JP2002140841A - 光ディスクの原盤作製方法及び光ディスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レーザビームの強度分布に依存せず、側壁傾
斜角度θの大きなピットを形成することができる光ディ
スクの原盤作製方法及び光ディスクを提供する。 【解決手段】 レーザビーム４による信号記録後、露光
されなかったレジスト膜表面をシリル化し、シリル化さ
れた膜１４をマスクにドライ現像し、側壁傾斜角度の大
きいピット１６を形成し、ディスクの高密度化を図る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、な光ディスクを作
製する光ディスクの原盤作製方法とそのディスクに関す
る。さらには、本発明は、上記光ディスクの原盤作製方
法により製造された光ディスクの原盤を利用した金属ス
タンパー作製方法、さらに、光ディスク作製方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】ＣＤやＤＶＤのような情報があらかじめ
凹凸の形で記録された、いわゆるＲＯＭ型の光ディスク
において、さらに記録密度を上げようとする試みが行な
われている。記録密度を上げるためには、トラック方向
又は接線方向にピットと呼ばれる凹状の窪みの間隔を詰
めて記録し、かつ、ピットを出来る限り小さく作る必要
がある。ピットの大きさは、記録レーザビームの波長と
記録レンズの開口数（Ｎ．Ａ．）によって規定される記
録スポットの大きさで決定される。開口数（Ｎ．Ａ．）
の記録レンズに波長λのガウシャン分布のレーザビーム
が入射すると、焦点位置でのスポットの大きさΦは、最
大パワーの１／ｅ²のところで Φ＝（４／π）λ／（Ｎ．Ａ．） となる。そのため、小さなスポットを得るために、可能
な限り小さいレーザビームの波長λと、可能な限り大き
い開口数（Ｎ．Ａ．）のレンズとが選ばれる。また、高
精細度の映画を２時間以上記録するには、信号圧縮して
も、２０ＧＢ以上が必要である。光ディスクの１つの面
で２０ＧＢ以上の容量を得るには、ピット幅は０．２μ
ｍ以下が必要とされ、レーザビーム波長は３００ｎｍ以
下、記録レンズの開口数（Ｎ．Ａ．）は０．９以上が必
要になる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】従来のピット形成方法
は、レーザビームによる照射により露光された露光部の
レジストをアルカリ可溶にし、しかる後に、アルカリ現
像液をレジストにかけて上記露光部を溶かすものであっ
た。そのため、ピット部分は、露光されるレーザビーム
の強度分布に依存した溶解性を持ち、図４のようなピッ
ト断面を形成していた。

【０００４】よって、実際のピットは、前式に示す寸法
通りに出来るのではなく、図４に示すように、ピット８
０の側壁８０ａはガラス盤の表面に対して角度θの傾斜
のある形となる。図４の上側は記録レーザビームの強度
分布のグラフ２６であり、縦軸は記録レーザビームの強
度、横軸はピット部分の位置をそれぞれ示す。図４の下
側はそれに対応する現像後のピット部分の断面図であ
る。ピット部分の断面図において、２７はガラス盤、２
８はガラス盤２７上のポジトーンのレジストより構成す
るレジスト膜である。図４の強度分布のグラフ２６にお
ける強度レベルＡは、現像でレジスト膜２８がエッチン
グされ始める閾値を示し、強度レベルＢは現像後にレジ
スト膜２８の膜全部が除去される強度レベルを示す。

【０００５】実際のレーザビームが、図４に示すような
ガウシャン分布に近い強度分布を持っており、かつ、レ
ジスト膜２８は、その特性として強度レベルＡとＢが同
一値ではないため、形成されるピット８０は図４に示す
ような傾斜を持つことになる。このように傾斜を生じる
特性をγ特性といい、γ値が大きいほど強度レベルＡと
Ｂの差が無くなり、出来るピット８０の側壁８０ａの傾
斜角度は立ってくる。高密度光ディスクを作るレジスト
はγ値の大きいほど有利であるが、入手できる一番大き
なレジストを使っても、出来るピットの側壁の傾斜角度
は７０゜以下が限界であった。ピットの側壁傾斜角度が
小さければ、つまり側壁の傾斜角度が寝ていれば、開口
部での寸法が大きくなり、再生時にクロストークや符号
間干渉を起すことになるといった問題がある。

