JP2002097252A - 光半導体装置用樹脂組成物及び光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置用樹脂組成物及び光半導体装置Info
- Publication number
- JP2002097252A JP2002097252A JP2000293058A JP2000293058A JP2002097252A JP 2002097252 A JP2002097252 A JP 2002097252A JP 2000293058 A JP2000293058 A JP 2000293058A JP 2000293058 A JP2000293058 A JP 2000293058A JP 2002097252 A JP2002097252 A JP 2002097252A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical semiconductor
- semiconductor device
- resin composition
- resin
- moisture absorption
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 吸湿性が大きくて透湿性が低く、しかも吸湿
による寸法変化が小さい光半導体装置用樹脂組成物を提
供する。 【解決手段】 エポキシ当量が１７０以下のエポキシ樹
脂と、水酸基当量が１３０以下の硬化剤とを含有する。
吸湿性が大きくて透湿性が低く、しかも吸湿による寸法
変化を小さくすることができるものである。
による寸法変化が小さい光半導体装置用樹脂組成物を提
供する。 【解決手段】 エポキシ当量が１７０以下のエポキシ樹
脂と、水酸基当量が１３０以下の硬化剤とを含有する。
吸湿性が大きくて透湿性が低く、しかも吸湿による寸法
変化を小さくすることができるものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＣＤ（電荷結合
素子）などの光半導体素子を用いて形成される光半導体
装置を製造する際に用いられる樹脂組成物及びこれを用
いた半導体装置に関するものである。
素子）などの光半導体素子を用いて形成される光半導体
装置を製造する際に用いられる樹脂組成物及びこれを用
いた半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、図１に示すような光半導体装
置が提案されている。この光半導体装置は中空パッケー
ジタイプのものであって、基材１に凹部２を形成すると
共に凹部２に光半導体素子３を取り付けて収納し、基材
１の片面に開口した凹部２の開口を覆うようにしてカバ
ー４を設けることによって形成されるものである。５は
シール材であって、基材１とカバー４を接着すると共に
凹部２を密閉するものである。また、カバー４はガラス
板やレンズなどの透光性のある部材で形成されるもので
あって、カバー４を通して外部の光を光半導体素子３で
受光したり、カバー４を通して光半導体素子３で発した
光を外部に放射したりすることができるものである。
置が提案されている。この光半導体装置は中空パッケー
ジタイプのものであって、基材１に凹部２を形成すると
共に凹部２に光半導体素子３を取り付けて収納し、基材
１の片面に開口した凹部２の開口を覆うようにしてカバ
ー４を設けることによって形成されるものである。５は
シール材であって、基材１とカバー４を接着すると共に
凹部２を密閉するものである。また、カバー４はガラス
板やレンズなどの透光性のある部材で形成されるもので
あって、カバー４を通して外部の光を光半導体素子３で
受光したり、カバー４を通して光半導体素子３で発した
光を外部に放射したりすることができるものである。
【０００３】このような光半導体装置において、基材１
はエポキシ樹脂を含有する樹脂組成物で形成するように
している。エポキシ樹脂は優れた接着性や低吸湿性の特
徴を有するものであり、この特徴を利用して、エポキシ
樹脂で半導体や電子部品を封止する方法が主流を占めて
きている。これは、ガラス、金属、セラミックを用いた
ハーメチックシール法に比べて大量生産性やコストメリ
ットが優れるためである。
はエポキシ樹脂を含有する樹脂組成物で形成するように
している。エポキシ樹脂は優れた接着性や低吸湿性の特
徴を有するものであり、この特徴を利用して、エポキシ
樹脂で半導体や電子部品を封止する方法が主流を占めて
きている。これは、ガラス、金属、セラミックを用いた
ハーメチックシール法に比べて大量生産性やコストメリ
ットが優れるためである。
【０００４】このようなエポキシ樹脂を含有する樹脂組
成物を用いる封止法においては、例えば、ｏ−クレゾー
ルノボラック型エポキシ樹脂、硬化剤としてフェノール
ノボラック樹脂、無機充填材として溶融シリカ、硬化促
進剤として有機リン化合物を主成分とする樹脂組成物か
らなる成形材料が一般的に使用されている。
成物を用いる封止法においては、例えば、ｏ−クレゾー
ルノボラック型エポキシ樹脂、硬化剤としてフェノール
ノボラック樹脂、無機充填材として溶融シリカ、硬化促
進剤として有機リン化合物を主成分とする樹脂組成物か
らなる成形材料が一般的に使用されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来から用い
られている樹脂組成物は金属やセラミックに比べて透湿
性が高く、図１に示すような中空パッケージタイプの基
材１を形成した場合は、基材１を通じて凹部２に湿気が
侵入し、カバー４の内面に結露や曇りが発生し易いとい
う問題があった。
られている樹脂組成物は金属やセラミックに比べて透湿
性が高く、図１に示すような中空パッケージタイプの基
材１を形成した場合は、基材１を通じて凹部２に湿気が
侵入し、カバー４の内面に結露や曇りが発生し易いとい
う問題があった。
【０００６】また、基材１の透湿性を低下させるために
基材１の吸湿性を向上させると、吸湿によって基材１自
