JP2002137964A - 誘電体磁器およびこれを用いた誘電体共振器 - Google Patents
誘電体磁器およびこれを用いた誘電体共振器Info
- Publication number
- JP2002137964A JP2002137964A JP2000331417A JP2000331417A JP2002137964A JP 2002137964 A JP2002137964 A JP 2002137964A JP 2000331417 A JP2000331417 A JP 2000331417A JP 2000331417 A JP2000331417 A JP 2000331417A JP 2002137964 A JP2002137964 A JP 2002137964A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- plane
- peak intensity
- weight
- parts
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】比誘電率を大きな値に保持したままＱｆの高い
誘電体磁器を得る。 【解決手段】金属元素として少なくともＢａ、Ｔｉを含
有し、これらの金属酸化物のモル比による組成式をＢａ
Ｏ−ｘＴｉＯ2と表した時、上記ｘが３．９≦ｘ≦４．
１を満足する主成分１００重量部に対して、ＺｎをＺｎ
Ｏ換算で１〜２０重量部含有し、かつＸ線回折ピーク強
度がＢａ4Ｔｉ13Ｏ30の（０４０）面帰属ピーク強度を
Ａ、ＢａＴｉ4Ｏ9の（１２１）面帰属ピーク強度をＢお
よびＢａ3Ｔｉ12Ｚｎ7Ｏ34の（１１４）面帰属ピーク強
度をＣとしたとき、０．０１≦Ａ／Ｂ≦０．２０、０．
０５≦Ｃ／Ｂ≦０．５０とする。
誘電体磁器を得る。 【解決手段】金属元素として少なくともＢａ、Ｔｉを含
有し、これらの金属酸化物のモル比による組成式をＢａ
Ｏ−ｘＴｉＯ2と表した時、上記ｘが３．９≦ｘ≦４．
１を満足する主成分１００重量部に対して、ＺｎをＺｎ
Ｏ換算で１〜２０重量部含有し、かつＸ線回折ピーク強
度がＢａ4Ｔｉ13Ｏ30の（０４０）面帰属ピーク強度を
Ａ、ＢａＴｉ4Ｏ9の（１２１）面帰属ピーク強度をＢお
よびＢａ3Ｔｉ12Ｚｎ7Ｏ34の（１１４）面帰属ピーク強
度をＣとしたとき、０．０１≦Ａ／Ｂ≦０．２０、０．
０５≦Ｃ／Ｂ≦０．５０とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波、ミリ
波等の高周波領域において、高いＱ値を有する誘電体磁
器に関するものであり、例えば、マイクロ波やミリ波な
どの高周波領域において使用される種々の共振器用材料
やＭＩＣ（Monolithic IC）用誘電体基板材料、誘電体
導波路用材料や積層型セラミックコンデンサ等に用いる
ことができる誘電体磁器およびこれを用いた誘電体共振
器に関する。
波等の高周波領域において、高いＱ値を有する誘電体磁
器に関するものであり、例えば、マイクロ波やミリ波な
どの高周波領域において使用される種々の共振器用材料
やＭＩＣ（Monolithic IC）用誘電体基板材料、誘電体
導波路用材料や積層型セラミックコンデンサ等に用いる
ことができる誘電体磁器およびこれを用いた誘電体共振
器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、誘電体磁器は、マイクロ波やミリ
波等の高周波領域において、誘電体共振器、ＭＩＣ用誘
電体基板や導波路等に広く利用されている。
波等の高周波領域において、誘電体共振器、ＭＩＣ用誘
電体基板や導波路等に広く利用されている。
【０００３】従来より、この誘電体磁器としては、例え
ば特開平１０−１３６０号公報に開示されているような
ものが知られている。この公報に開示される誘電体磁器
は、ＢａＯ−ｘＴｉＯ2（３．９≦ｘ≦４．１）の組成
物１００重量部に対して、ＺｎをＺｎＯ換算で１〜２０
重量部、ＣｕをＣｕＯ換算で０．０１〜７重量部添加含
有して成るものである。
ば特開平１０−１３６０号公報に開示されているような
ものが知られている。この公報に開示される誘電体磁器
は、ＢａＯ−ｘＴｉＯ2（３．９≦ｘ≦４．１）の組成
物１００重量部に対して、ＺｎをＺｎＯ換算で１〜２０
重量部、ＣｕをＣｕＯ換算で０．０１〜７重量部添加含
有して成るものである。
【０００４】このような誘電体磁器では、比誘電率が３
０〜４２でＱｆが４００００〜５２０００ＧＨｚであ
り、共振周波数の温度係数τfを−１５〜＋１５ｐｐｍ
／℃、共振周波数の温度係数の曲がり（以下、温度ドリ
フト△τfと称す）−２〜＋２ｐｐｍ／℃の範囲で制御
することができる。
０〜４２でＱｆが４００００〜５２０００ＧＨｚであ
り、共振周波数の温度係数τfを−１５〜＋１５ｐｐｍ
／℃、共振周波数の温度係数の曲がり（以下、温度ドリ
フト△τfと称す）−２〜＋２ｐｐｍ／℃の範囲で制御
することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】近年、誘電体共振器や
ＭＩＣ用誘電体基板等は、その使用周波数がますます高
い高周波となり、この誘電体共振器等に用いられている
誘電体磁器も高周波領域において誘電損失が小さくなる
ようにＱｆをより一層高くすることが望まれている。
ＭＩＣ用誘電体基板等は、その使用周波数がますます高
い高周波となり、この誘電体共振器等に用いられている
誘電体磁器も高周波領域において誘電損失が小さくなる
ようにＱｆをより一層高くすることが望まれている。
【０００６】しかしながら、上記特開平１０−１３６０
号公報に開示されている誘電体磁器ではＱｆが４０００
０〜５２０００ＧＨｚと未だ低いという問題があった。
