JP2002122632A - 半導体検査装置 - Google Patents

半導体検査装置

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JP2002122632A
JP2002122632A JP2000313773A JP2000313773A JP2002122632A JP 2002122632 A JP2002122632 A JP 2002122632A JP 2000313773 A JP2000313773 A JP 2000313773A JP 2000313773 A JP2000313773 A JP 2000313773A JP 2002122632 A JP2002122632 A JP 2002122632A
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Japan
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semiconductor
power supply
defective
determined
semiconductor elements
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JP2000313773A
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English (en)
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Katsunori Tanaka
克則 田中
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Seiko Instruments Inc
Original Assignee
Seiko Instruments Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 複数の半導体素子の電気特性を正確に測定
し、検査することができる装置の提供。 【解決手段】 単独の電流源あるいは電圧源から半導体
素子ごとにリレーを接続し、不良と判定した素子を測定
対象外とし、リレーを用いて電流源あるいは電圧源から
切り離し、電位の変動や電流供給量不足を抑え、他の素
子の検査を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子を多数個
同時測定にて行う検査装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の技術では多数個同時測定を行う場
合、半導体装置のオペレーションシステムにより最大同
時測定個数が決められており、この同時測定個数によっ
て被測定物1つで使用できるユニットが決められてい
た。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術では半導体
素子をオペレーションシステムで決められた以上の個数
で測定を行う場合に、1つのユニットで電流、或いは電
圧を複数の素子に対して印加する事になる。
【0004】不良素子が含まれた場合、他の良品に対し
て電位の変動や電流の供給量を少なくするなどの影響を
及ぼす。
【0005】これらの影響により本来印加すべき条件が
設定出来ない為、誤動作による機能不良や謝った測定値
を出す要因となっている。
【0006】本発明の目的は、前述した問題点を解消さ
せることにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】この発明の検査装置は前
述した目的を達成する為、1つのユニットから複数の被
測定物に分配する際にユニットと素子の信号間にリレー
を接続し、被測定物が不良になった場合、リレーの接続
を解除して測定対象から除外する。
【0008】これにより、不良となった測定物が良品の
測定物に対して影響を及ぼさないようにする。
【0009】
【発明の実施の形態】本発明は半導体検査装置において
1つの電流源或いは電圧源から複数の被測定物の間に被
測定物の数量分のリレー回路を用いる。
【0010】また、本発明では複数の半導体素子に電圧
を印加する単一の電源と、その電源にそれぞれ接続され
前記半導体素子に電圧を印加または切断の切替を行う複
数の切替装置とからなる半導体検査装置を用いる。
【0011】この複数の切替装置のONOFF動作をそ
れぞれ制御する制御装置を設ける。
【0012】さらに、単一の電源により複数の半導体装
置の電気特性を検査する方法において、前記半導体装置
の一つを不良と判断した場合、不良と判断された半導体
装置と前記電源との接続を遮断する。
【0013】
【実施例】本発明の実施例を図面1を参照しながら説明
する。
【0014】電源1より複数個の被測定物A4、被測定
物B5対してそれぞれリレーA4、リレーB5を経由し
て電源電圧を印加する。リレーA、Bそれぞれに制御信
号6、7を接続する。測定が開始された時リレーA、B
は制御信号A、Bにより電源へ接続された状態にある。
【0015】この時被測定物Aが不良と判断された時に
制御信号AによりリレーAを切断して測定対象から除外
する。
【0016】同様に被測定物Bが不良と判断された場合
には制御信号BによりリレーBを切断して測定対象から
除外する。これにより一方の被測定物が不良の場合に起
こりうる電位の変動や電流の供給量不足をもう一方の被
測定物に影響しない様になる。
【0017】
【発明の効果】本発明の回路構成を用いた事により、不
良となった半導体素子が同時に測定する他の半導体素子
に対して電位の変動、電流供給量不足を抑制する事がで
き、これらの影響がなくなる事から正確な試験を行う事
が出来る。従って歩留り低下の抑制、設備の補充も不要
になり製造コストの低減が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例を示す回路図である。
【符号の説明】
1 電源 2 リレーA 3 リレーB 4 被測定物A 5 被測定物B 6 制御信号A 7 制御信号B

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体素子を多数個同時測定にて選別す
    る際に単独の電流源或いは電圧源から複数の半導体素子
    間にリレーを用いて個別に接続を切替える回路を用い
    る。
  2. 【請求項2】 複数の半導体素子に電圧を印加する単一
    の電源と、前記電源にそれぞれ接続され前記半導体素子
    に電圧を印加または切断の切替を行う複数の切替装置と
    からなる半導体検査装置。
  3. 【請求項3】 前記複数の切替装置のONOFF動作を
    それぞれ制御する制御装置を有する請求項2記載の半導
    体検査装置。
  4. 【請求項4】 単一の電源により複数の半導体装置の電
    気特性を検査する方法において、前記半導体装置の一つ
    を不良と判断した場合、不良と判断された半導体装置と
    前記電源との接続を遮断する半導体検査方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8736292B2 (en) 2009-06-29 2014-05-27 Kabushiki Kaisha Nihon Micronics Probe card and inspection apparatus

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8736292B2 (en) 2009-06-29 2014-05-27 Kabushiki Kaisha Nihon Micronics Probe card and inspection apparatus
TWI454705B (zh) * 2009-06-29 2014-10-01 Nihon Micronics Kk 探針卡及檢查裝置

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