体が伸長して寸法変化が大きくなり、その結果、カバー
４が外れやすくなるという問題があった。
基材１の吸湿性を向上させると、吸湿によって基材１自
体が伸長して寸法変化が大きくなり、その結果、カバー
４が外れやすくなるという問題があった。
【０００７】そこで、吸湿性が大きくて透湿性が低いに
もかかわらず、吸湿による寸法変化が小さい樹脂組成物
で基材１を形成することが望まれていた。
もかかわらず、吸湿による寸法変化が小さい樹脂組成物
で基材１を形成することが望まれていた。
【０００８】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、吸湿性が大きくて透湿性が低く、しかも吸湿によ
る寸法変化が小さい光半導体装置用樹脂組成物及びこれ
を用いた光半導体装置を提供することを目的とするもの
である。
あり、吸湿性が大きくて透湿性が低く、しかも吸湿によ
る寸法変化が小さい光半導体装置用樹脂組成物及びこれ
を用いた光半導体装置を提供することを目的とするもの
である。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
光半導体装置用樹脂組成物は、エポキシ当量が１７０以
下のエポキシ樹脂と、水酸基当量が１３０以下の硬化剤
とを含有して成ることを特徴とするものである。
光半導体装置用樹脂組成物は、エポキシ当量が１７０以
下のエポキシ樹脂と、水酸基当量が１３０以下の硬化剤
とを含有して成ることを特徴とするものである。
【００１０】また、本発明の請求項２に係る光半導体装
置用樹脂組成物は、請求項１の構成に加えて、８５℃／
８５％ＲＨの雰囲気中にて７２時間吸湿させたときの吸
湿率が０．２ｗｔ％以上であることを特徴とするもので
ある。
置用樹脂組成物は、請求項１の構成に加えて、８５℃／
８５％ＲＨの雰囲気中にて７２時間吸湿させたときの吸
湿率が０．２ｗｔ％以上であることを特徴とするもので
ある。
【００１１】また、本発明の請求項３に係る光半導体装
置用樹脂組成物は、請求項１又は２の構成に加えて、下
記（１）の構造を有するエポキシ樹脂を用いて成ること
を特徴とするものである。
置用樹脂組成物は、請求項１又は２の構成に加えて、下
記（１）の構造を有するエポキシ樹脂を用いて成ること
を特徴とするものである。
【００１２】
【化５】
【００１３】また、本発明の請求項４に係る光半導体装
置用樹脂組成物は、請求項１乃至３のいずれかの構成に
加えて、下記（２）の構造を有するエポキシ樹脂を用い
て成ることを特徴とするものである。
置用樹脂組成物は、請求項１乃至３のいずれかの構成に
加えて、下記（２）の構造を有するエポキシ樹脂を用い
て成ることを特徴とするものである。
【００１４】
【化６】
【００１５】また、本発明の請求項５に係る光半導体装
置用樹脂組成物は、請求項１乃至４のいずれかの構成に
加えて、下記（３）の構造を有するエポキシ樹脂を用い
て成ることを特徴とするものである。
置用樹脂組成物は、請求項１乃至４のいずれかの構成に
加えて、下記（３）の構造を有するエポキシ樹脂を用い
て成ることを特徴とするものである。
【００１６】
【化７】
【００１７】また、本発明の請求項６に係る光半導体装
置用樹脂組成物は、請求項１乃至５のいずれかの構成に
加えて、硬化剤として下記（４）の構造を有するフェノ
ール樹脂を用いて成ることを特徴とするものである。
置用樹脂組成物は、請求項１乃至５のいずれかの構成に
加えて、硬化剤として下記（４）の構造を有するフェノ
ール樹脂を用いて成ることを特徴とするものである。
【００１８】
【化８】
【００１９】また、本発明の請求項７に係る光半導体装
置用樹脂組成物は、請求項１乃至６のいずれかの構成に
加えて、無機充填材を６５〜９３重量％含有して成るこ
とを特徴とするものである。
置用樹脂組成物は、請求項１乃至６のいずれかの構成に
加えて、無機充填材を６５〜９３重量％含有して成るこ
とを特徴とするものである。
【００２０】また、本発明の請求項８に係る光半導体装
置用樹脂組成物は、請求項１乃至７のいずれかの構成に
加えて、ガラス転移点以下における線膨張係数が２０ｐ
ｐｍ以下であることを特徴とするものである。
置用樹脂組成物は、請求項１乃至７のいずれかの構成に
加えて、ガラス転移点以下における線膨張係数が２０ｐ
ｐｍ以下であることを特徴とするものである。
【００２１】また、本発明の請求項９に係る光半導体装
置用樹脂組成物は、請求項１乃至８のいずれかの構成に
加えて、熱伝導率が０．８Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを
特徴とするものである。
置用樹脂組成物は、請求項１乃至８のいずれかの構成に
加えて、熱伝導率が０．８Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを
特徴とするものである。
【００２２】また、本発明の請求項１０に係る光半導体
装置用樹脂組成物は、請求項１乃至９のいずれかの構成
に加えて、硬化促進剤としてイミダゾール類を含有して
成ることを特徴とするものである。
装置用樹脂組成物は、請求項１乃至９のいずれかの構成
に加えて、硬化促進剤としてイミダゾール類を含有して
成ることを特徴とするものである。
【００２３】また、本発明の請求項１１に係る光半導体
装置は、基材１に凹部２を形成すると共に凹部２に光半
導体素子３を収納し、凹部２の開口を覆うようにカバー
４を設けた光半導体装置において、上記請求項１乃至１
０のいずれかに記載の光半導体装置用樹脂組成物を用い
て基材１を形成して成ることを特徴とするものである。
装置は、基材１に凹部２を形成すると共に凹部２に光半
導体素子３を収納し、凹部２の開口を覆うようにカバー
４を設けた光半導体装置において、上記請求項１乃至１
０のいずれかに記載の光半導体装置用樹脂組成物を用い
て基材１を形成して成ることを特徴とするものである。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。
