JP3465790B2 - 光・電気集積回路実装構造及びその製作法 - Google Patents
光・電気集積回路実装構造及びその製作法Info
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光・電気集積回路実装
構造及びその製作法に係り、より詳細には、光デバイス
と電気デバイスとが混載された半導体チップをボードに
接続する場合の接続構造及びその製作法に関するもので
ある。
構造及びその製作法に係り、より詳細には、光デバイス
と電気デバイスとが混載された半導体チップをボードに
接続する場合の接続構造及びその製作法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年の情報量の増大に伴い、光通信技術
の開発が盛んとなり、電気デバイスと光デバイスとを混
載したチップの開発が進んでいる。このようなチップを
ボードに接続する場合、電気系と光系の配線接続を行う
必要がある。ボードとチップの合わせ精度の点から、電
気配線は半田バンプ接続が主流となりつつある。
の開発が盛んとなり、電気デバイスと光デバイスとを混
載したチップの開発が進んでいる。このようなチップを
ボードに接続する場合、電気系と光系の配線接続を行う
必要がある。ボードとチップの合わせ精度の点から、電
気配線は半田バンプ接続が主流となりつつある。
【０００３】従来の技術の例を図５に基づいて説明す
る。 （ａ）光デバイス２２、電気デバイス２３、電気配線２
４を混載した半導体チップ２１の上に光を通す有機保護
膜２５を堆積する。 （ｂ）その有機保護膜２５に電気配線２４に到達するス
ルーホール２６を形成する。 （ｃ）スルーホール２６にバンプ電極を乗せるためのメ
タルプレート２７を形成する。 （ｄ）メタルプレート２７の上にバンプ形成用の半田メ
タル２８を堆積する。 （ｅ）半田メタル２８を熱処理して球状のバンプ電極２
９を形成する。 （ｆ）半導体チップ２１に形成したバンプ電極２９を、
光配線３０と電気配線３１を持つボード３２の電気配線
２９に熱処理により接続する。
る。 （ａ）光デバイス２２、電気デバイス２３、電気配線２
４を混載した半導体チップ２１の上に光を通す有機保護
膜２５を堆積する。 （ｂ）その有機保護膜２５に電気配線２４に到達するス
ルーホール２６を形成する。 （ｃ）スルーホール２６にバンプ電極を乗せるためのメ
タルプレート２７を形成する。 （ｄ）メタルプレート２７の上にバンプ形成用の半田メ
タル２８を堆積する。 （ｅ）半田メタル２８を熱処理して球状のバンプ電極２
９を形成する。 （ｆ）半導体チップ２１に形成したバンプ電極２９を、
光配線３０と電気配線３１を持つボード３２の電気配線
２９に熱処理により接続する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術では、半導
体チップとボードとをつないでいるのは半田バンプ電極
のみである。このため、機械的強度が弱いという欠点が
あった。また、電気デバイスのみのチップの場合は、機
械的強度を高めるためアンダーフィル材を隙間に充填す
る方法が有効であるが、アンダーフィル材は、一般に光
を通さない。従って、光デバイスと電気デバイスとの混
載チップの場合、この方法は使えなかった。
体チップとボードとをつないでいるのは半田バンプ電極
のみである。このため、機械的強度が弱いという欠点が
あった。また、電気デバイスのみのチップの場合は、機
械的強度を高めるためアンダーフィル材を隙間に充填す
る方法が有効であるが、アンダーフィル材は、一般に光
を通さない。従って、光デバイスと電気デバイスとの混
載チップの場合、この方法は使えなかった。
【０００５】一方、ボード側にアンダーフィル材の侵入
を阻止するための土手を作る方法が考えられるが、ボー
ド本体と土手を一体化したものを作る場合、加工が難し
いという欠点があった。また、ボードに後付けで土手を
付ける方法も考えられるが、製作工程が煩雑になり量産
化に向かないという欠点があった。
を阻止するための土手を作る方法が考えられるが、ボー
ド本体と土手を一体化したものを作る場合、加工が難し
いという欠点があった。また、ボードに後付けで土手を
付ける方法も考えられるが、製作工程が煩雑になり量産
化に向かないという欠点があった。
【０００６】本発明は、アンダーフィル材の利用を可能
とし、機械的強度の高い接続を有し、かつ光デバイスへ
の光信号の入力を可能とする光・電気集積回路実装構造
及びその製作法を提供することを目的とする。
とし、機械的強度の高い接続を有し、かつ光デバイスへ
の光信号の入力を可能とする光・電気集積回路実装構造
及びその製作法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の光・電気集積回
路実装構造は、光デバイスと、電気配線が接続された電
気デバイスとが混載された半導体チップの上に保護膜が
堆積されており、該保護膜上に、スルーホールを介して
該電気配線に接続されたボード用接続部と、光デバイス
の領域にアンダーフィル材が付着することを阻止するた
めの土手とが形成されており、該ボード用接続部及び該
土手とが、ボード上の配線と接続されおり、該光デバイ
スの領域以外の部分にアンダーフィル材が存在してお
り、前記土手の形状が、前記保護膜上にあって上部から
見たとき前記光デバイスの領域を囲み、かつ前記電気デ
バイスの領域とは反対側が開放されている形状であるこ
とを特徴とする。
路実装構造は、光デバイスと、電気配線が接続された電
気デバイスとが混載された半導体チップの上に保護膜が
堆積されており、該保護膜上に、スルーホールを介して
該電気配線に接続されたボード用接続部と、光デバイス
の領域にアンダーフィル材が付着することを阻止するた
めの土手とが形成されており、該ボード用接続部及び該
土手とが、ボード上の配線と接続されおり、該光デバイ
スの領域以外の部分にアンダーフィル材が存在してお
り、前記土手の形状が、前記保護膜上にあって上部から
見たとき前記光デバイスの領域を囲み、かつ前記電気デ
バイスの領域とは反対側が開放されている形状であるこ
とを特徴とする。
【０００８】本発明の光・電気集積回路実装構造の製作
法は、光デバイスと電気デバイスとを混載した半導体チ
ップの上に保護膜を堆積する工程と、該保護膜に電気配
線を接続するためのスルーホールを形成する工程と、該
光デバイスの領域にアンダーフィル材が付着することを
阻止するための土手と、該スルーホール部分にボード用
接続部を形成する工程と、該半導体チップの該ボード用
接続部及び土手をボードの配線に接続する工程と、光デ
バイスの領域以外の部分にアンダーフィル材を注入し、
熱処理により硬化する工程と、を有し、上記土手の形状
が、前記保護膜上にあって上部から見たとき前記光デバ
イスの領域を囲み、かつ前記電気デバイスの領域とは反
対側が開放されている形状であることを特徴とする。
法は、光デバイスと電気デバイスとを混載した半導体チ
ップの上に保護膜を堆積する工程と、該保護膜に電気配
線を接続するためのスルーホールを形成する工程と、該
光デバイスの領域にアンダーフィル材が付着することを
阻止するための土手と、該スルーホール部分にボード用
接続部を形成する工程と、該半導体チップの該ボード用
接続部及び土手をボードの配線に接続する工程と、光デ
バイスの領域以外の部分にアンダーフィル材を注入し、
熱処理により硬化する工程と、を有し、上記土手の形状
が、前記保護膜上にあって上部から見たとき前記光デバ
イスの領域を囲み、かつ前記電気デバイスの領域とは反
対側が開放されている形状であることを特徴とする。
【０００９】本発明は、光デバイスと電気デバイスとが
混載されている半導体チップをボードに接続する場合、
半導体チップ側に光デバイスの領域にアンダーフィル材
が付着することを阻止するための土手を形成しておく。
これにより、光デバイスの領域以外にアンダーフィル材
の充填が可能となり、機械的強度の高い接続形態を提供
し、かつ光デバイスへの光信号の入力が可能となる。
混載されている半導体チップをボードに接続する場合、
半導体チップ側に光デバイスの領域にアンダーフィル材
が付着することを阻止するための土手を形成しておく。
これにより、光デバイスの領域以外にアンダーフィル材
の充填が可能となり、機械的強度の高い接続形態を提供
し、かつ光デバイスへの光信号の入力が可能となる。
【００１０】ここで、土手としては、例えば、メタルプ
レートを保護膜上に形成し、そのメタルプレートの上に
半田メタルを堆積し、その後熱処理により半田メタルを
球状化して形成してもよい。また、ボード用接続部とし
ては、例えば、保護膜のスルーホールにメタルを埋め込
み保護膜上にメタルプレートを形成し、そのメタルプレ
ートの上に半田メタルを堆積し、その後熱処理により半
田メタルを球状化してバンプ電極を形成し、このバンプ
電極をボード用接続部とすればよい。
