JP2002131958A

JP2002131958A - 画像形成装置

Info

Publication number: JP2002131958A
Application number: JP2000325339A
Authority: JP
Inventors: Junichiro Hashizume; 淳一郎橋爪; Shigenori Ueda; 重教植田; Tatsuji Okamura; 竜次岡村
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2000-10-25
Filing date: 2000-10-25
Publication date: 2002-05-09

Abstract

(57)【要約】【課題】高温、高湿の環境においても画像流れが発生
せず、帯電ムラが少なく、感光体削れの発生しない、き
わめて良好な画像が安定して得られる画像形成装置を提
供する。【解決手段】導電性基体１０１と、導電性基体上に少
なくとも光導電層１０２を有する感光体と、感光体を帯
電させる帯電手段と、像露光を行うことにより感光体上
に静電潜像を形成させる潜像形成手段と、感光体上に形
成された静電潜像にトナーを転移させてトナー像を形成
させる現像手段と、トナー像を転写材に転写させる転写
手段とを有する画像形成装置において、感光体の光導電
層は少なくとも水素を含有した非単結晶シリコンを主体
とし、ＥＳＲによって測定される感光体の最表面近傍に
おけるスピン濃度が１×１０¹⁸ｃｍ^-3以上、１×１０²²
ｃｍ ^-3以下であり、帯電手段は、感光体面に電圧を印加
した導電性部材を当接させて感光体面を帯電する接触帯
電装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、アモルファスシリ
コン電子写真感光体を用いた画像形成装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、電子写真装置、例えば普通紙複写
機、レーザープリンター、ＬＥＤプリンター、液晶プリ
ンター等に用いられる感光体への帯電装置はコロナ帯電
器を使うのが一般的であり、広く使われている。コロナ
帯電器はφ５０〜１００μｍ程度の金属ワイヤーに５〜
１０ｋＶ程度の高電圧を印加し、雰囲気を電離すること
で対向物を帯電するものである。

【０００３】コロナ帯電器は、その構造上、コロナ放電
にともない、オゾンが大量に発生する場合がある。この
ため、繰り返し使用によりオゾンやコロナ生成物が感光
体表面に付着し、この影響で感光体の表面が湿度に敏感
となり水分を吸着し易くなる場合がある。これが感光体
表面の電荷の横流れの原因となる場合があり、画像流れ
と言われる画像品質の低下を引き起こす場合がある。特
にアモルファスシリコンを用いた電子写真感光体は表面
硬度が高く、耐刷枚数が多い反面、表面が削れ難いた
め、一度付着したコロナ生成物は取り除き難い場合があ
る。

【０００４】このような画像流れを防止する為に、実公
平１−３４２０５号公報に記載されているようなヒータ
ーによる加熱や、特公平２−３８９５６号公報に記載さ
れているようなマグネットローラーと磁性トナーから形
成されたブラシにより感光体表面を摺擦しコロナ生成物
を取り除く方法などが用いられてきた。しかしながら、
感光体表面を摺擦する方法はクリーニング装置が大きく
なる等、装置の小型化が困難となる場合がある。また、
ヒーターによる常時加熱は、消費電力量の増大を招く場
合がある。こうしたヒーターの容量は通常１５Ｗから８
０Ｗ程度と必ずしも大電力量といった印象を得ないが、
夜間も含め常時通電されているケースがほとんどであ
り、一日あたりの消費電力量としては、画像形成装置全
体の消費電力量の５〜１５％にも達する場合もある。

【０００５】さらに、こうした画像流れの元凶であるオ
ゾンは、画像形成装置の周囲の人や生物への健康障害の
恐れもあり、従来からオゾン除去フィルターで分解無害
化して排出していた。特にパーソナルユースの場合、排
出オゾン量は極力低減しなければならない。このように
安全面からも帯電時の発生オゾン量を大幅に低減する方
式が求められている。

【０００６】このような問題点を解決すべく、各種帯電
装置が提案されている。

【０００７】特開昭６３−２０８８７８号公報等に記載
されているような接触帯電は、電圧を印加した帯電部材
を被帯電体に当接させて感光体表面を所用の電位に帯電
するものである。これらは、コロナ帯電装置に比べ、被
帯電体面に所望の電位を得るのに必要とされる印加電圧
の低電圧化が図れること、帯電過程で発生するオゾン量
がゼロ乃至極微量であること、オゾン生成物による画像
流れの発生がなく、加熱ヒーターの夜間通電等の電力消
費を大幅に低減できる、などの長所を有している。

【０００８】一連の接触帯電部材のさまざまな改善の中
で、特開昭５９−１３３５６９号公報等のように、磁性
体と磁性粒子（或いは粉体）からなる磁気ブラシ状粒子
の接触帯電部材が像担持体に接触、帯電を付与する機構
が、また、特開昭５７−０４６２６５号公報等のよう
に、導電性の繊維からなるファーを用いたファーブラシ
状の接触帯電部材が像担持体に接触、帯電を付与する機
構の新方式として提案されている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な電圧印加式の接触帯電装置を電子写真感光体の帯電手
段として利用した場合、次のような不具合が発生する恐
れがある。

【００１０】接触帯電装置では、帯電装置と電子写真感
光体の接触性を向上させるために、摺擦量を多くする必
要がある。この摺擦によって、微少ではあるものの感光
体の表面を削る作用がある。この研磨量は微々たるもの
ではあるが、アモルファスシリコン感光体は元々長寿命
であるため、この微少な削れ量も長期にわたると多大な
影響を与える場合があった。従って、表面へのダメージ
を減らしながら、いかに接触性を向上させるかという課
題があった。

【００１１】さらに、上記のように接触帯電装置と電子
写真感光体の接触性を向上させるために摺擦を行った場
合でも、両者の接触状態が僅かに変化しただけで帯電効
率が大きく変動し、その結果、均一な帯電がなされない
場合があった。この場合、画像上に磁気ブラシや導電性
ブラシなどが接触した跡（掃きムラ）が現れる場合があ
り、磁気ブラシの磁性粒子の粒度を変えたり、導電性ブ
ラシの植毛密度を変えたり、或いは帯電部材と感光体の
相対速度を変化させても、プロセススピードや電子写真
装置の構成によっては完全にはムラを取り除くことが出
来ない場合があった。

