JP2002108068A - 抵抗測定装置及び画像形成装置 - Google Patents
抵抗測定装置及び画像形成装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の抵抗測定方法よりも、短時間で、か
つ、広い範囲の抵抗値を測定することができる抵抗測定
装置を提供することである。 【解決手段】 感光体ドラム１との間でバイアスを形成
するための帯電ローラ２の抵抗値を測定する抵抗測定装
置は、ＣＰＵ、ＲＡＭ、ＲОＭ、Ｉ／О、タイマー等を
有する制御装置３、電流計を備えた制御板４、電流計で
検出した検出結果に基づいて帯電ローラ２の抵抗値を算
出するマイクロコンピュータ等の演算手段５、帯電ロー
ラに所定のバイアスを印加するための高圧電源６等から
構成されている。高圧電源によるバイアス印加により帯
電ローラを流れる尖頭電流を電流計により検出したら、
その検出した尖頭電流に基づいて帯電ローラの抵抗値を
算出する。これによれば、短時間で抵抗測定ができるの
で、例えば、複写機のジョブごとに抵抗測定モードを設
け、その測定結果に基づき、帯電ローラに印加するバイ
アス値を制御することが可能になる。
つ、広い範囲の抵抗値を測定することができる抵抗測定
装置を提供することである。 【解決手段】 感光体ドラム１との間でバイアスを形成
するための帯電ローラ２の抵抗値を測定する抵抗測定装
置は、ＣＰＵ、ＲＡＭ、ＲОＭ、Ｉ／О、タイマー等を
有する制御装置３、電流計を備えた制御板４、電流計で
検出した検出結果に基づいて帯電ローラ２の抵抗値を算
出するマイクロコンピュータ等の演算手段５、帯電ロー
ラに所定のバイアスを印加するための高圧電源６等から
構成されている。高圧電源によるバイアス印加により帯
電ローラを流れる尖頭電流を電流計により検出したら、
その検出した尖頭電流に基づいて帯電ローラの抵抗値を
算出する。これによれば、短時間で抵抗測定ができるの
で、例えば、複写機のジョブごとに抵抗測定モードを設
け、その測定結果に基づき、帯電ローラに印加するバイ
アス値を制御することが可能になる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、像担持体との間で
バイアスを形成するための帯電ローラや転写ベルト等の
バイアス形成部材の抵抗値を測定する抵抗測定装置、及
び、この抵抗測定装置を備えた複写機、プリンタ、ファ
クシミリあるいはこれらの複合機等の画像形成装置に関
するものである。
バイアスを形成するための帯電ローラや転写ベルト等の
バイアス形成部材の抵抗値を測定する抵抗測定装置、及
び、この抵抗測定装置を備えた複写機、プリンタ、ファ
クシミリあるいはこれらの複合機等の画像形成装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の画像形成装置には、感光
体ドラム等の像担持体に接触するように配置される接触
部材又は像担持体との間にギャップをもつように配置さ
れる非接触部材等のバイアス形成部材を有するものがあ
る。このバイアス形成部材としては、例えば、像担持体
表面を一様帯電する一様帯電部材としての帯電ローラが
ある。帯電ローラは、バイアス印加手段である電源から
のバイアス印加により、像担持体との間にバイアスを形
成して像担持体表面に電荷を付与し、その表面を所望の
設定電位に帯電する。しかし、帯電ローラの抵抗値は、
使用頻度に応じて経時的に変化したり、使用環境（温度
や湿度等）に応じて変化したりする。このように抵抗値
が変化すると、その帯電ローラと像担持体との間のバイ
アス値も変化し、像担持体表面を設定電位に帯電するこ
とができず、画質劣化を招くという不具合が生じる。ま
た、帯電ローラの製造段階における製造方法や材料の特
性等により、同一設計の帯電ローラ間でも、抵抗値が互
いに異なる場合もある。このように互いに抵抗値が異な
る帯電ローラを、同じバイアス印加条件に設定された画
像形成装置に搭載した場合、その抵抗値の違いにより、
画像形成装置ごとに、その帯電ローラと像担持体との間
のバイアス値も異なる結果となる。よって、この場合に
も、一部の画像形成装置では、像担持体表面を所望の設
定電位に帯電することができず、画質劣化を招くという
不具合が生じる。
体ドラム等の像担持体に接触するように配置される接触
部材又は像担持体との間にギャップをもつように配置さ
れる非接触部材等のバイアス形成部材を有するものがあ
る。このバイアス形成部材としては、例えば、像担持体
表面を一様帯電する一様帯電部材としての帯電ローラが
ある。帯電ローラは、バイアス印加手段である電源から
のバイアス印加により、像担持体との間にバイアスを形
成して像担持体表面に電荷を付与し、その表面を所望の
設定電位に帯電する。しかし、帯電ローラの抵抗値は、
使用頻度に応じて経時的に変化したり、使用環境（温度
や湿度等）に応じて変化したりする。このように抵抗値
が変化すると、その帯電ローラと像担持体との間のバイ
アス値も変化し、像担持体表面を設定電位に帯電するこ
とができず、画質劣化を招くという不具合が生じる。ま
た、帯電ローラの製造段階における製造方法や材料の特
性等により、同一設計の帯電ローラ間でも、抵抗値が互
いに異なる場合もある。このように互いに抵抗値が異な
る帯電ローラを、同じバイアス印加条件に設定された画
像形成装置に搭載した場合、その抵抗値の違いにより、
画像形成装置ごとに、その帯電ローラと像担持体との間
のバイアス値も異なる結果となる。よって、この場合に
も、一部の画像形成装置では、像担持体表面を所望の設
定電位に帯電することができず、画質劣化を招くという
不具合が生じる。
【０００３】このような不具合を防止するため、従来、
帯電ローラの抵抗値を測定し、その測定結果に応じて印
加バイアス値等のバイアス条件を変更する画像形成装置
が提案されている。この画像形成装置においては、帯電
ローラに直流バイアスを印加し、それから一定時間経過
した後の安定した定常電流（以下、「リーク電流」とい
う。）を検出する。そして、その検出したリーク電流値
から抵抗値を求めるという方法が一般に採用されてい
る。
帯電ローラの抵抗値を測定し、その測定結果に応じて印
加バイアス値等のバイアス条件を変更する画像形成装置
が提案されている。この画像形成装置においては、帯電
ローラに直流バイアスを印加し、それから一定時間経過
した後の安定した定常電流（以下、「リーク電流」とい
う。）を検出する。そして、その検出したリーク電流値
から抵抗値を求めるという方法が一般に採用されてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の抵抗
測定方法では、バイアス形成部材の抵抗値が予定の抵抗
値よりも高すぎる又は低すぎる場合、正確な抵抗値を測
定することが困難であった。具体的には、従来の抵抗測
定方法では、予定の抵抗値をもつバイアス形成部材が、
経時的にあるいは使用環境により予定の抵抗値よりも３
オーダー以上ズレたり、製造時点で予定の抵抗値よりも
３オーダー以上ズレたりするものである場合、特に正確
な抵抗測定が必要となるにもかかわらず、その測定を行
うことができないという問題があった。
測定方法では、バイアス形成部材の抵抗値が予定の抵抗
値よりも高すぎる又は低すぎる場合、正確な抵抗値を測
定することが困難であった。具体的には、従来の抵抗測
定方法では、予定の抵抗値をもつバイアス形成部材が、
経時的にあるいは使用環境により予定の抵抗値よりも３
オーダー以上ズレたり、製造時点で予定の抵抗値よりも
３オーダー以上ズレたりするものである場合、特に正確
な抵抗測定が必要となるにもかかわらず、その測定を行
うことができないという問題があった。
【０００５】また、従来の抵抗測定方法では、バイアス
を印加してから電流値が安定するまでの間はリーク電流
値を検出することができないので、抵抗測定に一定以上
の時間を要することになる。このため、画像形成装置の
電源を入れた直後に行われるプロセスコントロール時の
ように、抵抗測定のための時間を確保できるときにし
か、抵抗測定を行うことができないという問題もあっ
た。
を印加してから電流値が安定するまでの間はリーク電流
値を検出することができないので、抵抗測定に一定以上
の時間を要することになる。このため、画像形成装置の
電源を入れた直後に行われるプロセスコントロール時の
ように、抵抗測定のための時間を確保できるときにし
か、抵抗測定を行うことができないという問題もあっ
た。
【０００６】特に、バイアス形成部材を、抵抗値が経時
的に変化するようなゴムにカーボンを分散した材料等の
分散系材料で形成した場合には、電流値が安定するまで
の時間も経時的に長くなり、このようなバイアス形成部
材では実用性がほとんどない。
的に変化するようなゴムにカーボンを分散した材料等の
分散系材料で形成した場合には、電流値が安定するまで
の時間も経時的に長くなり、このようなバイアス形成部
材では実用性がほとんどない。
【０００７】また、予定の抵抗値をもつバイアス形成部
材が、経時的にあるいは使用環境により大きく変化する
場合、画質劣化を防止するため、その抵抗値を逐次測定
し、印加バイアス値等の制御にフィードバックすること
が重要になる。しかし、従来の測定方法では、上述のよ
うに一定以上の時間が必要となるため、頻繁に測定を行
うことができず、このようなバイアス形成部材に対して
は、その抵抗測定に基づくバイアス制御による効果が十
分に得られない。
材が、経時的にあるいは使用環境により大きく変化する
場合、画質劣化を防止するため、その抵抗値を逐次測定
し、印加バイアス値等の制御にフィードバックすること
が重要になる。しかし、従来の測定方法では、上述のよ
うに一定以上の時間が必要となるため、頻繁に測定を行
うことができず、このようなバイアス形成部材に対して
は、その抵抗測定に基づくバイアス制御による効果が十
分に得られない。
【０００８】また、バイアス形成部材をイオン系材料で
形成した場合、長時間の抵抗測定により、添加剤などが
析出してしまうことがある。このとき、バイアス形成部
材が像担持体に接触する接触部材である場合、その析出
物が像担持体に付着するフィルミングの問題が生じる。
このような析出物が像担持体に付着すると、画質劣化を
引き起こすという不具合が発生するので、抵抗測定は、
なるべく短時間で行うのが望ましい。
形成した場合、長時間の抵抗測定により、添加剤などが
析出してしまうことがある。このとき、バイアス形成部
材が像担持体に接触する接触部材である場合、その析出
物が像担持体に付着するフィルミングの問題が生じる。
このような析出物が像担持体に付着すると、画質劣化を
引き起こすという不具合が発生するので、抵抗測定は、
なるべく短時間で行うのが望ましい。
【０００９】本発明は、以上の問題に鑑みなされたもの
であり、第１の目的は、従来の抵抗測定方法よりも、短
時間で、かつ、広い範囲の抵抗値を測定することができ
る抵抗測定装置を提供することである。また、第２の目
的は、従来の抵抗測定方法よりも、広い範囲の抵抗値を
測定することができる抵抗測定装置を提供することであ
る。また、第３の目的は、像担持体とバイアス形成部材
との間のバイアスを安定させ、画像品質の安定化を図る
ことができる画像形成装置を提供することである。
であり、第１の目的は、従来の抵抗測定方法よりも、短
時間で、かつ、広い範囲の抵抗値を測定することができ
る抵抗測定装置を提供することである。また、第２の目
的は、従来の抵抗測定方法よりも、広い範囲の抵抗値を
測定することができる抵抗測定装置を提供することであ
る。また、第３の目的は、像担持体とバイアス形成部材
との間のバイアスを安定させ、画像品質の安定化を図る
ことができる画像形成装置を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記第１の目的を達成す
るために、請求項１の発明は、トナー像を担持する像担
持体との間でバイアスを形成するためのバイアス形成部
材にバイアスを印加するバイアス印加手段を備え、上記
バイアス形成部材の抵抗値を測定する抵抗測定装置であ
って、上記バイアス印加手段によるバイアス印加により
上記バイアス形成部材を流れる尖頭電流を検出する電流
検出手段と、上記電流検出手段により検出した尖頭電流
に基づいて、上記バイアス形成部材の抵抗値を算出する
抵抗値算出手段とを有することを特徴とするものであ
る。
るために、請求項１の発明は、トナー像を担持する像担
持体との間でバイアスを形成するためのバイアス形成部
材にバイアスを印加するバイアス印加手段を備え、上記
バイアス形成部材の抵抗値を測定する抵抗測定装置であ
って、上記バイアス印加手段によるバイアス印加により
上記バイアス形成部材を流れる尖頭電流を検出する電流
検出手段と、上記電流検出手段により検出した尖頭電流
に基づいて、上記バイアス形成部材の抵抗値を算出する
抵抗値算出手段とを有することを特徴とするものであ
る。
【００１１】この抵抗測定装置においては、像担持体と
の間でバイアスを形成するためのバイアス形成部材の抵
抗測定のため、電流検出手段により、バイアス印加手段
によるバイアス印加によってバイアス形成部材を流れる
尖頭電流を検出する。この尖頭電流は、例えば、バイア
ス印加直後に現れる。後述するように、このようにして
検出される尖頭電流と抵抗との間には、所定の関係が存
在する。例えば、帯電ローラの実際の抵抗値を測定する
場合、尖頭電流値（最大値）と抵抗値との間には、図２
に示す関係が存在する。よって、その関係から、抵抗値
算出手段により、尖頭電流からバイアス形成部材の抵抗
値を算出する。この抵抗測定装置によれば、極めて短い
時間に流れる尖頭電流に基づいて抵抗値を求めることが
できるので、従来の抵抗測定方法よりも、測定時間を短
縮することができる。また、このような尖頭電流に基づ
いて抵抗測定をすれば、図２に示すように、バイアス形
成部材の抵抗値が予定の抵抗値から例えば３オーダー以
上ズレた場合であっても、その抵抗値を正確に特定する
ことができる。
の間でバイアスを形成するためのバイアス形成部材の抵
抗測定のため、電流検出手段により、バイアス印加手段
によるバイアス印加によってバイアス形成部材を流れる
尖頭電流を検出する。この尖頭電流は、例えば、バイア
ス印加直後に現れる。後述するように、このようにして
検出される尖頭電流と抵抗との間には、所定の関係が存
在する。例えば、帯電ローラの実際の抵抗値を測定する
場合、尖頭電流値（最大値）と抵抗値との間には、図２
に示す関係が存在する。よって、その関係から、抵抗値
算出手段により、尖頭電流からバイアス形成部材の抵抗
値を算出する。この抵抗測定装置によれば、極めて短い
時間に流れる尖頭電流に基づいて抵抗値を求めることが
できるので、従来の抵抗測定方法よりも、測定時間を短
縮することができる。また、このような尖頭電流に基づ
いて抵抗測定をすれば、図２に示すように、バイアス形
成部材の抵抗値が予定の抵抗値から例えば３オーダー以
上ズレた場合であっても、その抵抗値を正確に特定する
ことができる。
【００１２】また、請求項２の発明は、請求項１の抵抗
測定装置において、上記抵抗値算出手段は、上記電流検
出手段により検出した尖頭電流の積分値に基づいて、上
記バイアス形成部材の抵抗値を算出することを特徴とす
るものである。
測定装置において、上記抵抗値算出手段は、上記電流検
出手段により検出した尖頭電流の積分値に基づいて、上
記バイアス形成部材の抵抗値を算出することを特徴とす
るものである。
【００１３】尖頭電流値からバイアス形成部材の抵抗値
を算出する場合、尖頭電流のピーク時を検出し、そのピ
ンポイントの値から抵抗値を算出することになる。よっ
て、電流検出手段による僅かな検出誤差により、抵抗測
定の結果が大きく変動しやすい。そこで、本請求項の抵
抗測定装置では、電流検出手段で検出した尖頭電流の積
分値すなわち尖頭電流の電荷量に基づいて、バイアス形
成部材の抵抗値を算出する。すなわち、ある所定時間内
に流れる尖頭電流に基づいて抵抗値を算出する。よっ
て、ピンポイントで僅かな検出誤差が生じたとしても、
その誤差が抵抗測定の結果に及ぼす影響を小さくするこ
とができる。
を算出する場合、尖頭電流のピーク時を検出し、そのピ
ンポイントの値から抵抗値を算出することになる。よっ
て、電流検出手段による僅かな検出誤差により、抵抗測
定の結果が大きく変動しやすい。そこで、本請求項の抵
抗測定装置では、電流検出手段で検出した尖頭電流の積
分値すなわち尖頭電流の電荷量に基づいて、バイアス形
成部材の抵抗値を算出する。すなわち、ある所定時間内
に流れる尖頭電流に基づいて抵抗値を算出する。よっ
て、ピンポイントで僅かな検出誤差が生じたとしても、
その誤差が抵抗測定の結果に及ぼす影響を小さくするこ
とができる。
【００１４】また、請求項３の発明は、トナー像を担持
する像担持体との間でバイアスを形成するためのバイア
ス形成部材にバイアスを印加するバイアス印加手段とを
備え、上記バイアス形成部材の抵抗値を測定する抵抗測
定装置であって、上記バイアス印加手段によるバイアス
印加により上記バイアス形成部材に生じる尖頭電圧を検
出する電圧検出手段と、上記電圧検出手段により検出し
た尖頭電圧に基づいて、上記バイアス形成部材の抵抗値
を算出する抵抗値算出手段とを有することを特徴とする
ものである。
する像担持体との間でバイアスを形成するためのバイア
ス形成部材にバイアスを印加するバイアス印加手段とを
備え、上記バイアス形成部材の抵抗値を測定する抵抗測
定装置であって、上記バイアス印加手段によるバイアス
印加により上記バイアス形成部材に生じる尖頭電圧を検
出する電圧検出手段と、上記電圧検出手段により検出し
た尖頭電圧に基づいて、上記バイアス形成部材の抵抗値
を算出する抵抗値算出手段とを有することを特徴とする
ものである。
【００１５】この抵抗測定装置においては、電圧検出手
段により、尖頭電圧を検出する。尖頭電流と同様に、尖
頭電圧とバイアス形成部材の抵抗との間にも、所定の関
係が存在するので、その関係から、抵抗値算出手段によ
り、バイアス形成部材の抵抗値を算出する。よって、本
請求項の抵抗測定装置においても、上記請求項１の抵抗
測定装置と同様に、従来の抵抗測定方法よりも、測定時
間を短縮することができるとともに、バイアス形成部材
の抵抗値が予定の抵抗値から例えば３オーダー以上ズレ
た場合の抵抗値を正確に特定することができる。
段により、尖頭電圧を検出する。尖頭電流と同様に、尖
頭電圧とバイアス形成部材の抵抗との間にも、所定の関
係が存在するので、その関係から、抵抗値算出手段によ
り、バイアス形成部材の抵抗値を算出する。よって、本
請求項の抵抗測定装置においても、上記請求項１の抵抗
測定装置と同様に、従来の抵抗測定方法よりも、測定時
間を短縮することができるとともに、バイアス形成部材
の抵抗値が予定の抵抗値から例えば３オーダー以上ズレ
た場合の抵抗値を正確に特定することができる。
【００１６】上記第２の目的を達成するために、請求項
４の発明は、トナー像を担持する像担持体との間でバイ
アスを形成するためのバイアス形成部材にバイアスを印
加するバイアス印加手段とを備え、上記バイアス形成部
材の抵抗値を測定する抵抗測定装置であって、上記バイ
アス印加手段によるバイアス印加により上記バイアス形
成部材を流れる尖頭電流と、該バイアス印加により該バ
イアス形成部材を流れる定常電流とを検出する電流検出
手段と、上記電流検出手段により検出した尖頭電流値と
定常電流値との差に基づいて、上記バイアス形成部材の
抵抗値を算出する抵抗値算出手段とを有することを特徴
とするものである。
４の発明は、トナー像を担持する像担持体との間でバイ
アスを形成するためのバイアス形成部材にバイアスを印
加するバイアス印加手段とを備え、上記バイアス形成部
材の抵抗値を測定する抵抗測定装置であって、上記バイ
アス印加手段によるバイアス印加により上記バイアス形
成部材を流れる尖頭電流と、該バイアス印加により該バ
イアス形成部材を流れる定常電流とを検出する電流検出
手段と、上記電流検出手段により検出した尖頭電流値と
定常電流値との差に基づいて、上記バイアス形成部材の
抵抗値を算出する抵抗値算出手段とを有することを特徴
とするものである。
【００１７】この抵抗測定装置においては、バイアス形
成部材の抵抗測定のため、電流検出手段により、バイア
ス印加手段によるバイアス印加により、バイアス形成部
材を流れる尖頭電流及び定常電流を検出する。バイアス
形成部材の抵抗と、尖頭電流値と定常電流値との差（以
下、「吸収電流値」という。）との間にも、尖頭電流と
抵抗との間の関係と同様の関係が存在するので、その関
係から、抵抗値算出手段により、バイアス形成部材の抵
抗値を算出する。よって、本請求項の抵抗測定装置にお
いても、従来の抵抗測定方法では測定が困難であった予
定の抵抗値から例えば３オーダー以上ズレた場合の抵抗
値を正確に特定することができる。
成部材の抵抗測定のため、電流検出手段により、バイア
ス印加手段によるバイアス印加により、バイアス形成部
材を流れる尖頭電流及び定常電流を検出する。バイアス
形成部材の抵抗と、尖頭電流値と定常電流値との差（以
下、「吸収電流値」という。）との間にも、尖頭電流と
抵抗との間の関係と同様の関係が存在するので、その関
係から、抵抗値算出手段により、バイアス形成部材の抵
抗値を算出する。よって、本請求項の抵抗測定装置にお
いても、従来の抵抗測定方法では測定が困難であった予
定の抵抗値から例えば３オーダー以上ズレた場合の抵抗
値を正確に特定することができる。
【００１８】また、請求項５の発明は、請求項１、２、
３又は４の抵抗測定装置において、上記バイアス印加手
段は、交流バイアスを印加することを特徴とするもので
ある。
３又は４の抵抗測定装置において、上記バイアス印加手
段は、交流バイアスを印加することを特徴とするもので
ある。
【００１９】バイアス印加手段が直流バイアスのみを印
加するものである場合、例えば、尖頭電流に基づいてバ
イアス形成部材の抵抗値を測定するとき、実際の抵抗値
が予定の抵抗値よりも低すぎると、検出される電流値が
電源の容量を超えてしまうほど大きくなるという不具合
が生じる。よって、低い抵抗値に対する測定可能範囲が
制限されることになる。また、尖頭電圧に基づいてバイ
アス形成部材の抵抗値を測定するときには、逆に、実際
の抵抗値が予定の抵抗値よりも高すぎると、検出される
電圧値が電源の容量を超えてしまうほど大きくなり、高
い抵抗値に対する測定可能範囲が制限されることにな
る。そこで、本請求項の抵抗測定装置においては、バイ
アス印加手段により交流バイアスを印加する。このバイ
アス印加手段は、交流バイアスのみを印加するもので
も、交流に直流を重畳させたバイアスを印加するもので
もよい。このように交流バイアスを印加すれば、例えば
尖頭電流を検出する場合、予定の抵抗値よりも低い抵抗
値において流れる尖頭電流値を抑えることができ、低抵
抗側の測定可能範囲を広げることができる。
加するものである場合、例えば、尖頭電流に基づいてバ
イアス形成部材の抵抗値を測定するとき、実際の抵抗値
が予定の抵抗値よりも低すぎると、検出される電流値が
電源の容量を超えてしまうほど大きくなるという不具合
が生じる。よって、低い抵抗値に対する測定可能範囲が
制限されることになる。また、尖頭電圧に基づいてバイ
アス形成部材の抵抗値を測定するときには、逆に、実際
の抵抗値が予定の抵抗値よりも高すぎると、検出される
電圧値が電源の容量を超えてしまうほど大きくなり、高
い抵抗値に対する測定可能範囲が制限されることにな
る。そこで、本請求項の抵抗測定装置においては、バイ
アス印加手段により交流バイアスを印加する。このバイ
アス印加手段は、交流バイアスのみを印加するもので
も、交流に直流を重畳させたバイアスを印加するもので
もよい。このように交流バイアスを印加すれば、例えば
尖頭電流を検出する場合、予定の抵抗値よりも低い抵抗
値において流れる尖頭電流値を抑えることができ、低抵
抗側の測定可能範囲を広げることができる。
【００２０】上記第３の目的を達成するために、請求項
６の発明は、トナー像を担持する像担持体と、上記像担
持体との間でバイアスを形成するためのバイアス形成部
材と、上記バイアス形成部材にバイアスを印加するバイ
アス印加手段と、上記バイアス形成部材の抵抗値を測定
する抵抗測定手段と、上記抵抗測定手段により測定され
た抵抗値に基づいて、上記バイアス印加手段のバイアス
印加条件を変更するバイアス制御手段とを備えた画像形
成装置において、上記抵抗測定手段として、請求項１、
２、３、４又は５の抵抗測定装置を用いたことを特徴と
するものである。
６の発明は、トナー像を担持する像担持体と、上記像担
持体との間でバイアスを形成するためのバイアス形成部
材と、上記バイアス形成部材にバイアスを印加するバイ
アス印加手段と、上記バイアス形成部材の抵抗値を測定
する抵抗測定手段と、上記抵抗測定手段により測定され
た抵抗値に基づいて、上記バイアス印加手段のバイアス
印加条件を変更するバイアス制御手段とを備えた画像形
成装置において、上記抵抗測定手段として、請求項１、
２、３、４又は５の抵抗測定装置を用いたことを特徴と
するものである。
【００２１】この画像形成装置においては、抵抗測定手
段として請求項１、２、３、４又は５の抵抗測定装置を
用いるので、これら抵抗測定装置の効果をもって、バイ
アス形成部材の抵抗値を測定することができる。そし
て、その測定結果は、バイアス制御手段にフィードバッ
クされ、バイアス印加手段のバイアス条件、例えば印加
バイアス値を、所定の設定値とすることができる。
段として請求項１、２、３、４又は５の抵抗測定装置を
用いるので、これら抵抗測定装置の効果をもって、バイ
アス形成部材の抵抗値を測定することができる。そし
て、その測定結果は、バイアス制御手段にフィードバッ
クされ、バイアス印加手段のバイアス条件、例えば印加
バイアス値を、所定の設定値とすることができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明を画像形成装置であ
る電子写真複写機（以下、「複写機」という。）に適用
した一実施形態について説明する。図１は、本実施形態
に係る複写機を概念的に示すブロック図である。この複
写機は、像担持体としての感光体ドラム１、バイアス印
加手段である電源６からのバイアス印加により、その感
光体ドラム１との間にバイアスを形成してドラム表面に
電荷を付与し、その表面を所望の設定電位に帯電するバ
イアス形成部材としての帯電ローラ２などを有する。
尚、この複写機には、その他、現像手段、クリーニング
手段等も設けられているが、図示を省略している。
る電子写真複写機（以下、「複写機」という。）に適用
した一実施形態について説明する。図１は、本実施形態
に係る複写機を概念的に示すブロック図である。この複
写機は、像担持体としての感光体ドラム１、バイアス印
加手段である電源６からのバイアス印加により、その感
光体ドラム１との間にバイアスを形成してドラム表面に
電荷を付与し、その表面を所望の設定電位に帯電するバ
イアス形成部材としての帯電ローラ２などを有する。
尚、この複写機には、その他、現像手段、クリーニング
手段等も設けられているが、図示を省略している。
【００２３】また、上記複写機には、帯電ローラ２の抵
抗値を測定するための抵抗測定装置も設けられている。
この抵抗測定装置は、ＣＰＵ、ＲＡＭ、ＲОＭ、Ｉ／
О、タイマー等を有する制御装置３、電流検出手段とし
ての電流計を備えた制御板４、電流計で検出した検出結
果に基づいて帯電ローラ２の抵抗値を算出する抵抗値算
出手段としてのマイクロコンピュータ等の演算手段５、
バイアス印加手段としての高圧電源６等により構成され
ている。尚、この抵抗測定装置には、図示しない一定の
負荷抵抗が介在している。
抗値を測定するための抵抗測定装置も設けられている。
この抵抗測定装置は、ＣＰＵ、ＲＡＭ、ＲОＭ、Ｉ／
О、タイマー等を有する制御装置３、電流検出手段とし
ての電流計を備えた制御板４、電流計で検出した検出結
果に基づいて帯電ローラ２の抵抗値を算出する抵抗値算
出手段としてのマイクロコンピュータ等の演算手段５、
バイアス印加手段としての高圧電源６等により構成され
ている。尚、この抵抗測定装置には、図示しない一定の
負荷抵抗が介在している。
【００２４】帯電ローラ２は、通常、中抵抗をもつもの
を使用するが、状況により、その抵抗値の範囲を広げる
必要がある。特に、１０4〜１０7Ωのような抵抗値の低
い帯電ローラ２を使用しなければならない場合がある
が、このような場合、従来の抵抗測定方法では測定が困
難となる。以下、本実施形態に係る抵抗測定装置によっ
て、１０4〜１０7Ωのような範囲の抵抗をもつ帯電ロー
ラ２の抵抗値を測定する測定方法について説明する。
を使用するが、状況により、その抵抗値の範囲を広げる
必要がある。特に、１０4〜１０7Ωのような抵抗値の低
い帯電ローラ２を使用しなければならない場合がある
が、このような場合、従来の抵抗測定方法では測定が困
難となる。以下、本実施形態に係る抵抗測定装置によっ
て、１０4〜１０7Ωのような範囲の抵抗をもつ帯電ロー
ラ２の抵抗値を測定する測定方法について説明する。
【００２５】本発明者は、実験により、帯電ローラ２を
流れる尖頭電流（以下、「パルス電流」という。）値と
帯電ローラ２の抵抗値との間に所定の関係が存在するこ
とが解明した。図２は、パルス電流値と帯電ローラの抵
抗値との関係を示すグラフである。このグラフから、帯
電ローラ２の抵抗値が高くなるにつれて、パルス電流値
も低くなるという関係を有することがわかる。このグラ
フを得るための実験では、１×１０4Ω〜１×１０5Ω、
１×１０6Ω、１×１０7Ωの抵抗値をそれぞれもつ帯電
ローラ２に対して、高圧電源６から交流バイアスを印加
し、制御板４の電流計により、印加直後から所定時間内
に流れる電流をそれぞれ検出した。図３は、本抵抗測定
において検出される電流の波形を示すグラフである。こ
の検出時の印加バイアスは、電圧ＶPP＝１００Ｖ（Ｖ
rms＝３５Ｖ）、周波数ｆ＝１ｋＨｚである。
流れる尖頭電流（以下、「パルス電流」という。）値と
帯電ローラ２の抵抗値との間に所定の関係が存在するこ
とが解明した。図２は、パルス電流値と帯電ローラの抵
抗値との関係を示すグラフである。このグラフから、帯
電ローラ２の抵抗値が高くなるにつれて、パルス電流値
も低くなるという関係を有することがわかる。このグラ
フを得るための実験では、１×１０4Ω〜１×１０5Ω、
１×１０6Ω、１×１０7Ωの抵抗値をそれぞれもつ帯電
ローラ２に対して、高圧電源６から交流バイアスを印加
し、制御板４の電流計により、印加直後から所定時間内
に流れる電流をそれぞれ検出した。図３は、本抵抗測定
において検出される電流の波形を示すグラフである。こ
の検出時の印加バイアスは、電圧ＶPP＝１００Ｖ（Ｖ
rms＝３５Ｖ）、周波数ｆ＝１ｋＨｚである。
【００２６】尚、印加バイアス値や周波数を変更して
も、図２に示す関係と同様の結果を得ることができる。
また、印加バイアスの波形を矩形波にしたり、デューテ
ィ比を変えた時分割駆動波を印加した場合も同様の結果
を得ることができる。 また、交流に直流を重畳したバ
イアスを印加する構成としてもよい。この場合の波形
は、図３に示す交流のみを印加した場合と同様である。
特に、画像形成工程において抵抗測定対象に印加される
バイアスの印加方式に従ったバイアスを、抵抗測定でも
利用すれば、抵抗測定のためのバイアス印加手段を別途
設ける必要がないため好適である。
も、図２に示す関係と同様の結果を得ることができる。
また、印加バイアスの波形を矩形波にしたり、デューテ
ィ比を変えた時分割駆動波を印加した場合も同様の結果
を得ることができる。 また、交流に直流を重畳したバ
イアスを印加する構成としてもよい。この場合の波形
は、図３に示す交流のみを印加した場合と同様である。
特に、画像形成工程において抵抗測定対象に印加される
バイアスの印加方式に従ったバイアスを、抵抗測定でも
利用すれば、抵抗測定のためのバイアス印加手段を別途
設ける必要がないため好適である。
【００２７】本抵抗測定装置では、制御板４で検出した
電流値データをＩ／Ｏを介して演算手段５に送る。この
演算手段５では、その電流値データからパルス電流値を
抽出し、そのパルス電流値から、図２に示した関係に基
づき、抵抗値を算出する。すなわち、本抵抗測定装置に
よる測定方法では、バイアス印加直後に流れるパルス電
流のデータがあればよく、高圧電源６によるバイアス印
加時間は、極めて短いもので足りる。
電流値データをＩ／Ｏを介して演算手段５に送る。この
演算手段５では、その電流値データからパルス電流値を
抽出し、そのパルス電流値から、図２に示した関係に基
づき、抵抗値を算出する。すなわち、本抵抗測定装置に
よる測定方法では、バイアス印加直後に流れるパルス電
流のデータがあればよく、高圧電源６によるバイアス印
加時間は、極めて短いもので足りる。
【００２８】尚、本実施形態では、バイアス印加直後に
現れるパルス電流から抵抗値を測定するものについて説
明したが、同様の方法で尖頭電圧であるパルス電圧を検
出し、そのパルス電圧値から抵抗値を測定することも可
能である。この場合、高圧電源６から定電流制御された
バイアスを印加し、そのときに帯電ローラ２に生じるパ
ルス電圧を検出する。尚、帯電ローラ２に印加されるバ
イアスが定電流制御されたものである場合には、その電
源を抵抗測定のバイアス印加手段としてそのまま使用可
能であるので、パルス電圧から抵抗値を算出する方が好
ましい場合もある。
現れるパルス電流から抵抗値を測定するものについて説
明したが、同様の方法で尖頭電圧であるパルス電圧を検
出し、そのパルス電圧値から抵抗値を測定することも可
能である。この場合、高圧電源６から定電流制御された
バイアスを印加し、そのときに帯電ローラ２に生じるパ
ルス電圧を検出する。尚、帯電ローラ２に印加されるバ
イアスが定電流制御されたものである場合には、その電
源を抵抗測定のバイアス印加手段としてそのまま使用可
能であるので、パルス電圧から抵抗値を算出する方が好
ましい場合もある。
【００２９】以上、本実施形態の抵抗測定装置によれ
ば、短時間で抵抗測定ができるので、例えば、複写機の
ジョブごとに抵抗測定モードを設け、その測定結果に基
づき、帯電ローラ２に印加するバイアス値を制御するこ
とが可能になる。以下、この抵抗測定に基づくバイアス
制御方法について説明する。
ば、短時間で抵抗測定ができるので、例えば、複写機の
ジョブごとに抵抗測定モードを設け、その測定結果に基
づき、帯電ローラ２に印加するバイアス値を制御するこ
とが可能になる。以下、この抵抗測定に基づくバイアス
制御方法について説明する。
【００３０】図４は、本実施形態に係る複写機の帯電ロ
ーラ２の印加バイアスを制御するバイアス制御の流れの
一例を示すフローチャートである。尚、ここでは、帯電
ローラ２の印加バイアスを定電流制御されたバイアスを
用いる。本実施形態に係るバイアス制御では、まず、上
記抵抗測定装置により、高圧電源６から帯電ローラ２に
バイアスを印加し（ステップ１）、制御板４でパルス電
流を検出する（ステップ２）。そして、この演算手段５
により、検出したパルス電流値に基づいて抵抗値を演算
する（ステップ３）。この演算の結果、抵抗値が５×１
０4Ω以下であるかどうかを判断する（ステップ４）。
この判断において、抵抗値が５×１０4Ω以下であると
判断された場合には、帯電ローラ２の印加バイアスをＡ
Ｃ０．８ｍＡに設定する（ステップ５）。そして、実際
の画像形成工程において、帯電ローラ２には、０．８ｍ
Ａに設定された定電流制御バイアスが出力される（ステ
ップ６）。また、ステップ４の判断において、抵抗値が
５×１０4Ωよりも大きいと判断された場合には、抵抗
値が５×１０5以上かどうかを判断する（ステップ
７）。そして、抵抗値が５×１０5Ω以上であると判断
された場合には、帯電ローラ２に印加するバイアスを
１．８ｍＡに設定し（ステップ８）、ステップ６へ進
む。また、ステップ７の判断で、抵抗値が５×１０5Ω
よりも小さいと判断された場合には、１．０ｍＡに設定
し（ステップ９）、ステップ６へ進む。
ーラ２の印加バイアスを制御するバイアス制御の流れの
一例を示すフローチャートである。尚、ここでは、帯電
ローラ２の印加バイアスを定電流制御されたバイアスを
用いる。本実施形態に係るバイアス制御では、まず、上
記抵抗測定装置により、高圧電源６から帯電ローラ２に
バイアスを印加し（ステップ１）、制御板４でパルス電
流を検出する（ステップ２）。そして、この演算手段５
により、検出したパルス電流値に基づいて抵抗値を演算
する（ステップ３）。この演算の結果、抵抗値が５×１
０4Ω以下であるかどうかを判断する（ステップ４）。
この判断において、抵抗値が５×１０4Ω以下であると
判断された場合には、帯電ローラ２の印加バイアスをＡ
Ｃ０．８ｍＡに設定する（ステップ５）。そして、実際
の画像形成工程において、帯電ローラ２には、０．８ｍ
Ａに設定された定電流制御バイアスが出力される（ステ
ップ６）。また、ステップ４の判断において、抵抗値が
５×１０4Ωよりも大きいと判断された場合には、抵抗
値が５×１０5以上かどうかを判断する（ステップ
７）。そして、抵抗値が５×１０5Ω以上であると判断
された場合には、帯電ローラ２に印加するバイアスを
１．８ｍＡに設定し（ステップ８）、ステップ６へ進
む。また、ステップ７の判断で、抵抗値が５×１０5Ω
よりも小さいと判断された場合には、１．０ｍＡに設定
し（ステップ９）、ステップ６へ進む。
【００３１】〔変形例１〕次に、上記実施形態１におけ
る抵抗測定の一変形例（以下、本変形例を「変形例１」
という。）について説明する。この変形例では、上記実
施形態と同様に電流を検出した後、検出した電流におけ
るパルス電流値と定常電流値との差である吸収電流を、
演算手段５により求める。この吸収電流と帯電ローラ２
の抵抗との関係は、上記実施形態と同様に、図５に示す
グラフのようになる。尚、この吸収電流から求めた抵抗
値も、図４に示したフローチャートと同様の手順で、バ
イアス制御することが可能である。
る抵抗測定の一変形例（以下、本変形例を「変形例１」
という。）について説明する。この変形例では、上記実
施形態と同様に電流を検出した後、検出した電流におけ
るパルス電流値と定常電流値との差である吸収電流を、
演算手段５により求める。この吸収電流と帯電ローラ２
の抵抗との関係は、上記実施形態と同様に、図５に示す
グラフのようになる。尚、この吸収電流から求めた抵抗
値も、図４に示したフローチャートと同様の手順で、バ
イアス制御することが可能である。
【００３２】〔変形例２〕次に、上記実施形態１におけ
る抵抗測定の他の変形例（以下、本変形例を「変形例
１」という。）について説明する。この変形例では、帯
電ローラ２に高圧電源６から５００Ｖの直流バイアスを
印加する。尚、このときの不可抵抗は１０ＭΩである。
そして、上記実施形態と同様に電流を検出した後、検出
したパルス電流の積分値を、演算手段５により求める。
この積分値と帯電ローラ２の抵抗との関係は、図６に示
すグラフのようになる。尚、この積分値から求めた抵抗
値も、図４に示したフローチャートと同様の手順で、バ
イアス制御することが可能である。
る抵抗測定の他の変形例（以下、本変形例を「変形例
１」という。）について説明する。この変形例では、帯
電ローラ２に高圧電源６から５００Ｖの直流バイアスを
印加する。尚、このときの不可抵抗は１０ＭΩである。
そして、上記実施形態と同様に電流を検出した後、検出
したパルス電流の積分値を、演算手段５により求める。
この積分値と帯電ローラ２の抵抗との関係は、図６に示
すグラフのようになる。尚、この積分値から求めた抵抗
値も、図４に示したフローチャートと同様の手順で、バ
イアス制御することが可能である。
【００３３】尚、本実施形態では、バイアス形成部材が
帯電ローラである場合について説明したが、本発明は、
転写ローラや転写ベルト、中間転写ベルト等の転写部材
に対する抵抗測定にも適用することが可能である。この
場合、その測定結果に応じて、転写バイアスのバイアス
条件を変更すれば、安定した転写性を維持でき、画質劣
化を防止ることが可能となる。
帯電ローラである場合について説明したが、本発明は、
転写ローラや転写ベルト、中間転写ベルト等の転写部材
に対する抵抗測定にも適用することが可能である。この
場合、その測定結果に応じて、転写バイアスのバイアス
条件を変更すれば、安定した転写性を維持でき、画質劣
化を防止ることが可能となる。
【００３４】
【発明の効果】請求項１乃至３及び５の発明によれば、
像担持体との間でバイアスを形成する帯電ローラや転写
ベルト等のバイアス形成部材の抵抗測定を、従来の抵抗
測定方法よりも、短時間で、かつ、広い範囲の抵抗値に
ついて行うことができるという優れた効果がある。した
がって、この測定結果に基づいてバイアス制御を行う場
合には、抵抗測定を頻繁に行うことができ、常に像担持
体とバイアス形成部材との間のバイアス値を安定した状
態にすることができる。よって、経時的に安定した画像
品質を保つことができ、地汚れ等も発生しなくすること
ができる。また、抵抗の検出範囲が広くなるので、バイ
アス形成部材として使用可能な抵抗範囲を広くすること
ができるという効果がある。
像担持体との間でバイアスを形成する帯電ローラや転写
ベルト等のバイアス形成部材の抵抗測定を、従来の抵抗
測定方法よりも、短時間で、かつ、広い範囲の抵抗値に
ついて行うことができるという優れた効果がある。した
がって、この測定結果に基づいてバイアス制御を行う場
合には、抵抗測定を頻繁に行うことができ、常に像担持
体とバイアス形成部材との間のバイアス値を安定した状
態にすることができる。よって、経時的に安定した画像
品質を保つことができ、地汚れ等も発生しなくすること
ができる。また、抵抗の検出範囲が広くなるので、バイ
アス形成部材として使用可能な抵抗範囲を広くすること
ができるという効果がある。
【００３５】特に、請求項２の発明によれば、電流検出
手段で僅かな検出誤差が生じたとしても、その誤差が抵
抗測定の結果に及ぼす影響が小さいので、より正確な抵
抗値を測定することができるという優れた効果がある。
手段で僅かな検出誤差が生じたとしても、その誤差が抵
抗測定の結果に及ぼす影響が小さいので、より正確な抵
抗値を測定することができるという優れた効果がある。
【００３６】また、請求項３の発明によれば、バイアス
形成部材に生じるパルス電圧を検出することで、従来の
抵抗測定方法よりも、短時間で、かつ、広い範囲の抵抗
値について行うことができるという優れた効果がある。
形成部材に生じるパルス電圧を検出することで、従来の
抵抗測定方法よりも、短時間で、かつ、広い範囲の抵抗
値について行うことができるという優れた効果がある。
【００３７】請求項４及び５の発明によれば、像担持体
との間でバイアスを形成する帯電ローラや転写ベルト等
のバイアス形成部材の抵抗測定を、従来の抵抗測定方法
よりも、広い範囲の抵抗値を測定することができるとい
う優れた効果がある。
との間でバイアスを形成する帯電ローラや転写ベルト等
のバイアス形成部材の抵抗測定を、従来の抵抗測定方法
よりも、広い範囲の抵抗値を測定することができるとい
う優れた効果がある。
【００３８】また、請求項５の発明によれば、バイアス
形成部材の抵抗値の測定可能範囲を広げることができる
という優れた効果がある。
形成部材の抵抗値の測定可能範囲を広げることができる
という優れた効果がある。
【００３９】また、請求項６の発明によれば、像担持体
との間でバイアスを形成する帯電ローラや転写ベルト等
のバイアス形成部材の抵抗測定を、従来の抵抗測定方法
よりも、広い範囲の抵抗値を測定することにより、像担
持体とバイアス形成部材との間のバイアスを安定させ、
画像品質の安定化を図ることができるという優れた効果
がある。
との間でバイアスを形成する帯電ローラや転写ベルト等
のバイアス形成部材の抵抗測定を、従来の抵抗測定方法
よりも、広い範囲の抵抗値を測定することにより、像担
持体とバイアス形成部材との間のバイアスを安定させ、
画像品質の安定化を図ることができるという優れた効果
がある。
【図１】本実施形態に係る複写機を概念的に示すブロッ
ク図。
ク図。
【図２】同複写機の帯電ローラの抵抗と、パルス電流の
検出値との関係を示すグラフ。
検出値との関係を示すグラフ。
【図３】同複写機の抵抗測定装置で検出される電流の波
形を示すグラフ。
形を示すグラフ。
【図４】同複写機における帯電ローラの印加バイアスを
制御するバイアス制御の流れの一例を示すフローチャー
ト。
制御するバイアス制御の流れの一例を示すフローチャー
ト。
【図５】変形例１における帯電ローラの抵抗と、吸収電
流の算出値との関係を示すグラフ。
流の算出値との関係を示すグラフ。
【図６】変形例２における帯電ローラの抵抗と、検出し
たパルス電流の積分値との関係を示すグラフ。
たパルス電流の積分値との関係を示すグラフ。
１ 感光体ドラム ２ 帯電ローラ ３ 制御装置 ４ 制御板 ５ 演算手段 ６ 高圧電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G028 AA02 BC03 CG02 DH03 DH05 FK02 FK08 GL12 LR07 2H027 DA01 DA02 DA03 DA06 DA32 DE05 DE07 DE09 EA01 EA15 EC06 EC09 EC20 ED01 ED03 EE07 EF01 ZA01 ZA08 2H200 FA18 GB50 HA02 HA29 HA30 HB12 HB48 NA03 PA05 PB05 PB08 PB38 PB40
Claims (6)
- 【請求項１】トナー像を担持する像担持体との間でバイ
アスを形成するためのバイアス形成部材にバイアスを印
加するバイアス印加手段を備え、上記バイアス形成部材
の抵抗値を測定する抵抗測定装置であって、上記バイア
ス印加手段によるバイアス印加により上記バイアス形成
部材を流れる尖頭電流を検出する電流検出手段と、上記
電流検出手段により検出した尖頭電流に基づいて、上記
バイアス形成部材の抵抗値を算出する抵抗値算出手段と
を有することを特徴とする抵抗測定装置。 - 【請求項２】請求項１の抵抗測定装置において、上記抵
抗値算出手段は、上記電流検出手段により検出した尖頭
電流の積分値に基づいて、上記バイアス形成部材の抵抗
値を算出することを特徴とする抵抗測定装置。 - 【請求項３】トナー像を担持する像担持体との間でバイ
アスを形成するためのバイアス形成部材にバイアスを印
加するバイアス印加手段とを備え、上記バイアス形成部
材の抵抗値を測定する抵抗測定装置であって、上記バイ
アス印加手段によるバイアス印加により上記バイアス形
成部材に生じる尖頭電圧を検出する電圧検出手段と、上
記電圧検出手段により検出した尖頭電圧に基づいて、上
記バイアス形成部材の抵抗値を算出する抵抗値算出手段
とを有することを特徴とする抵抗測定装置。 - 【請求項４】トナー像を担持する像担持体との間でバイ
アスを形成するためのバイアス形成部材にバイアスを印
加するバイアス印加手段とを備え、上記バイアス形成部
材の抵抗値を測定する抵抗測定装置であって、上記バイ
アス印加手段によるバイアス印加により上記バイアス形
成部材を流れる尖頭電流と、該バイアス印加により該バ
イアス形成部材を流れる定常電流とを検出する電流検出
手段と、上記電流検出手段により検出した尖頭電流値と
定常電流値との差に基づいて、上記バイアス形成部材の
抵抗値を算出する抵抗値算出手段とを有することを特徴
とする抵抗測定装置。 - 【請求項５】請求項１、２、３又は４の抵抗測定装置に
おいて、 上記バイアス印加手段は、交流バイアスを印加すること
を特徴とする抵抗測定装置。 - 【請求項６】トナー像を担持する像担持体と、上記像担
持体との間でバイアスを形成するためのバイアス形成部
材と、上記バイアス形成部材にバイアスを印加するバイ
アス印加手段と、上記バイアス形成部材の抵抗値を測定
する抵抗測定手段と、上記抵抗測定手段により測定され
た抵抗値に基づいて、上記バイアス印加手段のバイアス
印加条件を変更するバイアス制御手段とを備えた画像形
成装置において、上記抵抗測定手段として、請求項１、
２、３、４又は５の抵抗測定装置を用いたことを特徴と
する画像形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001213290A JP2002108068A (ja) | 2000-07-21 | 2001-07-13 | 抵抗測定装置及び画像形成装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000-220049 | 2000-07-21 | ||
| JP2000220049 | 2000-07-21 | ||
| JP2001213290A JP2002108068A (ja) | 2000-07-21 | 2001-07-13 | 抵抗測定装置及び画像形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002108068A true JP2002108068A (ja) | 2002-04-10 |
Family
ID=26596377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001213290A Withdrawn JP2002108068A (ja) | 2000-07-21 | 2001-07-13 | 抵抗測定装置及び画像形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002108068A (ja) |
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| JP2007057475A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Fuji Xerox Co Ltd | 抵抗率測定装置及び抵抗率測定方法 |
| WO2007077653A1 (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 超電導線材の臨界電流値を測定する方法 |
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2001
- 2001-07-13 JP JP2001213290A patent/JP2002108068A/ja not_active Withdrawn
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