レートを保護膜上に形成し、そのメタルプレートの上に
半田メタルを堆積し、その後熱処理により半田メタルを
球状化して形成してもよい。また、ボード用接続部とし
ては、例えば、保護膜のスルーホールにメタルを埋め込
み保護膜上にメタルプレートを形成し、そのメタルプレ
ートの上に半田メタルを堆積し、その後熱処理により半
田メタルを球状化してバンプ電極を形成し、このバンプ
電極をボード用接続部とすればよい。
【００１１】ボード用接続部、土手とボードの配線との
接続は、例えば、両者を接触させ熱処理を行うことによ
り行えばよい。
接続は、例えば、両者を接触させ熱処理を行うことによ
り行えばよい。
【００１２】土手の形状は、前記保護膜上にあって上部
から見たとき前記光デバイスの領域を囲み、かつ前記電
気デバイスの領域とは反対側が開放されている形状であ
ることが好ましい。より具体的には、例えば、Ｖ字、Ｕ
字、または、それに類する形状であれば何でもよい。但
し、土手をチップの端まで製作するのは、プロセスの点
から非常に難しい。アンダーフィル材は少しの隙間も回
り込むため、それを回避するため、開放端に図３に示す
ように光デバイスの領域の外側に向けて折り曲げ部を設
けておくことが好ましい。アンダーフィル材の回り込み
は、約０．２〜０．３ｍｍあることから、折り曲げ部は
それ以上の長さであることが望ましい。
から見たとき前記光デバイスの領域を囲み、かつ前記電
気デバイスの領域とは反対側が開放されている形状であ
ることが好ましい。より具体的には、例えば、Ｖ字、Ｕ
字、または、それに類する形状であれば何でもよい。但
し、土手をチップの端まで製作するのは、プロセスの点
から非常に難しい。アンダーフィル材は少しの隙間も回
り込むため、それを回避するため、開放端に図３に示す
ように光デバイスの領域の外側に向けて折り曲げ部を設
けておくことが好ましい。アンダーフィル材の回り込み
は、約０．２〜０．３ｍｍあることから、折り曲げ部は
それ以上の長さであることが望ましい。
【００１３】また、土手の高さがバンプ電極より著しく
高くなるとバンプ電極の接続に支障をきたすため、バン
プ電極と土手の高さは同じであるか、またはバンプ電極
が土手よりやや高いことが望ましい。これらの高さは、
半田メタルの厚みと面積で決まることから、通常の半導
体プロセスで十分制御可能である。
高くなるとバンプ電極の接続に支障をきたすため、バン
プ電極と土手の高さは同じであるか、またはバンプ電極
が土手よりやや高いことが望ましい。これらの高さは、
半田メタルの厚みと面積で決まることから、通常の半導
体プロセスで十分制御可能である。
【００１４】
【実施例】次に本発明の実施例を図１に基づいて説明す
る。 （ａ）光デバイス２、電気デバイス３、電気配線４を混
載したＩｎＰ等の半導体チップ１の上に、ＢＣＢ（ベン
ゾシクロブテン）等の光を通す有機保護膜５を堆積す
る。 （ｂ）その有機保護膜５に電気配線４に到達するスルー
ホール６をレジストマスクと反応性イオンエッチングに
より形成する。 （ｃ）スルーホール６にバンプを乗せるためのメタルプ
レート７として、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ等のメタルを蒸着法
等により形成する。このとき、同時にアンダーフィル材
の付着を阻止するための土手用メタルプレート８を光デ
バイス２の周辺に形成する。 （ｄ）電気配線用メタルプレート７及び土手用メタルプ
レート８の上に電気配線用半田メタル９及び土手用半田
メタル１０として、Ｓｎ／Ａｕ等を蒸着法で堆積する。 （ｅ）電気配線用半田メタル９及び土手用半田メタル１
０を熱処理し、バンプ電極１１及び土手１２を形成す
る。 （ｆ）半導体チップ１に形成したバンプ電極１１及び土
手１２を、光配線１３と電気配線１４を持つボード１５
の電気配線１４に熱処理により接続する。 （ｇ）土手１２と逆側からエポキシ系樹脂等のアンダー
フィル材１６を充填し、熱処理する。 図２に完成後の接続構造を上から見た図を示す。図では
Ｖ字の土手があることで光配線周辺にはアンダーフィル
材の付着がない。土手の形状は、図３に示すＶ字型、あ
るいは、図４に示すＵ字型、あるいはそれに類する形状
であれば同様の効果が得られる。但し、どの場合も開放
部の先端には図に示すような折り曲げ部があることでア
ンダーフィル材の回り込みを確実に阻止することができ
る。
る。 （ａ）光デバイス２、電気デバイス３、電気配線４を混
