JP2002110269A - コネクタ、インクジェットヘッド、インクジェットプリンタ、表示装置、電子機器、及びコネクタの製造方法 - Google Patents

コネクタ、インクジェットヘッド、インクジェットプリンタ、表示装置、電子機器、及びコネクタの製造方法

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JP2002110269A
JP2002110269A JP2000299515A JP2000299515A JP2002110269A JP 2002110269 A JP2002110269 A JP 2002110269A JP 2000299515 A JP2000299515 A JP 2000299515A JP 2000299515 A JP2000299515 A JP 2000299515A JP 2002110269 A JP2002110269 A JP 2002110269A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 各端子電極間のピッチが微小になった場合で
あっても、端子電極間の短絡を防止できるコネクタを得
る。 【解決手段】 複数の第1端子電極30と複数の第2端
子電極32が基板22上に形成されてなり、第1端子電
極30と第2端子電極32間のピッチを変換する機能を
有するコネクタであって、各第1端子電極30間に溝部
33Aを有すると共に、少なくとも基板22の縁部に絶
縁膜を有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電極間のピッチが
微細なものにも対応できるコネクタ、このコネクタを含
んだインクジェットヘッド、これらのインクジェットヘ
ッドを搭載したインクジェットプリンタ、表示装置、電
子機器に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、電子機器の小型軽量化が加速的に
進められている。これに伴い、電子機器に用いる部品の
小型化、低コスト化の要求が強くなっている。これら小
型化の要求に応えるものとして、マイクロマシニングと
いわれる微細加工技術が開発され、小型でありながら高
度な機能を有するマイクロマシンが製造されるようにな
っている。このマイクロマシンの例としては、例えば、
圧電素子を内蔵し、この内蔵した圧電素子を振動させる
ことによってインクの吹出を行うプリンタヘッドがあ
る。
【0003】従来、これら小型部品と外部基板との接続
には、例えば材質がポリイミドからなるフレキシブル基
板によって形成されたコネクタを介在させる方法が行わ
れていた。そしてこのコネクタの一端側には小型部品の
端部に形成された端子電極と重ね合わせが可能な端子電
極が形成され、他端側には、外部基板と接続が可能な幅
広で且つ広い間隔の端子電極が形成されている。そして
両端子電極間を結ぶように配線が設けられ、当該配線の
引き回し途中で幅や間隔の変更を行うようにしている。
【0004】また、コネクタの中には接続対象物となる
小型部品の駆動をなすため例えばドライバーICのよう
な半導体装置が搭載されたものもある。この場合、半導
体装置は、コネクタのほぼ中央部に設けられたデバイス
ホールに収納され、コネクタの両端子電極を形成する配
線の他方端部側を穴部より突出させ、これをインナリー
ドとし、当該インナリードと半導体装置に設けられた端
子とを接続させることで、両端子電極と半導体装置との
導通を図るようにしている。
【0005】以上のように構成されたコネクタと接続対
象物との接続は、接続対象物の端子電極とコネクタの端
子電極に導電性粒子を含んだ接着剤を塗布し、これらを
ボンディングステージ上で重ね合わせ、ボンディングツ
ールによって加熱押圧することによって行っている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
コネクタはフレキシブル基板を用いているため、マイク
ロマシン等における接続端子部の電極間ピッチを、フレ
キシブル基板等で接続可能なピッチにする必要がある。
フレキシブル基板の接続可能な電極間ピッチは通常は1
00μm程度である。このため、マイクロマシニング技
術により接続対象側を小さくすることができるにもかか
わらず、フレキシブル基板との接続を可能にするためだ
けに、端子部を大きくしなければらななかった。この結
果、一枚のシリコンウェハから切り出すことのできるマ
イクマシンの数が少なくなってしまうという問題があっ
た。
【0007】また、他の問題点として、接続対象物を構
成する材質(主にシリコン)と、コネクタを構成する材
質(主にポリイミド)との熱膨張係数が異なることに起
因して、両端子間の抵抗値増大や接合不良あるいは隣接
する端子との短絡といった不具合が生じるという問題も
あった。
【0008】さらに、コネクタに半導体装置を搭載して
いるものにおいては、半導体装置をコネクタの中央部に
形成したデバイスホール内に挿入しており、半導体装置
はコネクタを構成するフレキシブル基板等に密着してい
ないため、当該フレキシブル基板等への伝熱作用がな
く、半導体装置の放熱が効果的に行われないという問題
があった。またデバイスホールからは配線端部となるイ
ンナーリードが突出し、当該インナーリードが半導体装
置の端子と接続されることで導通が図られているが、デ
バイスホールにおける半導体装置の機械的保持もこのイ
ンナーリードが兼ねているので、半導体装置がデバイス
ホール内で(外力等により)移動すると、隣り合うイン
ナーリードが互いに接触し、短絡等の障害が発生するお
それがあった。このため、インナーリード保護の目的か
ら、両者の接合後に封止剤を塗布し、半導体装置を含め
たデバイスホール周囲を封止する必要があった。すなわ
ち、封止剤を硬化させるための乾燥硬化工程等を要し、
製造工程の増大が問題となっていた。
【0009】本発明はかかる問題点を解決するためにな
されたものであり、各端子電極間のピッチが微小になっ
た場合であっても、端子電極間の短絡を防止できるコネ
クタ、該コネクタを含んだインクジェットヘッド、イン
クジェットプリンタ、表示装置、電子機器、及び該コネ
クタの製造方法を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】(1)本発明に係るコネ
クタは、複数の第1端子電極と複数の第2端子電極が基
板上に形成されてなり、前記第1端子電極と前記第2端
子電極間のピッチを変換する機能を有するコネクタであ
って、前記各第1端子電極間に溝部を有すると共に、少
なくとも前記基板の縁部に絶縁膜が形成されてなるもの
である。第1の端子電極の間に溝部を形成したことによ
り、各電極間のピッチが微小になった場合であっても、
合金接続や金属接続の際の熱・圧力による端子電極の変
形や合金金属の流れ出しによる端子電極間の短絡を防止
できる。また、隣接する端子電極間の沿面距離を長くす
ることができ、ノイズの影響を抑制できる。また、基板
の周縁部に絶縁膜を形成したので、基板の周縁部に導電
性の塵埃が付着ても、周縁部に形成された絶縁層に遮ら
れて結晶面に届かない。よって、短絡することがない。
また、コネクタと接続対象物又は外部基板との接合時に
用いる半田又は導電性接着剤が流れ出しても、絶縁膜に
遮られて結晶面に届かない。よって、この場合にも短絡
することがない。
【0011】(2)また、基板上に半導体装置が実装さ
れてなるものである。
【0012】(3)また、基板上に絶縁膜を有し、前記
絶縁膜上に前記半導体装置と前記第1端子電極及び前記
第2端子電極とを接続する配線を有するものである。半
導体装置が、基板上に絶縁膜を介して密着しているの
で、半導体装置に発熱が生じても、当該半導体装置に生
じた熱は基板側へと伝熱し、その後、基板より放熱がな
される。このように半導体装置の表面だけでなく、基板
も放熱用の表面となるので、たとえ半導体装置の発熱量
が大きくても放熱を十分に行うことができる。さらに半
導体装置の保持を基板に行わせることができ、機械的強
度の確保が容易となる。また、半導体装置の電極は、片
持ち支持となるインナーリードとは異なり、基板の表面
に沿った(密着した)配線に接続されるので、接続後は
半導体装置が移動することがなく、したがって封止剤を
塗布する必要が無くなり、乾燥工程等を削除することが
可能となるばかりでなく、半導体装置の移動による端子
間の短絡が生じることも無くなる。
【0013】(4)また、第1端子電極間のピッチは第
2端子電極間のピッチより狭く、かつ前記第1端子電極
数は前記第2端子電極数より多いことを特徴とするもの
である。
【0014】(5)また、絶縁膜は、少なくとも前記溝
部を有する側の縁部に形成されてなるものである。
【0015】(6)また、縁部には傾斜部を有するもの
である。傾斜部を形成したことにより、コネクタに付着
した塵埃や汚れを除去しやすい。
【0016】(7)また、縁部には段差部を有するもの
である。
【0017】(8)また、溝部に絶縁膜を有するもので
ある。溝部に絶縁膜を形成したことにより、第1端子電
極と基板とが導通するのを確実に防止できる。
【0018】(9)また、溝部には、絶縁膜の上に金属
膜が形成されてなるものである。溝部の底に金属膜を形
成したことによって、接続対象物とコネクタとを接着剤
によって接着する際の接着強度を高めることができる。
接着強度を高めることで、耐湿性の良い接続を実現でき
る。
【0019】(10)また、金属膜は前記基板に接続さ
れてなり、且つグランド配線部または電源配線部に接続
されてなるものである。金属膜を基板に接続したことに
より、結晶性基板をグランド配線部または電源配線部の
電位に等しくすることができ、結晶性基板の電位を安定
化させることができる。また、微細配線部のラインノイ
ズによる素子の誤作動を防止することが可能となり、さ
らに、静電遮蔽の作用で輻射ノイズを低減することもで
きる。
【0020】(11)また、第1端子電極は接続対象物
に形成されてなる外部端子電極と電気的に接続するため
の電極であり、前記溝部は前記第1端子電極と前記外部
端子電極とを接続するための接着剤を溜める機能を有す
るものである。これによって、接合部と端子電極とを密
着させた際に、余分な接着剤は溝部に収容され、端子電
極以外の部位で接着剤に含まれる導電性粒子が挟まれる
ことがない。このため隣接する端子電極間に短絡が生じ
るの防止できる。
【0021】(12)また、溝部の深さは前記接着剤に
含まれる導電性粒子の粒子径の3倍以上に設定されてな
るものである。これによって、導電性粒子を余裕をもっ
て収容でき、短絡防止の安全率を向上させることができ
る。また、溝部に導電性粒子を含んだ接着剤が溜まるこ
とから接触面積が大きくなり、接合強度を向上させるこ
ともできる。
【0022】(13)また、第1端子電極は接続対象物
に形成されてなる外部端子電極と電気的に接続するため
の電極であって、溝部は、前記第1端子電極と前記外部
端子電極とが重ね合わせられる部分の長さよりも長いこ
とを特徴とするものである。このようにすることで、接
合時において、接続対象物とコネクタで囲まれた部分が
閉じた空間にならないので、空気を巻き込みにくく、気
泡による悪影響が生じにくい。また、余分な接着剤を確
実に押し出すことができるので、接合部に内圧が残るこ
とがなく、内圧による悪影響が生じない。
【0023】(14)また、基板の熱膨張係数は、前記
接続対象物の熱膨張係数に略等しい、または前記接続対
象物の熱膨張係数より小さい特性を有するものである。
基板の熱膨張係数を、接続対象物の熱膨張係数に略等し
くしたことにより、端子電極を加圧と加熱で接続する場
合において、接続する端子電極間の相対位置のずれを最
小限に抑えることができる。また、基板の熱膨張係数
を、接続対象物の熱膨張係数より小さいくした場合に
は、本体部が接続対象物側よりも高温になるようにして
接続することで同様の効果が得られる。
【0024】(15)また、基板は単結晶シリコンによ
り形成されてなるものである。基板を単結晶シリコンに
より形成にすることにより、放熱効果を高めることがで
きると共に、温度上昇による抵抗値の増大を防止でき
る。
【0025】(16)また、単結晶シリコンの結晶面が
(100)面であることを特徴とするものである。単結
晶シリコンの結晶面を(100)面にすれば、その面に
異方性エッチングを施すことにより該面に対して54.