【０００６】従って、本発明の目的は、上記問題を解決
することにあって、レーザビームの強度分布に依存せ
ず、側壁傾斜角度θの大きなピットを形成することがで
きる光ディスクの原盤作製方法及び光ディスクを提供す
ることにある。また、本発明は、レーザビームの強度分
布に依存せず、側壁傾斜角度θの大きなピットを形成す
ることができる、光ディスクの原盤作製方法により製造
された光ディスクの原盤を利用した金属スタンパー作製
方法、さらに、光ディスク作製方法に関するものであ
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は以下のように構成する。

【０００８】本発明の第１態様によれば、フォトレジス
ト膜が形成されかつ回転するガラス盤に、信号変調され
記録レンズによって絞られたレーザビームを上記ガラス
盤の半径方向に沿って上記フォトレジスト膜に照射して
上記フォトレジスト膜を露光させて露光部を形成し、そ
の後、上記レーザビームが照射されず露光されなかった
上記フォトレジスト膜の未露光部の表面にシリコン化合
物を形成し、上記シリコン化合物をマスクとする現像に
よって上記露光部に側壁傾斜角度が７０度以上のピット
を形成して光ディスクの原盤を作製する光ディスクの原
盤作製方法を提供する。

【０００９】本発明の第２態様によれば、上記レーザビ
ームが照射されなかった上記フォトレジスト膜の上記未
露光部の表面に上記シリコン化合物を形成するとき、上
記レーザビームの照射により形成された上記露光部のフ
ォトレジストを架橋させ、その後、有機Ｓｉガス雰囲気
中で上記フォトレジスト膜の上記露光部以外の架橋され
なかった上記未露光部の表面のみをシリル化して上記シ
リコン化合物を形成するとともに、上記シリコン化合物
を上記マスクとする現像によって上記露光部に上記側壁
傾斜角度が大きい上記ピットを形成するとき、上記シリ
ル化された上記未露光部を上記マスクとして酸素プラズ
マにより上記露光部をエッチングして除去するようにし
た第１の態様に記載の光ディスクの原盤作製方法を提供
する。

【００１０】本発明の第３態様によれば、上記フォトレ
ジスト膜が露光で架橋反応を起こすレジストから構成さ
れ、上記有機Ｓｉガスがヘキサメチルジシラザン（ＨＭ
ＤＳ）である第２の態様に記載の光ディスクの原盤作製
方法を提供する。

【００１１】本発明の第４態様によれば、フォトレジス
ト膜が形成された回転するガラス盤に、信号変調され記
録レンズによって絞られたレーザビームを上記ガラス盤
の半径方向に沿って上記フォトレジスト膜に照射して上
記フォトレジスト膜を露光させて露光部を形成し、その
後、上記レーザビームが照射されず露光されなかった上
記フォトレジスト膜の未露光部の表面にシリコン化合物
を形成し、上記シリコン化合物をマスクとして酸素プラ
ズマによる現像によって上記露光部に側壁傾斜角度が７
０度以上のピットを形成して光ディスクの原盤を作製
し、その後、上記光ディスクの上記原盤の上記フォトレ
ジスト膜の表面全体を導電化処理した後、ニッケル電鋳
により、上記ピットに対応する突起部を有する金属膜を
堆積させることにより金属スタンパーが作製されるよう
にした金属スタンパー作製方法を提供する。

【００１２】本発明の第５態様によれば、上記未露光部
にシリコン化合物を形成するとき、上記レーザビームの
照射により形成された上記露光部のフォトレジストを架
橋させ、その後、有機Ｓｉガス雰囲気中で上記フォトレ
ジスト膜の上記露光部以外の架橋されなかった上記未露
光部の表面のみをシリル化して上記シリコン化合物を形
成する第４の態様に記載の金属スタンパー作製方法を提
供する。

【００１３】本発明の第６態様によれば、上記フォトレ
ジスト膜が露光で架橋反応を起こすレジストより構成さ
れ、上記有機Ｓｉガスがヘキサメチルジシラザン（ＨＭ
ＤＳ）である第５の態様に記載の金属スタンパー作製方
法を提供する。

