JP2002136841A - ダイオキシン類処理装置 - Google Patents
ダイオキシン類処理装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低温活性型のダイオキシン類処理剤を用い
て、焼却炉の排ガスに含まれるダイオキシン類を効率的
に分解処理する装置を提供する。 【解決手段】 本発明に係るダイオキシン類処理装置
は、焼却炉から排出される飛灰及び焼却灰を含む排ガス
を所定温度に冷却するガス冷却装置；前記ガス冷却装置
からの排出ガスを処理してその中に含まれる飛灰及び焼
却灰を分離するための集塵装置；前記焼却炉からガス冷
却装置への排出ガス及び／又はガス冷却装置からの排出
ガスにダイオキシン類処理剤を供給するためのダイオキ
シン類処理剤供給装置；を具備することを特徴とする。
て、焼却炉の排ガスに含まれるダイオキシン類を効率的
に分解処理する装置を提供する。 【解決手段】 本発明に係るダイオキシン類処理装置
は、焼却炉から排出される飛灰及び焼却灰を含む排ガス
を所定温度に冷却するガス冷却装置；前記ガス冷却装置
からの排出ガスを処理してその中に含まれる飛灰及び焼
却灰を分離するための集塵装置；前記焼却炉からガス冷
却装置への排出ガス及び／又はガス冷却装置からの排出
ガスにダイオキシン類処理剤を供給するためのダイオキ
シン類処理剤供給装置；を具備することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ダイオキシン類の
処理装置に関し、詳しくは、ごみ焼却炉等の各種焼却炉
から排出される飛灰及び焼却灰（以下、これらを併せて
「焼却飛灰」と称する）中に含まれるポリ−塩化−ｐ−
ジベンゾダイオキシン類（ＰＣＤＤ）やポリ塩化ジベン
ゾフラン類（ＰＣＤＦ）、コプラナーＰＣＢ（ｃｏ−Ｐ
ＣＢ）等の有機塩素化合物（以下、これらを併せて「ダ
イオキシン類」と称する）を効率的に処理するための処
理装置に関する。
処理装置に関し、詳しくは、ごみ焼却炉等の各種焼却炉
から排出される飛灰及び焼却灰（以下、これらを併せて
「焼却飛灰」と称する）中に含まれるポリ−塩化−ｐ−
ジベンゾダイオキシン類（ＰＣＤＤ）やポリ塩化ジベン
ゾフラン類（ＰＣＤＦ）、コプラナーＰＣＢ（ｃｏ−Ｐ
ＣＢ）等の有機塩素化合物（以下、これらを併せて「ダ
イオキシン類」と称する）を効率的に処理するための処
理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ごみ焼却炉等の焼却炉では、燃焼中にフ
ェノール、ベンゼン等の有機化合物、クロロフェノー
ル、クロロベンゼン等の塩素化芳香族化合物等のダイオ
キシン類前駆体が発生する。これらのダイオキシン類前
駆体は、焼却飛灰が存在すると、その触媒作用によって
ダイオキシン類となって焼却飛灰中に存在する。
ェノール、ベンゼン等の有機化合物、クロロフェノー
ル、クロロベンゼン等の塩素化芳香族化合物等のダイオ
キシン類前駆体が発生する。これらのダイオキシン類前
駆体は、焼却飛灰が存在すると、その触媒作用によって
ダイオキシン類となって焼却飛灰中に存在する。
【０００３】従来、このようなダイオキシン類含有焼却
飛灰の処理方法としては、次のような方法が提案されて
いた。 (1) ダイオキシン類含有焼却飛灰を、窒素ガス等の還元
性雰囲気下で、３２０℃では２時間、３４０℃では１〜
１．５時間保持することによりダイオキシン類を分解す
る方法（ハーゲンマイヤープロセス, Organohalogen Co
mpound, 27, 147-152 (1996)、特開昭６４−５００３２
０）。
飛灰の処理方法としては、次のような方法が提案されて
いた。 (1) ダイオキシン類含有焼却飛灰を、窒素ガス等の還元
性雰囲気下で、３２０℃では２時間、３４０℃では１〜
１．５時間保持することによりダイオキシン類を分解す
る方法（ハーゲンマイヤープロセス, Organohalogen Co
mpound, 27, 147-152 (1996)、特開昭６４−５００３２
０）。
【０００４】(2) ダイオキシン類含有焼却飛灰を、ダイ
オキシン類生成抑制剤（ピリジン）の存在下で、３００
〜５００℃で熱処理する方法（特開平４−２４１８８０
号公報）。
オキシン類生成抑制剤（ピリジン）の存在下で、３００
〜５００℃で熱処理する方法（特開平４−２４１８８０
号公報）。
【０００５】ダイオキシン類は、従来より、３００℃未
満では熱分解しないとされており、上記の方法は、この
定説通りに、３００℃以上に加熱することによってダイ
オキシン類を分解するものであり、加熱処理中に、ダイ
オキシン前駆体からのダイオキシン類の生成を抑制する
ために、ダイオキシン類分解温度域でダイオキシン類生
成抑制剤を焼却飛灰に添加している。
満では熱分解しないとされており、上記の方法は、この
定説通りに、３００℃以上に加熱することによってダイ
オキシン類を分解するものであり、加熱処理中に、ダイ
オキシン前駆体からのダイオキシン類の生成を抑制する
ために、ダイオキシン類分解温度域でダイオキシン類生
成抑制剤を焼却飛灰に添加している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の方法には、以下のような問題点があった。 (a) 処理温度が高く、処理時間も長いため、必要とする
エネルギーが多く、処理コストも高くなる。
従来の方法には、以下のような問題点があった。 (a) 処理温度が高く、処理時間も長いため、必要とする
エネルギーが多く、処理コストも高くなる。
【０００７】(b) 冷却時にダイオキシン類が再合成する
可能性がある。 (c) 窒素ガス等の還元性雰囲気下で処理する必要がある
が、酸素を完全には遮断できないために、ダイオキシン
類の分解率が低くなる。
可能性がある。 (c) 窒素ガス等の還元性雰囲気下で処理する必要がある
が、酸素を完全には遮断できないために、ダイオキシン
類の分解率が低くなる。
【０００８】(d) 部分的に脱塩素反応が進行するため、
より毒性の高いダイオキシン類が生成する。本発明者
は、これらの従来法の問題点を解決し、従来法ではダイ
オキシン類を分解できないと考えられていた低温度域で
も、短時間でダイオキシン類を分解除去処理することが
でき、更には酸素の存在下においても、ダイオキシン類
を効率よく処理することのできるダイオキシン類処理剤
を考案し、特許出願を行った。
より毒性の高いダイオキシン類が生成する。本発明者
は、これらの従来法の問題点を解決し、従来法ではダイ
オキシン類を分解できないと考えられていた低温度域で
も、短時間でダイオキシン類を分解除去処理することが
でき、更には酸素の存在下においても、ダイオキシン類
を効率よく処理することのできるダイオキシン類処理剤
を考案し、特許出願を行った。
【０００９】これらの提案されたダイオキシン類処理剤
は、次の化合物を含むものである。次式：
は、次の化合物を含むものである。次式：
【００１０】
【化７】
【００１１】（式中、Ｒ1及びＲ2は、同一でも異なって
いてもよく、水素原子、ヒドロキシル基、アミノ基、ア
ルキル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、ジアルキ
ルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリール
アミノ基、アリールアルキル基、アルケニル基又はアリ
ールアルケニル基を表す）で示される化合物（特願平２
０００−６２９８０号）；次式：
いてもよく、水素原子、ヒドロキシル基、アミノ基、ア
ルキル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、ジアルキ
ルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリール
アミノ基、アリールアルキル基、アルケニル基又はアリ
ールアルケニル基を表す）で示される化合物（特願平２
０００−６２９８０号）；次式：
【００１２】
【化８】
【００１３】で示される化合物のアルカリ金属塩、アル
カリ土類金属塩、アンモニウム塩又はアミン塩（特願平
２０００−１１２９１０号）；次式：
カリ土類金属塩、アンモニウム塩又はアミン塩（特願平
２０００−１１２９１０号）；次式：
【００１４】
【化９】
【００１５】（式中、Ｒ3及びＲ4は、同一でも異なって
いてもよく、アルキル基、シクロアルキル基又はアリー
ルアルキル基を表し、又はＲ3とＲ4とで環を形成してい
てもよい）で示される化合物のアルカリ金属塩、アルカ
リ土類金属塩、アンモニウム塩、アミン塩、亜鉛酸塩又
はニッケル塩（特願平２０００−１１２９１２号）；次
式：
いてもよく、アルキル基、シクロアルキル基又はアリー
ルアルキル基を表し、又はＲ3とＲ4とで環を形成してい
てもよい）で示される化合物のアルカリ金属塩、アルカ
リ土類金属塩、アンモニウム塩、アミン塩、亜鉛酸塩又
はニッケル塩（特願平２０００−１１２９１２号）；次
式：
【００１６】
【化１０】
【００１７】（式中、Ｒ5及びＲ6は、同一でも異なって
いてもよく、アルキル基、シクロアルキル基又はアリー
ルアルキル基を表し、又はＲ5とＲ6とで環を形成してい
てもよい）で示される化合物（特願平２０００−１１２
９１３号）；次式：
いてもよく、アルキル基、シクロアルキル基又はアリー
ルアルキル基を表し、又はＲ5とＲ6とで環を形成してい
てもよい）で示される化合物（特願平２０００−１１２
９１３号）；次式：
【００１８】
【化１１】
【００１９】（式中、Ｍはアンモニウム又は金属を表
す）で示される化合物（特願平２０００−１１２９１４
号）；次式：
す）で示される化合物（特願平２０００−１１２９１４
号）；次式：
【００２０】
【化１２】
【００２１】（式中、Ｒ7は、それぞれ独立して、水
素、メチル基を表し；Ｒ8は、それぞれ独立して、Ｒ7が
水素の場合には、水素、フェニル基を表し、Ｒ7がメチ
ル基の場合には、水素、メチル基を表す）で示される化
合物（特願平２０００−１１２９１６号）。
素、メチル基を表し；Ｒ8は、それぞれ独立して、Ｒ7が
水素の場合には、水素、フェニル基を表し、Ｒ7がメチ
ル基の場合には、水素、メチル基を表す）で示される化
合物（特願平２０００−１１２９１６号）。
【００２２】なお、これらのダイオキシン類処理剤は、
シリカ、アルミナ、ゼオライト、珪藻土又は活性炭から
選択される担体に担持されていてもよい。これらのダイ
オキシン類処理剤を用いてダイオキシン類と接触させる
ことにより、ダイオキシン類を３００℃以下、好ましく
は２５０℃以下、更に好ましくは２３０℃以下、最も好
ましくは２００℃以下の温度でも分解することができ
る。したがって、燃焼排ガスを３００℃以下の温度に冷
却した後に、これらのダイオキシン類処理剤を排ガスに
加えることによってダイオキシン類を処理することがで
きる。また、上記のダイオキシン類処理剤は、例えば９
００℃程度の高温下でもダイオキシン類を分解処理でき
ることが分かった。したがって、上記のダイオキシン類
処理剤を、例えば焼却炉からの高温の排ガスに直接加え
ることによって、排ガス中のダイオキシン類を分解処理
することができる。この場合、処理後の排ガス中にはダ
イオキシン類処理剤が残留しており、その後に排ガスを
冷却する際にダイオキシン類が再合成されても、残留し
ているダイオキシン類分解剤によって、再合成されたダ
イオキシン類を３００℃以下の温度で分解することがで
きる。
シリカ、アルミナ、ゼオライト、珪藻土又は活性炭から
選択される担体に担持されていてもよい。これらのダイ
オキシン類処理剤を用いてダイオキシン類と接触させる
ことにより、ダイオキシン類を３００℃以下、好ましく
は２５０℃以下、更に好ましくは２３０℃以下、最も好
ましくは２００℃以下の温度でも分解することができ
る。したがって、燃焼排ガスを３００℃以下の温度に冷
却した後に、これらのダイオキシン類処理剤を排ガスに
加えることによってダイオキシン類を処理することがで
きる。また、上記のダイオキシン類処理剤は、例えば９
００℃程度の高温下でもダイオキシン類を分解処理でき
ることが分かった。したがって、上記のダイオキシン類
処理剤を、例えば焼却炉からの高温の排ガスに直接加え
ることによって、排ガス中のダイオキシン類を分解処理
することができる。この場合、処理後の排ガス中にはダ
イオキシン類処理剤が残留しており、その後に排ガスを
冷却する際にダイオキシン類が再合成されても、残留し
ているダイオキシン類分解剤によって、再合成されたダ
イオキシン類を３００℃以下の温度で分解することがで
きる。
【００２３】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記に示す本
発明者が提案したダイオキシン類処理剤を用いて焼却飛
灰を含む焼却炉排ガスに含まれるダイオキシン類を効率
よく処理するための装置を提供するものである。
発明者が提案したダイオキシン類処理剤を用いて焼却飛
灰を含む焼却炉排ガスに含まれるダイオキシン類を効率
よく処理するための装置を提供するものである。
【００２４】即ち、本発明は、焼却炉から排出される飛
灰及び焼却灰を含む排ガスを所定温度に冷却するガス冷
却装置；前記ガス冷却装置からの排出ガスを処理してそ
の中に含まれる飛灰及び焼却灰を分離するための集塵装
置；前記焼却炉からガス冷却装置への排出ガス及び／又
はガス冷却装置からの排出ガスにダイオキシン類処理剤
を供給するためのダイオキシン類処理剤供給装置；を具
備することを特徴とするダイオキシン類処理装置に関す
る。
灰及び焼却灰を含む排ガスを所定温度に冷却するガス冷
却装置；前記ガス冷却装置からの排出ガスを処理してそ
の中に含まれる飛灰及び焼却灰を分離するための集塵装
置；前記焼却炉からガス冷却装置への排出ガス及び／又
はガス冷却装置からの排出ガスにダイオキシン類処理剤
を供給するためのダイオキシン類処理剤供給装置；を具
備することを特徴とするダイオキシン類処理装置に関す
る。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明に係るダイオキシン類処理装置の具体的な一態様を説
明する。図１は、本発明の一態様に係るダイオキシン類
処理装置の構成を示す概念図である。以下の説明は、図
１に示す本発明の一態様に係るダイオキシン類処理装置