74度をなすV字形の溝部を形成することができる。な
お、V字形の溝部の深さは、(100)面に設定された
窓の幅により正確に制御することができる。
【0026】(17)また、単結晶シリコンの結晶面が
(110)面であることを特徴とするものである。単結
晶シリコンの結晶面を(110)面にすれば、その面に
異方性エッチングを施すことで断面矩形状の溝部を形成
することができる。この場合には、溝幅に関係なく所定
の深さの溝部を形成することができる。
【0027】(18)本発明に係るインクジェットヘッ
ドは、上記(1)乃至(17)のいずれかに記載のコネ
クタを備えてなるものであって、インク液滴を吐出させ
るための圧電振動子を含む圧電アクチュエータを有し、
前記圧電振動子と接続された配線部を有する基板におけ
る端子電極に前記コネクタが接続されてなるものであ
る。
【0028】(19)また、上記(1)乃至(17)の
いずれかに記載のコネクタを備えてなるインクジェット
ヘッドであって、インク液滴を吐出させるための静電振
動子を含む静電アクチュエータを有し、前記静電振動子
と対向して配置される駆動電極部を有する基板における
端子電極に前記コネクタが接続されてなるものである。
【0029】(20)本発明に係るインクジェットプリ
ンタは、上記(18)又は(19)のインクジェットヘ
ッドを備えてなるものである。
【0030】(21)本発明に係る表示装置は、上記
(1)乃至(17)のいずれかに記載のコネクタを備え
てなるものであって、表示装置の表示素子が形成された
基板に前記コネクタが接続されてなるものである。
【0031】(22) 本発明に係る電子機器は、上記
(1)乃至(17)のいずれかに記載のコネクタを備え
てなるものであって、小型回路部品を形成した基板に前
記コネクタが接続されてなるものである。
【0032】上記の(18)〜(22)の発明において
は、上記(1)乃至(17)のいずれかに記載のコネク
タを用いたことにより、前記圧電素子、静電振動子、表
示素子又は小型回路部品が形成された基板の電極間のピ
ッチが微小になった場合であっても、導電性接着剤に含
まれる導電粒子の挟み込み、あるいは合金接続や金属接
続の際の熱・圧力による端子電極の変形や合金金属の流
れ出しによる端子電極間の短絡を防止できる。この結
果、前記圧電素子、静電振動子、表示素子又は小型回路
部品が形成された基板の端子電極部を小さくすることが
でき、例えばこの基板を半導体ウェハによって製造する
場合には、1枚の半導体ウェハから多数の基板を製造す
ることができ、生産性を高めることができる。
【0033】(23)本発明に係るコネクタの製造方法
は、複数の第1端子電極と複数の第2端子電極がシリコ
ン基板上に形成されてなり、前記第1端子電極と前記第
2端子電極間のピッチを変換する機能を有するコネクタ
の製造方法であって、シリコンウェハ上のダイシングラ
インを跨ぐ部位及び、前記第1端子電極間に溝を形成す
る工程と、前記シリコンウェハ上に絶縁膜を形成する工
程と、前記シリコンウェハ上に前記第1,2端子電極を
含む金属配線を形成する工程と、前記ダイシングライン
に沿って前記シリコンウェハをダイシングする工程とを
備えたものである。
【0034】(24)また、半導体装置を実装する工程
を備えたものである。
【0035】
【発明の実施の形態】実施の形態1.図1は本実施の形
態に係るコネクタの一例として電極間ピッチが微小な狭
ピッチ用コネクタを示すもので、このコネクタとこれに
接続される接続対象物の端子部分を示す正面図である。
図1に示すように本実施の形態に係る狭ピッチ用コネク
タ20は、基板22の表面に金属配線24A及び24B
を形成した形態となっている。基板22は、長方形状の
単結晶シリコンからなり、表面に絶縁膜が形成され、中
央部には、接続対象物26側の素子を駆動するための半
導体装置23が横長配置、つまりその長辺を接続対象物
26の端子配列方向と概ね平行となるように配置されて
実装されている。そして、半導体装置23の長手辺の両
側には、金属配線24Aおよび金属配線24Bが複数設
けられており、その一方端側が半導体装置23の端子に
接続されている。金属配線24Aの他方端部、すなわち
基板22の縁部22A側には、接続対象物26に設けら
れた端子電極28と重なり合わせが可能な接合部となる
端子電極30が形成されている。つまり、端子電極30
は端子電極28のピッチ(ピッチ6Oμm以下)と同一
ピッチとなるように設定されている。
【0036】そして、基板22における縁部22A側に
おける端子電極30の各電極間には、それぞれ溝部33
Aが形成されている。この溝部33Aは、縁部22A側
の側面拡大図である図2(a)に示すように、基板22
の表面から底面側に凹陥する断面矩形状をしている。そ
して、同図に示すように絶縁膜31は溝部33Aの内面
にも形成されている。なお、接続対象物26の端子電極
30と狭ピッチ用コネクタ20の端子電極28とは、導
電性粒子を含んだ異方性導電接着剤によって接合するこ
とになるが、溝部33Aは、この接合の際に、接着剤の
溜まり部となり、余分な接着剤を収納する機能を発揮す
ることになる。
【0037】ところで、図2(a)に示すような断面形
状が矩形状となる溝部33Aを形成するには、基板22
を構成する単結晶シリコンにおいて、表面に露出する結
晶面が(110)面となるものを用いればよい。このよ
うに結晶面が(110)面となる単結晶シリコンを用い
れば、KOH水溶液やエチレンジアミン水溶液等のエッ
チング液に対して垂直方向(端子電極の厚み方向)に大
きな結晶方位依存性を持っているので、隣り合う端子電
極30の間隔に左右されずにアンダーカットの極めて少
ない溝部を形成することができる。なお、この例では溝
部33Aの深さを、先の導電性粒子の粒子径(約3μ
m)の約3倍となる10μm程度に設定している。この
ようにすれば、導電性粒子が、隣り合う端子電極30の
間で挟み込まれないので、隣り合う端子電極間で短絡が
生じるのを確実に防止することができる。
【0038】溝部33Aの形状としては、図2(b)に
示すように、溝部33Aの断面形状をV字になるように
してもよい。この場合は、基板22として、表面に露出
する結晶面が(100)面となる単結晶シリコンを用い
ればよい。結晶面が(100)面となる単結晶シリコン
を用いれば、その表面にKOH水溶液やエチレンジアミ
ン水溶液等のエッチング液を用いて、異方性エッチング
を施すことにより(100)面と54.74度をなすV
字形の溝部33Aを形成することができる。なおV字形
の溝部33Aの深さは、(100)面に設定されたエッ
チング幅、すなわち露光マスクの幅寸法により正確に制
御することができる。
【0039】再び図1に基づいて基板22を説明する
と、基板22における端子電極30とは反対側の縁部2
2B側には、端子電極30より少数の電極数であって、
かつその幅とピッチとが拡大(ピッチ8Oμm以上)さ
れた端子電極32が形成されている。また、基板22の
周縁部には表面から底面側に凹陥する段差部29が形成
されており、この段差部29の表面にも前述の絶縁膜が
形成されている。
【0040】次に、以上のように構成された狭ピッチ用
コネクタ20を接続対象物26に接続する手順を説明す
る。図3は、接続対象物26と狭ピッチ用コネクタ20
とを接続する手順を示す説明図であり、図4は、図3に
おけるd部拡大図であり、図5(a)(b)は、図3に
おけるB−B断面図である。これらの図に示すように、
狭ピッチ用コネクタ20を接続対象物26に接続する際
には、まずボンディングステージ34の上面に接続対象
物26を設置する。なおボンディングステージ34の内
部には下部ヒータ36が設けられており、当該下部ヒー
タ36を稼働させることにより接続対象物26等への加
熱を行えるようにしている。
【0041】ボンディングステージ34の上面に設置さ
れた接続対象物26の上方には、端子電極28に端子電
極30が重なるようコネクタ20が配置される。なお端
子電極28と端子電極30との間には、図4に示すよう
に導電性粒子38を含んだ異方性導電接着剤40が塗布
されており、コネクタ20の背面側から当該コネクタ2
0を加圧することで導電性粒子38が端子電極28や端
子電極30と接触し、これら端子電極同士は、導電性粒
子38を介して導通がなされることになる。また導電性
粒子38を含んだ異方性導電接着剤40は、下部ヒータ
36や後述するボンディングツールに内蔵されたヒータ
の稼働によって硬化が促進される。
【0042】端子電極30の上方、すなわち狭ピッチ用
コネクタ20の上方には、ボンディングツール42が設
けられている。このボンディングツール42は、図示し
ないリニアガイドに取り付けられ、ボンディングツール
42自体をリニアガイドに沿って昇降可能になってい
る。そしてボンディングツール42を下降させること
で、狭ピッチ用コネクタ20を背面側から押圧し、重ね
合わされた端子電極28と端子電極30とを密着させる
ようにしている。またボンディングツール42には上部
ヒータ44が内蔵されており、当該上部ヒータ44を稼