号公報に開示されている誘電体磁器ではＱｆが４０００
０〜５２０００ＧＨｚと未だ低いという問題があった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記問題点
を解決すべく鋭意検討した結果、Ｂａ−Ｔｉ系誘電体磁
器においてＺｎおよび必要に応じてＣｕを所定量添加含
有するとともに得られる誘電体磁器のＢａ4Ｔｉ13Ｏ30
の（０４０）面帰属ピーク強度、ＢａＴｉ4Ｏ9の（１２
１）面帰属ピーク強度およびＢａ3Ｔｉ12Ｚｎ7Ｏ34の
（１１４）面帰属ピーク強度の比を所定範囲としておく
と、誘電体磁器の比誘電率が３０〜４２、Ｑｆが５３０
００〜５７０００ＧＨｚで、且つ共振周波数の温度係数
τfを−１５〜＋１５ｐｐｍ／℃の範囲に、−４０〜８
５℃における温度ドリフト△τfを−２〜＋２ｐｐｍ／
℃の範囲に制御することができることを見出し、本発明
に至ったのである。
を解決すべく鋭意検討した結果、Ｂａ−Ｔｉ系誘電体磁
器においてＺｎおよび必要に応じてＣｕを所定量添加含
有するとともに得られる誘電体磁器のＢａ4Ｔｉ13Ｏ30
の（０４０）面帰属ピーク強度、ＢａＴｉ4Ｏ9の（１２
１）面帰属ピーク強度およびＢａ3Ｔｉ12Ｚｎ7Ｏ34の
（１１４）面帰属ピーク強度の比を所定範囲としておく
と、誘電体磁器の比誘電率が３０〜４２、Ｑｆが５３０
００〜５７０００ＧＨｚで、且つ共振周波数の温度係数
τfを−１５〜＋１５ｐｐｍ／℃の範囲に、−４０〜８
５℃における温度ドリフト△τfを−２〜＋２ｐｐｍ／
℃の範囲に制御することができることを見出し、本発明
に至ったのである。
【０００８】即ち、本発明の誘電体磁器は、金属元素と
して少なくともＢａ、Ｔｉを含有し、これらの金属酸化
物のモル比による組成式をＢａＯ−ｘＴｉＯ2と表した
時、上記ｘが３．９≦ｘ≦４．１を満足する主成分１０
０重量部に対して、ＺｎをＺｎＯ換算で１〜２０重量部
含有し、かつＸ線回折ピーク強度がＢａ4Ｔｉ13Ｏ30の
（０４０）面帰属ピーク強度をＡ、ＢａＴｉ4Ｏ9の（１
２１）面帰属ピーク強度をＢおよびＢａ3Ｔｉ12Ｚｎ7Ｏ
34の（１１４）面帰属ピーク強度をＣとしたとき、０．
０１≦Ａ／Ｂ≦０．２０、０．０５≦Ｃ／Ｂ≦０．５０
であることを特徴とするものである。
して少なくともＢａ、Ｔｉを含有し、これらの金属酸化
物のモル比による組成式をＢａＯ−ｘＴｉＯ2と表した
時、上記ｘが３．９≦ｘ≦４．１を満足する主成分１０
０重量部に対して、ＺｎをＺｎＯ換算で１〜２０重量部
含有し、かつＸ線回折ピーク強度がＢａ4Ｔｉ13Ｏ30の
（０４０）面帰属ピーク強度をＡ、ＢａＴｉ4Ｏ9の（１
２１）面帰属ピーク強度をＢおよびＢａ3Ｔｉ12Ｚｎ7Ｏ
34の（１１４）面帰属ピーク強度をＣとしたとき、０．
０１≦Ａ／Ｂ≦０．２０、０．０５≦Ｃ／Ｂ≦０．５０
であることを特徴とするものである。
【０００９】また、本発明の誘電体磁器は、その平均結
晶粒径をＤとしたとき、０．３Ｄ〜２．５Ｄの粒径の結
晶が３０〜９０体積％であることを特徴とするものであ
る。
晶粒径をＤとしたとき、０．３Ｄ〜２．５Ｄの粒径の結
晶が３０〜９０体積％であることを特徴とするものであ
る。
【００１０】更に、本発明の誘電体磁器は、上記主成分
１００重量部に対して、更にＣｕをＣｕＯ換算で０．０
１〜７重量部含有することを特徴とするものである。
１００重量部に対して、更にＣｕをＣｕＯ換算で０．０
１〜７重量部含有することを特徴とするものである。
【００１１】また更に、本発明は、一対の入出力端子間
に上記誘電体磁器を配置し誘電体共振器となすことを特
徴とするものである。
に上記誘電体磁器を配置し誘電体共振器となすことを特
徴とするものである。
【００１２】
【作用】本発明の誘電体磁器によれば、組成式ＢａＯ−
ｘＴｉＯ2で表されるＢａ−Ｔｉ系誘電体磁器にＺｎを
ＺｎＯ換算で１〜２０重量部および必要に応じてＣｕを
ＣｕＯ換算で０．０１〜７重量部含有させたことから、
比誘電率を３０〜４２とし、且つ共振周波数の温度係数
τfを−１５〜＋１５ｐｐｍ／℃の範囲に、温度ドリフ
ト△τfを−２〜＋２ｐｐｍ／℃の範囲に制御すること
ができる。
ｘＴｉＯ2で表されるＢａ−Ｔｉ系誘電体磁器にＺｎを
ＺｎＯ換算で１〜２０重量部および必要に応じてＣｕを
ＣｕＯ換算で０．０１〜７重量部含有させたことから、
比誘電率を３０〜４２とし、且つ共振周波数の温度係数
τfを−１５〜＋１５ｐｐｍ／℃の範囲に、温度ドリフ
ト△τfを−２〜＋２ｐｐｍ／℃の範囲に制御すること
ができる。
【００１３】また、本発明の誘電体磁器によれば、Ｘ線
回折ピーク強度におけるＢａ4Ｔｉ1 3Ｏ30の（０４０）
面帰属ピーク強度をＡ、ＢａＴｉ4Ｏ9の（１２１）面帰
属ピーク強度をＢおよびＢａ3Ｔｉ12Ｚｎ7Ｏ34の（１１
４）面帰属ピーク強度をＣとしたとき、０．０１≦Ａ／
Ｂ≦０．２０、０．０５≦Ｃ／Ｂ≦０．５０としたこと
から、Ｑｆを５３０００〜５７０００ＧＨｚの高い値と
なすことができる。
回折ピーク強度におけるＢａ4Ｔｉ1 3Ｏ30の（０４０）
面帰属ピーク強度をＡ、ＢａＴｉ4Ｏ9の（１２１）面帰
属ピーク強度をＢおよびＢａ3Ｔｉ12Ｚｎ7Ｏ34の（１１
４）面帰属ピーク強度をＣとしたとき、０．０１≦Ａ／
Ｂ≦０．２０、０．０５≦Ｃ／Ｂ≦０．５０としたこと
から、Ｑｆを５３０００〜５７０００ＧＨｚの高い値と
なすことができる。
【００１４】更に、本発明の誘電体磁器によれば、平均
結晶粒径をＤとしたとき０．３Ｄ〜２．５Ｄの結晶が３
０〜９０体積％としておくと、格子欠陥を極めて少ない
ものとしてＱｆを高い値に維持することができる。
結晶粒径をＤとしたとき０．３Ｄ〜２．５Ｄの結晶が３
０〜９０体積％としておくと、格子欠陥を極めて少ない