に関するもので、本発明はこれに限定されるものではな
い。
明に係るダイオキシン類処理装置の具体的な一態様を説
明する。図１は、本発明の一態様に係るダイオキシン類
処理装置の構成を示す概念図である。以下の説明は、図
１に示す本発明の一態様に係るダイオキシン類処理装置
に関するもので、本発明はこれに限定されるものではな
い。
【００２６】図１中、１は焼却炉、２はガス冷却塔、３
はガス冷却塔から集塵装置への煙道、１３は焼却炉から
ガス冷却塔への煙道、４は集塵装置、５はダイオキシン
類処理剤ホッパ、６及び１２はダイオキシン類処理剤供
給配管である。焼却炉１から排出される排ガスは、９０
０℃〜９５０℃の高温であるが、ガス冷却塔２により３
００℃以下の適当な温度に冷却される。ここでいう適当
な温度とは、配管６を通して排ガス中に供給されるダイ
オキシン類処理剤によって、ダイオキシン類の再合成温
度以下の温度でダイオキシン類を分解処理する反応の反
応温度であり、ガス中のダイオキシン類の濃度や用いら
れるダイオキシン類処理剤の種類、ガスの流量などによ
って変動するが、一般に、１５０℃以上、好ましくは１
８０℃以上であって、３００℃以下、好ましくは２５０
℃以下、更に好ましくは２３０℃以下、最も好ましくは
２００℃以下の温度である。ガス冷却塔２を適宜制御す
ることにより、所望の温度に排ガスを冷却することがで
きる。なお、ガス冷却塔に代えて、排ガスを所望の温度
に制御しながら冷却することのできる当該技術において
公知の任意の冷却装置を用いることができる。冷却塔２
で冷却された排ガスは、所望により設けられる煙道３を
通って集塵装置４に送られ、そこで集塵処理されて、焼
却飛灰が排ガスから分離される。
はガス冷却塔から集塵装置への煙道、１３は焼却炉から
ガス冷却塔への煙道、４は集塵装置、５はダイオキシン
類処理剤ホッパ、６及び１２はダイオキシン類処理剤供
給配管である。焼却炉１から排出される排ガスは、９０
０℃〜９５０℃の高温であるが、ガス冷却塔２により３
００℃以下の適当な温度に冷却される。ここでいう適当
な温度とは、配管６を通して排ガス中に供給されるダイ
オキシン類処理剤によって、ダイオキシン類の再合成温
度以下の温度でダイオキシン類を分解処理する反応の反
応温度であり、ガス中のダイオキシン類の濃度や用いら
れるダイオキシン類処理剤の種類、ガスの流量などによ
って変動するが、一般に、１５０℃以上、好ましくは１
８０℃以上であって、３００℃以下、好ましくは２５０
℃以下、更に好ましくは２３０℃以下、最も好ましくは
２００℃以下の温度である。ガス冷却塔２を適宜制御す
ることにより、所望の温度に排ガスを冷却することがで
きる。なお、ガス冷却塔に代えて、排ガスを所望の温度
に制御しながら冷却することのできる当該技術において
公知の任意の冷却装置を用いることができる。冷却塔２
で冷却された排ガスは、所望により設けられる煙道３を
通って集塵装置４に送られ、そこで集塵処理されて、焼
却飛灰が排ガスから分離される。
【００２７】図１に示す装置においては、煙道３及び／
又は１３にダイオキシン類処理剤ホッパ５が配管６及び
／又は１２を介して接続されており、所定量のダイオキ
シン類処理剤が煙道３及び／又は１３内に供給される。
ダイオキシン類処理剤としては、上述した先の出願に係
るダイオキシン類処理剤のいずれか、又はこれらを混合
したものを用いることができる。これにより、煙道３及
び／又は１３を流れる焼却飛灰を含む排ガス中に含まれ
るダイオキシン類が、ダイオキシン類処理剤と反応して
分解処理される。なお、ダイオキシン類処理剤は、図１
に示すように焼却炉１からガス冷却塔２への煙道１３に
供給しても、又はガス冷却塔２から集塵装置４への煙道
３に供給してもよく、或いはこれらの両方に供給するこ
ともできる。更には、ダイオキシン類処理剤は、集塵装
置４に直接供給することもできる。いずれの態様におい
ても、ダイオキシン類処理剤とダイオキシン類との反応
が十分に進行してダイオキシン類が処理される。なお、
本発明において、ダイオキシン類の処理としては、ダイ
オキシン類の分解のほかに、その生成の抑制も含まれ
る。これは、塩化水素ガスからの塩素ガスの生成抑
制；銅等の金属触媒の不活性化；の二つの作用によ
る。
又は１３にダイオキシン類処理剤ホッパ５が配管６及び
／又は１２を介して接続されており、所定量のダイオキ
シン類処理剤が煙道３及び／又は１３内に供給される。
ダイオキシン類処理剤としては、上述した先の出願に係
るダイオキシン類処理剤のいずれか、又はこれらを混合
したものを用いることができる。これにより、煙道３及
び／又は１３を流れる焼却飛灰を含む排ガス中に含まれ
るダイオキシン類が、ダイオキシン類処理剤と反応して
分解処理される。なお、ダイオキシン類処理剤は、図１
に示すように焼却炉１からガス冷却塔２への煙道１３に
供給しても、又はガス冷却塔２から集塵装置４への煙道
３に供給してもよく、或いはこれらの両方に供給するこ
ともできる。更には、ダイオキシン類処理剤は、集塵装
置４に直接供給することもできる。いずれの態様におい
ても、ダイオキシン類処理剤とダイオキシン類との反応
が十分に進行してダイオキシン類が処理される。なお、
本発明において、ダイオキシン類の処理としては、ダイ
オキシン類の分解のほかに、その生成の抑制も含まれ
る。これは、塩化水素ガスからの塩素ガスの生成抑
制；銅等の金属触媒の不活性化；の二つの作用によ
る。
【００２８】本発明に係る装置においては、ダイオキシ
ン類と、上記に示すようなダイオキシン類処理剤とを接
触させることによって、ダイオキシン類中の塩素原子と
ダイオキシン類処理剤の化合物とが反応し、ダイオキシ
ン類の脱塩素反応又は六員環（ベンゼン環）の開裂反応
が迅速に進行して、ダイオキシン類が分解される。
ン類と、上記に示すようなダイオキシン類処理剤とを接
触させることによって、ダイオキシン類中の塩素原子と
ダイオキシン類処理剤の化合物とが反応し、ダイオキシ
ン類の脱塩素反応又は六員環（ベンゼン環）の開裂反応
が迅速に進行して、ダイオキシン類が分解される。
【００２９】本発明に係るダイオキシン類処理剤は、上
記に示すものの１種だけ用いてもよく、或いは２種以上
を組み合わせて用いてもよい。また、本発明に係るダイ
オキシン類処理剤は、担体に担持された形態であっても
よい。用いることのできる担体としては、例えば、シリ
カ、アルミナ、ゼオライト、珪藻土、活性炭などを挙げ
ることができる。このような担体上に本発明に係るダイ
オキシン類処理剤を担持させることにより、かかる担体
によるダイオキシン類分解の触媒効果も期待され、より
効率よくダイオキシン類を分解処理することが可能にな
る。
記に示すものの１種だけ用いてもよく、或いは２種以上
を組み合わせて用いてもよい。また、本発明に係るダイ
オキシン類処理剤は、担体に担持された形態であっても
よい。用いることのできる担体としては、例えば、シリ
カ、アルミナ、ゼオライト、珪藻土、活性炭などを挙げ
ることができる。このような担体上に本発明に係るダイ
オキシン類処理剤を担持させることにより、かかる担体
によるダイオキシン類分解の触媒効果も期待され、より
効率よくダイオキシン類を分解処理することが可能にな
る。
【００３０】本発明によれば、ダイオキシン類中の塩素
とダイオキシン類処理剤とが反応することにより、従来
法ではダイオキシン類は分解しないとされていた３００
℃よりも低い温度で、ダイオキシン類の脱塩素反応或い
は六員環（ベンゼン環）の開裂反応が迅速に進行して、
ダイオキシン類が分解処理される。
とダイオキシン類処理剤とが反応することにより、従来
法ではダイオキシン類は分解しないとされていた３００
℃よりも低い温度で、ダイオキシン類の脱塩素反応或い
は六員環（ベンゼン環）の開裂反応が迅速に進行して、
ダイオキシン類が分解処理される。
【００３１】本発明において、ダイオキシン類処理剤を
焼却飛灰を含む焼却炉排ガスと接触させてダイオキシン
類を処理する際には、ダイオキシン類処理剤を、排ガス
量に対して１０〜２００ｐｐｍ、好ましくは１０〜１０
０ｐｐｍの割合で接触させることが好ましい。
焼却飛灰を含む焼却炉排ガスと接触させてダイオキシン
類を処理する際には、ダイオキシン類処理剤を、排ガス
量に対して１０〜２００ｐｐｍ、好ましくは１０〜１０
０ｐｐｍの割合で接触させることが好ましい。
【００３２】なお、焼却飛灰は、焼却炉排ガス中のダイ
オキシン類の吸着除去剤として焼却炉の煙道に吹き込ま
れた粉末活性炭を含むものであってもよい。本発明にお
いて、ダイオキシン類処理剤を、焼却飛灰を含む焼却炉
排ガスと接触させる際の形態は、粉体状又はガス状のい
ずれであってもよい。しかし、焼却飛灰を含む焼却炉排
ガスを、ガス状の本発明に係るダイオキシン類処理剤と
接触させた場合に最も効率よくダイオキシン類が分解処
理されるので、ダイオキシン類処理剤として３００℃よ
りも低い温度で十分に高い蒸気圧を有するものを用いる
ことが好ましい。
オキシン類の吸着除去剤として焼却炉の煙道に吹き込ま
れた粉末活性炭を含むものであってもよい。本発明にお
いて、ダイオキシン類処理剤を、焼却飛灰を含む焼却炉
排ガスと接触させる際の形態は、粉体状又はガス状のい
ずれであってもよい。しかし、焼却飛灰を含む焼却炉排
ガスを、ガス状の本発明に係るダイオキシン類処理剤と
接触させた場合に最も効率よくダイオキシン類が分解処
理されるので、ダイオキシン類処理剤として３００℃よ
りも低い温度で十分に高い蒸気圧を有するものを用いる
ことが好ましい。
【００３３】本発明において、焼却飛灰を含む焼却炉排
ガスとダイオキシン類処理剤とを接触させる方法として
は、以下のような方法を採用することができる。 Ａ．ダイオキシン類処理剤を煙道３及び／又は１３及び
／又は集塵装置４において排ガス中に吹き込み、排ガス
中のダイオキシン類とダイオキシン類処理剤とを接触さ
せる。
ガスとダイオキシン類処理剤とを接触させる方法として
は、以下のような方法を採用することができる。 Ａ．ダイオキシン類処理剤を煙道３及び／又は１３及び
／又は集塵装置４において排ガス中に吹き込み、排ガス
中のダイオキシン類とダイオキシン類処理剤とを接触さ
せる。
【００３４】Ｂ．ダイオキシン類処理剤を、処理対象の
排ガスの温度程度に加熱してガス化し、このガスを含む
気流を煙道３及び／又は１３及び／又は集塵装置４にお
いて排ガス中に吹き込み、排ガス中のダイオキシン類と
接触させる。
排ガスの温度程度に加熱してガス化し、このガスを含む
気流を煙道３及び／又は１３及び／又は集塵装置４にお
いて排ガス中に吹き込み、排ガス中のダイオキシン類と
接触させる。
【００３５】Ｃ．ダイオキシン類処理剤の気化物又は該
気化物を含むガスを煙道３及び／又は１３及び／又は集
塵装置４において排ガス中に吹き込み、排ガス中のダイ
オキシン類と接触させる。
気化物を含むガスを煙道３及び／又は１３及び／又は集
塵装置４において排ガス中に吹き込み、排ガス中のダイ
オキシン類と接触させる。
【００３６】Ｄ．ダイオキシン類処理剤を、粉末活性
炭、シリカ、アルミナ、珪藻土又はゼオライト等の担体
に担持させたものを、煙道３及び／又は１３及び／又は
集塵装置４において排ガス中に吹き込み、排ガス中のダ
イオキシン類と接触させる。
炭、シリカ、アルミナ、珪藻土又はゼオライト等の担体
に担持させたものを、煙道３及び／又は１３及び／又は
集塵装置４において排ガス中に吹き込み、排ガス中のダ
イオキシン類と接触させる。
【００３７】上記のようにダイオキシン類が分解処理さ
れた焼却飛灰を含む焼却炉排ガスは、集塵装置４におい
て集塵処理され、焼却飛灰が分離される。集塵装置４に
入る排ガスは、冷却塔２において３００℃以下に冷却さ
れたものであるので、バグフィルタや電気集塵器等、こ
の温度範囲で当該技術において用いられている任意の集
塵装置を用いることができる。
れた焼却飛灰を含む焼却炉排ガスは、集塵装置４におい
て集塵処理され、焼却飛灰が分離される。集塵装置４に
入る排ガスは、冷却塔２において３００℃以下に冷却さ
れたものであるので、バグフィルタや電気集塵器等、こ
の温度範囲で当該技術において用いられている任意の集
塵装置を用いることができる。
【００３８】次に、集塵装置４において分離された焼却
飛灰は、配管７を通って灰貯留槽８に送られ、排出管９
を介して外部に廃棄されるか、或いは更なる後段の処理
（例えば重金属処理工程）に送られる。所望により、灰
貯留槽８に、焼却飛灰を３００℃以下のダイオキシン類
分解反応温度に保持するための加熱・保温装置を設ける
ことができる。このような加熱・保温装置を灰貯留槽８
に設けて、焼却飛灰を一定時間、例えば３０分〜１時
間、３００℃以下の所定のダイオキシン類反応温度に保
持することにより、ダイオキシン類の分解反応を更に十
分に進行させることができる。また、更に灰貯留槽８の
後段に、一定時間、例えば１時間程度、焼却飛灰を３０
０℃以下の所定の温度に保持するための装置を設置して
もよい。
飛灰は、配管７を通って灰貯留槽８に送られ、排出管９
を介して外部に廃棄されるか、或いは更なる後段の処理
（例えば重金属処理工程）に送られる。所望により、灰
貯留槽８に、焼却飛灰を３００℃以下のダイオキシン類
分解反応温度に保持するための加熱・保温装置を設ける
ことができる。このような加熱・保温装置を灰貯留槽８
に設けて、焼却飛灰を一定時間、例えば３０分〜１時
間、３００℃以下の所定のダイオキシン類反応温度に保
持することにより、ダイオキシン類の分解反応を更に十
分に進行させることができる。また、更に灰貯留槽８の
後段に、一定時間、例えば１時間程度、焼却飛灰を３０
０℃以下の所定の温度に保持するための装置を設置して
もよい。
【００３９】一方、集塵装置４において焼却飛灰が分離
除去された排ガスは、ＩＤＦ（Induced Draft Fan:誘引
送風機）１０及び煙突１１を通して系外に放出される。
上記に示すダイオキシン類処理剤は、ダイオキシン類
と、還元性雰囲気下で接触させても、或いは酸素存在
下、即ち大気中若しくは排ガス中で接触させても、ダイ
オキシン類を効率よく分解処理することができる。した
がって、本発明に係るダイオキシン類処理装置において
は、ダイオキシン類処理剤とダイオキシン類とを接触さ
せる雰囲気を調整するのための設備や作業は不要であ
る。
除去された排ガスは、ＩＤＦ（Induced Draft Fan:誘引