【００１２】また、掃きムラとは別に、アモルファスシ
リコン感光体に接触帯電装置を適用した場合、装置構成
によっては、画像上のガサツキがコロナ帯電器を使用し
た場合よりも悪化する傾向が見られる場合があった。

【００１３】また、帯電ムラ以外の課題としては、接触
帯電装置の劣化の問題がある。例えば磁気ブラシ式接触
帯電器の場合、磁性粒子が電子写真感光体側に移動して
しまう、いわゆる磁性粒子漏れという問題が発生する場
合がある。導電性ブラシ式接触帯電器の場合は、植毛さ
れているブラシが抜けたり、変形してしまう恐れもあ
る。さらに、弾性ローラー式接触帯電器の場合にはロー
ラーが摩耗したり、変形したりする恐れがある。このよ
うな劣化が発生すると、帯電不良が発生したり、画像劣
化が発生する恐れがある。

【００１４】本発明は、上記のごとき問題点を克服した
画像形成装置を提供することを目的とする。

【００１５】すなわち、本発明はコロナ放電によるオゾ
ン生成物の発生がなく、さまざまな環境下において電子
写真感光体の加温ヒーターを設けなくても画像ボケや画
像流れのない高品質の画像が得られ、夜間の通電を必要
としない、省電力の電子写真装置に好適に適用できる画
像形成装置を提供する。

【００１６】また、オゾンの発生がなく、人体や環境に
優しい画像形成装置を提供する。

【００１７】また、アモルファスシリコン感光体の摩耗
がなく、長期にわたって安定して稼働する画像形成装置
を提供する。

【００１８】また、ハーフトーン画像において掃きムラ
やガサツキがなく、鮮明な画像が安価に得られる画像形
成装置を提供することを目的とする。

【００１９】さらに、接触帯電装置の寿命が長く、最小
のメンテナンスコストで長期間、安定して画像が得られ
る画像形成装置を提供する。

【００２０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明によれば、導電性基体と、該導電性基体上に少
なくとも光導電層を有する感光体と、該感光体を帯電さ
せる帯電手段と、像露光を行うことにより該感光体上に
静電潜像を形成させる潜像形成手段と、該感光体上に形
成された静電潜像にトナーを転移させてトナー像を形成
させる現像手段と、該トナー像を転写材に転写させる転
写手段とを有する画像形成装置において、該感光体の該
光導電層は少なくとも水素を含有した非単結晶シリコン
を主体とし、ＥＳＲによって測定される該感光体の最表
面近傍におけるスピン濃度が１×１０¹⁸ｃｍ^-3以上、１
×１０²²ｃｍ^-3以下であり、該帯電手段は、該感光体面
に電圧を印加した導電性部材を当接させて該感光体面を
帯電する接触帯電装置であることを特徴とする画像形成
装置が提供される。

【００２１】本発明者らは、アモルファスシリコン感光
体を用いた画像形成装置において、コロナ帯電器から発
生するオゾン生成物による画像流れの問題を解決する一
つの方法として接触帯電方式の帯電器を用いる方法を検
討してきた。接触帯電方式とは、電圧を印加した導電性
接触帯電器を感光体表面に直接接触させ、電荷を注入す
るものであり、この場合、印加電圧を帯電電位程度まで
低下させることができるために、コロナ放電が発生しな
い。

【００２２】しかし、本発明者らがアモルファスシリコ
ン感光体に対して接触帯電方式を適用する実験を行った
ところ、長期にわたる使用において感光体の表面が削れ
てしまう場合があった。また、接触帯電装置では掃きム
ラと呼ばれる、磁気ブラシや導電性ブラシなどが接触し
た跡が画像上に現れることが問題とされるが、上記のア
モルファスシリコンドラムの場合、この掃きムラやガサ
ツキが出やすい場合があった。

【００２３】これらの問題に対して、接触帯電器とアモ
ルファスシリコン感光体の相性を鋭意検討した結果、接
触帯電器による摩耗を防ぐ材料としては、少なくとも水
素を含有し、炭素を主体とする非単結晶材料、いわゆる
水素化アモルファスカーボン（以下、ａ−Ｃ：Ｈと記
す）が好適であることを見いだした。ａ−Ｃ：Ｈ膜は硬
度が従来の材料よりも高いため、接触帯電器によって摺
擦されても充分長寿命を達成できることが判明した。さ
らに、ａ−Ｃ：Ｈ膜を表面層として用いる場合、表面の
潤滑性が向上するという別の利点も見られた。すなわ
ち、接触帯電器として磁気ブラシ帯電器を用いた場合に
は、磁性粒子漏れが減少し、導電性ブラシや弾性ローラ
ーを用いた場合には、これらの接触子のヘタリが減少す
るため、接触帯電器の劣化の低減という副次的効果があ
ることが判明した。

【００２４】しかし、ａ−Ｃ：Ｈ表面層を設けた感光体
においても、環境条件や、プロセス条件によっては、掃
きムラやガサツキなどの問題が発生する場合が見られ
た。そこで、さらに検討を続けた結果、感光体の最表面
近傍におけるスピン濃度と接触帯電器による電荷注入性
に相関があることが見いだされた。ここで言うスピン濃
度とはＥＳＲによって測定される物性値であり、膜中の
ダングリングボンドの濃度と対応している。すなわち、
スピン濃度が少ないアモルファスシリコン感光体では、
上記のような帯電ムラが発生しやすい傾向が見られた。
そこで、感光体の表面層の製造条件をさまざまに変化さ
せてスピン濃度を変化させたところ、ある程度以上のス
ピン濃度にすることによって均一な帯電が行われ、ハー
フトーンの濃度ムラやガサツキが抑えられ、さらに、掃
きムラについても目立たなくなることが判明した。一
方、ある程度以上にスピン濃度を増やすと感光体の膜質
が悪化し、逆に帯電特性が悪化したり、光メモリーが発
生したりするといった別の弊害が発生し、最適な範囲が
あることが判明した。本発明者らの検討では、その範囲
は１×１０¹⁸ｃｍ^-3以上、１×１０²²ｃｍ^-3以下であっ
た。

