JP2002124577A5 - - Google Patents
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【0004】
多チップモジュール(マルチチップモジュール)技術における最近の進歩は、チップオンチップ方法であり、ここでは、能動チップは、相互接続基板よりむしろ他の能動チップにフリップチップ接合される。チップの相対サイズが許す場合は、2個以上の小型チップを大型チップに接合することができる。ロジックチップ、たとえばデジタルシグナルプロセッサは、かなり大きく、少なくとも2個の標準的なメモリチップを入れるのに十分な足跡を有する。ロジックチップ、すなわち支持チップは、リードフレームパッケージ内に収納され、したがって、より従来的なMCMパッケージのボードすなわち相互接続基板がなくなる。チップオンチップパッケージ内のチップ間相互接続回路は、典型的に、支持チップの表面に構築される。これらのパッケージの組立て中、チップ上に形成された集積回路のI/Oを静電放電から保護する必要がある。
多チップモジュール(マルチチップモジュール)技術における最近の進歩は、チップオンチップ方法であり、ここでは、能動チップは、相互接続基板よりむしろ他の能動チップにフリップチップ接合される。チップの相対サイズが許す場合は、2個以上の小型チップを大型チップに接合することができる。ロジックチップ、たとえばデジタルシグナルプロセッサは、かなり大きく、少なくとも2個の標準的なメモリチップを入れるのに十分な足跡を有する。ロジックチップ、すなわち支持チップは、リードフレームパッケージ内に収納され、したがって、より従来的なMCMパッケージのボードすなわち相互接続基板がなくなる。チップオンチップパッケージ内のチップ間相互接続回路は、典型的に、支持チップの表面に構築される。これらのパッケージの組立て中、チップ上に形成された集積回路のI/Oを静電放電から保護する必要がある。
【0012】
その結果、ESD保護構成要素は、I/O回路20から削除するかまたは選択的に無力化することができる。前者の場合には、ESD保護構成要素中の大きな保護構成要素を削除することができる。したがって、I/O回路20の面積を減らすことができる。さらに、ESD保護構成要素の容量負荷を避けることができる。ESD保護構成要素が選択的に無力化(ディスエーブル)される場合は、I/O回路20は、多チップモジュールの組立てに先だって保護されている。多チップが組立てられると、I/O回路20のESD構成要素は、選択的に無力化される。その結果、I/O回路20の容量負荷を、集積回路5及び10の動作中減らすことができる。いずれの場合にも、容量負荷の減少により、I/O回路は、動作的なESD構成要素を有する典型的なI/O回路と比較した場合、減少した駆動レベルでまたはより高い速度でまたはその両方で動作することができる
その結果、ESD保護構成要素は、I/O回路20から削除するかまたは選択的に無力化することができる。前者の場合には、ESD保護構成要素中の大きな保護構成要素を削除することができる。したがって、I/O回路20の面積を減らすことができる。さらに、ESD保護構成要素の容量負荷を避けることができる。ESD保護構成要素が選択的に無力化(ディスエーブル)される場合は、I/O回路20は、多チップモジュールの組立てに先だって保護されている。多チップが組立てられると、I/O回路20のESD構成要素は、選択的に無力化される。その結果、I/O回路20の容量負荷を、集積回路5及び10の動作中減らすことができる。いずれの場合にも、容量負荷の減少により、I/O回路は、動作的なESD構成要素を有する典型的なI/O回路と比較した場合、減少した駆動レベルでまたはより高い速度でまたはその両方で動作することができる
【0014】
他の実施例では、I/O回路20は、機能付与/無力化構成要素(イネーブル/ディスエーブル)110を介して接合パッド105に接続されたESD保護構成要素115も含む。機能付与/無力化構成要素110は、接合パッド105をESD保護構成要素115に電気的に接続するように働く。機能付与/無力化構成要素110は、接合パッド105とESD保護構成要素115間の電気的相互接続を提供する可融リンク(fused link)とすることができる。ESD保護構成要素115は、それが配置された集積回路のESD保護を提供する。ヒューズは、レーザまたは大電流または他の周知の技術で切ることができる。集積回路における可融リンクの製作及び使用は周知であり、したがって、ここではさらに詳細には説明されない。このような従来の可融リンクは、本発明のこの実施例における使用に適している。ヒューズは、集積回路が多チップモジュールを形成するように接続される前または接続された後に切断することができる。その結果、ESD保護構成要素115の容量及び抵抗負荷は、動作中I/Oバッファに影響を与えない。