送風機）１０及び煙突１１を通して系外に放出される。
上記に示すダイオキシン類処理剤は、ダイオキシン類
と、還元性雰囲気下で接触させても、或いは酸素存在
下、即ち大気中若しくは排ガス中で接触させても、ダイ
オキシン類を効率よく分解処理することができる。した
がって、本発明に係るダイオキシン類処理装置において
は、ダイオキシン類処理剤とダイオキシン類とを接触さ
せる雰囲気を調整するのための設備や作業は不要であ
る。
【００４０】
【発明の効果】本発明に係るダイオキシン類処理装置に
よれば、本発明者が先に提案した低温活性のダイオキシ
ン類処理剤を用いて、焼却炉から排出されるダイオキシ
ン類を含む排ガスを極めて効率的に分解処理することが
できる。本発明に係るダイオキシン類処理装置は、ダイ
オキシン類の処理雰囲気を還元性雰囲気とすることなし
に、大気中又は排ガス中でダイオキシン類の分解除去を
実施することができるので、処理設備が簡単で、容易に
実施することができる。
よれば、本発明者が先に提案した低温活性のダイオキシ
ン類処理剤を用いて、焼却炉から排出されるダイオキシ
ン類を含む排ガスを極めて効率的に分解処理することが
できる。本発明に係るダイオキシン類処理装置は、ダイ
オキシン類の処理雰囲気を還元性雰囲気とすることなし
に、大気中又は排ガス中でダイオキシン類の分解除去を
実施することができるので、処理設備が簡単で、容易に
実施することができる。
【００４１】
【実施例】以下の参考例及び実施例により、本発明をよ
り具体的に説明するが、本発明はこの実施例に限定され
るものではない。
り具体的に説明するが、本発明はこの実施例に限定され
るものではない。
【００４２】なお、以下の参考例及び実施例において、
ダイオキシン類の濃度（ｎｇ／ｇ）は、ガスクロマトグ
ラフィー−質量分析法によってダイオキシン類（ＰＣＤ
Ｄｓ・ＰＣＤＦｓの合計）の濃度として測定し、また、
ダイオキシン類毒性等量値（ｎｇ−ＴＥＱ／ｇ）は、国
際毒性等価係数（Ｉ−ＴＥＦ）を用いて算出した。
ダイオキシン類の濃度（ｎｇ／ｇ）は、ガスクロマトグ
ラフィー−質量分析法によってダイオキシン類（ＰＣＤ
Ｄｓ・ＰＣＤＦｓの合計）の濃度として測定し、また、
ダイオキシン類毒性等量値（ｎｇ−ＴＥＱ／ｇ）は、国
際毒性等価係数（Ｉ−ＴＥＦ）を用いて算出した。
【００４３】参考例：各種ダイオキシン類処理剤の調製
及び分解能の評価 参考例１ シリカに吸着させたニトロベンゼン５ｇと、飛灰１００
ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合
し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた
後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２
３０℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物の
ダイオキシン濃度を測定した。結果を表１に示す。
及び分解能の評価 参考例１ シリカに吸着させたニトロベンゼン５ｇと、飛灰１００
ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合
し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた
後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２
３０℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物の
ダイオキシン濃度を測定した。結果を表１に示す。
【００４４】参考例２ シリカに吸着させたニトロフェノール５ｇと飛灰１００
ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）をよく混合
し、参考例１と同様にダイオキシン類除去試験を行っ
た。結果を表１に示す。
ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）をよく混合
し、参考例１と同様にダイオキシン類除去試験を行っ
た。結果を表１に示す。
【００４５】参考例３ ｐ−ニトロトルエン５ｇと飛灰１００ｇ（ダイオキシン
類濃度９５０ｎｇ／ｇ）をよく混合し、参考例１と同様
にダイオキシン類除去試験を行った。結果を表１に示
す。
類濃度９５０ｎｇ／ｇ）をよく混合し、参考例１と同様
にダイオキシン類除去試験を行った。結果を表１に示
す。
【００４６】参考例４ ｐ−ｎ−ブチルニトロベンゼン５ｇと、飛灰１００ｇ
（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合
し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた
後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、２００℃、３
００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物の
ダイオキシン濃度を測定した。結果を表１に示す。
（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合
し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた
後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、２００℃、３
００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物の
ダイオキシン濃度を測定した。結果を表１に示す。
【００４７】参考例５ ｐ−メトキシニトロベンゼン５ｇと飛灰１００ｇ（ダイ
オキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）をよく混合し、参考例
４と同様にダイオキシン類除去試験を行った。結果を表
１に示す。
オキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）をよく混合し、参考例
４と同様にダイオキシン類除去試験を行った。結果を表
１に示す。
【００４８】参考例６ ｐ−ニトロビフェニル５ｇと飛灰１００ｇ（ダイオキシ
ン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）をよく混合し、参考例４と同
様にダイオキシン類除去試験を行った。結果を表１に示
す。
ン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）をよく混合し、参考例４と同
様にダイオキシン類除去試験を行った。結果を表１に示
す。
【００４９】参考例７ ｐ−アリルニトロベンゼン５ｇと飛灰１００ｇ（ダイオ
キシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）をよく混合し、参考例４
と同様にダイオキシン類除去試験を行った。結果を表１
に示す。
キシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）をよく混合し、参考例４
と同様にダイオキシン類除去試験を行った。結果を表１
に示す。
【００５０】参考例８ ｐ−ジメチルアミノニトロベンゼン５ｇと飛灰１００ｇ
（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）をよく混合し、
参考例４と同様にダイオキシン類除去試験を行った。結
果を表１に示す。
（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）をよく混合し、
参考例４と同様にダイオキシン類除去試験を行った。結
果を表１に示す。
【００５１】比較例１ シリカ粒子５ｇと、飛灰１００ｇとをよく混合し、容量
５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温
（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃、
２３０℃、３００℃の各温度で３０分間加熱した。その
後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表１
に示す。
５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温
（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃、
２３０℃、３００℃の各温度で３０分間加熱した。その
後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表１
に示す。
【００５２】
【表１】
【００５３】参考例９ トリメルカプトトリアジンの１ナトリウム塩５ｇと、飛
灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とを
よく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し
入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０
℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処
理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表２に示
す。
灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とを
よく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し
入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０
℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処
理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表２に示
す。
【００５４】参考例１０ トリメルカプトトリアジンの２ナトリウム塩５ｇと、飛
灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とを
よく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し
入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０
℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処
理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表２に示
す。
灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とを
よく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し
入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０
℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処
理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表２に示
す。
【００５５】参考例１１ トリメルカプトトリアジンの３ナトリウム塩５ｇと、飛
灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とを
よく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し
入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０
℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処
理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表２に示
す。
灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とを
よく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し
入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０
℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処
理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表２に示
す。
【００５６】参考例１２ トリメルカプトトリアジンのカルシウム塩５ｇと、飛灰
１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよ
く混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入
れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０
℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処
理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表２に示
す。
１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよ
く混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入
れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０
℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処
理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表２に示
す。
【００５７】参考例１３ トリメルカプトトリアジンのメチルアミン塩５ｇと、飛
灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とを
よく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し
入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０
℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処
理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表２に示
す。
灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とを
よく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し
入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０
℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処
理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表２に示
す。
【００５８】参考例１４ トリメルカプトトリアジンのオクチルアミン塩５ｇと、
飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）と
をよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移
し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５
０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、
処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表２に示
す。
飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）と
をよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移
し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５
０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、
処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表２に示
す。
【００５９】参考例１５ トリメルカプトトリアジンのジメチルアミン塩５ｇと、
飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）と
をよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移
し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５
０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、
処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表２に示
す。
飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）と
をよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移
し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５
０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、
処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表２に示
す。
【００６０】参考例１６ トリメルカプトトリアジンのトリメチルアミン塩５ｇ
と、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／
ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう
鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００
℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。
その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を
表２に示す。
と、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／
ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう
鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００
℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。
その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を
表２に示す。
【００６１】参考例１７ トリメルカプトトリアジンのシクロヘキシルアミン塩５
ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／
ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう
鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００
℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。
その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を
表２に示す。
ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／
ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう
鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００
℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。
その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を
表２に示す。
【００６２】参考例１８ トリメルカプトトリアジンのベンジルアミン塩５ｇと、
飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）と
をよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移
し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５
０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、
処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表２に示
す。
飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）と
をよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移
し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５
０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、
処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表２に示
す。
【００６３】参考例１９ トリメルカプトトリアジンのジベンジルアミン塩５ｇ
と、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／
ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう
鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００
℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。
その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を
表２に示す。
と、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／
ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう
鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００
℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。
その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を
表２に示す。
【００６４】参考例２０ トリメルカプトトリアジンのエタノールアミン塩５ｇ
と、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／
ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう
鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００
℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。
その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を
表２に示す。
と、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／
ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう
鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００
℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。
その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を
表２に示す。
【００６５】参考例２１ トリメルカプトトリアジンのメチルアミン塩５ｇにシリ
カ５ｇを混合したものと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン
類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍ
Ｌの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温（２０
℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃の各温度
で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシン濃
度を測定した。結果を表２に示す。
カ５ｇを混合したものと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン
類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍ
Ｌの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温（２０
℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃の各温度
で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシン濃
度を測定した。結果を表２に示す。
【００６６】参考例２２ トリメルカプトトリアジンのモノピペリジン塩５ｇと、
飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）と
をよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移
し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５
０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、
処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表２に示
す。
飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）と
をよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移
し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５
０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、
処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表２に示
