JP2002118156A - 半導体装置をテストする装置 - Google Patents
半導体装置をテストする装置Info
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 65
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 11
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 abstract 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 210000004072 lung Anatomy 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
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- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/308—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation
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- G—PHYSICS
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- G11C—STATIC STORES
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- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/50—Marginal testing, e.g. race, voltage or current testing
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】温度を変更する際に待つ必要がなく、したがっ
て、長い待ち時間を回避することができ、その上様々な
半導体装置をテストする際に費用のかかる装備の変更を
する必要がないような半導体装置をテストする装置を提
供すること。 【解決手段】上記半導体装置（３）に、それぞれ特定の
波長（λ）および特定の強度（Ｉ）の光を、それぞれ所
定の時間（Ｔ）当てることが可能であり、その結果、上
記半導体装置（３）にこの光を照射すると、伝導帯への
距離が短過ぎる価電子帯から、それぞれの伝導帯へ電子
を移行させることができる同調可能な光源（４）を備え
る装置。
て、長い待ち時間を回避することができ、その上様々な
半導体装置をテストする際に費用のかかる装備の変更を
する必要がないような半導体装置をテストする装置を提
供すること。 【解決手段】上記半導体装置（３）に、それぞれ特定の
波長（λ）および特定の強度（Ｉ）の光を、それぞれ所
定の時間（Ｔ）当てることが可能であり、その結果、上
記半導体装置（３）にこの光を照射すると、伝導帯への
距離が短過ぎる価電子帯から、それぞれの伝導帯へ電子
を移行させることができる同調可能な光源（４）を備え
る装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置から欠
陥（ｆｅｈｌｅｒｈａｆｔ）のある半導体装置を選別す
るために、半導体装置をテストする装置に関する。欠陥
のある半導体装置では、価電子帯と伝導帯との間の距離
は、欠陥のない半導体装置に比べて低い値を有する。
陥（ｆｅｈｌｅｒｈａｆｔ）のある半導体装置を選別す
るために、半導体装置をテストする装置に関する。欠陥
のある半導体装置では、価電子帯と伝導帯との間の距離
は、欠陥のない半導体装置に比べて低い値を有する。
【０００２】半導体装置（特に、揮発性（ｆｌｕｅｃｈ
ｔｉｇ）メモリチップおよび不揮発性メモリチップ）で
は、欠陥のある半導体装置（例えば、いわゆるソフトエ
ラー（ｗｅｉｃｈ Ｆｅｈｌｅｒ）を有するメモリセル
トランジスタ）を選別するために、現在、ウエハ平面上
でテストされている。このソフトエラーでは、半導体装
置の高過ぎる漏れ電流、低過ぎるカットオフ電圧などが
問題である。
ｔｉｇ）メモリチップおよび不揮発性メモリチップ）で
は、欠陥のある半導体装置（例えば、いわゆるソフトエ
ラー（ｗｅｉｃｈ Ｆｅｈｌｅｒ）を有するメモリセル
トランジスタ）を選別するために、現在、ウエハ平面上
でテストされている。このソフトエラーでは、半導体装
置の高過ぎる漏れ電流、低過ぎるカットオフ電圧などが
問題である。
【０００３】
【従来の技術】半導体装置の１例として、これまでメモ
リチップがウエハ平面でテストされ、このメモリチップ
ではこの妨害サイクルは高められた温度で行われる。す