働させることで、ボンディングツール42の先端を加熱
し、狭ピッチ用コネクタ20側の加熱を行えるようにし
ている。
【0043】ところで上部ヒータ44と下部ヒータ36
においては、ボンディングツール42を下降させ、当該
ボンディングツール42の先端が基板22の背面側を押
圧した際、端子電極28と端子電極30との境界線を中
心としてその周囲の温度が均一になるよう、すなわち基
板22と接続対象物26との間に温度差が生じないよう
に温度の設定がなされる。なお上部ヒータ44と下部ヒ
ータ36における設定温度は、異方性導電接着剤40の
硬化促進を図るだけの温度以上に設定されていることは
いうまでもない。
【0044】このように上部ヒータ44および下部ヒー
タ36の温度設定がなされた後は、図5(a)に示す状
態から図5(b)に示す状態に至るように、ボンディン
グツール42を下降させ、端子電極28と端子電極30
との接続を行う。この接続の際には、端子電極30の表
面に塗布された余分な異方性導電接着剤40は、図6に
示すように、溝部33A側へと移動し、当該溝部33A
に導電性粒子38を含んだ接着剤40が溜められる。
【0045】また、この接続の際、基板22と接続対象
物26の加熱温度が等しく、両者の間に温度差が生じな
いようになっているので、同一の材料で構成された基板
22と接続対象物26は、加熱による伸び率が等しくな
り、端子電極28と端子電極30との相対位置が変動す
ることがない。これにより両端子電極の接合を確実に行
うことが可能となり、電極接続時に生じる抵抗値増大や
接合不良あるいは隣接する端子との短絡といった不具合
が生じるのを防止することができる。
【0046】本実施の形態では、基板22と接続対象物
26を構成する材料をシリコンとして説明したが、シリ
コンによる場合には発明者による種々の検討によれば、
配線ピッチが25μm以下の接続においても確実に接続
ができることが確認されている(配線ピッチが15μm
程度でも確実に接続可能であり、配線ピッチが15μm
以下の接続においても接続分解能の範囲によって接続可
能となる)。
【0047】以上のように、本実施の形態においては、
単結晶シリコンで狭ピッチコネクタを製作し、半導体装
置23を基板22上に密着配置し、端子電極間に溝部3
3Aを形成し、さらに基板22の周縁部に絶縁膜を有す
る段差部29を設けたので、それぞれ次のような効果を
有する。
【0048】基板22として単結晶シリコンを用いたこ
とにより、狭ピッチコネクタにおける接続対象物26と
接続する側の端子電極間ピッチを狭くすることができ、
端子電極数が増大しても端子電極部の面積を小さくでき
る。その結果、接続対象物26の接続用端子部の面積も
小さくでき、一定面積からの取り出し個数の増大が図
れ、製造効率の向上および製造コストの低減を達成する
ことができる。
【0049】また、単結晶シリコンは、熱膨張係数が比
較的小さいので、接合時における端子電極付近の基板伸
びを抑えることができる。また、例えば、接続対象物が
ガラスの場合は、シリコンとガラスとの熱膨張係数の差
も小さいので、両者を接合する際、熱膨張係数の違いに
よる接続用端子電極の位置ずれを最小限に抑えることが
できる。
【0050】また、半導体装置23を基板22の表面に
密着配置させていることにより、半導体装置23に発熱
が生じた場合、この発熱が基板22側へと伝熱し、当該
基板22は放熱板(ヒートシンク)の役割を果たす。こ
のため、半導体装置23の発熱量が大きくなっても基板
22が効率よく半導体装置23に発生する熱を放熱し
て、半導体装置23の駆動安定を図ることができる。更
に、半導体装置23の自重が基板22で保持され、かつ
半導体装置23に設けられた電極が、基板22の表面に
密着形成された金属配線24Aおよび金属配線24Bと
接続されているので、半導体装置23に外力が加わって
も、当該半導体装置23は前記外力によって移動するこ
とがない。このため、短絡防止の目的から半導体装置2
3の電極周囲を封止剤によって固めるというような、封
止剤塗布工程、あるいは封止剤乾燥工程などが不要とな
り、製造工程が簡略化される。
【0051】また、基板22の内側に半導体装置23を
搭載したので、狭ピッチ用コネクタ20の前後、すなわ
ち接続対象物26側や、端子電極32側に接続されるフ
レキシブル基板等の外部基板に半導体装置23を実装す
る必要が無くなる。このため、実装面積の低減化が図
れ、装置そのものの小型化が図れる。また、半導体装置
23を、その長辺が接続対象物26の端子配列方向と概
ね平行となるように配置しているので、半導体装置23
までの各配線長さが等しくなり、配線パターンの抵抗値
を均一にすることができる。
【0052】また、複数の端子電極30の間に異方性導
電接着剤40の溜まり部となる溝部33Aを設けたこと
から、導電性粒子38は端子電極28と端子電極30の
間以外では挟まれることが無くなる。このため導電性粒
子38が隣り合う端子電極の間で挟まれることによっ
て、生じる隣り合う端子電極間の短絡を防止することが
できる。
【0053】次に、狭ピッチ用コネクタ20の周端部に
段差部29を形成し、この段差部29にも絶縁膜31を
形成したことにより奏する効果を、図1におけるA−A
断面を示した図7(a)、図1におけるB−B断面を示
した図7(b)に基づいて説明する。狭ピッチ用コネク
タ20の周端部に段差部29を形成し、この段差部29
にも絶縁膜31を形成したので、例えば、空気中の導電
性の塵埃32が付着した場合であっても、図7(a)に
示されるように、端子電極30に付着した塵埃32は段
差部29に形成された絶縁膜31に遮られて結晶面33
に届かない。したがって、短絡することがない。また、
半導体装置23の端子電極23aを金属配線24B接続
するための半田35等が流れ出しても、図7(b)に示
されるように、段差部29に形成された絶縁膜31に遮
られて結晶面33に届かない。したがって、この場合に
も短絡することがない。逆に言えば、半田等の導電性の
接着部材を縁部に多少流れ出させることが可能となり、
接着強度を高めることができる。
【0054】なお、本実施の形態では、基板22と接続
対象物26の材質を同一のものとして説明したが、この
形態に限定されるものではない。両者の材質が異なり、
異種材質に伴う熱膨張係数に差が有っても、基板22と
接続対象物26との確実な接合を行うことが可能であ
る。この場合は、上部ヒータ44および下部ヒータ36
の出力値を変動させ、基板22と接続対象物26との間
に積極的に温度差を生じさせる。具体的には、熱膨張係
数の小さい側に配置されるヒータの温度を高温側になる
よう設定し、熱膨張係数の大きい側に配置されるヒータ
の温度を低温側になるよう設定する。このように積極的
に温度差を生じさせることで、熱膨張係数の違いによる
伸び率を吸収し、両端子電極の相対位置がずれないよう
にすることによって、確実な接合が可能となり電極接続
時に生じる抵抗値増大や接合不良あるいは隣接する端子
との短絡といった不具合を防止することができる。
【0055】また、本実施の形態においては、基板22
の端子電極30と接続対象物26の端子電極28の接合
を、異方性導電接着剤を用いて行う例を示したが、本発
明はこれに限られるものではない。他の態様として、異
方性導電接着剤を薄い膜状に形成した異方性導電膜によ
って接合することもできる。また、半田等を用いた合金
接合や、端子電極28、30の金属同士を圧着する金属
接続によって接合することもできる。このような、合金
接続や金属接続の場合にも、溝部33Aを形成すること
によって、接合時の熱・圧力による端子電極の変形や合
金金属の流れ出しによる端子電極間の短絡を防止でき
る。さらに、溝部33Aを設けることで、隣接する端子
電極間の沿面距離を長くすることができ、ノイズの影響
を抑制できる効果も有する。
【0056】また、本実施の形態においては、端子電極
28、30を異方性導電接着剤又は異方性導電膜で接着
することを前提として、溝部33Aの深さを、導電性粒
子の粒子径との関係で特定した例を示したが、別の溝部
33Aの深さの決定方法として、溝幅との関係で決定す
るようにしてもよい。例えば、溝幅が広い場合には、溝
深さが浅くても空間の体積は大きくなるので溝深さは浅
くてよい。逆に、溝幅が狭い場合には、空間体積を大き
く取るために溝深さを深くする必要がある。そして、溝
部33Aの深さの目安として、溝幅の5%〜150%程
度が考えられる。なお、溝深さを深くしすぎると端子部
が倒れやすくなり強度的に問題が生ずる。そこで、強度
面及び製作性を考慮すると、溝幅の25%程度が最も好
ましい。
【0057】ところで、端子電極28が形成される接続
対象物26としては、例えば、基板上に微細な運動機構
部が形成され、この運動機構部に電圧の印加をするため
の微細配線が引き出されたマイクロマシンがある。そし
てマイクロマシンの例としては、圧電素子を用いた圧電
アクチュエータ、静電振動子を用いた静電アクチュエー
タなどがある。なお、これらの具体例については後述の
実施の形態で詳細に説明する。
【0058】次に、上述した狭ピッチコネクタの製造方