する。
【００２５】エポキシ樹脂はエポキシ当量が１７０以下
のものであって、上記（１）（２）（３）の構造を有す
るもの及びｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、
ブロム化エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂など
をそれぞれ単独で用いたりあるいは複数種併用したりす
ることができる。尚、エポキシ樹脂はその全部がエポキ
シ当量１７０以下のものであることが好ましいが、例え
ば、難燃剤としてエポキシ当量が１７０より大きいエポ
キシ樹脂を用いてもよい。この場合、本発明の効果を高
く得るために、エポキシ当量が１７０より大きいエポキ
シ樹脂の配合量はエポキシ樹脂全量に対して５０重量％
以下、好ましくは１０重量％以下にする。
のものであって、上記（１）（２）（３）の構造を有す
るもの及びｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、
ブロム化エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂など
をそれぞれ単独で用いたりあるいは複数種併用したりす
ることができる。尚、エポキシ樹脂はその全部がエポキ
シ当量１７０以下のものであることが好ましいが、例え
ば、難燃剤としてエポキシ当量が１７０より大きいエポ
キシ樹脂を用いてもよい。この場合、本発明の効果を高
く得るために、エポキシ当量が１７０より大きいエポキ
シ樹脂の配合量はエポキシ樹脂全量に対して５０重量％
以下、好ましくは１０重量％以下にする。
【００２６】上記（１）（２）の構造のエポキシ樹脂を
用いた場合は、本発明の光半導体装置用樹脂組成物及び
その硬化物の吸湿率を大きくし、且つ線膨張率を小さく
することができるものである。
用いた場合は、本発明の光半導体装置用樹脂組成物及び
その硬化物の吸湿率を大きくし、且つ線膨張率を小さく
することができるものである。
【００２７】上記（３）の構造のエポキシ樹脂を用いた
場合は、本発明の光半導体装置用樹脂組成物及びその硬
化物の線膨張率を小さくすることができるものである。
場合は、本発明の光半導体装置用樹脂組成物及びその硬
化物の線膨張率を小さくすることができるものである。
【００２８】硬化剤としては水酸基当量が１３０以下の
ものであって、上記（４）の構造を有するもの及び１分
子中に２個以上のフェノール性水酸基を有するもの、例
えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールザイロッ
ク樹脂、ナフトール樹脂などをそれぞれ単独で用いたり
あるいは複数種併用したりすることができる。
ものであって、上記（４）の構造を有するもの及び１分
子中に２個以上のフェノール性水酸基を有するもの、例
えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールザイロッ
ク樹脂、ナフトール樹脂などをそれぞれ単独で用いたり
あるいは複数種併用したりすることができる。
【００２９】上記（４）の構造のフェノール樹脂を用い
た場合は、本発明の光半導体装置用樹脂組成物及びその
硬化物の吸湿率を大きくし、且つ線膨張率を小さくする
ことができるものである。
た場合は、本発明の光半導体装置用樹脂組成物及びその
硬化物の吸湿率を大きくし、且つ線膨張率を小さくする
ことができるものである。
【００３０】本発明ではエポキシ樹脂と硬化剤の他に、
無機充填材と硬化促進剤を用いることができる。無機充
填材としては溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化
珪素などをそれぞれ単独で用いたりあるいは複数種併用
したりすることができるが、入手のしやすさや本発明の
光半導体装置用樹脂組成物の流動性などを考慮すると、
溶融シリカや結晶シリカを用いるのが好ましい。また、
硬化促進剤としては２−メチルイミダゾールや２−フェ
ニルイミダゾールなどのイミダゾール類及びトリフェニ
ルフォスフィン、有機リン化合物、ＤＢＵ（１，８−ジ
アザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン）、ＤＢ
Ｎ（１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネ
ン）などのアミン系硬化促進剤などをそれぞれ単独で用
いたりあるいは複数種併用したりすることができる。
無機充填材と硬化促進剤を用いることができる。無機充
填材としては溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化
珪素などをそれぞれ単独で用いたりあるいは複数種併用
したりすることができるが、入手のしやすさや本発明の
光半導体装置用樹脂組成物の流動性などを考慮すると、
溶融シリカや結晶シリカを用いるのが好ましい。また、
硬化促進剤としては２−メチルイミダゾールや２−フェ
ニルイミダゾールなどのイミダゾール類及びトリフェニ
ルフォスフィン、有機リン化合物、ＤＢＵ（１，８−ジ
アザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン）、ＤＢ
Ｎ（１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネ
ン）などのアミン系硬化促進剤などをそれぞれ単独で用
いたりあるいは複数種併用したりすることができる。
【００３１】上記の他に、必要に応じてワックス、カッ
プリング剤、難燃剤、シリコーン可撓剤などを用いても
良い。
プリング剤、難燃剤、シリコーン可撓剤などを用いても
良い。
【００３２】そして、本発明の光半導体装置用樹脂組成
物を調製するにあたっては、上記のエポキシ樹脂、硬化
剤、無機充填材、硬化促進剤及びその他の材料を配合
し、ミキサーやブレンダー等で均一に混合した後、ニー
ダーやロール等で加熱混練するようにする。また、上記