【００２５】本来、微細な構造であるスピン濃度と帯電
ムラに相関があることについての詳細は現時点では明ら
かではないが、おおよそ次のように想像している。

【００２６】すなわち、最表面近傍のスピン濃度は原子
と原子の結合が切れたダングリングボンドによって形成
されている。このダングリングボンドは接触帯電器から
の電荷の注入サイトとなっていると考えられる。しか
し、接触帯電器が接触した際の電荷の注入の確率は必ず
しも１００％ではなく、あるサイトに関しては、接触帯
電器と接触しても電荷が注入されない場合がある可能性
が考えられる。従って、元々構造的に全面に接触するこ
とが難しい接触帯電器を用い、かつ、注入サイトが少な
い感光体の場合、場所場所によって充分に帯電キャリア
が注入されない部分が出てくるものと考えられる。この
問題は確率的な問題であるので、注入サイトを充分に多
く用意しておけば、結果的に限りなく注入効率を１００
％に近づけることができるものと想像される。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下に図面を用いて本発明を具体
的に説明する。

【００２８】図１は本発明による電子写真感光体の模式
的な断面図であり、１０３は電子写真感光体の表面層で
あり、１０２はシリコン原子を主体とする光導電層、１
０１は導電性基体である。

【００２９】本発明においては、電子写真感光体の最表
面近傍におけるＥＳＲによって測定されるスピン濃度、
この場合、表面層１０３におけるスピン濃度が１×１０
¹⁸ｃｍ^-3以上、１×１０²²ｃｍ^-3以下、さらに好ましく
は１×１０¹⁹ｃｍ^-3以上、１×１０²¹ｃｍ^-3以下である
ように調整される。この範囲に調整することによって帯
電ムラが効果的に抑制され、均一な帯電が可能となり、
ハーフトーンの掃きムラや濃度ムラが出にくくなり、更
にはガサツキについても目立たなくなる。かつ、帯電能
の悪化や、光メモリーの悪化などの弊害も見られない。
なお、最表面近傍におけるスピン濃度は電子写真感光体
の自由表面側より少なくとも５ｎｍの層厚における領域
をＥＳＲによって測定することで得ることができる。

【００３０】また、本発明においては、感光体に、さら
に非単結晶材料から成る表面層を設けることができる。

【００３１】そして、この様な表面層は、少なくとも水
素および／またはハロゲンを含み、シリコンを主体と
し、炭素、酸素および窒素から選ばれる少なくとも１つ
以上の原子を含有する非単結晶材料から作製することが
できる。

【００３２】また、表面層は、少なくとも水素および／
またはハロゲンを含有し、炭素を主体とする非単結晶材
料から作製することもできる。

【００３３】例えば、表面層１０３にはａ−Ｃ：Ｈが好
適に用いられる。ａ−Ｃ：Ｈからなる表面層の原料ガス
としては炭化水素を用い、代表的には後述するプラズマ
ＣＶＤ法により作製される。ａ−Ｃ：Ｈからなる表面層
１０３のスピン濃度を制御する方法は、各種装置毎に最
適条件は異なるため、一概に限定することは出来ない
が、一般に原料ガスとして使われる炭化水素の種類の変
更、プラズマを励起する高周波電力の変化、基板温度の
制御や基板へのバイアス電圧の印加の度合い、堆積速
度、基板温度等を適宜調整することで行うことができ
る。

【００３４】本発明は、感光体の最表面近傍におけるＥ
ＳＲによって測定されるスピン濃度を１×１０¹⁸ｃｍ^-3
以上、１×１０²²ｃｍ^-3以下にすることで帯電ムラを防
止し、表面層１０３の材料をａ−Ｃ：Ｈとすることで耐
摩耗性、滑り性を向上させたことで完成されたものであ
るが、ａ−Ｃ：Ｈからなる表面層１０３に多少の不純物
が含有されても、スピン濃度を１×１０¹⁸ｃｍ^-3以上、
１×１０²²ｃｍ^-3以下にする限りにおいては、同様の効
果を得ることができる。例えば表面層１０３にＳｉ、
Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｂ等の不純物が含有されたとしても、含有
量が全元素に対して１０％以下程度であれば本発明の効
果は充分に得られる。

【００３５】ａ−Ｃ：Ｈからなる表面層の膜中に含まれ
る水素原子の含有量はＨ／（Ｃ＋Ｈ）で１０原子％以上
６０原子％以下、更に好適には３０原子％以上５０原子
％以下が適している。水素量が１０原子％を切ると光学
的バンドギャップが狭くなり、感度の面で適さなくなる
場合がある。また、６０原子％を越えると硬度が低下
し、削れが発生し易くなる傾向がある。光学的バンドギ
ャップは一般には１．２ｅＶ〜２．２ｅＶ程度の値であ
れば好適に用いることができ、感度の点からは１．６ｅ
Ｖ以上とすることが更に望ましい。屈折率は１．６〜
２．８程度であれば好適に用いられる。

【００３６】膜厚は５ｎｍから１０００ｎｍ、好ましく
は１０ｎｍから２００ｎｍである。５ｎｍより薄くなる
と機械的強度に問題が出る傾向がある。１０００ｎｍ以
上になると光感度の点で問題が発生する傾向がある。

【００３７】炭素供給用ガスとなり得る物質としては、
ＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₆、Ｃ₃Ｈ₈、Ｃ₄Ｈ₁₀等のガス状態の、また
はガス化し得る炭化水素が有効に使用されるものとして
挙げられ、更に層作製時の取り扱い易さ、炭素供給効率
の良さ等の点でＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ ₆が好ましいものとして挙
げられる。また、これらの炭素供給用の原料ガスを必要
に応じてＨ₂、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈し
て使用してもよい。

【００３８】また、本発明の表面層１０３には、必要に
応じてハロゲン原子が含まれていても良い。ハロゲン原
子供給用ガスとなり得る物質としては、たとえばＦ₂、
ＢｒＦ、ＣｌＦ、ＣｌＦ₃、ＢｒＦ₃、ＢｒＦ₅、ＩＦ₃、
ＩＦ₇等のハロゲン間化合物を挙げることができる。更
にＣＦ₄、ＣＨＦ₃、Ｃ₂Ｆ₆、ＣｌＦ₃、ＣＨＣｌＦ₂、Ｃ
₃Ｆ₈、Ｃ₄Ｆ₁₀等のフッ素含有ガスが好適に用いられ
る。