法について説明する。図8は狭ピッチ用コネクタ20を
多数形成したシリコンウェハ45の平面図である。図8
に示されるように、狭ピッチ用コネクタ20はシリコン
ウェハ45上に格子状に多数形成される。そして、隣接
する狭ピッチ用コネクタ20相互の間にはダイシングラ
インに沿って溝45aが形成されている。この溝45a
の中央部に沿ってダイシングすることで、狭ピッチ用コ
ネクタ20を形成している。なお、ダイシングされたと
きに溝45aが狭ピッチ用コネクタ20の段差部29に
なる。
【0059】図9〜図12はシリコンウェハ45に配
線、端子間の溝、及び溝45aを形成する工程の説明図
であり、図8におけるC−C断面の一部を示している。
以下、図9〜図12に基づいて形成工程を説明する。な
お、図中、39はダイシングラインを示している。ま
ず、図9(a)に示すようにシリコンウェハ45の表面
を洗浄した後は、図9(b)に示すようにその表面にフ
ォトレジスト膜37を塗布する。そしてフォトレジスト
膜37を塗布した後、図9(c)に示すようにフォトリ
ソグラフィーによってパターニングを行い、溝部33
A,45aを形成する部分のフォトレジスト膜37を除
去する。
【0060】その後、フォトレジスト膜37をマスクと
して、KOH水溶液やエチレンジアミン水溶液等のエッ
チング液を用いてシリコンウェハ45の表面に異方性エ
ッチングを施す。
【0061】なお、この例では表面の結晶面が(10
0)面からなる単結晶シリコンウェハを用いている。結
晶面が(100)面となる単結晶シリコンを用いれば、
その表面に異方性エッチングを施すことにより側壁が
(100)面と54.74度をなす溝部33A,45a
を形成することができる。なお溝部33Aの深さは、エ
ッチング幅すなわち露光マスクの開口部の幅寸法により
正確に制御することができる。すなわち、端子電極間の
溝部33Aの深さはエッチングが進行して溝部の断面形
状がV字になった状態で停止する。一方、溝部45aに
ついては所望の深さ、例えば表面に付着すると予想され
る塵埃の大きさ(長さ)や、半導体装置23の実装に用
いられる半田あるいは導電性接着剤の粘性および量によ
って規定される深さになった時点でエッチングを停止す
る。溝部33A,45aを形成した状態を図10(d)
に示す。
【0062】溝部33A,45aを形成した後は、図1
0(e)に示すように単結晶シリコン板33の表面から
フォトレジスト膜37を除去し、その後、図10(f)
に示すように単結晶シリコン板33の溝部33A,45
aを含む表面にSiO2からなる絶縁膜31を形成す
る。絶縁膜31の厚みは5000〜20000オングス
トローム程度とし、CVD法によって堆積したBPSG
(Boron−Phospho−Silicate G
lass)によって形成したり、あるいはドライ熱酸化
またはウェット熱酸化等を用いて形成する。
【0063】このようしてシリコンウェハ45の表面に
絶縁膜31を形成した後は、シリコンウェハ45を圧力
2〜5mTorr、温度150〜300℃のアルゴン雰
囲気中に配置し、Al−Cu、Al−Si−Cu、Al
−Si、Ni、Cr、Auなどをターゲットとし、DC
9〜12kWの入力電力でスパッタを行い、これらのタ
ーゲットと同じ組成を有する金属配線24A,24Bを
形成するための金属膜41を200〜20000オング
ストローム堆積する。金属膜41の形成後の状態を図1
1(g)に示す。なお、Crを下地としAuを1000
オングストローム程堆積させて金属膜41を形成しても
よい。
【0064】こうして絶縁膜31の表面に金属膜41を
形成した後は、図11(h)に示すように、金属膜41
の上にフォトレジスト膜37を塗布する。その後は、フ
ォトリソグラフィーによってパターニングを行い、図1
1(i)に示すように、金属配線24A,24Bを形成
する部分以外のフォトレジスト膜を除去する。さらに、
フォトレジスト膜37をマスクとして金属膜41をエッ
チングして、図12(j)に示すように、シリコンウェ
ハ45の表面に金属配線24A,24B(図中は24B
のみ表示)を形成し、金属配線24A,24Bの上のフ
ォトレジスト膜を除去する。
【0065】フォトレジスト膜を除去した後、半導体装
置23の電極を金属配線24A,24Bに対して位置合
わせし、異方性導電膜によって両者を電気的に接続す
る。なお、この接続は半田等を用いた合金接合や、端子
電極の金属同士を圧着する金属接続によって接合するこ
ともできる。半導体装置23を実装した後、溝部45a
に設定されたダイシングライン39に沿って図示しない
カッタによってダイシングし、図12(k)に示すよう
に、隣接する狭ピッチ用コネクタを切り離してチップ状
にする。なお、溝部45aにおける底面の幅寸法はカッ
タの厚み寸法より大きく設定されているので、ダイシン
グライン39に沿ってカッタを通過させてもカッタの両
側に段差部29が形成される。
【0066】この例では溝部45aの断面形状を逆台形
になるようにしたので、狭ピッチ用コネクタ20をチッ
プ状に切り出した際に、図12(k)に示すように、狭
ピッチ用コネクタ20の周囲の傾斜面に絶縁膜31が形
成されているので、ダイシングの際に発生する塵埃や汚
れを除去しやすい。
【0067】なお、本実施の形態1においては、溝部4
5aを狭ピッチ用コネクタ20の全周(4辺)に形成し
たが、溝部33Aが形成された側の一辺にのみ形成する
ようにしてもよいし、あるいは狭ピッチ用コネクタ20
の形態によっては、長手方向の両側縁部のみに設けるよ
うにしてもよい。また、半導体装置23はシリコンウェ
ハをダイシングしてチップ状にした後で実装してもよ
い。
【0068】実施の形態2.上記の実施の形態1におい
ては、各端子間の溝部33Aには金属膜41を全く残さ
ないものを示したが、溝部に金属膜41を残すようにし
てもよい。溝部に金属膜41を残すためには、図11
(h)に示したように、レジスト膜37を塗布した後、
図13(a)に示すように、溝底にレジスト膜37が残
るように露光調整してパターニングする。溝底にレジス
ト膜37を残した状態でエッチングすることによって、
図13(b)に示すように溝部33Aの底に金属膜41
を残すことができる。
【0069】なお、溝が深い場合には、図11(h)で
示すレジスト膜37を塗布する際に、スプレーレジスト
か、電着レジストでレジストを塗布し、プロジェクショ
ン露光してパターニングするようにすればよい。このよ
うにすることで、短絡や、断線等の不良・欠陥が少な
く、品質の良い基板ができる。溝部33Aの底に金属膜
41を残すことによって、接続対象物と狭ピッチ用コネ
クタとを接着する際の接着強度を高めることができる。
接着強度を高めることで、耐湿性の良い接続を実現でき
る。
【0070】上記の例では、狭ピッチ用コネクタ20の
周縁部となる溝部45a内の金属膜41についてはその
全てを除去するようにした。しかし、溝部45aに金属
膜41を残すようにしてもよい。溝部45aに金属膜4
1を残すと、ダイシングした後では、段差部29に金属
膜41が残り、狭ピッチ用コネクタ20の周囲を囲むよ
うになる。このようにすることによって、空気中の静電
気をこの金属膜41に帯電させ、狭ピッチ用コネクタ2
0の金属配線24A,24Bに帯電するのを防止でき
る。また、静電気を蓄積した人や、あるいは静電気を蓄
積した金属が、狭ピッチコネクタ20に接触することに
より移動する静電気を金属膜41に帯電させ、直接半導
体装置23または金属配線24A,24Bに静電気が帯
電するのを防止することができる。これによって、金属
配線24A,24Bの溶断を防止できる。
【0071】なお、溝部45aに金属膜41を残すに
は、図13(a)に示したフォトレジスト膜37のパタ
ーニングの際に、溝部45aにもフォトレジスト膜37
を残すようにすればよい。
【0072】また、溝部45aの金属膜41を、溝部4
5aの中央部のダイシングラインを除く部分に形成する
ようにしてもよい。このようにすることで、溝部45a
の底全体に金属膜41を残した場合に比較してダイシン
グマシンの刃に用いられるダイヤモンド刃への金属の付
着や、回転するダイシングブレードと呼ばれる薄い砥石
への金属の目詰まりなどを防止することが可能となり、
カッタの寿命を長くすることができる。
【0073】実施の形態3.上記実施の形態1,2にお
いては、各電極間の溝部33Aが絶縁膜31によって単
結晶シリコン基板33と完全に絶縁されているものを示
したが、この実施の形態3では、溝部33Aの底に金属
膜41を残すと共にこの金属膜41と単結晶シリコン基
板33を導通させ、さらに溝部33Aの金属膜41をグ
ランド配線部(負電極)又は電源配線部(正電極)に結
線するようにしたものである。
【0074】このようにすることで、単結晶シリコン基
板33をグランド配線部(負電極)又は電源配線部(正
電極)の電位に等しくすることができ、単結晶シリコン
基板33の電位を安定化させることができる。さらに、
溝部33Aに形成した金属膜41と単結晶シリコン基板
33との密着性を向上し、オーミックコンタクトを向上