す。
【００６７】比較例２ シリカ粒子５ｇと、飛灰１００ｇとをよく混合し、参考
例９と同様に熱処理を行った。処理物のダイオキシン類
濃度を表２に示す。
例９と同様に熱処理を行った。処理物のダイオキシン類
濃度を表２に示す。
【００６８】
【表２】
【００６９】参考例２３ ジメチルジチオカルバミン酸のナトリウム塩５ｇと、飛
灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とを
よく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し
入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０
℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処
理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表３に示
す。
灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とを
よく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し
入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０
℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処
理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表３に示
す。
【００７０】参考例２４ ジオクチルジチオカルバミン酸のナトリウム塩５ｇと、
飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）と
をよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移
し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５
０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、
処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表３に示
す。
飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）と
をよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移
し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５
０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、
処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表３に示
す。
【００７１】参考例２５ ジベンジルジチオカルバミン酸のナトリウム塩５ｇと、
飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）と
をよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移
し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５
０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、
処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表３に示
す。
飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）と
をよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移
し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５
０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、
処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表３に示
す。
【００７２】参考例２６ ジシクロヘキシルジチオカルバミン酸のナトリウム塩５
ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／
ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう
鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００
℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。
その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を
表３に示す。
ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／
ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう
鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００
℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。
その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を
表３に示す。
【００７３】参考例２７ ジメチルジチオカルバミン酸のカルシウム塩５ｇと、飛
灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とを
よく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し
入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０
℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処
理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表３に示
す。
灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とを
よく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し
入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０
℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処
理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表３に示
す。
【００７４】参考例２８ ジメチルジチオカルバミン酸のメチルアミン塩５ｇと、
飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）と
をよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移
し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５
０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、
処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表３に示
す。
飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）と
をよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移
し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５
０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、
処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表３に示
す。
【００７５】参考例２９ ジメチルジチオカルバミン酸のオクチルアミン塩５ｇ
と、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／
ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう
鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００
℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。
その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を
表３に示す。
と、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／
ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう
鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００
℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。
その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を
表３に示す。
【００７６】参考例３０ ジメチルジチオカルバミン酸のジメチルアミン塩５ｇ
と、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／
ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう
鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００
℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。
その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を
表３に示す。
と、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／
ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう
鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００
℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。
その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を
表３に示す。
【００７７】参考例３１ ジメチルジチオカルバミン酸のトリメチルアミン塩５ｇ
と、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／
ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう
鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００
℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。
その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を
表３に示す。
と、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／
ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう
鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００
℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。
その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を
表３に示す。
【００７８】参考例３２ ジメチルジチオカルバミン酸のシクロヘキシルアミン塩
５ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ
／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こ
う鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００
℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。
その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を
表３に示す。
５ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ
／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こ
う鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００
℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。
その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を
表３に示す。
