材５０で反射され赤外線吸収部４
４で反射し再度部材５０に入射する。このため、赤外線
吸収部４４と部材５０との間で干渉現象が起こり、両者
の間隔Ｌ１が入射赤外線ｉの所望の波長域の中心波長の
１／４の略奇数倍とされているので、赤外線吸収部４４
での赤外線吸収がほぼ最大となり、赤外線吸収部４４に
おける赤外線の吸収率が高まる。したがって、赤外線吸
収部４４の厚みを薄くしてその熱容量を小さくしても、
赤外線の吸収率を高めることができる。その結果、検出
感度及び検出応答性の両方を高めることができる。

【０１０３】そして、赤外線吸収部４４で発生した熱が
変位部４５，４６に伝わり、この熱に応じてカンチレバ
ーを構成している変位部４５，４６が下方に湾曲して傾
斜する。このため、部材５０が、赤外線吸収部４４との
相対的な位置関係（すなわち、間隔Ｌ１）を保ったま
ま、入射した赤外線ｉの量に応じた量だけ基板４１の面
に対して傾き、可動電極部としての部材５０と固定電極
部５４との間の距離が変化する。これにより、部材５０
と固定電極部５４との間の静電容量の値が変化し、入射
赤外線量を拡散層５５，５６間から静電容量の変化とし
て検出することができる。なお、図面には示していない
が、拡散層５５，５６はその静電容量を読み出す読み出
し回路に接続されている。

【０１０４】なお、図面には示していないが、変位部４
５，４６、脚部４２，４３、電極部５０，５４及び赤外
線吸収部４４を単位素子（画素）として、この画素が基
板４１上に１次元状又は２次元状に配置されており、前
記読み出し回路から赤外線画像信号が得られる。

【０１０５】また、本実施の形態では、前述したよう
に、赤外線吸収部４４が前記第１の実施の形態における
反射板６と同様の薄膜部材で構成されているので、赤外
線吸収部４４の所望の機械的強度を確保しつつ、赤外線
吸収部４４の膜厚を薄くすることができる。このため、
この点からも、赤外線吸収部４４の軽量化を図ることが
できるので、検出感度及び検出応答性を高めることがで
きる。

【０１０６】本実施の形態では、部材５０は平面部のみ
で構成されているが、放射吸収部４４と同様に、平面部
と該平面部に混在するように形成された凸条部とを有す
る薄膜部材で構成してもよい。

【０１０７】また、本実施の形態を次のように変形し
て、光読み出し型の放射検出装置としてもよい。すなわ
ち、拡散領域５５，５６、固定電極５４及び配線層５７
を取り除き、部材４４をＡｌ膜で構成し、この部材４４
に、上方から入射する読み出し光を反射する反射板、及
び、基板４１を透過して下方から入射する赤外線をほぼ
反射する赤外線反射部、を兼用させる。そして、膜４９
をＳｉＮ膜で構成して、部材５０を赤外線吸収部とす
る。この場合、部材５０も、平面部と該平面部に混在す
るように形成された凸条部とを有する薄膜部材で構成し
てもよい。

【０１０８】以上、本発明の各実施の形態やその変形例
について説明したが、本発明はこれらに限定されるもの
ではない。例えば、膜の材料や寸法等は前述したものに
限定されない。

【０１０９】前記第１乃至第４の実施の形態は、本発明
による薄膜部材を光読み出し型の放射検出装置の反射板
に適用した例であり、前記第５の実施の形態は、本発明
による薄膜部材を静電容量型の放射検出装置の赤外線吸
収部や赤外線反射部に適用した例であったが、本発明に
よる薄膜部材の用途はこれらに限定されるものではな
く、マイクロマシンや微少な素子を有する各種のデバイ
スなどにおいて用いることができる。

【０１１０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
所望の機械的強度を確保しつつ膜厚を薄くすることがで
きる薄膜部材を提供することができる。

【０１１１】また、本発明によれば、所望の機械的強度
を確保しつつ膜厚を薄くすることができる薄膜部材を用
いることによって、感度等の特性の向上を図ることがで
きる放射検出装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態による放射検出装置
の単位画素を示す図である。