するために、金属膜41形成後に適宜、加熱したり、あ
るいは使用する単結晶シリコン基板33の抵抗率を0.3
Ωcm以下にすることもできる。このようにすることによ
って、微細配線部のラインノイズによる素子の誤作動を
防止することが可能となる。さらに、静電遮蔽の作用で
輻射ノイズを低減することもできる。
【0075】以下、溝部33Aの底に金属膜41を残す
と共にこの金属膜41と単結晶シリコン基板33とを導
通させた狭ピッチ用コネクタの製造方法について説明す
る。実施の形態1を説明した図10(f)に示したよう
に単結晶シリコン基板33に溝部33A,45aを形成
すると共に、絶縁膜31を形成した後、フッ素によるエ
ッチングにより、図14(a)に示すように、溝部33
Aの底の絶縁膜31を一部除去する。この状態で、図1
4(b)に示すように、金属膜41を堆積させ、次に、
レジスト膜37を塗布して、図14(c)に示すような
パターニングを行う。この状態でエッチングすること
で、図15(d)に示すように、溝部33Aの底に金属
膜41を残すと共にこの金属膜41と単結晶シリコン基
板33とを導通させることができる。
【0076】なお、溝部45aの底に金属膜41を残
し、この金属膜41を単結晶シリコン板基33と導通せ
るようにしてもよい。このようにすることで、組立ライ
ンにおいては基板22を把持する装置を接地し、あるい
は組立後においては単結晶シリコン基板33にアースを
とることで溝部45aの金属膜41に静電気を帯電させ
ると共に帯電した静電気を流すことができるので、より
確実に静電気が狭ピッチ用コネクタ20の金属配線24
A,24Bに帯電するのを防止できる。
【0077】上記実施の形態1〜3に示した狭ピッチ用
コネクタ20は、全て溝部33Aに絶縁膜31を形成す
るものであるが、溝部33Aに絶縁膜31が形成されな
いものであってもよい。部33Aに絶縁膜31が形成
されていなくても、溝部33Aが形成されていれば余分
な異方性導電接着剤の溜まり場となり、隣り合う端子電
極の間で短絡が生じるのを防止することができる。
【0078】実施の形態4.図16は実施の形態4の狭
ピッチ用コネクタの説明図である。図において、実施の
形態1と同一部分又は相当する部分には同一の符号を付
している。本実施の形態の狭ピッチ用コネクタ55は、
図16に示すように、端部に設ける溝部56を、コネク
タの端部まで延出させないようにしたものである。そし
て、図17に示すように、溝部56の長さを接続範囲L
よりも長くなるように設定したものである。
【0079】このように、溝部56の長さを接続範囲L
よりも長く設定したことの効果について以下に説明す
る。溝部56の長さが接続範囲Lよりも短く設定した場
合には、接続対象物26と狭ピッチ用コネクタ55で囲
まれた部分が閉じた空間となる。そのため、図18に示
すように、異方性導電接着剤40を塗布して接続対象物
26と狭ピッチ用コネクタ55Aの接合時に空気を巻き
込み気泡57が内部に残留する可能性がある。そして、
この残留した気泡57が環境変化(温度変化)によっ
て、膨張収縮することになり、接続状態に悪影響を与え
ることがある。
【0080】また、空気の巻き込みがないとしても、異
方性導電接着剤40の排出が不完全な場合には、図19
(a)に示すように、溝部56Aに内圧が残留し、この
内圧が接着剤の硬化後に接着を剥がす方向に作用するこ
とがある。このため、図19(b)に示すように、接合
部に介在する導電粒子38と両端子電極30,28の接
着が悪くなることがある。このように、溝部56Aの長
さが接続範囲Lよりも短く設定されてた場合には、気泡
57や内圧の影響で接続が不完全になるという問題があ
る。
【0081】これに対して、溝部56の長さを接続範囲
Lよりも長くなるように設定した場合には、図20
(a)(b)に示すように、接続対象物26と狭ピッチ
用コネクタ55で囲まれた部分が閉じた空間にならない
ので、空気を巻き込みにくく、また余分な異方性導電接
着剤40は確実に押し出される。したがって、残留する
気泡による悪影響が生じにくい。また、余分な異方性導
電接着剤40が押し出されて内圧が残ることがないの
で、異方性導電接着剤40が硬化したときには、図21
(a)に示すように、硬化収縮が起こり端子電極間の接
着をより強固にする。そして、このとき、接合部に導電
粒子38が介在していた場合には、図21(b)に示す
ように、導電粒子38と両端子電極30,28との接着
を良くする方向に作用するので電気的接続が確実に行わ
れる。
【0082】実施の形態5.図22は本発明の実施の形
態5に係る静電アクチュエータ59の構造を示す説明図
である。図22に示す静電アクチュエータ59はインク
ジェットプリンタにおけるインクジェットヘッドに用い
られるものであり、マイクロマシニング技術による微細
加工により形成された微小構造のアクチュエータであ
る。そして、本実施の形態5のインクジェットヘッド
は、フェイスイジェクトタイプのインクジェットヘッド
本体部60と、これに外部配線を行うためのコネクタ部
88を個別に製作して、これらを接続したものである。
なお、図22においては、コネクタ部88に、コネクタ
部88と外部配線を中継するためのフレキシブル基板5
8を接続した状態を示している。
【0083】インクジェットヘッド本体部60は、図2
2に示すように、シリコン基板70を挟み、上側に同じ
くシリコン製のノズルプレート72を有するとともに、
下側にはホウ珪酸ガラス製のガラス基板74がそれぞれ
積層された3層構造になっている。ここで中央のシリコ
ン基板70には、独立した複数のインク室76と、この
複数のインク室76を結ぶ1つの共通インク室78と、
この共通インク室78と各インク室76に連通するイン
ク供給路80として機能する溝が設けられている。そし
て、これらの溝がノズルプレート72によって塞がれる
ことによって、各部分が区画形成されてインク室76あ
るいは供給路80になっている。
【0084】また、シリコン基板70の裏側には、各イ
ンク室76に対応して独立した複数の22(a)が設け
られ、この凹部がガラス基板74によって塞がれること
によって、図19中に寸法qで示す高さを有する振動室
71が形成されている。そして、シリコン基板70にお
ける各インク室76と振動室71の隔壁は、弾性変形可
能な振動子となる振動板66になっている。ノズルプレ
ート72には、各インク室76の先端部に対応する位置
にノズル62が形成され各インク室76に連通してい
る。なお、シリコン基板70に設ける溝、ノズルプレー
ト72に設けるノズル62は、マイクロマシニング技術
による微細加工技術を用いて形成する。
【0085】振動板66およびガラス基板74上には、
それぞれ対向する対向電極90が設置されている。な
お、シリコン基板70と対向電極90とで形成される微
細な隙間は、封止部84によって封止されている。ま
た、それぞれのガラス基板74上の対向電極90は、図
中左側の端部側に引き出され、端子電極86を形成して
いる。そして、端子電極86に実施の形態1〜4に示し
た方法により別途製作した狭ピッチ用コネクタ88が接
続され、コネクタ部を有するインクジェットヘッドにな
る。なお、上記のように構成される各インクジェットヘ
ッド本体部60は、ウェハ状態で複数個製造され、それ
をダイシングラインに沿って切断するようにして製造さ
れる。そして、ダイシングした後に、別途製造した狭ピ
ッチ用コネクタ88を各インクジェットヘッド本体部6
0に接続するようにしている。ここで用いている狭ピッ
チ用コネクタ88においては、端子電極86が形成され
ている側の一辺(縁部)にのみ絶縁膜が形成されてお
り、その他の3辺(縁部)には形成されていない。しか
し、これに限らず、絶縁膜がその他の3辺、あるいは端
子電極の形成された2辺に形成されていてもよい。
【0086】上記のように構成されたインクジェットヘ
ッド本体部60の動作を説明する。共通インク室78に
は図示しないインクタンクから、インクがインク供給口
82を通り供給される。そして、共通インク室78に供
給されたインクは、インク供給路80を通り、各インク
室76に供給される。この状態において、対向電極に電
圧を印加すると、それらの間に発生する静電気力によっ
て振動板66はガラス基板74側に静電吸引され振動す
る。この振動板66の振動によって、発生するインク室
76の内圧変動により、ノズル62からインク液滴61
が吐出される。
【0087】以上のように、本実施の形態においては、
インクジェットヘッド本体部60と、狭ピッチ用コネク
タ88とを別々に製作して、これらを接合するようにし
ているので、次のような効果が得られる。インクジェッ
トヘッド本体部60は、前述したように、ガラス基板7
4、シリコン基板70及びノズルプレート72をウェハ
状態で積層して製造する。そして、外部との電気接続を
行う端子電極86は、ガラス基板74に形成され、シリ
コン基板70及びノズルプレート72より外方に延出し
ている。したがって、積層する際には、端子電極86の
対向位置に配置されるシリコン基板70又はノズルプレ
ート72を形成したウェハは利用されないことになる。