【００１４】本発明の第７態様によれば、第４〜６のい
ずれか１つの態様に記載の金属スタンパーを作製する方
法により作製された金属スタンパーを提供する。

【００１５】本発明の第８態様によれば、フォトレジス
ト膜が形成された回転するガラス盤に、信号変調され記
録レンズによって絞られたレーザビームを上記ガラス盤
の半径方向に沿って照射して上記フォトレジスト膜を露
光させて露光部を形成し、その後、上記レーザビームが
照射されず露光されなかった上記フォトレジスト膜の未
露光部の表面にシリコン化合物を形成し、上記シリコン
化合物をマスクとして酸素プラズマによる現像によって
上記露光部に側壁傾斜角度が７０度以上のピットを形成
して光ディスクの原盤を作製し、その後、上記光ディス
クの原盤の上記フォトレジスト膜の表面全体を導電化処
理した後、ニッケル電鋳により、上記ピットに対応する
突起部を有する金属膜を堆積させることにより金属スタ
ンパーを作製し、上記スタンパーを使用して射出成形で
プラスチックのレプリカディスクを作製し、上記レプリ
カディスクに記録膜又は反射膜を付け、その後、この記
録膜又は反射膜を有する上記レプリカディスクに、別の
レプリカディスクを貼り合せて、の光ディスクを作製す
る光ディスク作製方法を提供する。

【００１６】本発明の第９態様によれば、上記未露光部
にシリコン化合物を形成するとき、上記レーザビームの
照射により形成された上記露光部のフォトレジストを架
橋させ、その後、有機Ｓｉガス雰囲気中で上記フォトレ
ジスト膜の上記露光部以外の架橋されなかった上記未露
光部の表面のみをシリル化して上記シリコン化合物を形
成する第８の態様に記載の光ディスク作製方法を提供す
る。

【００１７】本発明の第１０態様によれば、上記フォト
レジスト膜が露光で架橋反応を起こすレジストより構成
され、上記有機Ｓｉガスがヘキサメチルジシラザン（Ｈ
ＭＤＳ）である第９の態様に記載の光ディスク作製方法
を提供する。

【００１８】本発明の第１１態様によれば、請求項８〜
１０のいずれか１つに記載の光ディスク作製方法により
作製されたの光ディスクを提供する。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下に、本発明にかかる実施の形
態を図面に基づいて詳細に説明する。

【００２０】本発明の一実施形態にかかる光ディスク
（例えば高密度光ディスク）の原盤作製方法は、フォト
レジストが塗布されるなどしてフォトレジスト膜１１が
形成されかつ回転するガラス盤８に、信号変調され記録
レンズ６によって絞られたレーザビーム４を上記ガラス
盤８の半径方向に沿って上記フォトレジスト膜１１に照
射して上記フォトレジスト膜１１を露光させて露光部１
２を形成する工程と、その後、上記レーザビーム４が照
射されず露光されなかった上記フォトレジスト膜１１の
未露光部１１Ａの表面にシリコン化合物の膜１４を形成
する工程と、上記シリコン化合物の膜１４をマスクとす
るドライ現像によって上記露光部１２に側壁１６ａの傾
斜角度が大きい（例えば、側壁傾斜角度が７０゜を越え
るような大きい）ピット１６を形成する工程とを備え
て、高密度光ディスクの原盤を作製するように構成して
いる。この原盤より、後述するスタンパー１８を作製す
ることができる。

【００２１】また、上記高密度光ディスクの原盤作製方
法において、上記レーザビーム４が照射されなかった上
記フォトレジスト膜１１の上記未露光部１１Ａの表面に
上記シリコン化合物の膜１１を形成する工程では、上記
レーザビーム４の照射により形成された上記露光部１２
のフォトレジストを架橋させ、その後、有機Ｓｉガス雰
囲気中で上記フォトレジスト膜１１の上記露光部１２以
外の架橋されなかった上記未露光部１１Ａの表面のみを
シリル化してシリコン化合物の膜１１を形成することが
できる。また、上記シリコン化合物の膜１１を上記マス
クとする現像によって上記露光部に上記側壁１６ａの傾
斜角度が大きい上記ピット１６を形成する工程では、上
記シリル化された上記未露光部１１Ａを上記マスクとし
て酸素プラズマにより、上記露光部１２をエッチングし
て除去することができる。

【００２２】また、上記高密度光ディスクの原盤作製方
法において、上記フォトレジスト膜が露光で架橋反応を
起こすレジストより構成され、上記有機Ｓｉガスがヘキ
サメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）とすることもできる。

