JP4670551B2 - 抵抗率測定装置及び抵抗率測定方法 - Google Patents
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Description
まず、本発明の抵抗率測定装置で測定される対象となる半導電性部材について説明する。
本発明の抵抗率測定装置で測定される対象となる半導電性部材の一例及び作成方法の一例を説明するが、本発明で用いられる半導電性部材及び半導電性部材の作製方法は以下に限られるものではない。
本発明の抵抗率測定装置で測定され、画像形成装置に搭載されうる半導電性部材は、例えば、少なくとも熱可塑性樹脂とカーボンブラックとを混合し、溶融混練して、成形して製造される。加熱温度は、熱可塑性樹脂が軟化する温度であり、溶融混練は、公知の押し出し機等を使用することができる。
この導電剤は、上記熱可塑性樹脂100質量部に対し、5〜50質量部の範囲であることが好ましい。この配合量が、5質量部未満では抵抗が高すぎて、例えば帯電ロールにおいて静電潜像担持体を帯電させるに足る電荷が付与できない場合があり、一方、50質量部を超えると抵抗が低すぎて、ピンホールリーク等の防止に効果がない上、異常放電が発生し、白抜けなどの画質欠陥が発生する場合がある。
上述のような製造方法を一例として作製された、本発明の抵抗率測定手段において測定される半導電性部材は、電複写方式の画像形成装置用の部材として、特に限定されずに用いられる。
本発明の半導電性部材を、転写ベルト(所謂、中間転写体)として搭載した画像形成装置の一例を図1に示した。
また、バックアップローラ52の周囲であって、転写ベルト46の内側には電極ローラ58が配設されている。
そこで、本発明の抵抗値測定装置は、半導電性部材としての転写ベルトに、所定のパルス電圧を印加し、前記半導電性部材に印加されたパルス電圧のパルス波形の立ち上がり開始時点から10msec以上50msec以下の間に該半導電性部材に流れた電流値に基づいて、半導電性部材の抵抗率を測定することが必須であり、10msec以上40msecがさらに好ましく、10msec以上20msec以下が特に好ましい。
また、半導電性部材に印加されたパルス電圧のパルス波形の立ち上がり開始時点から50msecより経過した後に半導電性部材に流れた電流値に基づいて抵抗率を測定すると、転写ロール25と転写ベルト46とが同一領域において接触している時間より長い時間が経過された後に抵抗率測定が行われる可能性があり、半導電性部材が画像形成装置に搭載された環境下における抵抗率を測定するとはいえない、という問題がある。
抵抗率測定装置10によって、転写ベルト46の表面抵抗率を測定する場合には、例えば、電圧印加部16としては、図4に示すような、三菱油化(株)製ハイレスター1Pの「HRプローブ」を用いて計測することができる。この場合には、電圧印加部16は、第1電圧印加電極16A、及び板状絶縁体16Bを含んで構成されたものを用いることができる。
抵抗率測定装置10による転写ベルト46の表面抵抗率測定時には、第1電圧印加電極16Aにおける円柱状電極部16C及びリング状電極部16Dと、板状絶縁体16Bとの間に半導電性部材としての転写ベルト46を挟持する。
次に、制御部22は、第1電圧印加電極16における円柱状電極部16Cとリング状電極部16Dとの間に、該転写ベルト46の応答特性(詳細後述)に応じたパルス波形(詳細後述)の電圧が増幅器14へ出力されるように、パルス波形電圧発生部12を制御する。
ρs=π×(D+d)/(D−d)×(V/I) 式(1)
ρs[Ω/□]=R×RCF(S)=R×10 式(2)
抵抗率測定装置10によって、転写ベルト46の体積抵抗率を測定する場合には、図5に示すような、三菱油化(株)製ハイレスター1Pの「HRプローブ」を用いて計測することができる。この場合には、電圧印加部16は、第1電圧印加電極16Aを備えると共に、上記表面抵抗を測定する場合に用いた板状絶縁体16Bの代わりに第2電圧印加電極16Bを備えている。
抵抗率測定装置10による転写ベルト46の体積抵抗率測定時には、第1電圧印加電極16Aにおける円柱状電極部16C及びリング状電極部16Dと、第2電圧印加電極17Bとの間に半導電性部材としての転写ベルト46を挟持する。
転写ベルト46の体積抵抗率ρv(Ω/cm)は、下記式(3)により算出することができる。
ρv=19.6×(V/I)×t 式(3)
測定時には、レジテーブUFL MCP−ST03の金属面が上になるように、転写ベルトの内側に入れ、転写面側(ベルトの外側)からURプローブMCP−HTP12の二重電極部を当て、URプローブMCP−HTP12の上部には19.6N±1Nの錘を取り付け、転写ベルトの転写面に一様な荷重がかかるようにすることが好ましい。
この場合には、体積抵抗率をρvは、転写ベルトの厚さt(μm)、R8340A デジタル超高抵抗/微小電流計の読み値をR、URプローブMCP−HTP12の体積抵抗率補正係数をRCF(V)とすると、三菱化学「抵抗率計シリーズ」カタログによれば、RCF(V)=2.011なので、下記式(4)によって求められる。
ρv[Ω・cm]=R×RCF(V)×(10000/t)=R×2.111×(10000/t) 式(4)
このような場合に対応するためには、パルス電圧印加終了直後に測定された電流値から抵抗率を求めるようにすれば、ノイズの影響や浮遊容量の影響を抑制することができる。
基準波形電圧発生部12の記憶部12Aには、測定対象となる転写ベルト46の応答特性に対応するパルス波形を示すデータが予め記憶されており、基準波形電圧発生部12では、制御部22から入力された測定対象となる転写ベルト46の応答特性を示すデータに応じたパルス波形のデータを選択し、選択したデータのパルス波形のパルス電圧を増幅器14へ出力する。
すなわち、本発明の抵抗率測定装置10では、パルス波形を半導電性部材の応答特性により定めることができる。
従って、電圧印加が開始されることにより、電圧印加前の電流値から電流値の遷移が開始された遷移開始時からその最大値の63.2%となるまでの経過時間が短く、電圧印加時の電流値の変化率が高い程、応答特性が良いものとして説明する。
このため、記憶部12Aには、応答特性が悪いほど、立ち上がり時間の長い波形を示すデータが、応答特性に対応して予め記憶される。
このため、記憶部12Aには、応答特性が良いほど、立ち上がり時間の短い波形(例えば、矩形波)を示すデータが、応答特性に対応して予め記憶される。
・転写ベルトA:層厚:0.08mm、静電容量:500pF、体積抵抗率(100V印加30秒後)の常用対数値:9.7(logΩcm)。
・転写ベルトB:層厚:0.08mm、静電容量:750pF、体積抵抗率(100V印加30秒後)の常用対数値:10.6(logΩcm)。
・転写ベルトC:層厚:0.065mm、静電容量:1000pF、体積抵抗率(100V印加30秒後)の常用対数値:10.4(logΩcm)。
・装置構成:本発明の抵抗率測定装置10(図3参照)を用いた。
増幅器14:AC/DC AMPLIFIER HVA4321((株)エヌエフ回路設計ブロック製)
基準波形電圧発生装置12:FUNCTION GENERATION DF1905((株)エヌエフ回路設計ブロック製)
電圧印加部16:URプローブ MCPHTP12((株)ダイアインスツルメンツ)
I/V変換器18:CURENT INPUT PREAMPLIFIER((株)エヌエフ回路設計ブロック製)
ノイズフィルタ20:マルチファンクションフィルター3611((株)エヌエフ回路設計ブロック製)
電流計17:デジタル超高抵抗/微小電流計R8340A((株)アドバンテスト)を用いた。
上記転写ベルトA、転写ベルトB、及び転写ベルトC各々について、上記パルス電圧のパルス波形の立ち上がり開始時点からから10msec、20msec、30msec、40msec、50msec、60msec、100msec、500msec、及び100msec各々の電流値の計測結果を図8及び図10に示した。また、電流値の計測結果に基づいて、上記転写ベルトA、転写ベルトB、及び転写ベルトC各々について、上記パルス電圧のパルス波形の立ち上がり開始時点からから10msec、20msec、30msec、40msec、50msec、60msec、100msec、500msec、及び100msec各々の表面抵抗値の常用対数値を、図9及び図11に示した。
なお、上記転写ベルトA、転写ベルトB、及び転写ベルトCの応答特性は、パルス波形立ち上がり時点後10msecの電流値と基準とすると、パルス波形立ち上がり時点後20msecの時点の電流値の比は、転写ベルトA:2.26/2.93=0.77であり、転写ベルトB:2.16/3.44=0.62であり、転写ベルトC:0.79/2.61=0.30である。応答特性とは、電圧印加部16によって半導電性部材に電圧印加されることにより該半導電性部材を流れる電流について、該電圧印加が開始されることにより、電圧印加前の電流値から電流値の遷移が開始された遷移開始時からその最大値の63.2%となるまでの経過時間を示していることから、転写ベルトAが最も応答特性が良く、次いで、転写ベルトB、転写ベルトCの順となっているといえる。
16 電圧印加部
24 抵抗率測定部
Claims (2)
- 画像形成装置の転写ロール、バイアスローラ、及び転写ベルトのいずれかとして用いられる半導電性部材に所定のパルス電圧を印加する電圧印加手段と、
前記電圧印加手段によって前記半導電性部材に印加されたパルス電圧のパルス波形の立ち上がり開始時点から10msec以上50msec以下の間に該半導電性部材に流れる電流値を測定し、該電流値を測定したタイミングにおける前記パルス電圧の電圧値を前記測定した電流値で除算することにより得られた抵抗値に基づいて、該半導電性部材の抵抗率を測定する抵抗率測定手段と、
を備えた抵抗率測定装置。 - 画像形成装置の転写ロール、バイアスローラ、及び転写ベルトのいずれかとして用いられる半導電性部材に所定のパルス電圧を印加する工程と、
前記半導電性部材に印加されたパルス電圧のパルス波形の立ち上がり開始時点から10msec以上50msec以下の間に該半導電性部材に流れる電流値を測定し、該電流値を測定したタイミングにおける前記パルス電圧の電圧値を前記測定した電流値で除算することにより得られた抵抗値に基づいて、該半導電性部材の抵抗率を測定する工程と、
を備えた抵抗率測定方法。
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