JP2002129116A - 半導体装置用接着テープ - Google Patents

半導体装置用接着テープ

Info

Publication number
JP2002129116A
JP2002129116A JP2000326334A JP2000326334A JP2002129116A JP 2002129116 A JP2002129116 A JP 2002129116A JP 2000326334 A JP2000326334 A JP 2000326334A JP 2000326334 A JP2000326334 A JP 2000326334A JP 2002129116 A JP2002129116 A JP 2002129116A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive
weight
component
adhesive layer
group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000326334A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3599659B2 (ja
Inventor
Kazuhiro Hayata
和浩 早田
Kazuhiro Takayanagi
一博 高柳
Tadashi Unno
忠 海野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tomoegawa Co Ltd
Original Assignee
Tomoegawa Paper Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tomoegawa Paper Co Ltd filed Critical Tomoegawa Paper Co Ltd
Priority to JP2000326334A priority Critical patent/JP3599659B2/ja
Publication of JP2002129116A publication Critical patent/JP2002129116A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3599659B2 publication Critical patent/JP3599659B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ワイヤーボンディング不良が発生せず、半導
体装置の製造工程の簡略化が計れる半導体装置用接着テ
ープを提供する。 【解決手段】 金属板の少なくとも一面に、(a)アミ
ノ基を有するブタジエン−アクリロニトリル共重合体
と、(b)下記式(I−1)〜(I−5)で示されるビ
スマレイミド化合物から選択される少なくとも1つの化
合物とを含有する接着剤組成物よりなる少なくとも2つ
の半硬化状の接着剤層が積層されてなる半導体装置用接
着テープであって、各接着剤層がそれぞれ異なる動的弾
性率を有し、金属板と接する接着剤層の200℃におけ
る動的弾性率が1.0×10-1MPa〜1.0×106
MPaである。 【化1】

