JP2002118066A - 半導体熱処理炉用ガス導入管 - Google Patents
半導体熱処理炉用ガス導入管Info
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- JP2002118066A JP2002118066A JP2000307323A JP2000307323A JP2002118066A JP 2002118066 A JP2002118066 A JP 2002118066A JP 2000307323 A JP2000307323 A JP 2000307323A JP 2000307323 A JP2000307323 A JP 2000307323A JP 2002118066 A JP2002118066 A JP 2002118066A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】堆積した堆積膜が部分的に剥がれをなくすこと
により、パーティクルをなくし、半導体ウェーハの製造
歩留を向上させ、さらに、製造が容易で、使用時の洗浄
が容易な導入管を提供する。 【解決手段】Ｌ字状の石英ガラス管６Ｌと、この石英ガ
ラス管６Ｌの一端に接合されたストレート状のＣＶＤ−
ＳｉＣ管６Ｓとを有し、接合は、少なくともＣＶＤ−Ｓ
ｉＣ管６Ｓの一端部に形成されたテーパ部６Ｓｔを石英
ガラス管６Ｌの一端部に嵌合することにより行われる半
導体熱処理炉用ガス導入管。
により、パーティクルをなくし、半導体ウェーハの製造
歩留を向上させ、さらに、製造が容易で、使用時の洗浄
が容易な導入管を提供する。 【解決手段】Ｌ字状の石英ガラス管６Ｌと、この石英ガ
ラス管６Ｌの一端に接合されたストレート状のＣＶＤ−
ＳｉＣ管６Ｓとを有し、接合は、少なくともＣＶＤ−Ｓ
ｉＣ管６Ｓの一端部に形成されたテーパ部６Ｓｔを石英
ガラス管６Ｌの一端部に嵌合することにより行われる半
導体熱処理炉用ガス導入管。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体熱処理炉用ガ
ス導入管に係わり、特にその一部にＣＶＤ−ＳｉＣ管を
用いた半導体熱処理炉用ガス導入管に関する。
ス導入管に係わり、特にその一部にＣＶＤ−ＳｉＣ管を
用いた半導体熱処理炉用ガス導入管に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体のＬＰ−ＣＶＤ、アニール
等の熱処理工程は、縦型半導体熱処理炉を用いて行われ
ている。この縦型半導体熱処理炉には、縦型に配置され
た炉芯管の処理空間に処理ガスを導入するためのガス導
入管が設けられていた。図４に示すように、従来のガス
導入管２１は、純度、加工性に優れていることから石英
ガラス製の管体でほぼＬ字形状をなし、炉芯管内に延伸
する垂直部２１ｖと、屈曲部２１ｃと、炉芯管の底部近
傍に配置される水平部２１ｈを有している。
等の熱処理工程は、縦型半導体熱処理炉を用いて行われ
ている。この縦型半導体熱処理炉には、縦型に配置され
た炉芯管の処理空間に処理ガスを導入するためのガス導
入管が設けられていた。図４に示すように、従来のガス
導入管２１は、純度、加工性に優れていることから石英
ガラス製の管体でほぼＬ字形状をなし、炉芯管内に延伸
する垂直部２１ｖと、屈曲部２１ｃと、炉芯管の底部近
傍に配置される水平部２１ｈを有している。
【０００３】そして、縦型半導体熱処理炉においては、
縦型ボートの縦方向に配列された半導体ウェーハへの堆
積膜の均一性を高めるために、導入管２１を長くして、
開口部を高い位置に設けた導入管２１を、従来の高さを
有する他の導入管と共に、配置するようになっている。
縦型ボートの縦方向に配列された半導体ウェーハへの堆
積膜の均一性を高めるために、導入管２１を長くして、
開口部を高い位置に設けた導入管２１を、従来の高さを
有する他の導入管と共に、配置するようになっている。
【０００４】このような縦型半導体熱処理炉は、単なる
ポリシリコンの堆積膜に用いるのみならず、より厳密な
均一性を要求されるボロンやリンなどのドープドポリシ
リコン膜を半導体ウェーハ上に形成するのにも用いられ
る。
ポリシリコンの堆積膜に用いるのみならず、より厳密な
均一性を要求されるボロンやリンなどのドープドポリシ
リコン膜を半導体ウェーハ上に形成するのにも用いられ
る。
【０００５】このように、導入管２１を長くすればする
程、この導入管自身の外壁にも、堆積膜が多く堆積され
る。すると、従来の石英ガラス管であると、この石英ガ
ラス管と堆積膜を形成する材料の熱膨張係数の違いか
ら、外壁および内壁に堆積した堆積膜が部分的に剥がれ
るなどして、パーティクルの要因となり、半導体ウェー
ハの製造歩留を低下させていた。また、導入管２１の使
用後にＨＦなどを用いて洗浄して繰返し使用するが、洗
浄時、石英ガラスが溶出し、その使用寿命を短縮する問
題もある。
程、この導入管自身の外壁にも、堆積膜が多く堆積され
る。すると、従来の石英ガラス管であると、この石英ガ
ラス管と堆積膜を形成する材料の熱膨張係数の違いか
ら、外壁および内壁に堆積した堆積膜が部分的に剥がれ
るなどして、パーティクルの要因となり、半導体ウェー
ハの製造歩留を低下させていた。また、導入管２１の使
用後にＨＦなどを用いて洗浄して繰返し使用するが、洗
浄時、石英ガラスが溶出し、その使用寿命を短縮する問
題もある。
【０００６】そこで、この問題点を解消する方策とし
て、特許第２９９０６７０号に記載されるように、ＣＶ
Ｄ−ＳｉＣ膜のみからなるＬ字状の導入管を検討した。
この導入管の製造方法は、例えば、図５に示すように、
炭素基材をＬ字状の円柱体２２に加工した後に、３点支
持して、ＣＶＤ炉内に配置し、この外表面にＣＶＤ−Ｓ
ｉＣコートし、炉外で、炭素基材を焼き抜く方法で行わ
れるが、このような方法によると、炭素円柱体２２が撓
むことで、ストレートな導入管を得にくいという問題が
ある。また、上記焼き抜きの前には、導入管の寸法を精
度良くするために端部を加工する必要があるが、複雑形
状であるため、高精度の加工が困難であるなどの問題が
ある。
て、特許第２９９０６７０号に記載されるように、ＣＶ
Ｄ−ＳｉＣ膜のみからなるＬ字状の導入管を検討した。
この導入管の製造方法は、例えば、図５に示すように、
炭素基材をＬ字状の円柱体２２に加工した後に、３点支
持して、ＣＶＤ炉内に配置し、この外表面にＣＶＤ−Ｓ
ｉＣコートし、炉外で、炭素基材を焼き抜く方法で行わ
れるが、このような方法によると、炭素円柱体２２が撓
むことで、ストレートな導入管を得にくいという問題が
ある。また、上記焼き抜きの前には、導入管の寸法を精
度良くするために端部を加工する必要があるが、複雑形
状であるため、高精度の加工が困難であるなどの問題が
ある。
【０００７】さらに、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜のみからなる導
入管において、炉芯管を貫通するチューブアダプタと当
接する部分のシール性を高めるために、導入管の当該当
接部を高精度に平坦化加工する必要があるが、この加工
に多くの労力を要する。また、この導入管において、上
述のように堆積膜が外壁および内壁にも堆積し、付着す
るために、これを酸洗浄によって、除去することで、繰
返し使用されるが、Ｌ字状であるため、特に、角部内部
の洗浄が容易でなく、堆積膜が完全に除去できず、パー
ティクルが発生する危険があった。
入管において、炉芯管を貫通するチューブアダプタと当
接する部分のシール性を高めるために、導入管の当該当
接部を高精度に平坦化加工する必要があるが、この加工
に多くの労力を要する。また、この導入管において、上
述のように堆積膜が外壁および内壁にも堆積し、付着す
るために、これを酸洗浄によって、除去することで、繰
返し使用されるが、Ｌ字状であるため、特に、角部内部
の洗浄が容易でなく、堆積膜が完全に除去できず、パー
ティクルが発生する危険があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】そこで堆積した堆積膜
の部分的剥離を防止することにより、パーティクルをな
くし、半導体ウェーハの製造歩留を向上させ、さらに、
製造が容易であり、使用時の洗浄が容易な導入管が要望
されていた。
の部分的剥離を防止することにより、パーティクルをな
くし、半導体ウェーハの製造歩留を向上させ、さらに、
製造が容易であり、使用時の洗浄が容易な導入管が要望
されていた。
【０００９】本発明は上述した事情を考慮してなされた
もので、特に、堆積した堆積膜の部分的剥離を防止する
ことにより、パーティクルをなくし、半導体ウェーハの
製造歩留を向上させ、さらに、製造が容易であり、使用
時の洗浄が容易な導入管を提供することを目的とする。
もので、特に、堆積した堆積膜の部分的剥離を防止する
ことにより、パーティクルをなくし、半導体ウェーハの
製造歩留を向上させ、さらに、製造が容易であり、使用
時の洗浄が容易な導入管を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
になされた本願請求項１の発明は、Ｌ字状の石英ガラス
管と、この石英ガラス管の一端に接合されたストレート
状のＣＶＤ−ＳｉＣ管とを有し、前記接合は、少なくと
もＣＶＤ−ＳｉＣ管の一端部に形成されたテーパ部を石
英ガラス管の一端部に嵌合することにより行われること
を特徴とする半導体熱処理炉用ガス導入管であることを
要旨としている。
になされた本願請求項１の発明は、Ｌ字状の石英ガラス
管と、この石英ガラス管の一端に接合されたストレート
状のＣＶＤ−ＳｉＣ管とを有し、前記接合は、少なくと
もＣＶＤ−ＳｉＣ管の一端部に形成されたテーパ部を石
英ガラス管の一端部に嵌合することにより行われること
を特徴とする半導体熱処理炉用ガス導入管であることを
要旨としている。
【００１１】本願請求項２の発明では、上記石英ガラス
管の一端部に外周先細のテーパ部が形成され、このテー
パ部および上記ＣＶＤ−ＳｉＣ管の一端部の内周先太の
テーパ部は、共に１／５〜１／１５のテーパを有するこ
とを特徴とする請求項１に記載の半導体熱処理炉用ガス
導入管であることを要旨としている。
管の一端部に外周先細のテーパ部が形成され、このテー
パ部および上記ＣＶＤ−ＳｉＣ管の一端部の内周先太の
テーパ部は、共に１／５〜１／１５のテーパを有するこ
とを特徴とする請求項１に記載の半導体熱処理炉用ガス
導入管であることを要旨としている。
【００１２】本願請求項３の発明では、上記石英ガラス
管に形成された屈曲部の管壁の肉厚は全周に亘り等し
く、かつ、水平部の管壁の肉厚の１．２〜４．５倍であ
ることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体熱
処理炉用ガス導入管であることを要旨としている。
管に形成された屈曲部の管壁の肉厚は全周に亘り等し
く、かつ、水平部の管壁の肉厚の１．２〜４．５倍であ
ることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体熱
処理炉用ガス導入管であることを要旨としている。
【００１３】本願請求項４の発明では、上記ＣＶＤ−Ｓ
ｉＣ管の内表面粗さがＲａ≦５μｍであることを特徴と
する請求項１ないし３のいずれか１項に記載の半導体熱
処理炉用ガス導入管であることを要旨としている。
ｉＣ管の内表面粗さがＲａ≦５μｍであることを特徴と
する請求項１ないし３のいずれか１項に記載の半導体熱
処理炉用ガス導入管であることを要旨としている。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明に係わる半導体熱処理炉用
ガス導入管の実施形態について図面を参照して説明す
る。
ガス導入管の実施形態について図面を参照して説明す
る。
【００１５】図１は縦型半導体熱処理炉１の概略図であ
り、この縦型半導体熱処理炉１は、全体的に円筒形状の
炉芯管２を有している。この炉芯管２は下方に開口３を
有し、この開口３からウェーハボート４に搭載された多
数の半導体ウェーハＷが出し入れされる構成になってい
る。炉芯管２は石英ガラスで構成されており、その内部
に処理空間５が形成されている。
り、この縦型半導体熱処理炉１は、全体的に円筒形状の
炉芯管２を有している。この炉芯管２は下方に開口３を
有し、この開口３からウェーハボート４に搭載された多
数の半導体ウェーハＷが出し入れされる構成になってい
る。炉芯管２は石英ガラスで構成されており、その内部
に処理空間５が形成されている。
【００１６】処理空間５内には、ガス導入長管６とガス
導入短管７が設けられており、所定の処理用ガスを処理
空間５内に導入できるようになっている。
導入短管７が設けられており、所定の処理用ガスを処理
空間５内に導入できるようになっている。
【００１７】ガス導入長管６は、図２に示すようなＬ字
状の石英ガラス管６Ｌと、図３に示すようなストレート
状のＣＶＤ−ＳｉＣ管６Ｓとで構成されている。
状の石英ガラス管６Ｌと、図３に示すようなストレート
状のＣＶＤ−ＳｉＣ管６Ｓとで構成されている。
【００１８】石英ガラス管６Ｌは、炉芯管２に水平に配
置される水平部６Ｌｈと、９０°の屈曲する屈曲部６Ｌ
ｃと、炉芯管２に垂直に配置される垂直部６Ｌｖとで形
成されている。石英ガラス管の一端部、すなわち、垂直
部６Ｌｖには外周先細のテーパ部６Ｌｔが形成され、こ
のテーパ部６Ｌｔは１／５〜１／１５のテーパを有して
いる。また、屈曲部６Ｌｃの管壁は、各垂直断面におい
て肉厚が等しく、かつ、水平部６Ｌｈの管壁の肉厚の
１．２〜１．４倍である。
置される水平部６Ｌｈと、９０°の屈曲する屈曲部６Ｌ
ｃと、炉芯管２に垂直に配置される垂直部６Ｌｖとで形
成されている。石英ガラス管の一端部、すなわち、垂直