ものとしてＱｆを高い値に維持することができる。
【００１５】また更に、本発明の誘電体磁器を一対の入
出力端子間に配置し、誘電体共振器とした場合、該誘電
体共振器の温度変化にともなう共振周波数の変化を小さ
くすることができる。
出力端子間に配置し、誘電体共振器とした場合、該誘電
体共振器の温度変化にともなう共振周波数の変化を小さ
くすることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の誘電体磁器は、金属元素
として少なくともＢａ、Ｔｉを含有し、これらの金属酸
化物のモル比による組成式をＢａＯ−ｘＴｉＯ2と表し
た時、上記ｘが３．９≦ｘ≦４．１を満足する主成分１
００重量部に対して、ＺｎをＺｎＯ換算で１〜２０重量
部含有し、かつＸ線回折ピーク強度がＢａ4Ｔｉ13Ｏ30
の（０４０）面帰属ピーク強度をＡ、ＢａＴｉ4Ｏ9の
（１２１）面帰属ピーク強度をＢおよびＢａ3Ｔｉ12Ｚ
ｎ7Ｏ34の（１１４）面帰属ピーク強度をＣとしたと
き、０．０１≦Ａ／Ｂ≦０．２０、０．０５≦Ｃ／Ｂ≦
０．５０となるものである。
として少なくともＢａ、Ｔｉを含有し、これらの金属酸
化物のモル比による組成式をＢａＯ−ｘＴｉＯ2と表し
た時、上記ｘが３．９≦ｘ≦４．１を満足する主成分１
００重量部に対して、ＺｎをＺｎＯ換算で１〜２０重量
部含有し、かつＸ線回折ピーク強度がＢａ4Ｔｉ13Ｏ30
の（０４０）面帰属ピーク強度をＡ、ＢａＴｉ4Ｏ9の
（１２１）面帰属ピーク強度をＢおよびＢａ3Ｔｉ12Ｚ
ｎ7Ｏ34の（１１４）面帰属ピーク強度をＣとしたと
き、０．０１≦Ａ／Ｂ≦０．２０、０．０５≦Ｃ／Ｂ≦
０．５０となるものである。
【００１７】モル比による主成分の組成式を、ＢａＯ−
ｘＴｉＯ2と表したとき、ｘが３．９≦ｘ≦４．１の範
囲内としたのは、Ｑｆを向上するためであり、ｘの値が
３．９未満の場合はＱｆの向上の効果が小さく、ｘが
４．１よりも大きくなるとＱｆが低下するからである。
なお、Ｑｆを低下させないためにはｘの値は３．９２以
上４．０８以下が望ましい。
ｘＴｉＯ2と表したとき、ｘが３．９≦ｘ≦４．１の範
囲内としたのは、Ｑｆを向上するためであり、ｘの値が
３．９未満の場合はＱｆの向上の効果が小さく、ｘが
４．１よりも大きくなるとＱｆが低下するからである。
なお、Ｑｆを低下させないためにはｘの値は３．９２以
上４．０８以下が望ましい。
【００１８】また、上記主成分１００重量部に対してＺ
ｎをＺｎＯ換算で１〜２０重量部含有させたのは、Ｚｎ
がＺｎＯ換算で１重量部未満となると、共振周波数の温
度係数τfが１５ｐｐｍ／℃より大きくなり実用的でな
く、一方、２０重量部を超えると、共振周波数の温度係
数τfが−１５ｐｐｍ／℃よりも小さくなり実用的では
なくなる。従って、ＺｎはＺｎＯ換算で１〜２０重量部
の範囲に限定される。なお、共振周波数の温度係数τf
をより０に近くするという観点から、ＺｎはＺｎＯ換算
で主成分１００重量部に対して２〜１４重量部の範囲で
含有することが好ましい。
ｎをＺｎＯ換算で１〜２０重量部含有させたのは、Ｚｎ
がＺｎＯ換算で１重量部未満となると、共振周波数の温
度係数τfが１５ｐｐｍ／℃より大きくなり実用的でな
く、一方、２０重量部を超えると、共振周波数の温度係
数τfが−１５ｐｐｍ／℃よりも小さくなり実用的では
なくなる。従って、ＺｎはＺｎＯ換算で１〜２０重量部
の範囲に限定される。なお、共振周波数の温度係数τf
をより０に近くするという観点から、ＺｎはＺｎＯ換算
で主成分１００重量部に対して２〜１４重量部の範囲で
含有することが好ましい。
【００１９】本発明の誘電体磁器は、ＢａＴｉ4Ｏ9結晶
相が主結晶相として存在し、更にＢａ4Ｔｉ13Ｏ30およ
びＢａ3Ｔｉ12Ｚｎ7Ｏ34結晶相が存在するものであり、
Ｘ線回折ピーク強度におけるＢａ4Ｔｉ13Ｏ30の（０４
０）面帰属ピーク強度をＡ、ＢａＴｉ4Ｏ9の（１２１）
面帰属ピーク強度をＢおよびＢａ3Ｔｉ12Ｚｎ7Ｏ34の
（１１４）面帰属ピーク強度をＣとしたとき、０．０１
≦Ａ／Ｂ≦０．２０、０．０５≦Ｃ／Ｂ≦０．５０とな
っており、Ｂａ4Ｔｉ13Ｏ30の（０４０）面帰属ピーク
強度、ＢａＴｉ4Ｏ9の（１２１）面帰属ピーク強度、お
よびＢａ3Ｔｉ12Ｚｎ7Ｏ34の（１１４）面帰属ピーク強
度の比を所定範囲としておくことによってＱｆの値を５
３０００ＧＨｚ以上の高い値となすことができる。
相が主結晶相として存在し、更にＢａ4Ｔｉ13Ｏ30およ
びＢａ3Ｔｉ12Ｚｎ7Ｏ34結晶相が存在するものであり、
Ｘ線回折ピーク強度におけるＢａ4Ｔｉ13Ｏ30の（０４
０）面帰属ピーク強度をＡ、ＢａＴｉ4Ｏ9の（１２１）
面帰属ピーク強度をＢおよびＢａ3Ｔｉ12Ｚｎ7Ｏ34の
（１１４）面帰属ピーク強度をＣとしたとき、０．０１
≦Ａ／Ｂ≦０．２０、０．０５≦Ｃ／Ｂ≦０．５０とな
っており、Ｂａ4Ｔｉ13Ｏ30の（０４０）面帰属ピーク
強度、ＢａＴｉ4Ｏ9の（１２１）面帰属ピーク強度、お
よびＢａ3Ｔｉ12Ｚｎ7Ｏ34の（１１４）面帰属ピーク強
度の比を所定範囲としておくことによってＱｆの値を５
３０００ＧＨｚ以上の高い値となすことができる。
【００２０】上記Ｘ線回折ピーク強度におけるＢａ4Ｔ
ｉ13Ｏ30の（０４０）面帰属ピーク強度をＡ、ＢａＴｉ
4Ｏ9の（１２１）面帰属ピーク強度をＢおよびＢａ3Ｔ
ｉ12Ｚｎ7Ｏ34の（１１４）面帰属ピーク強度をＣとし
たとき、Ａ／Ｂの値が０．０１未満又は０．２を超えた
場合、或いはＣ／Ｂの値が０．０５未満又は０．５０を
超えた場合Ｑｆの値が低下してしまう。従って、Ａ／Ｂ
の値は０．０１≦Ａ／Ｂ≦０．２の範囲に、Ｃ／Ｂの値
は０．０５≦Ｃ／Ｂ≦０．５０の範囲に特定される。
ｉ13Ｏ30の（０４０）面帰属ピーク強度をＡ、ＢａＴｉ