載したＩｎＰ等の半導体チップ１の上に、ＢＣＢ（ベン
ゾシクロブテン）等の光を通す有機保護膜５を堆積す
る。 （ｂ）その有機保護膜５に電気配線４に到達するスルー
ホール６をレジストマスクと反応性イオンエッチングに
より形成する。 （ｃ）スルーホール６にバンプを乗せるためのメタルプ
レート７として、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ等のメタルを蒸着法
等により形成する。このとき、同時にアンダーフィル材
の付着を阻止するための土手用メタルプレート８を光デ
バイス２の周辺に形成する。 （ｄ）電気配線用メタルプレート７及び土手用メタルプ
レート８の上に電気配線用半田メタル９及び土手用半田
メタル１０として、Ｓｎ／Ａｕ等を蒸着法で堆積する。 （ｅ）電気配線用半田メタル９及び土手用半田メタル１
０を熱処理し、バンプ電極１１及び土手１２を形成す
る。 （ｆ）半導体チップ１に形成したバンプ電極１１及び土
手１２を、光配線１３と電気配線１４を持つボード１５
の電気配線１４に熱処理により接続する。 （ｇ）土手１２と逆側からエポキシ系樹脂等のアンダー
フィル材１６を充填し、熱処理する。 図２に完成後の接続構造を上から見た図を示す。図では
Ｖ字の土手があることで光配線周辺にはアンダーフィル
材の付着がない。土手の形状は、図３に示すＶ字型、あ
るいは、図４に示すＵ字型、あるいはそれに類する形状
であれば同様の効果が得られる。但し、どの場合も開放
部の先端には図に示すような折り曲げ部があることでア
ンダーフィル材の回り込みを確実に阻止することができ
る。
【００１５】
【発明の効果】以上述べたように、チップの光デバイス
領域周辺に土手を形成することで、アンダーフィル材の
利用を可能とし、機械的強度の高い接続が可能となる。
また、土手の形成は電気配線用半田バンプ形成と同時に
形成できることから、新たな工程追加も必要としないと
いう利点があり、量産化に適している。
領域周辺に土手を形成することで、アンダーフィル材の
利用を可能とし、機械的強度の高い接続が可能となる。
また、土手の形成は電気配線用半田バンプ形成と同時に
形成できることから、新たな工程追加も必要としないと
いう利点があり、量産化に適している。
【図１】本発明の実施例に係る実装構造の製作工程図で
ある。
ある。
【図２】本発明の実施例に係る実装構造の平面図であ
る。
る。
【図３】本発明の実施例に係る実装構造における土手の
形状を示す半導体チップの背面図である。
形状を示す半導体チップの背面図である。
【図４】本発明の実施例に係る実装構造における他の土
手形状を示す半導体チップの背面図である。
手形状を示す半導体チップの背面図である。
【図５】従来の技術による実装構造の製作工程図であ
る。
る。
１ 半導体チップ
２ 光デバイス
３ 電気デバイス
４ 電気配線
５ 保護膜（有機保護膜）
６ スルーホール
７ バンプ用メタルプレート
８ 土手用メタルプレート
９ バンプ用半田メタル
１０ 土手用半田メタル
１１ ボード用接続部（バンプ電極）
１２ 土手
１３ 光配線
１４ 配線（電気配線）
１５ ボード
１６ アンダーフィル材
２１ 半導体チップ
２２ 光デバイス
２３ 電気デバイス
２４ 電気配線
２５ 有機保護膜
２６ スルーホール
２７ バンプ用メタルプレート
２８ バンプ用半田メタル
２９ バンプ電極
３０ 光配線
３１ 電気配線
３２ ボード。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｈ０１Ｌ 23/12 ５０１ Ｈ０１Ｌ 21/92 ６０４Ｈ
23/29 23/30 Ｂ
23/31
(72)発明者 徳光 雅美
東京都千代田区大手町二丁目３番１号日
本電信電話株式会社内
(56)参考文献 特開 平９−64238（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−218230（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 23/28
H01L 23/29
H01L 23/31
H01L 21/56
H01L 21/60
H01L 23/12 501
ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (4)
- 【請求項１】 光デバイスと、電気配線が接続された電
気デバイスとが混載された半導体チップの上に保護膜が
堆積されており、 該保護膜上に、スルーホールを介して該電気配線に接続
されたボード用接続部と、該光デバイスの領域にアンダ
ーフィル材が付着することを阻止するための土手とが形
成されており、 該ボード用接続部及び該土手とが、ボード上の配線と接
続されており、 該光デバイスの領域以外の部分にアンダーフィル材が存
在していることを特徴とする光・電気集積回路実装構造
であって、 前記土手の形状が、前記保護膜上にあって上部から見た
とき前記光デバイスの領域を囲み、かつ前記電気デバイ
スの領域とは反対側が開放されている形状であることを
特徴とする光・電気集積回路実装構造。 - 【請求項２】 光デバイスと、電気配線が接続された電
気デバイスとが混載された半導体チップの上に保護膜が
堆積されており、 該保護膜上に、スルーホールを介して該電気配線に接続
されたボード用接続部と、該光デバイスの領域にアンダ
ーフィル材が付着することを阻止するための土手とが形
成されており、 該ボード用接続部及び該土手とが、ボード上の配線と接
続されており、 該光デバイスの領域以外の部分にアンダーフィル材が存
在していることを特徴とする光・電気集積回路実装構造
であって、 前記土手の開放端が前記光デバイスの領域の外側に向か
って折れ曲がっていることを特徴とする請求項１記載の
光・電気集積回路実装構造。 - 【請求項３】 光デバイスと電気デバイスとを混載した
半導体チップの上に保護膜を堆積する工程と、 該保護膜に電気配線を接続するためのスルーホールを形
成する工程と、 該光デバイスの領域にアンダーフィル材が付着すること
を阻止するための土手と、 該スルーホール部分にボード用接続部を形成する工程
と、 該半導体チップの該ボード用接続部及び土手をボードの
配線に接続する工程と、 光デバイスの領域以外の部分にアンダーフィル材を注入
し、熱処理により硬化する工程と、 を有することを特徴とする光・電気集積回路実装構造の
製作法であって、 上記土手の形状が、前記保護膜上にあって上部から見た
とき前記光デバイスの領域を囲み、かつ前記電気デバイ
スの領域とは反対側が開放されている形状であることを
特徴とする光・電気集積回路実装構造の製作法。 - 【請求項４】 光デバイスと電気デバイスとを混載した
半導体チップの上に保護膜を堆積する工程と、 該保護膜に電気配線を接続するためのスルーホールを形
成する工程と、 該光デバイスの領域にアンダーフィル材が付着すること
を阻止するための土手と、 該スルーホール部分にボード用接続部を形成する工程
と、 該半導体チップの該ボード用接続部及び土手をボードの
配線に接続する工程と、 光デバイスの領域以外の部分にアンダーフィル材を注入
し、熱処理により硬化する工程と、 を有することを特徴とする光・電気集積回路実装構造の
製作法であって、 前記土手の開放端が光デバイスの領域の外側に向かって
折れ曲がっていることを特徴とする請求項３記載の光・
電気集積回路実装構造の製作法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000290759A JP3465790B2 (ja) | 2000-09-25 | 2000-09-25 | 光・電気集積回路実装構造及びその製作法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000290759A JP3465790B2 (ja) | 2000-09-25 | 2000-09-25 | 光・電気集積回路実装構造及びその製作法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002100706A JP2002100706A (ja) | 2002-04-05 |
| JP3465790B2 true JP3465790B2 (ja) | 2003-11-10 |
Family
ID=18773940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000290759A Expired - Fee Related JP3465790B2 (ja) | 2000-09-25 | 2000-09-25 | 光・電気集積回路実装構造及びその製作法 |
Country Status (1)
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