部６Ｌｖには外周先細のテーパ部６Ｌｔが形成され、こ
のテーパ部６Ｌｔは１／５〜１／１５のテーパを有して
いる。また、屈曲部６Ｌｃの管壁は、各垂直断面におい
て肉厚が等しく、かつ、水平部６Ｌｈの管壁の肉厚の
１．２〜１．４倍である。
【００１９】このような屈曲部６Ｌｃを有する石英ガラ
ス管６Ｌとすることによって、ガス導入管をテーパ部に
嵌合した場合にも、十分耐え得る強度が得られる。水平
部６Ｌｈの管壁の肉厚の１．４倍を超えると、かえって
重量増加を招き好ましくない。
ス管６Ｌとすることによって、ガス導入管をテーパ部に
嵌合した場合にも、十分耐え得る強度が得られる。水平
部６Ｌｈの管壁の肉厚の１．４倍を超えると、かえって
重量増加を招き好ましくない。
【００２０】ＣＶＤ−ＳｉＣ管６Ｓは次のようにして製
造される。例えば、ストレートな円柱形状の炭素基材を
用意し、一端部にが外周先太のテーパ部が形成されるよ
うに外周加工し、しかる後、、通常のＣＶＤ（Ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によ
り、炭素基材上にＳｉＣを０．７〜２．０ｍｍ堆積させ
る。さらに、長さ寸法合わせの加工を行なった後、酸化
性雰囲気９００℃で炭素基材の焼き抜きを行い、さら
に、テーパ部内周面の研磨加工を行った後、洗浄を行う
ことにより製造される。このようにして製造されたＣＶ
Ｄ−ＳｉＣ管６ＳはＣＶＤ−ＳｉＣ膜のみで形成され
る。なお、基材としては、モリブデン、タングステン製
のものを用いることもできる。
造される。例えば、ストレートな円柱形状の炭素基材を
用意し、一端部にが外周先太のテーパ部が形成されるよ
うに外周加工し、しかる後、、通常のＣＶＤ（Ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によ
り、炭素基材上にＳｉＣを０．７〜２．０ｍｍ堆積させ
る。さらに、長さ寸法合わせの加工を行なった後、酸化
性雰囲気９００℃で炭素基材の焼き抜きを行い、さら
に、テーパ部内周面の研磨加工を行った後、洗浄を行う
ことにより製造される。このようにして製造されたＣＶ
Ｄ−ＳｉＣ管６ＳはＣＶＤ−ＳｉＣ膜のみで形成され
る。なお、基材としては、モリブデン、タングステン製
のものを用いることもできる。
【００２１】このとき、ＣＶＤ−ＳｉＣ管６Ｓの内表面
粗さがＲａ≦５μｍに制御される。このように内表面粗
さがＲａ≦５μｍにすることにより、ＣＶＤ−ＳｉＣ管
６Ｓと石英ガラス管６Ｌの嵌合部でのがたつきがなく、
嵌合部の熱伝達も良くなり、ＳｉＣの高熱伝導性の特性
を活かし、局部熱応力を緩和することができる。また、
外表面粗さをＲａ≧２μｍに制御するのが好ましい。こ
れにより、ＣＶＤ−ＳｉＣ管６Ｓの外表面から例えばド
ープドポリシリコン膜が剥離し難くなり発生するダスト
を削減することができる。
粗さがＲａ≦５μｍに制御される。このように内表面粗
さがＲａ≦５μｍにすることにより、ＣＶＤ−ＳｉＣ管
６Ｓと石英ガラス管６Ｌの嵌合部でのがたつきがなく、
嵌合部の熱伝達も良くなり、ＳｉＣの高熱伝導性の特性
を活かし、局部熱応力を緩和することができる。また、
外表面粗さをＲａ≧２μｍに制御するのが好ましい。こ
れにより、ＣＶＤ−ＳｉＣ管６Ｓの外表面から例えばド
ープドポリシリコン膜が剥離し難くなり発生するダスト
を削減することができる。
【００２２】さらに、ＣＶＤ−ＳｉＣ管６Ｓの一端部に
は内周先太のテーパ部６Ｓｔが形成され、このテーパ部
６Ｓｔも、上記垂直部６Ｌｖのテーパ部６Ｌｔと同様に
１／５〜１／１５のテーパを有しており、また、他端に
は処理ガス噴出口６Ｓｐが形成されている。
は内周先太のテーパ部６Ｓｔが形成され、このテーパ部
６Ｓｔも、上記垂直部６Ｌｖのテーパ部６Ｌｔと同様に
１／５〜１／１５のテーパを有しており、また、他端に
は処理ガス噴出口６Ｓｐが形成されている。
【００２３】ガス導入短管７も、図２に示すようなガス
導入長管６の石英ガラス管６Ｌと同様の石英ガラス管７
Ｌと、この石英ガラス管７Ｌの一端部に嵌合し、図３に
示すようなガス導入長管６のＣＶＤ−ＳｉＣ管６Ｓと同
様のＣＶＤ−ＳｉＣ管７Ｓとで構成され、他端には処理
ガス噴出口７Ｓｐが設けられている。ただし、ＣＶＤ−
ＳｉＣ管７Ｓの長さは、ＣＶＤ−ＳｉＣ管６Ｓの長さが
約７００〜１０００ｍｍであるのに対して、約１００ｍ
ｍである。
導入長管６の石英ガラス管６Ｌと同様の石英ガラス管７
Ｌと、この石英ガラス管７Ｌの一端部に嵌合し、図３に
示すようなガス導入長管６のＣＶＤ−ＳｉＣ管６Ｓと同
様のＣＶＤ−ＳｉＣ管７Ｓとで構成され、他端には処理
ガス噴出口７Ｓｐが設けられている。ただし、ＣＶＤ−
ＳｉＣ管７Ｓの長さは、ＣＶＤ−ＳｉＣ管６Ｓの長さが
約７００〜１０００ｍｍであるのに対して、約１００ｍ
ｍである。
【００２４】このように、石英ガラス管の一端部に形成
された外周先細のテーパ部に一端部が内周先太のテーパ
部を有するＣＶＤ−ＳｉＣ管を上方より被せる（嵌合す
る）構造であるために、管内部にガス滞留が生じること
もなく、内表面でのポリシリコン膜の付着がほとんど生
じることがない。
された外周先細のテーパ部に一端部が内周先太のテーパ
部を有するＣＶＤ−ＳｉＣ管を上方より被せる（嵌合す
る）構造であるために、管内部にガス滞留が生じること
もなく、内表面でのポリシリコン膜の付着がほとんど生
じることがない。
【００２５】ガス導入長管６およびガス導入短管７は、
各々炉芯管２を貫通するＳＵＳ製チューブアダプタ（水
冷ジャケット）８、９に石英ガラス管６Ｌ、７Ｌを介し
て取り付けられ、さらに、チューブアダプタ８、９を介
して、外部の処理ガス供給源（図示せず）に接続されて
いる。このガス導入長管６およびガス導入短管７をチュ
ーブアダプタ８、９に取り付ける際、石英ガラス管６
Ｌ、７Ｌを介して行うので、ＣＶＤ−ＳｉＣに比べては
るかに加工し易い石英ガラスを加工すれば良く、その取
り付け作業も容易になる。
各々炉芯管２を貫通するＳＵＳ製チューブアダプタ（水
冷ジャケット）８、９に石英ガラス管６Ｌ、７Ｌを介し
て取り付けられ、さらに、チューブアダプタ８、９を介
して、外部の処理ガス供給源（図示せず）に接続されて
いる。このガス導入長管６およびガス導入短管７をチュ
ーブアダプタ８、９に取り付ける際、石英ガラス管６
Ｌ、７Ｌを介して行うので、ＣＶＤ−ＳｉＣに比べては
るかに加工し易い石英ガラスを加工すれば良く、その取
り付け作業も容易になる。
【００２６】なお、１０は昇降自在に設けられた昇降装
置であり、１１は昇降装置１０に載置されたボートテー
ブルであり、このボートテーブル１１には上記ウェーハ
ボート４が載置される。また、１２は炉芯管２を加熱す
るヒータ、１３は処理ガスの排気口である。
置であり、１１は昇降装置１０に載置されたボートテー
ブルであり、このボートテーブル１１には上記ウェーハ
ボート４が載置される。また、１２は炉芯管２を加熱す
るヒータ、１３は処理ガスの排気口である。
【００２７】また、本発明のガス導入管においては、炉
芯管を貫通するチューブアダプタと当接する部分が、表
面が滑らかな通常の石英ガラスであるため、特別な外周
面加工を行うこともなくシール性を高めることができ
る。
芯管を貫通するチューブアダプタと当接する部分が、表
面が滑らかな通常の石英ガラスであるため、特別な外周
面加工を行うこともなくシール性を高めることができ
る。
【００２８】次に本発明に係わる半導体熱処理炉用ガス
導入管が設けられた縦型半導体熱処理炉を用いた半導体
ウェーハの熱処理について説明する。
導入管が設けられた縦型半導体熱処理炉を用いた半導体
ウェーハの熱処理について説明する。
【００２９】半導体ウェーハＷが搭載されたウェーハボ
ート４を、昇降装置１０に載置されたボートテーブル１
１に乗せて、ヒータ１２により加熱された炉芯管２に収
納する。しかる後、さらに炉芯管２内の温度を上げ、加
熱されたボロンがドープされた処理ガスをガス導入長管
６およびガス導入短管７から処理ガス噴出口６Ｓｐ、７
Ｓｐを介して炉芯管２内に導入する。導入された処理ガ
スにより、シリコン膜を半導体ウェーハＷ上に堆積さ
せ、その後、処理ガスを排気口１３から排気する。
ート４を、昇降装置１０に載置されたボートテーブル１
１に乗せて、ヒータ１２により加熱された炉芯管２に収
納する。しかる後、さらに炉芯管２内の温度を上げ、加
熱されたボロンがドープされた処理ガスをガス導入長管
６およびガス導入短管７から処理ガス噴出口６Ｓｐ、７
Ｓｐを介して炉芯管２内に導入する。導入された処理ガ
スにより、シリコン膜を半導体ウェーハＷ上に堆積さ
せ、その後、処理ガスを排気口１３から排気する。
【００３０】この処理工程において、ＣＶＤ−ＳｉＣ管
６Ｓ、７Ｓの外壁および内壁に処理ガスから生じるシリ
コン膜が堆積するが、ＣＶＤ−ＳｉＣ管６Ｓ、７Ｓ自身
がＣＶＤ法により形成されたＳｉＣ（膜）材料（ＣＶＤ
−ＳｉＣ）のみで形成されており、ＳｉＣの熱膨張係数
と堆積したシリコン膜の熱膨張係数の差が大きくないの
で、ヒートサイクルにより、熱膨張係数の差から付着し
たシリコン膜の破断、部分的剥離を防止することによ
り、炉芯管２内のパーティクルを７０％減じることがで
き、半導体ウェーハの製造歩留を向上させることができ
る。また、導入管６、７の使用後にＨＦなどを用いて洗
浄して繰返し使用するが、洗浄時ＳｉＣは溶出せず、従
来の石英ガラス製ガス導入管に比べ約２０倍の長寿命化
が図れる。
６Ｓ、７Ｓの外壁および内壁に処理ガスから生じるシリ
コン膜が堆積するが、ＣＶＤ−ＳｉＣ管６Ｓ、７Ｓ自身
がＣＶＤ法により形成されたＳｉＣ（膜）材料（ＣＶＤ
−ＳｉＣ）のみで形成されており、ＳｉＣの熱膨張係数
と堆積したシリコン膜の熱膨張係数の差が大きくないの
で、ヒートサイクルにより、熱膨張係数の差から付着し
たシリコン膜の破断、部分的剥離を防止することによ
り、炉芯管２内のパーティクルを７０％減じることがで
き、半導体ウェーハの製造歩留を向上させることができ
る。また、導入管６、７の使用後にＨＦなどを用いて洗
浄して繰返し使用するが、洗浄時ＳｉＣは溶出せず、従
来の石英ガラス製ガス導入管に比べ約２０倍の長寿命化
が図れる。
【００３１】また、石英ガラス管６Ｌ、７ＬとＣＶＤ−
ＳｉＣ管６Ｓ、７Ｓの接合は１／５〜１／１５のテーパ
を有するテーパ部６Ｌｔ、６Ｓｔを用いた嵌合により行
われる場合、ＣＶＤ−ＳｉＣ管６Ｓ、７Ｓの重力により
気密かつ確実に接合され、さらに、取り外し時にも抜け
が良く、分解時の破損事故なども防止できる。また、接
合は熱膨張係数の差を有する石英ガラスとＣＶＤ−Ｓｉ
Ｃの嵌合により行われるので、同一温度での熱膨張差に
より密着性が向上する。
ＳｉＣ管６Ｓ、７Ｓの接合は１／５〜１／１５のテーパ
を有するテーパ部６Ｌｔ、６Ｓｔを用いた嵌合により行
われる場合、ＣＶＤ−ＳｉＣ管６Ｓ、７Ｓの重力により
気密かつ確実に接合され、さらに、取り外し時にも抜け
が良く、分解時の破損事故なども防止できる。また、接
合は熱膨張係数の差を有する石英ガラスとＣＶＤ−Ｓｉ
Ｃの嵌合により行われるので、同一温度での熱膨張差に
より密着性が向上する。
【００３２】さらに、使用時、あるいは、搬送時など取
扱い時に石英ガラス管６Ｌ、７Ｌが破損しても、石英ガ
ラス管６Ｌ、７ＬまたはＣＶＤ−ＳｉＣ管６Ｓ、７Ｓの
破損側のみを交換すればよいので、経済的である。
扱い時に石英ガラス管６Ｌ、７Ｌが破損しても、石英ガ
ラス管６Ｌ、７ＬまたはＣＶＤ−ＳｉＣ管６Ｓ、７Ｓの
破損側のみを交換すればよいので、経済的である。
【００３３】なお、上述した実施形態では、縦型半導体
熱処理炉用ガス導入管について説明したが、本発明に係
わる半導体熱処理炉用ガス導入管は、横型半導体熱処理
炉用ガス導入管としても用いることができ、この場合に
は、ＣＶＤ−ＳｉＣ管の処理ガス噴出口近傍を支持する
支持部材を別途設け、ＣＶＤ−ＳｉＣ管を安定化させる
のが好ましい。
熱処理炉用ガス導入管について説明したが、本発明に係
わる半導体熱処理炉用ガス導入管は、横型半導体熱処理
炉用ガス導入管としても用いることができ、この場合に
は、ＣＶＤ−ＳｉＣ管の処理ガス噴出口近傍を支持する
支持部材を別途設け、ＣＶＤ−ＳｉＣ管を安定化させる
のが好ましい。
【００３４】
【実施例】（試験方法）垂直部長さ４５ｍｍの石英Ｌ字
インジェクションと、テーパまたはテーパ部内表面の表
面粗さを変化させた長さ９３５ｍｍのＣＶＤ−ＳｉＣイ
ンジェクションとをテーパ嵌合して９５０ｍｍの高さの
Ｌ字インジェクションを作製した。これらＬ字インジェ
クションのテーパ嵌合の着脱時の作業性 嵌合個所
の気密性について調べた。
インジェクションと、テーパまたはテーパ部内表面の表
面粗さを変化させた長さ９３５ｍｍのＣＶＤ−ＳｉＣイ
ンジェクションとをテーパ嵌合して９５０ｍｍの高さの
Ｌ字インジェクションを作製した。これらＬ字インジェ
クションのテーパ嵌合の着脱時の作業性 嵌合個所
の気密性について調べた。
【００３５】（試験結果） 実施例１：テーパ１／４にした実施例１では、嵌合の
際、ＳｉＣインジェクタの鉛直方向（縦型炉の場合）を
向かず、炉芯管やボートにインジェクタ先端が接触して
しまう可能性があり、また、鉛直方向から反れた場合、
テーパ嵌合部からリークの可能性があることが確認され
た。
際、ＳｉＣインジェクタの鉛直方向（縦型炉の場合）を
向かず、炉芯管やボートにインジェクタ先端が接触して
しまう可能性があり、また、鉛直方向から反れた場合、
テーパ嵌合部からリークの可能性があることが確認され
た。
【００３６】実施例２：テーパ１／５にした実施例２で
は、嵌合した９５０ｍｍインジェクタの先端が鉛直方向
から反れる幅は、最大で１ｍｍであった。また、３５０
℃減圧下の使用においても、リークは検出されなかっ
た。
は、嵌合した９５０ｍｍインジェクタの先端が鉛直方向
から反れる幅は、最大で１ｍｍであった。また、３５０
℃減圧下の使用においても、リークは検出されなかっ