なわち、まず第１にメモリチップに書き込みがされる。
次いで、メモリチップの温度が上げられる。最後に、こ
の高められた温度でメモリチップの読みとりが行われ
る。
リチップがウエハ平面でテストされ、このメモリチップ
ではこの妨害サイクルは高められた温度で行われる。す
なわち、まず第１にメモリチップに書き込みがされる。
次いで、メモリチップの温度が上げられる。最後に、こ
の高められた温度でメモリチップの読みとりが行われ
る。
【０００４】この工程で、これらのメモリチップから、
そのようなメモリチップ（このようなメモリチップは、
「エージング処理」（Ａｌｔｅｒｕｎｇｓｂｅｈａｎｄ
ｌｕｎｇ）の結果、欠陥があることが判明している）を
選別することを可能にするために、温度上昇が、漏れ電
流の増加およびそれゆえメモリチップの保持時間の減少
を引き起こす。
そのようなメモリチップ（このようなメモリチップは、
「エージング処理」（Ａｌｔｅｒｕｎｇｓｂｅｈａｎｄ
ｌｕｎｇ）の結果、欠陥があることが判明している）を
選別することを可能にするために、温度上昇が、漏れ電
流の増加およびそれゆえメモリチップの保持時間の減少
を引き起こす。
【０００５】上述の工程で不都合なことは、半導体チッ
プの温度を変更するために保持する必要がある待ち時間
が比較的長いことである。このように待ち時間が長い
と、他方でテスト時間が長くなり、そのため、テストプ
ログラム全体の費用が高くなる。その上、半導体装置の
種類によりテストに必要な温度範囲が異なり、このため
に対応するテスト装置に再度様々な装備が必要になるこ
とを考慮する必要がある。
プの温度を変更するために保持する必要がある待ち時間
が比較的長いことである。このように待ち時間が長い
と、他方でテスト時間が長くなり、そのため、テストプ
ログラム全体の費用が高くなる。その上、半導体装置の
種類によりテストに必要な温度範囲が異なり、このため
に対応するテスト装置に再度様々な装備が必要になるこ
とを考慮する必要がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
課題は、温度を変更する際に待つ必要がなく、したがっ
て、長い待ち時間を回避することができ、その上様々な
半導体装置をテストする際に費用のかかる装備の変更を
する必要がないような半導体装置をテストする装置を提
供することである。
課題は、温度を変更する際に待つ必要がなく、したがっ
て、長い待ち時間を回避することができ、その上様々な
半導体装置をテストする際に費用のかかる装備の変更を
する必要がないような半導体装置をテストする装置を提
供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この課題は、初めに述べ
た様式の装置において本発明に従い同調可能な光源によ
り解決される。この同調可能な光源は、半導体装置に対
してそれぞれ特定の波長と特定の強度を有する光をそれ
ぞれ所定の時間当てることができるので、この光を半導
体装置に照射すると、伝導帯に対する距離が短過ぎる価
電子帯から、それぞれの伝導帯へ電子を移行させること
が可能である。
た様式の装置において本発明に従い同調可能な光源によ
り解決される。この同調可能な光源は、半導体装置に対
してそれぞれ特定の波長と特定の強度を有する光をそれ
ぞれ所定の時間当てることができるので、この光を半導
体装置に照射すると、伝導帯に対する距離が短過ぎる価
電子帯から、それぞれの伝導帯へ電子を移行させること
が可能である。
【０００８】本発明は、さらに以下を提供する。
【０００９】１つの局面において、本発明は、半導体装
置から欠陥のある半導体装置を選別するための、半導体
装置をテストするための装置を提供する。上記欠陥のあ
る半導体装置では、価電子帯と伝導帯との間の距離が、
欠陥のない半導体装置よりも低い値を有する。ここで、
同調可能な光源（４）は上記半導体装置（３）に、それ
ぞれ特定の波長（λ）および特定の強度（Ｉ）の光を、
それぞれ所定の時間（Ｔ）当てることが可能であり、そ
の結果、上記半導体装置（３）にこの光を照射すると、
伝導帯への距離が短過ぎる価電子帯から、それぞれの伝
導帯へ電子を移行させることができる。
置から欠陥のある半導体装置を選別するための、半導体
装置をテストするための装置を提供する。上記欠陥のあ
る半導体装置では、価電子帯と伝導帯との間の距離が、
欠陥のない半導体装置よりも低い値を有する。ここで、
同調可能な光源（４）は上記半導体装置（３）に、それ
ぞれ特定の波長（λ）および特定の強度（Ｉ）の光を、
それぞれ所定の時間（Ｔ）当てることが可能であり、そ
の結果、上記半導体装置（３）にこの光を照射すると、
伝導帯への距離が短過ぎる価電子帯から、それぞれの伝
導帯へ電子を移行させることができる。
【００１０】１つの実施形態において、本発明は、上記