4Ｏ9の（１２１）面帰属ピーク強度をＢおよびＢａ3Ｔ
ｉ12Ｚｎ7Ｏ34の（１１４）面帰属ピーク強度をＣとし
たとき、Ａ／Ｂの値が０．０１未満又は０．２を超えた
場合、或いはＣ／Ｂの値が０．０５未満又は０．５０を
超えた場合Ｑｆの値が低下してしまう。従って、Ａ／Ｂ
の値は０．０１≦Ａ／Ｂ≦０．２の範囲に、Ｃ／Ｂの値
は０．０５≦Ｃ／Ｂ≦０．５０の範囲に特定される。
【００２１】なお、上記Ｘ線回折ピーク強度におけるＢ
ａ4Ｔｉ13Ｏ30の（０４０）面帰属ピーク強度、ＢａＴ
ｉ4Ｏ9の（１２１）面帰属ピーク強度およびＢａ3Ｔｉ
12Ｚｎ7Ｏ34の（１１４）面帰属ピーク強度は、ＪＣＰ
ＤＳ−ＩＣＤＤ（粉末回析標準委員会国際回析データセ
ンター）のＸ線回折データを参照して求められ、ＪＣＰ
ＤＳ−ＩＣＤＤのＸ線回折データによれば、Ｂａ4Ｔｉ
13Ｏ30の（０４０）面帰属ピークの面間隔はｄA＝４．
２６８、ＢａＴｉ4Ｏ9の（１２１）面帰属ピークの面間
隔はｄB＝２．９６７６、Ｂａ3Ｔｉ12Ｚｎ7Ｏ34の（１
１４）面帰属ピークの面間隔はｄC＝２．８１である
が、これらの面間隔の値は測定条件、結晶の配向等によ
って変化する場合があるため、ｄA、ｄBおよびｄCはｄA
＝４．２５〜４．３１、ｄB＝２．９６〜２．９９、ｄC
＝２．８０〜２．８４の値とした。
ａ4Ｔｉ13Ｏ30の（０４０）面帰属ピーク強度、ＢａＴ
ｉ4Ｏ9の（１２１）面帰属ピーク強度およびＢａ3Ｔｉ
12Ｚｎ7Ｏ34の（１１４）面帰属ピーク強度は、ＪＣＰ
ＤＳ−ＩＣＤＤ（粉末回析標準委員会国際回析データセ
ンター）のＸ線回折データを参照して求められ、ＪＣＰ
ＤＳ−ＩＣＤＤのＸ線回折データによれば、Ｂａ4Ｔｉ
13Ｏ30の（０４０）面帰属ピークの面間隔はｄA＝４．
２６８、ＢａＴｉ4Ｏ9の（１２１）面帰属ピークの面間
隔はｄB＝２．９６７６、Ｂａ3Ｔｉ12Ｚｎ7Ｏ34の（１
１４）面帰属ピークの面間隔はｄC＝２．８１である
が、これらの面間隔の値は測定条件、結晶の配向等によ
って変化する場合があるため、ｄA、ｄBおよびｄCはｄA
＝４．２５〜４．３１、ｄB＝２．９６〜２．９９、ｄC
＝２．８０〜２．８４の値とした。
【００２２】更に、本発明の誘電体磁器においては、平
均結晶粒径をＤとしたとき、０．３Ｄ〜２．５Ｄの結晶
が３０〜９０体積％としておくと、格子欠陥を極めて少
ないものとして、Ｑｆを高い値に維持することができ
る。
均結晶粒径をＤとしたとき、０．３Ｄ〜２．５Ｄの結晶
が３０〜９０体積％としておくと、格子欠陥を極めて少
ないものとして、Ｑｆを高い値に維持することができ
る。
【００２３】従って、Ｑｆの値を高い値に維持するため
には平均結晶粒径をＤとしたとき、０．３Ｄ〜２．５Ｄ
の結晶が３０〜９０体積％となるようにしておくことが
好ましい。
には平均結晶粒径をＤとしたとき、０．３Ｄ〜２．５Ｄ
の結晶が３０〜９０体積％となるようにしておくことが
好ましい。
【００２４】上記誘電体磁器の平均結晶粒径は、例えば
次の方法によって測定される。即ち、焼結体の内部を無
作為に４箇所以上選びサンプルを取り、これらのサンプ
ルの断面を平面研磨によって鏡面仕上げする。次いで、
鏡面仕上げしたサンプルを熱エッチング法によりＳＥＭ
像で結晶の形が観察できる様にする。上記熱エッチング
法の熱処理温度は８００〜１２５０℃、保持時間は１分
から２時間程度の範囲であれば良いが、ＳＥＭによる結
晶の形が観察できること、および粒界が明瞭に観察でき
る様にすることが重要である。この熱エッチング処理を
した後、各々のサンプルについて５０〜５００個程度の
結晶粒径を波長分散型Ｘ線マイクロアナライザーを用い
て、加速電圧１５ｋＶ、プローブ電流５×１０- 10Ａ程
度、倍率３００〜３０００倍程度での反射電子像の写真
撮影をし、得られた写真の各々の結晶粒径を画像解析法
により測定する。この方法で結晶粒径Ｈｄは、Ｈｄ＝２
（Ａ／π）1/2（ここでＡは粒子内面積）により求めら
れる。こうして得られた結晶粒径の平均値を求める。
次の方法によって測定される。即ち、焼結体の内部を無
作為に４箇所以上選びサンプルを取り、これらのサンプ
ルの断面を平面研磨によって鏡面仕上げする。次いで、
鏡面仕上げしたサンプルを熱エッチング法によりＳＥＭ
像で結晶の形が観察できる様にする。上記熱エッチング
法の熱処理温度は８００〜１２５０℃、保持時間は１分
から２時間程度の範囲であれば良いが、ＳＥＭによる結
晶の形が観察できること、および粒界が明瞭に観察でき
る様にすることが重要である。この熱エッチング処理を
した後、各々のサンプルについて５０〜５００個程度の
結晶粒径を波長分散型Ｘ線マイクロアナライザーを用い
て、加速電圧１５ｋＶ、プローブ電流５×１０- 10Ａ程
度、倍率３００〜３０００倍程度での反射電子像の写真
撮影をし、得られた写真の各々の結晶粒径を画像解析法
により測定する。この方法で結晶粒径Ｈｄは、Ｈｄ＝２
（Ａ／π）1/2（ここでＡは粒子内面積）により求めら
れる。こうして得られた結晶粒径の平均値を求める。
【００２５】また更に、本発明の誘電体磁器において
は、ＢａＯ−ｘＴｉＯ2（３．９≦ｘ≦４．１）から成
る主成分１００重量部に対してＣｕをＣｕＯ換算で０．
０１〜７重量部含有させておくと、共振周波数の温度係
数τfの曲がり、即ち、温度ドリフト△τfを０に近づけ
ることができるので好ましい。
は、ＢａＯ−ｘＴｉＯ2（３．９≦ｘ≦４．１）から成
る主成分１００重量部に対してＣｕをＣｕＯ換算で０．
０１〜７重量部含有させておくと、共振周波数の温度係
数τfの曲がり、即ち、温度ドリフト△τfを０に近づけ
ることができるので好ましい。
【００２６】次に、本発明の誘電体磁器の製造方法につ
いて説明する。
いて説明する。