の混練後に必要に応じて冷却固化し、粉砕して粉状にし
ても良い。
物を調製するにあたっては、上記のエポキシ樹脂、硬化
剤、無機充填材、硬化促進剤及びその他の材料を配合
し、ミキサーやブレンダー等で均一に混合した後、ニー
ダーやロール等で加熱混練するようにする。また、上記
の混練後に必要に応じて冷却固化し、粉砕して粉状にし
ても良い。
【００３３】エポキシ樹脂に対する硬化剤の配合割合
は、エポキシ樹脂の全量／硬化剤の全量＝０．５〜１．
５（当量比）、好ましくは０．８〜１．３に設定する。
この配合割合が０．５よりも小さいと、硬化剤の配合量
が多すぎて経済的に不利となる恐れがあり、また上記の
配合割合が１．５を超えると、硬化剤の配合量が少なす
ぎて硬化不足になる恐れがある。また、無機充填材は本
発明の光半導体装置用樹脂組成物の全体量に対して６５
〜９３ｗｔ％、好ましくは７０〜８５ｗｔ％、さらに好
ましくは７５〜８５ｗｔ％配合するのが好ましい。無機
充填材の配合量が光半導体装置用樹脂組成物の全体量に
対して６５ｗｔ％未満であれば、光半導体装置用樹脂組
成物及びその硬化物の吸湿率が大幅に増加して吸湿によ
る寸法変化率が大きくなる恐れがあり、無機充填材の配
合量が光半導体装置用樹脂組成物の全体量に対して９３
ｗｔ％を超えると、光半導体装置用樹脂組成物及びその
硬化物の吸湿率が低くなって透湿性が大きくなる恐れが
ある。
は、エポキシ樹脂の全量／硬化剤の全量＝０．５〜１．
５（当量比）、好ましくは０．８〜１．３に設定する。
この配合割合が０．５よりも小さいと、硬化剤の配合量
が多すぎて経済的に不利となる恐れがあり、また上記の
配合割合が１．５を超えると、硬化剤の配合量が少なす
ぎて硬化不足になる恐れがある。また、無機充填材は本
発明の光半導体装置用樹脂組成物の全体量に対して６５
〜９３ｗｔ％、好ましくは７０〜８５ｗｔ％、さらに好
ましくは７５〜８５ｗｔ％配合するのが好ましい。無機
充填材の配合量が光半導体装置用樹脂組成物の全体量に
対して６５ｗｔ％未満であれば、光半導体装置用樹脂組
成物及びその硬化物の吸湿率が大幅に増加して吸湿によ
る寸法変化率が大きくなる恐れがあり、無機充填材の配
合量が光半導体装置用樹脂組成物の全体量に対して９３
ｗｔ％を超えると、光半導体装置用樹脂組成物及びその
硬化物の吸湿率が低くなって透湿性が大きくなる恐れが
ある。
【００３４】さらに、硬化促進剤は全樹脂成分（エポキ
シ樹脂と硬化剤）に対して０．１〜５．０重量％配合す
るのが好ましい。硬化促進剤の配合量が全樹脂成分の配
合量に対して０．１重量％未満であれば、硬化促進効果
を高めることができず、硬化促進剤の配合量が全樹脂成
分の配合量に対して５．０重量％を超えると、成形性に
不具合を生じる恐れがあり、また、硬化促進剤の配合量
が多くなって経済的に不利となる恐れがある。
シ樹脂と硬化剤）に対して０．１〜５．０重量％配合す
るのが好ましい。硬化促進剤の配合量が全樹脂成分の配
合量に対して０．１重量％未満であれば、硬化促進効果
を高めることができず、硬化促進剤の配合量が全樹脂成
分の配合量に対して５．０重量％を超えると、成形性に
不具合を生じる恐れがあり、また、硬化促進剤の配合量
が多くなって経済的に不利となる恐れがある。
【００３５】一方、本発明の光半導体装置は図１に示す
ように、基材１に凹部２を形成すると共に凹部２にＣＣ
Ｄ等の光半導体素子３を取り付けて収納し、基材１の片
面に開口した凹部２の開口を覆うようにしてガラスやレ
ンズ等で形成されるカバー４を配置し、基材１とカバー
４とをシール材５で接着することによって形成されてい
る。そして、本発明の光半導体装置用樹脂組成物は基材
１を形成するための成形材料として用いるものであり、
例えば、トランスファー成形などで凹部２を有する基材
１に成形することができる。また、基材１を成形する際
にリードフレーム１０を同時にインサート成形し、凹部
２に収納された光半導体素子３とリードフレーム１０と
をワイヤー１１で電気的に接続して光半導体装置を形成
することができるものである。
ように、基材１に凹部２を形成すると共に凹部２にＣＣ
Ｄ等の光半導体素子３を取り付けて収納し、基材１の片
面に開口した凹部２の開口を覆うようにしてガラスやレ
ンズ等で形成されるカバー４を配置し、基材１とカバー
４とをシール材５で接着することによって形成されてい
る。そして、本発明の光半導体装置用樹脂組成物は基材
１を形成するための成形材料として用いるものであり、
例えば、トランスファー成形などで凹部２を有する基材
１に成形することができる。また、基材１を成形する際
にリードフレーム１０を同時にインサート成形し、凹部
２に収納された光半導体素子３とリードフレーム１０と
をワイヤー１１で電気的に接続して光半導体装置を形成
することができるものである。
【００３６】そして、本発明の光半導体装置用樹脂組成
物及びその硬化物（基材１）は、エポキシ当量が１７０
以下のエポキシ樹脂と、水酸基当量が１３０以下の硬化
剤とを含有するので、吸湿率が大きくて透湿性が低いに
もかかわらず、吸湿による寸法変化が小さいものであ
り、従って、基材１が吸湿することによって基材１を通
じて凹部２に湿気が侵入することが無くなって、カバー
４の内面に結露や曇りが発生し難くなるものであり、ま
た、吸湿による基材１の寸法変化が小さくなってカバー
４が基材１から外れ難くなるものである。
物及びその硬化物（基材１）は、エポキシ当量が１７０
以下のエポキシ樹脂と、水酸基当量が１３０以下の硬化
剤とを含有するので、吸湿率が大きくて透湿性が低いに
もかかわらず、吸湿による寸法変化が小さいものであ
り、従って、基材１が吸湿することによって基材１を通
じて凹部２に湿気が侵入することが無くなって、カバー
４の内面に結露や曇りが発生し難くなるものであり、ま
た、吸湿による基材１の寸法変化が小さくなってカバー
４が基材１から外れ難くなるものである。
【００３７】本発明の光半導体装置用樹脂組成物及びそ
の硬化物（基材１）は、上記のような光半導体装置にお
ける効果をより効果的に発揮するために、８５℃／８５
％ＲＨの雰囲気中にて７２時間吸湿させたときの吸湿率
が０．２ｗｔ％以上であることが好ましい。この吸湿率
が０．２ｗｔ％未満であれば、上記の光半導体装置にお
いて、基材１を通じて凹部２に湿気が侵入しやすくなっ
てカバー４の内面に結露や曇りが発生しやすくなる恐れ
がある。尚、８５℃／８５％ＲＨの雰囲気中にて７２時
間吸湿させたときの吸湿率の上限は特に設定されない
が、０．６ｗｔ％以下であるのが好ましい。
の硬化物（基材１）は、上記のような光半導体装置にお
ける効果をより効果的に発揮するために、８５℃／８５
％ＲＨの雰囲気中にて７２時間吸湿させたときの吸湿率
が０．２ｗｔ％以上であることが好ましい。この吸湿率
が０．２ｗｔ％未満であれば、上記の光半導体装置にお
いて、基材１を通じて凹部２に湿気が侵入しやすくなっ
てカバー４の内面に結露や曇りが発生しやすくなる恐れ
がある。尚、８５℃／８５％ＲＨの雰囲気中にて７２時
間吸湿させたときの吸湿率の上限は特に設定されない
が、０．６ｗｔ％以下であるのが好ましい。
【００３８】また、本発明の光半導体装置用樹脂組成物
及びその硬化物（基材１）は、ガラス転移点以下におけ
る線膨張係数が２０ｐｐｍ以下であることが好ましい。
この線膨張率が２０ｐｐｍより大きくなると、カバーと
の膨張差によりカバーがはずれる恐れがある。尚、ガラ
ス転移点以下における線膨張係数の下限は特に設定され
ないが、３ｐｐｍ以上であるのが好ましい。
及びその硬化物（基材１）は、ガラス転移点以下におけ
る線膨張係数が２０ｐｐｍ以下であることが好ましい。
この線膨張率が２０ｐｐｍより大きくなると、カバーと
の膨張差によりカバーがはずれる恐れがある。尚、ガラ
ス転移点以下における線膨張係数の下限は特に設定され
ないが、３ｐｐｍ以上であるのが好ましい。
【００３９】また、本発明の光半導体装置用樹脂組成物
及びその硬化物（基材１）は、熱伝導率が０．８Ｗ／ｍ
・Ｋ以上であることが好ましい。この熱伝導率が０．８
Ｗ／ｍ・Ｋ未満であると、半導体素子（チップ）３の発
熱を十分に放熱できず、機能不良になる恐れがある。
尚、熱伝導率の上限は特に設定されないが、５．０Ｗ／
ｍ・Ｋ以下であるのが好ましい。
及びその硬化物（基材１）は、熱伝導率が０．８Ｗ／ｍ
・Ｋ以上であることが好ましい。この熱伝導率が０．８
Ｗ／ｍ・Ｋ未満であると、半導体素子（チップ）３の発
熱を十分に放熱できず、機能不良になる恐れがある。
尚、熱伝導率の上限は特に設定されないが、５．０Ｗ／
ｍ・Ｋ以下であるのが好ましい。
【００４０】
【実施例】以下本発明を実施例によって具体的に説明す
る。
る。
【００４１】（実施例１〜１０及び比較例１〜３）表１
に示す配合量で材料をミキサーやブレンダー等で均一に
混合した後、ニーダーやロール等で加熱混練（温度１１
０℃、時間５分）して光半導体装置用樹脂組成物を調製
した。尚、表１に示す各材料としては以下のものを用い
た。
に示す配合量で材料をミキサーやブレンダー等で均一に
混合した後、ニーダーやロール等で加熱混練（温度１１
０℃、時間５分）して光半導体装置用樹脂組成物を調製
した。尚、表１に示す各材料としては以下のものを用い
た。
【００４２】式（１）に示すエポキシ樹脂としては、日
本化薬（株）製の「ＥＰＰＮ５０１Ｈ」（エポキシ当量
ｅｑ＝１６４でｎ＝０〜１０の混合物）を用いた。
本化薬（株）製の「ＥＰＰＮ５０１Ｈ」（エポキシ当量
ｅｑ＝１６４でｎ＝０〜１０の混合物）を用いた。
【００４３】式（２）に示すエポキシ樹脂としては、大
日本インキ（株）製の「ＥＸＡ４７００」（エポキシ当
量ｅｑ＝１６３）を用いた。
日本インキ（株）製の「ＥＸＡ４７００」（エポキシ当
量ｅｑ＝１６３）を用いた。
【００４４】式（３）に示すエポキシ樹脂としては、大
日本インキ（株）製の「ＨＰ４０３２Ｄ」（エポキシ当
量ｅｑ＝１５０）を用いた。
日本インキ（株）製の「ＨＰ４０３２Ｄ」（エポキシ当
量ｅｑ＝１５０）を用いた。
【００４５】ｏ−クレゾールノボラックエポキシ樹脂と
しては、住友化学（株）製の「ＥＳＣＮ−ＸＬ」（エポ
キシ当量ｅｑ＝１９５）を用いた。
しては、住友化学（株）製の「ＥＳＣＮ−ＸＬ」（エポ
キシ当量ｅｑ＝１９５）を用いた。
【００４６】フェノールノボラック樹脂としては、群栄
化学（株）製の「ＰＳＭ」（水酸基当量ｅｑ＝１０５）
を用いた。
化学（株）製の「ＰＳＭ」（水酸基当量ｅｑ＝１０５）
を用いた。
【００４７】式（４）に示すフェノール樹脂としては、
明和化成（株）製の「ＭＥＨ７５００」（水酸基当量ｅ
ｑ＝９７）を用いた。
明和化成（株）製の「ＭＥＨ７５００」（水酸基当量ｅ
ｑ＝９７）を用いた。
【００４８】フェノールザイロック樹脂としては、住金
ケミカル（株）製の「ＨＥ１００Ｃ」（水酸基当量ｅｑ
＝１６９）を用いた。
ケミカル（株）製の「ＨＥ１００Ｃ」（水酸基当量ｅｑ
＝１６９）を用いた。
【００４９】無機充填材としては、溶融シリカと結晶シ
リカの混合物であって、表面をγ−グリシドキシプロピ
ルトリメトキシシランで処理したものを用いた。
リカの混合物であって、表面をγ−グリシドキシプロピ
ルトリメトキシシランで処理したものを用いた。
【００５０】ブロム化エポキシ樹脂（難燃剤）として
は、住友化学（株）製の「ＥＳＢ４００」（エポキシ当
量ｅｑ＝４００）を用いた。
は、住友化学（株）製の「ＥＳＢ４００」（エポキシ当
量ｅｑ＝４００）を用いた。
【００５１】上記の実施例１〜１０及び比較例１〜３に
ついて、以下の試験を行った。
ついて、以下の試験を行った。
【００５２】（吸湿率の測定）実施例１〜１０及び比較
例１〜３を用いて、直径φ５０ｍｍで３ｍｍ厚の円板を
成形し、８５℃／８５％ＲＨの雰囲気中にて７２時間吸
湿させ、吸湿前後での重量変化率を求め、これを吸湿率
とした。
例１〜３を用いて、直径φ５０ｍｍで３ｍｍ厚の円板を
成形し、８５℃／８５％ＲＨの雰囲気中にて７２時間吸
湿させ、吸湿前後での重量変化率を求め、これを吸湿率
とした。
【００５３】（寸法変化率）実施例１〜１０及び比較例