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明が属する技術分野】本発明は、半導体装置を構成
するリードフレーム周辺の部材間、放熱機能を有する部
材を搭載した構造を持つ半導体装置に好適な接着テープ
に関するもので、中でもリードピンを接着するため又は
ICチップを接着するために有用な半導体装置用接着テ
ープに関する。
【0002】
【従来の技術】従来から、樹脂封止型半導体装置には、
リードフレーム固定用テープ、TAB(Tape Automate
d Bonding )用テープ、金属板付テープなどが使用さ
れ、リードフレーム自体及び半導体アッセンブリ工程全
体の生産性向上が計られてきた。最近の電子機器には、
更なる小型化、薄型化、多機能化が要求され、電子部品
の小型化、高集積化に加えて、さらに電子部品の高密度
実装技術が求められている。近年の電子部品の中核を構
成しているICパッケージは、その形態がQFP(Quad
Flat Package )やSOP(Small Outline Package)
等の周辺実装型のものが主流となっており、そして、こ
れらの半導体装置の高密度化が進むに連れて、回路が高
密度化され、リードピン間隔の挟幅化、リードピン数増
が進んできている。
【0003】高密度化が進んだこれらの半導体装置に
も、放熱性に優れた金属板付き接着テープが使用されて
いる。金属板付き接着テープについては、金属板とリー
ドピンとの接触による絶縁不良の問題があるが、それを
解決するための技術として、特開平8−333552号
公報には、金属板の一面に硬化度の異なる2つの接着剤
層を積層した接着テープが開示され、例えば、図1に示
すごとき半導体装置に用いられている。
【0004】図1について説明すると、この半導体装置
においては、金属板2の一面に硬化度の異なる接着剤層
6−1及び6−2が積層された接着テープが用いられ、
ICチップ1とリードピン3が接着剤層6により接着さ
れている。そしてリードピン3とICチップ1が金ワイ
ヤー4で接続され、モールド樹脂5により封止された構
造を有している。
【0005】さらにまた、半導体装置の製造について
は、生産性の向上が要求され、上記半導体装置の製造工
程の簡略化も検討されている。しかしながら、前記接着
テープ(特開平8−333552号公報)を用いた場
合、接着剤層の硬化工程において十分に硬化させるため
の時間が必要であるという問題がある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】以上のように絶縁性が
要求される接着剤層には、上記公報に記載された2層の
異なる硬化度を有する接着剤層を有する金属板を用いて
電気的信頼性を高めることが知られている。しかしなが
ら、この公報に記載された2つの接着剤層の硬化度を変
えて金属板側の接着剤層の硬化度を高くしただけの接着
テープの場合、それを用いた半導体装置において、接着
剤の十分な硬化が行われないとワイヤーボンディング不
良が発生するという問題がある。また、ボンディング不
良の問題以外にも、半導体装置の製造工程を簡略化する
ことが望まれている。
【0007】本発明は、従来の技術における上記のよう
な問題を解決することを目的としてなされたものであ
る。すなわち、本発明の目的は、ワイヤーボンディング
不良が発生せず、半導体装置の製造工程の簡略化が計れ
る半導体装置用接着テープを提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、従来の技術に
おける上記のような問題を解決することを目的としてな
されたものである。
【0009】本発明の半導体装置用接着テープは、金属
板の少なくとも一面に、成分(a):アミノ基を有する
ブタジエン−アクリロニトリル共重合体と、成分
(b):下記式(I−1)〜(I−5)で示されるビス
マレイミド化合物から選択される少なくとも1つの化合
物とを含有する接着剤組成物よりなる少なくとも2つの
接着剤層が積層されてなり、そして各接着剤層が半硬化
状であって、それぞれ異なる動的弾性率を有し、金属板
と接する接着剤層の200℃における動的弾性率が1.
0×10-1MPa〜1.0×106 MPaであることを
特徴とする。
【0010】
【化3】
【0011】本発明の半導体装置用接着テープにおい
て、上記接着剤組成物は、上記成分(a)及び成分
(b)の外に、さらに成分(c)として、下記式(II−
1)又は下記式(II−2)で示されるジアミン化合物を
含有するのが好ましい。 H2 N−R1 −NH2 (II−1) (式中、R1 は2価の脂肪族基又は芳香族含有基を意味
する)
【化4】 (式中、R2 は炭素数1〜12のアミノアルキル基、ア
ミノフェノキシメチレン基、アミノフェノキシエチレン
基、アミノフェノキシプロピレン基又はアミノフェノキ
シブチレン基を表し、sは0〜7の整数を意味する。)
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の接着テープの接着剤層を構成する接着剤組成物
は、上記成分(a)の化合物及び成分(b)の化合物を
必須成分として含有する。成分(a)のアミノ基を有す
るブタジエン−アクリロニトリル共重合体(以下、NB
Rと略す)としては、共重合体中に1個以上のアミノ基
を有しているものであれば使用可能である。具体的に
は、片末端にアミノ基を有するNBR、両末端にアミノ
基を有するNBR、分子鎖中にアミノ基が分岐したNB
R(ペンダント構造のNBR)等が好ましく用いられ
る。アミノ基は、1〜3級アミンを構成するアミノ基及
びアミドカルボニル基を構成するアミノ基であってもよ
い。例えば、炭素数12以下のアルキルアミン、ピペリ
ジン類、N−アルキル(炭素数12以下)ピロリジン類
を形成するアミノ基をあげることができ、また、特にピ
ペラジニルエチルアミノカルボニル基のアミノ基は反応
性の制御が容易であるので、好ましいアミノ基の例であ
る。
【0012】成分(a)として使用することができるア
ミノ基を有するNBRとしては、下記式(III )で示さ
れるピペラジニルエチルアミノカルボニル基含有NBR
が好ましい。
【化5】 (式中、k、mおよびnは、モル比であって、n=1に
対して、k=3〜175、m=0.3〜93の範囲の数
を表す。)
【0013】上記アミノ基を有するNBRとしては、重
量平均分子量10,000〜200,000、特に好ま
しくは20,000〜150,000、アクリロニトリ
ル含有率5〜50重量%、好ましくは10〜40重量
%、アミノ基当量500〜10,000、好ましくは
1,000〜8,000を有するものが使用される。重
量平均分子量が10,000より低くなると、熱安定性
が不良になり、耐熱性が低下する。また、200,00
0より高くなると、溶剤溶解性が不良になり、また、溶
融粘度が増大して、接着剤として使用した場合の作業性
が不良になる。また、アクリロニトリル含有量が5重量
%よりも低くなると、溶媒溶解性が低下し、50重量%
よりも高くなると、絶縁性が不安定になる。さらにま
た、アミノ基当量が500よりも低くなると、溶媒溶解
性が低下し、一方、10,000よりも高くなると、マ
レイミド化合物と混合して接着剤として使用する際、低
粘度となりすぎ、接着の作業性が低下する。
【0014】また、成分(b)の前記式(I−1)〜
(I−5)で示されるビスマレイミド化合物は、その少
なくとも1種が上記成分(a)と配合される。成分
(b)の配合量は、上記成分(a)100重量部に対し
て、10〜900重量部、好ましくは20〜800の範
囲に設定される。成分(b)の量が10重量部より少な
くなると、塗布して硬化した後、接着層の耐熱性、特に
Tg、ヤング率の低下が著しくなり、目的の用途に適さ
なくなり、また、900重量部より多くなると、接着層
をBステージまで硬化した際に、接着層自体が脆くな
り、作業性が悪くなる。
【0015】本発明において、上記接着剤組成物には、
上記成分(a)及び成分(b)に加えて、さらに成分
(c)として、上記式(II−1)又は上記式(II−2)
で示されるジアミン化合物を含有するのが好ましい。こ
の場合、成分(a)、成分(b)および成分(c)の配
合割合は、成分(a)100重量部に対して、成分
(b)と成分(c)の総和が10〜900重量部、好ま
しくは20〜800の範囲に設定される。成分(b)と
成分(c)の総和が10重量部より少なくなると、塗布
して硬化した後、接着剤層の耐熱性、特にTg、ヤング
率の低下が著しくなり、目的の用途に適さなくなり、ま
た、900重量部より多くなると、接着剤層をBステー
ジまで硬化した際に、接着剤層自体が脆くなり、作業性
が悪くなる。
【0016】また、成分(b)と成分(c)の配合割合
は、成分(c)のアミノ基1モル当量に対する成分
(b)のマレイミド基が1〜100モル当量、特に1〜
80モル当量の範囲に設定するのが好ましい。成分