他の実施例では、I/O回路20は、機能付与/無力化構成要素(イネーブル/ディスエーブル)110を介して接合パッド105に接続されたESD保護構成要素115も含む。機能付与/無力化構成要素110は、接合パッド105をESD保護構成要素115に電気的に接続するように働く。機能付与/無力化構成要素110は、接合パッド105とESD保護構成要素115間の電気的相互接続を提供する可融リンク(fused link)とすることができる。ESD保護構成要素115は、それが配置された集積回路のESD保護を提供する。ヒューズは、レーザまたは大電流または他の周知の技術で切ることができる。集積回路における可融リンクの製作及び使用は周知であり、したがって、ここではさらに詳細には説明されない。このような従来の可融リンクは、本発明のこの実施例における使用に適している。ヒューズは、集積回路が多チップモジュールを形成するように接続される前または接続された後に切断することができる。その結果、ESD保護構成要素115の容量及び抵抗負荷は、動作中I/Oバッファに影響を与えない。
Claims (10)
- デバイスの第1の入力/出力回路を保護するように配置された第1の静電放電(ESD)保護回路と、
前記デバイスの第2の入力/出力回路を保護するように配置された第2のESD保護回路と、
前記第1のESD保護回路を選択的にイネーブル/ディスエーブルとするように適合された回路とを含み、
ここで前記第1の入力/出力回路は前記デバイスを第2のデバイスに結合するように適合されている、デバイス。 - 前記第1の入力/出力回路は、前記第2のデバイスに結合された後に、選択的にディスエーブルとされる請求項1に記載のデバイス。
- バッファと、
前記バッファに電気的に結合されており、選択的に電気的に前記第1のESD保護回路に結合されるボンドパッドとを更に含み、ここで前記第1のESD保護回路は、電気的に前記第1のESD保護回路を前記ボンドパッドから電気的に絶縁することによって、選択的にディスエーブルとされている、請求項1に記載のデバイス。 - デバイスを製造する方法であって、
前記デバイスの第1の入力/出力回路を保護するように配置された第1の静電放電(ESD)保護回路を提供するステップにおいて、前記第1の入力/出力回路は前記デバイスを第2のデバイスに結合するように適合されているステップと、
前記デバイスの第2の入力/出力回路を保護するように配置された第2のESD保護回路を提供するステップと、
前記第1のESD保護回路を選択的にイネーブル/ディスエーブルとするように配置された回路を前記第1の入力/出力回路に結合するステップと、を含む方法。 - 前記第1の入力/出力回路は、前記第2のデバイスに結合された後に、選択的にディスエーブルとされる請求項4に記載の方法。
- 電気的にボンドパッドをバッファに結合するステップと、
選択的に前記第1ESD保護回路を電気的に前記ボンドパッドに結合するステップと、を更に含み、前記第1のESD保護回路は、前記第1のESD保護回路を前記ボンドパッドから電気的に絶縁することによって、選択的にディスエーブルとされる方法。 - 第1の集積回路と、
第2の集積回路とを含むマルチチップモジュールにおいて、
第2の集積回路は、
前記第2の集積回路の第1の入力/出力回路を保護するように配置された第1の静電放電(ESD)保護回路と、
前記第2の集積回路の第2の入力/出力回路を保護するように配置された第2のESD保護回路と
前記第1のESD保護回路を選択的にイネーブル/ディスエーブルとするように適合された回路とを含み、ここで前記第1の入力/出力回路は前記第2の集積回路を前記第1の集積回路に結合するように適合されている、マルチチップモジュール。 - 前記第1の入力/出力回路は、前記第2の集積回路が前記第1の集積回路に結合された後に、選択的にディスエーブルとされる請求項7に記載のマルチチップモジュール。
- 前記第2の集積回路は更に、
バッファと、
前記バッファに電気的に結合されており、選択的に電気的に前記第1のESD保護回路に結合されるボンドパッドとを更に含み、ここで前記第1のESD保護回路は、電気的に前記第1のESD保護回路を前記ボンドパッドから電気的に絶縁することによって、選択的にディスエーブルとされている、請求項7に記載のマルチチップモジュール。 - 前記第2のESD保護回路が前記マルチチップモジュールを保護する、請求項7に記載のマルチチップモジュール。
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