半導体装置（３）がウエハ平面上のメモリチップである
ことを特徴とする。
半導体装置（３）がウエハ平面上のメモリチップである
ことを特徴とする。
【００１１】別の実施形態において、本発明は、上記光
源（４）により照射された光の周波数（ｆ）が無段階で
制御できることを特徴とする。
源（４）により照射された光の周波数（ｆ）が無段階で
制御できることを特徴とする。
【００１２】別の実施形態において、本発明は、上記光
源（４）がウエハプローバ（１）に組み込まれることを
特徴とする。
源（４）がウエハプローバ（１）に組み込まれることを
特徴とする。
【００１３】別の実施形態において、本発明は、上記半
導体装置（３）が上記光源（４）に関して調整可能であ
ることを特徴とする。
導体装置（３）が上記光源（４）に関して調整可能であ
ることを特徴とする。
【００１４】別の実施形態において、本発明は、上記光
源（４）が光ファイバーの端部からつくられていること
を特徴とする。
源（４）が光ファイバーの端部からつくられていること
を特徴とする。
【００１５】別の実施形態において、本発明は、上記半
導体装置（３）が書き込みがされたメモリセルを有する
メモリチップであることを特徴とする。
導体装置（３）が書き込みがされたメモリセルを有する
メモリチップであることを特徴とする。
【００１６】別の実施形態において、本発明は、上記半
導体装置（３）の電圧供給装置（７）がテスト中保持さ
れていることを特徴とする。
導体装置（３）の電圧供給装置（７）がテスト中保持さ
れていることを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明に従う装置は、漏れ電流が
高くなったメモリセルを見つけるために、温度を変更す
る代わりにテストの際に同調可能な光源から放出された
照射エネルギーを用いる。光源から放射された光の波長
により、欠陥のある半導体装置において価電子帯から低
過ぎる伝導帯へと到達させるために、電子が半導体装置
で保持しなければならないエネルギーは、直接調整され
得る。価電子帯から伝導帯への電子のこの移行は、実際
には瞬間的に行われることから、温度を変更する場合に
必然的に起きる長い待ち時間はなくなる。さらに、同調
可能な光源を用いるので、装備の変更または交換は不必
要である。何故ならば、光源から放出されたエネルギー
または光源から放出された光の波長は、「できの悪い」
（ｓｃｈｌｅｃｈｔ）半導体装置では価電子帯と伝導帯
との間の短過ぎる距離に難なく適合させることができる
からである。
高くなったメモリセルを見つけるために、温度を変更す
る代わりにテストの際に同調可能な光源から放出された
照射エネルギーを用いる。光源から放射された光の波長
により、欠陥のある半導体装置において価電子帯から低
過ぎる伝導帯へと到達させるために、電子が半導体装置
で保持しなければならないエネルギーは、直接調整され
得る。価電子帯から伝導帯への電子のこの移行は、実際
には瞬間的に行われることから、温度を変更する場合に
必然的に起きる長い待ち時間はなくなる。さらに、同調
可能な光源を用いるので、装備の変更または交換は不必
要である。何故ならば、光源から放出されたエネルギー
または光源から放出された光の波長は、「できの悪い」
（ｓｃｈｌｅｃｈｔ）半導体装置では価電子帯と伝導帯
との間の短過ぎる距離に難なく適合させることができる
からである。
【００１８】「できの悪い」半導体装置における価電子
帯から低過ぎる伝導帯への電子の移行に必要なエネルギ
ーＥの値は、たとえば、２．５ ｅＶになり、公知の式
Ｅ＝ｈｆ および ｃ＝λｆ（ｈ＝プランクの定数；ｆ
＝入射光の周波数；ｃ＝光速）により波長λについては
４９７ ｎｍの値が得られる。
帯から低過ぎる伝導帯への電子の移行に必要なエネルギ
ーＥの値は、たとえば、２．５ ｅＶになり、公知の式
Ｅ＝ｈｆ および ｃ＝λｆ（ｈ＝プランクの定数；ｆ
＝入射光の周波数；ｃ＝光速）により波長λについては
４９７ ｎｍの値が得られる。
【００１９】それゆえ、本質的には、本発明の装置にお
いて、色温度を無段階で制御することができる光源を用
いて半導体装置に照射することによりある妨害量（Ｓｔ
ｏｅｒｇｒｏｅｓｓｅ）が発生する。言い換えると、放
出された光の波長を予め調節することができる光源が使
われる。したがって、半導体装置に作用するエネルギー
を直接調節することができ、そのため、この半導体装置
の価電子帯から必要に応じて低過ぎる伝導帯に難なく電
子を持ち込むことができる。
いて、色温度を無段階で制御することができる光源を用
いて半導体装置に照射することによりある妨害量（Ｓｔ
ｏｅｒｇｒｏｅｓｓｅ）が発生する。言い換えると、放
出された光の波長を予め調節することができる光源が使
われる。したがって、半導体装置に作用するエネルギー