【００２３】また、上記高密度光ディスクの原盤作製方
法により、上記露光部に側壁傾斜角度が７０度以上のピ
ットを形成して上記高密度光ディスクの原盤を得たの
ち、上記高密度光ディスクの上記原盤のレジスト膜１１
の表面全体を導電化処理した後、ニッケル電鋳により、
上記ピット１６に対応する突起部１８Ａを有する金属膜
を堆積させることにより金属スタンパー１８を作製す
る。

【００２４】また、上記高密度光ディスクの原盤作製方
法により、上記露光部に側壁傾斜角度が７０度以上のピ
ットを形成して上記高密度光ディスクの原盤を得たの
ち、上記高密度光ディスクの上記原盤のレジスト膜１１
の表面全体を導電化処理した後、ニッケル電鋳により、
上記ピット１６に対応する突起部１８Ａを有する金属膜
を堆積させることにより金属スタンパー１８を作製した
のち、上記スタンパー１８を使用して射出成形でプラス
チックのレプリカディスク２２を作製し、上記レプリカ
ディスク２２に記録膜又は反射膜２３を付け、その後、
この記録膜又は反射膜２３を有する上記レプリカディス
ク２２に、別のレプリカディスク２２又は２５を貼り合
せて、高密度の光ディスクを作製する。

【００２５】以下、上記した実施形態にかかる高密度光
ディスクの原盤作製方法において、詳細に説明する。ま
ず、上記高密度光ディスクの原盤作製方法において上記
レーザビームの照射に使用するレーザビームレコーダに
ついて説明する。

【００２６】図１にレーザビームで信号を原盤に記録す
るレーザビームレコーダを示す。このレーザビームレコ
ーダは、ベース１の上に組み立てられていて、ベース１
は、レーザビームレコーダを設置する設置床からの振動
を防ぐために、４本の支柱２ａを有する空気式除振台２
で支えられている。よって、設置床からの振動は、空気
式除振台２により除去されてベース１側に伝達されない
ようにしている。記録レーザ３から出射されたレーザビ
ーム４は、光学系（詳細は図示省略）を通り、移動光学
系５に搭載された記録レンズ６に到達する。移動光学系
５はキャリッジ７の上に取付けられており、モータなど
の駆動装置７ａの駆動により原盤８の半径方向に沿って
移動する。原盤８は、回転テーブル９の上に搭載されて
一方向に回転する。一例として、主に原盤８にはガラス
盤などが用いられる。記録レンズ６を出たレーザビーム
４は回折限界近くまで絞られて、原盤８上のレジスト膜
１１（後述する図２参照。）を照射してレジスト膜１１
を露光させる。１０はレーザビーム４のビームスポット
のモニターであり、原盤８からの反射光４Ａをモニター
する。図１には原盤８を回転テーブル９に搭載させるロ
ボット４０が２点鎖線で示されている。

【００２７】次に、図２に、上記レーザビームレコーダ
を使用してレーザビームを照射する工程を含む、上記高
密度光ディスクの原盤作製方法を説明する。

【００２８】図２（ａ）は、図１の上記レーザビームレ
コーダにおいて、回転テーブル９により原盤８が回転さ
れながら、レーザビーム４が記録レンズ６によって絞ら
れて、回転テーブル９上の原盤８のフォトシレジスト膜
１１を照射してフォトシレジスト膜１１を露光している
状態を示している。原盤８には、フォトレジストが塗布
されてフォトシレジスト膜１１が形成されている。 上
記実施形態では、フォトシレジスト膜１１は露光で架橋
反応を起こすレジストを用いて形成されている。このと
き、レーザビーム４により照射されて露光された露光部
１２では架橋反応が生じている。

【００２９】次に、図２（ｂ）に示すように、原盤８
は、上記レーザビームレコーダから取り出されて、例え
ばヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）などの有機Ｓｉ
ガス雰囲気１３にさらし、有機Ｓｉガス雰囲気１３の雰
囲気温度を例えば１３０〜１５０℃に加熱する。このと
き、架橋されていない未露光部１１Ａのレジスト表面
に、有機Ｓｉガスのヘキサメチルジシラザンが拡散し、
未露光部１１Ａのレジストと反応してシリコン化合物を
形成する。このようなシリル化プロセスにより、未露光
部１１Ａのレジスト膜表面にはシリコン化合物の膜１４
がエッチング用のマスクとして形成される。架橋された
露光部１２にはヘキサメチルジシラザンの拡散が抑えら
れる結果、フォトレジスト膜１１にパターンが選択的に
形成される。