【００３９】また、基板温度は５０℃から４００℃まで
の範囲で通常調整されるが、あまり基板温度が高過ぎる
とバンドギャップが低下して透明度が低下するため低め
の温度設定が好ましい。

【００４０】高周波電力については、出来るだけ高い方
が原料ガスの分解が充分に進むため好ましく、具体的に
は原料ガス１ｍＬ（標準状態）に対して５Ｗ以上が好ま
しいが、あまり高くなると異常放電が発生し、電子写真
感光体の特性を劣化させるので、異常放電が発生しない
程度の電力に抑える必要がある。

【００４１】放電空間の圧力については通常のＲＦ（代
表的には１３．５６ＭＨｚ）電力を用いる場合には、一
般に１３．３Ｐａ〜１３３３Ｐａ、ＶＨＦ帯（代表的に
は５０〜４５０ＭＨｚ）を用いる場合には、一般に１
３．３ｍＰａ〜１３．３Ｐａ程度に保たれる。しかし、
中でも特に１３３Ｐａ以下の範囲で作製した場合に良好
な膜が得られる。

【００４２】本発明による光導電層１０２の作製方法は
シリコン原子を主体とした非単結晶質の膜、いわゆるア
モルファスシリコンであれば好適に用いることができ
る。アモルファスシリコンの光導電層の作製条件として
はいかなる周波数の高周波電力、ＶＨＦ電力、或いはマ
イクロ波によるグロー放電プラズマでも好適に使用出
来、このグロー放電プラズマによりシリコン原子を含ん
だ原料ガスを分解して作製することが出来る。

【００４３】光導電層１０２の膜厚に関しては１μｍ〜
５０μｍまで、複写機本体が要求する帯電能、感度に応
じて適宜設定されるが、通常は帯電能、感度の点から１
０μｍ以上、工業的生産性の観点からは５０μｍ以下が
望ましい。

【００４４】この模式図においては光導電層は機能分離
されていない単一の層によりできている。

【００４５】また、図２に示したように、表面層２０３
と光導電層２０２の間に必要に応じてアモルファス炭化
珪素、アモルファス窒化珪素、アモルファス酸化珪素な
どのバッファ層２０４を設けてもよい。

【００４６】また、図３に示したように光導電層３０２
と導電性基体３０１の間に導電性基体３０１からのキャ
リアの注入を阻止する下部阻止層３０５を設けてもよ
い。

【００４７】更に、図４のように光導電層を電荷発生層
４０２として用い、さらに少なくともシリコン原子と炭
素原子を含む非晶質材料で構成された電荷輸送層４０６
を電荷発生層４０２と導電性基体４０１の間に設けた構
成の機能分離型としたものであってもよい。この電子写
真感光体では、光を照射すると主として電荷発生層４０
２で光キャリアーが生成され、電荷輸送層４０６を通っ
て導電性基体４０１に至る。

【００４８】図５では、導電性基体５０１の上に下部阻
止層５０５、光導電層５０２、バッファ層５０４、表面
層５０３を順に積層した模式図を示している。

【００４９】本発明で使用される接触帯電装置の導電性
部材としては、磁性芯金とその表面に吸着した導電性磁
性粒子とから成るローラー体を挙げることができる。

【００５０】また、接触帯電装置の導電性部材として、
帯電電圧が印加される金属芯金と、この金属芯金によっ
て基端部が保持されるとともに、先端部を感光体表面に
接触させた多数の導電性ブラシ繊維から成るローラー体
を使用することができる。

【００５１】更に、接触帯電装置の導電性部材として、
帯電電圧が印加される金属芯金と電気抵抗値１０⁴Ω・
ｃｍ以上１０⁷Ω・ｃｍ以下の導電性弾性ローラー層と
から成るローラー体を使用することができる。

【００５２】加えて、接触帯電装置の導電性部材とし
て、帯電電圧が印加される金属芯金と感光体とニップ部
を形成する可撓性の帯電部材からなり、少なくとも帯電
部材と感光体とのニップ部に、導電性を有する導電性微
粉体が介在するものを使用することができる。

【００５３】図６は、接触帯電器として磁気ブラシを用
いた場合の画像形成装置の模式図である。

【００５４】磁気ブラシ帯電器では、磁性体からなる芯
金６０１とその周りに磁性粒子で構成された磁気ブラシ
層６０２からなる。芯金６０１は、通常フェライト磁石
等の金属や、プラスティックマグネット等の多極構成が
可能な磁性体を用いている。

【００５５】磁気ブラシ層６０２を形成する磁性粒子
は、一般にフェライト、マグネタイト等の磁性粒子、ト
ナーのキャリア、あるいは磁性体と樹脂からなるトナー
を使用する。磁性粒子６０２の粒径は一般に１乃至１０
０μｍ以下、好ましくは１０乃至５０μｍの物が用いら
れるが、画質に支障がなければ更に大粒径の粒子を使用
しても良い。又、粒径は均一な物を用いても良いし、流
動性向上のため、上記の範囲内で異なる粒径の磁性粒子
を混合して使用しても良い。

【００５６】磁気ブラシ層６０２の抵抗は、帯電効率を
良好に保持し、一方でリークポチや、感光体表面の微小
欠陥から、帯電部材長軸方向で電位が低下してしまうこ
との防止等のために１×１０³〜１×１０¹²Ωｃｍなる
抵抗を有することが好ましい。より好ましくは１×１０
⁴〜１×１０⁹Ωｃｍである。

【００５７】芯金６０１には電圧印加手段６０４が接続
され、直流電圧Ｖｄｃ、或いは交流を重乗した電圧Ｖｄ
ｃ＋Ｖａｃが芯金６０１を経由し、磁性粒子６０２に印
加されて、感光体６０３の表面との接触部位から電荷を
直接注入し、均一に帯電させる。

【００５８】磁気ブラシ帯電器は感光体６０３の回転方
向Ｘに対して適宜な相対速度で回転、移動する。或いは
振動していてもよい。

【００５９】図７は、接触帯電器としてブラシ帯電器を
用いた場合の画像形成装置の模式図である。

【００６０】ブラシ帯電器は金属等の導電部材からなる
芯金７０１と導電性の繊維を使用したブラシ７０２から
なる。ブラシ７０２の導電性繊維にはビニルやＰＥＴ、
ポリスチレンなどの繊維にカーボンを分散させたものな
どが一般的に使用される。図７ではブラシ帯電器が回転
する回転ブラシタイプであるが、ブラシが固定された固
定ブラシタイプであっても作用は同様である。