を直接調節することができ、そのため、この半導体装置
の価電子帯から必要に応じて低過ぎる伝導帯に難なく電
子を持ち込むことができる。
【００２０】従って、本発明の装置では、同調可能な光
源が備えられ、この光源は場合によっては半導体装置を
テストサイクルに従属させるウエハプローバ（Ｗａｆｅ
ｒｐｒｏｂｅｒ）の中に組み込むことができる。このウ
エハプローバは、半導体装置、とくにウエハを光源の下
で調整することができる。同様に、ウエハの上で光源を
調整することもできる。その際重要なのは、半導体装
置、すなわち、いま取り上げている例ではウエハについ
て、光源を正確に調整することができることのみであ
る。
源が備えられ、この光源は場合によっては半導体装置を
テストサイクルに従属させるウエハプローバ（Ｗａｆｅ
ｒｐｒｏｂｅｒ）の中に組み込むことができる。このウ
エハプローバは、半導体装置、とくにウエハを光源の下
で調整することができる。同様に、ウエハの上で光源を
調整することもできる。その際重要なのは、半導体装
置、すなわち、いま取り上げている例ではウエハについ
て、光源を正確に調整することができることのみであ
る。
【００２１】光源の代わりに、場合によっては光波導体
を用いることもできる。この導体は遠く隔てられた同調
可能な光源から光を半導体装置まで導くことができる。
を用いることもできる。この導体は遠く隔てられた同調
可能な光源から光を半導体装置まで導くことができる。
【００２２】光源自体はたとえば、通常のインターフェ
ースを介して操作することができることから、光源は光
の照射を半導体装置まで到達させることができる。
ースを介して操作することができることから、光源は光
の照射を半導体装置まで到達させることができる。
【００２３】一つのテストでは、たとえば、ウエハ内の
メモリセルに従来の方法で書き込みをすることができ
る。次いで、ウエハプローバを操作して、ウエハプロー
バの光源の下方にウエハの位置を決める。次いで、光源
には、テストプログラムから所望の波長に関する情報が
提供される。ここで、この所望の波長はメモリセルの価
電子帯と伝導帯との間の短過ぎる距離に対応している。
次いで、テストプログラムに従って光源が点滅する。次
いで、ウエハプローバを操作して、ウエハプローバがテ
スト位置に移動し、そこで光源から照射されたメモリセ
ルを検査することができる。次いで、このテストでは欠
陥のあるメモリセルが確認され、欠陥のあるセルでは、
価電子帯と伝導帯との間の距離が短過ぎるために光源を
用いた照射により電子が伝導帯へと移行する。
メモリセルに従来の方法で書き込みをすることができ
る。次いで、ウエハプローバを操作して、ウエハプロー
バの光源の下方にウエハの位置を決める。次いで、光源
には、テストプログラムから所望の波長に関する情報が
提供される。ここで、この所望の波長はメモリセルの価
電子帯と伝導帯との間の短過ぎる距離に対応している。
次いで、テストプログラムに従って光源が点滅する。次
いで、ウエハプローバを操作して、ウエハプローバがテ
スト位置に移動し、そこで光源から照射されたメモリセ
ルを検査することができる。次いで、このテストでは欠
陥のあるメモリセルが確認され、欠陥のあるセルでは、
価電子帯と伝導帯との間の距離が短過ぎるために光源を
用いた照射により電子が伝導帯へと移行する。
【００２４】上述のテスト工程では、テストされるそれ
ぞれの半導体装置に依存して、必要に応じ、例えば、Ｄ
ＲＡＭにおけるリフレッシュ信号のような信号によっ
て、必要な電圧供給または操作が遮断されていないか確
認せねばならない。
ぞれの半導体装置に依存して、必要に応じ、例えば、Ｄ
ＲＡＭにおけるリフレッシュ信号のような信号によっ
て、必要な電圧供給または操作が遮断されていないか確
認せねばならない。
【００２５】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいてより詳細に説
明する。
明する。
【００２６】図１には、光の波長λのエネルギーＥへの
依存関係、すなわち、関数λ＝ｆ（Ｅ）を模式的に示し
ている。この図から分かるように、たとえば、２．５
ｅＶのエネルギーは４９７ ｎｍの波長λに相当する。
依存関係、すなわち、関数λ＝ｆ（Ｅ）を模式的に示し
ている。この図から分かるように、たとえば、２．５
ｅＶのエネルギーは４９７ ｎｍの波長λに相当する。
【００２７】図１に模式的に示した光の波長λとエネル
ギーＥとの関係を考慮すると、光源から放射されるべき
光の波長を選択することができる。たとえば、半導体装
置の価電子帯と伝導帯との間の「正常な」距離が約２．
７ｅＶにより与えられるとすると、２．５ｅＶのエネル
ギーはこれら両帯の間の距離が短過ぎることを意味して
いる。次いで、欠陥のある半導体装置は、この装置に
２．５ ｅＶのエネルギーを有する光を照射することに
