JP2002100182A

JP2002100182A - 磁気薄膜メモリ

Info

Publication number: JP2002100182A
Application number: JP2000294089A
Authority: JP
Inventors: Masaki Onoe; 正樹尾上; Takashi Ikeda; 貴司池田; Naoki Nishimura; 直樹西村
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2000-09-27
Filing date: 2000-09-27
Publication date: 2002-04-05

Abstract

(57)【要約】【課題】高記録密度を実現することができる、垂直磁
化膜を用いた磁気薄膜メモリを提供する。【解決手段】ｊ行ｋ列のメモリ素子４０３は、（ｊ＋
１）行の書き込み線と（ｋ＋１）列目の書き込み線とが
交差する位置に重なるように配設されている。ただしｊ
は、１からｎまでの整数であり、ｋは１からｍまでの整
数である。こうすることによって、各メモリ素子４０３
間の間隔を狭くして、高い記録密度を実現することがで
きる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、垂直磁気異方性を
示す２つの強磁性層の間に非磁性層が形成されたサンド
イッチ構造となっている垂直磁化膜の磁気抵抗効果を利
用した磁気薄膜メモリに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、固定メモリである半導体メモリ
は、情報機器の記憶手段として広く用いられている。こ
のような半導体メモリには様々な種類があり、ダイナミ
ック・ランダム・アクセス・メモリ（以降ＤＲＡ
Ｍ）、フェロエレクトロティック・ランダム・アクセス
・メモリ（ＦｅＲＡＭ）、フラッシュ・エレクトリカリ
・イレージブル・アンド・プログラマブル・リード・オ
ンリー・メモリ（以降フラッシュＥＥＰＲＯＭ）等
は、その１種である。このように多くの種類の半導体メ
モリが存在する理由の１つとしては、各種の半導体メモ
リの特徴にはそれぞれ一長一短があり、高速性、データ
の保持性等の全ての要求を満たす半導体メモリが存在し
ないことが挙げられる。

【０００３】例えば、ＤＲＡＭは、記憶密度が高く書き
換え可能回数も多いが、揮発性のメモリであるため、電
源の供給が遮断されると記憶する内容が消えてしまう。
また、フラッシュＥＥＰＲＯＭは、不揮発性のメモリで
あるが、記憶するデータを消去するのに時間がかかるた
め、高速性が要求される情報機器には不向きである。

【０００４】上述の半導体メモリに対し、記録時間、読
み出し時間、記録密度、書き換え可能回数、消費電力等
の、多くの要求を満たすメモリとして、磁気抵抗効果を
用いた磁気薄膜メモリ（以降ＭＲＡＭ）が注目されて
いる。特に近年、スピン依存トンネル磁気抵抗（以降
ＴＭＲ）効果を利用したＭＲＡＭは、大きな読み出し信
号が得られることから、高記録密度化あるいは高速読み
出しに有利であるとされており、近年の研究報告ではそ
の実現性が十分に実証されている。

【０００５】通常、このようなＭＲＡＭでは、磁気抵抗
効果膜として面内磁化膜が使用されている。ところが、
今後、微細加工技術が進歩してメモリの素子サイズがさ
らに小さくなってくると、面内磁化膜を使用したＭＲＡ
Ｍでは、反磁界あるいは端面の磁化カーリングといった
影響から、情報を保持することができなくなるという問
題が生じると予想されている。この問題を回避するため
には、例えば面内磁化膜の磁性層の形状を長方形にする
ことが考えられるが、この方法では素子サイズを小さく
することができないので、記録密度の向上が期待できな
い。そこで、特開平１１−２１３６５０号公報では、垂
直磁化膜を用いることにより、上述の問題を回避する方
法が提案されている。この方法では、素子サイズが小さ
くなっても、反磁界の影響が増加することがないので、
面内磁化膜を用いたＭＲＡＭよりも小さなサイズの磁気
抵抗効果膜を実現することができる。

【０００６】垂直磁化膜は、基本的に、垂直磁気異方性
を示す２つの強い磁性層の間に非磁性層が形成されたサ
ンドイッチ構造となっている。垂直磁気異方性を示す磁
性層には、遷移金属−白金系の合金や多層膜、コバルト
クロム（ＣｏＣｒ）合金あるいは希土類−遷移金属系の
合金や多層膜が用いられる。