【００６１】図８は、接触帯電器として弾性体を用いた
場合の画像形成装置の模式図である。

【００６２】弾性ローラー帯電器は、導電部材からなる
芯金８０１、弾性体層８０２とからなる。弾性体層８０
２としてはゴム系の材料や、多孔質のゴム材、いわゆる
スポンジ系材料などが用いられる。弾性体層８０２を用
いることで、感光体８０３表面への接触性は、ブラシと
比較して比較的密であり、帯電において掃きムラが抑制
され易い。

【００６３】該弾性体層８０２の抵抗は、帯電効率を良
好に保持し、一方でリークポチや、感光体表面の微小欠
陥から、帯電部材長軸方向で電位が低下してしまう事の
防止等のために１×１０³〜１×１０¹²Ωｃｍなる抵抗
を有することが好ましい。より好ましくは１×１０⁴〜
１×１０⁷Ωｃｍである。

【００６４】図９は、導電部材からなる芯金９０１の上
にスポンジローラーなどの可撓性の帯電部材９０２を設
け、さらにその表面に導電性を有する導電性微粉体９０
５を付着させた帯電装置である。可撓性の帯電部材９０
２と感光体９０３の間に導電性微粉体９０５が介在する
ことにより、さらに接触状態を向上させ、帯電電荷の注
入性を改善した帯電方式である。

【００６５】導電性微粉体９０５は導電性が制御された
物質が好ましく、具体的にはＺｎＯ、ＴｉＯなどが挙げ
られる。また、周知の１成分トナーや、２成分トナーの
キャリアなどでもよく、その他にクリーニング工程で捕
獲された残トナーを使用しても良い。

【００６６】図１０は本発明の画像形成装置に用いられ
るアモルファスシリコンからなる電子写真感光体を製造
するために供される、高周波電源（以下「ＲＦ」と略記
する）を用いたプラズマＣＶＤ法による堆積装置の一例
を模式的に示した図である。

【００６７】図中の１０７１〜１０７６のガスボンベに
は、本発明の光受容部材を形成するための原料ガス、例
えば各々ＳｉＨ₄、Ｈ₂、ＣＨ₄、Ｂ₂Ｈ₆、ＮＯ、Ａｒな
どが密封されており、あらかじめ、ガスボンベ１０７１
〜１０７６を取りつける際に、各々のガスを、バルブ１
０５１〜１０５６から流入バルブ１０３１〜１０３６の
ガス配管内に導入してある。

【００６８】例えば表面に旋盤を用いて鏡面加工を施し
たアルミニウムシリンダー（円筒状の導電性支持体）１
００５を支持体ホルダー１００６に挿入し、反応炉１０
０１の上蓋１００７を開けて、成膜炉１００１内の加熱
ヒーター１０１４に支持体ホルダー１００６を挿入す
る。

【００６９】次に、ガスボンベ１０７１〜１０７６のバ
ルブ１０５１〜１０５６、流入バルブ１０３１〜１０３
６、成膜炉１００１のリークバルブ１０１５が閉じられ
ていることを確認し、又、流入バルブ１０４１〜１０４
６、補助バルブ１０１８が開かれていることを確認して
まずメインバルブ１０１６を開いて真空ポンプ１０１９
により成膜炉１００１及びガス配管内を排気する。

【００７０】その後、ガスボンベ１０７１〜１０７６よ
り各々のガスを、バルブ１０５１〜１０５６を開けて導
入し、圧力調整器１０６１〜１０６６により各ガス圧力
を所望の圧力に調整する。

【００７１】次に、流入バルブ１０３１〜１０３６を徐
々に開けて、以上の各ガスをマスフローコントローラー
１０２１〜１０２６に導入する。

【００７２】次に、流出バルブ１０４６及び補助バルブ
１０１８を徐々に開いてＡｒガスをガス導入管１００８
を通じて成膜炉１００１内に流入させる。このとき、Ａ
ｒガス流量が所望の圧力となるように真空計１０１７を
見ながら真空ポンプ１０１９の排気速度を調整する。そ
の後、不図示の温度コントローラーを作動させて、支持
体１００５を加熱ヒーター１０１４により加熱し、支持
体１００５が所望の温度に加熱されたところで、流出バ
ルブ１０４６及び補助バルブ１０１８を閉じて、成膜炉
１００１内へのガス流入を止める。

【００７３】次に、各々の層を形成するのに必要な原料
ガスの流出バルブ１０４１〜１０４６と補助バルブ１０
１８を徐々に開いて、原料ガスを導入管１００８を通じ
て成膜炉１００１内に流入させる。このとき、各原料ガ
スの流量が所望の流量となるように各々のマスフローコ
ントローラー１０２１〜１０２６で調整する。成膜炉１
００１内の圧力は、所望の圧力となるように真空計１０
１７を見ながら真空排気装置１０１９の排気速度を調整
する。その後、不図示のＲＦ電源の電力を所望の電力に
設定し高周波マッチングボックス１０１２を通じて成膜
炉１００１内にＲＦ電力を導入し、ＲＦグロー放電を生
起させ、支持体１００５上又はすでに成膜した層上に所
望の層の形成を開始し、所望の膜厚を形成したところで
ＲＦグロー放電を止め、又、流出バルブ１０４１〜１０
４７及び補助バルブ１０１８を閉じて、成膜炉１００１
内へのガス流入を止め、層の形成を終える。

【００７４】それぞれの層を形成する際に必要なガス以
外の流出バルブは完全に閉じられていることは言うまで
もなく、又、それぞれのガスが成膜炉１００１内、流出
バルブ１０４１〜１０４６から成膜炉１００１に至る配
管内に残留することを避けるために、流出バルブ１０４
１〜１０４６を閉じ、補助バルブ１０１８を開き、更に
メインバルブ１０１６を全開にして系内を一旦高真空に
排気する操作を必要に応じて行う。

【００７５】又、必要に応じて、層形成を行っている間
に層形成の均一化を図るため、支持体１００５及び支持
体ホルダー１００６を、不図示の駆動装置によって所望
される速度で回転させる。