【0088】仮に、インクジェットヘッド本体部60自
体で外部基板との電気的接続が可能になるようにすると
すれば、ガラス基板74に外部との配線が可能な大ピッ
チの端子電極を設ける必要があり、端子電極86はかな
り大きなものになる。ガラス基板74に大きな端子電極
86を形成すると、この端子電極86に対向する位置に
配置されるシリコン基板70又はノズルプレート72が
形成されたウェハが利用されず、大面積のウェハが無駄
になってしまう。しかも、シリコン基板70には非常に
薄い振動板66(約1μm)を形成するため、純度の高
い高価なシリコン結晶板を用いる必要がある。このよう
な、高価なシリコン結晶板が無駄になってしまうことは
製品のコストに大きく影響する。
【0089】これに対して、本実施の形態によれば、イ
ンクジェットヘッド本体部60の端子部を小さく製作で
きるので、高価なシリコン基板を無駄にすることがな
い。しかも、狭ピッチ用コネクタ88を形成するシリコ
ン基板は、振動板66を形成するもののように高純度で
ある必要がないので、装置全体のコストを低く抑えるこ
とができる。
【0090】実施の形態6.図23は本実施の形態の圧
電アクチュエータの説明図である。圧電アクチュエータ
91は、両側に外部電極93a,93bが形成された圧
電振動子93と、この圧電振動子93を保持する保持部
材95とを備えている。保持部材95には、突起部97
が形成されており、圧電振動子93は突起部97の接合
領域Aで保持部材95に接合されている。圧電振動子9
3の外部電極93a,93b(図中太線で示した部分)
は、圧電振動子93の両側面から第1の面93cの中程
までそれぞれ延長されている。
【0091】また、保持部材95に形成される太線で示
す電極95a、95bも、両外縁から突起部97の中程
まで延長されている。そして、圧電振動子93と保持部
材95を突起部97に設定した接合領域Aで剛体的に接
合するとともに、圧電振動子93の外部電極93a、9
3bと保持部材の電極95a、95bとを接続し、これ
らを導通させる。さらに保持部材95の電極95a、9
5bには、狭ピッチ用コネクタ20が接続され、狭ピッ
チ用コネクタ20を介して外部からの信号が圧電アクチ
ュエータ91に入力される。
【0092】そして、このように狭ピッチ用コネクタ2
0を別に設けることで、圧電アクチュエータ91におけ
る端子電極部が占有する面積を最小限に抑えることがで
き、圧電アクチュエータ91そのものを小型に製造する
ことができるとともに、1枚のウェハから多数の圧電ア
クチュエータ91を製造することができ、製造コストを
低減することができる。
【0093】実施の形態7.図24は図23に示した圧
電アクチュエータ91を用いたインクジェットヘッド9
8を示す概念図である。流路形成部材103と振動板1
05により形成されたインク流路99の先端に、ノズル
101を配するノズルプレート107が接合されてお
り、その反対側の端にはインク供給路108が配されて
いる。そして、圧電アクチュエータ91を、機械的作用
面93dと振動板105が接するように設置し、インク
流路99と対面するように配している。そして、圧電振
動子93の両側の外部電極93a,93bが保持部材の
電極95a、95bと接続され、保持部材95の電極9
5a、95bが狭ピッチ用コネクタ20を介して外部か
らの信号が圧電アクチュエータ91に入力される。
【0094】この構成において、インク流路99内(ノ
ズル101先端まで)にインクを充填し、前記圧電アク
チュエータ91を駆動すると、機械的作用面93dは、
高効率な膨張変形とたわみ変形を同時に発生させ、図2
4中の上下方向の非常に大きな実効変位を得る。この変
形により、振動板95は図中の点線で示すように機械的
作用面93dに対応して変形し、インク流路99内に大
きな圧力変化(体積変化)を生じさせる。この圧力変化
により、ノズル101から図中の矢印方向にインク滴が
吐出すが、その高効率な圧力変化により、インク吐出も
非常に効率的である。
【0095】以上のように、狭ピッチ用コネクタ20を
別に設けることで、圧電アクチュエータ91における配
線端子が占有する面積を最小限に抑えることができるの
で、インクジェットヘッド98そのものを小型化でき
る。
【0096】実施の形態8.実施の形態8に係るインク
ジェットヘッド98は、図25に示されるようにキヤリ
ッジ111に取り付けられて使用される。キヤリッジ1
11は、ガイドレール113に移動自在に取り付けら
れ、ローラー115により送り出される用紙117の幅
方向にその位置が制御される。この図25の機構は図2
6に示されるインクジェットプリンタ119に装備され
る。なお、このインクジェットヘッド98はラインプリ
ンタのラインヘッドとして搭載することもできる。その
場合にはキヤリッジ111は不要となる。
【0097】また、ここでは圧電アクチュエータ91を
用いて、エッジ方向へインク滴が吐出すタイプのインク
ジェットヘッド98およびそれを用いたインクジェット
プリンタを例に挙げて説明したが、前述の実施の形態5
で示した静電アクチュエータを用いてインク滴をフェイ
ス面側からが吐出すタイプのインクジェットヘッド60
を使用した場合も同様の構成となる。
【0098】実施の形態9.図27は本実施の形態9に
係る他の例として光変調装置を示す要部の組立分解斜視
図である。この光変調装置は、大別してシリコン基板1
40、ガラス基板150及びカバー基板170から構成
される。シリコン基板140は、マトリクス上に配列さ
れた複数の微小ミラー141を有する。この複数の微小
ミラー141の内、一方向例えば図27のX方向に沿っ
て配列された微小ミラー141は、トーションバー14
3にて連結されている。
【0099】さらに、複数の微小ミラー141が配置さ
れる領域を囲んで枠状部145が設けられている。この
枠状部145には、複数本のトーションバー143の両
端がそれぞれ連結されている。また微小ミラー141
は、トーションバー143との連結部分の周囲にスリッ
トが形成されて、このスリットを形成することで、トー
ションバー143の軸線周り方向への傾き駆動が容易に
なっている。さらに微小ミラー141の表面には、反射
層141aが形成されている。そして、微小ミラー14
1が傾斜駆動されることで、この微小ミラー141に対
して入射する光の反射方向が変化する。そして、所定反
射方向に向けて光を反射させる時間を制御することで、
光の変調を行うことができる。この微小ミラー141を
傾斜駆動するための回路がガラス基板150に形成され
ている。
【0100】ガラス基板150は、中央領域に凹部15
1を有し、その周囲に立ち上げ部153を有する。立ち
上げ部153の一辺は切り欠かれて電極取出口155と
され、この電極取出口155の外側には、凹部151と
連続する電極取出板部157が形成されている。またガ
ラス基板150の凹部151には、X方向で隣り合う2
つの微小ミラー141間のトーションバー143と対向
する位置にて、凹部151より突出形成され、立ち上げ
部153の天面と同じ高さを有する多数の支柱部159
を有する。
【0101】さらに、ガラス基板150の凹部151及
び電極取出板部157上には、配線パターン部161が
形成されている。この配線パターン部161は、トーシ
ョンバー143を挟んだ両側の微小ミラー141の裏面
と対向する位置に、それぞれ第1,第2のアドレス電極
163,165を有する。そして、Y方向に沿って配列
された第1のアドレス電極163は第1の共通配線16
7に共通接続されている。同様に、Y方向に沿って配設
された第2のアドレス電極165は、第2の共通配線1
69に共通接続されている。
【0102】前記構造を有するガラス基板150の上
に、シリコン基板140が陽極接合される。このとき、
シリコン基板140のトーションバー143の両端部及
び枠状部145と、ガラス基板150の立ち上げ部15
3とが接合される。さらに、シリコン基板140のトー
ションバー143の中間部と、ガラス基板150の支柱
部159とが陽極接合される。さらにその後、シリコン
基板140の枠状部145上に、カバー基板170が接
合される。そして、枠状部145と連結されていた各々
のトーションバー143の両端部が、枠状部145から
切り離される位置にてダイシングされる。さらに、ガラ
ス基板150の立ち上げ部153に切り欠き形成された
電極取出口155を含む周縁部が、封止材により封止密
閉され、光変調装置が完成する。
【0103】そして、完成した光変調装置の第1の共通
配線167と第2の共通配線169には、前述の実施の
形態6〜8と同様に、本発明に係る狭ピッチ用コネクタ
を介して、駆動ICを搭載したテープキャリアパッケー
ジ等の可撓性基板と接続され、外部からの信号が光変調
装置入力される。そして、このように狭ピッチ用コネク
タを別に設けることで、ガラス基板150における配線
端子が占有する面積を最小限に抑えることができ、光変
調装置そのものを小型に製造することができる。
【0104】実施の形態10.図28は本発明の実施の