(b)のマレイミド基が1モル当量よりも低くなると、
混合に際して、ゲル化するため、接着剤を調製すること
ができなくなる。また、100モル当量よりも多くなる
と、接着剤層をBステージまで硬化した際に、接着剤層
自体が脆くなり、作業性が悪くなる。
【0017】成分(c)として使用される上記一般式
(II−1)で示されるジアミン化合物としては、例えば
次のものがあげられる。N,N′−ビス(2−アミノフ
ェニル)イソフタルアミド、N,N′−ビス(3−アミ
ノフェニル)イソフタルアミド、N,N′−ビス(4−
アミノフェニル)イソフタルアミド、N,N′−ビス
(2−アミノフェニル)テレフタルアミド、N,N′−
ビス(3−アミノフェニル)テレフタルアミド、N,
N′−ビス(4−アミノフェニル)テレフタルアミド、
N,N′−ビス(2−アミノフェニル)フタルアミド、
N,N′−ビス(3−アミノフェニル)フタルアミド、
N,N′−ビス(4−アミノフェニル)フタルアミド、
N,N′−ビス(2−アミノフェニル)フタルアミド、
N,N′−ビス(4−アミノ−3,5−ジメチルフェニ
ル)イソフタルアミド、N,N′−ビス(4−アミノ−
3,5−ジメチルフェニル)テレフタルアミド、N,
N′−ビス(4−アミノ−3,5−ジメチルフェニル)
フタルアミド、N,N′−ビス(4−アミノ−n−ブチ
ル)イソフタルアミド、N,N′−ビス(4−アミノ−
n−ヘキシル)イソフタルアミド、N,N′−ビス(4
−アミノ−n−ドデシル)イソフタルアミド、m−フェ
ニレンジアミン、p−フェニレンジアミン、m−トリレ
ンジアミン、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル、
3,3′−ジメチル−4,4′−ジアミノジフェニルエ
ーテル、3,3′−ジアミノジフェニルエーテル、3,
4′−ジアミノジフェニルエーテル、4,4′−ジアミ
ノジフェニルチオエーテル、3,3′−ジメチル−4,
4′−ジアミノジフェニルチオエーテル、3,3′−ジ
エトキシ−4,4′−ジアミノジフェニルチオエーテ
ル、3,3′−ジアミノジフェニルチオエーテル、4,
4′−ジアミノベンゾフェノン、3,3′−ジメチル−
4,4′−ジアミノベンゾフェノン、3,3′−ジアミ
ノジフェニルメタン、4,4′−ジアミノジフェニルメ
タン、3,3′−ジメトキシ−4,4′−ジアミノジフ
ェニルメタン、2,2′−ビス(4−アミノフェニル)
プロパン、2,2′−ビス(3−アミノフェニル)プロ
パン、
【0018】4,4′−ジアミノジフェニルスルホキシ
ド、4,4′−ジアミノジフェニルスルホン、3,3′
−ジアミノジフェニルスルホン、ベンチジン、3,3′
−ジメチルベンチジン、3,3′−ジトキシベンチジ
ン、3,3′−ジアミノビフェニル、2,2−ビス[4
−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,
2−ビス[3−メチル−4−(4−アミノフェノキシ)
フェニル]プロパン、2,2−ビス[3−クロロ−4−
(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2
−ビス[3,5−ジメチル−4−(4−アミノフェノキ
シ)フェニル]プロパン、1,1−ビス[4−(4−ア
ミノフェノキシ)フェニル]エタン、1,1−ビス[3
−クロロ−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]エ
タン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]
メタン、ビス[3−メチル−4−(4−アミノフェノキ
シ)フェニル]メタン、ピペラジン、ヘキサメチレンジ
アミン、ヘプタメチレンジアミン、テトラメチレンジア
ミン、p−キシレンジアミン、m−キシレンジアミン、
3−メチルヘプタメチレンジアミン、1,3−ビス(4
−アミノフェノキシ)ベンゼン、2,2−ビス(4−ア
ミノフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフル
オロプロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノ
キシ)フェニル]−1,1,1,3,3,3−ヘキサフ
ルオロプロパン、4,4′−[1,4−フェニレンビス
(1−メチルエチリデン)]ビスアニリン、4,4′−
[1,3−フェニレンビス(1−メチルエチリデン)]
ビスアニリン、4,4′−[1,4−フェニレンビス
(1−メチルエチリデン)]ビス(2,6−ジメチリル
ビスアニリン)等。
【0019】上記一般式(II−2)で示されるジアミン
化合物としては、重量平均分子量200〜7,000の
ものであって、例えば、1,3−ビス(3−アミノプロ
ピル)−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、
α,ω−ビス(3−アミノプロピル)ポリジメチルシロ
キサン、1,3−ビス(3−アミノフェノキシメチル)
−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、α,ω
−ビス(3−アミノフェノキシメチル)ポリジメチルシ
ロキサン、1,3−ビス[2−(3−アミノフェノキ
シ)エチル]−1,1,3,3−テトラメチルジシロキ
サン、α,ω−ビス[2−(3−アミノフェノキシ)エ
チル]ポリジメチルシロキサン、1,3−ビス[3−
(3−アミノフェノキシ)プロピル]−1,1,3,3
−テトラメチルジシロキサン、α,ω−ビス[3−(3
−アミノフェノキシ)プロピル]ポリジメチルシロキサ
ン等があげられる。
【0020】本発明において接着剤組成物は、上記各成
分を有機溶剤に添加、混合して接着剤塗布液の状態で使
用される。接着剤塗布液の作製に用いられる好ましい有
機溶剤は、N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチ
ルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、1,3
−ジメチル−2−イミダゾリジノン、ジメチルスルホキ
シド、トルエン、キシレン、テトラヒドロフラン、メチ
ルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、酢酸エチ
ル、酢酸メチル、ヘキサン、メタノール、エタノール、
プロパノール、1,4−ジオキサン、メチルセロソルブ
等である。
【0021】また本発明において、上記接着剤組成物に
は、熱膨張係数、熱伝導率の調整あるいは作業性の制御
等の目的で、無機又は有機フィラーを含有させることが
好ましい。無機フィラーとしては粉砕型シリカ、溶融型
シリカ、アルミナ、酸化チタン、酸化ベリリウム、酸化
マグネシウム、炭酸カルシウム、窒化チタン、窒化珪
素、窒化硼素、硼化チタン、硼化タングステン、炭化珪
素、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化モリブデン、
マイカ、酸化亜鉛、カーボンブラック、水酸化アルミニ
ウム、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウム、三酸化
アンチモン又はこれ等の表面をトリメチルシロキシル基
等で処理したもの等があげられ、有機フィラーとして
は、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエー
テルケトン、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミ
ド、ナイロン、シリコーン等があげられる。上記フィラ
ーの配合量は、接着剤組成物の固型分の総和100重量
部に対して、3〜95重量部、好ましくは10〜50重
量部の範囲である。
【0022】また、被着体との密着性を向上させるため
に、カップリング剤を添加することも好ましい。カップ
リング剤としてはシランカップリング剤、チタンカップ
リング剤及びアルミニウムカップリング剤が好ましく使
用される。
【0023】さらにまた、必要に応じて、上記成分
(a)と成分(b)との付加反応、および成分(b)同
士の付加反応を促進させてBステージの硬化度を調整す
るために、ジアザビシクロオクタン、または、メチルエ
チルケトンパーオキサイド、シクロヘキサンパーオキサ
イド、3,3,5−トリメチルシクロヘキサノンパーオ
キサイド、メチルシクロヘキサノンパーオキサイド、メ
チルアセトアセテートパーオキサド、アセチルアセトン
パーオキサイド、1,1−ビス(t−ブチルパーオキ
シ)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、1,1
−ビス(t−ブチルパーオキシ)シクロヘキサン、2,
2−ビス(t−ブチルパーオキシ)オクタン、n−ブチ
ル−4,4−ビス(t−ブチルパーオキシ)バレート、