【００７６】ａ−Ｃ：Ｈから成る表面層を形成するに
は、一旦、反応容器１００１内を高真空に引き上げた
後、導入管１００８から所定の原料ガス、例えばＣ
Ｈ₄、Ｃ₂Ｈ₆、Ｃ₃Ｈ₈、Ｃ₄Ｈ₁₀などの炭化水素ガス、必
要に応じて水素ガス、ヘリウムガス、アルゴンガスなど
の材料ガスをミキシングパネルにより混合した後に成膜
炉１００１内に導入する。次に、マスフローコントロー
ラー１０２１〜１０２６によって、各原料ガスが所定の
流量になるように調整する。その際、反応容器１００１
内が１３３．３Ｐａ以下の所定の圧力になるように、真
空計１０１７を見ながら排気速度を調整する。圧力が安
定したのを確認後、不図示の高周波電源を所望の電力に
設定し、電力を成膜炉１００１内に供給し、高周波グロ
ー放電を生起させる。このとき高周波マッチングボック
ス１０１２を調整し、反射波が最小となるように調整
し、高周波の入射電力から反射電力を差し引いた値を所
望の値に調整する。高周波電力の放電エネルギーによっ
て反応容器１００１内に導入させた炭化水素などの原料
ガスが分解され、光導電層上に所定のａ−Ｃ：Ｈ堆積膜
が形成される。所望の膜厚の形成が行われた後、高周波
電力の供給を止め、反応容器１００１への各原料ガスの
流入を止めて堆積室内を一旦高真空に引き上げた後に表
面層の形成を終える。

【００７７】表面層を形成する際に、スピン濃度を制御
するためには、原料ガスの単位流量当たりの高周波電力
を変えたり、堆積速度を表面近傍で変化させたり、基板
温度を変化させることにより制御可能であるが、最適な
設定範囲は、成膜炉の形式や原料ガスの種類、高周波電
力の周波数などによって変化するので適宜最適な条件に
設定する必要がある。

【００７８】以上は高周波電源として１３．５６ＭＨｚ
のＲＦ電源を用いた場合の形成方法であるが、５０ＭＨ
ｚ〜４５０ＭＨｚのＶＨＦ帯の高周波電源を用いる場合
には、不図示の高周波電源及びマッチングボックス１０
１２を交換することによって同様の手順で形成すること
が出来る。

【００７９】

【実施例】以下、実施例により本発明の効果を具体的に
説明する。なお、本発明はこれらの実施例に限定される
ものではない。

【００８０】（実施例１）図１０に示すＲＦ−ＰＣＶＤ
法によるアモルファスシリコン感光体の製造装置を用
い、直径１０８ｍｍのサンプルホルダーに取り付けたＳ
ｉウェハー上に、表１に示す条件でａ−Ｃ：Ｈ膜からな
る表面層を作製した。この際、高周波電力を変化させる
ことにより、スピン濃度を変化させた。このようにして
作製されたサンプルをＥＳＲにより測定し、スピン密度
が１×１０¹⁸〜１×１０²²（ｃｍ^-3）である条件を選択
した。次に、図１０の製造装置に鏡面加工を施したアル
ミニウムシリンダーを設置し、表２に示す条件で電荷注
入阻止層、光導電層、バッファ層を積層した。さらにそ
の上に上記の手順で決定した作製条件で表面層を積層
し、感光体を５種類作製した。

【００８１】

【表１】

【００８２】

【表２】

【００８３】作製した感光体は以下の手順によって、掃
きムラ、ガサツキ、削れ量について評価を行った。

【００８４】＜掃きムラ＞帯電装置を図６に示した磁気
ブラシ帯電器に改造した電子写真装置に電子写真感光体
を設置し、ハーフトーンチャートをコピーした。この
際、磁性粒子の粒径は１００μｍのものを使用し、感光
体と磁気ブラシの相対速度は逆方向２０％とした。得ら
れたコピー画像を目視、１０倍ルーペで詳細に観察し、
磁性粒子によるところの掃きムラ（筋状のムラ）が見ら
れるかどうかの基準から４段階に評価した； ◎… １０倍のルーペで観察しても掃きムラはなく、
非常に良好、 ○… １０倍のルーペで僅かに掃きムラが観察される
が、目視では見えず、良好、 △… 目視でかすかに掃きムラが見られる部分もある
が、実用上、何ら問題ないレベル、 ×… 掃きムラが目視で見られ、実用上、問題となる
場合がある。

【００８５】＜画像のガサツキ＞帯電装置を図６に示し
た磁気ブラシ帯電器に改造した電子写真装置に電子写真
感光体を設置し、人物画像のサンプルチャートをコピー
した。この際、磁性粒子の粒径は１００μｍのものを使
用し、感光体と磁気ブラシの相対速度は逆方向２０％と
した。得られた複写画像を目視、１０倍ルーペで点検し
た。そして、次の基準を設けて４段階に評価した； ◎… １０倍のルーペで観察してもガサツキはなく、
非常に良好、 ○… １０倍のルーペで僅かにガサツキが観察される
が、目視では見えず、良好、 △… 目視でかすかにガサツキが見られる部分もある
が、実用上、何ら問題ないレベル、 ×… 目視でガサツキが見られ、実用上、問題となる
場合がある。

【００８６】＜削れ量＞帯電装置を図７に示した導電性
ブラシ帯電器に改造した電子写真装置に電子写真感光体
を設置し、Ａ４紙を用いて１０万枚通紙耐久を行った。
この際、感光体と磁気ブラシの相対速度は逆方向１００
％とした。耐久前後の表面層の膜厚を干渉式膜厚計で測
定し、その削れ量を測定した。そして、次の基準を設け
て４段階に評価した； ◎… 測定誤差内で削れ量は検出されず、非常に良
好、 ○… 削れ量は１％以下であり、良好、 △… 削れ量は１％を越えたが、実用上、何ら問題の
ないレベル、 ×… 実用上、問題となる程度の削れが発生した。

【００８７】（比較例１）実施例１と同様の手順で、図
１０に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法によるアモルファスシリコ
ン感光体の製造装置を用い、直径１０８ｍｍの鏡面加工
を施したアルミニウムシリンダー上に、表２に示す条件
で電荷注入阻止層、光導電層を積層した。さらにその上
に表１の条件で表面層を積層し、感光体を作製した。
尚、本比較例においては、表面層を作製する際の高周波
電力を調節することによりスピン濃度が５×１０¹⁷（ｃ
ｍ^-3）の感光体を作製した。