【００２７】先ず原料粉末として、純度９９％以上のＢ
ａＣＯ3、ＴｉＯ2およびＺｎＯ、純度９８％以上のＣｕ
Ｏ粉末を準備し、これらを所定量秤量し、混合、粉砕
し、得られた粉末を１０００〜１１５０℃の温度で１時
間以上保持して仮焼する。仮焼時の昇温速度は８００℃
以上の温度において平均５０〜２００℃／時間で昇温す
る。仮焼した粉末を粉砕粒径がメジアン径で０．５〜
２．０μｍに粉砕する。粉砕後の仮焼粉末にバインダー
を添加しプレス成形やドクターブレード法等の公知の方
法により所定形状に成形後、脱バインダー後のカーボン
量が０．１重量％以下となるよう脱バインダーを行う。
脱バインダー条件は４００〜８００℃で２０時間以上保
持する。脱バインダー後、大気中または酸素を含む雰囲
気中において、昇温速度２０〜３００℃／時間で昇温
し、１０５０〜１３００℃で５〜３０時間焼成すること
によって本発明の誘電体磁器が得られる。
ａＣＯ3、ＴｉＯ2およびＺｎＯ、純度９８％以上のＣｕ
Ｏ粉末を準備し、これらを所定量秤量し、混合、粉砕
し、得られた粉末を１０００〜１１５０℃の温度で１時
間以上保持して仮焼する。仮焼時の昇温速度は８００℃
以上の温度において平均５０〜２００℃／時間で昇温す
る。仮焼した粉末を粉砕粒径がメジアン径で０．５〜
２．０μｍに粉砕する。粉砕後の仮焼粉末にバインダー
を添加しプレス成形やドクターブレード法等の公知の方
法により所定形状に成形後、脱バインダー後のカーボン
量が０．１重量％以下となるよう脱バインダーを行う。
脱バインダー条件は４００〜８００℃で２０時間以上保
持する。脱バインダー後、大気中または酸素を含む雰囲
気中において、昇温速度２０〜３００℃／時間で昇温
し、１０５０〜１３００℃で５〜３０時間焼成すること
によって本発明の誘電体磁器が得られる。
【００２８】得られる誘電体磁器において、Ｘ線回折ピ
ーク強度におけるＢａ4Ｔｉ13Ｏ30の（０４０）面帰属
ピーク強度をＡ、ＢａＴｉ4Ｏ9の（１２１）面帰属ピー
ク強度をＢおよびＢａ3Ｔｉ12Ｚｎ7Ｏ34の（１１４）面
帰属ピーク強度をＣとしたとき、０．０１≦Ａ／Ｂ≦
０．２０、０．０５≦Ｃ／Ｂ≦０．５０とするには、粉
砕粒径、脱バインダー条件、焼成条件を上述の範囲とす
ることによって行うことができる。
ーク強度におけるＢａ4Ｔｉ13Ｏ30の（０４０）面帰属
ピーク強度をＡ、ＢａＴｉ4Ｏ9の（１２１）面帰属ピー
ク強度をＢおよびＢａ3Ｔｉ12Ｚｎ7Ｏ34の（１１４）面
帰属ピーク強度をＣとしたとき、０．０１≦Ａ／Ｂ≦
０．２０、０．０５≦Ｃ／Ｂ≦０．５０とするには、粉
砕粒径、脱バインダー条件、焼成条件を上述の範囲とす
ることによって行うことができる。
【００２９】また、本発明の誘電体磁器は、特に誘電体
共振器として好適に用いられる。図１にその一実施形態
であるＴＥモード型誘電体共振器を示す。このＴＥモー
ド型誘電体共振器は、金属ケース１の内壁の相対する両
側に入力端子２および出力端子３を設け、これら入出力
端子２、３の間に上記誘電体磁器４を配置して構成され
ており、入力端子２からマイクロ波が入力され、入力さ
れたマイクロ波は誘電体磁器４と自由空間との境界の反
射によって誘電体磁器４内に閉じこめられ、特定の周波
数で共振を起こす。この信号が出力端子３と電磁界結合
して出力される。
共振器として好適に用いられる。図１にその一実施形態
であるＴＥモード型誘電体共振器を示す。このＴＥモー
ド型誘電体共振器は、金属ケース１の内壁の相対する両
側に入力端子２および出力端子３を設け、これら入出力
端子２、３の間に上記誘電体磁器４を配置して構成され
ており、入力端子２からマイクロ波が入力され、入力さ
れたマイクロ波は誘電体磁器４と自由空間との境界の反
射によって誘電体磁器４内に閉じこめられ、特定の周波
数で共振を起こす。この信号が出力端子３と電磁界結合
して出力される。
【００３０】なお、本発明の誘電体磁器を用いた誘電体
共振器は、上述のＴＥモード型に限定されることはな
く、ＴＥＭモードを用いた同軸型共振器やストリップ線
路共振器、ＴＭモードの誘電体磁器共振器、その他の共
振器に適用してもよく、更には、入力端子２および出力
端子３を誘電体磁器４に直接設けることも可能である。
なお、上記誘電体磁器４の形状は、直方体、立方体、板
状体、円板、円柱、多角柱、その他共振が可能な立体形
状であればよく、入力される高周波信号の周波数は０．
３〜３００ＧＨｚ程度であり、共振周波数としては０．
６〜８０ＧＨｚ程度が実用上好ましい。
共振器は、上述のＴＥモード型に限定されることはな
く、ＴＥＭモードを用いた同軸型共振器やストリップ線
路共振器、ＴＭモードの誘電体磁器共振器、その他の共
振器に適用してもよく、更には、入力端子２および出力
端子３を誘電体磁器４に直接設けることも可能である。
なお、上記誘電体磁器４の形状は、直方体、立方体、板
状体、円板、円柱、多角柱、その他共振が可能な立体形
状であればよく、入力される高周波信号の周波数は０．
３〜３００ＧＨｚ程度であり、共振周波数としては０．
６〜８０ＧＨｚ程度が実用上好ましい。
【００３１】
【実施例】次に本発明の実施例を示す。
【００３２】原料粉末として純度９９．８％以上のＢａ
ＣＯ3、ＴｉＯ2およびＺｎＯ、純度９９．０％以上のＣ
ｕＯ粉末を準備し、上記主成分の組成式ＢａＯ−ｘＴｉ
Ｏ2におけるｘ、ＺｎＯおよびＣｕＯの含有量が表１に
示す割合となるように秤量し、純水を媒体としてＺｒＯ
2ボールを用いたボールミルにて２０時間湿式混合し
た。次いで、この混合物を乾燥（脱水）し、１０３０〜
１１００℃で４時間仮焼した。仮焼時の昇温速度は８０
０℃以上において平均１００℃／時間で昇温した。この
仮焼物をＺｒＯ2ボールを用いたボールミルにて混合、
