JP2002105193A - 芳香族ポリカーボネートの製造法 - Google Patents

芳香族ポリカーボネートの製造法

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JP2002105193A
JP2002105193A JP2001224537A JP2001224537A JP2002105193A JP 2002105193 A JP2002105193 A JP 2002105193A JP 2001224537 A JP2001224537 A JP 2001224537A JP 2001224537 A JP2001224537 A JP 2001224537A JP 2002105193 A JP2002105193 A JP 2002105193A
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diaryl carbonate
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Kyosuke Komiya
強介 小宮
Masahiro Tojo
正弘 東條
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Asahi Kasei Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 溶融重縮合法により芳香族ポリカーボネート
を製造するに際し、カラーが良好で、かつ380℃以上
の高温でも着色が少なく、分子量低下も小さい高品質な
芳香族ポリカーボネートの工業的に好ましい製造法を提
供する。 【解決手段】 芳香族ジヒドロキシ化合物とジアリール
カーボネートから、溶融状態で重合して芳香族ポリカー
ボネートを製造する方法において、該ジアリールカーボ
ネートとして、(a)水分含量が200重量ppm以下
であり、(b)アルミニウム含量が1重量ppm以下で
あり、(c)o,p’−ビス(フェノキシカルボキシ
ル)ビフェニル含量が1重量ppm以下のものを使用す
る芳香族ポリカーボネートの製造法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、芳香族ポリカーボ
ネートの製造法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、芳香族ポリカーボネートは、耐熱
性、耐衝撃性、透明性などに優れたエンジニアリングプ
ラスチックスとして、多くの分野において幅広く用いら
れている。しかしながら、従来用いられてきたホスゲン
法で製造されたポリカーボネートは、その製造時に毒性
のホスゲンを使用することや、ポリカーボネートの熱安
定性や成形時の金型腐食等に影響を及ぼす残留塩化メチ
レンを含有する等の問題を有しており、近年は、エステ
ル交換法ポリカーボネートが見直されてきている。
【0003】エステル交換法ポリカーボネートは一般に
カラーが悪いため、着色を改善することが以前から求め
られている。しかし、ポリカーボネート製造時のカラー
が良いだけでは、成型材料としての品質を満足している
とは言えず、ポリカーボネートの中でも芳香族ポリカー
ボネートは成形流動性が劣るために、良好な成形外観が
要求される射出成形用成形材料としての用途、又高い透
明性を要求される成形品の成形材料としての用途におい
ては、一般に通常の樹脂よりも高い温度で成形されてい
る。
【0004】近年、特に高度な転写性を求められる精密
成形品成形材料としての用途が拡大しており、高温で成
形しても着色の少ない芳香族ポリカーボネートが強く望
まれてきている。成形のハイサイクル性が要求される光
ディスク用途では、特に高温での成形が実施されるた
め、金型清掃等の成形中断時に樹脂が着色したり、分子
量低下を起こす等の問題を有していた。すなわち、38
0℃以上の高温でも着色が少なく分子量低下も小さい芳
香族ポリカーボネートが強く求められていた。
【0005】エステル交換法で芳香族ジヒドロキシ化合
物とジアリールカーボネートから、溶融状態で重合して
芳香族ポリカーボネートを製造する際、製品の着色改善
の観点から、特定の化合物の原料中の存在量を規定した
出願が数多くなされている。例えば、特開平5−262
872号公報では、炭酸ジエステルに含まれる不純物と
してクロロフォーメートに基づく塩素含有量が30pp
m以下であること、特開平6−179744号公報で
は、炭酸ジエステルとしてサリチル酸フェニル、o−フ
ェノキシ安息香酸及びo−フェノキシ安息香酸フェニル
を実質的に含有しないこと、特開平7−33866号公
報では、ベンゾフェノン誘導体が100ppm以下であ
る炭酸ジアリールエステルを用いること、特開平7−6
2074号公報では、エステル誘導体が100ppm以
下である炭酸ジアリールエステルを用いること、特開平
8−59815号公報では、o−メトキシ安息香酸フェ
ニル及びキサントンを実質上含有しないジフェニルカー
ボネートを用いること、EP−0677545A1号公
報では、サリチル酸誘導体、スズイオン、メチルフェニ
ルカーボネートのいずれかを含まない炭酸ジエステルを
用いること等、ジアリールカーボネート中の特定の化合
物の存在量を規定している。また、特開平8−1047
47号公報では、特定構造の芳香族ジヒドロキシ化合物
の存在量が10重量ppm以上3重量%以下であるこ
と、特開平8−104748号公報では、特定のビスフ
ェノールA誘導体、ビスフェノールA異性体、クロマン
系有機化合物、トリスフェノールIの総含有量が100
ppm以上1000ppm以下であるビスフェノールA
を用いること、特開平11−310630号公報では、
クロマン系有機化合物の含有量が200ppm以下、か
つ鉄分の含有量が0.1ppm以下であるビスフェノー
ルAを用いること等、芳香族ジヒドロキシ化合物中の特
定の化合物の存在量を規定している。しかしながら、こ
れらの発明は、カラーを改善する上で必ずしも充分でな
く、さらに380℃以上の高温でも着色が少なく、分子
量低下も小さい芳香族ポリカーボネートを提供すること
はできなかった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、溶融
重縮合法により芳香族ポリカーボネートを製造するに際
し、カラーが良好で、かつ380℃以上の高温でも着色
が少なく、分子量低下も小さい高品質な芳香族ポリカー
ボネートの工業的に好ましい製造法を提供することであ
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するため鋭意検討を進めた結果、芳香族ポリカー
ボネートを製造する際に、ジアリールカーボネート中の
特定の成分含有量を特定の範囲にコントロールすること
によりその目的を達成できることを見いだし、本発明を
完成させるに至った。
【0008】すなわち、本発明は、(1) 芳香族ジヒ
ドロキシ化合物とジアリールカーボネートから、溶融状
態で重合して芳香族ポリカーボネートを製造する方法で
あって、該ジアリールカーボネート中の(a)水分が2
00重量ppm以下であり、(b)アルミニウム含量が
1重量ppm以下であり、(c)o,p’−ビス(フェ
ノキシカルボキシル)ビフェニル含量が1重量ppm以
下であることを特徴とする芳香族ポリカーボネートの製
造法、(2)ジアリールカーボネートが、(a)水分含
量が200重量ppm以下であり、(b)アルミニウム
含量が1重量ppm以下であるジアリールカーボネート
を、ステンレス製の容器で窒素雰囲気下に80〜190
℃の温度で溶融状態で貯蔵されたジアリールカーボネー
トであることを特徴とする(1)記載の芳香族ポリカー
ボネートの製造法、(3) ステンレス製の容器が、内
壁面の接液部にフェノールで洗浄処理を施された容器で
あることを特徴とする(2)記載の芳香族ポリカーボネ
ートの製造法、である。
【0009】溶融重合法で芳香族ポリカーボネートを製
造する際、通常、原料のジアリールカーボネートは完全
な100%純度ではなく、ジアリールカーボネートの製
造法に由来したり、製造したジアリールカーボネートの
保管方法に由来する種々の化合物を含有している。ジア
リールカーボネートは、製造後ただちに用いられること
は少なく、輸送や貯蔵の後に用いられるので、保管中に
混入したり生成したりする化合物の影響を明らかにする
ことは、工業的に芳香族ポリカーボネートを製造する上
で特に重要である。
【0010】本発明者らが鋭意検討した結果、吸湿によ
り混入する水分、ジアリールカーボネートを製造する時
に用いられる触媒成分であるアルミニウム、及びジアリ
ールカーボネートを溶融状態で貯蔵する際に生成する
o,p’−ビス(フェノキシカルボキシル)ビフェニル
の含有量を全て特定値以下にすることにより、驚くべき
ことに製品である芳香族ポリカーボネートのカラーが良
好となる上、380℃以上の高温下での着色及び分子量
低下に対する安定性が著しく改善されることが明らかに
なったのである。
【0011】以下に本発明について詳細に説明する。本
発明において、芳香族ジヒドロキシ化合物とは、HO−
Ar−OH(式中、Arは2価の芳香族基を表す。)で
示される化合物である。芳香族基Arは、好ましくは例
えば、−Ar1 −Y−Ar2 −(式中、Ar1及びAr
2 は、各々独立にそれぞれ炭素数5〜70を有する2価
の炭素環式又は複素環式芳香族基を表し、Yは炭素数1
〜30を有する2価のアルカン基を表す。)で示される
2価の芳香族基である。
【0012】2価の芳香族基Ar1 、Ar2 において、
一つ以上の水素原子が、反応に悪影響を及ぼさない他の
置換基、例えば、ハロゲン原子、炭素数1〜10のアル
キル基、炭素数1〜10のアルコキシ基、フェニル基、
フェノキシ基、ビニル基、シアノ基、エステル基、アミ
ド基、ニトロ基などによって置換されたものであっても
良い。複素環式芳香族基の好ましい具体例としては、1
ないし複数の環構成窒素原子、酸素原子又は硫黄原子を
有する芳香族基を挙げることができる。また、2価の芳
香族基Ar1 、Ar2 は、例えば、置換又は非置換のフ
ェニレン、置換又は非置換のビフェニレン、置換または
非置換のピリジレンなどの基を表す。ここでの置換基は
前述のとおりである。
【0013】2価のアルカン基Yは、例えば、下記化1
に示される有機基である。
【化1】
【0014】(式中、R1 、R2 、R3 、R4 は、各々
独立に水素、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数1〜
10のアルコキシ基、環構成炭素数5〜10のシクロア
ルキル基、環構成炭素数5〜10の炭素環式芳香族基、
炭素数6〜10の炭素環式アラルキル基を表す。kは3
〜11の整数を表し、R5 及びR6 は、各Xについて個
々に選択され、お互いに独立に、水素または炭素数1〜
6のアルキル基を表し、Xは炭素を表す。また、R1
2 、R3 、R4 、R5 、R6 において、一つ以上の水
素原子が子が反応に悪影響を及ぼさない範囲で他の置換
基、例えばハロゲン原子、炭素数1〜10のアルキル
基、炭素数1〜10のアルコキシ基、フェニル基、フェ
ノキシ基、ビニル基、シアノ基、エステル基、アミド
基、ニトロ基等によって置換されたものであっても良
い。)
【0015】このような2価の芳香族基Arとしては、
例えば、下記化2に示されるものが挙げられる。
【化2】
【0016】(式中、R7 、R8 は、各々独立に水素原
子、ハロゲン原子、炭素数1〜10のアルキル基、炭素
数1〜10のアルコキシ基、環構成炭素数5〜10のシ
クロアルキル基またはフェニル基であって、mおよびn
は1〜4の整数で、mが2〜4の場合には各R7 はそれ
ぞれ同一でも異なるものであってもよいし、nが2〜4
の場合には各R8 はそれぞれ同一でも異なるものであっ
てもよい。)さらに、2価の芳香族基Arは、−Ar1
−Z−Ar2 −で示されるものであっても良い。(式
中、Ar1 、Ar2 は前述の通りで、Zは単結合又は−
O−、−CO−、−S−、−SO2 −、−SO−、−C
OO−、−CON(R1 )−などの2価の基を表す。た
だし、R1 は前述のとおりである。)
【0017】このような2価の芳香族基Arとしては、
例えば、下記化3に示されるものが挙げられる。
【化3】 (式中、R7 、R8 、mおよびnは、前述のとおりであ
る。)
【0018】さらに、2価の芳香族基Arの具体例とし
ては、置換または非置換のフェニレン、置換または非置
換のナフチレン、置換または非置換のピリジレン等が挙
げられる。本発明で用いられる芳香族ジヒドロキシ化合
物は、単一種類でも2種類以上でもかまわない。芳香族
ジヒドロキシ化合物の代表的な例としてはビスフェノー
ルAが挙げられる。
【0019】本発明で用いられるジアリールカーボネー
トは、下記化4に表される。
【化4】 (式中、Ar3 、Ar4 はそれぞれ1価の芳香族基を表
す。)
【0020】Ar3 及びAr4 は、1価の炭素環式又は
複素環式芳香族基を表すが、このAr3 、Ar4 におい
て、一つ以上の水素原子が、反応に悪影響を及ぼさない
他の置換基、例えば、ハロゲン原子、炭素数1〜10の
アルキル基、炭素数1〜10のアルコキシ基、フェニル
基、フェノキシ基、ビニル基、シアノ基、エステル基、
アミド基、ニトロ基などによって置換されたものであっ
ても良い。Ar3 とAr4 は同じものであっても良い
し、異なるものであっても良い。1価の芳香族基Ar3
及びAr4 の代表例としては、フェニル基、ナフチル
基、ビフェニル基、ピリジル基を挙げることができる。
これらは、上述の1種以上の置換基で置換されたもので
も良い。
【0021】好ましいAr3 及びAr4 としては、それ
ぞれ例えば、下記化5に示されるものなどが挙げられ
る。
【化5】
【0022】ジアリールカーボネートの代表的な例とし
ては、下記化6に示される置換または非置換のジフェニ
ルカーボネート類を挙げることができる。
【化6】 (式中、R9 及びR10は、各々独立に水素原子、炭素数
1〜10を有するアルキル基、炭素数1〜10を有する
アルコキシ基、環構成炭素数5〜10のシクロアルキル
基又はフェニル基を示し、p及びqは1〜5の整数で、
pが2以上の場合には、各R9 はそれぞれ異なるもので
あっても良いし、qが2以上の場合には、各R10は、そ
れぞれ異なるものであっても良い。)
【0023】このジフェニルカーボネート類の中でも、
非置換のジフェニルカーボネートや、ジトリルカーボネ
ート、ジ−t−ブチルフェニルカーボネートのような低
級アルキル置換ジフェニルカーボネートなどの対称型ジ
アリールカーボネートが好ましいが、特にもっとも簡単
な構造のジアリールカーボネートである非置換のジフェ
ニルカーボネートが好適である。これらのジアリールカ
ーボネート類は単独で用いても良いし、2種以上を組み
合わせて用いても良い。
【0024】本発明において、該ジアリールカーボネー
ト中の水分は200重量ppm以下である。水分が20
0重量ppmより多い場合は、製品芳香族ポリカーボネ
ートのカラーが悪化し、かつ380℃以上の高温下で着
色しやすくなり、分子量低下も大きくなる。この理由に
ついては明らかではないが、水分の存在によるジアリー
ルカーボネートの分解とジアリールカーボネートの異性
化反応等の組み合わせにより芳香族ポリカーボネートの
高温下での安定性に悪影響を及ぼすものと推定してい
る。該ジアリールカーボネート中の水分は好ましくは1
00重量ppm以下、更に好ましくは50重量ppm以
下である。また水分量の下限について特に限定はなく、
0.01重量ppmより水分量が少なくてもかまわない
が、0.01重量ppmより少なくしても芳香族ポリカ
ーボネートの高温下での着色や分子量低下を改善させる
効果は少ない。ジアリールカーボネート中の水分量を上
記範囲にコントロールする方法としては、輸送や貯蔵中
の吸湿を避ける方法や、吸湿して上記上限の200重量
ppmより高い水分量となった場合は、蒸留等による脱
水操作を行った後に、芳香族ポリカーボネートの重合に
使用する方法等が挙げられる。
【0025】本発明において、該ジアリールカーボネー
ト中のアルミニウム含量は1重量ppm以下である。ア
ルミニウム含量が1重量ppmより多い場合は、製品芳
香族ポリカーボネートのカラーが悪化し、かつ380℃
以上の高温下で着色しやすくなり、分子量低下も大きく
なる。この理由については明らかではないが、アルミニ
ウムの存在が芳香族ポリカーボネートの高温下での着色
反応や分子量低下反応に触媒的に作用するものと推定さ
れる。該ジアリールカーボネート中のアルミニウム含量
は好ましくは0.5重量ppm以下、更に好ましくは
0.1重量ppm以下である。またアルミニウム含量の
下限について特に限定はなく、0.001重量ppmよ
りアルミニウム含量が少なくてもかまわないないが、
0.001重量ppmよりアルミニウム含量を少なくし
ても芳香族ポリカーボネートの高温下での着色や分子量
低下を改善させる効果は少ない。
【0026】アルミニウム含量を上記範囲にコントロー
ルする方法としては、ジアリールカーボネートを製造す
る際、アルミニウム触媒を全く使用しないか、アルミニ
ウム触媒を用いてジアリールカーボネートを製造した
後、蒸留操作や洗浄操作等によってアルミニウム含量を
減少させる方法等が挙げられる。ただし、アルミニウム
触媒を全く使用しないでジアリールカーボネートを製造
する場合は、製品ポリカーボネートの品質を悪化させる
様な他の触媒成分がジアリールカーボネート中に含有さ
れないことが好ましい。本発明において、該ジアリール
カーボネート中のo,p’−ビス(フェノキシカルボキ
シル)ビフェニル含量は1重量ppm以下である。o,
p’−ビス(フェノキシカルボキシル)ビフェニル含量
が1重量ppmより多い場合は、製品芳香族ポリカーボ
ネートのカラーが悪化し、かつ380℃以上の高温下で
着色しやすくなる。
【0027】この理由についても明らかではないが、
o,p’−ビス(フェノキシカルボキシル)ビフェニル
自身、またはo,p’−ビス(フェノキシカルボキシ
ル)ビフェニルと芳香族ポリカーボネートとの反応物が
高温で着色しやすいものと推定している。該ジアリール
カーボネート中のo,p’−ビス(フェノキシカルボキ
シル)ビフェニル含量は好ましくは0.5重量ppm以
下、更に好ましくは0.1重量ppm以下である。また
o,p’−ビス(フェノキシカルボキシル)ビフェニル
含量の下限について特に限定はなく、0.01重量pp
mよりo,p’−ビス(フェノキシカルボキシル)ビフ
ェニル含量が少なくてもかまわないないが、0.01重
量ppmよりo,p’−ビス(フェノキシカルボキシ
ル)ビフェニル含量を少なくしても芳香族ポリカーボネ
ートの高温下での着色を改善させる効果は少ない。
【0028】芳香族ジヒドロキシ化合物とジアリールカ
ーボネートから芳香族ポリカーボネートを製造する際、
工業的に好ましくジアリールカーボネートをハンドリン
グするために、通常、ジアリールカーボネートは溶融状
態で貯蔵された後に用いられる。本発明においては、該
ジアリールカーボネートが、ステンレス製の容器で窒素
雰囲気下に80〜190℃の温度で溶融状態で貯蔵され
たものであることが好ましい。貯蔵する容器がカーボン
スチール製の場合には、o,p’−ビス(フェノキシカ
ルボキシル)ビフェニルの生成量が多くなる場合があ
る。ステンレスとは、ステンレス鋼便覧第13〜21頁
(日刊工業新聞社発行、第5版)に定義、分類されるよ
うな通常クロムを10〜30重量%含む、マルテンサイ
ト系、フェライト系、オーステナイト系、フェライト・
オーステナイト系等のステンレス鋼や、上記ステンレス
鋼便覧547頁の表に示されるようなFe基超合金等が
あげられる。具体例としては、SUS201、SUS2
02、SUS304、SUS304L、SUS316、
SUS316L、SUS347、SUS405、SUS
430、SUS403、SUS410、SUS431、
SUS440C、SUS630、インコロイ800、イ
ンコロイ801、インコロイ802、インコロイ80
7、インコロイ901、LCN155、W545、V5
7、W545、D979、CG27、S590等があげ
られる。好ましい具体例としてはSUS304、SUS
304L、SUS316、SUS316L等があげら
れ、特に好ましくはSUS304があげられる。
【0029】該ステンレス製の容器の内壁面の接液部
は、フェノールで洗浄処理を施されたものであることが
好ましい。フェノールで洗浄処理を施されたステンレス
製の容器を用いた場合、特にo,p’−ビス(フェノキ
シカルボキシル)ビフェニルの生成量を少なくすること
ができる。この理由については明らかではないが、ステ
ンレス表面の吸着酸素をフェノールで除去することによ
り、o,p’−ビス(フェノキシカルボキシル)ビフェ
ニルの生成を妨げているものと推定される。また、貯蔵
は窒素雰囲気下とすることが好ましく、貯蔵容器に空気
が混入するとo,p’−ビス(フェノキシカルボキシ
ル)ビフェニルの生成量が多くなる。貯蔵温度は80〜
190℃の範囲であることが好ましく、190℃より高
い場合は、o,p’−ビス(フェノキシカルボキシル)
ビフェニルの生成量が多くなりやすい。80℃より低い
場合、ジアリールカーボネートの種類によっては固化し
てしまうので好ましくない。より好ましい貯蔵温度範囲
は85〜160℃であり、更に好ましくは90〜140
℃である。
【0030】本発明において芳香族ポリカーボネートを
製造する際、芳香族ジヒドロキシ化合物とジアリールカ
ーボネートとの使用割合(仕込比率)は、用いられる芳
香族ジヒドロキシ化合物とジアリールカーボネートの種
類や、重合温度その他の重合条件によって異なるが、ジ
アリールカーボネートは芳香族ジヒドロキシ化合物1モ
ルに対して、通常0.9〜2.5モル、好ましくは0.
95〜2.0モル、より好ましくは0.98〜1.5モ
ルの割合で用いられる。本発明の方法で得られる芳香族
ポリカーボネートの数平均分子量は、通常5000〜1
00000の範囲であり、好ましくは5000〜300
00の範囲である。
【0031】本発明の芳香族ポリカーボネートの製造法
は、上記のような芳香族ジヒドロキシ化合物とジアリー
ルカーボネートとから、触媒の存在もしくは不存在下
で、減圧下および/または不活性ガスフロー下で加熱し
ながら溶融状態でエステル交換反応にて重縮合する方法
であり、その重合器には特に制限はない。例えば、攪拌
槽型反応器、薄膜反応器、遠心式薄膜蒸発反応器、表面
更新型二軸混練反応器、二軸横型攪拌反応器、濡れ壁式
反応器、自由落下させながら重合する多孔板型反応器、
ワイヤーに沿わせて落下させながら重合するワイヤー付
き多孔板型反応器等を用い、これらを単独もしくは組み
合わせた重合器が用いられる。重合は、バッチ方式、連
続方式のいずれも可能である。また、重合後、芳香族ポ
リカーボネートが溶融状態にある間に安定剤、添加剤等
を添加するための装置として、押出機やポリマーミキサ
ー等を重合器と組み合わせて用いることも好ましい方法
である。これらの重合器の材質について特に制限はな
く、通常ステンレススチールやニッケル、グラスライニ
ング等から選ばれる。
【0032】本発明において、芳香族ジヒドロキシ化合
物とジアリールカーボネートとを反応させて芳香族ポリ
カーボネートを製造するに当たり、反応の温度は、通常
50〜350℃、好ましくは100〜300℃の温度の
範囲で選ばれる。反応の進行にともなって、芳香族モノ
ヒドロキシ化合物が生成してくるが、これを反応系外へ
除去することによって反応速度が高められる。従って、
窒素、アルゴン、ヘリウム、二酸化炭素や低級炭化水素
ガスなど反応に悪影響を及ぼさない不活性なガスを導入
して、生成してくる該芳香族モノヒドロキシ化合物をこ
れらのガスに同伴させて除去する方法や、減圧下に反応
を行う方法などが好ましく用いられる。好ましい反応圧
力は、分子量によっても異なり、重合初期には10mm
Hg〜常圧の範囲が好ましく、重合後期には、20mm
Hg以下、特に10mmHg以下が好ましく、2mmH
g以下とすることが更に好ましい。
【0033】溶融重縮合反応は、触媒を加えずに実施す
ることができるが、重合速度を高めるため、必要に応じ
て触媒の存在下で行われる。重合触媒としては、この分
野で用いられているものであれば特に制限はないが、水
酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水
酸化カルシウムなどのアルカリ金属またはアルカリ土類
金属の水酸化物類;水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホ
ウ素テトラメチルアンモニウムなどのホウ素の水素化物
のアルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、第四級アンモ
ニウム塩類;水素化リチウム、水素化ナトリウム、水素
化カルシウムなどのアルカリ金属またはアルカリ土類金
属の水素化合物類;リチウムメトキシド、ナトリウムエ
トキシド、カルシウムメトキシドなどのアルカリ金属ま
たはアルカリ土類金属のアルコキシド類;リチウムフェ
ノキシド、ナトリウムフェノキシド、マグネシウムフェ
ノキシド、LiO−Ar−OLi、NaO−Ar−ON
a(Arはアリール基)などのアルカリ金属またはアル
カリ土類金属のアリーロキシド類;酢酸リチウム、酢酸
カルシウム、安息香酸ナトリウムなどのアルカリ金属ま
たはアルカリ土類金属の有機酸塩類;酸化亜鉛、酢酸亜
鉛、亜鉛フェノキシドなどの亜鉛化合物類;酸化ホウ
素、ホウ酸、ホウ酸ナトリウム、ホウ酸トリメチル、ホ
ウ酸トリブチル、ホウ酸トリフェニル、(R1 2 3
4 )NB(R 1 2 3 4 )表されるアンモニウム
ボレート類、(R1 2 3 4 )PB(R1 2 3
4 )で表されるホスホニウムボレート類(R1 2
3 4 は前記化1の説明通りである。)などのホウ素の
化合物類;酸化ケイ素、ケイ酸ナトリウム、テトラアル
キルケイ素、テトラアリールケイ素、ジフェニル−エチ
ル−エトキシケイ素などのケイ素の化合物類;酸化ゲル
マニウム、四塩化ゲルマニウム、ゲルマニウムエトキシ
ド、ゲルマニウムフェノキシドなどのゲルマニウムの化
合物類;酸化スズ、ジアルキルスズオキシド、ジアルキ
ルスズカルボキシレート、酢酸スズ、エチルスズトリブ
トキシドなどのアルコキシ基またはアリーロキシ基と結
合したスズ化合物、有機スズ化合物などのスズの化合物
類;酸化鉛、酢酸鉛、炭酸鉛、塩基性炭酸塩、鉛及び有
機鉛のアルコキシドまたはアリーロキシドなどの鉛の化
合物;第四級アンモニウム塩、第四級ホスホニウム塩、
第四級アルソニウム塩などのオニウム化合物類;酸化ア
ンチモン、酢酸アンチモンなどのアンチモンの化合物
類;酢酸マンガン、炭酸マンガン、ホウ酸マンガンなど
のマンガンの化合物類;酢酸ジルコニウム、酸化ジルコ
ニウム、ジルコニウムのアルコキシド又はアリーロキシ
ド、ジルコニウムアセチルアセトンなどのジルコニウム
の化合物類などの触媒を挙げることができる。触媒を用
いる場合、これらの触媒は1種だけで用いても良いし、
2種以上を組み合わせて用いても良い。また、これらの
触媒の使用量は、原料の芳香族ジヒドロキシ化合物10
0重量部に対して、通常10-8〜1重量部、好ましくは
10-7〜10-1重量部の範囲で選ばれる。
【0034】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を詳細
に説明する。 ・水分:カールフィッシャー法により分析した。 ・アルミニウム含量:ICP(高周波誘導結合型プラズ
マ発光分析計;セイコー電子工業(株)製JY38PI
I)を用いて分析した。 ・o,p’−ビス(フェノキシカルボキシル)ビフェニ
ル含量:ガスクロマトグラフ法により分析した。 ・着色:試料1gを塩化メチレン7mlに溶かした溶液
を光路長1cmのセルに入れ、分光光度計により400
nmの吸光度を測定し、着色の指標とした。高温での着
色のしやすさは、芳香族ポリカーボネートを窒素雰囲気
下380℃で30分間加熱し、加熱による上記400n
mの吸光度の増大量で評価した。
【0035】・数平均分子量(Mn):テトラヒドロフ
ランを溶媒として用い、ゲルパーミエーションクロマト
グラフィー(GPC){カラム:TSK−GEL,東ソ
ー(株)製}法で測定し、標準単分散ポリスチレンを用
いて得た下式による換算分子量較正曲線を用いて求め
た。 MPC=0.3591MPS 1.0388 (式中、MPCは芳香族ポリカーボネートの分子量、MPS
はポリスチレンの分子量を示す。) 高温での分子量低下のしやすさは、芳香族ポリカーボネ
ートを窒素雰囲気下380℃で30分間加熱し、加熱に
よる数平均分子量の減少量で評価した。
【0036】
【実施例1】ジフェニルカーボネートをジメチルカーボ
ネートとフェノールからトリフェノキシアルミニウムを
触媒として製造した後、圧力1596Pa、蒸留段数
5、還流比3.0の条件で、塔頂から2段目の気相でサ
イドカットして蒸留精製し、SUS304製の容器で、
窒素雰囲気下、110℃、100時間貯蔵した。貯蔵後
のジフェニルカーボネート中の水分含量0.1重量pp
m、アルミニウム含量0.4重量ppm、o,p’−ビ
ス(フェノキシカルボキシル)ビフェニル含量0.1重
量ppmであった。該ジフェニルカーボネートを用い
て、図1に示すようなプロセスで芳香族ポリカーボネー
トを製造した。
【0037】撹拌槽型重合器3はバッチ的に運転し、貯
槽10以降は連続的に運転した。撹拌槽型重合器3(容
量200リットル)、17(容量50リットル)、26
(容量50リットル)は、いずれも攪拌翼を備えてい
る。横型二軸攪拌型重合器35(容量30リットル)
は、L/D=6で回転直径140mmの二軸の攪拌羽根
を有している。ワイヤ付多孔板型重合器42は、孔径5
mmの孔、50個有する多孔板43を備えており、孔の
中心から鉛直に1mm径のSUS316L製ワイヤ44
を重合器下部の液溜まで垂らしてあり、落下する高さは
8mである。撹拌槽型第1重合器3は、反応温度180
℃、反応圧力常圧、シール窒素ガス流量1リットル/h
rの条件である。撹拌槽第1重合器3に、充分に脱気し
たビスフェノールAと上記ジフェニルカーボネート(対
ビスフェノールAモル比1.10)を80kgと、水酸
化ナトリウム7mgを仕込み5Hr溶融混合し、溶融し
た数平均分子量350の溶融ポリマーを全量圧送によ
り、移送配管7から貯槽10に移送した。
【0038】貯槽10は、常圧、180℃に保たれてい
る。貯槽10に移送された溶融ポリマーは、プランジャ
ーポンプ14により10kg/hrで連続に攪拌槽型第
2重合器17に供給した。攪拌槽型第1重合器3では、
貯槽10の溶融ポリマーがなくなる前に上記と同様の方
法で、数平均分子量350の溶融ポリマーを製造し、再
び貯槽10に移送する。この後、同様にして撹拌槽型第
1重合器3でバッチ的に数平均分子量350の溶融ポリ
マーを製造し、貯槽10に供給し続けた。攪拌槽型第2
重合器17は、反応温度235℃、反応圧力100mm
Hgの条件であり、溶融ポリマーの液容量が20リット
ルに達したら、液容量20リットルを一定に保つように
攪拌槽型第3重合器26に数平均分子量850の溶融ポ
リマーをギアポンプにより連続に供給した。攪拌槽型第
3重合器26は、反応温度245℃、反応圧力6mmH
gの条件であり、溶融ポリマーの液容量が20リットル
に達したら、液容量20リットルを一定に保つように横
型二軸攪拌型重合器35に数平均分子量2300の溶融
ポリマーをギアポンプにより連続に供給した。横型二軸
攪拌型重合器35では、反応温度270℃、反応圧力6
7Paの条件であり、溶融ポリマーの液容量が10リッ
トルに達したら、液容量10リットルを一定に保つよう
にワイヤ付多孔板型重合器42に数平均分子量6100
の溶融ポリマーをギアポンプにより供給した。ワイヤ付
多孔板型重合器42では、反応温度260℃、反応圧力
53Paの条件であり、重合器下部の溶融ポリマーの液
容量が20リットルに達したら、液容量20リットルを
保つように、移送配管50を経て抜き出し口51より数
平均分子量10000、400nmの吸光度0.002
7のカラー良好な芳香族ポリカーボネートを抜き出し
た。得られた芳香族ポリカーボネートを窒素雰囲気下3
80℃で30分間加熱した後の吸光度の増大量は0.0
005、数平均分子量の低下量は300であり、高温で
も着色しにくく、分子量低下も起こしにくかった。
【0039】
【実施例2】貯蔵条件を145℃、300時間とする他
は実施例1と同様に製造、精製、貯蔵した、水分含量
0.1重量ppm、アルミニウム含量0.4重量pp
m、o,p’−ビス(フェノキシカルボキシル)ビフェ
ニル含量0.3重量ppmのジフェニルカーボネートを
用いて、実施例1と同様に芳香族ポリカーボネートを製
造し、数平均分子量10000、400nmの吸光度
0.0029のカラー良好な芳香族ポリカーボネートを
得た。得られた芳香族ポリカーボネートを窒素雰囲気下
380℃で30分間加熱した後の吸光度の増大量は0.
0006、数平均分子量の低下量は300であり、高温
でも着色しにくく、分子量低下も起こしにくかった。
【0040】
【実施例3】貯蔵条件を165℃、800時間とする他
は実施例1と同様に製造、精製、貯蔵した、水分含量
0.1重量ppm、アルミニウム含量0.4重量pp
m、o,p’−ビス(フェノキシカルボキシル)ビフェ
ニル含量0.5重量ppmのジフェニルカーボネートを
用いて、実施例1と同様に芳香族ポリカーボネートを製
造し、数平均分子量10000、400nmの吸光度
0.0035のカラー良好な芳香族ポリカーボネートを
得た。得られた芳香族ポリカーボネートを窒素雰囲気下
380℃で30分間加熱した後の吸光度の増大量は0.
0008、数平均分子量の低下量は500であり、高温
でも着色しにくく、分子量低下も起こしにくかった。
【0041】
【実施例4】内壁面をフェノール洗浄処理したSUS3
04製の容器に貯蔵する他は実施例3と同様に製造、精
製、貯蔵した、水分含量0.1重量ppm、アルミニウ
ム含量0.4重量ppm、o,p’−ビス(フェノキシ
カルボキシル)ビフェニル含量0.2重量ppmのジフ
ェニルカーボネートを用いて、実施例1と同様に芳香族
ポリカーボネートを製造し、数平均分子量10000、
400nmの吸光度0.0028のカラー良好な芳香族
ポリカーボネートを得た。得られた芳香族ポリカーボネ
ートを窒素雰囲気下380℃で30分間加熱した後の吸
光度の増大量は0.0005、数平均分子量の低下量は
300であり、高温でも着色しにくく、分子量低下も起
こしにくかった。
【0042】
【実施例5】蒸留段数を3、還流比を0.8とする他は
実施例1と同様に製造、精製、貯蔵した、水分含量20
重量ppm、アルミニウム含量0.7重量ppm、o,
p’−ビス(フェノキシカルボキシル)ビフェニル含量
0.1重量ppmのジフェニルカーボネートを用いて、
実施例1と同様に芳香族ポリカーボネートを製造し、数
平均分子量10000、400nmの吸光度0.003
3のカラー良好な芳香族ポリカーボネートを得た。得ら
れた芳香族ポリカーボネートを窒素雰囲気下380℃で
30分間加熱した後の吸光度の増大量は0.0009、
数平均分子量の低下量は700であり、高温でも着色し
にくく、分子量低下も起こしにくかった。
【0043】
【実施例6】蒸留段数を3、還流比を0.1とする他は
実施例1と同様に製造、精製、貯蔵した、水分含量15
0重量ppm、アルミニウム含量0.9重量ppm、
o,p’−ビス(フェノキシカルボキシル)ビフェニル
含量0.1重量ppmのジフェニルカーボネートを用い
て、実施例1と同様に芳香族ポリカーボネートを製造
し、数平均分子量10000、400nmの吸光度0.
0038のカラー良好な芳香族ポリカーボネートを得
た。得られた芳香族ポリカーボネートを窒素雰囲気下3
80℃で30分間加熱した後の吸光度の増大量は0.0
013、数平均分子量の低下量は900であり、高温で
も着色しにくく、分子量低下も起こしにくかった。
【0044】
【実施例7】酸素0.5容量%、窒素99.5容量%の
雰囲気下で貯蔵する他は、実施例1と同様に製造、精
製、貯蔵した、水分含量0.1重量ppm、アルミニウ
ム含量0.4重量ppm、o,p’−ビス(フェノキシ
カルボキシル)ビフェニル含量0.9重量ppmのジフ
ェニルカーボネートを用いて、実施例1と同様に芳香族
ポリカーボネートを製造し、数平均分子量10000、
400nmの吸光度0.004のわずかに着色した芳香
族ポリカーボネートを得た。得られた芳香族ポリカーボ
ネートを窒素雰囲気下380℃で30分間加熱した後の
吸光度の増大量は0.002、数平均分子量の低下量は
900であり、高温で着色しにくく、分子量低下も起こ
しにくかった。
【0045】
【比較例1】蒸留精製しない他は実施例1と同様に製
造、貯蔵した、水分250重量ppm、アルミニウム含
量1.5重量ppm、o,p’−ビス(フェノキシカル
ボキシル)ビフェニル含量0.1重量ppmのジフェニ
ルカーボネートを用いて、実施例1と同様に芳香族ポリ
カーボネートを製造し、数平均分子量10000、40
0nmの吸光度0.0049の着色した芳香族ポリカー
ボネートを得た。得られた芳香族ポリカーボネートを窒
素雰囲気下380℃で30分間加熱した後の吸光度の増
大量は0.0037、数平均分子量の低下量は1500
であり、高温で着色しやすく、分子量低下も大きかっ
た。
【0046】
【比較例2】酸素2容量%、窒素98容量%の雰囲気下
で貯蔵する他は、実施例1と同様に製造、精製、貯蔵し
た、水分含量0.1重量ppm、アルミニウム含量0.
4重量ppm、o,p’−ビス(フェノキシカルボキシ
ル)ビフェニル含量1.2重量ppmのジフェニルカー
ボネートを用いて、実施例1と同様に芳香族ポリカーボ
ネートを製造し、数平均分子量10000、400nm
の吸光度0.0059の着色した芳香族ポリカーボネー
トを得た。得られた芳香族ポリカーボネートを窒素雰囲
気下380℃で30分間加熱した後の吸光度の増大量は
0.0044、数平均分子量の低下量は1400であ
り、高温で着色し易く、分子量低下も大きかった。
【0047】
【発明の効果】カラーが良好で、かつ380℃以上の高
温でも着色が少なく、分子量低下も小さい高品質な芳香
族ポリカーボネートを工業的に好ましい方法で製造する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のプロセスの一例を示す模式図である。
【符号の説明】
1 原料供給口 2、9、19、28、36、46 ベント口 3 攪拌槽型第1重合器 4、18、27、39 攪拌軸 5、11、20、29、47 溶融ポリマー 6、12、21、30、37、48 排出口 7、13、15、24、33、40、50 移送配管 8、16、25、34、41 供給口 10 貯槽 14、23、32、38、49 移送ポンプ 17 攪拌槽型第2重合器 22、31、45 ガス供給口 26 攪拌槽型第3重合器 35 横型二軸攪拌型重合器 42 ワイヤ付多孔板型重合器 43 多孔板 44 ワイヤ 51 製品排出口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4J029 AA09 AB04 AE01 BB08A BB09A BB11B BB12A BB13A BD09A BE04 BE05A BF13 BG06X BG07X BG08Y BH01 BH02 BH07 DA10 DB07 DB11 DB13 HC05B JA093 JB193 JF223 KB02 KH08 KJ06 LB05

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 芳香族ジヒドロキシ化合物とジアリール
    カーボネートから、溶融状態で重合して芳香族ポリカー
    ボネートを製造する方法であって、該ジアリールカーボ
    ネートが、(a)水分含量が200重量ppm以下であ
    り、(b)アルミニウム含量が1重量ppm以下であ
    り、(c)o,p’−ビス(フェノキシカルボキシル)
    ビフェニル含量が1重量ppm以下であることを特徴と
    する芳香族ポリカーボネートの製造法。
  2. 【請求項2】 ジアリールカーボネートが、(a)水分
    含量が200重量ppm以下であり、(b)アルミニウ
    ム含量が1重量ppm以下であるジアリールカーボネー
    トを、ステンレス製の容器で窒素雰囲気下に80〜19
    0℃の温度で溶融状態で貯蔵されたジアリールカーボネ
    ートであることを特徴とする請求項1記載の芳香族ポリ
    カーボネートの製造法。
  3. 【請求項3】 ステンレス製の容器が、内壁面の接液部
    がフェノールで洗浄処理を施された容器であることを特
    徴とする請求項2記載の芳香族ポリカーボネートの製造
    法。
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