【０００７】また、非磁性層によく用いられる材料とし
ては、銅（Ｃｕ）や酸化アルミニウム（以降Ａｌ
₂Ｏ₃）が挙げられる。磁気抵抗効果膜において非磁性層
にＣｕを用いたものを巨大磁気抵抗効果（以降ＧＭ
Ｒ）膜といい、Ａｌ₂Ｏ₃を用いたものをＴＭＲ膜とい
う。ＴＭＲ膜は、ＧＭＲ膜に比べて大きな磁気抵抗効果
を示し、かつ、大きな電気抵抗を有しているのでＭＲＡ
Ｍのメモリ素子として好ましい。

【０００８】図７は、垂直磁化膜の構成を示す断面図で
ある。図中の矢印は、磁性層１０１、１０３のそれぞれ
の磁化方向を示す。図７（ａ）に示すように、２つの磁
性層１０１、１０３の磁化方向が同じである場合には、
垂直磁化膜の電気抵抗の値は比較的小さくなる。また、
図７（ｂ）に示すように、２つの磁性層１０１、１０３
の磁化方向が逆である場合には、垂直磁化膜の電気抵抗
の値は比較的大きくなる。このような垂直磁化膜では、
２つの磁性層１０１、１０３のうち一方の磁性層を記録
層とし、他方を読み出し層として、上述の性質を利用す
ることで情報の読み出しをすることが可能となる。

【０００９】図８に示すように、非磁性層２０２の下部
に位置する磁性層を記録層２０１とし、上部に位置する
磁性層を読み出し層２０３とし、記録層２０１の磁化方
向が上向きの場合を「１」、下向きの場合を「０」とす
る。図８（ａ）、（ｂ）は、記録層２０１の磁化方向が
上向きで「１」が記録されている場合の図である。図８
（ａ）では、読み出し層２０３の磁化方向も上向きであ
るので、垂直磁化膜の電気抵抗の値は比較的小さくな
り、図８（ｂ）では、読み出し層２０３の磁化方向が下
向きであるので、垂直磁化膜の電気抵抗の値は比較的大
きくなる。したがって、まず、読み出し層２０３の磁化
方向が上向きとなるように、読み出し層２０３に磁界を
印加してそのときの垂直磁化膜の電気抵抗の値を測定
し、次に読み出し層２０３の磁化方向が下向きとなるよ
うに、読み出し層２０３に磁界を印加してそのときの垂
直磁化膜の電気抵抗の値を測定すると、その電気抵抗の
値は、大きくなる方向に変化するので、その変化から記
録層２０１の記録内容が「１」であることがわかる。

【００１０】また、図８（ｃ）、（ｄ）は、記録層２０
１の磁化方向が下向きで「０」が記録されている場合の
図である。図８（ｃ）では、読み出し層２０３の磁化方
向が上向きであるので、垂直磁化膜の電気抵抗の値は比
較的大きくなり、図８（ｄ）では、読み出し層２０３の
磁化方向が下向きであるので、垂直磁化膜の電気抵抗の
値は比較的小さくなる。したがって、まず、読み出し層
２０３の磁化方向が上向きとなるように、読み出し層２
０３に磁界を印加しそのときの垂直磁化膜の電気抵抗の
値を測定し、次に読み出し層２０３の磁化方向が下向き
となるように、読み出し層２０３に磁界を印加しそのと
きの垂直磁化膜の電気抵抗の値を測定すると、垂直磁化
膜の電気抵抗の値は小さくなる方向に変化するので、そ
の変化から記録層２０１の記録内容が「０」であること
がわかる。ただし、前述の読み出し層２０３に印加する
磁界は、記録層２０１の磁化方向が変化しないような大
きさとしなければならない。