【００３０】次に、真空中で、図２（ｃ）のように酸素
によるプラズマ雰囲気１５にフォトレジスト膜１１をさ
らして、ドライ現像を行なう。このプラズマには、酸素
のイオンやラジカル種が含まれており、フォトレジスト
膜１１のフォトレジストを物理的及び化学的に削ってい
く。すなわち、フォトレジスト膜１１の露光部１２には
シリコン化合物の膜１４が無いので、露光部１２のレジ
ストはエッチングされ、ピット１６が形成される。この
露光部１２では、レーザビーム４による光反応と熱とで
架橋反応が起こっており、その架橋の状態は、図４の従
来例で示したように、レーザビーム４の強度分布に応じ
た架橋度合いになっている。従って、シリル化される割
合も、レーザビーム４の強度分布に対応してシリル化さ
れることになる。しかし、シリル化によって作られるシ
リコン化合物の膜１４はレジストと比較して耐エッチン
グ性が高く、あるレベル以上シリル化されたところは、
エッチングではほとんど削られない。そのため、形成さ
れるピット１６は、その側壁１６ａの原盤８の表面に対
する傾斜角度が大きいもの、すなわち、９０度に近くな
る。

【００３１】ドライ現像の方法は、酸素によるＲＩＥ
（反応性イオンエッチング）などの異方性の高いエッチ
ングが用いられ、露光部１２はほぼ垂直なエッジの形成
が可能である。光ディスクでは、後工程の成形性及び離
型性を考慮して、ピット１６の側壁１６ａにはある程度
の傾斜角度は必要である。そこで、ドライ現像時に、真
空度や酸素の流量、電極電圧などのパラメータを変える
ことにより、あるいはＡｒなどの他のガスを混合させる
ことにより、イオンによる物理的エッチングとラジカル
種による化学的エッチングの割合を制御し、ピット１６
の側壁１６ａの傾斜角度を制御することができる。一般
に、物理的エッチングは異方性が主体で、化学的エッチ
ングは等方性が主体となる。従来の湿式現像では、現像
時間の差によるエッチング進行度合いの差によることで
しか、ピット８０の側壁８０ａの形状を制御することが
出来なかったが、ドライ現像では、エッチングのパラメ
ータを変えることによって、ピット１６の側壁１６ａの
形状（側壁傾斜角度など）を制御することができ、ピッ
ト形状の最適化を図ることによって、再生信号の品質を
向上することが出来る。

【００３２】次に、図２（ｄ）に示すように、ピット１
６が形成された表面に、すなわち、未露光部１１Ａの上
のシリコン化合物の膜１４の表面、ピット１６の底面及
び側壁の各表面にそれぞれ導電性膜１７を付着させる。
一例としては、スパッタリングで、ニッケルの導電性膜
１７を形成する。

【００３３】次に、図２（ｅ）のように、導電性膜１７
を電極として、電鋳によりニッケル膜を堆積させる。堆
積されたニッケル膜が所望の厚みになれば、ニッケル製
の高密度スタンパー１８が完成する。この高密度スタン
パー１８の厚さは例えば約０.３ｍｍである。図２
（ｆ）は原盤８から剥離したスタンパー１８を示す。ス
タンパー１８の下面には導電性膜１７が形成されている
とともに、上記ピット１６に対応する部分に突起部１８
Ａが形成されている。

【００３４】図２では、スタンパー１８には突起部１８
Ａが１つしか表わされていないが、実際は、この突起部
１８Ａはスタンパー１８には数え切れないほどあり、間
欠的にかつ螺旋状にスタンパー１８の内周側から外周側
まで繋がっている。ここで、図５には従来の湿式現像に
より形成されるピット８０を、図６には、上記実施形態
にかかる高密度光ディスクの原盤作製方法のドライ現像
により形成されるピット１６を比較して示す。

【００３５】図５において、２７はガラス盤、２８はレ
ジスト膜である。湿式現像が進行するにつれてエッチン
グされるピット８０の形状は、図５の参照番号２９、３
０、３１と変化し、３２が最終形状である。