2,2−ビス(t−ブチルパーオキシブタン)、t−ブ
チルハイドロパーオキサイド、クメンハイドロパーオキ
サイド、ジ−イソプロピルベンゼンハイドロパーオキサ
イド、P−メンタンハイドロパーオキサイド、2,5−
ジメチルヘキサン−2,5−ジハイドロパーオキサイ
ド、1,1,3,3−テトラメチルブチルハイドロパー
オキサイド、ジ−t−ブチルパーオキサイド、t−ブチ
ルクミルパーオキサイド、ジ−クミルパーオキサイド、
α,α′−ビス(t−プチルパーオキシ−m−イソプロ
ピル)ベンゼン、2,5−ジメチル−2,5−ジ(t−
ブチルパーオキシ)ヘキサン、2,5−ジメチル−2,
5−ジ(t−ブチルパーオキシ)ヘキシン、アセチルパ
ーオキサイド、イソブチルパーオキサド、オクタノイル
パーオキサイド、デカノイルパーオキサイド、ベンゾイ
ルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、3,
5,5−トリメチルヘキサノイルパーオキサイド、スク
シニックアシッドパーオキサイド、2,4−ジクロロベ
ンゾイルパーオキサイド、m−トルオイルパーオキサイ
ド、
【0024】ジ−イソプロピルパーオキシジカーボネー
ト、ジ−2−エチルヘキシルパーオキシジカーボネー
ト、ジ−n−プロピルパーオキシジカーボネート、ビス
ー(4−t−ブチルシクロヘキシル)パーオキシジカー
ボネート、ジ−ミリスティルパーオキシジカーボネー
ト、ジ−2−エトキシエチルパーオキシジカーボネー
ト、ジ−メトキシイソプロピルパーオキシジカーボネー
ト、ジ(3−メチル−3−メトキシブチル)パーオキシ
ジカーボネート、ジ−アリルパーオキシジカーボネー
ト、t−ブチルパーオキシアセテート、t−ブチルパー
オキシイソブチレート、t−ブチルパーオキシピバレー
ト、t−ブチルパーオキシネオデカネート、クミルパー
オキシネオドデカネート、t−ブチルパーオキシ−2−
エチルヘキサネート、t−ブチルパーオキシ−3,5,
5−トリメチルヘキサネート、t−ブチルパーオキシラ
ウレート、t−ブチルパーオキシベンゾエート、ジ−t
−ブチルパーオキシイソフタレート、2,5−ジメチル
−2,5−ジ(ベンゾイルパーオキシ)ヘキサン、t−
ブチルパーオキシマレイン酸、t−ブチルパーオキシイ
ソプロピルカーボネート、クミルパーオキシオクテー
ト、t−ヘキシルパーオキシネオデカネート、t−ヘキ
シルパーオキシピバレート、t−ブチルパーオキシネオ
ヘキサネート、t−ヘキシルパーオキシネオヘキサネー
ト、クミルパーオキシネオヘキサネート、アセチルシク
ロヘキシルスルフォニルパーオキサイド、t−ブチルパ
ーオキシアリルカーボネート等の有機過酸化物類、
【0025】1,2−ジメチルイミダゾール、1−メチ
ル−2−エチルイミダゾール、2−メチルイミダゾー
ル、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−ウンデ
シルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、2
−フェニルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイ
ミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾー
ル、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール・トリメ
リット酸塩、1−ベンジル−2−エチルイミダゾール、
1−ベンジル−2−エチル−5−メチルイミダゾール、
2−エチルイミダゾ−ル、2−イソプロピルイミダゾー
ル、2−フェニル−4−ベンジルイミダゾール、1−シ
アノエチル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチ
ル−2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノ
エチル−2−ウンデシルイミダゾール、1−シアノエチ
ル−2−イソプロピルイミダゾール、1−シアノエチル
−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−
メチルイミダゾリウムトリメリテート、1−シアノエチ
ル−2−エチル−4−メチルイミダゾリウムトリメリテ
ート、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウム
トリメリテート、2,4−ジアミノ−6−[2′−メチ
ルイミダゾリル−(1)′]−エチル−S−トリアジ
ン、2,4−ジアミノ−6−[2′−エチル−4−メチ
ルイミダゾリル−(1)′]−エチル−S−トリアジ
ン、2,4−ジアミノ−6−[2′−ウンデシルイミダ
ゾリル−(1)′]−エチル−S−トリアジン、2−メ
チルイミダゾリウムイソシアヌール酸付加物、2−フェ
ニルイミダゾリウムイソシアヌール酸付加物、2,4−
ジアミノ−6−[2′−メチルイミダゾール−
(1)′]−エチル−S−トリアジン−イソシアヌール
酸付加物、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチル
イミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロ
キシメチルイミダゾール、2−フェニル−4−ベンジル
−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、4,4′−メチ
レン−ビス−(2−エチル−5−メチル−イミダゾー
ル)、
【0026】1−アミノエチル−2−メチルイミダゾー
ル、1−シアノエチル−2−フェニル−4,5−ジ(シ
アノエトキシメチル)イミダゾール、1−ドデシル−2
−メチル−3−ベンジルイミダゾリウムクロライド、
4,4′−メチレン−ビス−(2−メチル−5−エチル
イミダゾール)、2−メチルイミダゾール・ベンゾトリ
アゾール付加物、1,2−ジメチルイミダゾール・ベン
ゾトリアゾール付加物、1−アミノエチル−2−エチル
イミダゾール、1−(シアノエチルアミノエチル)−2
−メチルイミダゾール、N,N′−[2−メチルイミダ
ゾリル−(1)−エチル]−アジポイルジアミド、N,
N′−ビス−(2−メチルイミダゾリル−1−エチル)
尿素、N−[2−メチルイミダゾリル−1−エチル]−
尿素、N,N′−[2−メチルイミダゾリル−(1)−
エチル]ドデカンジオイルジアミド、N,N′−[2−
メチルイミダゾリル−(1)−エチル]エイコサンジオ
イルジアミド、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾー
ル・塩化水素酸塩、1−シアノエチル−2−フェニル−
4,5−ジ(シアノエトキシメチル)イミダゾール等の
イミダゾール類、トリフェニルホスフィン類等の反応促
進剤を添加することができる。これら反応促進剤の含有
量を調整することによって、接着剤層の動的弾性率を所
望の範囲に制御することが可能になる。
【0027】本発明の半導体装置用接着テープは、上記
のようにして作製された接着剤塗布液を、金属板の少な
くとも一面に、塗布し乾燥して、少なくとも2層の接着
剤層を形成することによって作製される。
【0028】本発明に用いられる金属板としては、放熱
板、補強板としての機能を有するものであれば如何なる
ものでもよい。金属板としての好ましい材質は、銅、白
銅、銀、鉄、ステンレス、アルミニウム、42合金であ
る。金属板の好ましい厚さは、10〜1000μm、よ
り好ましくは15〜500μmである。
【0029】本発明の接着テープにおいて、金属板と接
する接着剤層は200℃での動的弾性率が1.0×10
-1MPa〜1.0×106 MPaであることが必要であ
り、好ましくは1.0×10MPa〜1.0×106
Pa、さらに好ましくは1.0×102 MPa〜1.0
×105 MPaの範囲のものである。なお、本発明にお
いて、200℃における動的弾性率は、厚さ20μmの
接着剤層を試料とし、オリエンテック社製レオバイブロ
ンDDV−IIにて、周波数11Hz、昇温速度3℃/
分の条件で測定した値を意味する。
【0030】金属板と接する接着剤層の動的弾性率が
1.0×106 MPaより大きい場合は、他の接着剤層
または金属板との接着性が不十分になるという問題が生
じ、1.0×10-1MPa未満の場合は、テーピング後
に充分な加熱を行わなければ、良好なワイヤーボンダビ
リティーが得られない。
【0031】また、金属板と接しない側の接着剤層は、
金属板と接する接着剤層よりも低い動的弾性率、具体的
には200℃での動的弾性率が1.0×10-10 MPa
〜1.0×10-2MPaであるのが好ましく、より好ま
しくは1.0×10-9MPa〜1.0×10-3MPaの
範囲である。
【0032】金属板と接しない側の接着剤層の動的弾性
率が1.0×10-2MPaより大きい場合は、接着力が