【００８８】作製した感光体は実施例１と同様の手順に
よって、掃きムラ、ガサツキ、削れ量について評価を行
った。

【００８９】（比較例２）実施例１と同様の手順で、図
１０に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法によるアモルファスシリコ
ン感光体の製造装置を用い、直径１０８ｍｍの鏡面加工
を施したアルミニウムシリンダー上に、表２に示す条件
で電荷注入阻止層、光導電層を積層した。さらにその上
に表１の条件で表面層を積層し、感光体を作製した。
尚、本比較例においては、表面層を作製する際の高周波
電力を調節することによりスピン濃度が５×１０²²（ｃ
ｍ^-3）の感光体を作製した。

【００９０】作製した感光体は実施例１と同様の手順に
よって、掃きムラ、ガサツキ、削れ量について評価を行
った。

【００９１】実施例１、比較例１、比較例２の結果をま
とめて表３に示す。

【００９２】

【表３】

【００９３】表３の結果から明らかなように、ａ−Ｃ：
Ｈ表面層のスピン濃度を１×１０¹⁸〜１×１０²²（ｃｍ
^-3）の範囲内に制御することにより、注入帯電に適した
帯電特性が得られ、特に１×１０¹⁹〜１×１０²¹（ｃｍ
^-3）の範囲内でその効果が著しいことが判明した。

【００９４】（実施例２）図１０に示すＲＦ−ＰＣＶＤ
法によるアモルファスシリコン感光体の製造装置を用
い、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシ
リンダーを設置し、表４に示す条件で電荷注入阻止層、
光導電層を積層した。さらにその上に表５に示した、ａ
−Ｃ：Ｈ、ａ−ＳｉＣ、ａ−ＳｉＮ、ａ−ＳｉＯからな
る表面層を積層した感光体４種類を作製した。同時に、
Ｓｉウェハー上にも同様の条件で４種類の表面層を積層
し、ＥＳＲによりスピン濃度を測定した。

【００９５】作製した感光体は実施例１と同様の手順に
よって、掃きムラ、ガサツキ、削れ量について評価を行
った。結果を表６に示す。

【００９６】

【表４】

【００９７】

【表５】

【００９８】

【表６】

【００９９】表６の結果から明らかなように、最表面近
傍のスピン濃度が１×１０¹⁸〜１×１０²²（ｃｍ^-3）の
範囲内であれば、非単結晶材料の組成を変更しても良好
な画像特性が得られることが分かる。その中でも特にａ
−Ｃ：Ｈ表面層に関してはその効果が著しいことが判明
した。

【０１００】（実施例３）図１０に示すＲＦ−ＰＣＶＤ
法によるアモルファスシリコン感光体の製造装置を用
い、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシ
リンダーを設置し、表２に示す条件で電荷注入阻止層、
光導電層、バッファ層を積層した。さらにその上に表７
に示した、ａ−Ｃ：Ｈからなる表面層を積層した感光体
を３本作製した。同時に、Ｓｉウェハー上にも同様の条
件で表面層を積層し、ＥＳＲによりスピン濃度を測定し
たところ、スピン密度は８×１０²⁰ｃｍ^-3であり、本発
明の範囲内であることが確認された。

【０１０１】作製した感光体は、それぞれ、帯電器を図
６、図７、図８、図９の接触帯電方式に改造した実験機
に設置し、実施例１と同様の手順によって、掃きムラ、
ガサツキ、削れ量について評価を行った。結果を表８に
示す。

【０１０２】

【表７】

【０１０３】

【表８】

【０１０４】表８の結果から明らかなように、図６〜図
９のように異なる方式であっても接触帯電方式であれ
ば、最表面近傍のスピン濃度が１×１０¹⁸〜１×１０²²
（ｃｍ ^-3）の範囲内で本発明の効果が充分に得られるこ
とが判明した。

【０１０５】（実施例４）図１０に示すＲＦ−ＰＣＶＤ
法によるアモルファスシリコン感光体の製造装置を用
い、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシ
リンダーを設置し、表４に示す条件で電荷注入阻止層、
光導電層を積層した。さらにその上に表９に示した、ａ
−Ｃ：Ｈ、ａ−ＳｉＣからなる表面層を積層した感光体
２種類を作製した。同時に、Ｓｉウェハー上にも同様の
条件でそれぞれの表面層を積層し、ＥＳＲによりスピン
濃度を測定したところ、スピン密度はそれぞれ５×１０
²¹ｃｍ ^-3、２×１０²¹ｃｍ^-3であり、本発明の範囲内で
あることが確認された。

【０１０６】作製した２種類の感光体は、帯電装置を図
６に示した磁気ブラシ帯電器に改造した電子写真装置に
それぞれ設置し、Ａ４用紙１万枚の耐久実験を行った。
この際、耐久実験前に磁性粒子の重量を測定しておい
た。そして１万枚の耐久実験が終了した後、同様に磁性
粒子の重量を測定し、減少した重量を初期の重量で割る
ことで減少率を調べた。

【０１０７】結果を表１０に示す。表１０ではａ−Ｓｉ
Ｃ表面層での減少率を１００としたときのａ−Ｃ：Ｈ表
面層での減少率を示しているが、表から明らかなよう
に、ａ−Ｃ：Ｈ表面層では減少率が小さい。このことか
ら、ａ−Ｃ：Ｈ表面層は潤滑性が高いため、磁気ブラシ
帯電器の磁性粒子漏れを低減することが分かる。

【０１０８】

【表９】

【０１０９】

【表１０】

【０１１０】（実施例５）実施例３で使用した感光体、
実験機を用いて、それぞれの帯電方式での耐久性のチェ
ックを行った。方法はＡ４用紙で２万枚の耐久実験を行
った。この際、１０００枚コピー毎に画像を抜き取り、
画像レベルのチェックを行った。その結果、２万枚耐久
実験終了時点でいずれの帯電方式においても初期の画像
レベルを維持しており、帯電ムラやガサツキの悪化は特
に見られなかった。