た。
【００３７】実施例３：テーパ１／１０にした実施例３
では、嵌合した９５０ｍｍインジェクタの先端が鉛直方
向から反れる幅は、最大で０．４ｍｍであった。また、
３５０℃減圧下の使用においても、リークは検出されな
かった。
では、嵌合した９５０ｍｍインジェクタの先端が鉛直方
向から反れる幅は、最大で０．４ｍｍであった。また、
３５０℃減圧下の使用においても、リークは検出されな
かった。
【００３８】実施例４：テーパ１／１５にした実施例４
では、嵌合した９５０ｍｍインジェクタの先端が鉛直方
向から反れる幅は、最大で０．０５ｍｍであった。ま
た、３５０℃減圧下の使用においても、リークは検出さ
れなかった。しかし、冷却後の分解時に、力を加えない
と外れない状態になる場合もあったが、割れは見られな
かった。
では、嵌合した９５０ｍｍインジェクタの先端が鉛直方
向から反れる幅は、最大で０．０５ｍｍであった。ま
た、３５０℃減圧下の使用においても、リークは検出さ
れなかった。しかし、冷却後の分解時に、力を加えない
と外れない状態になる場合もあったが、割れは見られな
かった。
【００３９】実施例５：テーパ１／１８にした実施例５
では、容易に鉛直方向が出せるが、熱が加わったとき、
熱膨張差による焼嵌（ＣＴＥ外周材料＞ＣＴＥ内周材料
の場合、加熱時に拡張した状態となったまま、これが冷
却されると、外周材料が内周材料を圧縮すること）が発
生し、強度の小さい石英インジェクタが抜けなくなった
り、割れたりする可能性が高いことが確認された。
では、容易に鉛直方向が出せるが、熱が加わったとき、
熱膨張差による焼嵌（ＣＴＥ外周材料＞ＣＴＥ内周材料
の場合、加熱時に拡張した状態となったまま、これが冷
却されると、外周材料が内周材料を圧縮すること）が発
生し、強度の小さい石英インジェクタが抜けなくなった
り、割れたりする可能性が高いことが確認された。
【００４０】実施例６：上記実施例２を用い、そのテー
パ部内表面の表面粗さをＲａ＝１０ｍｍとした実施例６
では、３５０℃減圧下でインジェクタ内を通るガスのリ
ークは検出されなかった。しかし、使用後の取り外し時
にテーパ部にポリシリコンが付着する可能性が高いこと
が確認された。
パ部内表面の表面粗さをＲａ＝１０ｍｍとした実施例６
では、３５０℃減圧下でインジェクタ内を通るガスのリ
ークは検出されなかった。しかし、使用後の取り外し時
にテーパ部にポリシリコンが付着する可能性が高いこと
が確認された。
【００４１】実施例７：上記実施例２、実施例３および
実施例４を用い、そのテーパ部内表面の表面粗さをＲａ
＝５ｍｍとした実施例７では、いずれのインジェクタ
共、常温でも、３５０℃減圧下でもガスリークは検出さ
れなかった。また、プロセスガスのテーパ部への回り込
みも検出されなかった。
実施例４を用い、そのテーパ部内表面の表面粗さをＲａ
＝５ｍｍとした実施例７では、いずれのインジェクタ
共、常温でも、３５０℃減圧下でもガスリークは検出さ
れなかった。また、プロセスガスのテーパ部への回り込
みも検出されなかった。
【００４２】
【発明の効果】本発明に係わる半導体熱処理炉用ガス導
入管によれば、堆積した堆積膜の部分的剥離を防止する
ことにより、パーティクルをなくし、ウェーハの製造歩
留を向上させ、さらに、製造が容易で、使用時の洗浄が
容易な導入管を提供することができる。
入管によれば、堆積した堆積膜の部分的剥離を防止する
ことにより、パーティクルをなくし、ウェーハの製造歩
留を向上させ、さらに、製造が容易で、使用時の洗浄が
容易な導入管を提供することができる。
【００４３】すなわち、Ｌ字状の石英ガラス管と、この
石英ガラス管の一端に接合されたストレート状のＣＶＤ
−ＳｉＣ管とを有し、接合は、少なくともＣＶＤ−Ｓｉ
Ｃ管の一端部に形成されたテーパ部を石英ガラス管の一
端部に嵌合することにより行われるので、ヒートサイク
ルにより、熱膨張係数の差から付着したシリコン膜が破
断、剥離を減少させることができて、炉芯管内のパーテ
ィクルを減じることができ、半導体ウェーハの製造歩留
を向上させることができる。また、導入管の使用後にＨ
Ｆなどを用いて洗浄して繰返し使用するが、洗浄時Ｓｉ
Ｃは溶出せず、従来に比べ長寿命化が図れる。
石英ガラス管の一端に接合されたストレート状のＣＶＤ
−ＳｉＣ管とを有し、接合は、少なくともＣＶＤ−Ｓｉ
Ｃ管の一端部に形成されたテーパ部を石英ガラス管の一
端部に嵌合することにより行われるので、ヒートサイク
ルにより、熱膨張係数の差から付着したシリコン膜が破
断、剥離を減少させることができて、炉芯管内のパーテ
ィクルを減じることができ、半導体ウェーハの製造歩留
を向上させることができる。また、導入管の使用後にＨ
Ｆなどを用いて洗浄して繰返し使用するが、洗浄時Ｓｉ
Ｃは溶出せず、従来に比べ長寿命化が図れる。
【００４４】また、石英ガラス管の外周先細の一端部に
テーパ部が形成され、このテーパ部およびＣＶＤ−Ｓｉ
Ｃ管の内周先太の一端部のテーパ部は、共に１／５〜１
／１５のテーパを有するので、ＣＶＤ−ＳｉＣ管の重力
により気密かつ確実に接合され、さらに、取り外し時に
も抜けが良く、分解時の破損事故なども防止できる。ま
た、接合は熱膨張係数の差を有する石英ガラスとＣＶＤ
−ＳｉＣの嵌合により行われるので、熱膨張差や膜の回
り込みにより密着性が向上する。
テーパ部が形成され、このテーパ部およびＣＶＤ−Ｓｉ
Ｃ管の内周先太の一端部のテーパ部は、共に１／５〜１
／１５のテーパを有するので、ＣＶＤ−ＳｉＣ管の重力
により気密かつ確実に接合され、さらに、取り外し時に
も抜けが良く、分解時の破損事故なども防止できる。ま
た、接合は熱膨張係数の差を有する石英ガラスとＣＶＤ
−ＳｉＣの嵌合により行われるので、熱膨張差や膜の回
り込みにより密着性が向上する。
【００４５】また、石英ガラス管に形成された屈曲部の
管壁の肉厚は、全周に亘り等しく、かつ、水平部の管壁
の肉厚の１．２〜４．５倍であるので、処理ガスに対す
る流通抵抗を小さくすることができ、さらに、ＣＶＤ−
ＳｉＣ管の重力を十分に支えることができる。
管壁の肉厚は、全周に亘り等しく、かつ、水平部の管壁
の肉厚の１．２〜４．５倍であるので、処理ガスに対す
る流通抵抗を小さくすることができ、さらに、ＣＶＤ−
ＳｉＣ管の重力を十分に支えることができる。
【００４６】また、ＣＶＤ−ＳｉＣ管の内表面粗さがＲ
ａ≦５μｍであるので、ＣＶＤ−ＳｉＣ管と石英ガラス
管の嵌合部でのがたつきがなく、嵌合部の熱伝達も良く
なり、ＳｉＣの高熱伝導性の特性を活かし、局部熱応力
を緩和することができる。
ａ≦５μｍであるので、ＣＶＤ−ＳｉＣ管と石英ガラス
管の嵌合部でのがたつきがなく、嵌合部の熱伝達も良く
なり、ＳｉＣの高熱伝導性の特性を活かし、局部熱応力
を緩和することができる。
【図１】本発明に係わる半導体熱処理炉用ガス導入管を
用いた縦型半導体熱処理炉の概念図。
用いた縦型半導体熱処理炉の概念図。
【図２】本発明に係わる半導体熱処理炉用ガス導入管の
石英ガラス管の断面図。
石英ガラス管の断面図。
【図３】本発明に係わる半導体熱処理炉用ガス導入管の
ＣＶＤ−ＳｉＣ管の断面図。
ＣＶＤ−ＳｉＣ管の断面図。
【図４】従来の半導体熱処理炉用石英ガラス製ガス導入
管の断面図。
管の断面図。
【図５】従来の導入管の製造に用いられる円柱体の斜視
図。
図。
１ 縦型半導体熱処理炉 ２ 炉芯管 ３ 開口 ４ ウェーハボート ５ 処理空間 ６ ガス導入長管 ６Ｌ 石英ガラス管 ６Ｌｈ 水平部 ６Ｌｃ 屈曲部 ６Ｌｖ 垂直部 ６Ｌｔ テーパ部 ６Ｓ ＣＶＤ−ＳｉＣ管 ６Ｓｔ テーパ部 ６Ｓｐ 処理ガス噴出口 ７ ガス導入短管 ７Ｌ 石英ガラス管 ７Ｓ ＣＶＤ−ＳｉＣ管 ７Ｓｐ 処理ガス噴出口 ８ チューブアダプタ ９ チューブアダプタ １０ 昇降装置 １１ ボートテーブル １２ ヒータ １３ 排気口 Ｗ 半導体ウェーハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 稲葉 毅 山形県西置賜郡小国町大字小国町378番地 東芝セラミックス株式会社小国製造所内 (72)発明者 塩谷 豊 山形県西置賜郡小国町大字小国町378番地 東芝セラミックス株式会社小国製造所内 (72)発明者 清野 勝 山形県西置賜郡小国町大字小国町378番地 東芝セラミックス株式会社小国製造所内 Ｆターム(参考） 5F045 AA06 BB15 DP19 EB03 EC08 EF11
Claims (4)
- 【請求項１】 Ｌ字状の石英ガラス管と、この石英ガラ
ス管の一端に接合されたストレート状のＣＶＤ−ＳｉＣ
管とを有し、前記接合は、少なくともＣＶＤ−ＳｉＣ管
の一端部に形成されたテーパ部を石英ガラス管の一端部
に嵌合することにより行われることを特徴とする半導体
熱処理炉用ガス導入管。 - 【請求項２】 上記石英ガラス管の一端部に外周先細の
テーパ部が形成され、このテーパ部および上記ＣＶＤ−
ＳｉＣ管の一端部の内周先太のテーパ部は、共に１／５
〜１／１５のテーパを有することを特徴とする請求項１
に記載の半導体熱処理炉用ガス導入管。 - 【請求項３】 上記石英ガラス管に形成された屈曲部の
管壁の肉厚は、全周に亘り等しく、かつ、水平部の管壁
の肉厚の１．２〜４．５倍であることを特徴とする請求
項１または２に記載の半導体熱処理炉用ガス導入管。 - 【請求項４】 上記ＣＶＤ−ＳｉＣ管の内表面粗さがＲ
ａ≦５μｍであることを特徴とする請求項１ないし３の
いずれか１項に記載の半導体熱処理炉用ガス導入管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000307323A JP3572247B2 (ja) | 2000-10-06 | 2000-10-06 | 半導体熱処理炉用ガス導入管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000307323A JP3572247B2 (ja) | 2000-10-06 | 2000-10-06 | 半導体熱処理炉用ガス導入管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002118066A true JP2002118066A (ja) | 2002-04-19 |
| JP3572247B2 JP3572247B2 (ja) | 2004-09-29 |
Family
ID=18787855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000307323A Expired - Fee Related JP3572247B2 (ja) | 2000-10-06 | 2000-10-06 | 半導体熱処理炉用ガス導入管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3572247B2 (ja) |
Cited By (192)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7622007B2 (en) | 2003-08-07 | 2009-11-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and semiconductor device producing method |
| US20110232568A1 (en) * | 2009-09-25 | 2011-09-29 | Ferrotec (Usa) Corporation | Hybrid gas injector |
| JP2015221740A (ja) * | 2014-05-23 | 2015-12-10 | 株式会社トクヤマ | 気相成長装置 |
| EP3896377A1 (en) * | 2020-04-17 | 2021-10-20 | ASM IP Holding B.V. | Injector configured for arrangement within a reactor of a vertical furnace and vertical furnace |
| US11274369B2 (en) | 2018-09-11 | 2022-03-15 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film deposition method |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| US11296189B2 (en) | 2018-06-21 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| US11315794B2 (en) | 2019-10-21 | 2022-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for selectively etching films |
| US11339476B2 (en) | 2019-10-08 | 2022-05-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device having connection plates, substrate processing method |
| US11342216B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-05-24 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