不十分になりやすく、1.0×10-10 MPa未満の場
合は、半硬化状態が不十分になり、半導体装置の製造に
際して接着剤硬化工程が必須となるという問題がある。
【0033】本発明において、上記の動的弾性率は、接
着剤組成物の処方、乾燥条件を適宜設定することによっ
て容易に得ることができる。例えば、各接着剤層を同一
組成の接着剤組成物を用い、それぞれの動的弾性率が得
られるように硬化条件を別個に設定することによって、
或いは、各接着剤層を、互いに異なる成分或いは組成範
囲を有する接着剤組成物を用いて形成することによっ
て、容易に実施することができる。
【0034】次に、本発明の半導体装置用接着テープの
作製方法について、さらに詳細に説明する。なお、以下
においては、接着剤層が二層構成の接着テープに関して
説明し、その場合、下記A層とは金属板に接する接着剤
層、B層とはリードピン等の被着体に接する接着剤層を
意味するものとする。
【0035】第1の作製方法は、上記金属板の一面に前
記接着剤塗布液を塗布した後、乾燥して上記範囲の動的
弾性率を有するA層を形成する。次いで、A層上に接着
剤塗布液を塗布し、乾燥して上記範囲の動的弾性率を有
するB層を形成する。B層の上には必要に応じて保護フ
ィルムを貼着等により設ける。
【0036】第2の作製方法は、剥離性を有するフィル
ムの一面に前記接着剤塗布液を塗布した後、乾燥して上
記範囲の動的弾性率を有するA層を形成する。同様にし
て別の剥離性を有するフィルムの一面に上記範囲の動的
弾性率を有するB層を形成する。次いでA層とB層とを
対向させて圧着し、2層が積層した接着剤フィルムを得
る。その後、この接着剤フィルムのA層側の剥離性を有
するフィルムを剥がし、金属板の一面に圧着する。
【0037】第3の作製方法は、金属板の一面に前記接
着剤塗布液を塗布した後、乾燥して上記範囲の動的弾性
率を有するA層を形成する。別に剥離性を有するフィル
ムの一面に前記接着剤塗布液を塗布した後、乾燥して上
記範囲の動的弾性率を有するB層を形成し、次いでA層
とB層とを対向させて圧着する。
【0038】剥離性を有するフィルムに用いられるフィ
ルム材質としては、ポリエチレンテレフタレート(以下
「PET」と略す。)等のポリエステル類、ポリエチレ
ン等のポリオレフィン類、ポリイミド、ポリアミド、ポ
リエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、
ポリエーテルケトン、トリアセチルセルロース等があげ
られ、特にポリエステル類、ポリオレフィン類及びポリ
イミドが好ましく使用される。また、剥離性を有するフ
ィルムは、これらの組成のフィルムにシリコーン等の離
型剤で剥離処理を施したものが好ましく使用される。
【0039】上記のようにして形成された接着剤層の厚
みは、全体として10〜100μm、A層が5〜50μ
m、B層が5〜50μmの範囲にあるのが好ましい。
【0040】
【実施例】実施例1 重量平均分子量70,000、アクリロニトリル含有量
25重量%、アミノ基当量4,000のピペラジニルエ
チルアミノカルボニル基含有NBR(前記式(III )に
おいて、k=55、m=18、n=1)30重量部、前
記式(I−1)で示される化合物70重量部、及び過酸
化ベンゾイル1.0重量部をテトラヒドロフラン(以
下、「THF」という。)中に添加、混合して溶解し、
固型分40重量%の接着剤塗布液を作製した。上記接着
剤塗布液を、剥離処理を施した厚さ38μmのPETフ
ィルムに、乾燥後の厚さが20μmになるように塗布
し、200℃で0.5時間乾燥して半硬化状接着剤層A
−1を形成した。この接着剤層の200℃における動的
弾性率は1.0×103 MPaであった。過酸化ベンゾ
イルを1.0重量部に代えた以外は、前記と同様にして
固型分40重量%の接着剤塗布液を作製し、前記と同一
の他のPETフィルムに、同様に塗布した。次いで、乾
燥時間を70℃で12時間に代えて厚さ20μmの半硬
化状接着剤層B−1を形成した。この接着剤層の200
℃における動的弾性率は1.0×10-5MPaであっ
た。半硬化状接着剤層A−1とB−1を対向するように
重ね合わせて圧着し、2層構成の接着剤層を有する接着
剤フィルムを得た。次いで接着剤層A−1側のPETフ
ィルムを剥がし、厚さ100μmの銅板に圧着して、本
発明の接着テープを得た。
【0041】実施例2 実施例1における半硬化状接着剤層A−1の乾燥温度を
100℃で24時間に代えた以外は、同様にして半硬化
状接着剤層A−2を形成した。この接着剤層の200℃
における動的弾性率は1.0×100 MPaであった。
半硬化状接着剤層A−2と実施例1で作製した半硬化状
接着剤層B−1を対向するように重ね合わせて圧着し、
2層構成の接着剤層を有する接着剤フィルムを得た。次
いで接着剤層A−2側のPETフィルムを剥がし、厚さ
100μmの銅板に圧着して、本発明の接着テープを得
た。
【0042】実施例3 重量平均分子量80,000、アクリロニトリル含有量
26重量%、アミノ基当量4,200のピペラジニルエ
チルアミノカルボニル基含有NBR(前記式(III )に
おいて、k=54、m=19、n=1)30重量部、前
記式(I−1)で示される化合物70重量部、過酸化ベ
ンゾイル1.0重量部、およびラウロイルパーオキサイ
ド1.0重量部をTHF中に添加、混合して溶解し、固
型分40重量%の接着剤塗布液を作製した。上記接着剤
塗布液を、厚さ100μmの42合金板に乾燥後の厚さ
が20μmになるように塗布し、200℃で0.5時間
乾燥して、半硬化状接着剤層A−3を形成した。この接
着剤層の200℃における動的弾性率は1.0×103
MPaであった。実施例1で作製した半硬化状接着剤層
B−1を半硬化状接着剤層A−3と対向するように重ね
合わせて圧着し、2層構成の接着剤層を有する本発明の
接着テープを得た。
【0043】実施例4 実施例3における半硬化状接着剤層A−3の乾燥温度を
100℃で24時間に代えた以外は、同様にして半硬化
状接着剤層A−4を形成した。この接着剤層の200℃
における動的弾性率は5.0×10-1MPaであった。
実施例1で作製した半硬化状接着剤層B−1を半硬化状
接着剤層A−4と対向するように重ね合わせて圧着し、
2層構成の接着剤層を有する本発明の接着テープを得
た。
【0044】実施例5 重量平均分子量75,000、アクリロニトリル含有量
30重量%、アミノ基当量4,000のピペラジニルエ
チルアミノカルボニル基含有NBR(前記式(III )に
おいて、k=53、m=20、n=1)30重量部、前
記式(I−1)で示される化合物61重量部、1,3−
ビス(3−アミノプロピル)−1,1,3,3−テトラ
メチルジシロキサン9重量部(アミノ基1モル当量に対
するマレイミド基のモル当量は1.45)および過酸化
ベンゾイル1.2重量部をTHF中に添加、混合して溶
解し、固型分40重量%の接着剤塗布液を作製した。上
記接着剤塗布液を、厚さ100μmのステンレス板に乾
燥後の厚さが20μmになるように塗布し、200℃で
0.5時間乾燥して半硬化状接着剤層A−5を形成し
た。この接着剤層の200℃における動的弾性率は1.
2×104 MPaであった。過酸化ベンゾイルを1.0
重量部に代えた以外は、前記と同様にして固型分40重
量%の接着剤塗布液を作製し、前記PETフィルムに同
様に塗布した。次いで、乾燥時間を70℃で12時間に
代えて半硬化状接着剤層B−2を得た。この接着剤層の
200℃における動的弾性率は1.5×10-5MPaで
あった。上記半硬化状接着剤層A−5とB−2を対向す
るように重ね合わせて圧着して本発明の接着テープを得
た。
【0045】実施例6 重量平均分子量75,000、アクリロニトリル含有量
30重量%、アミノ基当量4,000のピペラジニルエ
チルアミノカルボニル基含有NBR(前記式(III )に
おいて、k=53、m=20、n=1)30重量部、前
記式(I−1)で示される化合物68重量部、ヘキサメ
チレンジアミン2重量部(アミノ基1モル当量に対する
マレイミド基のモル当量は3.1)、過酸化ベンゾイル
1重量部、およびラウロイルパーオキサイド1重量部を
THF中に添加、混合して溶解し、固型分40重量%の
接着剤塗布液を作製した。上記接着剤塗布液を、厚さ1
00μmのステンレス板に乾燥後の厚さが20μmにな
るように塗布し、200℃で0.5時間乾燥して半硬化
状接着剤層A−6を形成した。この接着剤層の200℃
における動的弾性率は3.0×105 MPaであった。
ラウロイルパーオキサイドを使用しないで過酸化ベンゾ
イルを1.0重量部のみに代えた以外は、前記と同様に
して固型分40重量%の接着剤塗布液を作製し、実施例
1で使用したPETフィルムに同様に塗布した。次い
で、乾燥時間を70℃で12時間に代えた以外は同様に
して半硬化状接着剤層B−3を得た。この接着剤層の2
00℃における動的弾性率は1.0×10-4MPaであ