【０１１１】以上の結果から、ａ−Ｃ：Ｈからなる表面
層は接触帯電器と相性が良いことが確認できた。

【０１１２】

【発明の効果】本発明によれば、導電性円筒状基体の上
に少なくとも水素を含有した非単結晶シリコンを主体と
する光導電層を設けた感光体と、感光体を帯電するため
の手段として、感光体面に電圧を印加した導電性部材を
当接させて感光体面を帯電する接触帯電装置により帯電
する画像形成装置において、感光体の最表面近傍におけ
るＥＳＲによって測定されるスピン濃度が１×１０¹⁸ｃ
ｍ^-3以上、１×１０²²ｃｍ^-3以下とすることにより、高
温、高湿の環境においても画像流れが発生せず、帯電ム
ラが少なく、感光体削れの発生しない、きわめて良好な
画像が安定して得られる画像形成装置を提供することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の画像形成装置に用いられる電子写真感
光体の一例の模式的断面図。

【図２】本発明の画像形成装置に用いられる電子写真感
光体の他の一例の模式的断面図。

【図３】本発明の画像形成装置に用いられる電子写真感
光体の他の一例の模式的断面図。

【図４】本発明の画像形成装置に用いられる電子写真感
光体の他の一例の模式的断面図。

【図５】本発明の画像形成装置に用いられる電子写真感
光体の他の一例の模式的断面図。

【図６】本発明の画像形成装置に用いられる接触帯電装
置の一例の模式的図。

【図７】本発明の画像形成装置に用いられる接触帯電装
置の他の一例の模式的図。

【図８】本発明の画像形成装置に用いられる接触帯電装
置の他の一例の模式的図。

【図９】本発明の画像形成装置に用いられる接触帯電装
置の他の一例の模式的図。

【図１０】本発明の電子写真感光体を形成するための堆
積装置の一例の模式図。

【符号の説明】

１０１、２０１、３０１、４０１、５０１導電性基
体１０２、２０２、３０２、５０２シリコン原子を主
体とする光導電層１０３、２０３、３０３、４０３、５０３表面層２０４、５０４バッファ層３０５、５０５下部阻止層４０２電荷発生層４０６電荷輸送層６０１、７０１、８０１、９０１芯金６０２磁気ブラシ層６０３、７０３、８０３、９０３感光体６０４、７０４、８０４、９０４電圧印加手段７０２ブラシ８０２弾性体層９０２帯電部材９０５導電性微粉体１００１成膜炉１００５支持体１００６支持体ホルダー１００７上蓋１００８ガス導入管１０１２高周波マッチングボックス１０１４加熱ヒーター１０１５リークバルブ１０１６メインバルブ１０１７真空計１０１８補助バルブ１０１９真空ポンプ１０２１〜１０２６マスフローコントローラー１０３１〜１０３６ガス流入バルブ１０４１〜１０４６ガス流出バルブ１０５１〜１０５６原料ガスボンベのバルブ１０６１〜１０６６圧力調整器１０７１〜１０７６原料ガスボンベ

フロントページの続き (72)発明者岡村竜次東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内Ｆターム(参考） 2H003 AA11 BB11 CC05 2H068 DA05 DA06 DA07 DA14 DA36 FC01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導電性基体と、該導電性基体上に少なく
とも光導電層を有する感光体と、該感光体を帯電させる
帯電手段と、像露光を行うことにより該感光体上に静電
潜像を形成させる潜像形成手段と、該感光体上に形成さ
れた静電潜像にトナーを転移させてトナー像を形成させ
る現像手段と、該トナー像を転写材に転写させる転写手
段とを有する画像形成装置において、該感光体の該光導
電層は少なくとも水素を含有した非単結晶シリコンを主
体とし、ＥＳＲによって測定される該感光体の最表面近
傍におけるスピン濃度が１×１０¹⁸ｃｍ^-3以上、１×１
０²²ｃｍ^-3以下であり、該帯電手段は、該感光体面に電
圧を印加した導電性部材を当接させて該感光体面を帯電
する接触帯電装置であることを特徴とする画像形成装
置。
【請求項２】前記最表面近傍におけるスピン濃度が１
×１０¹⁹ｃｍ^-3以上、１×１０²¹ｃｍ^-3以下であること
を特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】前記スピン濃度が、前記光導電層の自由
表面側より少なくとも５ｎｍの層厚における領域におい
てＥＳＲにより測定されることを特徴とする請求項１又
は２に記載の画像形成装置。
【請求項４】前記感光体に、さらに非単結晶材料から
成る表面層が設けられたことを特徴とする請求項１乃至
３何れかに記載の画像形成装置。
【請求項５】前記表面層が、少なくとも水素および／
またはハロゲンを含み、シリコンを主体とし、炭素、酸
素および窒素から選ばれる少なくとも１つ以上の原子を
含有する非単結晶材料から成ることを特徴とする請求項
４に記載の画像形成装置。
【請求項６】前記表面層が、少なくとも水素および／
またはハロゲンを含有し、炭素を主体とする非単結晶材
料から成ることを特徴とする請求項４に記載の画像形成
装置。
【請求項７】前記炭素を主体とする非単結晶材料の水
素量は、１０原子％以上６０原子％以下であることを特
徴とする請求項６に記載の画像形成装置。
【請求項８】前記接触帯電装置の前記導電性部材が、
磁性芯金とその表面に吸着した導電性磁性粒子とから成
るローラー体であることを特徴とする請求項１乃至７何
れかに記載の画像形成装置。
【請求項９】前記接触帯電装置の前記導電性部材が、
帯電電圧が印加される金属芯金と、該金属芯金によって
基端部が保持されるとともに、先端部を前記感光体表面
に接触させた多数の導電性ブラシ繊維から成るローラー
体であることを特徴とする請求項１乃至７何れかに記載
の画像形成装置。
【請求項１０】前記接触帯電装置の前記導電性部材
が、帯電電圧が印加される金属芯金と電気抵抗値１０⁴
Ω・ｃｍ以上１０⁷Ω・ｃｍ以下の導電性弾性ローラー
層とから成るローラー体であることを特徴とする請求項
１乃至７何れかに記載の画像形成装置。
【請求項１１】前記接触帯電装置の前記導電性部材
が、帯電電圧が印加される金属芯金と前記感光体とニッ
プ部を形成する可撓性の帯電部材からなり、少なくとも
該帯電部材と該感光体とのニップ部に、導電性を有する
導電性微粉体が介在することを特徴とする請求項１乃至
７何れかに記載の画像形成装置。