形態10に係る液晶パネルの一例を示す説明図であり、
アレイ工程とセル工程が終了し、モジュール工程の段
階、つまり液晶セルを電気的に制御できるように駆動系
の電子回路などを取り付ける前の状態を示してある。す
なわち、液晶パネル180は、液晶セル181と、狭ピ
ッチ用コネクタ182と、駆動IC183を搭載したテ
ープキャリアパッケージ184とを備えている。なお、
この例の狭ピッチ用コネクタ182は、実施の形態1の
狭ピッチ用コネクタ20と異なり、配線パターンのみが
形成され、ドライバIC等の半導体装置は搭載されてい
ない。しかし、その他の構成は基本的に狭ピッチ用コネ
クタ20と同様であり、狭ピッチの端子186の各端子
間には溝部(図示なし)が形成されると共に、周縁部に
は絶縁層を有する段差部189が形成されている。
【0105】液晶セル181は、2枚の例えば基板18
1a,181b間に液晶材料を注入し、封じ込めたもの
で、一方の基板181a(図28中で上側に位置する基
板)上に、画素電極、画素電極に接続してなる薄膜トラ
ンジスタ、薄膜トランジスタのソース、ゲートに電気的
に接続してなるソース線、データ線などが形成され、他
方の基板181b(図28中で下側に位置する基板)上
に、例えば対向電極、カラーフィルタなどが配置されて
いる。そして、モジュール工程で、液晶セル181に形
成された端子電極185と、狭ピッチ用コネクタ182
の狭ピッチの端子電極186とが重ね合わされ、あるい
はこれらの端子電極185と狭ピッチの端子27aとが
導電性部材を挟んで重ね合わされ、加圧と加熱により接
続される。
【0106】また狭ピッチ用コネクタ182の狭ピッチ
の端子186の他方から拡大延出する配線パターンの末
端の端子電極187がテープキャリアパッケージ184
の端子188と接続され、これによって端子電極185
と駆動IC183とが導通されるようになっている。こ
の例においても、前述の実施の形態と同様に、狭ピッチ
側の端子間に溝部を有すると共に周縁部に絶縁層を有す
る段差部189を備えた狭ピッチ用コネクタ182を用
いることで、接合時の短絡を防止でき、液晶パネルその
ものの信頼性を向上できる。
【0107】以上の他、携帯電話機の液晶パネルと外部
配線との接続部に狭ピッチ用コネクタを利用することが
考えられる。これにより、液晶パネルの画素ピッチを小
さくして高精細にすることが可能になれば、小型であり
ながらも見やすい表示部を備えた携帯電話機が実現でき
る。また他の例として、マイクロポンプと外部配線との
接続部に狭ピッチ用コネクタを利用することも考えられ
る。このように狭ピッチ用コネクタを別に設けること
で、マイクロポンプそのものを小型化することができ
る。
【0108】
【発明の効果】本発明においては、コネクタの第1の端
子電極の間に溝部を形成したことにより、各電極間のピ
ッチが微小になった場合であっても、接続に際して端子
電極間に生じる短絡を防止できる。また、隣接する端子
電極間の沿面距離を長くすることができ、ノイズの影響
を抑制できる。さらに、少なくとも基板の縁部に絶縁膜
を形成したので、基板の縁部に導電性の塵埃が付着て
も、縁部に形成された絶縁層に遮られて結晶面に届かな
い。よって、短絡することがない。
【図面の簡単な説明】
【図1】 図1は本発明の実施の形態1に係る狭ピッチ
用コネクタと、このコネクタが接続される接続対象物の
端子部分を示した正面図である。
【図2】 図2(a)(b)は本発明の実施の形態1に
係る狭ピッチ用コネクタにおける縁部の側面拡大図であ
る。
【図3】 図3は本発明の実施の形態1に係る狭ピッチ
用コネクタを用いた接続方法の説明図である。
【図4】 図4は図3におけるd部の拡大図である。
【図5】 図5(a)(b)は本発明の実施の形態1に
係る狭ピッチ用コネクタを用いた接続方法の説明図であ
る。
【図6】 図6は本発明の実施の形態1に係る狭ピッチ
用コネクタの溝部に溜められた接着剤の状態を示す拡大
図である。
【図7】 図7(a)(b)は本発明の実施の形態1に
係る狭ピッチ用コネクタにおける縁部の断面拡大図であ
る。
【図8】 図8は本発明の実施の形態1に係る狭ピッチ
用コネクタを多数形成したシリコンウェハの平面図であ
る。
【図9】 図9は本発明の実施の形態1に係る狭ピッチ
用コネクタの製造工程(その1)の説明図である。
【図10】 図10は本発明の実施の形態1に係る狭ピ
ッチ用コネクタの製造工程(その2)の説明図である。
【図11】 図11は本発明の実施の形態1に係る狭ピ
ッチ用コネクタの製造工程(その3)の説明図である。
【図12】 図11は本発明の実施の形態1に係る狭ピ
ッチ用コネクタの製造工程(その4)の説明図である。
【図13】 図13は本発明の実施の形態2に係る狭ピ
ッチ用コネクタの製造工程の要部の説明図である。
【図14】 図14は本発明の実施の形態3に係る狭ピ
ッチ用コネクタの製造工程(その1)を示した工程説明
図である。
【図15】 図15は本発明の実施の形態3に係る狭ピ
ッチ用コネクタの製造工程(その2)を示した工程説明
図である。
【図16】 図16は実施の形態4の狭ピッチ用コネク
タの一部を拡大して示す斜視図である。
【図17】 図17は実施の形態4の狭ピッチ用コネク
タの接続範囲の説明図である。
【図18】 図18は実施の形態4の狭ピッチ用コネク
タが解決する課題の説明図である。
【図19】 図19(a)(b)は実施の形態4の狭ピ
ッチ用コネクタが解決する課題の説明図である。
【図20】 図20(a)(b)は実施の形態4の作用
の説明図である。
【図21】 図21(a)(b)は実施の形態4の作用
の説明図である。
【図22】 図22(a)(b)は本発明の実施の形態
5に係る静電アクチュエータの構造を示す説明図であ
る。
【図23】 図23は本実施の形態6に係る圧電アクチ
ュエータの説明図である。
【図24】 図24は本実施の形態7に係るインクジェ
ットヘッドの説明図である。
【図25】 図25は本実施の形態8に係るインクジェ
ットプリンタの内部の説明図である。
【図26】 図26は本実施の形態8に係るインクジェ
ットプリンタの外観図図である。
【図27】 図27は本実施の形態9に係る他の例とし
ての光変調装置の説明図である。
【図28】 図28は本実施の形態10に係る液晶パネ
ルの説明図である。
【符号の説明】
20 狭ピッチ用コネクタ 23 半導体装置 26 接続対象物 29 段差部 30 第1端子電極 31 絶縁膜 32 第2端子電極 33A 溝部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小枝 周史 長野県諏訪市大和3丁目3番5号 セイコ ーエプソン株式会社内 Fターム(参考) 2C056 EA23 FA04 HA53 2C061 AQ05 BB17 CG03 CG11 5E051 BA06 BB01 5E077 BB23 BB24 BB28 BB31 CC02 DD04 GG29 JJ18

Claims (24)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の第1端子電極と複数の第2端子電
    極が基板上に形成されてなり、前記第1端子電極と前記
    第2端子電極間のピッチを変換する機能を有するコネク
    タであって、 前記各第1端子電極間に溝部を有すると共に、少なくと
    も前記基板の縁部に絶縁膜を有することを特徴とするコ
    ネクタ。
  2. 【請求項2】 前記基板上に半導体装置が実装されてな
    ることを特徴とする請求項1記載のコネクタ。
  3. 【請求項3】 前記基板上に前記絶縁膜を有し、前記絶
    縁膜上に前記半導体装置と前記第1端子電極及び前記第
    2端子電極とを接続する配線を有することを特徴とする
    請求項2記載のコネクタ。
  4. 【請求項4】 前記第1端子電極間のピッチは前記第2
    端子電極間のピッチより狭く、かつ前記第1端子電極数
    は前記第2端子電極数より多いことを特徴とする請求項
    1乃至3のいずれかに記載のコネクタ。
  5. 【請求項5】 前記絶縁膜は、少なくとも前記溝部を有
    する側の縁部に形成されてなることを特徴とする請求項
    1乃至4のいずれかに記載のコネクタ。
  6. 【請求項6】 前記縁部は傾斜部を有することを特徴と
    する請求項1乃至5のいずれかに記載のコネクタ。
  7. 【請求項7】 前記縁部は段差部を有することを特徴と
    する請求項1乃至6のいずれかに記載のコネクタ。
  8. 【請求項8】 前記溝部に前記絶縁膜を有することを特
    徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載のコネクタ。
  9. 【請求項9】 前記溝部には、前記絶縁膜の上に金属膜
    が形成されてなることを特徴とする請求項8記載のコネ
    クタ。
  10. 【請求項10】 前記金属膜は前記基板に接続されてな
    り、且つグランド配線部または電源配線部に接続されて
    なることを特徴とする請求項9記載のコネクタ。