| US11345999B2 (en) | 2019-06-06 | 2022-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method of using a gas-phase reactor system including analyzing exhausted gas |
| US11355338B2 (en) | 2019-05-10 | 2022-06-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing material onto a surface and structure formed according to the method |
| US11361990B2 (en) | 2018-05-28 | 2022-06-14 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured by using the same |
| US11378337B2 (en) | 2019-03-28 | 2022-07-05 | Asm Ip Holding B.V. | Door opener and substrate processing apparatus provided therewith |
| US11387120B2 (en) | 2017-09-28 | 2022-07-12 | Asm Ip Holding B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US11387106B2 (en) | 2018-02-14 | 2022-07-12 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11390945B2 (en) | 2019-07-03 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Temperature control assembly for substrate processing apparatus and method of using same |
| US11393690B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition method |
| US11390946B2 (en) | 2019-01-17 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US11398382B2 (en) | 2018-03-27 | 2022-07-26 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode |
| US11396702B2 (en) | 2016-11-15 | 2022-07-26 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply unit and substrate processing apparatus including the gas supply unit |
| US11401605B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-08-02 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11410851B2 (en) | 2017-02-15 | 2022-08-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US11411088B2 (en) | 2018-11-16 | 2022-08-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US11414760B2 (en) | 2018-10-08 | 2022-08-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate support unit, thin film deposition apparatus including the same, and substrate processing apparatus including the same |
| US11417545B2 (en) | 2017-08-08 | 2022-08-16 | Asm Ip Holding B.V. | Radiation shield |
| US11424119B2 (en) | 2019-03-08 | 2022-08-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US11430640B2 (en) | 2019-07-30 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11437241B2 (en) | 2020-04-08 | 2022-09-06 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for selectively etching silicon oxide films |
| US11443926B2 (en) | 2019-07-30 | 2022-09-13 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
| US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11476109B2 (en) | 2019-06-11 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electronic structure using reforming gas, system for performing the method, and structure formed using the method |
| US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
| US11482418B2 (en) | 2018-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and apparatus |
| US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
| US11488854B2 (en) | 2020-03-11 | 2022-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate handling device with adjustable joints |
| US11488819B2 (en) | 2018-12-04 | 2022-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of cleaning substrate processing apparatus |
| US11492703B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US11495459B2 (en) | 2019-09-04 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition using a sacrificial capping layer |
| US11499226B2 (en) | 2018-11-02 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate supporting unit and a substrate processing device including the same |
| US11501973B2 (en) | 2018-01-16 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| US11499222B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| US11515188B2 (en) | 2019-05-16 | 2022-11-29 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer boat handling device, vertical batch furnace and method |
| US11515187B2 (en) | 2020-05-01 | 2022-11-29 | Asm Ip Holding B.V. | Fast FOUP swapping with a FOUP handler |
| US11521851B2 (en) | 2020-02-03 | 2022-12-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures including a vanadium or indium layer |
| US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| US11530483B2 (en) | 2018-06-21 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing system |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US11530876B2 (en) | 2020-04-24 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly comprising a cooling gas supply |
| US11551912B2 (en) | 2020-01-20 | 2023-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming thin film and method of modifying surface of thin film |
| US11551925B2 (en) | 2019-04-01 | 2023-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for manufacturing a semiconductor device |
| US11557474B2 (en) | 2019-07-29 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition utilizing n-type dopants and/or alternative dopants to achieve high dopant incorporation |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587821B2 (en) | 2017-08-08 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11594450B2 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a structure with a hole |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| US11594600B2 (en) | 2019-11-05 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Structures with doped semiconductor layers and methods and systems for forming same |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| US11605528B2 (en) | 2019-07-09 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Plasma device using coaxial waveguide, and substrate treatment method |
| US11610774B2 (en) | 2019-10-02 | 2023-03-21 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a topographically selective silicon oxide film by a cyclical plasma-enhanced deposition process |
| US11610775B2 (en) | 2016-07-28 | 2023-03-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US11615970B2 (en) | 2019-07-17 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Radical assist ignition plasma system and method |
| US11615980B2 (en) | 2019-02-20 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| US11626308B2 (en) | 2020-05-13 | 2023-04-11 | Asm Ip Holding B.V. | Laser alignment fixture for a reactor system |