１〜３を用いて、直径φ５０ｍｍで３ｍｍ厚の円板を成
形し、８５℃／８５％ＲＨの雰囲気中にて５００時間吸
湿させ、吸湿前後での寸法変化率（伸び量）を求めた。
１〜３を用いて、直径φ５０ｍｍで３ｍｍ厚の円板を成
形し、８５℃／８５％ＲＨの雰囲気中にて５００時間吸
湿させ、吸湿前後での寸法変化率（伸び量）を求めた。
【００５４】（線膨張係数及びガラス転移温度）実施例
１〜１０及び比較例１〜３について、ディラトメーター
（横形ＴＭＡ）を用いて、線膨張係数及びガラス転移温
度を求めた。
１〜１０及び比較例１〜３について、ディラトメーター
（横形ＴＭＡ）を用いて、線膨張係数及びガラス転移温
度を求めた。
【００５５】線膨張係数はガラス転移温度以下の温度で
の傾きより求めた。
の傾きより求めた。
【００５６】ガラス転移温度はα１、α２の接線の交点
の温度とした。
の温度とした。
【００５７】（熱伝導率）実施例１〜１０及び比較例１
〜３を用いて、直径φ１００ｍｍで２５ｍｍ厚の円板を
成形し、迅速熱伝導計（昭和電工社製）を用いて測定し
た。
〜３を用いて、直径φ１００ｍｍで２５ｍｍ厚の円板を
成形し、迅速熱伝導計（昭和電工社製）を用いて測定し
た。
【００５８】結果を表１に示す。
【００５９】
【表１】
【００６０】表１から明らかなように、実施例１〜１０
の光半導体装置用樹脂組成物の硬化物は比較例１〜３の
ものに比べて、吸湿率が大きくて寸法変化率が小さくな
った。従って、実施例１〜１０の光半導体装置用樹脂組
成物の硬化物は吸湿性が大きいことにより透湿性が低い
ものであり、また、吸湿による寸法変化が小さいもので
あると言える。
の光半導体装置用樹脂組成物の硬化物は比較例１〜３の
ものに比べて、吸湿率が大きくて寸法変化率が小さくな
った。従って、実施例１〜１０の光半導体装置用樹脂組
成物の硬化物は吸湿性が大きいことにより透湿性が低い
ものであり、また、吸湿による寸法変化が小さいもので
あると言える。
【００６１】
【発明の効果】上記のように本発明の請求項１の発明
は、エポキシ当量が１７０以下のエポキシ樹脂と、水酸
基当量が１３０以下の硬化剤とを含有するので、吸湿性
が大きくて透湿性が低く、しかも吸湿による寸法変化を
小さくすることができるものである。従って、凹部に光
半導体素子を収納した基材と凹部の開口を覆うカバーと
を有する光半導体装置において、基材を形成するための
樹脂組成物として用いることによって、基材で吸湿させ
て基材を通じて凹部に湿気が侵入するのを防止すること
ができ、カバーの内面に結露や曇りが発生し難くなるも
のであり、また、吸湿による基材の寸法変化を小さくす
ることができ、カバーが基材から外れにくくなるもので
ある。
は、エポキシ当量が１７０以下のエポキシ樹脂と、水酸
基当量が１３０以下の硬化剤とを含有するので、吸湿性
が大きくて透湿性が低く、しかも吸湿による寸法変化を
小さくすることができるものである。従って、凹部に光
半導体素子を収納した基材と凹部の開口を覆うカバーと
を有する光半導体装置において、基材を形成するための
樹脂組成物として用いることによって、基材で吸湿させ
て基材を通じて凹部に湿気が侵入するのを防止すること
ができ、カバーの内面に結露や曇りが発生し難くなるも
のであり、また、吸湿による基材の寸法変化を小さくす
ることができ、カバーが基材から外れにくくなるもので
ある。
【００６２】また、本発明の請求項２に係る発明は、８
５℃／８５％ＲＨの雰囲気中にて７２時間吸湿させたと
きの吸湿率が０．２ｗｔ％以上であるので、吸湿性を大
きくすることができるものであり、従って、凹部に光半
導体素子を収納した基材と凹部の開口を覆うカバーとを
有する光半導体装置において、基材を形成するための樹
脂組成物として用いることによって、基材で吸湿させて
基材を通じて凹部に湿気が侵入するのを防止することが
でき、カバーの内面に結露や曇りが発生し難くなるもの
である。
５℃／８５％ＲＨの雰囲気中にて７２時間吸湿させたと
きの吸湿率が０．２ｗｔ％以上であるので、吸湿性を大
きくすることができるものであり、従って、凹部に光半
導体素子を収納した基材と凹部の開口を覆うカバーとを
有する光半導体装置において、基材を形成するための樹
脂組成物として用いることによって、基材で吸湿させて
基材を通じて凹部に湿気が侵入するのを防止することが
でき、カバーの内面に結露や曇りが発生し難くなるもの
である。
【００６３】また、本発明の請求項３に係る発明は、上
記（１）の構造を有するエポキシ樹脂を用いるので、吸
湿率を大きくし、且つ線膨張率を小さくすることができ
るものである。
記（１）の構造を有するエポキシ樹脂を用いるので、吸
湿率を大きくし、且つ線膨張率を小さくすることができ
るものである。
【００６４】また、本発明の請求項４に係る発明は、上
記（２）の構造を有するエポキシ樹脂を用いるので、吸
湿率を大きくし、且つ線膨張率を小さくすることができ
るものである。
記（２）の構造を有するエポキシ樹脂を用いるので、吸
湿率を大きくし、且つ線膨張率を小さくすることができ
るものである。
【００６５】また、本発明の請求項５に係る発明は、上
記（３）の構造を有するエポキシ樹脂を用いるので、線
膨張率を小さくすることができるものである。
記（３）の構造を有するエポキシ樹脂を用いるので、線
膨張率を小さくすることができるものである。
【００６６】また、本発明の請求項６に係る発明は、硬
化剤として上記（４）の構造を有するフェノール樹脂を
用いるので、吸湿率を大きくし、且つ線膨張率を小さく
することができるものである。
化剤として上記（４）の構造を有するフェノール樹脂を
用いるので、吸湿率を大きくし、且つ線膨張率を小さく
することができるものである。
【００６７】また、本発明の請求項７に係る発明は、無
機充填材を６５〜９３重量％含有するので、吸湿率が大
幅に増加することなくて寸法変化率が大きくなるのを防
止することができるものであり、また、吸湿率が低くな
って透湿性が大きくなるのを防止することができるもの
である。
機充填材を６５〜９３重量％含有するので、吸湿率が大