粉砕した。粉砕後の平均粉砕粒径はメジアン径で０．７
〜１．３μｍとした。しかる後、粉砕後の仮焼粉末にバ
インダーを添加、混合した後、誘電特性評価用の試料と
して直径ｌ２ｍｍ高さ６．５ｍｍの円柱状に１ｔｏｎ／
ｃｍ2の圧力でプレス成形を行った。得られた成形体を
脱バインダーし、脱バインダー後のカーボン量を０．０
５重量％以下とした後、大気中において昇温速度５０℃
／時間で昇温し１０５０〜１２７０℃で８〜１５時間保
持して焼成し、直径１０ｍｍ、高さ５．５ｍｍの円柱形
状の試料を得た。
ＣＯ3、ＴｉＯ2およびＺｎＯ、純度９９．０％以上のＣ
ｕＯ粉末を準備し、上記主成分の組成式ＢａＯ−ｘＴｉ
Ｏ2におけるｘ、ＺｎＯおよびＣｕＯの含有量が表１に
示す割合となるように秤量し、純水を媒体としてＺｒＯ
2ボールを用いたボールミルにて２０時間湿式混合し
た。次いで、この混合物を乾燥（脱水）し、１０３０〜
１１００℃で４時間仮焼した。仮焼時の昇温速度は８０
０℃以上において平均１００℃／時間で昇温した。この
仮焼物をＺｒＯ2ボールを用いたボールミルにて混合、
粉砕した。粉砕後の平均粉砕粒径はメジアン径で０．７
〜１．３μｍとした。しかる後、粉砕後の仮焼粉末にバ
インダーを添加、混合した後、誘電特性評価用の試料と
して直径ｌ２ｍｍ高さ６．５ｍｍの円柱状に１ｔｏｎ／
ｃｍ2の圧力でプレス成形を行った。得られた成形体を
脱バインダーし、脱バインダー後のカーボン量を０．０
５重量％以下とした後、大気中において昇温速度５０℃
／時間で昇温し１０５０〜１２７０℃で８〜１５時間保
持して焼成し、直径１０ｍｍ、高さ５．５ｍｍの円柱形
状の試料を得た。
【００３３】次いで、得られた試料の誘電特性を評価す
るため、上記試料を用いて誘電体円柱共振器法にて周波
数６〜７ＧＨｚにおける比誘電率εｒとＱ値を測定し、
Ｑ値と測定周波数ｆとの積で表される値Ｑｆを算出し
た。また、−４０〜８５℃の温度範囲における共振周波
数を測定し、２５℃での共振周波数を基準にして共振周
波数の温度係数τfを算出した。
るため、上記試料を用いて誘電体円柱共振器法にて周波
数６〜７ＧＨｚにおける比誘電率εｒとＱ値を測定し、
Ｑ値と測定周波数ｆとの積で表される値Ｑｆを算出し
た。また、−４０〜８５℃の温度範囲における共振周波
数を測定し、２５℃での共振周波数を基準にして共振周
波数の温度係数τfを算出した。
【００３４】なお、表１におけるτf1は−４０℃以上２
５℃未満の共振周波数の温度係数であり、τf2は２５℃
以上８５℃以下の共振周波数の温度係数であり、共振周
波数の温度係数の曲がり（温度ドリフト△τf）を△τf
＝τf1−τf2より求めた。
５℃未満の共振周波数の温度係数であり、τf2は２５℃
以上８５℃以下の共振周波数の温度係数であり、共振周
波数の温度係数の曲がり（温度ドリフト△τf）を△τf
＝τf1−τf2より求めた。
【００３５】また、上記試料の平均結晶粒径は、試料の
焼結体内部を無作為に４箇所選びサンプルを取った後、
これらサンプルの断面を平面研磨によって鏡面仕上げ
し、更に熱エッチング法により９８０℃で１５分間熱処
理を行った。熱処理後、各サンプルについて５０〜５０
０個程度の結晶粒径を波長分散型Ｘ線マイクロアナライ
ザ−を用いて、加速電圧１５ｋＶ、プローブ電流５×１
０― 10Ａ程度、倍率３００〜３０００倍程度での反射電
子像の写真撮影をし、各々の結晶粒径を画像解析法によ
り測定して平均結晶粒径を求めた。
焼結体内部を無作為に４箇所選びサンプルを取った後、
これらサンプルの断面を平面研磨によって鏡面仕上げ
し、更に熱エッチング法により９８０℃で１５分間熱処
理を行った。熱処理後、各サンプルについて５０〜５０
０個程度の結晶粒径を波長分散型Ｘ線マイクロアナライ
ザ−を用いて、加速電圧１５ｋＶ、プローブ電流５×１
０― 10Ａ程度、倍率３００〜３０００倍程度での反射電
子像の写真撮影をし、各々の結晶粒径を画像解析法によ
り測定して平均結晶粒径を求めた。
【００３６】更に、上記試料の結晶相はＸ線回折法によ
り測定し、Ｂａ4Ｔｉ13Ｏ30の（０４０）面帰属ピーク
強度Ａ、ＢａＴｉ4Ｏ9の（１２１）面帰属ピーク強度
Ｂ、Ｂａ3Ｔｉ12Ｚｎ7Ｏ34の（１１４）面帰属ピーク強
度Ｃを求め、Ａ／ＢおよびＣ／Ｂの値を算出した。図２
にその一実施例として試料Ｎｏ．５のＸ線回折のグラフ
を示す。
り測定し、Ｂａ4Ｔｉ13Ｏ30の（０４０）面帰属ピーク
強度Ａ、ＢａＴｉ4Ｏ9の（１２１）面帰属ピーク強度
Ｂ、Ｂａ3Ｔｉ12Ｚｎ7Ｏ34の（１１４）面帰属ピーク強
度Ｃを求め、Ａ／ＢおよびＣ／Ｂの値を算出した。図２
にその一実施例として試料Ｎｏ．５のＸ線回折のグラフ
を示す。
【００３７】これらの結果を表１に示す。
【００３８】
【表１】
【００３９】表１から明らかなように、本発明の誘電体
磁器（試料Ｎｏ．１〜１３）は、何れも比誘電率が３４
以上、Ｑｆを５３０００ＧＨｚ以上とすることができ、
共振周波数の温度係数τfが−１５〜＋１５ｐｐｍ／
℃、温度ドリフト△τfを−２〜＋２ｐｐｍ／℃の範囲
内に制御され、優れた特性を有することが判る。また、
温度ドリフト△τfが０付近の時のＱｆは５４０００Ｇ
Ｈｚ以上という高い値にできることが判る。
磁器（試料Ｎｏ．１〜１３）は、何れも比誘電率が３４
以上、Ｑｆを５３０００ＧＨｚ以上とすることができ、
共振周波数の温度係数τfが−１５〜＋１５ｐｐｍ／
℃、温度ドリフト△τfを−２〜＋２ｐｐｍ／℃の範囲
内に制御され、優れた特性を有することが判る。また、
温度ドリフト△τfが０付近の時のＱｆは５４０００Ｇ
Ｈｚ以上という高い値にできることが判る。
【００４０】これに対し、結晶相の組成が本発明の範囲
外（試料Ｎｏ．１４〜２０）のものでは、何れもＱｆが