より選び出すことができる。何故ならば、このエネルギ
ーを有する光を照射することにより、価電子帯と低い伝
導帯との間の電子の移行を引き起こせるからである。
ギーＥとの関係を考慮すると、光源から放射されるべき
光の波長を選択することができる。たとえば、半導体装
置の価電子帯と伝導帯との間の「正常な」距離が約２．
７ｅＶにより与えられるとすると、２．５ｅＶのエネル
ギーはこれら両帯の間の距離が短過ぎることを意味して
いる。次いで、欠陥のある半導体装置は、この装置に
２．５ ｅＶのエネルギーを有する光を照射することに
より選び出すことができる。何故ならば、このエネルギ
ーを有する光を照射することにより、価電子帯と低い伝
導帯との間の電子の移行を引き起こせるからである。
【００２８】図２には本発明に従う装置が例示されてい
る：すなわち、ウエハプローバ１には、調整テーブル２
上に多数のメモリチップを有するシリコンウエハ３があ
る。シリコンウエハ３はウエハプローバ１に配置されて
いる光源４により照射される。調整テーブル２を用い
て、シリコンウエハ３と光源４との間の相対的な位置を
調節することができる。
る：すなわち、ウエハプローバ１には、調整テーブル２
上に多数のメモリチップを有するシリコンウエハ３があ
る。シリコンウエハ３はウエハプローバ１に配置されて
いる光源４により照射される。調整テーブル２を用い
て、シリコンウエハ３と光源４との間の相対的な位置を
調節することができる。
【００２９】光源４は同調させることができるので、光
源４は所望の波長λおよび所望の強度Ｉの光を所定の時
間Ｔ放出することができる。これに加えて、ウエハプロ
ーバ１に接続した制御ユニット（Ｓｔｅｕｅｒｅｉｎｈ
ｅｉｔ）５には調整ユニット（Ｓｔｅｌｌｅｉｎｈｅｉ
ｔ）６を具備することができる。調整ユニット６を用い
て、光源４から放出された光の波長λと強度Ｉ、ならび
にこの照射の時間Ｔを調節することができる。
源４は所望の波長λおよび所望の強度Ｉの光を所定の時
間Ｔ放出することができる。これに加えて、ウエハプロ
ーバ１に接続した制御ユニット（Ｓｔｅｕｅｒｅｉｎｈ
ｅｉｔ）５には調整ユニット（Ｓｔｅｌｌｅｉｎｈｅｉ
ｔ）６を具備することができる。調整ユニット６を用い
て、光源４から放出された光の波長λと強度Ｉ、ならび
にこの照射の時間Ｔを調節することができる。
【００３０】それに加えて、電圧供給装置７が、場合に
よってはウエハプローバ１におけるテストの実行の間に
シリコンウエハ３またはそのメモリチップにとって必要
不可欠な供給電圧を保持するのに役立つ。
よってはウエハプローバ１におけるテストの実行の間に
シリコンウエハ３またはそのメモリチップにとって必要
不可欠な供給電圧を保持するのに役立つ。
【００３１】光源４からシリコンウエハ３に照射される
光のエネルギーＥが波長λにより決められ、一方、強度
Ｉにより、光流密度の強度およびそれゆえ他の帯に移送
される電子の数が決められる。光源４によりシリコンウ
エハ３が照射される時間Ｔは、電子の帯域間の移行は実
際には瞬間的に行われることから、非常に短いｍｓの領
域に選択することができる。言い換えると、本発明に従
う装置では待ち時間を長くする必要はない。
光のエネルギーＥが波長λにより決められ、一方、強度
Ｉにより、光流密度の強度およびそれゆえ他の帯に移送
される電子の数が決められる。光源４によりシリコンウ
エハ３が照射される時間Ｔは、電子の帯域間の移行は実
際には瞬間的に行われることから、非常に短いｍｓの領
域に選択することができる。言い換えると、本発明に従
う装置では待ち時間を長くする必要はない。
【００３２】もちろん、シリコンウエハ３の代わりにそ
の他の半導体装置もまたテストすることができる。これ
らの半導体装置は、たとえば、ＳｉＣ、ＡIIIＢV，Ｇｅ
などの任意の適切な半導体材料から作製され得る。
の他の半導体装置もまたテストすることができる。これ
らの半導体装置は、たとえば、ＳｉＣ、ＡIIIＢV，Ｇｅ
などの任意の適切な半導体材料から作製され得る。
【００３３】ウエハプローバ１では、ウエハ３のその他
のテストも行うことができる。すなわち、光源４は既存
のウエハプローバに難なくさらに組み込み、かつ、対応
する制御ユニット５に接続することができる。
のテストも行うことができる。すなわち、光源４は既存
のウエハプローバに難なくさらに組み込み、かつ、対応
する制御ユニット５に接続することができる。
【００３４】テストの実行の際に、シリコンウエハ３が
メモリチップからなる場合は、まず、このシリコンウエ
ハ３のメモリセルに通常の方法で書き込みをする。光源
をシリコンウエハ３上で調節し、そして調整ユニット６
を所望の波長λおよび強度Ｉに調節した後、シリコンウ
エハ３のメモリチップに光源４の光を照射する。さら
に、テストプログラムに応じて光源４を点滅させる。こ