【００７９】参考例３３ ジメチルジチオカルバミン酸のベンジルアミン塩５ｇ
と、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／
ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう
鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００
℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。
その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を
表３に示す。
と、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／
ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう
鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００
℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。
その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を
表３に示す。
【００８０】参考例３４ ジメチルジチオカルバミン酸のジベンジルアミン塩５ｇ
と、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／
ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう
鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００
℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。
その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を
表３に示す。
と、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／
ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう
鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００
℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。
その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を
表３に示す。
【００８１】参考例３５ ジメチルジチオカルバミン酸のエタノールアミン塩５ｇ
と、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／
ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう
鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００
℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。
その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を
表３に示す。
と、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／
ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう
鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００
℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。
その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を
表３に示す。
【００８２】参考例３６ ジメチルジチオカルバミン酸のジメチルアミン塩５ｇに
シリカ５ｇを混合したものと、飛灰１００ｇ（ダイオキ
シン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合し、容量５０
０ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温（２０
℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃の各温度
で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシン濃
度を測定した。結果を表３に示す。
シリカ５ｇを混合したものと、飛灰１００ｇ（ダイオキ
シン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合し、容量５０
０ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温（２０
℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃の各温度
で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシン濃
度を測定した。結果を表３に示す。
【００８３】参考例３７ ペンタメチレンジチオカルバミン酸のピペリジン塩５ｇ
と、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／
ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう
鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００
℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。
その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を
表３に示す。
と、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／
ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう
鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００
℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。
その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を
表３に示す。
【００８４】比較例３ シリカ粒子５ｇと、飛灰１００ｇとをよく混合し、参考
例２３と同様に熱処理を行った。処理物のダイオキシン
類濃度を表４に示す。
例２３と同様に熱処理を行った。処理物のダイオキシン
類濃度を表４に示す。
【００８５】
【表３】
【００８６】参考例３８ テトラメチルチウラムジスルフィド５ｇと、飛灰１００
ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合
し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた
後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２
００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物の
ダイオキシン濃度を測定した。結果を表４に示す。
ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合
し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた
後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２
００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物の
ダイオキシン濃度を測定した。結果を表４に示す。
【００８７】参考例３９ シリカに吸着させたテトラオクチルチウラムジスルフィ
ド５ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎ
ｇ／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型
こう鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１０
０℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱し
た。その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結
果を表４に示す。
ド５ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎ
ｇ／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型
こう鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１０
０℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱し
た。その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結
果を表４に示す。
【００８８】参考例４０ テトラベンジルチウラムジスルフィド５ｇと、飛灰１０
０ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混
合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた
後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２
００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物の
ダイオキシン濃度を測定した。結果を表４に示す。
０ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混
合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた
後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２
００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物の
ダイオキシン濃度を測定した。結果を表４に示す。
【００８９】参考例４１ テトラシクロヘキシルチウラムジスルフィド５ｇと、飛
灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とを
よく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し
入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０
℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処
理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表４に示
す。
灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とを
よく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し
入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０
℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処
理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表４に示
す。
【００９０】参考例４２ ジペンタメチレンチウラムジスルフィド５ｇと、飛灰１
００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく
混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れ
た後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、
２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物
のダイオキシン濃度を測定した。結果を表４に示す。
００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく
混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れ
た後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、
２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物
のダイオキシン濃度を測定した。結果を表４に示す。
【００９１】比較例４ シリカ粒子５ｇと、飛灰１００ｇとをよく混合し、参考
例３８と同様に熱処理を行った。処理物のダイオキシン
類濃度を表５に示す。
例３８と同様に熱処理を行った。処理物のダイオキシン
類濃度を表５に示す。
【００９２】
【表４】
【００９３】参考例４３ ペルオクソ二硫酸のアンモニウム塩５ｇと、飛灰１００
ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合