５００００ＧＨｚ以下と低く、共振周波数の温度係数τ
fも−１８〜１７ｐｐｍ／℃、温度ドリフト△τfも３．
８ｐｐｍ／℃と大きな値を示すものがあることが判っ
た。
外（試料Ｎｏ．１４〜２０）のものでは、何れもＱｆが
５００００ＧＨｚ以下と低く、共振周波数の温度係数τ
fも−１８〜１７ｐｐｍ／℃、温度ドリフト△τfも３．
８ｐｐｍ／℃と大きな値を示すものがあることが判っ
た。
【００４１】
【発明の効果】本発明の誘電体磁器によれば、組成式Ｂ
ａＯ−ｘＴｉＯ2で表されるＢａ−Ｔｉ系誘電体磁器に
ＺｎをＺｎＯ換算で１〜２０重量部および必要に応じて
ＣｕをＣｕＯ換算で０．０１〜７重量部含有させたこと
から、比誘電率を３０〜４２とし、且つ共振周波数の温
度係数τfを−１５〜＋１５ｐｐｍ／℃の範囲に、温度
ドリフト△τfを−２〜＋２ｐｐｍ／℃の範囲に制御す
ることができる。
ａＯ−ｘＴｉＯ2で表されるＢａ−Ｔｉ系誘電体磁器に
ＺｎをＺｎＯ換算で１〜２０重量部および必要に応じて
ＣｕをＣｕＯ換算で０．０１〜７重量部含有させたこと
から、比誘電率を３０〜４２とし、且つ共振周波数の温
度係数τfを−１５〜＋１５ｐｐｍ／℃の範囲に、温度
ドリフト△τfを−２〜＋２ｐｐｍ／℃の範囲に制御す
ることができる。
【００４２】また、本発明の誘電体磁器によれば、Ｘ線
回折ピーク強度におけるＢａ4Ｔｉ1 3Ｏ30の（０４０）
面帰属ピーク強度をＡ、ＢａＴｉ4Ｏ9の（１２１）面帰
属ピーク強度をＢおよびＢａ3Ｔｉ12Ｚｎ7Ｏ34の（１１
４）面帰属ピーク強度をＣとしたとき、０．０１≦Ａ／
Ｂ≦０．２０、０．０５≦Ｃ／Ｂ≦０．５０としたこと
から、Ｑｆを５３０００〜５７０００ＧＨｚの高い値と
なすことができる。
回折ピーク強度におけるＢａ4Ｔｉ1 3Ｏ30の（０４０）
面帰属ピーク強度をＡ、ＢａＴｉ4Ｏ9の（１２１）面帰
属ピーク強度をＢおよびＢａ3Ｔｉ12Ｚｎ7Ｏ34の（１１
４）面帰属ピーク強度をＣとしたとき、０．０１≦Ａ／
Ｂ≦０．２０、０．０５≦Ｃ／Ｂ≦０．５０としたこと
から、Ｑｆを５３０００〜５７０００ＧＨｚの高い値と
なすことができる。
【００４３】更に、本発明の誘電体磁器によれば、平均
結晶粒径をＤとしたとき０．３Ｄ〜２．５Ｄの結晶が３
０〜９０体積％としておくと、格子欠陥を極めて少ない
ものとしてＱｆを高い値に維持することができる。
結晶粒径をＤとしたとき０．３Ｄ〜２．５Ｄの結晶が３
０〜９０体積％としておくと、格子欠陥を極めて少ない
ものとしてＱｆを高い値に維持することができる。
【００４４】また更に、本発明の誘電体磁器を一対の入
出力端子間に配置し、誘電体共振器とした場合、該誘電
体共振器の温度変化にともなう共振周波数の変化を小さ
くすることができる。
出力端子間に配置し、誘電体共振器とした場合、該誘電
体共振器の温度変化にともなう共振周波数の変化を小さ
くすることができる。
【図１】本発明の誘電体共振器の一実施形態を示す断面
図である。
図である。
【図２】本発明の誘電体磁器のＸ線回折の一実施例を示
すグラフである。
すグラフである。
１：金属ケ−ス ２：入力端子 ３：出力端子 ４：誘電体磁器
Claims (4)
- 【請求項１】金属元素として少なくともＢａ、Ｔｉを含
有し、これらの金属酸化物のモル比による組成式をＢａ
Ｏ−ｘＴｉＯ2と表した時、上記ｘが３．９≦ｘ≦４．
１を満足する主成分１００重量部に対して、ＺｎをＺｎ
Ｏ換算で１〜２０重量部含有し、かつＸ線回折ピーク強
度がＢａ4Ｔｉ13Ｏ30の（０４０）面帰属ピーク強度を
Ａ、ＢａＴｉ4Ｏ9の（１２１）面帰属ピーク強度をＢお
よびＢａ 3Ｔｉ12Ｚｎ7Ｏ34の（１１４）面帰属ピーク強
度をＣとしたとき、０．０１≦Ａ／Ｂ≦０．２０、０．
０５≦Ｃ／Ｂ≦０．５０であることを特徴する誘電体磁
器。 - 【請求項２】平均結晶粒径をＤとするとき、０．３Ｄ〜
２．５Ｄの粒径の結晶が３０〜９０体積％であることを
特徴とする請求項１記載の誘電体磁器。 - 【請求項３】上記主成分１００重量部に対して、Ｃｕを
ＣｕＯ換算で０．０１〜７重量部含有することを特徴と
する請求項１または２記載の誘電体磁器。 - 【請求項４】一対の入出力端子間に請求項１乃至３に記
載の誘電体磁器を配置したことを特徴とする誘電体共振
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000331417A JP4753463B2 (ja) | 2000-10-30 | 2000-10-30 | 誘電体磁器およびこれを用いた誘電体共振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000331417A JP4753463B2 (ja) | 2000-10-30 | 2000-10-30 | 誘電体磁器およびこれを用いた誘電体共振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002137964A true JP2002137964A (ja) | 2002-05-14 |
| JP4753463B2 JP4753463B2 (ja) | 2011-08-24 |
Family
ID=18807763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000331417A Expired - Fee Related JP4753463B2 (ja) | 2000-10-30 | 2000-10-30 | 誘電体磁器およびこれを用いた誘電体共振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4753463B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5512524A (en) * | 1992-04-07 | 1996-04-30 | Trans-Tech, Inc. | Dielectric ceramic compositions |