【００１１】図９は、垂直磁化膜を用いたＭＲＡＭの構
成を示す平面図である。このＭＲＡＭには、垂直磁化膜
であるメモリ素子３０３がｎ行ｍ列に配置されており、
それらの間に（ｎ＋１）行の書き込み線３０１および
（ｍ＋１）列の書き込み線３０２が配置されている。た
だし、ｎ、ｍは自然数とする。このように、ＭＲＡＭで
は記録や読み出しに必要な磁界を印加するための配線が
各メモリ素子間に必要となる。したがって、垂直磁化膜
を用いたＭＲＡＭでは、メモリ素子３０３の素子サイズ
を小さくしても、配線の占める面積により、高記録密度
化に限界があるといった問題があった。

【００１２】なお、ＭＲＡＭの最小加工寸法をＦとする
と、図９のＭＲＡＭのメモリ領域の寸法は、Ｆ（４ｎ＋
１）×Ｆ（４ｍ＋１）となり、ｎ＞＞１、ｍ＞＞１、す
なわちメモリ素子の数が多数である場合には、ＭＲＡＭ
の記録密度はほぼ１６Ｆ²となる。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】以上述べたように、従
来の磁気薄膜メモリ（ＭＲＡＭ）では、メモリ素子の素
子サイズを小さくしても、配線の占める面積によりメモ
リの高記録密度化に限界があるといった問題があった。

【００１４】本発明は、高記録密度を実現することがで
きる、垂直磁化膜を用いた磁気薄膜メモリを提供するこ
とを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の磁化薄膜メモリは、垂直磁気異方性を示す
２つの強磁性層の間に非磁性層が形成されたサンドイッ
チ構造となっている垂直磁化膜であるメモリ素子をｎ行
ｍ列（ｎ、ｍは自然数）に配置する磁気薄膜メモリにお
いて、（ｎ＋２）行の書き込み線と（ｍ＋２）列の書き
込み線とを有し、前記各メモリ素子のうちのｊ行ｋ列
（ｊは１以上ｎ以下の自然数、ｋは１以上ｍ以下の自然
数）のメモリ素子は（ｊ＋１）行の書き込み線と（ｋ＋
１）列の書き込み線とが交差する位置に配置されている
ことを特徴とする。

【００１６】本発明の磁気薄膜メモリでは、ｊ行ｋ列の
メモリ素子が（ｊ＋１）行の書き込み線と（ｋ＋１）列
の書き込み線とが交差する位置に配設されることによっ
て、メモリ素子と書き込み線とを重ね合わせた構造と
し、各メモリ素子間の間隔を狭くすることができるた
め、高記録密度を実現することができる。

【００１７】

【発明の実施の形態】次に、本発明の一実施形態の磁気
薄膜メモリ（ＭＲＡＭ）について図面を参照して詳細に
説明する。なお、全図において同一の符号がつけられて
いる構成要素はすべて同一のものを示す。

【００１８】図１は、本実施形態のＭＲＡＭの構成を示
す平面図である。本実施形態のＭＲＡＭは、垂直磁化膜
であるメモリ素子４０３をｎ行ｍ列に配置するととも
に、（ｎ＋２）行の書き込み線４０１および（ｍ＋２）
行の書き込み線４０３を備えている。そして、図１に示
すように、ｊ行ｋ列のメモリ素子４０３は、（ｊ＋１）
行の書き込み線と（ｋ＋１）行目の書き込み線とが交差
する位置に重なるように配置されている。ただし、ｊは
１からｎまでの自然数であり、ｋは１からｍまでの自然
数である。

【００１９】本実施形態のＭＲＡＭは、メモリ素子４０
３を上述のように配置することにより、各メモリ素子４
０３間の間隔を狭くして、高い記録密度を実現すること
ができる。本実施形態のＭＲＡＭのメモリ領域の寸法
は、Ｆ（２ｎ＋３）×Ｆ（２ｍ＋３）となり、メモリ素
子４０３の素子数が多い場合の記録密度はほぼ４Ｆ²と
なるので、書き込み線をメモリ素子間に配する場合より
も４倍程度の記録密度が達成される。

【００２０】各メモリ素子４０３のうち、１つのメモリ
素子４０３に対して選択的に情報の記録が行われる場
合、つまり、ｊ行ｋ列のメモリ素子４０３に対して情報
の記録を行う場合には、ｊ行と（ｊ＋２）行の書き込み
線４０１およびｋ列と（ｋ＋２）列の書き込み線４０２
にそれぞれ所望の電流を流し、磁界を発生させることに
よって情報の記録が行われる。ただし、各書き込み線４
０１、４０２から発生する磁界は、その膜面に垂直な成
分が記録をしようとするメモリ素子４０３に対して同一
方向に印加されていることが好ましい。

