JPH0945744A - 受光素子検査装置 - Google Patents
受光素子検査装置Info
- Publication number
- JPH0945744A JPH0945744A JP19355295A JP19355295A JPH0945744A JP H0945744 A JPH0945744 A JP H0945744A JP 19355295 A JP19355295 A JP 19355295A JP 19355295 A JP19355295 A JP 19355295A JP H0945744 A JPH0945744 A JP H0945744A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- semiconductor wafer
- stage
- liquid crystal
- light receiving
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体ウェーハ状態の任意のペレットの受光素
子の受光特性をより簡単及び正確に測定することができ
る。 【解決手段】本発明の受光素子検査装置は、外来光を遮
断するために暗箱を用い、また半導体ウェーハ内の１ペ
レットの受光面に一様な出力の光を照射するために波長
選択機能を有する安定化光源を用いる。さらに１ペレッ
トの受光部の形状及び寸法に対し光透過開閉窓を任意に
変更できる液晶マスクと電気的特性測定用プローブカー
ドを備え、それらをコントロールする主制御系にて構成
されている。
子の受光特性をより簡単及び正確に測定することができ
る。 【解決手段】本発明の受光素子検査装置は、外来光を遮
断するために暗箱を用い、また半導体ウェーハ内の１ペ
レットの受光面に一様な出力の光を照射するために波長
選択機能を有する安定化光源を用いる。さらに１ペレッ
トの受光部の形状及び寸法に対し光透過開閉窓を任意に
変更できる液晶マスクと電気的特性測定用プローブカー
ドを備え、それらをコントロールする主制御系にて構成
されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、受光素子検査装置
に関し、特に、半導体ウェーハ状態で任意の１ペレット
の受光素子の受光特性が測定できる受光素子検査装置に
関する。
に関し、特に、半導体ウェーハ状態で任意の１ペレット
の受光素子の受光特性が測定できる受光素子検査装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェーハ状態の受光素子を半導体
ウェーハ検査装置で電気的特性（暗電流、降伏電圧等）
を測定し、電気的特性のみの良否を判定し、組立後の製
品段階で光学的特性（すなわち、受光特性）を測定する
と、電気的特性では良品が受光特性では不良品と判定さ
れることがある。このような、不良素子を組み立てるこ
とは、部材及び工数のロスになるからコスト的に不利で
あり、また、開発段階の試作時には組立なければ出来合
えが明確にならないので開発期間を長くする要因とな
る。
ウェーハ検査装置で電気的特性（暗電流、降伏電圧等）
を測定し、電気的特性のみの良否を判定し、組立後の製
品段階で光学的特性（すなわち、受光特性）を測定する
と、電気的特性では良品が受光特性では不良品と判定さ
れることがある。このような、不良素子を組み立てるこ
とは、部材及び工数のロスになるからコスト的に不利で
あり、また、開発段階の試作時には組立なければ出来合
えが明確にならないので開発期間を長くする要因とな
る。
【０００３】そこで、半導体ウェーハ状態で素子の上述
した電気的特性とほぼ同時に光を素子に照射しながら受
光特性を測定することが提案されている（特公平１−１
７２５１）。この従来の受光素子検査装置は、図４とそ
のＡ部を拡大した図５に示したように、ステージ２４に
設置された半導体ウェーハ２５の任意の１つの受光素子
の受光面３０に光ファイバー２９を通して光を照射し、
受光素子の電極２６に金属接触針２１を接触させて受光
特性を測定するものである。
した電気的特性とほぼ同時に光を素子に照射しながら受
光特性を測定することが提案されている（特公平１−１
７２５１）。この従来の受光素子検査装置は、図４とそ
のＡ部を拡大した図５に示したように、ステージ２４に
設置された半導体ウェーハ２５の任意の１つの受光素子
の受光面３０に光ファイバー２９を通して光を照射し、
受光素子の電極２６に金属接触針２１を接触させて受光
特性を測定するものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この従来の受
光素子検査装置では、外来光を遮断しないため、使用場
所の環境により測定値が変化しやすいこと、及び光ファ
イバーを用いるために、コア径より小さな受光素子の測
定ができなく、また、光ファイバー出力はガウシアン分
布しているため、光の照射位置により受光感度特性が変
わる場合がある。このため、正確な測定ができない。さ