幅に増加することなくて寸法変化率が大きくなるのを防
止することができるものであり、また、吸湿率が低くな
って透湿性が大きくなるのを防止することができるもの
である。
【００６８】また、本発明の請求項８に係る発明は、ガ
ラス転移点以下における線膨張係数が２０ｐｐｍ以下で
あるので、凹部に光半導体素子を収納した基材と凹部の
開口を覆うカバーとを有する光半導体装置において、基
材を形成するための樹脂組成物として用いることによっ
て、基材とカバーの膨張差を小さくすることができ、カ
バーが基材から外れにくくなるものである。
ラス転移点以下における線膨張係数が２０ｐｐｍ以下で
あるので、凹部に光半導体素子を収納した基材と凹部の
開口を覆うカバーとを有する光半導体装置において、基
材を形成するための樹脂組成物として用いることによっ
て、基材とカバーの膨張差を小さくすることができ、カ
バーが基材から外れにくくなるものである。
【００６９】また、本発明の請求項９に係る発明は、熱
伝導率が０．８Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるので、凹部に光半
導体素子を収納した基材と凹部の開口を覆うカバーとを
有する光半導体装置において、基材を形成するための樹
脂組成物として用いることによって、半導体素子の発熱
を十分に放熱できることができ、機能不良を減少させる
ことができるものである。
伝導率が０．８Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるので、凹部に光半
導体素子を収納した基材と凹部の開口を覆うカバーとを
有する光半導体装置において、基材を形成するための樹
脂組成物として用いることによって、半導体素子の発熱
を十分に放熱できることができ、機能不良を減少させる
ことができるものである。
【００７０】また、本発明の請求項１０に係る光半導体
装置用樹脂組成物は、請求項１乃至９のいずれかの構成
に加えて、硬化促進剤としてイミダゾール類を含有する
ので、吸湿率を大きくすることができるものである。
装置用樹脂組成物は、請求項１乃至９のいずれかの構成
に加えて、硬化促進剤としてイミダゾール類を含有する
ので、吸湿率を大きくすることができるものである。
【００７１】また、本発明の請求項１１に係る発明は、
基材に凹部を形成すると共に凹部に光半導体素子を収納
し、凹部の開口を覆うようにカバーを設けた光半導体装
置において、上記請求項１乃至１０のいずれかに記載の
光半導体装置用樹脂組成物を用いて基材を形成するの
で、基材に吸湿させて基材を通じて凹部に湿気が侵入す
るのを防止することができ、カバーの内面に結露や曇り
が発生し難くなるものであり、また、吸湿による基材の
寸法変化を小さくすることができ、カバーが基材から外
れにくくなるものである。
基材に凹部を形成すると共に凹部に光半導体素子を収納
し、凹部の開口を覆うようにカバーを設けた光半導体装
置において、上記請求項１乃至１０のいずれかに記載の
光半導体装置用樹脂組成物を用いて基材を形成するの
で、基材に吸湿させて基材を通じて凹部に湿気が侵入す
るのを防止することができ、カバーの内面に結露や曇り
が発生し難くなるものであり、また、吸湿による基材の
寸法変化を小さくすることができ、カバーが基材から外
れにくくなるものである。
【図１】本発明の光半導体装置の実施の形態の一例を示
す断面図である。
す断面図である。
１ 基材 ２ 凹部 ３ 光半導体素子 ４ カバー ５ シール材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/373 Ｈ０１Ｌ 33/00 Ｎ ５Ｆ０８８ 27/14 23/36 Ｍ 31/02 27/14 Ｄ 33/00 31/02 Ｂ (72)発明者 大平 勉 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 Ｆターム(参考） 4J002 CC062 CD001 CD041 CD061 CD071 DE148 DJ008 DJ018 EJ016 EJ046 EU117 FD018 FD142 FD146 FD157 4J036 AA02 AC03 AC05 AF03 DC41 FB08 JA07 4M118 AA08 AB01 BA10 HA02 5F036 AA01 BA04 BA23 BB14 BD21 5F041 AA44 DA74 5F088 BA13 JA05
Claims (11)
- 【請求項１】 エポキシ当量が１７０以下のエポキシ樹
脂と、水酸基当量が１３０以下の硬化剤とを含有して成
ることを特徴とする光半導体装置用樹脂組成物。 - 【請求項２】 ８５℃／８５％ＲＨの雰囲気中にて７２
時間吸湿させたときの吸湿率が０．２ｗｔ％以上である
ことを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置用樹脂
組成物。 - 【請求項３】 下記（１）の構造を有するエポキシ樹脂
を用いて成ることを特徴とする請求項１又は２に記載の
光半導体装置用樹脂組成物。 【化１】 - 【請求項４】 下記（２）の構造を有するエポキシ樹脂
を用いて成ることを特徴とする請求項１乃至３のいずれ
かに記載の光半導体装置用樹脂組成物。 【化２】 - 【請求項５】 下記（３）の構造を有するエポキシ樹脂
を用いて成ることを特徴とする請求項１乃至４のいずれ
かに記載の光半導体装置用樹脂組成物。 【化３】 - 【請求項６】 硬化剤として下記（４）の構造を有する
フェノール樹脂を用いて成ることを特徴とする請求項１
乃至５のいずれかに記載の光半導体装置用樹脂組成物。 【化４】 - 【請求項７】 無機充填材を６５〜９３重量％含有して
成ることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載
の光半導体装置用樹脂組成物。 - 【請求項８】 ガラス転移点以下における線膨張係数が
２０ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至７