った。上記半硬化状接着剤層A−6とB−3を対向する
ように重ね合わせて圧着して本発明の接着テープを得
た。
【0046】実施例7 重量平均分子量75,000、アクリロニトリル含有量
30重量%、アミノ基当量4,000のピペラジニルエ
チルアミノカルボニル基含有NBR(前記式(III )に
おいて、k=53、m=20、n=1)30重量部、前
記式(I−2)で示される化合物61重量部、1,3−
ビス(3−アミノプロピル)−1,1,3,3−テトラ
メチルジシロキサン9重量部(アミノ基1モル当量に対
するマレイミド基のモル当量は2.32)および過酸化
ベンゾイル1.2重量部をTHF中に添加、混合して溶
解し、固型分40重量%の接着剤塗布液を作製した。上
記接着剤塗布液を、厚さ100μmの42合金板に乾燥
後の厚さが20μmになるように塗布し、200℃で
0.5時間時間乾燥して、半硬化状接着剤層A−7を形
成した。この接着剤層の200℃における動的弾性率は
1.0×104MPaであった。過酸化ベンゾイルを
0.8重量部に代えた以外は、前記と同様にして固型分
40重量%の接着剤塗布液を作製し、前記と同様のPE
Tフィルムに同様に塗布した。次いで、乾燥時間を70
℃で10時間に代えて半硬化状接着剤層B−4を形成し
た。この接着剤層の200℃における動的弾性率は1.
3×10-6MPaであった。上記半硬化状接着剤層A−
7とB−4を対向するように重ね合わせて圧着して本発
明の接着テープを得た。
【0047】実施例8 重量平均分子量150,000、アクリロニトリル含有
量20重量%、アミノ基当量4,000のピペラジニル
エチルアミノカルボニル基含有NBR(前記式(III )
において、k=59、m=14、n=1)30重量部、
前記式(I−1)で示される化合物61重量部、1,3
−ビス(3−アミノプロピル)−1,1,3,3−テト
ラメチルジシロキサン9重量部(アミノ基1モル当量に
対するマレイミド基のモル当量は1.45)および過酸
化ベンゾイル1.5重量部をTHF中に添加、混合して
溶解し、固型分40重量%の接着剤塗布液を作製した。
さらにこの塗布液にシリカフィラー5重量部を添加して
十分混合した。上記接着剤塗布液を、厚さ100μmの
銅板に乾燥後の厚さが20μmになるように塗布し、2
00℃で0.5時間時間乾燥して半硬化状接着剤層A−
8を形成した。この接着剤層の200℃における動的弾
性率は5.0×102 MPaであった。過酸化ベンゾイ
ルを1.0重量部に代えた以外は、前記と同様にして固
型分40重量%の接着剤塗布液を作製し、前記と同一の
PETフィルムに同様に塗布した。次いで、乾燥時間を
70℃で15時間に代えた以外は同様にして半硬化状接
着剤層B−5を形成した。この接着剤層の200℃にお
ける動的弾性率は5.0×10-4MPaであった。上記
半硬化状接着剤層A−8とB−5を対向するように重ね
合わせて圧着して本発明の接着テープを得た。
【0048】比較例1 重量平均分子量70,000、アクリロニトリル含有量
25重量%、アミノ基当量4,000のピペラジニルエ
チルアミノカルボニル基含有NBR(前記式(III )に
おいて、k=55、m=18、n=1)30重量部、前
記式(I−1)で示される化合物70重量部、及び過酸
化ベンゾイル1.0重量部をTHF中に添加、混合して
溶解し、固型分40重量%の接着剤塗布液を作製した。
上記接着剤塗布液を、剥離処理を施した厚さ38μmの
PETフィルムに乾燥後の厚さが20μmになるように
塗布し、100℃で12時間乾燥して半硬化状接着剤層
C−1を得た。この接着剤層の200℃における動的弾
性率は3.0×10-3MPaであった。次いで、上記接
着剤塗布液を、剥離処理を施した厚さ38μmのPET
フィルムに乾燥後の厚さが20μmになるように塗布
し、乾燥時間を70℃で12時間に代えた以外は同様に
して半硬化状接着剤層D−1を形成した。この接着剤層
の200℃における動的弾性率は1.0×10-5MPa
であった。上記半硬化状接着剤層C−1とD−1を対向
するように重ね合わせて圧着し、2層構成の接着剤層を
有する接着剤フィルムを得た。次いで半硬化状接着剤層
C−1側のPETフィルムを剥がし、厚さ100μmの
銅板と圧着して比較用の接着テープを得た。
【0049】比較例2 重量平均分子量70,000、アクリロニトリル含有量
25重量%、アミノ基当量4,000のピペラジニルエ
チルアミノカルボニル基含有NBR(前記式(III )に
おいて、k=55、m=18、n=1)30重量部、前
記式(I−1)で示される化合物61重量部、1,3−
ビス(3−アミノプロピル)−1,1,3,3−テトラ
メチルジシロキサン9重量部(アミノ基1モル当量に対
するマレイミド基のモル当量は1.46)、過酸化ベン
ゾイル1重量部、およびラウロイルパーオキサイド2重
量部をTHF中に添加、混合して溶解し、固型分40重
量%の接着剤塗布液を作製した。上記の接着剤塗布液
を、厚さ100μmのステンレス板に乾燥後の厚さが2
0μmになるように塗布し、140℃で5分乾燥して半
硬化状接着剤層C−2を形成した。この接着剤層の20
0℃における動的弾性率は1.0×10-2MPaであっ
た。ラウロイルパーオキサイド2重量部を0.5重量部
に代えた以外は、前記と同様にして固型分40重量%の
接着剤塗布液を作製し、前記と同一のPETフィルムに
同様に塗布、乾燥して半硬化状接着剤層D−2を形成し
た。この接着剤層の200℃における動的弾性率は1.
2×10-5MPaであった。上記半硬化状接着剤層C−
2とD−2を対向するように重ね合わせて圧着して比較
用の接着テープを得た。
【0050】[半導体装置の製作例1]実施例1〜8及
び比較例1〜2の接着テープを用いて、図1に示す構造
の半導体装置(256ピン)を作製した。 (リードフレームの組立て)図1に示す半導体パッケー
ジに用いられるリードフレームを、次に示す手順で組み
立てた。 (a)接着テープの打ち抜き 金型による接着テープの打ち抜き。 (b)リードフレーム組立て 上記工程で接着テープとリードフレーム本体を位置あわ
せし、120℃に加熱したホットプレート上で加熱加圧
し、リードフレームと接着テープを貼り合わせた。 (c)接着テープキュアー 熱風循環型オーブン内を窒素置換し、組み立てたリード
フレーム上で接着テープを200℃、0.5時間の条件
で硬化させた。
【0051】(半導体パッケージの組立て)その後、作
成したリードフレームを使用し、以下の手順で半導体パ
ッケージを組み立てた。 (d)ダイボンディング 半導体チップをダイボンディング用銀ペーストを用い
て、プレーン部に接着し、170℃で1時間硬化させ
た。 (e)ワイヤーボンディング ワイヤーボンダーにより、金線で半導体チップ上のワイ
ヤーパッドとインナーリード線端部の銀メッキ部分とを
配線する。 (f)モールディング エポキシ系モールド剤でトランスファーモールドする。 (g)仕上げ工程 ホーミング、ダイカット、アウターリード部のメッキ等
の工程を含め、パッケージに仕上げる。
【0052】[半導体装置の製作例2]実施例1〜8及
び比較例1〜2の接着テープを用いて、図1に示す構造
の半導体装置(100ピン)を作製した。上記工程
(c)の接着テープキュアーを行わない以外は、工程
(a)、(b)、(d)〜(g)の各工程の処理を行っ
て半導体装置を作製した。
【0053】[接着テープ及び半導体パッケージの評
価]上記半導体装置の製作例1および2におけるパッケ
ージ組立に際して、金線のワイヤーボンディング時のリ
ードフレーム上へのワイヤーボンダビリティーを確認し
た。各製作例について、実施例1〜8および比較例1お
よび2の接着テープを使用した場合のボンディング不良
数を確認した。その結果を表1に示す。
【0054】
【表1】
【0055】
【発明の効果】本発明の接着テープは、好適な高絶縁性
を有し、高温高湿の環境下においても電気的信頼性に優
れている。特に、テーピング後に接着テープのキュア工
程を行わずに、ダイボンディング工程で接着テープの硬
化を実施してもワイヤーボンディング不良が発生しない
ので、半導体装置の作製工程を簡略化することができ
る。また、高密度化された半導体パッケージにおいても
ワイヤーボンディング不良が発生しないという利点も有
している。
【図面の簡単な説明】
【図1】 半導体装置の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
1…IC(半導体)チップ、2…金属板、3…リードピ
ン、4…金ワイヤー、5…モールド樹脂、6,6−1,
6−2…接着剤層、
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 海野 忠 静岡県静岡市用宗巴町3番1号 株式会社 巴川製紙所電子材料事業部内 Fターム(参考) 4J004 AA05 AA11 AB04 CA08 CE01 FA05 5F067 AA10 BE10 CA05