し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた
後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２
００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物の
ダイオキシン濃度を測定した。結果を表５に示す。
ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合
し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた
後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２
００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物の
ダイオキシン濃度を測定した。結果を表５に示す。
【００９４】参考例４４ ペルオクソ二硫酸のナトリウム塩５ｇと、飛灰１００ｇ
（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合
し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた
後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２
００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物の
ダイオキシン濃度を測定した。結果を表５に示す。
（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合
し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた
後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２
００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物の
ダイオキシン濃度を測定した。結果を表５に示す。
【００９５】比較例５ シリカ粒子５ｇと、飛灰１００ｇとをよく混合し、参考
例４３と同様に試験を実施した。処理物のダイオキシン
類濃度を表５に示す。
例４３と同様に試験を実施した。処理物のダイオキシン
類濃度を表５に示す。
【００９６】
【表５】
【００９７】参考例４５ ジチオカルバジン酸ヒドラジン塩５ｇと、飛灰１００ｇ
（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合
し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた
後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃の各
温度で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシ
ン濃度を測定した。結果を表６に示す。
（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合
し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた
後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃の各
温度で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシ
ン濃度を測定した。結果を表６に示す。
【００９８】参考例４６ ２−メチルジチオカルバジン酸メチルヒドラジン塩５ｇ
と、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／
ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう
鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００
℃、１５０℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処
理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表６に示
す。
と、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／
ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう
鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００
℃、１５０℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処
理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表６に示
す。
【００９９】参考例４７ ３−フェニルジチオカルバジン酸フェニルヒドラジン塩
５ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ
／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こ
う鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００
℃、１５０℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処
理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表６に示
す。
５ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ
／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こ
う鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００
℃、１５０℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処
理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表６に示
す。
【０１００】比較例６ シリカ粒子５ｇと、飛灰１００ｇとをよく混合し、参考
例４５と同様に試験を実施した。処理物のダイオキシン
類濃度を表６に示す。
例４５と同様に試験を実施した。処理物のダイオキシン
類濃度を表６に示す。
【０１０１】
【表６】
【０１０２】実施例１ 本実施例及び以下の実施例、比較例においては全て、図
１に示すダイオキシン類処理装置を用いて実験を行っ
た。焼却炉１からの排ガスをガス冷却塔２によって冷却
し、煙道３を通して集塵装置４に送った。ジチオカルバ
ジン酸ヒドラジン塩からなるダイオキシン類処理剤を、
集塵装置４の前段の煙道３において、燃焼排ガス１ｍ3
（ＮＴＰ）当たり１００ｍｇの割合で排ガス中に吹き込
み、排ガス中のダイオキシン類とダイオキシン類処理剤
とを接触させた。なお、集塵装置４内の排ガスの温度
は、１６０℃であった。集塵装置４としては、バグフィ
ルタを用いた。その後、集塵装置４から灰貯留槽８に払
い落とされた焼却飛灰を採取し、ダイオキシン類の濃度
測定を行った。また、煙道３におけるダイオキシン類処
理剤の吹き込み口の直前と、集塵装置４の直後（図１の
ＩＤＦ１０の直前）の位置において排ガスを採取し、ダ
イオキシン類の濃度測定を行った。結果を表７に示す。
１に示すダイオキシン類処理装置を用いて実験を行っ
た。焼却炉１からの排ガスをガス冷却塔２によって冷却
し、煙道３を通して集塵装置４に送った。ジチオカルバ
ジン酸ヒドラジン塩からなるダイオキシン類処理剤を、
集塵装置４の前段の煙道３において、燃焼排ガス１ｍ3
（ＮＴＰ）当たり１００ｍｇの割合で排ガス中に吹き込
み、排ガス中のダイオキシン類とダイオキシン類処理剤
とを接触させた。なお、集塵装置４内の排ガスの温度
は、１６０℃であった。集塵装置４としては、バグフィ
ルタを用いた。その後、集塵装置４から灰貯留槽８に払
い落とされた焼却飛灰を採取し、ダイオキシン類の濃度
測定を行った。また、煙道３におけるダイオキシン類処
理剤の吹き込み口の直前と、集塵装置４の直後（図１の
ＩＤＦ１０の直前）の位置において排ガスを採取し、ダ
イオキシン類の濃度測定を行った。結果を表７に示す。
【０１０３】また、灰貯留槽８から採取した焼却飛灰を
更に加熱装置に移し入れ、１５０℃で３０分間保温し
て、ダイオキシン類の分解反応を促進させた。この際、
雰囲気の制御は行わなかった。その後、焼却飛灰中のダ
イオキシン類の濃度測定を行った。結果を表７に示す。
更に加熱装置に移し入れ、１５０℃で３０分間保温し
て、ダイオキシン類の分解反応を促進させた。この際、
雰囲気の制御は行わなかった。その後、焼却飛灰中のダ
イオキシン類の濃度測定を行った。結果を表７に示す。
【０１０４】実施例２ ジチオカルバジン酸ヒドラジン塩からなるダイオキシン
類処理剤を、加熱気化装置によってガス化して、集塵装
置４の前段の煙道において、濃度１００ｐｐｍで排ガス
中に吹き込み、排ガス中のダイオキシン類と接触させ
た。集塵装置４内の排ガスは、冷却塔２により１６０℃
に冷却されていた。集塵装置４としては、バグフィルタ
を用いた。その後、集塵装置４から灰貯留槽８に払い落
とされた焼却飛灰を採取し、ダイオキシン類の濃度測定
を行った。また、ダイオキシン類処理剤の吹き込み口の
直前と集塵装置直後の位置において排ガスを採取し、ダ
イオキシン類の濃度測定を行った。結果を表７に示す。
類処理剤を、加熱気化装置によってガス化して、集塵装
置４の前段の煙道において、濃度１００ｐｐｍで排ガス
中に吹き込み、排ガス中のダイオキシン類と接触させ
た。集塵装置４内の排ガスは、冷却塔２により１６０℃
に冷却されていた。集塵装置４としては、バグフィルタ
を用いた。その後、集塵装置４から灰貯留槽８に払い落
とされた焼却飛灰を採取し、ダイオキシン類の濃度測定
を行った。また、ダイオキシン類処理剤の吹き込み口の
直前と集塵装置直後の位置において排ガスを採取し、ダ
イオキシン類の濃度測定を行った。結果を表７に示す。
【０１０５】また、灰貯留槽８から採取した焼却飛灰を
更に加熱装置に移し入れ、１５０℃で３０分間保温し
て、ダイオキシン類の分解反応を促進させた。この際、
雰囲気の制御は行わなかった。その後、焼却飛灰中のダ
イオキシン類の濃度測定を行った。結果を表７に示す。
更に加熱装置に移し入れ、１５０℃で３０分間保温し
て、ダイオキシン類の分解反応を促進させた。この際、
雰囲気の制御は行わなかった。その後、焼却飛灰中のダ
イオキシン類の濃度測定を行った。結果を表７に示す。
【０１０６】実施例３ 粉末活性炭に担持させたジチオカルバジン酸ヒドラジン
塩からなるダイオキシン類処理剤を、集塵装置４の前段
の煙道において、燃焼排ガス１ｍ3（ＮＴＰ）当たり１
００ｍｇの割合で排ガス中に吹き込み、排ガス中のダイ
オキシン類と接触させた。集塵装置４内の排ガスは、冷
却塔２により１６０℃に冷却されていた。集塵装置４と
しては、バグフィルタを用いた。その後、集塵装置４か
ら灰貯留槽８に払い落とされた焼却飛灰を採取し、ダイ
オキシン類の濃度測定を行った。また、ダイオキシン類
処理剤の吹き込み口の直前と集塵装置直後の位置におい
て排ガスを採取し、ダイオキシン類の濃度測定を行っ
た。結果を表７に示す。
塩からなるダイオキシン類処理剤を、集塵装置４の前段
の煙道において、燃焼排ガス１ｍ3（ＮＴＰ）当たり１
００ｍｇの割合で排ガス中に吹き込み、排ガス中のダイ
オキシン類と接触させた。集塵装置４内の排ガスは、冷
却塔２により１６０℃に冷却されていた。集塵装置４と
しては、バグフィルタを用いた。その後、集塵装置４か
ら灰貯留槽８に払い落とされた焼却飛灰を採取し、ダイ
オキシン類の濃度測定を行った。また、ダイオキシン類
処理剤の吹き込み口の直前と集塵装置直後の位置におい
て排ガスを採取し、ダイオキシン類の濃度測定を行っ
た。結果を表７に示す。
【０１０７】また、灰貯留槽８から採取した焼却飛灰を
更に加熱装置に移し入れ、１５０℃で３０分間保温し
て、ダイオキシン類の分解反応を促進させた。この際、
雰囲気の制御は行わなかった。その後、焼却飛灰中のダ
イオキシン類の濃度測定を行った。結果を表７に示す。
更に加熱装置に移し入れ、１５０℃で３０分間保温し
て、ダイオキシン類の分解反応を促進させた。この際、
雰囲気の制御は行わなかった。その後、焼却飛灰中のダ
イオキシン類の濃度測定を行った。結果を表７に示す。
【０１０８】比較例７ 実施例１〜３と同一のダイオキシン類処理装置におい
て、集塵装置又は煙道においてダイオキシン類処理剤を
供給せずに運転を行なった。その他の条件は実施例１〜
３と同様であった。集塵装置４から灰貯留槽８に払い落
とされた焼却飛灰を採取し、ダイオキシン類の濃度測定
を行った。また、集塵装置の前後の位置において排ガス
を採取し、ダイオキシン類の濃度測定を行った。結果を
表７に示す。
て、集塵装置又は煙道においてダイオキシン類処理剤を
供給せずに運転を行なった。その他の条件は実施例１〜
３と同様であった。集塵装置４から灰貯留槽８に払い落
とされた焼却飛灰を採取し、ダイオキシン類の濃度測定
を行った。また、集塵装置の前後の位置において排ガス
を採取し、ダイオキシン類の濃度測定を行った。結果を
表７に示す。
【０１０９】
【表７】
【０１１０】表７のデータから、実施例において集塵装
置直後の排ガス中及び灰貯留槽の焼却飛灰中のダイオキ
シン類濃度がダイオキシン類処理剤吹込み前の濃度と比
較して著しく小さく、ダイオキシン類が極めて効率的に
分解されたことが分かる。また、焼却飛灰を更に保温保
持することにより、焼却飛灰中のダイオキシン類が更に
分解されたことが分かる。これに対して、ダイオキシン
類処理剤を供給しなかった比較例７ではダイオキシン類
は分解されず、焼却飛灰中にも排ガス中にもダイオキシ
ン類が残留していることが分かる。
置直後の排ガス中及び灰貯留槽の焼却飛灰中のダイオキ
シン類濃度がダイオキシン類処理剤吹込み前の濃度と比