-
2000
- 2000-10-30 JP JP2000331417A patent/JP4753463B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5512524A (en) * | 1992-04-07 | 1996-04-30 | Trans-Tech, Inc. | Dielectric ceramic compositions |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4753463B2 (ja) | 2011-08-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100729998B1 (ko) | 유전체 자기, 유전체 자기조성물 및 제조방법과, 이것을사용한 유전체 공진기 | |
| JP3559434B2 (ja) | 誘電体磁器組成物の製造方法 | |
| EP0727789A1 (en) | Dielectric procelain composition and its manufacture | |
| JP2003238242A (ja) | 誘電体磁器及びこれを用いた誘電体共振器 | |
| JPH11130528A (ja) | 誘電体磁器組成物及びこれを用いた誘電体共振器 | |
| JP2000095561A (ja) | 誘電体磁器組成物及びこれを用いた誘電体共振器 | |
| JP4131996B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及びこれを用いた誘電体共振器 | |
| JP4535589B2 (ja) | 誘電体磁器及びこれを用いた誘電体共振器 | |
| JP4753463B2 (ja) | 誘電体磁器およびこれを用いた誘電体共振器 | |
| JP3376855B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及びその製造方法とそれを用いた誘電体共振器と誘電体フィルタ | |
| JP4959043B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及びその製造方法並びに誘電体共振器 | |
| JP4548876B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物およびこれを用いた誘電体共振器 | |
| JP2002187771A (ja) | 誘電体磁器およびこれを用いた誘電体共振器 | |
| JP2000143336A (ja) | 誘電体磁器組成物及びその製造方法とそれを用いた誘電体共振器と誘電体フィルタ | |
| JP4688289B2 (ja) | 誘電体磁器及びこれを用いた誘電体共振器 | |
| JP3830342B2 (ja) | 誘電体磁器及びこれを用いた誘電体共振器 | |
| JP2001072464A (ja) | 誘電体磁器組成物及びこれを用いた誘電体共振器 | |
| JPH09169567A (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
| JP3825203B2 (ja) | 誘電体磁器組成物およびその製造方法並びにこれを用いた誘電体共振器 | |
| JP5349146B2 (ja) | 誘電体セラミックスおよび誘電体共振器 | |
| JP2000203934A (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物および誘電体共振器 | |
| JPH0877828A (ja) | 誘電体磁器組成物及びその製造方法 | |
| JP2010120847A (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物およびこれを用いた誘電体共振器 | |
| JP2005520773A (ja) | マイクロ波誘電体セラミック組成物、その製造方法及び当該組成物からなるデバイス | |
| JPH05325639A (ja) | 高周波用誘電体素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070907 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100720 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100727 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100924 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110426 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110524 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140603 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4753463 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |