JP2002100706A - 光・電気集積回路実装構造及びその製作法 - Google Patents
光・電気集積回路実装構造及びその製作法Info
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Abstract
強度の高い接続を有し、かつ光デバイスへの光信号の入
力を可能とする光・電気集積回路実装構造及びその製作
法を提供すること。 【解決手段】 光デバイス2と、電気配線4が接続され
た電気デバイス3とが混載された半導体チップ1の上に
保護膜5が堆積されており、保護膜5上に、スルーホー
ル6を介して電気配線4に接続されたボード用接続部
(バンプ電極)11と、光デバイス2の領域にアンダー
フィル材16が付着することを阻止するための土手12
とが形成されており、ボード接続部11及び土手12と
が、ボード15上の配線14と接続されおり、光デバイ
ス2の領域以外の部分にアンダーフィル材16が存在し
ていることを特徴とする光・電気集積回路の実装構造。
Description
構造及びその製作法に係り、より詳細には、光デバイス
と電気デバイスとが混載された半導体チップをボードに
接続する場合の接続構造及びその製作法に関するもので
ある。
の開発が盛んとなり、電気デバイスと光デバイスとを混
載したチップの開発が進んでいる。このようなチップを
ボードに接続する場合、電気系と光系の配線接続を行う
必要がある。ボードとチップの合わせ精度の点から、電
気配線は半田バンプ接続が主流となりつつある。
る。 (a)光デバイス22、電気デバイス23、電気配線2
4を混載した半導体チップ21の上に光を通す有機保護
膜25を堆積する。 (b)その有機保護膜25に電気配線24に到達するス
ルーホール26を形成する。 (c)スルーホール26にバンプ電極を乗せるためのメ
タルプレート27を形成する。 (d)メタルプレート27の上にバンプ形成用の半田メ
タル28を堆積する。 (e)半田メタル28を熱処理して球状のバンプ電極2
9を形成する。 (f)半導体チップ21に形成したバンプ電極29を、
光配線30と電気配線31を持つボード32の電気配線
29に熱処理により接続する。
体チップとボードとをつないでいるのは半田バンプ電極
のみである。このため、機械的強度が弱いという欠点が
あった。また、電気デバイスのみのチップの場合は、機
械的強度を高めるためアンダーフィル材を隙間に充填す
る方法が有効であるが、アンダーフィル材は、一般に光
を通さない。従って、光デバイスと電気デバイスとの混
載チップの場合、この方法は使えなかった。
を阻止するための土手を作る方法が考えられるが、ボー
ド本体と土手を一体化したものを作る場合、加工が難し
いという欠点があった。また、ボードに後付けで土手を
付ける方法も考えられるが、製作工程が煩雑になり量産
化に向かないという欠点があった。
とし、機械的強度の高い接続を有し、かつ光デバイスへ
の光信号の入力を可能とする光・電気集積回路実装構造
及びその製作法を提供することを目的とする。
路実装構造は、光デバイスと、電気配線が接続された電
気デバイスとが混載された半導体チップの上に保護膜が
堆積されており、該保護膜上に、スルーホールを介して
該電気配線に接続されたボード用接続部と、光デバイス
の領域にアンダーフィル材が付着することを阻止するた
めの土手とが形成されており、該ボード用接続部及び該
土手とが、ボード上の配線と接続されおり、該光デバイ
スの領域以外の部分にアンダーフィル材が存在している
ことを特徴とする。
法は、光デバイスと電気デバイスとを混載した半導体チ
ップの上に保護膜を堆積する工程と、該保護膜に電気配
線を接続するためのスルーホールを形成する工程と、該
光デバイスの領域にアンダーフィル材が付着することを
阻止するための土手と、該スルーホール部分にボード用
接続部を形成する工程と、該半導体チップの該ボード用
接続部及び土手をボードの配線に接続する工程と、光デ
バイスの領域以外の部分にアンダーフィル材を注入し、
熱処理により硬化する工程と、を有することを特徴とす
る。
混載されている半導体チップをボードに接続する場合、
半導体チップ側に光デバイスの領域にアンダーフィル材
が付着することを阻止するための土手を形成しておく。
これにより、光デバイスの領域以外にアンダーフィル材
の充填が可能となり、機械的強度の高い接続形態を提供
し、かつ光デバイスへの光信号の入力が可能となる。
レートを保護膜上に形成し、そのメタルプレートの上に
半田メタルを堆積し、その後熱処理により半田メタルを
球状化して形成してもよい。また、ボード用接続部とし
ては、例えば、保護膜のスルーホールにメタルを埋め込
み保護膜上にメタルプレートを形成し、そのメタルプレ
ートの上に半田メタルを堆積し、その後熱処理により半
田メタルを球状化してバンプ電極を形成し、このバンプ
電極をボード用接続部とすればよい。
接続は、例えば、両者を接触させ熱処理を行うことによ
り行えばよい。
から見たとき前記光デバイスの領域を囲み、かつ前記電
気デバイスの領域とは反対側が開放されている形状であ
ることが好ましい。より具体的には、例えば、V字、U
字、または、それに類する形状であれば何でもよい。但
し、土手をチップの端まで製作するのは、プロセスの点
から非常に難しい。アンダーフィル材は少しの隙間も回
り込むため、それを回避するため、開放端に図3に示す
ように光デバイスの領域の外側に向けて折り曲げ部を設
けておくことが好ましい。アンダーフィル材の回り込み
は、約0.2〜0.3mmあることから、折り曲げ部は
それ以上の長さであることが望ましい。
高くなるとバンプ電極の接続に支障をきたすため、バン
プ電極と土手の高さは同じであるか、またはバンプ電極
が土手よりやや高いことが望ましい。これらの高さは、
半田メタルの厚みと面積で決まることから、通常の半導
体プロセスで十分制御可能である。
る。 (a)光デバイス2、電気デバイス3、電気配線4を混
載したInP等の半導体チップ1の上に、BCB(ベン
ゾシクロブテン)等の光を通す有機保護膜5を堆積す
る。 (b)その有機保護膜5に電気配線4に到達するスルー
ホール6をレジストマスクと反応性イオンエッチングに
より形成する。 (c)スルーホール6にバンプを乗せるためのメタルプ
レート7として、Ti/Pt/Au等のメタルを蒸着法
等により形成する。このとき、同時にアンダーフィル材
の付着を阻止するための土手用メタルプレート8を光デ
バイス2の周辺に形成する。 (d)電気配線用メタルプレート7及び土手用メタルプ
レート8の上に電気配線用半田メタル9及び土手用半田
メタル10として、Sn/Au等を蒸着法で堆積する。 (e)電気配線用半田メタル9及び土手用半田メタル1
0を熱処理し、バンプ電極11及び土手12を形成す
る。 (f)半導体チップ1に形成したバンプ電極11及び土
手12を、光配線13と電気配線14を持つボード15
の電気配線14に熱処理により接続する。 (g)土手12と逆側からエポキシ系樹脂等のアンダー
フィル材16を充填し、熱処理する。 図2に完成後の接続構造を上から見た図を示す。図では
V字の土手があることで光配線周辺にはアンダーフィル
材の付着がない。土手の形状は、図3に示すV字型、あ
るいは、図4に示すU字型、あるいはそれに類する形状
であれば同様の効果が得られる。但し、どの場合も開放
部の先端には図に示すような折り曲げ部があることでア
ンダーフィル材の回り込みを確実に阻止することができ
る。
領域周辺に土手を形成することで、アンダーフィル材の
利用を可能とし、機械的強度の高い接続が可能となる。
また、土手の形成は電気配線用半田バンプ形成と同時に
形成できることから、新たな工程追加も必要としないと
いう利点があり、量産化に適している。
ある。
る。
形状を示す半導体チップの背面図である。
手形状を示す半導体チップの背面図である。
る。
Claims (6)
- 【請求項1】 光デバイスと、電気配線が接続された電
気デバイスとが混載された半導体チップの上に保護膜が
堆積されており、 該保護膜上に、スルーホールを介して該電気配線に接続
されたボード用接続部と、該光デバイスの領域にアンダ
ーフィル材が付着することを阻止するための土手とが形
成されており、 該ボード用接続部及び該土手とが、ボード上の配線と接
続されおり、 該光デバイスの領域以外の部分にアンダーフィル材が存
在していることを特徴とする光・電気集積回路実装構
造。 - 【請求項2】 前記土手の形状が、前記保護膜上にあっ
て上部から見たとき前記光デバイスの領域を囲み、かつ
前記電気デバイスの領域とは反対側が開放されている形
状であることを特徴とする請求項1記載の光・電気集積
回路実装構造。 - 【請求項3】 前記土手の開放端が前記光デバイスの領
域の外側に向かって折れ曲がっていることを特徴とする
請求項2記載の光・電気集積回路実装構造。 - 【請求項4】 光デバイスと電気デバイスとを混載した
半導体チップの上に保護膜を堆積する工程と、 該保護膜に電気配線を接続するためのスルーホールを形
成する工程と、 該光デバイスの領域にアンダーフィル材が付着すること
を阻止するための土手と、該スルーホール部分にボード
用接続部を形成する工程と、 該半導体チップの該ボード用接続部及び土手をボードの
配線に接続する工程と、 光デバイスの領域以外の部分にアンダーフィル材を注入
し、熱処理により硬化する工程と、を有することを特徴
とする光・電気集積回路実装構造の製作法。 - 【請求項5】 上記土手の形状が、前記保護膜上にあっ
て上部から見たとき前記光デバイスの領域を囲み、かつ
前記電気デバイスの領域とは反対側が開放されている形
状であることを特徴とする請求項4記載の光・電気集積
回路実装構造の製作法。 - 【請求項6】 前記土手の開放端が光デバイスの領域の
外側に向かって折れ曲がっていることを特徴とする請求
項5記載の光・電気集積回路実装構造の製作法。
Priority Applications (1)
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JP2000290759A JP3465790B2 (ja) | 2000-09-25 | 2000-09-25 | 光・電気集積回路実装構造及びその製作法 |
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Publications (2)
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JP3465790B2 JP3465790B2 (ja) | 2003-11-10 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP1580568A2 (en) * | 2004-03-24 | 2005-09-28 | Yamaha Corporation | Semiconductor device, magnetic sensor, and magnetic sensor unit |
JP2005277034A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Yamaha Corp | 半導体装置 |
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- 2000-09-25 JP JP2000290759A patent/JP3465790B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JP2005277034A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Yamaha Corp | 半導体装置 |
JP4547956B2 (ja) * | 2004-03-24 | 2010-09-22 | ヤマハ株式会社 | 半導体装置、及び、チップサイズパッケージ |
EP1580568A3 (en) * | 2004-03-24 | 2012-09-19 | Yamaha Corporation | Semiconductor device, magnetic sensor, and magnetic sensor unit |
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