【００２１】例えば、図２に示すように、選択された１
つのメモリ素子５０１の周りに配設された書き込み線５
０２〜５０５に、図中の矢印に示すような電流を流す
と、メモリ素子５０１に最も大きな磁界が印加される。
ただし、その電流の大きさは、メモリ素子５０１の記録
層の磁化方向だけを反転可能であるような大きさとし
て、隣接するメモリ素子が不意に記録されないようにし
なければならない。

【００２２】また、断面積が長方形である１本の書き込
み線６０２と、メモリ素子６０１とが図３に示すように
配置されているとする。書き込み線６０２の断面の長手
方向をＸ軸、Ｘ軸に垂直な方向をＹ軸とし、Ｘ−Ｙ座標
の原点を書き込み線６０２の断面の中心とする。また、
書き込み線６０２の幅を２Ｗとし、高さを２Ｈとし、メ
モリ素子６０１の中央部の座標を（ｘ、ｙ）とすると、
メモリ素子６０１の中央部に印加される磁界の膜面垂直
成分Ｈｚ（矢印）は以下の式（１）で与えられる。

【００２３】

【数１】

【００２４】例えば、書き込み線６０２が、幅２Ｗ＝
０．１μｍ、高さ２Ｈ＝１μｍであるとし、スペース幅
を０．１μｍ、メモリ素子６０１のサイズが０．１μｍ
×０．１μｍ、厚さ２０ｎｍであるとし、書き込み線６
０２に流す電流の密度を２０ｍＡ／μｍ²とすると、４
本の書き込み線によって印加される膜面垂直方向の磁界
は約１６００Ａ／ｍとなる。本実施形態のＭＲＡＭで
は、書き込み線６０２の高さ２Ｈを高くしたり、幅２Ｗ
を狭くすることによって、印加磁界の大きさをさらに大
きくすることができる。

【００２５】上述の計算結果から、本実施形態のＭＲＡ
Ｍのメモリ素子に用いられる磁性体は、１５００Ａ／ｍ
以下で磁化反転することが好ましい。例えば、ＧｄＦ
ｅ、ＧｄＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＮｄＦｅ、ＧｄＮｄ
Ｃｏ、ＧｄＮｄＣｏＦｅ等の希土類−遷移金属合金は、
その条件を満たすことが容易である。

【００２６】希土類−遷移金属合金から成る磁性層の磁
化反転磁界は、膜厚、組成、成膜圧力等により変化する
ので、それらを調整することによって、読み出し層と記
録層の磁化反転磁界を所望の大きさとすることが可能で
ある。

【００２７】本実施形態のＭＲＡＭの読み出しは、記録
層の磁化方向が反転しないような磁界をメモリ素子に印
加するとともに、選択されたメモリ素子に定電流を流
し、印加した磁化方向を反転させたときに生じるメモリ
素子の電圧変化を読取ることで達成される。読み出すメ
モリ素子の選択は、電界効果型などのアクテイブ素子を
用いたり、あるいは、米国特許第５、６４０、３４３号
に記載されているようにダイオードを用いることによっ
て可能であり、選択されたメモリ素子のみに定電流を流
し、その電流変化を読み出すことができる。

【００２８】以上述べたように、本実施形態のＭＲＡＭ
は、ｊ行ｋ列のメモリ素子が（ｊ＋１）行の書き込み線
と（ｋ＋１）列の書き込み線とが交差する位置に配置さ
れることによって、各メモリ素子間の間隔を狭くするこ
とができるため、高記録密度を実現することができる。

