JP2016024964A - 接続構造体の製造方法及び接続構造体 - Google Patents

Abstract

【課題】電極の位置ずれが生じた場合であっても回路のショートを抑止できる接続構造体の製造方法及び接続構造体を提供する。【解決手段】この接続構造体の製造方法では、導電粒子Ｐが一面側に偏在した異方導電性フィルム１１を用い、導電粒子Ｐが偏在した面が第１の回路部材２側を向くように配置して第１の回路部材２と第２の回路部材３とを熱圧着する。これにより、熱圧着の際、バンプ電極６と回路電極８との電気的な接続に寄与しない導電粒子Ｐは、回路電極８よりも厚みのある隣接のバンプ電極６，６間において第１の回路部材２側に偏在した状態となる。したがって、バンプ電極６が回路電極８に対して位置ずれしたとしても、回路電極８と隣接する別のバンプ電極６とが導電粒子Ｐによって電気的に接続されることを防止でき、回路のショートを抑止できる。【選択図】図１

Description

本発明は、接続構造体の製造方法及び接続構造体に関する。

従来、例えば液晶ディスプレイとテープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）との接続や、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）とＴＣＰとの接続、或いはＦＰＣとプリント配線板との接続には、接着剤フィルム中に導電粒子を分散させた異方導電性フィルムが用いられている。また、半導体シリコンチップを基板に実装する場合にも、従来のワイヤーボンディングに代えて、半導体シリコンチップを基板に直接実装する、いわゆるチップオンガラス（ＣＯＧ）が行われており、ここでも異方導電性フィルムが用いられている。

近年では、電子機器の発達に伴い、配線の高密度化や回路の高機能化が進んでいる。その結果、電極間の間隔が例えば１５μｍ以下となるような接続構造体が要求され、回路部材のバンプ電極も小面積化及び小ピッチ化されてきている。このようなバンプ接続において安定した電気的接続を得るためには、十分な数の導電粒子がバンプ電極と基板側の回路電極との間に介在している必要がある。

このような課題に対し、例えば特許文献１，２では、異方導電性フィルム中の導電粒子を小径化して粒子密度を高める方法や、導電粒子を含む接着剤層と絶縁性の接着剤層との２層構造を有する異方導電性フィルムを用いる方法が行われている。また、例えば特許文献３，４では、異方導電性フィルム中の導電粒子の流動を妨げる壁や突起が基板に設けられ、バンプ電極と回路電極との間の導電粒子の捕捉効率の向上が図られている。更に、特許文献５では、導電粒子の平均粒径等が規定されると共に、導電粒子が一定割合で基板側に偏在した接続構造体が開示されている。

一方、特許文献６では導電粒子を含有する接着剤層と導電粒子を含有しない絶縁性の接着剤層との２層構造を有する異方導電性フィルムのうち、導電粒子を含有する接着剤層をＩＣ側に配置した接続構造体が開示されている。また、特許文献７では、ＩＣのバンプ周辺部に対応する箇所に導電粒子を偏在させた異方導電性フィルムを用いた接続構造が開示されている。

特開平６−４５０２４号公報 特開２００３−４９１５２号公報 特開２０１０−０２７８４７号公報 特開２０１２−１９１０１５号公報 特開２０１１−１０９１５６号公報 特開２００１−２４０８１６号公報 特開平５−２０６２０８号公報

ところで、バンプ電極と回路電極とを異方導電性フィルムを用いて接続する際、バンプ電極が回路電極に対して実装面の面内方向に位置ずれしてしまう場合がある。バンプ電極と回路電極との位置ずれが生じると、本来バンプ電極と回路電極との電気的な接続に寄与しない導電粒子によって、回路電極と隣接する別の電極とが電気的に接続され、回路がショートしてしまうことが考えられる。

本発明は、上記課題の解決のためになされたものであり、電極の位置ずれが生じた場合であっても回路のショートを抑止できる接続構造体の製造方法及び接続構造体を提供することを目的とする。

上記課題の解決のため、本発明に係る接続構造体の製造方法は、第１の電極が配列された第１の回路部材と、第１の電極よりも厚みの小さい第２の電極が配列された第２の回路部材とを、導電粒子が接着剤層中に分散されてなる異方導電性フィルムを介して接続する接続構造体の製造方法であって、導電粒子は、異方導電性フィルムの一面側に偏在していると共に、一面側から導電粒子の平均粒径の２００％以内に存在しており、一面側が第１の回路部材側を向くように異方導電性フィルムを第１の回路部材と第２の回路部材との間に配置して熱圧着を行うことを特徴としている。

この接続構造体の製造方法では、導電粒子が一面側に偏在した異方導電性フィルムを用い、導電粒子が偏在した面が第１の回路部材側を向くように配置して第１の回路部材と第２の回路部材とを熱圧着する。これにより、熱圧着の際、第１の電極と第２の電極との電気的な接続に寄与しない導電粒子（第１の電極と第２の電極との間に介在しない導電粒子）は、第２の電極よりも厚みのある第１の電極間において第１の回路部材側に偏在した状態となる。したがって、第１の電極が第２の電極に対して位置ずれしたとしても、第２の電極と隣接する別の電極とが導電粒子によって電気的に接続されることを防止でき、回路のショートを抑止できる。

また、異方導電性フィルムは、導電粒子を含有する接着剤層からなる導電性接着剤層と、導電粒子を含有しない接着剤層からなる絶縁性接着剤層とを有していることが好ましい。このような異方導電性フィルムを用いることにより、圧着時における導電粒子の流動性がより確実に抑えられる。したがって、第２の電極よりも厚みのある第１の電極間において、第１の電極と第２の電極との電気的な接続に寄与しない導電粒子をより確実に第１の回路部材側に偏在させておくことが可能となる。また、対向する回路部材の電極間での導電粒子の捕捉効率を一層向上でき、回路部材間の接続信頼性を確保できる。

また、異方導電性フィルムは、導電性接着剤層の厚みが１．５μｍ以上１０μｍ未満となっていることが好ましい。この場合、圧着時の導電粒子の流動性を抑制できる。したがって、第２の電極よりも厚みのある第１の電極間において、第１の電極と第２の電極との電気的な接続に寄与しない導電粒子を一層確実に第１の回路部材側に偏在させておくことが可能となる。また、対向する回路部材の電極間での導電粒子の捕捉効率を一層向上でき、回路部材間の接続信頼性を確保できる。

また、異方導電性フィルムは、導電性接着剤層の厚みが導電粒子の平均粒径の０．６倍以上１．０倍未満であり、かつ導電粒子の７０％以上が隣接する他の導電粒子と離間した状態となっていることが好ましい。これにより、圧着時における導電粒子の流動性がより確実に抑えられる。したがって、第２の電極よりも厚みのある第１の電極間において、第１の電極と第２の電極との電気的な接続に寄与しない導電粒子を一層確実に第１の回路部材側に偏在させておくことが可能となる。また、対向する回路部材の電極間での導電粒子の捕捉効率を一層向上でき、回路部材間の接続信頼性を確保できる。

また、本発明に係る接続構造体は、第１の電極が配列された第１の回路部材と、第１の電極よりも厚みの小さい第２の電極が配列された第２の回路部材とが、導電粒子を含有する異方導電性フィルムの硬化物によって接続された接続構造体であって、異方導電性フィルムの硬化物において、第１の電極間の中央領域に位置する導電粒子の９０％以上が、第１の回路部材の実装面から導電粒子の平均粒径の２００％以下となる範囲及び第１の電極の厚みの半分に相当する範囲のいずれか大きい範囲に位置していることを特徴としている。

この接続構造体では、異方導電性フィルムの硬化物において、第１の電極間の中央領域に位置する導電粒子の９０％以上が、第１の回路部材の実装面から導電粒子の平均粒径の２００％以下となる範囲及び第１の電極の厚みの半分に相当する範囲のいずれか大きい範囲に位置している。このため、第１の電極が第２の電極に対して位置ずれしたとしても、第２の電極と隣接する別の電極とが導電粒子によって電気的に接続されることを防止でき、回路のショートを抑止できる。

本発明によれば、電極の位置ずれが生じた場合であっても回路のショートを抑止できる。

本発明に係る接続構造体の一実施形態を示す模式断面図である。 第１の回路部材におけるバンプ電極の配列の一例を示す模式平面図である。 図１に示した接続構造体の要部拡大模式断面図である。 異方導電性フィルムの一実施形態を示す模式断面図である。 図１に示した接続構造体の製造工程を示す模式断面図である。 図５の後続の工程を示す模式断面図である。 図４に示した異方導電性フィルムの製造工程を示す模式断面図である。 比較例に係る接続構造体において、バンプ電極と回路電極とが位置ずれした場合の要部拡大模式断面図である。 実施例に係る接続構造体において、バンプ電極と回路電極とが位置ずれした場合の要部拡大模式断面図である。 接続構造体の評価試験結果を示す図である。 実施例１に係る接続構造体の断面の走査型電子顕微鏡写真である。 比較例１に係る接続構造体の断面の走査型電子顕微鏡写真である。 比較例４に係る接続構造体の断面の走査型電子顕微鏡写真である。

以下、図面を参照しながら、本発明に係る接続構造体の製造方法及び接続構造体の好適な実施形態について詳細に説明する。

図１は、本発明に係る接続構造体の一実施形態を示す模式断面図である。同図に示すように、接続構造体１は、互いに対向する第１の回路部材２及び第２の回路部材３と、これらの回路部材２，３を接続する異方導電性フィルムの硬化物４とを備えて構成されている。

第１の回路部材２は、例えばテープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）、プリント配線板、半導体シリコンチップ等である。第１の回路部材２は、本体部５の実装面５ａ側に複数のバンプ電極（第１の電極）６を有している。バンプ電極６は、図２に示すように、例えば平面視で細長い長方形状をなしており、隣接する列間で互いに位置が異なるように千鳥状に配列されている。

また、隣接するバンプ電極６，６間の間隔は、例えば５μｍ以上２０μｍ未満となっており、バンプ電極６の厚みは、例えば３μｍ以上１８μｍ未満となっている。バンプ電極６の形成材料には、例えばＡｕ等が用いられ、異方導電性フィルムの硬化物４に含まれる導電粒子Ｐよりも変形し易くなっている。なお、実装面５ａにおいて、バンプ電極６が形成されていない部分には、絶縁層が形成されていてもよい。なお、図２では、バンプ電極６が２列に配列されているが、配列数は３列以上であってもよい。

第２の回路部材３は、例えば液晶ディスプレイに用いられるＩＴＯ、ＩＺＯ、又は金属等で回路が形成されたガラス基板又はプラスチック基板、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）、セラミック配線板などである。第２の回路部材３は、図１に示すように、本体部７の実装面７ａ側にバンプ電極６に対応する複数の回路電極（第２の電極）８を有している。回路電極８は、バンプ電極６と同様に例えば平面視で細長い長方形状をなしており、隣接する列間で互いに位置が異なるように千鳥状に配列されている。

また、隣接する回路電極８，８間の間隔は、例えば５μｍ以上２０μｍ未満となっており、回路電極８の厚みは、バンプ電極６に比べて十分に小さく、例えば１００ｎｍ程度となっている。回路電極８の表面は、例えば金、銀、銅、錫、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、及びインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）から選ばれる１種或いは２種以上の材料で構成されている。なお、実装面７ａにおいても、回路電極８が形成されていない部分に絶縁層が形成されていてもよい。

異方導電性フィルムの硬化物４は、後述の異方導電性フィルム１１（図４参照）を用いて形成された層であり、導電性接着剤層１３を硬化してなる第１の領域９と、絶縁性接着剤層１４を硬化してなる第２の領域１０とを有している。本実施形態では、第１の領域９が第１の回路部材２側に位置し、第２の領域１０が第２の回路部材３側に位置している。なお、本実施形態では、説明の便宜上、導電粒子Ｐを含有する層を導電性接着剤層と称し、導電粒子Ｐを含有しない層を絶縁性接着剤層と称するが、両層を構成している接着剤成分自体は非導電性である。

導電粒子Ｐは、図３に示すように、バンプ電極６と回路電極８との間、及び隣接するバンプ電極６，６間に存在している。バンプ電極６と回路電極８との間では、導電粒子Ｐが圧着によって僅かに扁平に変形した状態でバンプ電極６と回路電極８との間に介在している。これにより、バンプ電極６と回路電極８との間の電気的な接続が実現されている。

一方、隣接するバンプ電極６，６間では、バンプ電極６と回路電極８との電気的な接続に寄与しない導電粒子Ｐが第１の回路部材２側に偏在している。隣接するバンプ電極６，６間では、導電粒子Ｐが互いに離間した状態となっており、隣接するバンプ電極６，６間及び隣接する回路電極８，８間の電気的な絶縁が実現されている。圧着の際、異方導電性フィルム１１の接着剤成分の流動によってバンプ電極６の近傍に位置する導電粒子Ｐが第２の回路部材３側に移動してしまうことがあるが、隣接するバンプ電極６，６間の中央領域に位置する導電粒子Ｐの９０％以上は、第１の回路部材２の実装面５ａから導電粒子Ｐの平均粒径の２００％以下となる範囲、好ましくは１５０％以下となる範囲、より好ましくは１３０％以下となる範囲に位置している。

なお、隣接するバンプ電極６，６間の中央領域とは、少なくとも導電粒子Ｐがバンプ電極６に接していない領域を指す。この中央領域は、隣接するバンプ電極６，６のそれぞれの側面から、導電粒子の平均粒径の１３０％以内の領域を除外した範囲で定義することができる。
［異方導電性フィルムの構成］

図４は、図１に示した接続構造体の製造に用いられる異方導電性フィルムの一実施形態を示す模式断面図である。同図に示すように、異方導電性フィルム１１は、剥離フィルム１２と、導電粒子Ｐを含有しない接着剤層からなる絶縁性接着剤層１４と、導電粒子Ｐを含有する接着剤層からなる導電性接着剤層１３とがこの順で積層されて構成されている。導電粒子Ｐは、異方導電性フィルム１１の一面側に偏在した状態で分散している。

剥離フィルム１２は、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレン等によって形成されている。剥離フィルム１２には、任意の充填剤を含有させてもよい。また、剥離フィルム１２の表面には、離型処理やプラズマ処理等が施されていてもよい。

導電性接着剤層１３及び絶縁性接着剤層１４を形成する接着剤層は、例えば硬化剤、モノマー、及びフィルム形成材を含有している。エポキシ樹脂モノマーを用いる場合は、硬化剤として、イミダゾール系、ヒドラジド系、三フッ化ホウ素−アミン錯体、スルホニウム塩、アミンイミド、ポリアミンの塩、ジシアンジアミド等が挙げられる。硬化剤をポリウレタン系、ポリエステル系の高分子物質等で被覆してマイクロカプセル化すると、可使時間が延長されるため、好適である。一方、アクリルモノマーを用いる場合は、硬化剤として、過酸化化合物、アゾ系化合物等の加熱により分解して遊離ラジカルを発生するものが挙げられる。

エポキシモノマーを用いた場合の硬化剤は、目的とする接続温度、接続時間、保存安定性等により適宜選定される。硬化剤は、高反応性の点から、エポキシ樹脂組成物とのゲルタイムが所定の温度で１０秒以内であることが好ましく、保存安定性の点から、４０℃で１０日間恒温槽に保管後にエポキシ樹脂組成物とのゲルタイムに変化がないスルホニウム塩であることが好ましい。

アクリルモノマーを用いた場合の硬化剤は、目的とする接続温度、接続時間、保存安定性等により適宜選定される。高反応性と保存安定性の点から、半減期１０時間の温度が４０℃以上かつ半減期１分の温度が１８０℃以下の有機過酸化物又はアゾ系化合物が好ましく、半減期１０時間の温度が６０℃以上かつ半減期１分の温度が１７０℃以下の有機過酸化物又はアゾ系化合物がより好ましい。これらの硬化剤は、単独又は混合して使用することができ、分解促進剤、抑制剤等を混合して用いてもよい。

エポキシモノマー及びアクリルモノマーのいずれを用いた場合においても、接続時間を１０秒以下とした場合、十分な反応率を得るために、硬化剤の配合量は、後述のモノマーと後述のフィルム形成材との合計１００質量部に対して、０．１質量部〜４０質量部とすることが好ましく、１質量部〜３５質量部とすることがより好ましい。硬化剤の配合量を０．１質量部以上とすることで、十分な反応率を得ることができ、良好な接着強度と低い接続抵抗とを実現し易くなる。一方、硬化剤の配合量を４０質量部以下とすることで、良好な接着剤の流動性、接着剤の保存安定性、及び良好な接続抵抗を実現し易くなる。

また、モノマーとしては、エポキシ樹脂モノマーを用いる場合は、エピクロルヒドリンとビスフェノールＡやビスフェノールＦ、ビスフェノールＡＤ等から誘導されるビスフェノール型エポキシ樹脂、エピクロルヒドリンとフェノールノボラックやクレゾールノボラックから誘導されるエポキシノボラック樹脂やグリシジルアミン、グリシジルエーテル、ビフェニル、脂環式等の１分子内に２個以上のグリシジル基を有する各種のエポキシ化合物などを用いることができる。これらは、１種を単独で使用してもよく、２種以上を混合して使用してもよい。

アクリルモノマーを用いる場合は、ラジカル重合性化合物は、ラジカルにより重合する官能基を有する物質であることが好ましい。かかるラジカル重合性化合物としては、（メタ）アクリレート、マレイミド化合物、スチレン誘導体等が挙げられる。これらは、１種を単独で使用してもよく、２種以上を混合して使用してもよい。また、ラジカル重合性化合物は、モノマー又はオリゴマーのいずれの状態でも使用することができ、モノマーとオリゴマーとを混合して使用してもよい。

フィルム形成材は、上記の硬化剤及びモノマーを含む液状の組成物の取り扱いを容易とするものである。フィルム形成材としては、熱可塑性樹脂が好適に用いられ、フェノキシ樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリエステルウレタン樹脂等が挙げられる。更に、これらのポリマー中には、シロキサン結合やフッ素置換基が含まれていてもよい。これらの樹脂は、単独又は２種類以上を混合して用いることができる。上記の樹脂の中でも、接着強度、相溶性、耐熱性、及び機械強度の観点から、フェノキシ樹脂を用いることが好ましい。

熱可塑性樹脂の分子量が大きいほどフィルム形成性が容易に得られ、また、異方導電性フィルムとしての流動性に影響する溶融粘度を広範囲に設定できる。熱可塑性樹脂の分子量は、重量平均分子量で５０００〜１５００００であることが好ましく、１００００〜８００００であることが特に好ましい。重量平均分子量を５０００以上とすることで良好なフィルム形成性が得られやすく、１５００００以下とすることで他の成分との良好な相溶性が得られやすい。

なお、本発明において、重量平均分子量とは、下記の条件に従って、ゲル浸透クロマトグラフ（ＧＰＣ）より標準ポリスチレンによる検量線を用いて測定した値をいう。
（測定条件）
装置：東ソー株式会社製 ＧＰＣ−８０２０
検出器：東ソー株式会社製 ＲＩ−８０２０
カラム：日立化成株式会社製 Ｇｅｌｐａｃｋ ＧＬＡ１６０Ｓ＋ＧＬＡ１５０Ｓ
試料濃度：１２０ｍｇ／３ｍＬ
溶媒：テトラヒドロフラン
注入量：６０μＬ
圧力：２．９４×１０６Ｐａ（３０ｋｇｆ／ｃｍ２）
流量：１．００ｍＬ／ｍｉｎ

また、フィルム形成材の含有量は、モノマー、及びフィルム形成材の総量を基準として５重量％〜８０重量％であることが好ましく、１５重量％〜７０重量％であることがより好ましい。５重量％以上とすることで良好なフィルム形成性が得られやすく、また、８０重量％以下とすることで硬化性組成物が良好な流動性を示す傾向にある。

また、導電性接着剤層１３及び絶縁性接着剤層１４を形成する接着剤層は、充填剤、軟化剤、促進剤、老化防止剤、着色剤、難燃化剤、チキソトロピック剤、カップリング剤及びフェノール樹脂やメラミン樹脂、イソシアネート類等を更に含有していてもよい。充填剤を含有する場合、接続信頼性の向上が更に期待できる。

導電粒子Ｐとしては、例えば金、銀、ニッケル、銅、ハンダ等の金属粒子、或いはカーボン粒子などが挙げられる。導電粒子Ｐの保存安定性を得るため、導電粒子Ｐの表層は、銅などの遷移金属類ではなく、金、銀のような白金属の貴金属類とすることが好ましく、これらの中でも金がより好ましい。また、ニッケルの表面をＡｕ等の貴金属類で被覆してもよい。更に、非導電性のガラス、セラミック、プラスチック等を上記金属等の導電物質で被覆したものを用いてもよく、この場合にもニッケル層を設けて多層構造とすることも可能である。

また、導電粒子Ｐとして、非導電性のプラスチック等を導電物質で被覆したものや熱溶融金属粒子を使用した場合、加熱加圧によって導電粒子Ｐが容易に変形するため、接続時の電極との接触面積が増加し、回路部材側の厚みばらつきを吸収して接続信頼性を向上できる。また、導電粒子Ｐの表面に突起を設けることにより接続抵抗を低下させることもできる。

導電粒子Ｐの平均粒径は、２．５μｍ以上６．０μｍ以下であることが好ましい。導電粒子Ｐの平均粒径を２．５μｍ以上とすることで、剥離フィルム１２への塗工精度が維持され、導電粒子Ｐを導電性接着剤層１３に良好に分散させ易くなる。導電粒子Ｐの平均粒径を６．０μｍ以下とすることで、接続構造体１の隣接する回路電極８，８間での絶縁性を維持し易くなる。導電粒子Ｐの良好な分散性を得るためには、導電粒子Ｐの平均粒径は、２．７μｍ以上であることがより好ましく、３μｍ以上であることが更に好ましい。一方、接続構造体１の隣接する回路電極８，８間での絶縁性の確保の観点から、導電粒子Ｐの平均粒径は、５．５μｍ以下であることがより好ましく、５μｍ以下であることが更に好ましい。

導電粒子Ｐの平均粒径は、任意の導電粒子３００個について、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いた観察により粒径の測定を行い、それらの平均値を取ることにより得られる。なお、導電粒子Ｐが突起を有する場合や、球形ではない場合、導電粒子Ｐの粒径は、ＳＥＭの画像における導電粒子に外接する円の直径とする。

導電粒子Ｐの配合量は、導電粒子Ｐ以外の成分１００体積部に対して１体積部〜１００体積部とすることが好ましい。導電粒子Ｐが過剰に存在することによる隣接する回路電極８，８の短絡を防止する観点から、導電粒子Ｐの配合量は、１０体積部〜５０体積部とすることがより好ましい。更に、導電粒子の平均粒径が２．５μｍ以上６．０μｍ以下の範囲において、導電粒子の粒子密度が５０００個／ｍｍ^２以上５００００個／ｍｍ^２以下であることが好ましい。この場合、導電粒子Ｐの分散性と隣接する回路電極８，８間での絶縁性とをより好適に両立できる。

導電粒子Ｐの平均粒径と導電性接着剤層１３の厚みとの関係について、導電性接着剤層１３の厚みは、導電粒子Ｐの平均粒径の０．６倍以上１．０倍未満であることが好ましい。導電性接着剤層１３の厚みが導電粒子Ｐの平均粒径に対して０．６倍未満となる場合は，導電粒子Ｐの粒子密度が低下し、バンプ電極６と回路電極８との間の接続不良が生じるおそれがある。また、導電性接着剤層１３の厚みが導電粒子Ｐの平均粒径に対して１．０倍以上となる場合は、隣接する導電粒子Ｐ，Ｐ同士が凝集し、隣接する回路電極８，８間での短絡が生じるおそれがある。より良好な分散性を得るためには、導電性接着剤層１３の厚みは、導電粒子Ｐの平均粒径に対して０．７倍以上０．９倍以下にすることが好ましい。また、導電性接着剤層１３の厚みは、１．５μｍ以上１０μｍ未満であることが好ましい。また、導電粒子Ｐの７０％以上が隣接する他の導電粒子Ｐと離間した状態となっていることが好ましい。

このような関係を満たす結果、導電粒子Ｐの一部は、絶縁性接着剤層１４側に突出した状態となっており、隣り合う導電粒子Ｐ，Ｐの離間部分には、絶縁性接着剤層１４と導電性接着剤層１３との境界Ｓが位置している。また、導電粒子Ｐは、導電性接着剤層１３における絶縁性接着剤層１４の反対面（すなわち剥離フィルム１２側の面）には露出しておらず、反対面は平坦面となっていることが好ましい。導電粒子Ｐと導電性接着剤層１３の表面との間に存在する導電性接着剤層１３の厚みは、０μｍよりも大きく１μｍ以下となっていることが好ましい。

絶縁性接着剤層１４と導電性接着剤層１３との境界Ｓは、異方導電性フィルム１１の断面観察により確認することが可能である。絶縁性接着剤層１４と導電性接着剤層１３への配合物の組成の違いから、集束イオンビーム（ＦＩＢ）、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）などの加工・観察装置における観察像の違いにより、絶縁性接着剤層１４と導電性接着剤層１３の境界Ｓを判断することも可能である。

絶縁性接着剤層１４と導電性接着剤層１３とが互いに相溶し難い場合は、境界Ｓは界面として確認することが可能である。絶縁性接着剤層１４と導電性接着剤層１３の組成が類似しており、後述する積層工程において界面が消失する場合は、絶縁性接着剤層１４と導電性接着剤層１３が混合された境界層として観察されることがある。

一方、絶縁性接着剤層１４の厚みは、適宜設定可能である。導電性接着剤層１３及び絶縁性接着剤層１４の厚みの合計は、例えば５μｍ〜３０μｍとなっている。また、通常、導電性接着剤層１３及び絶縁性接着剤層１４の厚みの合計と、接続構造体１における第１の回路部材２の実装面５ａから第２の回路部材３の実装面７ａまでの距離との差は、０μｍ〜１０μｍであることが好ましい。回路部材２，３間を異方導電性フィルムの硬化物４で充填する観点からは、上記の差を０．５μｍ〜８．０μｍとすることが好ましく、１．０μｍ〜５．０μｍとすることがより好ましい。

差を０μｍより大きくすることで、第１の回路部材２と第２の回路部材３との間を異方導電性フィルムの硬化物４で充填しやすく、剥離や耐湿試験後の接続信頼性の低下を抑制しやすい。一方、差を１０μｍ以下にすることで、第１の回路部材２及び第２の回路部材３の圧着時に、樹脂の排除性を維持し、バンプ電極６と回路電極８との間の電気的接続を得やすい。

異方導電性フィルム１１を構成する絶縁性接着剤層１４と導電性接着剤層１３の厚み、異方導電性フィルム１１中の導電粒子Ｐが存在している位置については、例えば収束イオンビーム（ＦＩＢ）を用いて異方導電性フィルム１１の断面を切削し、その後、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察及び測定することが可能である。具体的には、異方導電性フィルム１１の剥離フィルム１２側を導電性のカーボンテープを用いて、試料加工・観察用の冶具に固定する。その後、導電性接着剤層１３側から白金スパッタ処理を実施し、導電性接着剤層１３上に２０ｎｍの白金膜を形成する。次に、収束イオンビーム（ＦＩＢ）を用いて異方導電性フィルム１１の導電性接着剤層１３側から加工を実施し、加工断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察する。
［接続構造体の製造方法］

図５は、図１に示した接続構造体１の製造工程を示す模式断面図である。接続構造体１の形成にあたっては、例えば、異方導電性フィルム１１から剥離フィルム１２を剥離し、絶縁性接着剤層１４側が実装面７ａと対向するようにして異方導電性フィルム１１を第２の回路部材３上にラミネートする。次に、図６に示すように、バンプ電極６と回路電極８とが対向するように、異方導電性フィルム１１がラミネートされた第２の回路部材３上に第１の回路部材２を配置する。そして、異方導電性フィルム１１を加熱しながら第１の回路部材２と第２の回路部材３とを厚み方向に加圧する。

これにより、異方導電性フィルム１１の接着剤成分が流動し、バンプ電極６と回路電極８との距離が縮まって導電粒子Ｐが噛合した状態で、導電性接着剤層１３及び絶縁性接着剤層１４が硬化する。導電性接着剤層１３及び絶縁性接着剤層１４の硬化により、バンプ電極６と回路電極８とが電気的に接続され、かつ隣接するバンプ電極６，６同士及び隣接する回路電極８，８同士が電気的に絶縁された状態で異方導電性フィルムの硬化物４が形成され、図１に示した接続構造体１が得られる。得られた接続構造体１では、異方導電性フィルムの硬化物４によってバンプ電極６と回路電極８との間の距離の経時的変化が十分に防止されると共に、電気的特性の長期信頼性も確保できる。

なお、異方導電性フィルム１１の加熱温度は、硬化剤において重合活性種が発生し、重合モノマーの重合が開始される温度である。この加熱温度は、例えば８０℃〜２００℃であり、好ましくは１００℃〜１８０℃である。また、加熱時間は、例えば０．１秒〜３０秒、好ましくは１秒〜２０秒である。加熱温度を８０℃以上とすることで硬化速度を得易くなり、２００℃以下とすることで望まない副反応の抑制が容易となる。また、加熱時間が０．１秒以上とすることで硬化反応を十分に進行させ易くなり、３０秒以下とすることで硬化物の生産性を維持しつつ、更に望まない副反応の抑制も容易となる。

接続構造体１を構成する第１の回路部材２、第２の回路部材３、並びに異方導電性フィルムの硬化物４中の導電粒子Ｐの存在している位置については、例えば接続構造体１をエポキシ樹脂とジエチレントリアミンに代表されるアミン系硬化剤を用いて注形した後、接続構造体１の実装面７ａに対して垂直に研磨することで接続構造の断面を作製し、その後、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて観察することで確認できる。
［異方導電性フィルムの製造方法］

導電性接着剤層１３は、例えば、フィルム塗布工程と、これに続く磁場印加工程とによって作製することが可能である。これらの工程では、導電粒子Ｐが分散された接着剤ペーストを離型フィルムに塗布し、ペーストが乾燥する前に離型フィルムの厚さ方向に磁場を印加する。磁場の印加により隣接する導電粒子Ｐを分散することで、導電性接着剤層１３が得られる。磁場の印加は、導電粒子Ｐの分散性を高めるために行っているが、必ずしも実施しなくてもよい。

導電性接着剤層１３の形成の後、図７に示すように、別途作製した絶縁性接着剤層１４に導電性接着剤層１３をラミネートする。これにより、図４に示した異方導電性フィルム１１が得られる。なお、導電性接着剤層１３のラミネートには、例えばホットロールラミネータを用いることができる。また、ラミネートに限られず、導電性接着剤層１３の材料となる接着剤ペーストを絶縁性接着剤層１４上に塗布・乾燥してもよい。このようにして異方導電性フィルム１１の一面側に導電粒子Ｐを偏在させることができる。

また、導電粒子Ｐを含有する固定用樹脂を剥離フィルム上に塗布した後、剥離フィルムを面内方向に伸張させて導電粒子Ｐを離間させるようにしてもよい。この方法では、固定用樹脂に導電粒子Ｐを単層に充填し、固定用樹脂の凝集を起こさせながら延伸を行い、凝集力と延伸力のバランスを取ることによって導電粒子Ｐを固定用樹脂で連結できる。固定用樹脂として架橋ポリマーを用いる場合は、未架橋の状態で延伸し、その後に熱や光を用いて架橋することが好ましい。固定用樹脂で連結された導電粒子Ｐを絶縁性接着剤中に埋め込む方法としては、剥離可能な基材上に形成された絶縁性接着剤上に固定用樹脂で連結された導電粒子Ｐを重ね、熱ロールやラミネーターを用いて絶縁性接着剤中に埋め込む方法が挙げられる。当該方法は、例えば国際公開公報ＷＯ２００５／０５４３８８に記載される。このようにしても異方導電性フィルム１１の一面側に導電粒子Ｐを偏在させることができる。

導電粒子Ｐの分散状態の形成は、上記方法に限られるものではない。例えばインクジェット方式により、導電粒子Ｐを含有するインクを吐出ノズルから絶縁性接着剤上に吐出し、絶縁性接着剤中に導電粒子Ｐを均一に分散させることで導電性接着剤層１３を作製することも可能である。このようにしても異方導電性フィルム１１の一面側に導電粒子Ｐを偏在させることができる。
［作用効果］

この接続構造体の製造方法では、導電粒子Ｐが一面側に偏在した異方導電性フィルム１１を用い、導電粒子Ｐが偏在した面が第１の回路部材２側を向くように配置して第１の回路部材２と第２の回路部材３とを熱圧着する。バンプ電極６と回路電極８とを異方導電性フィルム１１を用いて接続する際、例えば図８に示すように、バンプ電極６が回路電極８に対して実装面５ａ，７ａの面内方向に位置ずれしてしまう場合がある。バンプ電極６と回路電極８との位置ずれが生じた場合、図８に示すように、回路電極８と、本来接続されるべきバンプ電極６に隣接する別のバンプ電極６との距離Ａがバンプ電極６のピッチよりも小さくなる。このため、導電粒子Ｐが第２の回路部材３側に偏在していると、本来電気的な接続に寄与しない導電粒子Ｐによって、回路電極８と、本来接続されるべきバンプ電極６に隣接する別のバンプ電極６とが電気的に接続され、回路がショートしてしまうことが考えられる。

これに対し、この接続構造体の製造方法で得られた接続構造体１では、例えば図９に示すように、バンプ電極６と回路電極８との電気的な接続に寄与しない導電粒子Ｐは、回路電極８よりも厚みのある隣接するバンプ電極６，６間において第１の回路部材２側に偏在した状態となっている。そして、得られる接続構造体１では、異方導電性フィルムの硬化物４において、隣接するバンプ電極６，６間の中央領域に位置する導電粒子Ｐの８０％以上がバンプ電極６の厚みの半分の位置Ｌよりも第１の回路部材２側に位置している。したがって、バンプ電極６が回路電極８に対して位置ずれしたとしても、回路電極８と隣接する別のバンプ電極６とが導電粒子Ｐによって電気的に接続されることを防止でき、回路のショートを抑止できる。
［実施例］

以下、本発明の実施例及び比較例について説明する。
（フェノキシ樹脂ａの合成）

４，４’−（９−フルオレニリデン）−ジフェノール４５ｇ（シグマアルドリッチジャパン株式会社製）、及び３，３’，５，５’−テトラメチルビフェノールジグリシジルエーテル５０ｇ（三菱化学株式会社製：ＹＸ−４０００Ｈ）を、ジムロート冷却管、塩化カルシウム管、及び攪拌モーターに接続されたテフロン攪拌棒を装着した３０００ｍＬの３つ口フラスコ中でＮ−メチルピロリドン１０００ｍＬに溶解して反応液とした。これに炭酸カリウム２１ｇを加え、マントルヒーターで１１０℃に加熱しながら攪拌した。３時間攪拌後、１０００ｍＬのメタノールが入ったビーカーに反応液を滴下し、生成した沈殿物を吸引ろ過することによってろ取した。ろ取した沈殿物を更に３００ｍＬのメタノールで３回洗浄して、フェノキシ樹脂ａを７５ｇ得た。

その後、フェノキシ樹脂ａの分子量を東ソー株式会社製高速液体クロマトグラフＧＰ８０２０を用いて測定した（測定条件は前述）。その結果、ポリスチレン換算でＭｎ＝１５７６９、Ｍｗ＝３８０４５、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．４１３であった。
（異方導電性フィルムＡの作製）

導電性接着剤層用の接着剤ペーストの形成にあたって、エポキシ化合物としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱化学株式会社製：ｊＥＲ８２８）を固形分で５０質量部、硬化剤として４−ヒドロキシフェニルメチルベンジルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートを固形分で５質量部、フィルム形成材としてフェノキシ樹脂ａを固形分で５０質量部、をそれぞれ配合した。また、導電粒子として、ポリスチレンを核とする粒子の表面に厚み０．２μｍのニッケル層を設け、平均粒径３．３μｍ、比重２．５の導電粒子を作製し、この導電粒子を５０質量部で上記配合物に配合した。そして、この接着剤ペーストを厚み５０μｍのＰＥＴフィルムにコーターを用いて塗布し、乾燥させることにより、厚みが８．０μｍの導電性接着剤層を得た。

次に、絶縁性接着剤層用の接着剤ペーストの形成にあたって、エポキシ化合物としてビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（三菱化学株式会社製：ｊＥＲ８０７）を固形分で４５質量部、硬化剤として４−ヒドロキシフェニルメチルベンジルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートを固形分で５質量部、フィルム形成材としてビスフェノールＡ・ビスフェノールＦ共重合型フェノキシ樹脂（新日鉄住金化学株式会社製：ＹＰ−７０）を固形分で５５質量部、をそれぞれ配合した。そして、この接着剤ペーストを厚み５０μｍのＰＥＴフィルムにコーターを用いて塗布し、乾燥させることにより、厚みが１２μｍの絶縁性接着剤層を得た。その後、導電性接着剤層と絶縁性接着剤層とを４０℃に加熱してホットロールラミネータで貼り合わせ、異方導電性フィルムＡを得た。
（異方導電性フィルムＢの作製）

導電性接着剤層用の接着剤ペーストの形成にあたって、エポキシ化合物としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱化学株式会社製：ｊＥＲ８２８）を固形分で５０質量部、硬化剤として４−ヒドロキシフェニルメチルベンジルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートを固形分で５質量部、フィルム形成材としてフェノキシ樹脂ａを固形分で５０質量部、をそれぞれ配合した。また、導電粒子として、ポリスチレンを核とする粒子の表面に厚み０．２μｍのニッケル層を設け、平均粒径３．３μｍ、比重２．５の導電粒子を作製し、この導電粒子を８０質量部で上記配合物に配合した。そして、この接着剤ペーストを厚み５０μｍのＰＥＴフィルムにコーターを用いて塗布し、乾燥させることにより、厚みが２．６μｍの導電性接着剤層を得た。

次に、絶縁性接着剤層用の接着剤ペーストの形成にあたって、エポキシ化合物としてビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（三菱化学株式会社製：ｊＥＲ８０７）を固形分で４５質量部、硬化剤として４−ヒドロキシフェニルメチルベンジルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートを固形分で５質量部、フィルム形成材としてビスフェノールＡ・ビスフェノールＦ共重合型フェノキシ樹脂（新日鉄住金化学株式会社製：ＹＰ−７０）を固形分で５５質量部、をそれぞれ配合した。そして、この接着剤ペーストを厚み５０μｍのＰＥＴフィルムにコーターを用いて塗布し、乾燥させることにより、厚みが１７μｍの絶縁性接着剤層を得た。その後、導電性接着剤層と絶縁性接着剤層とを４０℃に加熱してホットロールラミネータで貼り合わせ、異方導電性フィルムＢを得た。
（異方導電性フィルムＣの作製）

導電性接着剤層用の接着剤ペーストの形成にあたって、エポキシ化合物としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱化学株式会社製：ｊＥＲ８２８）を固形分で５０質量部、硬化剤として４−ヒドロキシフェニルメチルベンジルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートを固形分で５質量部、フィルム形成材としてフェノキシ樹脂ａを固形分で５０質量部、をそれぞれ配合した。また、導電粒子として、ポリスチレンを核とする粒子の表面に厚み０．２μｍのニッケル層を設け、平均粒径３．３μｍ、比重２．５の導電粒子を作製し、この導電粒子を８０質量部で上記配合物に配合した。そして、この接着剤ペーストを厚み５０μｍのＰＥＴフィルムにコーターを用いて塗布し、乾燥と共に磁場印加を行うことにより、厚みが２．６μｍの導電性接着剤層を得た。

次に、絶縁性接着剤層用の接着剤ペーストの形成にあたって、エポキシ化合物としてビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（三菱化学株式会社製：ｊＥＲ８０７）を固形分で４５質量部、硬化剤として４−ヒドロキシフェニルメチルベンジルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートを固形分で５質量部、フィルム形成材としてビスフェノールＡ・ビスフェノールＦ共重合型フェノキシ樹脂（新日鉄住金化学株式会社製：ＹＰ−７０）を固形分で５５質量部、をそれぞれ配合した。そして、この接着剤ペーストを厚み５０μｍのＰＥＴフィルムにコーターを用いて塗布し、乾燥させることにより、厚みが１７μｍの絶縁性接着剤層を得た。その後、導電性接着剤層と絶縁性接着剤層とを４０℃に加熱してホットロールラミネータで貼り合わせ、異方導電性フィルムＣを得た。
（異方導電性フィルム中の導電粒子の密度算出）

異方導電性フィルムＡ〜Ｃについて、２５０００μｍ^２当たりの導電粒子数を２０か所で実測し、その平均値を１ｍｍ^２に換算した。その結果、異方導電性フィルムＡ中の導電粒子の密度は、５００００個／ｍｍ^２であった。一方、異方導電性フィルムＢ及びＣ中の導電粒子の密度は、２６０００個／ｍｍ^２であった。
（導電粒子の単分散率の評価）

異方導電性フィルムＡ〜Ｃについて、導電粒子の単分散率（導電粒子が隣接する他の導電粒子と離間した状態（単分散状態）で存在している比率）を評価した。単分散率は、単分散率（％）＝（２５００μｍ^２中の単分散状態の導電粒子数／２５００μｍ^２中の導電粒子数）×１００、を用いて求められる。導電粒子の実測には、金属顕微鏡を用いた。その結果、異方導電性フィルムＡでは、単分散状態で存在する導電粒子と凝集している導電粒子との判別が困難であり、単分散率を評価できなかった。また、異方導電性フィルムＢでは、単分散率が３６％にとどまったのに対し、異方導電性フィルムＣでは、単分散率が８７％であった。
（実施例１）

第１の回路部材として、バンプ電極を配列したＩＣチップ（外形２ｍｍ×２０ｍｍ、厚み０．３ｍｍ、バンプ電極の大きさ１００μｍ×２８μｍ、バンプ電極間スペース１０μｍ、バンプ電極厚み１５μｍ）を準備した。また、第２の回路部材として、ガラス基板（コーニング社製：＃１７３７、３８ｍｍ×２８ｍｍ、厚み０．３ｍｍ）の表面にＩＴＯの配線パターン（パターン幅３１μｍ、電極間スペース７μｍ）を形成したものを準備した。

ＩＣチップとガラス基板との接続には、セラミックヒータからなるステージ（１５０ｍｍ×１５０ｍｍ）及びツール（３ｍｍ×２０ｍｍ）から構成される熱圧着装置を用いた。そして、異方導電性フィルムＢ（２．５ｍｍ×２５ｍｍ）から剥離フィルムを剥離し、８０℃・０．９８ＭＰａ（１０ｋｇｆ／ｃｍ^２）の条件で２秒間加熱及び加圧して絶縁性接着剤層側の面をガラス基板に貼り付けた。

次に、ＩＣチップのバンプ電極とガラス基板の回路電極との位置合わせを行った後、異方導電性フィルムＢの実測最高到達温度１７０℃、及びバンプ電極での面積換算圧力７０ＭＰａの条件で５秒間加熱及び加圧して導電性接着剤層側の面をＩＣチップに貼り付け、実施例１に係る接続構造体を得た（図１１参照）。接続構造体のサンプル数は合計で１０種類とし、各サンプルにおいて、ガラス基板側の回路電極と、本来接続されるべきＩＣチップのバンプ電極に隣接するバンプ電極との距離（図８及び図９に示した距離Ａに相当）を３．０μｍ〜８．５μｍの範囲で０．５μｍ刻みで変化させた。
（実施例２）

異方導電性フィルムＣを使用したこと以外は実施例１と同様にして、実施例２に係る接続構造体を得た。
（比較例１）

第１の回路部材として、バンプ電極を配列したＩＣチップ（外形２ｍｍ×２０ｍｍ、厚み０．３ｍｍ、バンプ電極の大きさ１００μｍ×２８μｍ、バンプ電極間スペース１０μｍ、バンプ電極厚み１５μｍ）を準備した。また、第２の回路部材として、ガラス基板（コーニング社製：＃１７３７、３８ｍｍ×２８ｍｍ、厚み０．３ｍｍ）の表面にＩＴＯの配線パターン（パターン幅３１μｍ、電極間スペース７μｍ）を形成したものを準備した。

ＩＣチップとガラス基板との接続には、セラミックヒータからなるステージ（１５０ｍｍ×１５０ｍｍ）及びツール（３ｍｍ×２０ｍｍ）から構成される熱圧着装置を用いた。そして、異方導電性フィルムＢ（２．５ｍｍ×２５ｍｍ）から剥離フィルムを剥離し、８０℃・０．９８ＭＰａ（１０ｋｇｆ／ｃｍ^２）の条件で２秒間加熱及び加圧して導電性接着剤層側の面をガラス基板に貼り付けた。

次に、ＩＣチップのバンプ電極とガラス基板の回路電極との位置合わせを行った後、異方導電性フィルムＢの実測最高到達温度１７０℃、及びバンプ電極での面積換算圧力７０ＭＰａの条件で５秒間加熱及び加圧して絶縁性接着剤層側の面をＩＣチップに貼り付け、比較例１に係る接続構造体を得た（図１２参照）。接続構造体のサンプル数は、実施例と同様に合計で１０種類とし、各サンプルにおいて、ガラス基板側の回路電極と隣接するＩＣチップのバンプ電極との距離を３．０μｍ〜８．５μｍの範囲で０．５μｍ刻みで変化させた。
（比較例２）

異方導電性フィルムＣを使用したこと以外は比較例１と同様にして、比較例２に係る接続構造体を得た。
（比較例３）

異方導電性フィルムＡを使用したこと以外は比較例１と同様にして、比較例３に係る接続構造体を得た。
（比較例４）

異方導電性フィルムＡを使用したこと以外は実施例１と同様にして、比較例４に係る接続構造体を得た（図１３参照）。
（接続構造体の抵抗特性の評価）

実施例１，２及び比較例１〜４の接続構造体において、バンプ電極と回路電極との間の接続抵抗、及び回路電極と隣接するバンプ電極との間の絶縁抵抗をそれぞれ評価した。接続抵抗の評価は、マルチメータ（ＥＴＡＣ社製：ＭＬＲ２１）による四端子測定法を用いて実施した。また、絶縁抵抗の評価では、実施例１，２及び比較例１〜４の接続構造体に５０Ｖの電圧を３０秒間印加し、計１００か所のバンプ電極−回路電極間の絶縁抵抗を一括で測定した。絶縁抵抗については、ガラス基板側の回路電極と隣接するＩＣチップのバンプ電極との距離の刻み幅ごとに３つのサンプルを測定し、３つのサンプル全ての絶縁抵抗が１．０×１０^９Ωより大きかった場合をＡ判定、１つのサンプルでも絶縁抵抗が１．０×１０^９Ω未満となった場合をＢ判定、３つのサンプル全ての絶縁抵抗が１．０×１０^９Ω未満となった場合をＣ判定とした。
（接続構造体の電極間に存在する導電粒子数の評価）

実施例１，２及び比較例１〜４の接続構造体において、接続構造体の断面を金属顕微鏡によって観察し、ＩＣチップの電極間に存在する導電粒子から任意の５０個を選び、ＩＣチップの表面から導電粒子の平均粒径の２００％（６．６μｍ）以下となる範囲に存在する導電粒子の割合を算出した。

図１０は、評価試験結果を示す図である。同図に示すように、バンプ電極と回路電極との間の接続抵抗に関しては、実施例１，２及び比較例１〜４のいずれについても０．５Ω以下の良好な値が得られた。回路電極と隣接するバンプ電極との間の絶縁抵抗に関しては、実施例１では、位置ずれによって回路電極と隣接するバンプ電極との距離が４．０μｍまで隣接した場合でも良好な絶縁抵抗が維持され、実施例２では、位置ずれによって回路電極と隣接するバンプ電極との距離が３．５μｍまで近接した場合でも良好な絶縁抵抗が維持された。また、実施例１，２では、ＩＣチップの電極間の中央領域に存在する導電粒子のうちの９６％がＩＣチップの表面から導電粒子の平均粒径の２００％以内となる範囲に存在していた。

これに対し、比較例１では、位置ずれによって回路電極と隣接するバンプ電極との距離が５．０μｍまで近接した場合に絶縁抵抗が悪化し、比較例２では、位置ずれによって回路電極と隣接するバンプ電極との距離が６．０μｍまで近接した場合に絶縁抵抗が悪化した。一方、比較例３，４では、導電粒子が偏在している位置がガラス基板側及びＩＣチップ側のいずれの場合であっても、回路電極と隣接するバンプ電極との距離が４．５μｍまで近接した場合に絶縁抵抗が悪化した。また、比較例１〜３では、ＩＣチップの電極間に存在する導電粒子は、ＩＣチップの表面から導電粒子の平均粒径の２００％以内となる範囲に存在しておらず、比較例４では、ＩＣチップの電極間に存在する導電粒子のうちの６４％がＩＣチップの表面から導電粒子の平均粒径の２００％以内となる範囲に存在していた。以上の結果から、本発明のように導電粒子を第１の回路部材側に偏在させ、導電粒子を第１の回路部材の実装面から導電粒子の平均粒径の２００％以下となる範囲に位置させることが、電極の位置ずれに対する回路のショート防止に有効であることが確認された。

１…接続構造体、２…第１の回路部材、３…第２の回路部材、４…異方導電性フィルムの硬化物、５ａ…実装面、６…バンプ電極（第１の電極）、８…回路電極（第２の電極）、１１…異方導電性フィルム、１３…導電性接着剤層、１４…絶縁性接着剤層、Ｌ…バンプ電極の厚みの半分の位置、Ｐ…導電粒子。

Claims (5)

1. 第１の電極が配列された第１の回路部材と、前記第１の電極よりも厚みの小さい第２の電極が配列された第２の回路部材とを、導電粒子が接着剤層中に分散されてなる異方導電性フィルムを介して接続する接続構造体の製造方法であって、
   前記導電粒子は、前記異方導電性フィルムの一面側に偏在していると共に、前記一面側から前記導電粒子の平均粒径の２００％以内に存在しており、
   前記一面側が前記第１の回路部材側を向くように前記異方導電性フィルムを前記第１の回路部材と前記第２の回路部材との間に配置して熱圧着を行うことを特徴とする接続構造体の製造方法。
2. 前記異方導電性フィルムは、前記導電粒子を含有する接着剤層からなる導電性接着剤層と、前記導電粒子を含有しない接着剤層からなる絶縁性接着剤層とを有していることを特徴とする請求項１記載の接続構造体の製造方法。
3. 前記異方導電性フィルムは、前記導電性接着剤層の厚みが１．５μｍ以上１０μｍ未満となっていることを特徴とする請求項２記載の接続構造体の製造方法。
4. 前記異方導電性フィルムは、前記導電性接着剤層の厚みが前記導電粒子の平均粒径の０．６倍以上１．０倍未満であり、かつ前記導電粒子の７０％以上が隣接する他の導電粒子と離間した状態となっていることを特徴とする請求項２又は３記載の接続構造体の製造方法。
5. 第１の電極が配列された第１の回路部材と、前記第１の電極よりも厚みの小さい第２の電極が配列された第２の回路部材とが、導電粒子を含有する異方導電性フィルムの硬化物によって接続された接続構造体であって、
   前記異方導電性フィルムの硬化物において、前記第１の電極間の中央領域に位置する前記導電粒子の９０％以上が、前記第１の回路部材の実装面から前記導電粒子の平均粒径の２００％以下となる範囲及び前記第１の電極の厚みの半分に相当する範囲のいずれか大きい範囲に位置していることを特徴とする接続構造体。