【００３６】一方、図６において、上記実施形態にかか
る高密度光ディスクの原盤作製方法のドライ現像により
形成されるピット１６は図２（ｃ）を拡大したものであ
る。

【００３７】図５から分かるように、従来の湿式現像方
法では、ピット８０の開口部付近ではその側壁８０ａの
傾斜角度は小さく、すなわち、ピット８０の開口部がだ
れて幅広くなる一方、ピット８０の底部では逆に側壁８
０ａの傾斜角度は大きくなる特徴がある。このピット底
部の大きな傾斜角度は、光ディスク成形時の離型性を悪
くすることになる。つまり、このピット底部がスタンパ
ーの突起部の先端部になるため、スタンパーを使用する
樹脂成形で出来た光ディスクがスタンパーから離れると
きにこの突起部の先端部が光ディスクの凹部に引っかか
ることになる。そのため、ピットエッジがだれた形状に
なり、光ディスクを目で見ると、部分的に雲がかかった
ように見える。この現象はクラウドと呼ばれる。

【００３８】これに対して、図６に示すような上記実施
形態にかかるドライ現像によるピット１６では、その側
壁１６ａの傾斜はほぼ直線状で開口部は狭く高密度化に
適し、かつ、その底部も適当な傾斜角度を有するため、
光ディスクの成形時の離型性を損なわない。

【００３９】図３は、上記高密度光ディスクの原盤作製
方法により作製された原盤である上記高密度スタンパー
１８から光ディスクを作る工程を模式的に示す。図３
（ａ）の１９は成形機の金型で、スタンパー１８が取付
けられている。２０は移動金型であり、合成樹脂２１が
スタンパー１８と移動金型２０との間に注入されたの
ち、移動金型２０が成形機の金型１９の方に向けて移動
して加圧されるようにしている。

【００４０】次に、加圧成形後、移動金型２０が開き、
図３（ｂ）のように、スタンパー１８の多数の突起部１
８Ａによる凹凸が転写されてディスク状に成形されたレ
プリカディスク２２がスタンパー１８から剥離される。
次に、詳細は省略するが、レプリカディスク２２の凹凸
面に記録膜又は反射膜２３がスパッタリングにより形成
される。

【００４１】そして、図３（ｃ）に示すように、レプリ
カディスク２２の記録膜又は反射膜２３に、接着層２４
を介して、信号の記録されていない合成樹脂のダミーデ
ィスク２５が貼り合わされる。レプリカディスク２２と
ダミーディスク２５はその厚みが同じ場合と違う場合が
ある。それは、記録再生系を含めた、高密度光ディスク
を取り扱う全体的なシステムで最適構造が決定される。
記録膜又は反射膜２３がアルミニウムなどの反射膜の場
合は、光ディスクはＲＯＭ型の再生専用光ディスクとな
り、記録膜又は反射膜２３が相変化材料や有機色素など
の記録膜の場合は、ＤＶＤ−ＲＡＭ又はＤＶＤ−Ｒなど
の記録可能光ディスクとなる。図３（ｃ）は片面のみに
信号が記録されている構造の光ディスクを示している
が、ダミーディスク２５の代わりに、信号が記録されて
いる光ディスクとすることにより、両面再生又は片面か
ら２層再生可能な光ディスクとしてもよい。

【００４２】上記実施形態によれば、未露光部１１Ａに
シリル化によるエッチング耐性の高いシリコン化合物の
膜１４より構成されるマスクを形成し、酸素プラズマの
ドライ現像により、シリル化されていない露光部１２を
エッチングして除去するため、側壁１６ａの傾斜角度の
大きいピット１６を形成することが出来る。側壁１６ａ
の傾斜角度の一例としては、７０゜を越えるような大き
い角度の側壁１６ａを形成することが可能となる。その
ため、この原盤を利用してスタンパー１８を作製して光
ディスクを作製すれば、信号のトラックピッチを詰める
ことが出来、光ディスクの高密度化を図ることができ
る。

【００４３】また、ピット１６を形成する現像工程にお
いて、従来のような湿式現像ではなく、酸素プラズマを
主体とするドライエッチングのドライ現像であるため、
エッチング形状の制御ができる。そのため、ピット形状
の最適化を図ることが出来、再生信号品質を向上させる
ことが出来る。