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 金属板の少なくとも一面に、成分
    (a):アミノ基を有するブタジエン−アクリロニトリ
    ル共重合体と、成分(b):下記式(I−1)〜(I−
    5)で示されるビスマレイミド化合物から選択される少
    なくとも1つの化合物とを含有する接着剤組成物よりな
    る少なくとも2つの接着剤層が積層されてなる接着テー
    プであって、各接着剤層が半硬化状であって、それぞれ
    異なる動的弾性率を有し、金属板と接する接着剤層の2
    00℃における動的弾性率が1.0×10-1MPa〜
    1.0×106 MPaであることを特徴とする半導体装
    置用接着テープ。 【化1】
  2. 【請求項2】 金属と接していない側の接着剤層の20
    0℃における動的弾性率が1.0×10-10 MPa〜
    1.0×10-2MPaであることを特徴とする請求項1
    記載の半導体装置用接着テープ。
  3. 【請求項3】 前記接着剤組成物において、上記成分
    (a)100重量部に対して、上記成分(b)が10〜
    900重量部であることを特徴とする請求項1記載の半
    導体装置用接着テープ。
  4. 【請求項4】 前記接着剤組成物が、成分(c):下記
    式(II−1)又は下記式(II−2)で示されるジアミン
    化合物を含有することを特徴とする請求項1に記載の半
    導体装置用接着テープ。 H2 N−R1 −NH2 (II−1) (式中、R1 は2価の脂肪族基又は芳香族含有基を意味
    する。) 【化2】 (式中、R2 は炭素数1〜12のアミノアルキル基、ア
    ミノフェノキシメチレン基、アミノフェノキシエチレン
    基、アミノフェノキシプロピレン基又はアミノフェノキ
    シブチレン基を表し、sは0〜7の整数を意味する。)
  5. 【請求項5】 前記接着剤組成物において、上記成分
    (a)100重量部に対して、上記成分(b)と上記成
    分(c)の総和が10〜900重量部であり、成分
    (c)のアミノ基1モル当量に対する成分(b)のマレ
    イミド基が1〜100当量であることを特徴とする請求
    項4記載の半導体装置用接着テープ。
JP2000326334A 2000-10-26 2000-10-26 半導体装置用接着テープ Expired - Fee Related JP3599659B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000326334A JP3599659B2 (ja) 2000-10-26 2000-10-26 半導体装置用接着テープ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000326334A JP3599659B2 (ja) 2000-10-26 2000-10-26 半導体装置用接着テープ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002129116A true JP2002129116A (ja) 2002-05-09
JP3599659B2 JP3599659B2 (ja) 2004-12-08