| US11626316B2 (en) | 2019-11-20 | 2023-04-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing carbon-containing material on a surface of a substrate, structure formed using the method, and system for forming the structure |
| US11629407B2 (en) | 2019-02-22 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method for processing substrates |
| US11637011B2 (en) | 2019-10-16 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topology-selective film formation of silicon oxide |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| US11639811B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
| US11639548B2 (en) | 2019-08-21 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Film-forming material mixed-gas forming device and film forming device |
| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| US11644758B2 (en) | 2020-07-17 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and methods for use in photolithography |
| US11646204B2 (en) | 2020-06-24 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a layer provided with silicon |
| US11646197B2 (en) | 2018-07-03 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US11646184B2 (en) | 2019-11-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| US11649546B2 (en) | 2016-07-08 | 2023-05-16 | Asm Ip Holding B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US11658029B2 (en) | 2018-12-14 | 2023-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a device structure using selective deposition of gallium nitride and system for same |
| US11658035B2 (en) | 2020-06-30 | 2023-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US11664245B2 (en) | 2019-07-16 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
| US11664199B2 (en) | 2018-10-19 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US11664267B2 (en) | 2019-07-10 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate support assembly and substrate processing device including the same |
| US11674220B2 (en) | 2020-07-20 | 2023-06-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing molybdenum layers using an underlayer |
| US11676812B2 (en) | 2016-02-19 | 2023-06-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on top/bottom portions |
| US11682572B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-06-20 | Asm Ip Holdings B.V. | Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
| US11680839B2 (en) | 2019-08-05 | 2023-06-20 | Asm Ip Holding B.V. | Liquid level sensor for a chemical source vessel |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| US11685991B2 (en) | 2018-02-14 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11688603B2 (en) | 2019-07-17 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium structures |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
| US11694892B2 (en) | 2016-07-28 | 2023-07-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US11695054B2 (en) | 2017-07-18 | 2023-07-04 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures |
| US11705333B2 (en) | 2020-05-21 | 2023-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including multiple carbon layers and methods of forming and using same |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| US11725280B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers |
| US11725277B2 (en) | 2011-07-20 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US11735445B2 (en) | 2018-10-31 | 2023-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11735414B2 (en) | 2018-02-06 | 2023-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| US11735422B2 (en) | 2019-10-10 | 2023-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a photoresist underlayer and structure including same |
| US11742189B2 (en) | 2015-03-12 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
| US11749562B2 (en) | 2016-07-08 | 2023-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition method to form air gaps |
| US11769670B2 (en) | 2018-12-13 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
| US11781221B2 (en) | 2019-05-07 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Chemical source vessel with dip tube |
| US11795545B2 (en) | 2014-10-07 | 2023-10-24 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US11804388B2 (en) | 2018-09-11 | 2023-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11804364B2 (en) | 2020-05-19 | 2023-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11802338B2 (en) | 2017-07-26 | 2023-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US11810788B2 (en) | 2016-11-01 | 2023-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US11814747B2 (en) | 2019-04-24 | 2023-11-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor system-with a reaction chamber, a solid precursor source vessel, a gas distribution system, and a flange assembly |
| US11823876B2 (en) | 2019-09-05 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11823866B2 (en) | 2020-04-02 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| US11827981B2 (en) | 2020-10-14 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing material on stepped structure |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11830738B2 (en) | 2020-04-03 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming barrier layer and method for manufacturing semiconductor device |
| US11828707B2 (en) | 2020-02-04 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for transmittance measurements of large articles |
| US11840761B2 (en) | 2019-12-04 | 2023-12-12 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11848200B2 (en) | 2017-05-08 | 2023-12-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
| US11873557B2 (en) | 2020-10-22 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing vanadium metal |
| US11876008B2 (en) | 2019-07-31 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11885013B2 (en) | 2019-12-17 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer |
| US11885020B2 (en) | 2020-12-22 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Transition metal deposition method |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| US11887857B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and systems for depositing a layer comprising vanadium, nitrogen, and a further element |
| US11885023B2 (en) | 2018-10-01 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate retaining apparatus, system including the apparatus, and method of using same |
| US11891696B2 (en) | 2020-11-30 | 2024-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Injector configured for arrangement within a reaction chamber of a substrate processing apparatus |
| US11901179B2 (en) | 2020-10-28 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and device for depositing silicon onto substrates |
| US11898243B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride-containing layer |
| US11923190B2 (en) | 2018-07-03 | 2024-03-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US11923181B2 (en) | 2019-11-29 | 2024-03-05 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for minimizing the effect of a filling gas during substrate processing |
| US11929251B2 (en) | 2019-12-02 | 2024-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus having electrostatic chuck and substrate processing method |
| US11940785B2 (en) | 2020-10-15 | 2024-03-26 | Asm Ip Holding B.V. | Method for predicting maintenance for components used in substrate treatments, and predictive maintenance device |
| US11939673B2 (en) | 2018-02-23 | 2024-03-26 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
| US11956977B2 (en) | 2015-12-29 | 2024-04-09 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US11959168B2 (en) | 2020-04-29 | 2024-04-16 | Asm Ip Holding B.V. | Solid source precursor vessel |
| US11961741B2 (en) | 2020-03-12 | 2024-04-16 | Asm Ip Holding B.V. | Method for fabricating layer structure having target topological profile |
| US11967488B2 (en) | 2013-02-01 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for treatment of deposition reactor |
| USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
| US11976359B2 (en) | 2020-01-06 | 2024-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply assembly, components thereof, and reactor system including same |
| US11986868B2 (en) | 2020-02-28 | 2024-05-21 | Asm Ip Holding B.V. | System dedicated for parts cleaning |
| US11987881B2 (en) | 2020-05-22 | 2024-05-21 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for depositing thin films using hydrogen peroxide |
| US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
| US11996292B2 (en) | 2019-10-25 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| US11996309B2 (en) | 2019-05-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer boat handling device, vertical batch furnace and method |
| US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
| US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
| US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
| US12006572B2 (en) | 2019-10-08 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system including a gas distribution assembly for use with activated species and method of using same |
| US12020934B2 (en) | 2020-07-08 | 2024-06-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US12027365B2 (en) | 2020-11-24 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap and related systems and devices |
| US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| US12033849B2 (en) | 2019-08-23 | 2024-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon oxide film having improved quality by PEALD using bis(diethylamino)silane |
| US12033861B2 (en) | 2017-10-05 | 2024-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US12033885B2 (en) | 2020-01-06 | 2024-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Channeled lift pin |
| US12040184B2 (en) | 2017-10-30 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
| US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
| US12051567B2 (en) | 2020-10-07 | 2024-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply unit and substrate processing apparatus including gas supply unit |
| US12051602B2 (en) | 2020-05-04 | 2024-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing system for processing substrates with an electronics module located behind a door in a front wall of the substrate processing system |
| US12068154B2 (en) | 2020-04-13 | 2024-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a nitrogen-containing carbon film and system for performing the method |
| US12074022B2 (en) | 2020-08-27 | 2024-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for forming patterned structures using multiple patterning process |
| US12087586B2 (en) | 2020-04-15 | 2024-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming chromium nitride layer and structure including the chromium nitride layer |
| US12107005B2 (en) | 2020-10-06 | 2024-10-01 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition method and an apparatus for depositing a silicon-containing material |
| US12106944B2 (en) | 2020-06-02 | 2024-10-01 | Asm Ip Holding B.V. | Rotating substrate support |
| US12112940B2 (en) | 2019-07-19 | 2024-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming topology-controlled amorphous carbon polymer film |
| US12125700B2 (en) | 2021-01-13 | 2024-10-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming high aspect ratio features |
-
2000
- 2000-10-06 JP JP2000307323A patent/JP3572247B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (229)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8673076B2 (en) | 2003-08-07 | 2014-03-18 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and semiconductor device producing method |
| US7622007B2 (en) | 2003-08-07 | 2009-11-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and semiconductor device producing method |
| US20110232568A1 (en) * | 2009-09-25 | 2011-09-29 | Ferrotec (Usa) Corporation | Hybrid gas injector |
| JP2013506300A (ja) * | 2009-09-25 | 2013-02-21 | フェローテック（ユーエスエー）コーポレイション | ハイブリッドガスインジェクタ |