らに、金属接触針と光ファイバーの位置関係を調整しな
ければ測定できないため、量産時の品種切り替えとか、
試作時に半導体ウェーハ内に数種類の受光寸法のものが
ある時には切り替えの効率が非常に悪いものとなる。
光素子検査装置では、外来光を遮断しないため、使用場
所の環境により測定値が変化しやすいこと、及び光ファ
イバーを用いるために、コア径より小さな受光素子の測
定ができなく、また、光ファイバー出力はガウシアン分
布しているため、光の照射位置により受光感度特性が変
わる場合がある。このため、正確な測定ができない。さ
らに、金属接触針と光ファイバーの位置関係を調整しな
ければ測定できないため、量産時の品種切り替えとか、
試作時に半導体ウェーハ内に数種類の受光寸法のものが
ある時には切り替えの効率が非常に悪いものとなる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の受光素子検査装
置は、外来光を遮断するために暗箱を用い、また半導体
ウェーハ内の１ペレットの受光面に一様な出力の光を照
射するために波長選択機能を有する安定化光源を用い
る。さらに１ペレットの受光部の形状及び寸法に対し任
意に変更できる液晶マスクを備えている。また、半導体
ウェーハは移動可能なステージの上に設置する。
置は、外来光を遮断するために暗箱を用い、また半導体
ウェーハ内の１ペレットの受光面に一様な出力の光を照
射するために波長選択機能を有する安定化光源を用い
る。さらに１ペレットの受光部の形状及び寸法に対し任
意に変更できる液晶マスクを備えている。また、半導体
ウェーハは移動可能なステージの上に設置する。
【０００６】
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て説明する。図１に本発明の一実施の形態の受光素子検
査装置の概略図を示す。また、図２に図１の破線領域Ａ
の受光特性測定部の拡大図を示す。この装置は、半導体
ウェーハ７状態の任意のペレットの電気的特性を測定す
る装置に、任意の受光素子の受光面１１に光を照射する
ための光透過開閉窓１４を有する液晶マスク３、波長選
択機能付安定化光源２と外来光を遮断する暗箱１および
それらをコントロールする主制御系にて構成されてい
る。
て説明する。図１に本発明の一実施の形態の受光素子検
査装置の概略図を示す。また、図２に図１の破線領域Ａ
の受光特性測定部の拡大図を示す。この装置は、半導体
ウェーハ７状態の任意のペレットの電気的特性を測定す
る装置に、任意の受光素子の受光面１１に光を照射する
ための光透過開閉窓１４を有する液晶マスク３、波長選
択機能付安定化光源２と外来光を遮断する暗箱１および
それらをコントロールする主制御系にて構成されてい
る。
【０００７】この装置は測定すべき受光素子が多数形成
されている半導体ウェーハ７を稼働ステージ８に装着
し、プローブカード６に取り付けられている金属接触針
５と受光素子の電極１３とを自動的に接触させることが
できる。また金属接触針５はテスターと結線されてお
り、電気的特性測定の際には、この構成のみで行うこと
ができる。さらに、受光特性を測定する際には、波長選
択機能付安定化光源２を用いて光を照射し、この光を任
意の受光面１１に照射する光透過開閉窓１４を有する液
晶マスク３を主制御系によって光透過窓の開閉をコント
ロールし、受光特性を測定する。すなわち、液晶マスク
３の光透過開閉窓１４を閉じた時に受光素子の暗電流を
測定し、液晶マスク３の光透過開閉窓１４を開いた時に
受光素子の光電流を測定し、この両者の結果から受光素
子の受光特性を簡易に、正確に検査できる。
されている半導体ウェーハ７を稼働ステージ８に装着
し、プローブカード６に取り付けられている金属接触針
５と受光素子の電極１３とを自動的に接触させることが
できる。また金属接触針５はテスターと結線されてお
り、電気的特性測定の際には、この構成のみで行うこと
ができる。さらに、受光特性を測定する際には、波長選
択機能付安定化光源２を用いて光を照射し、この光を任
意の受光面１１に照射する光透過開閉窓１４を有する液
晶マスク３を主制御系によって光透過窓の開閉をコント
ロールし、受光特性を測定する。すなわち、液晶マスク
３の光透過開閉窓１４を閉じた時に受光素子の暗電流を
測定し、液晶マスク３の光透過開閉窓１４を開いた時に
受光素子の光電流を測定し、この両者の結果から受光素
子の受光特性を簡易に、正確に検査できる。
【０００８】図３に図１に示した液晶マスク３の光透過
開閉窓１４が開いた状態の一例の上面図を示す。なお、
図面に表していないが、この液晶マスク３の光透過領域
は液晶の性質から可変設定でき、受光形状により光透過
開閉窓１４の形状を変更することができる。このため、
受光素子の受光面に合った形状を設定でき製品切り替え
の従来の調整工数がほとんどなく、また、一枚の半導体
ウェーハ状態で異なる形状の受光素子が存在しても効率
よく対応することができる。
開閉窓１４が開いた状態の一例の上面図を示す。なお、
図面に表していないが、この液晶マスク３の光透過領域