の照射により「できの悪い」メモリセルでは、価電子帯
から伝導帯への電子の移行が行われる。従って、このセ
ルが記憶された情報を「良好な」メモリセルと同じよう
には保持することができないことから、価電子帯から伝
導帯へ電子が到達するこの「できの悪い」メモリセルが
選別され得る。
メモリチップからなる場合は、まず、このシリコンウエ
ハ３のメモリセルに通常の方法で書き込みをする。光源
をシリコンウエハ３上で調節し、そして調整ユニット６
を所望の波長λおよび強度Ｉに調節した後、シリコンウ
エハ３のメモリチップに光源４の光を照射する。さら
に、テストプログラムに応じて光源４を点滅させる。こ
の照射により「できの悪い」メモリセルでは、価電子帯
から伝導帯への電子の移行が行われる。従って、このセ
ルが記憶された情報を「良好な」メモリセルと同じよう
には保持することができないことから、価電子帯から伝
導帯へ電子が到達するこの「できの悪い」メモリセルが
選別され得る。
【００３５】このようにしてウエハ平面でメモリセルの
信頼性の高いテストを比較的短時間で長い待ち時間なし
に行うことができる。
信頼性の高いテストを比較的短時間で長い待ち時間なし
に行うことができる。
【００３６】
【発明の効果】本発明は半導体装置、とくにウエハ平面
上のメモリチップ（３）をテストする装置に関する。こ
の装置では、同調可能な光源（４）が半導体装置（３）
にエネルギーを照射し、「できの悪い」メモリセルでは
価電子帯から伝導帯への移行が起こり、それにより「で
きの悪い」半導体装置（３）を選別することができる。
上のメモリチップ（３）をテストする装置に関する。こ
の装置では、同調可能な光源（４）が半導体装置（３）
にエネルギーを照射し、「できの悪い」メモリセルでは
価電子帯から伝導帯への移行が起こり、それにより「で
きの悪い」半導体装置（３）を選別することができる。
【図１】 光の波長λ（ｎｍ単位）の依存関係を、光の
エネルギー（ｅＶ単位）の依存関係において示してい
る。
エネルギー（ｅＶ単位）の依存関係において示してい
る。
【図２】 本発明の装置の概略図を示す。
１ ウエハプローバ ２ 調整テーブル ３ 半導体装置 ４ 光源 ５ 制御ユニット ６ 波長λ，強度Ｔおよび継続時間Ｔの調整ユニット ７ 電圧供給装置 Ｅ エネルギー ｆ 光周波数 Ｉ 光強度 Ｔ 継続時間 λ 光の波長
Claims (8)
- 【請求項１】 半導体装置から欠陥のある半導体装置を
選別するための、半導体装置をテストするための装置で
あって、該欠陥のある半導体装置では、価電子帯と伝導
帯との間の距離が、欠陥のない半導体装置よりも低い値
を有する、装置において、 同調可能な光源（４）であって、該同調可能な光源は、
該半導体装置（３）に、それぞれ特定の波長（λ）およ
び特定の強度（Ｉ）の光を、それぞれ所定の時間（Ｔ）
当てることが可能であり、その結果、該半導体装置
（３）にこの光を照射すると、伝導帯への距離が短過ぎ
る価電子帯から、それぞれの伝導帯へ電子を移行させる
ことができる、同調可能な光源、を備えることを特徴と
する、装置。 - 【請求項２】 前記半導体装置（３）がウエハ平面上の
メモリチップであることを特徴とする、請求項１に記載
の装置。 - 【請求項３】 前記光源（４）により照射された光の周
波数（ｆ）が無段階で制御できることを特徴とする、請
求項１または２に記載の装置。 - 【請求項４】 前記光源（４）がウエハプローバ（１）
に組み込まれることを特徴とする、請求項１〜３のいず
れか1項に記載の装置。 - 【請求項５】 前記半導体装置（３）が前記光源（４）
に関して調整可能であることを特徴とする、請求項１〜
４のいずれか１項に記載の装置。 - 【請求項６】 前記光源（４）が光ファイバーの端部か
らつくられていることを特徴とする、請求項１〜５のい
ずれか１項に記載の装置。 - 【請求項７】 前記半導体装置（３）が書き込みがされ
たメモリセルを有するメモリチップであることを特徴と
する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の装置。 - 【請求項８】 前記半導体装置（３）の電圧供給装置
（７）がテスト中保持されていることを特徴とする、請
求項１〜７のいずれか１項に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10036177.3 | 2000-07-25 | ||
| DE10036177A DE10036177C2 (de) | 2000-07-25 | 2000-07-25 | Verfahren zum Testen von Halbleitereinrichtungen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002118156A true JP2002118156A (ja) | 2002-04-19 |