【００４４】また、ピット１６の側壁１６ａの傾斜角度
の形状を最適化することによって、成形時の成形性及び
離型性のよい高密度光ディスクを作製することができ
る。さらに、従来の湿式現像のピットのように底部で角
度が急な形状にはならず、離型性が悪化することがな
い。

【００４５】

【発明の効果】本発明による光ディスクの原盤作製方法
は、未露光部にシリル化によりエッチング耐性の高いマ
スクを形成し、例えば酸素プラズマなどのドライ現像に
より、露光部のシリル化されていないところをエッチン
グで除去するため、側壁傾斜角度の大きいピットを形成
することが出来る。そのため、この原盤を利用してスタ
ンパーを作製して光ディスクを作製すれば、信号のトラ
ックピッチを詰めることが出来、光ディスクの高密度化
が図れる。

【００４６】また、ピットを形成するドライ現像工程に
おいて、従来の湿式ではなく、酸素プラズマを主体とす
るドライエッチングを使用する場合には、エッチング形
状の制御ができる。そのため、ピット形状の最適化を図
ることが出来、再生信号品質を向上させることが出来
る。

【００４７】また、ピット側壁傾斜角度の形状を最適化
することによって、成形時の成形性及び離型性のよい光
ディスクを実現できる。かつ、従来の湿式現像のピット
のように底部で角度が急な形状にはならず、離型性が悪
化することがない。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施形態にかかる光ディスクの原
盤作製方法で使用するレーザビームレコーダの斜視図で
ある。

【図２】 （ａ）〜（ｆ）は上記実施形態にかかる光デ
ィスクの原盤作製方法のそれぞれの工程の模式図であ
る。

【図３】 （ａ）〜（ｃ）は上記実施形態にかかる光デ
ィスクの原盤作製方法により作製された原盤を使用して
光ディスクを製作する光ディスク製作工程の模式図であ
る。

【図４】 従来工法でのピット形成説明図であって、上
側は記録レーザビームの強度分布のグラフ、下側はそれ
に対応する現像後のピットの断面図である。

【図５】 従来の湿式現像により形成されるピット形状
を説明する断面図である。

【図６】 上記実施形態にかかるドライ現像により形成
されるピット形状を説明する断面図である。

【符号の説明】

１…ベース、２…空気式除振台、３…記録レーザ、４…
レーザビーム、５…移動光学系、６…記録レンズ、７…
キャリッジ、７ａ…駆動装置、８…原盤、９…回転テー
ブル、１０…ビームスポットモニタ、１１…フォトレジ
スト膜、１１Ａ…未露光部、１２…露光部、１３…有機
ガス雰囲気、１４…シリコン化合物の膜、１５…エッチ
ングガス、１６…ピット、１６ａ…側壁、１７…導電性
膜、１８…スタンパー、１９…成形機金型、２０…移動
金型、２１…樹脂、２２…レプリカディスク、２３…記
録膜又は反射膜、２４…接着層、２５…ダミーディス
ク、２６…レーザビームの強度分布、２７…ガラス盤、
２８…ポジトーンレジスト膜、２９…ピット形状、３０
…ピット形状、３１…ピット形状、３２…ピット形状、
４０…ロボット。

