JP2008158519A - バイアスされた荷電/転写ローラーをその場の電圧計及び光受容体厚み検出器として使用する方法並びにその結果でゼログラフィックプロセスを調整する方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光受容体の誘電体厚みは、スレッシュホールド電圧と誘電体厚みとの関係を使用し、誘電体厚みと、バイアスされた転写ローラー電圧と光受容体表面電位との差との間の関係を使用し、誘電体厚みとバイアスされた荷電ローラーインピーダンスとの間の関係を使用し、誘電体厚みと、バイアスされた転写ローラー又は荷電ローラーに対するDC電流・対・電圧曲線の傾斜との間の関係を使用し、誘電体厚みと、ゼロ電流でのバイアスされた転写ローラー電圧との間の関係を使用することを含む種々の仕方で決定される。スレッシュホールド電圧は、バイアスされた荷電ローラーのDC電流・対・電圧曲線の傾斜を使用し、荷電膝より下の複数のターゲット電圧に対して光受容体表面電位を測定して切片値を得るか、又は荷電膝の実際の値を見つけることで、見出すことができる。
【選択図】図9
Description
BCR212が正の荷電モードで動作するときには、次の式になる。
両方のケースでは、Vは、エアブレークダウンの電圧スレッシュホールドであり、そしてβは、次のように決定され、
ここで、DOPCは、光受容体の誘電体厚みで、これは、実際の厚みdを誘電体層の誘電率κで除算する(d/κ)ことにより決定できる。LBCRは、バイアスされた荷電ローラーのインボードからアウトボードの長さであり、vprocessは、プロセス速度であり、そしてε0は、自由空間の誘電率である。エアブレークダウンのスレッシュホールドは、次の式で与えられ、
これは、バイアスされた荷電ローラーのエラストマー214内の電荷弛緩が挟み部のドウェルタイムと迅速比較され、そしてDOPCがミクロン単位で方程式に入力されると仮定している。
V0 OPC=VBCR2−VBCR1=ΔVBCR (5)
その後、この方法は、終了となる(ボックス1120)。理想的な性能ではないために、V0 OPCは、1の傾斜でΔVBCRに厳密に比例しないことがある。このケースでは、校正曲線を使用して、VBCR1及びVBCR2の測定値からV0 OPCを計算することができる。
この条件が満足されると、VOPCは、最大のOPC電圧が得られるまで一定の傾斜で増加し、この点の後は、荷電ローラーのピーク−ピーク電圧を増加しても、OPC表面電圧は不変であり、VOPC=VDCである。傾斜から最大OPC電圧へのこの遷移点は、曲線の「膝(knee)」であり、通常、荷電ローラーに印加されるDC電圧に等しい。この実施形態では、ピーク−ピークBCR電圧の膝値と、光受容体誘電体層204の厚みとの間のこの新たに発見された実質的に線形の、又は少なくとも単調な関係を利用して、光受容体200の誘電体層204の厚み及び誘電体厚みを決定する。
但し、DOPCは、光受容体の誘電体厚みであり、そしてDBCR,EQは、バイアスされた荷電ローラーの等価誘電体厚みである。典型的に、DBCR,EQは、DOPCより非常に小さくて、無視することができ、従って、式(4)で明らかなように、VTHの測定値は、光受容体誘電体厚みの直接的な尺度となる。DBCREQが顕著なものであって且つ温度及びRHに依存性する場合には、以下に述べる技術を依然適用できるが、DBCREQを独立して決定する必要がある。これは、センサで空洞の温度及びRHを測定し、この情報を使用して、式(7)に使用するためにルックアップテーブル(CPUメモリに位置する)からDBCREQの値を選択することができる。スレッシュホールド電圧のこのような測定は、図10に示して以下に説明する方法1000で達成することができる。上述したように、バイアスされた荷電ローラーを電気力学電圧計として使用し(1100)、膝より下の(1020)及び膝より上の(1023)ピーク−ピーク電圧Vp-pの複数の値に対して光受容体の表面電圧VOPCを測定することができる。もちろん、ゼログラフィック装置にESVが装備されている場合には、ESVを使用して、光受容体の表面電位のこれら測定を行うことができる(1021)。値の各セットに対して最良適合線が決定され(1022、1025)、そして最良適合線の交点が膝の位置を決定する(1026)。膝の位置が分ると、スレッシュホールド電圧VTH、ひいては、光受容体誘電体厚みDOPCを決定することができる(1027)。
ΣD=DOPC+DITB,EQ+DBTR,EQ (8)
但し、DITB,EQは、弛緩し得る中間転写ベルトの等価誘電体厚みであり、そしてDBTR,EQは、弛緩し得るBTRの等価誘電体厚みである。DBTR,EQは、典型的なエンジンにおける優勢な項であり、従って、この技術は、エージング、温度シフト及び相対湿度シフトで誘起されるBTRエラストマーの抵抗率シフトによるこの項のシフトに敏感である。測定しようとする量であるDOPCに対するこの技術の敏感さは、実験により裏付けられ、その結果が、図8の対応電圧差・対・BTR電流曲線に示されている。従って、DOPCは、BTR電流・対・電圧特性曲線(IBTR・対・VBTR−VOPC)から少なくとも3つの方法で抽出することができる。曲線の傾斜を測定し(970)、そしてプロセスパラメータと共に使用して、誘電体厚みを決定することができる(971)。更に、IBTR=0切片(BTRスレッシュホールド電圧VTH,BTR)を測定し(972)、これを使用して誘電体厚みを決定することができる(973)。更に、差VBTR−VOPCは、ブロック940から943について上述したように、固定IBTRにおいて測定することができる。DOPCに対する特性曲線の3つの全特徴の敏感さが、図7に示す分析モデリング結果により示される。
又は次のように書き直される。
IBCR及びVBCRが、V0 OPC=0となるように光受容体が放電した状態で電源により2つ以上の値において測定された場合には、測定点に線を適合することができ(1041)、そして直線適合から傾斜βを決定することができる(1042)。次いで、式(9)によりスレッシュホールド電圧を決定することができる(1043)。この場合も、好ましい実施形態によれば、前記手順において、各電源値に対してV0 OPCを一定、例えば、0ボルトに保持しなければならない。従って、この実施形態は、OPCを既知の値、好ましくは、0ボルトに荷電し、DC電源を第1電流値IBCRにセットし、そしてVBCRを測定することを含む。又、この実施形態は、IBCRの1つ以上の付加的な異なる値について電流値の設定を繰り返し、式(2)に適合する直線を計算し、傾斜βを決定し、そして傾斜βからOPCの誘電体厚みDOPCを直接計算することを含むのが好ましい。或いは又、式(8)に適合する直線のIBCRから、
スレッシュホールド電圧を決定することができ、そしてスレッシュホールド電圧から光受容体誘電体厚みDOPCを決定することができる(920)。V0 OPC=0の設定が好ましいが、必要ではないことに注意されたい。VBCRに加えて、各電流設定点でV0 OPCが測定される場合には、VTHを傾斜又は切片から決定することができる。V0 OPCは、測定プロセス中に光受容体の電荷を変更することのないESV又は他の装置により測定されるのが好ましい。
110:像形成装置
111:中間転写ベルト
120:転写ステーション
122:バックアップローラー
124:バイアスされた転写ローラー
126:シャフト
130:媒体
140:シート搬送システム
150:溶融ステーション
200:光受容体(PC)
204:光伝導層
206:シリンダー
208:シャフト
210:荷電ステーション
212:バイアスされた荷電ローラー
215:エラストマー層
216:内側シリンダー
218:シャフト
220:レーザスキャン装置
222:コントローラ
224:レーザ
226:回転ミラー
228:モータ
230:トナー付着ステーション
240:前転写ステーション
250:転写ステーション
252:バイアスされた転写ローラー
253:挟み部
260:前清掃ステーション
270:清掃/消去ステーション
310:電子制御システム
Claims (6)
- 光受容体と、光受容体荷電サブシステムと、像形成サブシステムと、転写サブシステムとを備えたゼログラフィック装置において、光受容体厚み決定方法が、
スレッシュホールド電圧を見出すステップと、
前記スレッシュホールド電圧と誘電体厚みとの関係に基づいて誘電体厚みを決定するステップと、
を備え、スレッシュホールド電圧を見出す前記ステップは、
ピーク−ピーク電圧の膝(knee)より低いターゲット電位で前記光受容体を荷電する段階、
実際の表面電位を測定する段階、
前記荷電及び測定を繰り返し、前記膝より低い複数の実際の表面電位点を得る段階、
前記膝より低い前記複数の点に第1の線を適合させる(fitting)段階、
表面電位・対・ピーク−ピーク電圧空間においてピーク−ピーク電圧の特定値に表面電位軸が位置する状態で前記第1の線の切片値(intercept value)を決定する段階、及び
前記切片値と、前記荷電サブシステムのコンポーネントに印加されるDC電圧との間の差として前記スレッシュホールド電圧を決定する段階、
を含むような方法。 - 光受容体と、光受容体荷電サブシステムと、像形成サブシステムと、転写サブシステムとを備えたゼログラフィック装置において、光受容体厚み決定方法が、
スレッシュホールド電圧を見出すステップと、
前記スレッシュホールド電圧と誘電体厚みとの関係に基づいて誘電体厚みを決定するステップと、
を備え、スレッシュホールド電圧を見出す前記ステップは、
ピーク−ピーク電圧の膝より低いターゲット電位で前記光受容体を荷電する段階、
実際の表面電位を測定する段階、
前記荷電及び測定を繰り返し、前記膝より低い複数の実際の表面電位点を得る段階、
前記膝より低い前記複数の点に第1の線を適合させる段階、
ピーク−ピーク電圧の膝より高いターゲット電位で前記光受容体を荷電する段階、
実際の表面電位を測定する段階、
前記荷電及び測定を繰り返し、前記膝より高い複数の実際の表面電位点を得る段階、
前記膝より高い前記複数の点に第2の線を適合させる段階、
前記第1及び第2の線の交点を見出して、実際のピーク−ピーク電圧の膝値を見出す段階、及び
前記実際のピーク−ピーク電圧の膝値の半分として前記スレッシュホールド電圧を決定する段階、
を含むような方法。 - 少なくとも1つの光受容体と、少なくとも1つの光受容体荷電サブシステムと、少なくとも1つの像形成サブシステムと、少なくとも1つの転写サブシステムとを備えたゼログラフィック装置において、光受容体厚み決定方法が、
光受容体を第1の所定値に荷電するステップと、
サブシステムのコンポーネントへ第1の所定の電流値で電流を供給するステップと、
前記コンポーネントの電圧を測定して、第1コンポーネント電圧を得るステップと、
少なくとも第2の所定荷電値及び少なくとも第2の所定電流値に対して荷電、設定及び測定を繰り返して、少なくとも第2コンポーネント電圧を得るステップと、
前記第1及び少なくとも第2電圧値に対して最良適合線を計算するステップと、
前記最良適合線の傾斜を決定するステップと、
前記傾斜に基づいて誘電体厚みDOPCを計算するステップと、
を備え、前記誘電体厚みを計算するステップは、
前記コンポーネントに対するDC電流・対・DC電圧曲線を表わす線の傾斜を決定する段階、
コンポーネント電流値がゼロの場合のコンポーネント電圧の切片値を見出す段階、
前記コンポーネント電圧切片値と前記光受容体表面電位との間の関係から前記スレッシュホールド電圧を決定する段階、及び
前記スレッシュホールド電圧とDOPCとの関係からDOPCを決定する段階、
によって行なわれる方法。 - 少なくとも1つの光受容体と、少なくとも1つの光受容体荷電サブシステムと、少なくとも1つの像形成サブシステムと、少なくとも1つの転写サブシステムとを備えたゼログラフィック装置において、サブシステムのコンポーネントで光受容体表面電位を測定する方法が、
前記光受容体を放電するステップと、
前記コンポーネントを一定DC電流モードで動作するステップと、
前記一定電流動作から生じる前記コンポーネントにまたがる(across)第1電圧を測定するステップと、
ターゲット表面電位を使用して前記光受容体を荷電するステップと、
前記コンポーネントを前記一定DC電流モードで動作するステップと、
前記一定電流動作から生じる前記コンポーネントにまたがる第2電圧を測定するステップと、
前記ターゲット電位に対する実際の表面電位が、前記第2電圧と第1電圧との間の差となるように決定するステップと、
を備えた方法。 - 少なくとも1つの光受容体と、少なくとも1つの光受容体荷電サブシステムと、少なくとも1つの像形成サブシステムと、少なくとも1つの転写サブシステムとを備えたゼログラフィック装置において、光受容体厚み決定方法が、
ターゲット電位を使用して前記光受容体を荷電するステップと、
前記荷電サブシステム、転写サブシステム及びESVの少なくとも1つを使用して実際の光受容体表面電位VOPCを見出すステップと、
前記光受容体の誘電体厚みを決定するステップと、
を備え、前記誘電体厚みを決定するステップは、
転写サブシステムのコンポーネントを一定DC電流モードで動作し、そして誘電体厚みと、前記転写サブシステムにより使用されるDC転写電圧と実際の光受容体表面電位との差との間の関係を使用するか、又は
少なくとも2つの転写サブシステムコンポーネント電流値に対する転写サブシステムコンポーネント印加電圧及び光受容体表面電位を測定し、転写サブシステムコンポーネント電圧及び表面電位値の各対間の差を決定し、電流及び差の値により表わされた点を結ぶ線の傾斜を決定し、そしてその傾斜を使用して前記誘電体厚みを見出すか、又は
少なくとも2つの転写サブシステムコンポーネント電流値に対する転写サブシステムコンポーネント印加電圧及び光受容体表面電位を測定し、転写サブシステムコンポーネント電圧及び表面電位値の各対間の差を決定し、電流及び差の値により表わされた点を結ぶ線の傾斜を決定し、転写サブシステムコンポーネント電流に対する転写サブシステムコンポーネント電圧の切片値を見出し、この切片値は、スレッシュホールド電圧を表わすものであり、そして前記スレッシュホールド電圧から誘電体厚みを決定する、
ことにより行なわれる方法。 - 少なくとも1つの光受容体と、少なくとも1つの光受容体荷電サブシステムと、少なくとも1つの像形成サブシステムと、少なくとも1つの転写サブシステムとを備えたゼログラフィック装置において、光受容体厚み決定方法が、荷電サブシステム及び転写サブシステムの一方のコンポーネントにおける電流に伴う電圧の変動を表わす曲線の傾斜を決定するステップを備えた方法。
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