【００２９】

【実施例】以下、実施例により、本発明の効果を具体的
に説明する。なお、本発明はこれらの実施例に限定され
るものではない。

【００３０】（第１の実施例）図４は、第１の実施例の
磁気薄膜メモリの構成を示す断面図である。この磁気薄
膜メモリで使用するメモリ素子７０３には、記録層とし
て膜厚５ｎｍのＧｄ₂₁Ｆｅ₇₉が用いられ、読み出し層と
して膜厚５ｎｍのＧｄ₂₀Ｆｅ₈₀が用いられ、記録層と読
み出し層との間の非磁性層として膜厚２ｎｍのＡｌ₂Ｏ₃
絶縁体が用いられたＴＭＲ膜である。なお、このＴＭＲ
膜の各層の膜厚や組成は、書き込み線７０１、７０７か
ら発生する磁界の大きさや回路の電気抵抗の大きさから
最適化されるのが望ましく、上述の条件に固定されるべ
きものではない。

【００３１】メモリ素子７０３の下部には、ダイオード
７０４が直列に接続されている。また、メモリ素子７０
３およびダイオード７０４の上下には、Ａｌ₅₀Ｃｕ₅₀か
ら成る膜厚２０ｎｍの読み出し線７０２、７０５が形成
されていて、それぞれメモリ素子７０３およびダイオー
ド７０５に接続されている。さらに、それらの上下に
は、Ａｌ₅₀Ｃｕ₅₀から成る膜厚１μｍの書き込み線７０
１、７０７が設けられている。絶縁体７０６としてはＡ
ｌ₂Ｏ₃が用いられるのが一般的であり、十分な絶縁性を
有していて、かつ耐食性に優れた材料が好適に用いられ
る。例えば、絶縁体７０６としては、他にＳｉ₃Ｎ₄が使
用可能である。また、基板７０８としては、表面酸化処
理されたＳｉウエハが用いられるが、表面が平滑化され
ていれば、特に基板７０８として用いられる材料は限定
されない。

【００３２】図５は、本実施例の磁気薄膜メモリの等価
回路図である。この磁気薄膜メモリでは、ｊ行ｋ列にあ
るメモリ素子８０５への記憶は、ｊ行と（ｊ＋２）行の
書き込み線８０３およびｋ列と（ｋ＋２）列との書き込
み線８０４にそれぞれ所望の電流を流し磁界を発生させ
ることによって行われる。ただし、ｊ行の書き込み線８
０３と、（ｊ＋２）行の書き込み線８０３とに流す電流
の向きは逆すなわち反平行とし、ｋ列の書き込み線８０
４と、（ｋ＋２）列の書き込み線８０４とに流す電流の
向きも反平行とする。これらの電流の方向は、記憶され
る情報による。

【００３３】メモリから記憶内容を読み出す際には、上
述の記憶の場合と同様に、４本の書き込み線８０３、８
０４に電流を流し、同時にメモリ素子８０５に読み出し
線８０１、８０２を通じて定電流を流す。書き込み線８
０３、８０４に流した電流の方向を連続して反転させる
ことで、メモリ素子８０５に印加される磁界の方向を反
転させ、その時に生じるメモリ素子８０５の電圧変化を
検出する。ただし、書き込み線８０３、８０４に流す電
流は、メモリ素子８０５の記録層の磁化方向が反転しな
いように比較的小さい電流とする。

【００３４】（第２の実施例）図６は、第１の実施例の
磁気薄膜メモリの構成を示す断面図である。この実施例
の磁気薄膜メモリは、第１の実施例の読み出し線７０
２、７０５を書き込み線９０１、９０５で代用するもの
である。図６に示すように、書き込み線９０１、９０５
は、メモリ素子９０２に接続されている。本実施例のＭ
ＲＡＭへの記録は、第１の実施例のＭＲＡＭと同様に行
われる。そして、読み出しの際には、第１の実施例のＭ
ＲＡＭと同様に、ｊ行と（ｊ＋２）行の書き込み線９０
５およびｋ列と（ｋ＋２）列の書き込み線９０１にそれ
ぞれ所望の電流を流し、（ｊ＋１）行の書き込み線９０
５と（ｋ＋１）列の書き込み線９０１とに定電流を流
す。そして、メモリ素子９０２に印加される磁界の方向
を連続して反転させることにより発生するメモリ素子９
０２の電圧変化を検出する。

【００３５】なお、第１、第２の実施例のＭＲＡＭで
は、記録されている情報を読み出す場合、読み出し層の
磁化のみを反転させてメモリ素子の抵抗変化を検出する
方法を述べたが、その方法に限らず、例えば、メモリ素
子を、記録層と磁化方向が初期化され反転しないピン層
とから成る構成として、記録層の磁化方向によって異な
る抵抗値を検出する方法を用いてもよい。

【００３６】

【発明の効果】以上述べたように、本発明の磁化薄膜メ
モリは、ｊ行ｋ列のメモリ素子が（ｊ＋１）行の書き込
み線と（ｋ＋１）列の書き込み線とが交差する位置に配
設されることによって、メモリ素子と書き込み線とを重
ね合わせた構造として、各メモリ素子間の間隔を狭くす
ることができるため、高記録密度を実現することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態のＭＲＡＭの構成を示す平
面図である。

【図２】本発明の一実施形態のＭＲＡＭへ記録する際に
書き込み線に流す電流の方向を示す図である。

【図３】本発明の一実施形態のＭＲＡＭにおけるメモリ
素子と書き込み線との位置関係を示す断面図である。

【図４】本発明の第１の実施例のＭＲＡＭの構造を示す
断面図である。

【図５】本発明の第１の実施例のＭＲＡＭの等価回路図
である。

【図６】本発明の第２の実施例のＭＲＡＭの構造を示す
断面図である。

【図７】垂直磁化膜の構成を示す断面図である。

【図８】垂直磁化膜の記録の読み出し方法を示す断面図
である。

【図９】従来のＭＲＡＭの構成を示す平面図である。

【符号の説明】

１０１、１０３磁性層１０２非磁性層２０１記録層２０２読み出し層３０１、３０２、４０１、４０２、５０２〜５０５
書き込み線３０３、４０３、５０１、６０１、７０３、８０５、９
０２メモリ素子６０２、７０１、７０７、８０３、８０４、９０１、９
０５書き込み線７０２、７０５、８０１、８０２読み出し線７０４、８０６、９０３ダイオード７０６、９０４絶縁体７０８、９０６基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 27/105 Ｈ０１Ｌ 43/08 Ｚ 43/08 27/10 ４４７ (72)発明者西村直樹東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内Ｆターム(参考） 5E049 AA01 BA08 CB02 DB02 DB14 5F083 FZ10 JA36 JA37 JA38

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】垂直磁気異方性を示す２つの強磁性層の
間に非磁性層が形成されたサンドイッチ構造となってい
る垂直磁化膜であるメモリ素子をｎ行ｍ列（ｎ、ｍは自
然数）に配置する磁気薄膜メモリにおいて、（ｎ＋２）行の書き込み線と（ｍ＋２）列の書き込み線
とを有し、前記各メモリ素子のうちのｊ行ｋ列（ｊは１以上ｎ以下
の自然数、ｋは１以上ｍ以下の自然数）のメモリ素子は
（ｊ＋１）行の書き込み線と（ｋ＋１）列の書き込み線
とが交差する位置に配置されていることを特徴とする磁
気薄膜メモリ。
【請求項２】ｊ行および（ｊ＋２）行の書き込み線と
ｋ列および（ｋ＋２）列の書き込み線とにそれぞれ所望
の電流を流して磁界を発生させることによって前記ｊ行
ｋ列のメモリ素子への記録あるいは読み出しが行われる
請求項１記載の磁気薄膜メモリ。
【請求項３】ｊ行および（ｊ＋２）行の書き込み線と
ｋ列および（ｋ＋２）列の書き込み線とに流れる電流に
よって発生する磁界の前記ｊ行ｋ列のメモリ素子に印加
される成分の方向は、前記メモリ素子の膜面に対して垂
直であり、全て同一方向である請求項２記載の磁気薄膜
メモリ。
【請求項４】前記垂直磁化膜は、前記非磁性層が金属
層の巨大磁気抵抗磁化膜である請求項１から３のいずれ
か１項記載の磁気薄膜メモリ。
【請求項５】前記垂直磁化膜は、前記非磁性層が絶縁
層のスピン依存トンネル効果膜である請求項１から３の
いずれか１項記載の磁気薄膜メモリ。
【請求項６】前記垂直磁化膜の強磁性層は希土類金属
および遷移金属からなる請求項１から５のいずれか１項
記載の磁気薄膜メモリ。