  11. 【請求項11】 前記第1端子電極は接続対象物に形成
    されてなる外部端子電極と電気的に接続するための電極
    であり、前記溝部は前記第1端子電極と前記外部端子電
    極とを接続するための接着剤を溜める機能を有すること
    を特徴とする請求項1乃至10のいずれかに記載のコネ
    クタ。
  12. 【請求項12】 前記溝部の深さは前記接着剤に含まれ
    る導電性粒子の粒子径の3倍以上に設定されてなること
    を特徴とする請求項11記載のコネクタ。
  13. 【請求項13】 前記第1端子電極は接続対象物に形成
    されてなる外部端子電極と電気的に接続するための電極
    であって、 前記溝部は、前記第1端子電極と前記外部端子電極とが
    重ね合わせられる部分の長さよりも長いことを特徴とす
    る請求項1乃至10のいずれかに記載のコネクタ。
  14. 【請求項14】 前記基板の熱膨張係数は、前記接続対
    象物の熱膨張係数に略等しい、または前記接続対象物の
    熱膨張係数より小さい特性を有することを特徴とする請
    求項1乃至13のいずれかに記載のコネクタ。
  15. 【請求項15】 前記基板は単結晶シリコンにより形成
    されてなることを特徴とする請求項1乃至14のいずれ
    かに記載のコネクタ。
  16. 【請求項16】 前記単結晶シリコンの結晶面が(10
    0)面であることを特徴とする請求項15に記載のコネ
    クタ。
  17. 【請求項17】 前記単結晶シリコンの結晶面が(11
    0)面であることを特徴とする請求項15に記載のコネ
    クタ。
  18. 【請求項18】 請求項1乃至17のいずれかに記載の
    コネクタを備えてなるインクジェットヘッドであって、 インク液滴を吐出させるための圧電振動子を含む圧電ア
    クチュエータを有し、前記圧電振動子と接続された配線
    部を有する基板における端子電極に前記コネクタが接続
    されてなることを特徴とするインクジェットヘッド。
  19. 【請求項19】 請求項1乃至17のいずれかに記載の
    コネクタを備えてなるインクジェットヘッドであって、 インク液滴を吐出させるための静電振動子を含む静電ア
    クチュエータを有し、前記静電振動子と対向して配置さ
    れる駆動電極部を有する基板における端子電極に前記コ
    ネクタが接続されてなることを特徴とするインクジェッ
    トヘッド。
  20. 【請求項20】 請求項18又は19のインクジェット
    ヘッドを備えてなることを特徴とするインクジェットプ
    リンタ。
  21. 【請求項21】 請求項1乃至17のいずれかに記載の
    コネクタを備えてなる表示装置であって、表示装置の表
    示素子が形成された基板に前記コネクタが接続されてな
    ることを特徴とする表示装置。
  22. 【請求項22】 請求項1乃至17のいずれかに記載の
    コネクタを備えてなる電子機器であって、小型回路部品
    を形成した基板に前記コネクタが接続されてなることを
    特徴とする電子機器。
  23. 【請求項23】 複数の第1端子電極と複数の第2端子
    電極がシリコン基板上に形成されてなり、前記第1端子
    電極と前記第2端子電極間のピッチを変換する機能を有
    するコネクタの製造方法であって、 シリコンウェハ上のダイシングラインを跨ぐ部位及び、
    前記第1端子電極間に溝を形成する工程と、 前記シリコンウェハ上に絶縁膜を形成する工程と、 前記シリコンウェハ上に前記第1,2端子電極を含む金
    属配線を形成する工程と、 前記ダイシングラインに沿って前記シリコンウェハをダ
    イシングする工程とを備えたことを特徴とするコネクタ
    の製造方法。
  24. 【請求項24】 半導体装置を実装する工程を備えたこ
    とを特徴とする請求項23記載のコネクタの製造方法。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005014527A (ja) * 2003-06-27 2005-01-20 Mimaki Engineering Co Ltd インクジェットプリンタのインクジェットヘッドに伝えるインク吐出信号の線路構造
JP2007026806A (ja) * 2005-07-14 2007-02-01 Seiko Epson Corp コネクタ、段差実装構造、コネクタの製造方法、及び液滴吐出ヘッド
US7527356B2 (en) 2005-03-09 2009-05-05 Seiko Epson Corporation Device package structure, device packaging method, liquid drop ejection method, connector, and semiconductor device
JP2012158179A (ja) * 2012-03-23 2012-08-23 Seiko Epson Corp 回路基板、印刷材収容体及び印刷装置
JP2016024964A (ja) * 2014-07-22 2016-02-08 日立化成株式会社 接続構造体の製造方法及び接続構造体
US9293683B2 (en) 2014-05-12 2016-03-22 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Method for connecting piezoelectric element and cable substrate, piezoelectric element having cable substrate, and inkjet head including piezoelectric element with cable substrate
JP2016107619A (ja) * 2014-11-27 2016-06-20 株式会社リコー 液体吐出ヘッド、液体吐出ユニット及び液体を吐出する装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005014527A (ja) * 2003-06-27 2005-01-20 Mimaki Engineering Co Ltd インクジェットプリンタのインクジェットヘッドに伝えるインク吐出信号の線路構造
US7527356B2 (en) 2005-03-09 2009-05-05 Seiko Epson Corporation Device package structure, device packaging method, liquid drop ejection method, connector, and semiconductor device
JP2007026806A (ja) * 2005-07-14 2007-02-01 Seiko Epson Corp コネクタ、段差実装構造、コネクタの製造方法、及び液滴吐出ヘッド
JP4631572B2 (ja) * 2005-07-14 2011-02-16 セイコーエプソン株式会社 液滴吐出ヘッド
JP2012158179A (ja) * 2012-03-23 2012-08-23 Seiko Epson Corp 回路基板、印刷材収容体及び印刷装置
US9293683B2 (en) 2014-05-12 2016-03-22 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Method for connecting piezoelectric element and cable substrate, piezoelectric element having cable substrate, and inkjet head including piezoelectric element with cable substrate
US9773963B2 (en) 2014-05-12 2017-09-26 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Method for connecting piezoelectric element and cable substrate, piezoelectric element having cable substrate, and inkjet head including piezoelectric element with cable substrate
JP2016024964A (ja) * 2014-07-22 2016-02-08 日立化成株式会社 接続構造体の製造方法及び接続構造体
JP2016107619A (ja) * 2014-11-27 2016-06-20 株式会社リコー 液体吐出ヘッド、液体吐出ユニット及び液体を吐出する装置

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