【図２】図１に示す放射検出装置の製造工程を示す概略
断面図である。

【図３】図１に示す放射検出装置を用いた映像化装置の
一例を示す概略構成図である。

【図４】本発明の第２の実施の形態による放射検出装置
の単位画素を示す概略断面図である。

【図５】本発明の第３の実施の形態による放射検出装置
の単位画素を示す概略断面図である。

【図６】本発明の第４の実施の形態による放射検出装置
の単位画素を示す概略断面図である。

【図７】平面視での凸条部のパターンの各例を模式的に
示す図である。

【図８】本発明の第５の実施の形態による静電容量型の
放射検出装置の単位画素を示す図である。

【符号の説明】１，４１基板２，４２，４３脚部３，４５，４６変位部６反射板８，５１平面部８ａ〜８ｅ平面部の領域８ｆ立ち下がり部８ｆ’ 立ち上がり部９，５２凸条部４４赤外線吸収部５０部材５４固定電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｈ０１Ｌ 27/14 ＺＫ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】空中に位置するように支持された平板状
部を備えた薄膜部材であって、前記平板状部は、１層又
は複数層の膜からなる平面部と、該平面部に混在するよ
うに形成され前記平面部の表面側又は裏面側に突出した
凸条部とを有することを特徴とする薄膜部材。
【請求項２】前記凸条部は、前記平面部を実質的に複
数の領域に区分するように形成されたことを特徴とする
請求項１記載の薄膜部材。
【請求項３】前記凸条部は、前記平面部を、前記平板
状部の周辺部分から隔てられた１つ以上の領域、及び、
当該各領域の周辺部分の一部が前記平板状部の周辺部分
の一部となる複数の領域に、実質的に区分するように、
形成されたことを特徴とする請求項１又は２記載の薄膜
部材。
【請求項４】前記凸条部は、前記平板状部の周辺部分
の任意の２点を結ぶ各仮想直線について、当該仮想直線
の全体に渡っては前記凸条部が位置することがないよう
に、形成されたことを特徴とする請求項１乃至３のいず
れかに記載の薄膜部材。
【請求項５】前記凸条部は、曲線状に形成された部分
を含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記
載の薄膜部材。
【請求項６】前記凸条部の少なくとも一部の断面形状
が、突出側と反対の側に開口する略コ字状であるか、あ
るいは、略中実形状であることを特徴とする請求項１乃
至５のいずれかに記載の薄膜部材。
【請求項７】前記凸条部は、前記平面部を構成する少
なくとも１層の膜からそれと同じ材料で連続して一体に
形成されたことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか
に記載の薄膜部材。
【請求項８】前記平面部の各領域の周辺部分のうち前
記平板状部の周辺部分となる部分の少なくとも一部に渡
って、当該平面部から立ち上がるかあるいは立ち下がる
立ち上がり部又は立ち下がり部が形成されたことを特徴
とする請求項１乃至７のいずれかに記載の薄膜部材。
【請求項９】基体と、該基体に支持され、放射を吸収
する放射吸収部にて発生した熱に応じて前記基体に対し
て変位する変位部と、該変位部に対して固定された変位
読み出し部材であって、前記変位部に生じた変位に応じ
た所定の変化を得るために用いられる変位読み出し部材
とを備えた放射検出装置において、前記変位読み出し部材が請求項１乃至８のいずれかに記
載の薄膜部材で構成されたことを特徴とする放射検出装
置。
【請求項１０】基体と、該基体に支持され、放射を吸
収する放射吸収部にて発生した熱に応じて前記基体に対
して変位する変位部とを備えた放射検出装置において、前記放射吸収部が入射した放射の一部を反射する特性を
有し、ｎを奇数、前記放射の所望の波長域の中心波長をλ_０と
して、前記放射吸収部から実質的にｎλ_０／４の間隔を
あけて配置され前記放射を略々全反射する放射反射部を
備え、前記放射吸収部及び前記放射反射部の少なくとも一方が
請求項１乃至８のいずれかに記載の薄膜部材で構成され
たことを特徴とする放射検出装置。