は液晶の性質から可変設定でき、受光形状により光透過
開閉窓１４の形状を変更することができる。このため、
受光素子の受光面に合った形状を設定でき製品切り替え
の従来の調整工数がほとんどなく、また、一枚の半導体
ウェーハ状態で異なる形状の受光素子が存在しても効率
よく対応することができる。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、外来光を
遮断するために暗箱を用い、また半導体ウェーハ内の１
ペレットの受光面に一様な出力の光を照射するために波
長選択機能を有する安定化光源を用い、さらに１ペレッ
トの受光部の形状及び寸法に対し任意に変更できる液晶
マスクを備えたので、半導体ウェーハ状態の受光素子の
受光特性をより簡単に正確に測定することができるとい
う効果を有する。
遮断するために暗箱を用い、また半導体ウェーハ内の１
ペレットの受光面に一様な出力の光を照射するために波
長選択機能を有する安定化光源を用い、さらに１ペレッ
トの受光部の形状及び寸法に対し任意に変更できる液晶
マスクを備えたので、半導体ウェーハ状態の受光素子の
受光特性をより簡単に正確に測定することができるとい
う効果を有する。
【図１】本発明の一実施の形態の受光素子検査装置の概
略図である。
略図である。
【図２】図１の破線領域Ａに示した受光特性測定部の拡
大図である。
大図である。
【図３】図１に示した液晶マスクの光透過開閉窓が開い
た状態の一例の上面図である。
た状態の一例の上面図である。
【図４】従来の一例の受光素子検査装置の概略図であ
る。
る。
【図５】図４に示した部分Ａの拡大断面図である。
１ 暗箱 ２ 波長選択機能付安定化光源 ３ 液晶マスク ４，２３ 支持体 ５，２１ 金属接触針 ６ プローブカード ７ 半導体ウェーハ ８ 稼働ステージ ９，３１ エピタキシャル層 １０，３２ サブストレート １１，３０ 受光面 １２ 絶縁膜 １３，２６ 電極 １４ 光透過開閉窓 １６ 一ペレットの受光面 ２２ 微動台 ２４ ステージ ２５ 半導体ウェーハ ２８ 光 ２９ 光ファイバー
Claims (1)
- 【請求項１】 暗箱内に、光源と、半導体ウェーハを設
置するステージと、半導体ウェーハ上の受光素子を形成
した任意の１ペレットのみの受光特性を測定するため
に、光の照射領域を自由に変更できる液晶マスクとを有
することを特徴とする受光素子検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19355295A JPH0945744A (ja) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | 受光素子検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19355295A JPH0945744A (ja) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | 受光素子検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0945744A true JPH0945744A (ja) | 1997-02-14 |
Family
ID=16309955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19355295A Pending JPH0945744A (ja) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | 受光素子検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0945744A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009147143A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-07-02 | Gyoseiin Genshino Iinkai Kakuno Kenkyusho | 自動化集光型太陽電池チップ測定装置 |
| US7705608B2 (en) | 2002-08-30 | 2010-04-27 | Austriamicrosystems Ag | Calibrating a light-sensitive chip |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01214134A (ja) * | 1988-02-23 | 1989-08-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体の特性測定装置 |
| JPH03191842A (ja) * | 1989-12-20 | 1991-08-21 | Mitsubishi Electric Corp | 光測定治具 |
-
1995
- 1995-07-28 JP JP19355295A patent/JPH0945744A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01214134A (ja) * | 1988-02-23 | 1989-08-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体の特性測定装置 |
| JPH03191842A (ja) * | 1989-12-20 | 1991-08-21 | Mitsubishi Electric Corp | 光測定治具 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7705608B2 (en) | 2002-08-30 | 2010-04-27 | Austriamicrosystems Ag | Calibrating a light-sensitive chip |
| JP2009147143A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-07-02 | Gyoseiin Genshino Iinkai Kakuno Kenkyusho | 自動化集光型太陽電池チップ測定装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5025145A (en) | Method and apparatus for determining the minority carrier diffusion length from linear constant photon flux photovoltage measurements | |
| US5177351A (en) | Method and apparatus for determining the minority carrier diffusion length from linear constant photon flux photovoltage measurements | |
| US4433288A (en) | Method and apparatus for determining minority carrier diffusion length in semiconductors | |
| KR20190126443A (ko) | 에칭 프로세싱 모니터링을 위한 진보된 광학 센서, 시스템 및 방법 | |
| JP2008304452A (ja) | 非振動式接触電位差センサおよび制御された照射を利用した半導体検査システムおよび装置 | |
| JP2004241449A (ja) | 太陽電池の性能評価装置および性能評価方法 | |
| US20030011357A1 (en) | Bar tester | |
| JPH0945744A (ja) | 受光素子検査装置 | |
| US4581576A (en) | Nondestructive method for profiling imperfection levels in high resistivity semiconductor wafers | |
| JP2011049474A (ja) | 太陽電池評価装置 | |
| CN114112314B (zh) | 一种多功能光电探测系统探测性能测试方法 | |
| JPS62283684A (ja) | 光プロ−ブ装置 | |
| JPH02181458A (ja) | 半絶縁材料よりなる基体を製造する方法 | |
| US5784401A (en) | Temperature distribution measurement methods and apparatus | |
| JPH03214043A (ja) | 反射率の測定方法および装置 | |
| US20230131662A1 (en) | Inspection method and inspection platform for lithography | |
| JPS6242537Y2 (ja) | ||
| TWI856467B (zh) | 檢查裝置及膜質檢查方法 | |
| JP5333150B2 (ja) | 静電解析方法及び静電解析装置 | |
| JPH03272431A (ja) | 赤外線検出素子測定装置 | |
| TW202412132A (zh) | 檢查裝置及檢查方法 | |
| TW202331771A (zh) | 檢查裝置及膜質檢查方法 | |
| JP3617236B2 (ja) | リーク電流の検出方法及びリーク電流検出装置 | |
| CN118464197A (zh) | 一种晶圆级红外热电堆传感器的响应灵敏度评价方法及系统 | |
| JP2939026B2 (ja) | 半導体ウエハの検査装置および検査方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980203 |