| EP2481082B1 (en) * | 2009-09-25 | 2017-06-21 | Ferrotec (USA) Corporation | Hybrid gas injector |
| US11725277B2 (en) | 2011-07-20 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US11967488B2 (en) | 2013-02-01 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for treatment of deposition reactor |
| JP2015221740A (ja) * | 2014-05-23 | 2015-12-10 | 株式会社トクヤマ | 気相成長装置 |
| US11795545B2 (en) | 2014-10-07 | 2023-10-24 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US11742189B2 (en) | 2015-03-12 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US11956977B2 (en) | 2015-12-29 | 2024-04-09 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US11676812B2 (en) | 2016-02-19 | 2023-06-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on top/bottom portions |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| US11749562B2 (en) | 2016-07-08 | 2023-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition method to form air gaps |
| US11649546B2 (en) | 2016-07-08 | 2023-05-16 | Asm Ip Holding B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US11610775B2 (en) | 2016-07-28 | 2023-03-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US11694892B2 (en) | 2016-07-28 | 2023-07-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US11810788B2 (en) | 2016-11-01 | 2023-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US11396702B2 (en) | 2016-11-15 | 2022-07-26 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply unit and substrate processing apparatus including the gas supply unit |
| US11970766B2 (en) | 2016-12-15 | 2024-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| US12000042B2 (en) | 2016-12-15 | 2024-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| US11851755B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-12-26 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US12043899B2 (en) | 2017-01-10 | 2024-07-23 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US12106965B2 (en) | 2017-02-15 | 2024-10-01 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US11410851B2 (en) | 2017-02-15 | 2022-08-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US11848200B2 (en) | 2017-05-08 | 2023-12-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| US11976361B2 (en) | 2017-06-28 | 2024-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| US11695054B2 (en) | 2017-07-18 | 2023-07-04 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures |
| US11802338B2 (en) | 2017-07-26 | 2023-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US11417545B2 (en) | 2017-08-08 | 2022-08-16 | Asm Ip Holding B.V. | Radiation shield |
| US11587821B2 (en) | 2017-08-08 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11581220B2 (en) | 2017-08-30 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US11387120B2 (en) | 2017-09-28 | 2022-07-12 | Asm Ip Holding B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US12033861B2 (en) | 2017-10-05 | 2024-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US12040184B2 (en) | 2017-10-30 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| US11639811B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
| US11682572B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-06-20 | Asm Ip Holdings B.V. | Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
| US11501973B2 (en) | 2018-01-16 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
| US11393690B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition method |
| US11972944B2 (en) | 2018-01-19 | 2024-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
| US12119228B2 (en) | 2018-01-19 | 2024-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition method |
| US11735414B2 (en) | 2018-02-06 | 2023-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| US11685991B2 (en) | 2018-02-14 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11387106B2 (en) | 2018-02-14 | 2022-07-12 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11482418B2 (en) | 2018-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and apparatus |
| US11939673B2 (en) | 2018-02-23 | 2024-03-26 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11398382B2 (en) | 2018-03-27 | 2022-07-26 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode |
| US12020938B2 (en) | 2018-03-27 | 2024-06-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode |
| US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| US11361990B2 (en) | 2018-05-28 | 2022-06-14 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured by using the same |
| US11908733B2 (en) | 2018-05-28 | 2024-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured by using the same |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| US11530483B2 (en) | 2018-06-21 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing system |
| US11296189B2 (en) | 2018-06-21 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| US11952658B2 (en) | 2018-06-27 | 2024-04-09 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US11492703B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US11814715B2 (en) | 2018-06-27 | 2023-11-14 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US11499222B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US11923190B2 (en) | 2018-07-03 | 2024-03-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US11646197B2 (en) | 2018-07-03 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US11274369B2 (en) | 2018-09-11 | 2022-03-15 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film deposition method |
| US11804388B2 (en) | 2018-09-11 | 2023-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11885023B2 (en) | 2018-10-01 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate retaining apparatus, system including the apparatus, and method of using same |
| US11414760B2 (en) | 2018-10-08 | 2022-08-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate support unit, thin film deposition apparatus including the same, and substrate processing apparatus including the same |