Family
ID=7650134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001223694A Pending JP2002118156A (ja) | 2000-07-25 | 2001-07-24 | 半導体装置をテストする装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6750671B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002118156A (ja) |
| DE (1) | DE10036177C2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007095974A1 (en) * | 2006-02-24 | 2007-08-30 | Freescale Semiconductor, Inc. | Testing non-volatile memory devices for charge leakage |
| CN103824911A (zh) * | 2014-03-12 | 2014-05-28 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 一种光致发光测试发光强度和波长的装置 |
| CN114136775B (zh) * | 2021-11-18 | 2023-12-12 | 安徽科技学院 | 一种低维光电材料的性能测试装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3493767A (en) * | 1967-06-01 | 1970-02-03 | Gen Telephone & Elect | Tunnel emission photodetector having a thin insulation layer and a p-type semiconductor layer |
| US4683420A (en) * | 1985-07-10 | 1987-07-28 | Westinghouse Electric Corp. | Acousto-optic system for testing high speed circuits |
| IT1201837B (it) * | 1986-07-22 | 1989-02-02 | Sgs Microelettronica Spa | Sistema per la verifica della funzionalita' e delle caratteristiche di dispositivi a semiconduttore di tipo eprom durante il "burn-in" |
| JPH0682102B2 (ja) * | 1987-02-27 | 1994-10-19 | 三菱電機株式会社 | パターン欠陥検査装置及びパターン欠陥検査方法 |
| GB2215039B (en) * | 1988-02-10 | 1992-02-05 | Plessey Co Plc | Improvements relating to optical sensing arrangements |
| US5365334A (en) * | 1990-12-21 | 1994-11-15 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Micro photoreflectance semiconductor wafer analyzer |
-
2000
- 2000-07-25 DE DE10036177A patent/DE10036177C2/de not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-07-24 JP JP2001223694A patent/JP2002118156A/ja active Pending
- 2001-07-25 US US09/915,984 patent/US6750671B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE10036177C2 (de) | 2002-07-11 |
| US20020021141A1 (en) | 2002-02-21 |
| US6750671B2 (en) | 2004-06-15 |
| DE10036177A1 (de) | 2002-02-14 |
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