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 フォトレジスト膜が形成されかつ回転す
   るガラス盤に、信号変調され記録レンズによって絞られ
   たレーザビームを上記ガラス盤の半径方向に沿って上記
   フォトレジスト膜に照射して上記フォトレジスト膜を露
   光させて露光部を形成し、 その後、上記レーザビームが照射されず露光されなかっ
   た上記フォトレジスト膜の未露光部の表面にシリコン化
   合物を形成し、 上記シリコン化合物をマスクとするドライ現像によって
   上記露光部に側壁傾斜角度が７０度以上のピットを形成
   して光ディスクの原盤を作製する光ディスクの原盤作製
   方法。
2. 【請求項２】 上記レーザビームが照射されなかった上
   記フォトレジスト膜の上記未露光部の表面に上記シリコ
   ン化合物を形成するとき、上記レーザビームの照射によ
   り形成された上記露光部のフォトレジストを架橋させ、
   その後、有機Ｓｉガス雰囲気中で上記フォトレジスト膜
   の上記露光部以外の架橋されなかった上記未露光部の表
   面のみをシリル化して上記シリコン化合物を形成すると
   ともに、 上記シリコン化合物を上記マスクとする現像によって上
   記露光部に上記側壁傾斜角度が大きい上記ピットを形成
   するとき、上記シリル化された上記未露光部を上記マス
   クとして酸素プラズマにより上記露光部をエッチングし
   て除去するようにした請求項１に記載の光ディスクの原
   盤作製方法。
3. 【請求項３】 上記フォトレジスト膜が露光で架橋反応
   を起こすレジストから構成され、上記有機Ｓｉガスがヘ
   キサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）である請求項２に記
   載の光ディスクの原盤作製方法。
4. 【請求項４】 フォトレジスト膜が形成された回転する
   ガラス盤に、信号変調され記録レンズによって絞られた
   レーザビームを上記ガラス盤の半径方向に沿って上記フ
   ォトレジスト膜に照射して上記フォトレジスト膜を露光
   させて露光部を形成し、 その後、上記レーザビームが照射されず露光されなかっ
   た上記フォトレジスト膜の未露光部の表面にシリコン化
   合物を形成し、 上記シリコン化合物をマスクとして酸素プラズマによる
   現像によって上記露光部に側壁傾斜角度が７０度以上の
   ピットを形成して光ディスクの原盤を作製し、 その後、上記光ディスクの上記原盤の上記フォトレジス
   ト膜の表面全体を導電化処理した後、ニッケル電鋳によ
   り、上記ピットに対応する突起部を有する金属膜を堆積
   させることにより金属スタンパーが作製されるようにし
   た金属スタンパー作製方法。
5. 【請求項５】 上記未露光部にシリコン化合物を形成す
   るとき、上記レーザビームの照射により形成された上記
   露光部のフォトレジストを架橋させ、その後、有機Ｓｉ
   ガス雰囲気中で上記フォトレジスト膜の上記露光部以外
   の架橋されなかった上記未露光部の表面のみをシリル化
   して上記シリコン化合物を形成する請求項４に記載の金
   属スタンパー作製方法。
6. 【請求項６】 上記フォトレジスト膜が露光で架橋反応
   を起こすレジストより構成され、上記有機Ｓｉガスがヘ
   キサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）である請求項５に記
   載の金属スタンパー作製方法。
7. 【請求項７】 請求項４〜６のいずれか１つに記載の金
   属スタンパーを作製する方法により作製された金属スタ
   ンパー。
8. 【請求項８】 フォトレジスト膜が形成された回転する
   ガラス盤に、信号変調され記録レンズによって絞られた
   レーザビームを上記ガラス盤の半径方向に沿って照射し
   て上記フォトレジスト膜を露光させて露光部を形成し、 その後、上記レーザビームが照射されず露光されなかっ
   た上記フォトレジスト膜の未露光部の表面にシリコン化
   合物を形成し、上記シリコン化合物をマスクとして酸素
   プラズマによる現像によって上記露光部に側壁傾斜角度
   が７０度以上のピットを形成して光ディスクの原盤を作
   製し、 その後、上記光ディスクの原盤の上記フォトレジスト膜
   の表面全体を導電化処理した後、ニッケル電鋳により、
   上記ピットに対応する突起部を有する金属膜を堆積させ
   ることにより金属スタンパーを作製し、 上記スタンパーを使用して射出成形でプラスチックのレ
   プリカディスクを作製し、 上記レプリカディスクに記録膜又は反射膜を付け、その
   後、この記録膜又は反射膜を有する上記レプリカディス
   クに、別のレプリカディスクを貼り合せて、の光ディス
   クを作製する光ディスク作製方法。
9. 【請求項９】 上記未露光部にシリコン化合物を形成す
   るとき、上記レーザビームの照射により形成された上記
   露光部のフォトレジストを架橋させ、その後、有機Ｓｉ
   ガス雰囲気中で上記フォトレジスト膜の上記露光部以外
   の架橋されなかった上記未露光部の表面のみをシリル化
   して上記シリコン化合物を形成する請求項８に記載の光
   ディスク作製方法。
10. 【請求項１０】 上記フォトレジスト膜が露光で架橋反
    応を起こすレジストより構成され、上記有機Ｓｉガスが
    ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）である請求項９に
    記載の光ディスク作製方法。
11. 【請求項１１】 請求項８〜１０のいずれか１つに記載
    の光ディスク作製方法により作製されたの光ディスク。