| US11664199B2 (en) | 2018-10-19 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US11735445B2 (en) | 2018-10-31 | 2023-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11499226B2 (en) | 2018-11-02 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate supporting unit and a substrate processing device including the same |
| US11866823B2 (en) | 2018-11-02 | 2024-01-09 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate supporting unit and a substrate processing device including the same |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US11798999B2 (en) | 2018-11-16 | 2023-10-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US11411088B2 (en) | 2018-11-16 | 2022-08-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11488819B2 (en) | 2018-12-04 | 2022-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of cleaning substrate processing apparatus |
| US11769670B2 (en) | 2018-12-13 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US11658029B2 (en) | 2018-12-14 | 2023-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a device structure using selective deposition of gallium nitride and system for same |
| US11390946B2 (en) | 2019-01-17 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11959171B2 (en) | 2019-01-17 | 2024-04-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
| US11615980B2 (en) | 2019-02-20 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
| US11342216B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-05-24 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
| US11798834B2 (en) | 2019-02-20 | 2023-10-24 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
| US11629407B2 (en) | 2019-02-22 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method for processing substrates |
| US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
| US11901175B2 (en) | 2019-03-08 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer |
| US11424119B2 (en) | 2019-03-08 | 2022-08-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer |
| US11378337B2 (en) | 2019-03-28 | 2022-07-05 | Asm Ip Holding B.V. | Door opener and substrate processing apparatus provided therewith |
| US11551925B2 (en) | 2019-04-01 | 2023-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for manufacturing a semiconductor device |
| US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11814747B2 (en) | 2019-04-24 | 2023-11-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor system-with a reaction chamber, a solid precursor source vessel, a gas distribution system, and a flange assembly |
| US11781221B2 (en) | 2019-05-07 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Chemical source vessel with dip tube |
| US11355338B2 (en) | 2019-05-10 | 2022-06-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing material onto a surface and structure formed according to the method |
| US11996309B2 (en) | 2019-05-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer boat handling device, vertical batch furnace and method |
| US11515188B2 (en) | 2019-05-16 | 2022-11-29 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer boat handling device, vertical batch furnace and method |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| US11345999B2 (en) | 2019-06-06 | 2022-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method of using a gas-phase reactor system including analyzing exhausted gas |
| US11908684B2 (en) | 2019-06-11 | 2024-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electronic structure using reforming gas, system for performing the method, and structure formed using the method |
| US11476109B2 (en) | 2019-06-11 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electronic structure using reforming gas, system for performing the method, and structure formed using the method |
| US11746414B2 (en) | 2019-07-03 | 2023-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Temperature control assembly for substrate processing apparatus and method of using same |
| US11390945B2 (en) | 2019-07-03 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Temperature control assembly for substrate processing apparatus and method of using same |
| US11605528B2 (en) | 2019-07-09 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Plasma device using coaxial waveguide, and substrate treatment method |
| US11664267B2 (en) | 2019-07-10 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate support assembly and substrate processing device including the same |
| US12107000B2 (en) | 2019-07-10 | 2024-10-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate support assembly and substrate processing device including the same |
| US11664245B2 (en) | 2019-07-16 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
| US11996304B2 (en) | 2019-07-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
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| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| US11626316B2 (en) | 2019-11-20 | 2023-04-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing carbon-containing material on a surface of a substrate, structure formed using the method, and system for forming the structure |
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| US11885013B2 (en) | 2019-12-17 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer |
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| US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
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| US12051602B2 (en) | 2020-05-04 | 2024-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing system for processing substrates with an electronics module located behind a door in a front wall of the substrate processing system |
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| US11804364B2 (en) | 2020-05-19 | 2023-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11705333B2 (en) | 2020-05-21 | 2023-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including multiple carbon layers and methods of forming and using same |
| US11987881B2 (en) | 2020-05-22 | 2024-05-21 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for depositing thin films using hydrogen peroxide |
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