較して著しく小さく、ダイオキシン類が極めて効率的に
分解されたことが分かる。また、焼却飛灰を更に保温保
持することにより、焼却飛灰中のダイオキシン類が更に
分解されたことが分かる。これに対して、ダイオキシン
類処理剤を供給しなかった比較例７ではダイオキシン類
は分解されず、焼却飛灰中にも排ガス中にもダイオキシ
ン類が残留していることが分かる。
【０１１１】実施例４ 実施例１〜３と同様に、図１に示すダイオキシン類処理
装置を用いて実験を行った。焼却炉１からの排ガスをガ
ス冷却塔２によって冷却し、煙道３を通して集塵装置４
に送った。ジチオカルバジン酸ヒドラジン塩からなるダ
イオキシン類処理剤を、ガス冷却塔２の前段の煙道１３
において、燃焼排ガス１ｍ3（ＮＴＰ）当たり１００ｍ
ｇの割合で排ガス中に吹き込み、排ガス中のダイオキシ
ン類とダイオキシン類処理剤とを接触させた。なお、集
塵装置４内の排ガスの温度は、１８０℃であった。集塵
装置４としては、バグフィルタを用いた。その後、集塵
装置４から灰貯留槽８に払い落とされた焼却飛灰を採取
し、ダイオキシン類の濃度測定を行った。また、煙道１
３におけるダイオキシン類処理剤の吹き込み口の直前
と、集塵装置４の直後（図１のＩＤＦ１０の直前）の位
置において排ガスを採取し、ダイオキシン類の濃度測定
を行った。結果を表８に示す。
装置を用いて実験を行った。焼却炉１からの排ガスをガ
ス冷却塔２によって冷却し、煙道３を通して集塵装置４
に送った。ジチオカルバジン酸ヒドラジン塩からなるダ
イオキシン類処理剤を、ガス冷却塔２の前段の煙道１３
において、燃焼排ガス１ｍ3（ＮＴＰ）当たり１００ｍ
ｇの割合で排ガス中に吹き込み、排ガス中のダイオキシ
ン類とダイオキシン類処理剤とを接触させた。なお、集
塵装置４内の排ガスの温度は、１８０℃であった。集塵
装置４としては、バグフィルタを用いた。その後、集塵
装置４から灰貯留槽８に払い落とされた焼却飛灰を採取
し、ダイオキシン類の濃度測定を行った。また、煙道１
３におけるダイオキシン類処理剤の吹き込み口の直前
と、集塵装置４の直後（図１のＩＤＦ１０の直前）の位
置において排ガスを採取し、ダイオキシン類の濃度測定
を行った。結果を表８に示す。
【０１１２】また、灰貯留槽８から採取した焼却飛灰を
更に加熱装置に移し入れ、１７０℃で３０分間保温し
て、ダイオキシン類の分解反応を促進させた。この際、
雰囲気の制御は行わなかった。その後、焼却飛灰中のダ
イオキシン類の濃度測定を行った。結果を表８に示す。
更に加熱装置に移し入れ、１７０℃で３０分間保温し
て、ダイオキシン類の分解反応を促進させた。この際、
雰囲気の制御は行わなかった。その後、焼却飛灰中のダ
イオキシン類の濃度測定を行った。結果を表８に示す。
【０１１３】実施例５ ジチオカルバジン酸ヒドラジン塩からなるダイオキシン
類処理剤を、加熱気化装置によってガス化して、ガス冷
却塔２の前段の煙道１３において、濃度１００ｐｐｍで
排ガス中に吹き込み、排ガス中のダイオキシン類と接触
させた。集塵装置４内の排ガスは、冷却塔２により１８
０℃に冷却されていた。集塵装置４としては、バグフィ
ルタを用いた。その後、集塵装置４から灰貯留槽８に払
い落とされた焼却飛灰を採取し、ダイオキシン類の濃度
測定を行った。また、ダイオキシン類処理剤の吹き込み
口の直前と集塵装置直後の位置において排ガスを採取
し、ダイオキシン類の濃度測定を行った。結果を表８に
示す。
類処理剤を、加熱気化装置によってガス化して、ガス冷
却塔２の前段の煙道１３において、濃度１００ｐｐｍで
排ガス中に吹き込み、排ガス中のダイオキシン類と接触
させた。集塵装置４内の排ガスは、冷却塔２により１８
０℃に冷却されていた。集塵装置４としては、バグフィ
ルタを用いた。その後、集塵装置４から灰貯留槽８に払
い落とされた焼却飛灰を採取し、ダイオキシン類の濃度
測定を行った。また、ダイオキシン類処理剤の吹き込み
口の直前と集塵装置直後の位置において排ガスを採取
し、ダイオキシン類の濃度測定を行った。結果を表８に
示す。
【０１１４】また、灰貯留槽８から採取した焼却飛灰を
更に加熱装置に移し入れ、１７０℃で３０分間保温し
て、ダイオキシン類の分解反応を促進させた。この際、
雰囲気の制御は行わなかった。その後、焼却飛灰中のダ
イオキシン類の濃度測定を行った。結果を表８に示す。
更に加熱装置に移し入れ、１７０℃で３０分間保温し
て、ダイオキシン類の分解反応を促進させた。この際、
雰囲気の制御は行わなかった。その後、焼却飛灰中のダ
イオキシン類の濃度測定を行った。結果を表８に示す。
【０１１５】実施例６ 粉末活性炭に担持させたジチオカルバジン酸ヒドラジン
塩からなるダイオキシン類処理剤を、ガス冷却塔２の前
段の煙道１３において、燃焼排ガス１ｍ3（ＮＴＰ）当
たり１００ｍｇの割合で排ガス中に吹き込み、排ガス中
のダイオキシン類と接触させた。集塵装置４内の排ガス
は、冷却塔２により１７０℃に冷却されていた。集塵装
置４としては、バグフィルタを用いた。その後、集塵装
置４から灰貯留槽８に払い落とされた焼却飛灰を採取
し、ダイオキシン類の濃度測定を行った。また、ダイオ
キシン類処理剤の吹き込み口の直前と集塵装置直後の位
置において排ガスを採取し、ダイオキシン類の濃度測定
を行った。結果を表７に示す。
塩からなるダイオキシン類処理剤を、ガス冷却塔２の前
段の煙道１３において、燃焼排ガス１ｍ3（ＮＴＰ）当
たり１００ｍｇの割合で排ガス中に吹き込み、排ガス中
のダイオキシン類と接触させた。集塵装置４内の排ガス
は、冷却塔２により１７０℃に冷却されていた。集塵装
置４としては、バグフィルタを用いた。その後、集塵装
置４から灰貯留槽８に払い落とされた焼却飛灰を採取
し、ダイオキシン類の濃度測定を行った。また、ダイオ
キシン類処理剤の吹き込み口の直前と集塵装置直後の位
置において排ガスを採取し、ダイオキシン類の濃度測定
を行った。結果を表７に示す。
【０１１６】また、灰貯留槽８から採取した焼却飛灰を
更に加熱装置に移し入れ、１７０℃で３０分間保温し
て、ダイオキシン類の分解反応を促進させた。この際、
雰囲気の制御は行わなかった。その後、焼却飛灰中のダ
イオキシン類の濃度測定を行った。結果を表８に示す。
更に加熱装置に移し入れ、１７０℃で３０分間保温し
て、ダイオキシン類の分解反応を促進させた。この際、
雰囲気の制御は行わなかった。その後、焼却飛灰中のダ
イオキシン類の濃度測定を行った。結果を表８に示す。
【０１１７】
【表８】
【０１１８】表８に示す結果から、本発明に係るダイオ
キシン類処理装置において、ダイオキシン類処理剤を焼
却炉からガス冷却塔への煙道中に加えても、実施例１〜
３（ダイオキシン類処理剤をガス冷却塔から集塵装置へ
の煙道へ添加）と同様にダイオキシン類が極めて効率的
に分解されたことが分かる。
キシン類処理装置において、ダイオキシン類処理剤を焼
却炉からガス冷却塔への煙道中に加えても、実施例１〜
３（ダイオキシン類処理剤をガス冷却塔から集塵装置へ
の煙道へ添加）と同様にダイオキシン類が極めて効率的
に分解されたことが分かる。
【図１】本発明の一態様に係るダイオキシン類処理装置
の構成を示す概念図である。
の構成を示す概念図である。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０７Ｂ 37/06 Ｂ０１Ｄ 53/34 １３４Ｅ Ｃ０７Ｄ 319/24 ＺＡＢ Ｆ２３Ｊ 15/02 Ｆ２３Ｊ 15/00 Ｃ (72)発明者 辻 秀樹 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 Ｆターム(参考） 2E191 BA13 BA15 BC05 BD13 3K070 DA05 DA16 DA27 DA35 4D002 AA21 AC04 BA13 DA41 DA45 DA70 EA02 GA01 GA03 GB11 4D058 SA20 TA06 UA03 4H006 AA04 AA05 AC13 AC26 BC10 BE90
Claims (4)
- 【請求項１】 焼却炉から排出される飛灰及び焼却灰を
含む排ガスを所定温度に冷却するガス冷却装置；前記ガ
ス冷却装置からの排出ガスを処理してその中に含まれる
飛灰及び焼却灰を分離するための集塵装置；前記焼却炉
からガス冷却装置への排出ガス及び／又はガス冷却装置
からの排出ガスにダイオキシン類処理剤を供給するため
のダイオキシン類処理剤供給装置；を具備することを特
徴とするダイオキシン類処理装置。 - 【請求項２】 集塵装置から排出される飛灰及び焼却灰
を３００℃以下の温度で保持するための装置を更に具備
する請求項１に記載のダイオキシン類処理装置。 - 【請求項３】 ダイオキシン類処理剤が、次式： 【化１】 （式中、Ｒ1及びＲ2は、同一でも異なっていてもよく、
水素原子、ヒドロキシル基、アミノ基、アルキル基、ア
ルコキシ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、
アリール基、アリールオキシ基、アリールアミノ基、ア
リールアルキル基、アルケニル基又はアリールアルケニ
ル基を表す）で示される化合物；次式： 【化２】 で示される化合物のアルカリ金属塩、アルカリ土類金属
塩、アンモニウム塩又はアミン塩；次式： 【化３】 （式中、Ｒ3及びＲ4は、同一でも異なっていてもよく、
アルキル基、シクロアルキル基又はアリールアルキル基
を表し、又はＲ3とＲ4とで環を形成していてもよい）で
示される化合物のアルカリ金属塩、アルカリ土類金属
塩、アンモニウム塩、アミン塩、亜鉛酸塩又はニッケル
塩；次式： 【化４】 （式中、Ｒ5及びＲ6は、同一でも異なっていてもよく、
アルキル基、シクロアルキル基又はアリールアルキル基
を表し、又はＲ5とＲ6とで環を形成していてもよい）で
示される化合物；次式： 【化５】 （式中、Ｍはアンモニウム又は金属を表す）で示される
化合物；又は次式： 【化６】 （式中、Ｒ7は、それぞれ独立して、水素、メチル基を
表し；Ｒ8は、それぞれ独立して、Ｒ7が水素の場合に
は、水素、フェニル基を表し、Ｒ7がメチル基の場合に
は、水素、メチル基を表す）で示される化合物を含むも
のである請求項又は２に記載のダイオキシン類処理装
置。 - 【請求項４】 ダイオキシン類処理剤が、シリカ、アル
ミナ、ゼオライト、珪藻土又は活性炭から選択される担
体に担持されている請求項３に記載のダイオキシン類処
理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001210520A JP3728223B2 (ja) | 2000-07-11 | 2001-07-11 | ダイオキシン類処理装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000-209554 | 2000-07-11 | ||
| JP2000209554 | 2000-07-11 | ||
| JP2001210520A JP3728223B2 (ja) | 2000-07-11 | 2001-07-11 | ダイオキシン類処理装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002136841A true JP2002136841A (ja) | 2002-05-14 |
| JP2002136841A5 JP2002136841A5 (ja) | 2004-12-16 |
| JP3728223B2 JP3728223B2 (ja) | 2005-12-21 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001210520A Expired - Fee Related JP3728223B2 (ja) | 2000-07-11 | 2001-07-11 | ダイオキシン類処理装置 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3728223B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107930360A (zh) * | 2017-12-22 | 2018-04-20 | 杭州富阳伟文环保科技有限公司 | 一种去除垃圾焚烧尾气中多氯二苯并呋喃的处理剂 |
| CN108079764A (zh) * | 2017-12-22 | 2018-05-29 | 杭州富阳伟文环保科技有限公司 | 一种去除垃圾焚烧尾气中多氯二苯并呋喃的处理方法 |
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| CN105327609A (zh) * | 2015-12-14 | 2016-02-17 | 陈逸君 | 一种去除垃圾焚烧尾气中三种二恶英类化合物的处理剂 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11207300A (ja) * | 1997-11-21 | 1999-08-03 | Kurita Water Ind Ltd | ダイオキシン類の分解方法 |
| JP2000140627A (ja) * | 1998-11-10 | 2000-05-23 | Takuma Co Ltd | ダイオキシン除去材、ダイオキシン除去方法、及び、ダイオキシン除去材の再生方法 |
-
2001
- 2001-07-11 JP JP2001210520A patent/JP3728223B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2000140627A (ja) * | 1998-11-10 | 2000-05-23 | Takuma Co Ltd | ダイオキシン除去材、ダイオキシン除去方法、及び、ダイオキシン除去材の再生方法 |
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| CN108079764A (zh) * | 2017-12-22 | 2018-05-29 | 杭州富阳伟文环保科技有限公司 | 一种去除垃圾焚烧尾气中多氯二苯并呋喃的处理方法 |
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