Family

ID=18803541

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000326334A Expired - Fee Related JP3599659B2 (ja) 2000-10-26 2000-10-26 半導体装置用接着テープ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3599659B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011118664A1 (ja) * 2010-03-25 2011-09-29 株式会社巴川製紙所 電子部品用液状接着剤および接着テープ
JP2012116954A (ja) * 2010-12-01 2012-06-21 Hitachi Cable Ltd 接着剤組成物、それを用いた接着フィルムおよび配線フィルム
JP2014169450A (ja) * 2004-04-01 2014-09-18 Henkel Ag&Co Kgaa 多相系を有する接着剤を使用する高温結合力を改善する方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014169450A (ja) * 2004-04-01 2014-09-18 Henkel Ag&Co Kgaa 多相系を有する接着剤を使用する高温結合力を改善する方法
WO2011118664A1 (ja) * 2010-03-25 2011-09-29 株式会社巴川製紙所 電子部品用液状接着剤および接着テープ
CN102812099A (zh) * 2010-03-25 2012-12-05 株式会社巴川制纸所 电子部件用液状粘接剂以及胶带
JP5486081B2 (ja) * 2010-03-25 2014-05-07 株式会社巴川製紙所 電子部品用液状接着剤および接着テープ
KR101401162B1 (ko) * 2010-03-25 2014-05-29 가부시키가이샤 도모에가와 세이시쇼 전자 부품용 액상 접착제 및 접착 테이프
JP2012116954A (ja) * 2010-12-01 2012-06-21 Hitachi Cable Ltd 接着剤組成物、それを用いた接着フィルムおよび配線フィルム

Also Published As

Publication number Publication date
JP3599659B2 (ja) 2004-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2732020B2 (ja) 電子部品用接着テープおよび液状接着剤
JP2732021B2 (ja) 電子部品用接着テープおよび液状接着剤
JP2896751B2 (ja) 電子部品用接着テープ
JP2896754B2 (ja) 電子部品用接着テープ
US5863988A (en) Liquid adhesive for electronic parts and adhesive tape
JPH07130772A (ja) 電子部品用液状接着剤およびそれを用いる絶縁接着層の形成方法
JP2896755B2 (ja) 電子部品用接着テープ
JPH0913001A (ja) 電子部品用液状接着剤および電子部品用接着テープ
JP5486081B2 (ja) 電子部品用液状接着剤および接着テープ
JP3599659B2 (ja) 半導体装置用接着テープ
JP2896752B2 (ja) 電子部品用接着テープ
JP3118420B2 (ja) 電子部品用液状接着剤および接着テープ
JP3118404B2 (ja) 電子部品用液状接着剤および接着テープ
JP3532792B2 (ja) 電子部品用接着剤及び接着テープ
JP2004352963A (ja) 電子部品用接着テープ
JP4347941B2 (ja) 接着テープ
JP2001019920A (ja) 電子部品用接着剤及び接着テープ
JP2000226560A (ja) 電子部品用接着テープ
JPH11246840A (ja) 電子部品用接着剤及び接着テープ
JP4404576B2 (ja) 電子部品用接着テープ
KR0184613B1 (ko) 전자 부품용 접착 테이프
JP2004352961A (ja) 電子部品用接着テープ

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040317

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040323

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040517

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040615

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040806

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040907

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040914

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080924

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080924

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090924

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090924

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100924

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110924

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110924

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120924

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120924

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130924

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130924

Year of fee payment: 9

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees