JP2002108720A - メモリカード及び不揮発性メモリのデータ書き込み方法 - Google Patents
メモリカード及び不揮発性メモリのデータ書き込み方法Info
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/3436—Arrangements for verifying correct programming or erasure
- G11C16/3454—Arrangements for verifying correct programming or for detecting overprogrammed cells
- G11C16/3459—Circuits or methods to verify correct programming of nonvolatile memory cells
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- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
- G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
- G11C29/44—Indication or identification of errors, e.g. for repair
Landscapes
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】システム的な要因に起因する不良ブロックの判
定に対しては、管理データの書き換えを阻止し、メモリ
の寿命が短くなることを確実に防止する。 【解決手段】コントローラ１２は、シングルライトを行
なう場合、ブロック使用管理テーブル１４２に登録され
ているブロック使用管理データを参照し書き込み可能な
領域を見つけてデータを書き込む。この際、エラーが発
生するとリトライ処理を実行して正常に書き込みができ
たか否かを判定し、正常な書き込みができた場合にブロ
ック使用管理テーブル１４２を更新する。すなわち、リ
トライ処理によって正常に書き込みができた場合に、前
回の書き込み時に利用したアドレスを不良ブロックとし
てブロック使用管理テーブル１４２を更新する。この結
果、システム的な要因によるエラーの場合には、ブロッ
ク使用管理テーブル１４２が更新されることはなく、不
揮発性メモリの長寿命化を図ることができる。
定に対しては、管理データの書き換えを阻止し、メモリ
の寿命が短くなることを確実に防止する。 【解決手段】コントローラ１２は、シングルライトを行
なう場合、ブロック使用管理テーブル１４２に登録され
ているブロック使用管理データを参照し書き込み可能な
領域を見つけてデータを書き込む。この際、エラーが発
生するとリトライ処理を実行して正常に書き込みができ
たか否かを判定し、正常な書き込みができた場合にブロ
ック使用管理テーブル１４２を更新する。すなわち、リ
トライ処理によって正常に書き込みができた場合に、前
回の書き込み時に利用したアドレスを不良ブロックとし
てブロック使用管理テーブル１４２を更新する。この結
果、システム的な要因によるエラーの場合には、ブロッ
ク使用管理テーブル１４２が更新されることはなく、不
揮発性メモリの長寿命化を図ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、不揮発性メモリへ
のデータ書き込み時のエラーにより不良ブロックを判定
し、続く書き込み処理が正しく実行されたことを確認し
て先行のブロックを不良ブロックとして管理するメモリ
カード及び不揮発性メモリのデータ書き込み方法に関す
る。
のデータ書き込み時のエラーにより不良ブロックを判定
し、続く書き込み処理が正しく実行されたことを確認し
て先行のブロックを不良ブロックとして管理するメモリ
カード及び不揮発性メモリのデータ書き込み方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、画像データや音楽データに代表さ
れる種々のデジタル情報を保存する記憶装置として、電
源がオフされても保存情報が消失する虞のない書き換え
可能な不揮発性メモリを搭載したメモリカードが広まっ
てきている。
れる種々のデジタル情報を保存する記憶装置として、電
源がオフされても保存情報が消失する虞のない書き換え
可能な不揮発性メモリを搭載したメモリカードが広まっ
てきている。
【０００３】書き換え可能な不揮発性メモリの代表的な
ものにＮＡＮＤ型フフラッシュメモリがある。この種の
フラッシュメモリはブロック単位で管理され、未使用の
ブロックに対しては管理データとして“１”が書き込ま
れている。そして、データの書き込みを行なった場合
に、管理データを“１”から“０”に書き換えている。
また、データの書き込みを行なった際に書き込みが正常
に行なわれたか否かを判別し、エラーが発生すると、そ
のブロックの管理データを“１”から“０”に書き換え
ている。また、書き込みエラーが発生した場合は、不揮
発性メモリの異なるブロックに対してリトライ処理を行
なう。このリトライ処理において、エラーが発生すれ
ば、そのブロックの管理データを“０”に書き換える。
ものにＮＡＮＤ型フフラッシュメモリがある。この種の
フラッシュメモリはブロック単位で管理され、未使用の
ブロックに対しては管理データとして“１”が書き込ま
れている。そして、データの書き込みを行なった場合
に、管理データを“１”から“０”に書き換えている。
また、データの書き込みを行なった際に書き込みが正常
に行なわれたか否かを判別し、エラーが発生すると、そ
のブロックの管理データを“１”から“０”に書き換え
ている。また、書き込みエラーが発生した場合は、不揮
発性メモリの異なるブロックに対してリトライ処理を行
なう。このリトライ処理において、エラーが発生すれ
ば、そのブロックの管理データを“０”に書き換える。
【０００４】上記のようにデータ書き込みの際にエラー
が発生すると、その都度、対応するブロックの管理デー
タを“１”から“０”に書き換えている。なお、不揮発
性メモリにデータを書き込む動作として２つの状態があ
り、書き込み最小単位により完結するシングルライト
と、これを複数回実施して完結するマルチプルライトが
ある。
が発生すると、その都度、対応するブロックの管理デー
タを“１”から“０”に書き換えている。なお、不揮発
性メモリにデータを書き込む動作として２つの状態があ
り、書き込み最小単位により完結するシングルライト
と、これを複数回実施して完結するマルチプルライトが
ある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のようにデータの
書き込みを行なった際には、そのブロックが不良ブロッ
クであるか否かを判定しているが、不良ブロックである
という判定は、メモリ自身の要因だけでなく、システム
的な要因に起因する場合が存在する。従って、上記従来
のようにデータ書き込みの際に不良ブロックであると判
定された場合に、対応するブロックの管理データを
“１”から“０”に書き換え、不良と判定されたブロッ
クを直ちに利用できないようにすると、メモリ自身が不
良でなくても、そのブロックは使用できないようにな
る。このため従来の不揮発性メモリのデータ書き込み方
法では、メモリカードの寿命が短くなるという問題があ
った。
書き込みを行なった際には、そのブロックが不良ブロッ
クであるか否かを判定しているが、不良ブロックである
という判定は、メモリ自身の要因だけでなく、システム
的な要因に起因する場合が存在する。従って、上記従来
のようにデータ書き込みの際に不良ブロックであると判
定された場合に、対応するブロックの管理データを
“１”から“０”に書き換え、不良と判定されたブロッ
クを直ちに利用できないようにすると、メモリ自身が不
良でなくても、そのブロックは使用できないようにな
る。このため従来の不揮発性メモリのデータ書き込み方
法では、メモリカードの寿命が短くなるという問題があ
った。
【０００６】本発明は上記の課題を解決するためになさ
れたもので、システム的な要因に起因する不良ブロック
の判定に対しては、管理データの書き換えを阻止し、メ
モリの寿命が短くなることを確実に防止し得るメモリカ
ード及び不揮発性メモリのデータ書き込み方法を提供す
ることを目的とする。
れたもので、システム的な要因に起因する不良ブロック
の判定に対しては、管理データの書き換えを阻止し、メ
モリの寿命が短くなることを確実に防止し得るメモリカ
ード及び不揮発性メモリのデータ書き込み方法を提供す
ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】第１の発明に係る不揮発
性メモリのデータ書き込み方法は、シングルライト処理
により不揮発性メモリへブロック単位でデータを書き込
む第１のステップと、データの書き込みが正常に実行さ
れたか否かを判定する第２のステップと、上記データの
書き込みが正常に実行された場合にブロック使用管理テ
ーブルを更新し、そのブロックへの再書き込みを禁止す
る第３のステップと、上記データの書き込みが正常に実
行されなかった場合に異なるブロックへリトライする第
４のステップと、上記リトライによってデータの書き込
みが正常に実行された場合に前回の書き込み時に利用し
たアドレスを不良ブロックとして上記ブロック使用管理
テーブルを更新する第５のステップとを具備することを
特徴とする。上記のようにシングルライト処理において
は、データ書き込みを行なった際にエラーが発生しても
ブロック使用管理テーブルに不良ブロックの登録は行な
わず、その後、リトライ処理によって正常に処理を終了
した場合に、前回の書き込み時に利用したアドレスを不
良ブロックとしてブロック使用管理テーブルに登録され
る。従って、システム的な要因によるエラーの場合に
は、ブロック使用管理テーブルが更新されることはな
く、不揮発性メモリの寿命が短くなることを確実に防止
することができる。
性メモリのデータ書き込み方法は、シングルライト処理
により不揮発性メモリへブロック単位でデータを書き込
む第１のステップと、データの書き込みが正常に実行さ
れたか否かを判定する第２のステップと、上記データの
書き込みが正常に実行された場合にブロック使用管理テ
ーブルを更新し、そのブロックへの再書き込みを禁止す
る第３のステップと、上記データの書き込みが正常に実
行されなかった場合に異なるブロックへリトライする第
４のステップと、上記リトライによってデータの書き込
みが正常に実行された場合に前回の書き込み時に利用し
たアドレスを不良ブロックとして上記ブロック使用管理
テーブルを更新する第５のステップとを具備することを
特徴とする。上記のようにシングルライト処理において
は、データ書き込みを行なった際にエラーが発生しても
ブロック使用管理テーブルに不良ブロックの登録は行な
わず、その後、リトライ処理によって正常に処理を終了
した場合に、前回の書き込み時に利用したアドレスを不
良ブロックとしてブロック使用管理テーブルに登録され
る。従って、システム的な要因によるエラーの場合に
は、ブロック使用管理テーブルが更新されることはな
く、不揮発性メモリの寿命が短くなることを確実に防止
することができる。
【０００８】第２の発明に係る不揮発性メモリのデータ
書き込み方法は、マルチプルライト処理により不揮発性
メモリへデータを書き込む第１のステップと、データの
書き込みが正常に実行されたか否かを判定する第２のス
テップと、上記データの書き込みが正常に実行された場
合にブロック使用管理テーブルを更新し、そのブロック
への再書き込みを禁止する第３のステップと、上記デー
タの書き込みが正常に実行されなかった場合にエラーデ
ータをエラー管理テーブルに登録する第４のステップ
と、ホストデバイスからの再書き込み要求により上記エ
ラー管理テーブルを参照して空きブロックを選択してリ
トライする第５のステップと、上記リトライによってデ
ータの書き込みが正常に実行された場合に上記エラー管
理テーブルに登録されているエラー管理データをクリア
する第６のステップとを具備することを特徴とする。上
記マルチプルライト処理においては、書き込みエラーが
発生した場合に、エラーデータをエラー管理テーブルに
登録し、ホストデバイスからの再書き込み要求により上
記エラー管理テーブルに登録されたエラー管理データに
基づいて空きブロックを選択してリトライ処理を行な
い、リトライ動作が正しく実施されたことでエラー管理
テーブルがクリアされる。従って、システム的な要因に
よるエラーによってブロック使用管理テーブルが更新さ
れることはなく、不揮発性メモリを効率的に使用して長
寿命化を図ることができる。
書き込み方法は、マルチプルライト処理により不揮発性
メモリへデータを書き込む第１のステップと、データの
書き込みが正常に実行されたか否かを判定する第２のス
テップと、上記データの書き込みが正常に実行された場
合にブロック使用管理テーブルを更新し、そのブロック
への再書き込みを禁止する第３のステップと、上記デー
タの書き込みが正常に実行されなかった場合にエラーデ
ータをエラー管理テーブルに登録する第４のステップ
と、ホストデバイスからの再書き込み要求により上記エ
ラー管理テーブルを参照して空きブロックを選択してリ
トライする第５のステップと、上記リトライによってデ
ータの書き込みが正常に実行された場合に上記エラー管
理テーブルに登録されているエラー管理データをクリア
する第６のステップとを具備することを特徴とする。上
記マルチプルライト処理においては、書き込みエラーが
発生した場合に、エラーデータをエラー管理テーブルに
登録し、ホストデバイスからの再書き込み要求により上
記エラー管理テーブルに登録されたエラー管理データに
基づいて空きブロックを選択してリトライ処理を行な
い、リトライ動作が正しく実施されたことでエラー管理
テーブルがクリアされる。従って、システム的な要因に
よるエラーによってブロック使用管理テーブルが更新さ
れることはなく、不揮発性メモリを効率的に使用して長
寿命化を図ることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施形態を説明する。図１は本発明の一実施形態に係る
メモリカードの全体構成を示すブロック図である。
実施形態を説明する。図１は本発明の一実施形態に係る
メモリカードの全体構成を示すブロック図である。
【００１０】図１のメモリカードは、例えばパーソナル
コンピュータ、電子カメラ、ゲーム機を始めとする各種
電子機器に装着して使用されるもので、ホストインタフ
ェース１１と、コントローラ１２と、ＲＯＭ１３と、Ｒ
ＡＭ１４と、書き換え可能な不揮発性メモリ、例えばフ
ラッシュメモリ１５とを備えている。
コンピュータ、電子カメラ、ゲーム機を始めとする各種
電子機器に装着して使用されるもので、ホストインタフ
ェース１１と、コントローラ１２と、ＲＯＭ１３と、Ｒ
ＡＭ１４と、書き換え可能な不揮発性メモリ、例えばフ
ラッシュメモリ１５とを備えている。
【００１１】ホストインタフェース１１は、上記メモリ
カードが装着される電子機器本体（以下、ホストデバイ
スと称する）とのインタフェースをなす。コントローラ
１２は、カード全体の制御を司るもので、マイクロプロ
セッサ（ＭＰＵ）１２１と、レジスタ（ＲＥＧ）１２２
とを有している。上記マイクロプロセッサ１２１は、ホ
ストインタフェース１１を介して受信されるコマンドを
ＲＯＭ１３に格納されている制御プログラム（ファーム
ウェア）に従って解釈して実行する。
カードが装着される電子機器本体（以下、ホストデバイ
スと称する）とのインタフェースをなす。コントローラ
１２は、カード全体の制御を司るもので、マイクロプロ
セッサ（ＭＰＵ）１２１と、レジスタ（ＲＥＧ）１２２
とを有している。上記マイクロプロセッサ１２１は、ホ
ストインタフェース１１を介して受信されるコマンドを
ＲＯＭ１３に格納されている制御プログラム（ファーム
ウェア）に従って解釈して実行する。
【００１２】ＲＯＭ１３は、読み出し専用の不揮発性メ
モリである。ＲＯＭ１３は、上記制御プログラム、及び
管理用の固定データ等を予め格納するのに用いられる。
ＲＡＭ１４は、揮発性メモリであり、コントローラ１２
の作業用領域１４１の他、ブロック使用管理テーブル１
４２、エラー管理テーブル１４３、書き込みデータバッ
ファ１４４等が設けられる。上記ブロック使用管理テー
ブル１４２は、図２に示すようにフラッシュメモリ１５
の各ブロックに対し、それぞれ未使用状態と使用又は不
良ブロック状態を記憶してブロックの使用状態を管理す
る。上記ブロック使用管理テーブル１４２は、図３
（ａ）に示すようにフラッシュメモリ１５の各ブロック
が未使用の場合には、各ブロックに対して“１”が書き
込まれている。そして、ブロック単位でデータの書き込
みが行なわれると、図３（ｂ）に示すように“１”が
“０”に書き換えられ、そのブロックが使用状態である
ことが示される。また、不良ブロックに対しても“０”
が書き込まれ、その後の使用が禁止される。
モリである。ＲＯＭ１３は、上記制御プログラム、及び
管理用の固定データ等を予め格納するのに用いられる。
ＲＡＭ１４は、揮発性メモリであり、コントローラ１２
の作業用領域１４１の他、ブロック使用管理テーブル１
４２、エラー管理テーブル１４３、書き込みデータバッ
ファ１４４等が設けられる。上記ブロック使用管理テー
ブル１４２は、図２に示すようにフラッシュメモリ１５
の各ブロックに対し、それぞれ未使用状態と使用又は不
良ブロック状態を記憶してブロックの使用状態を管理す
る。上記ブロック使用管理テーブル１４２は、図３
（ａ）に示すようにフラッシュメモリ１５の各ブロック
が未使用の場合には、各ブロックに対して“１”が書き
込まれている。そして、ブロック単位でデータの書き込
みが行なわれると、図３（ｂ）に示すように“１”が
“０”に書き換えられ、そのブロックが使用状態である
ことが示される。また、不良ブロックに対しても“０”
が書き込まれ、その後の使用が禁止される。
【００１３】また、上記エラー管理テーブル１４３は、
マルチプルライト処理の場合に使用されるもので、デー
タ書き込みの際にエラーが発生すると、不良データとし
て登録される。
マルチプルライト処理の場合に使用されるもので、デー
タ書き込みの際にエラーが発生すると、不良データとし
て登録される。
【００１４】フラッシュメモリ１５の各ブロックは、一
定サイズの複数のセクタから構成される。セクタは、フ
ラッシュメモリ１５に対するデータの書き込み／読み出
しの最小単位である。また、フラッシュメモリ１５の領
域は、システム管理情報等が保存される管理領域１５１
と、画像データ、音楽データ等のデジタルコンテンツを
保存するデータ領域１５２からなっている。管理領域１
５１には、データ領域１５２に保存されているディジタ
ルコンテンツを使用するのに必要な、コンテンツ復号キ
ー、コピー制御情報、移動制御情報等の重要な情報が保
存されている。
定サイズの複数のセクタから構成される。セクタは、フ
ラッシュメモリ１５に対するデータの書き込み／読み出
しの最小単位である。また、フラッシュメモリ１５の領
域は、システム管理情報等が保存される管理領域１５１
と、画像データ、音楽データ等のデジタルコンテンツを
保存するデータ領域１５２からなっている。管理領域１
５１には、データ領域１５２に保存されているディジタ
ルコンテンツを使用するのに必要な、コンテンツ復号キ
ー、コピー制御情報、移動制御情報等の重要な情報が保
存されている。
【００１５】次に上記メモリカードに対するデータ書き
込み処理について説明する。最初に、シングルライト処
理について、図４に示すフローチャートを参照して説明
する。コントローラ１２は、ホストデバイスからの指令
に従ってシングルライト処理を行なう場合、まず、書き
込みアドレスを計算する（ステップＡ１）。すなわち、
ブロック使用管理テーブル１４２に書き込まれているブ
ロック使用管理データを参照して書き込み可能な領域を
見つける。この場合、不良ブロックは使用済みとして管
理されているので、再度利用することはない。
込み処理について説明する。最初に、シングルライト処
理について、図４に示すフローチャートを参照して説明
する。コントローラ１２は、ホストデバイスからの指令
に従ってシングルライト処理を行なう場合、まず、書き
込みアドレスを計算する（ステップＡ１）。すなわち、
ブロック使用管理テーブル１４２に書き込まれているブ
ロック使用管理データを参照して書き込み可能な領域を
見つける。この場合、不良ブロックは使用済みとして管
理されているので、再度利用することはない。
【００１６】そして、上記書き込みアドレスに対してデ
ータの書き込みを行なう（ステップＡ２）。この場合、
ホストデバイスから送られてくるデータをＲＡＭ１４の
書き込みデータバッファ１４４にブロック単位で保持
し、上記書き込みアドレスに対して書き込みを行なう。
その後、ライトステータス、つまり、データ書き込みの
処理ステータスが正常か否かを判別する（ステップＡ
３）。
ータの書き込みを行なう（ステップＡ２）。この場合、
ホストデバイスから送られてくるデータをＲＡＭ１４の
書き込みデータバッファ１４４にブロック単位で保持
し、上記書き込みアドレスに対して書き込みを行なう。
その後、ライトステータス、つまり、データ書き込みの
処理ステータスが正常か否かを判別する（ステップＡ
３）。
【００１７】上記ステップＡ３で、異常ステータスが見
つかっても不良ブロックをブロック使用管理テーブル１
４２に直ちに登録することはしない。すなわち、上記ス
テップＡ３で、ライトステータスが異常であると判定さ
れた場合には、先行状態が異常であるとし（ステップＡ
４）、リトライを継続するか終了するかをリトライ回数
から判別する（ステップＡ５）。このステップＡ５で
は、予め設定されたリトライ回数に達したか否かによっ
てリトライを継続するか終了するかを判別し、リトライ
回数が設定値に達していなければ、ステップＡ１に戻
り、異なるブロックを見つけてデータの再書き込みを行
なう。上記ステップＡ５で、リトライ回数が設定値に達
したと判定された場合には、ステップＡ６に進んでエラ
ー終了とし、シングルライト処理を終了する。
つかっても不良ブロックをブロック使用管理テーブル１
４２に直ちに登録することはしない。すなわち、上記ス
テップＡ３で、ライトステータスが異常であると判定さ
れた場合には、先行状態が異常であるとし（ステップＡ
４）、リトライを継続するか終了するかをリトライ回数
から判別する（ステップＡ５）。このステップＡ５で
は、予め設定されたリトライ回数に達したか否かによっ
てリトライを継続するか終了するかを判別し、リトライ
回数が設定値に達していなければ、ステップＡ１に戻
り、異なるブロックを見つけてデータの再書き込みを行
なう。上記ステップＡ５で、リトライ回数が設定値に達
したと判定された場合には、ステップＡ６に進んでエラ
ー終了とし、シングルライト処理を終了する。
【００１８】また、上記ステップＡ３でライトステータ
スが正常であると判定された場合には、上記のデータ書
き込みがリトライ処理であるか否かを判別し（ステップ
Ａ７）、リトライ処理であった場合には、先行状態、つ
まり、前回の書き込みが正常か否かを判別する（ステッ
プＡ８）。書き込み異常の場合には、不良データと判断
し、前回のライト時に利用したアドレスを不良ブロック
とし（ステップＡ９）、ステップＡ１０で先行状態を正
常にした後、ブロック使用管理テーブル１４２を更新す
る（ステップＡ１１）。例えば図３（ａ）に示すように
ブロック使用管理テーブル１４２が全て未使用状態とな
っているとき、最初のデータ書き込みがエラーとなって
リトライ処理を行ない、その結果、データを正しく書け
た場合には、図３（ｂ）に示すように、そのブロックに
対する管理データを“０”に書き換えて使用状態とする
と共に、その１つ前に書き込みを行なったブロックを不
良ブロックとして“０”に書き換える。
スが正常であると判定された場合には、上記のデータ書
き込みがリトライ処理であるか否かを判別し（ステップ
Ａ７）、リトライ処理であった場合には、先行状態、つ
まり、前回の書き込みが正常か否かを判別する（ステッ
プＡ８）。書き込み異常の場合には、不良データと判断
し、前回のライト時に利用したアドレスを不良ブロック
とし（ステップＡ９）、ステップＡ１０で先行状態を正
常にした後、ブロック使用管理テーブル１４２を更新す
る（ステップＡ１１）。例えば図３（ａ）に示すように
ブロック使用管理テーブル１４２が全て未使用状態とな
っているとき、最初のデータ書き込みがエラーとなって
リトライ処理を行ない、その結果、データを正しく書け
た場合には、図３（ｂ）に示すように、そのブロックに
対する管理データを“０”に書き換えて使用状態とする
と共に、その１つ前に書き込みを行なったブロックを不
良ブロックとして“０”に書き換える。
【００１９】また、上記のようにリトライ処理によって
データの書き込みが正常に行なわれた場合において、図
３（ｃ）に示すように１つ前のブロックが既に使用状態
となっており、その前のブロックが前回書き込みを行な
ったブロックであった場合には、図３（ｄ）に示すよう
に正常に書き込みができた今回のブロックに“０”を書
き込むと共に、前回書き込みを行なった２つ前のブロッ
クを不良ブロックとして“０”を書き込む。
データの書き込みが正常に行なわれた場合において、図
３（ｃ）に示すように１つ前のブロックが既に使用状態
となっており、その前のブロックが前回書き込みを行な
ったブロックであった場合には、図３（ｄ）に示すよう
に正常に書き込みができた今回のブロックに“０”を書
き込むと共に、前回書き込みを行なった２つ前のブロッ
クを不良ブロックとして“０”を書き込む。
【００２０】また、上記ステップＡ７でリトライ処理で
はないと判定された場合、あるいはステップＡ８で先行
状態が正常であると判定された場合には、ステップＡ１
０で先行状態を正常にした後、ブロック使用管理テーブ
ル１４２を更新する（ステップＡ１１）。この場合に
は、データの書き込みが正常に行なわれたブロックに対
して“０”を書き込んで使用状態とする。
はないと判定された場合、あるいはステップＡ８で先行
状態が正常であると判定された場合には、ステップＡ１
０で先行状態を正常にした後、ブロック使用管理テーブ
ル１４２を更新する（ステップＡ１１）。この場合に
は、データの書き込みが正常に行なわれたブロックに対
して“０”を書き込んで使用状態とする。
【００２１】その後、正常終了（ステップＡ１２）とし
てシングルライト処理を終了する。
てシングルライト処理を終了する。
【００２２】上記のようにシングルライトにおいては、
データ書き込みを行なった際にエラーが発生してもブロ
ック使用管理テーブル１４２に不良ブロックの登録は行
なわず、その後、リトライ処理によって正常に処理を終
了した場合に、前回の書き込み時に利用したアドレスを
不良ブロックとしてブロック使用管理テーブル１４２を
更新するようにしているので、メモリ自身の要因によっ
てエラーが発生した場合のみブロック使用管理テーブル
１４２が更新される。従って、システム的な要因による
エラーの場合には、ブロック使用管理テーブル１４２が
更新されることはなく、リトライを繰り返して実施した
場合においても、再書き込み実施試行分の不良ブロック
判定を回避することが可能であり、不揮発性メモリの寿
命が短くなることを確実に防止することができる。
データ書き込みを行なった際にエラーが発生してもブロ
ック使用管理テーブル１４２に不良ブロックの登録は行
なわず、その後、リトライ処理によって正常に処理を終
了した場合に、前回の書き込み時に利用したアドレスを
不良ブロックとしてブロック使用管理テーブル１４２を
更新するようにしているので、メモリ自身の要因によっ
てエラーが発生した場合のみブロック使用管理テーブル
１４２が更新される。従って、システム的な要因による
エラーの場合には、ブロック使用管理テーブル１４２が
更新されることはなく、リトライを繰り返して実施した
場合においても、再書き込み実施試行分の不良ブロック
判定を回避することが可能であり、不揮発性メモリの寿
命が短くなることを確実に防止することができる。
【００２３】次に、マルチプルライトによるデータ書き
込み処理について図５に示すフローチャートを参照して
説明する。
込み処理について図５に示すフローチャートを参照して
説明する。
【００２４】ホストデバイスからマルチプルライトによ
る書き込みが指示されると、コントローラ１２は、ま
ず、ブロック使用管理テーブル１４２に書き込まれてい
る管理データを利用して、フラッシュメモリ１５の書き
込み可能な空きブロックを選択し（ステップＢ１）、こ
の空きブロックに対してデータの書き込みを行なう（ス
テップＢ２）。この場合、ホストデバイスから送られて
くるデータがＲＡＭ１４の書き込みデータバッファ１４
４に順次書き込まれ、このデータが上記空きブロックに
書き込まれる。その後、ライトステータス、つまり、デ
ータ書き込みの処理ステータスが正常か否かを判別する
（ステップＢ３）。
る書き込みが指示されると、コントローラ１２は、ま
ず、ブロック使用管理テーブル１４２に書き込まれてい
る管理データを利用して、フラッシュメモリ１５の書き
込み可能な空きブロックを選択し（ステップＢ１）、こ
の空きブロックに対してデータの書き込みを行なう（ス
テップＢ２）。この場合、ホストデバイスから送られて
くるデータがＲＡＭ１４の書き込みデータバッファ１４
４に順次書き込まれ、このデータが上記空きブロックに
書き込まれる。その後、ライトステータス、つまり、デ
ータ書き込みの処理ステータスが正常か否かを判別する
（ステップＢ３）。
【００２５】上記ステップＢ３で、ライトステータスが
異常であると判定された場合には、先行状態が異常であ
るとし、エラーデータをＲＡＭ１４のエラー管理テーブ
ル１４３に登録する（ステップＢ４）。書き込みエラー
が発生した場合、コントローラ１２からホストインタフ
ェース１１を介してホストデバイスに書き込みエラーの
発生を示すデータが送られる。これによりホストデバイ
スから再書き込み要求が指示される（ステップＢ５）。
異常であると判定された場合には、先行状態が異常であ
るとし、エラーデータをＲＡＭ１４のエラー管理テーブ
ル１４３に登録する（ステップＢ４）。書き込みエラー
が発生した場合、コントローラ１２からホストインタフ
ェース１１を介してホストデバイスに書き込みエラーの
発生を示すデータが送られる。これによりホストデバイ
スから再書き込み要求が指示される（ステップＢ５）。
【００２６】コントローラ１２は、再書き込み要求によ
り、エラー管理テーブル１４３を参照して他の空きブロ
ックの選択動作を行ない（ステップＢ６）、その空きブ
ロックに対してリトライ処理を行なう（ステップＢ
７）。すなわち、ホストデバイスから送られてくるデー
タを書き込みデータバッファ１４４に順次保持し、上空
きブロックへの書き込みを行なう。
り、エラー管理テーブル１４３を参照して他の空きブロ
ックの選択動作を行ない（ステップＢ６）、その空きブ
ロックに対してリトライ処理を行なう（ステップＢ
７）。すなわち、ホストデバイスから送られてくるデー
タを書き込みデータバッファ１４４に順次保持し、上空
きブロックへの書き込みを行なう。
【００２７】そして、上記リトライ処理に対してデータ
の書き込みが正常に行なわれたか否かを判別し（ステッ
プＢ８）、書き込み異常が発生した場合にはステップＢ
５に戻り、上記した処理を繰り返して実行する。
の書き込みが正常に行なわれたか否かを判別し（ステッ
プＢ８）、書き込み異常が発生した場合にはステップＢ
５に戻り、上記した処理を繰り返して実行する。
【００２８】また、上記ステップＢ８で正常に書き込み
処理を終了したと判定された場合には、上記エラー管理
テーブル１４３に登録されているエラー管理データをク
リアすると共にブロック使用管理テーブル１４２を更新
し（ステップＢ９）、正常終了（ステップＢ１０）とし
てマルチプルライト処理を終了する。
処理を終了したと判定された場合には、上記エラー管理
テーブル１４３に登録されているエラー管理データをク
リアすると共にブロック使用管理テーブル１４２を更新
し（ステップＢ９）、正常終了（ステップＢ１０）とし
てマルチプルライト処理を終了する。
【００２９】マルチプルライト時にエラーが発生した場
合、ＲＡＭ１４の書き込みデータバッファ１４４には書
き込みデータの一部しか保持されていない。このため書
き込みデータバッファ１４４の保持データに基づくリト
ライを実施することができず、上記シングルライトの場
合のようにリトライによって正常に書き込みができたと
いう行為によって１つ前に書き込みを行なったブロック
を不良ブロックであると判断することはできない。ま
た、ホストデバイスからの書き込み再要求によって再度
不良ブロック化できない事態が考えられる。
合、ＲＡＭ１４の書き込みデータバッファ１４４には書
き込みデータの一部しか保持されていない。このため書
き込みデータバッファ１４４の保持データに基づくリト
ライを実施することができず、上記シングルライトの場
合のようにリトライによって正常に書き込みができたと
いう行為によって１つ前に書き込みを行なったブロック
を不良ブロックであると判断することはできない。ま
た、ホストデバイスからの書き込み再要求によって再度
不良ブロック化できない事態が考えられる。
【００３０】このため本発明によるマルチプルライト処
理においては、上記したように書き込みエラーを発生し
たブロックについてエラー管理テーブル１４３に登録
し、ブロック使用管理テーブル１４２とは別管理にす
る。その後、ホストデバイスからの再書き込み要求によ
り、上記エラー管理テーブル１４３に登録されたエラー
管理データに基づいて空きブロックを選択することでリ
トライ動作を可能としている。そして、リトライ動作が
正しく実施されたことで上記エラー管理テーブル１４３
に登録されているエラー管理データをクリアする。
理においては、上記したように書き込みエラーを発生し
たブロックについてエラー管理テーブル１４３に登録
し、ブロック使用管理テーブル１４２とは別管理にす
る。その後、ホストデバイスからの再書き込み要求によ
り、上記エラー管理テーブル１４３に登録されたエラー
管理データに基づいて空きブロックを選択することでリ
トライ動作を可能としている。そして、リトライ動作が
正しく実施されたことで上記エラー管理テーブル１４３
に登録されているエラー管理データをクリアする。
【００３１】上記マルチプルライトの場合には、エラー
が発生した場合、そのエラーがメモリ自身の要因である
か、システム的な要因に起因するものか判断できないの
で、ブロック使用管理テーブル１４２の更新は行なわな
い。このようにエラーが発生したと判断されたブロック
をそのまま未使用領域として残しておいても、その後、
図５で説明したシングルライト処理において、そのエラ
ーがメモリ自身の要因であるか、システム的な要因に起
因するものかを判断できるので問題はない。上記したよ
うにマルチプルライト処理の場合には、エラーが発生し
てもブロック使用管理テーブル１４２が更新されること
はなく、不揮発性メモリの寿命が短くなることを確実に
防止することができる。
が発生した場合、そのエラーがメモリ自身の要因である
か、システム的な要因に起因するものか判断できないの
で、ブロック使用管理テーブル１４２の更新は行なわな
い。このようにエラーが発生したと判断されたブロック
をそのまま未使用領域として残しておいても、その後、
図５で説明したシングルライト処理において、そのエラ
ーがメモリ自身の要因であるか、システム的な要因に起
因するものかを判断できるので問題はない。上記したよ
うにマルチプルライト処理の場合には、エラーが発生し
てもブロック使用管理テーブル１４２が更新されること
はなく、不揮発性メモリの寿命が短くなることを確実に
防止することができる。
【００３２】なお、上記実施形態では、不揮発性メモリ
を備えたメモリカードに実施した場合について説明した
が、その他、例えばコンピュータが内蔵する不揮発性メ
モリに対しても、上記実施形態と同様にして実施し得る
ものである。
を備えたメモリカードに実施した場合について説明した
が、その他、例えばコンピュータが内蔵する不揮発性メ
モリに対しても、上記実施形態と同様にして実施し得る
ものである。
【００３３】
【発明の効果】以上詳記したように本発明によれば、シ
ングルライト処理により不揮発性メモリへデータ書き込
みを行なった際にエラーが発生しても不良ブロックを直
ちにブロック使用管理テーブルに登録することはせず、
その後、リトライ処理によって正常に書き込みができた
場合に、前回の書き込み時に利用したアドレスを不良ブ
ロックとしてブロック使用管理テーブルを更新するよう
にしているので、メモリ自身の要因によってエラーが発
生した場合のみブロック使用管理テーブルが更新され
る。従って、システム的な要因によるエラーの場合に
は、ブロック使用管理テーブルが更新されることはな
く、不揮発性メモリの寿命が短くなることを確実に防止
することができる。また、マルチプルライト処理におい
ては、書き込みエラーが発生した場合に、エラーデータ
をエラー管理テーブルに登録し、ホストデバイスからの
再書き込み要求により上記エラー管理テーブルに登録さ
れたエラー管理データに基づいて空きブロックを選択し
てリトライ処理を行ない、リトライ動作が正しく実施さ
れたことでエラー管理テーブルをクリアするようにした
ので、システム的な要因によるエラーによってブロック
使用管理テーブルが更新されることはなく、不揮発性メ
モリを効率的に使用して長寿命化を図ることができる。
ングルライト処理により不揮発性メモリへデータ書き込
みを行なった際にエラーが発生しても不良ブロックを直
ちにブロック使用管理テーブルに登録することはせず、
その後、リトライ処理によって正常に書き込みができた
場合に、前回の書き込み時に利用したアドレスを不良ブ
ロックとしてブロック使用管理テーブルを更新するよう
にしているので、メモリ自身の要因によってエラーが発
生した場合のみブロック使用管理テーブルが更新され
る。従って、システム的な要因によるエラーの場合に
は、ブロック使用管理テーブルが更新されることはな
く、不揮発性メモリの寿命が短くなることを確実に防止
することができる。また、マルチプルライト処理におい
ては、書き込みエラーが発生した場合に、エラーデータ
をエラー管理テーブルに登録し、ホストデバイスからの
再書き込み要求により上記エラー管理テーブルに登録さ
れたエラー管理データに基づいて空きブロックを選択し
てリトライ処理を行ない、リトライ動作が正しく実施さ
れたことでエラー管理テーブルをクリアするようにした
ので、システム的な要因によるエラーによってブロック
使用管理テーブルが更新されることはなく、不揮発性メ
モリを効率的に使用して長寿命化を図ることができる。
【図１】本発明の一実施形態に係るメモリカードの全体
構成を示すブロック図。
構成を示すブロック図。
【図２】同実施形態におけるブロック使用管理テーブル
の構成例を示す図。
の構成例を示す図。
【図３】同実施形態におけるブロック使用管理テーブル
の管理データ例を示す図。
の管理データ例を示す図。
【図４】同実施形態におけるシングルライト処理の動作
を示すフローチャート。
を示すフローチャート。
【図５】同実施形態におけるマルチプルライト処理の動
作を示すフローチャート。
作を示すフローチャート。
１１ ホストインタフェース １２ コントローラ １２１ マイクロプロセッサ（ＭＰＵ） １２２ レジスタ（ＲＥＧ） １３ ＲＯＭ １４ ＲＡＭ １４１ 作業用領域 １４２ ブロック使用管理テーブル １４３ エラー管理テーブル １４４ 書き込みデータバッファ １５ フラッシュメモリ １５１ 管理領域
Claims (4)
- 【請求項１】 書き換え可能な不揮発性メモリを搭載し
たメモリカードにおいて、 上記不揮発性メモリのデータ書き込み状態を管理するブ
ロック使用管理テーブルと、シングルライト処理により
上記不揮発性メモリへブロック単位でデータを書き込む
手段と、上記データの書き込みが正常に実行されたか否
かを判定し、データの書き込みが正常に実行された場合
に上記ブロック使用管理テーブルを更新し、対応するブ
ロックへの再書き込みを禁止する手段と、上記データの
書き込みが正常に実行されなかった場合に上記不揮発性
メモリの異なるブロックへデータの書き込みをリトライ
する手段と、上記リトライによってデータの書き込みが
正常に実行された場合に前回の書き込み時に利用したア
ドレスを不良ブロックとして上記ブロック使用管理テー
ブルを更新する手段とを具備することを特徴とするメモ
リカード。 - 【請求項２】 書き換え可能な不揮発性メモリを搭載し
たメモリカードにおいて、 上記不揮発性メモリのデータ書き込み状態を管理するブ
ロック使用管理テーブルと、マルチプルライト処理によ
り上記不揮発性メモリへブロック単位でデータを書き込
む手段と、上記データの書き込みが正常に実行されたか
否かを判定し、データの書き込みが正常に実行された場
合に上記ブロック使用管理テーブルを更新し、対応する
ブロックへの再書き込みを禁止する手段と、上記データ
の書き込みが正常に実行されなかった場合にエラーデー
タが登録されるエラー管理テーブルと、ホストデバイス
からの再書き込み要求により上記エラー管理テーブルを
参照して空きブロックを選択しデータの書き込みをリト
ライする手段と、上記リトライによってデータの書き込
みが正常に実行された場合に上記エラー管理テーブルに
登録されているエラー管理データをクリアする手段とを
具備することを特徴とするメモリカード。 - 【請求項３】 シングルライト処理により不揮発性メモ
リへブロック単位でデータを書き込む第１のステップ
と、データの書き込みが正常に実行されたか否かを判定
する第２のステップと、上記データの書き込みが正常に
実行された場合にブロック使用管理テーブルを更新し、
そのブロックへの再書き込みを禁止する第３のステップ
と、上記データの書き込みが正常に実行されなかった場
合に異なるブロックへリトライする第４のステップと、
上記リトライによってデータの書き込みが正常に実行さ
れた場合に前回の書き込み時に利用したアドレスを不良
ブロックとして上記ブロック使用管理テーブルを更新す
る第５のステップとを具備することを特徴とする不揮発
性メモリのデータ書き込み方法。 - 【請求項４】 マルチプルライト処理により不揮発性メ
モリへデータを書き込む第１のステップと、データの書
き込みが正常に実行されたか否かを判定する第２のステ
ップと、上記データの書き込みが正常に実行された場合
にブロック使用管理テーブルを更新し、そのブロックへ
の再書き込みを禁止する第３のステップと、上記データ
の書き込みが正常に実行されなかった場合にエラーデー
タをエラー管理テーブルに登録する第４のステップと、
ホストデバイスからの再書き込み要求により上記エラー
管理テーブルを参照して空きブロックを選択してリトラ
イする第５のステップと、上記リトライによってデータ
の書き込みが正常に実行された場合に上記エラー管理テ
ーブルに登録されているエラー管理データをクリアする
第６のステップとを具備することを特徴とする不揮発性
メモリのデータ書き込み方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000301521A JP4031190B2 (ja) | 2000-09-29 | 2000-09-29 | メモリカード、不揮発性メモリ、不揮発性メモリのデータ書き込み方法及びデータ書き込み装置 |
| US09/949,796 US6601132B2 (en) | 2000-09-29 | 2001-09-12 | Nonvolatile memory and method of writing data thereto |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000301521A JP4031190B2 (ja) | 2000-09-29 | 2000-09-29 | メモリカード、不揮発性メモリ、不揮発性メモリのデータ書き込み方法及びデータ書き込み装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007239602A Division JP4602387B2 (ja) | 2007-09-14 | 2007-09-14 | メモリカード、不揮発性メモリ、不揮発性メモリのデータ書込み方法及びデータ書込み装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002108720A true JP2002108720A (ja) | 2002-04-12 |
| JP2002108720A5 JP2002108720A5 (ja) | 2005-06-09 |
| JP4031190B2 JP4031190B2 (ja) | 2008-01-09 |
Family
ID=18783052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000301521A Expired - Fee Related JP4031190B2 (ja) | 2000-09-29 | 2000-09-29 | メモリカード、不揮発性メモリ、不揮発性メモリのデータ書き込み方法及びデータ書き込み装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6601132B2 (ja) |
| JP (1) | JP4031190B2 (ja) |
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