のいずれかに記載の光半導体装置用樹脂組成物。 - 【請求項９】 熱伝導率が０．８Ｗ／ｍ・Ｋ以上である
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の光
半導体装置用樹脂組成物。 - 【請求項１０】 硬化促進剤としてイミダゾール類を含
有して成ることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか
に記載の光半導体装置用樹脂組成物。 - 【請求項１１】 基材に凹部を形成すると共に凹部に光
半導体素子を収納し、凹部の開口を覆うようにカバーを
設けた光半導体装置において、上記請求項１乃至１０の
いずれかに記載の光半導体装置用樹脂組成物を用いて基
材を形成して成ることを特徴とする光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000293058A JP3598963B2 (ja) | 2000-09-26 | 2000-09-26 | 光半導体装置用樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000293058A JP3598963B2 (ja) | 2000-09-26 | 2000-09-26 | 光半導体装置用樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002097252A true JP2002097252A (ja) | 2002-04-02 |
| JP3598963B2 JP3598963B2 (ja) | 2004-12-08 |
Family
ID=18775902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000293058A Expired - Fee Related JP3598963B2 (ja) | 2000-09-26 | 2000-09-26 | 光半導体装置用樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3598963B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006041143A (ja) * | 2004-07-27 | 2006-02-09 | Matsushita Electric Works Ltd | 光半導体装置 |
| JP2007201405A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-08-09 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光ダイオード装置 |
| US9502624B2 (en) | 2006-05-18 | 2016-11-22 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05175366A (ja) * | 1991-12-20 | 1993-07-13 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
| JPH07157541A (ja) * | 1993-12-10 | 1995-06-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光半導体封止用樹脂組成物 |
| JPH115824A (ja) * | 1997-06-17 | 1999-01-12 | Nippon Kayaku Co Ltd | フェノール樹脂、エポキシ樹脂組成物及びその硬化物 |
| JPH11130938A (ja) * | 1997-10-29 | 1999-05-18 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JPH11236489A (ja) * | 1998-02-23 | 1999-08-31 | Matsushita Electric Works Ltd | 封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置 |
| JP2000169677A (ja) * | 1998-12-04 | 2000-06-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2000239355A (ja) * | 1999-02-23 | 2000-09-05 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2001192532A (ja) * | 2000-01-11 | 2001-07-17 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
-
2000
- 2000-09-26 JP JP2000293058A patent/JP3598963B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05175366A (ja) * | 1991-12-20 | 1993-07-13 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
| JPH07157541A (ja) * | 1993-12-10 | 1995-06-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光半導体封止用樹脂組成物 |
| JPH115824A (ja) * | 1997-06-17 | 1999-01-12 | Nippon Kayaku Co Ltd | フェノール樹脂、エポキシ樹脂組成物及びその硬化物 |
| JPH11130938A (ja) * | 1997-10-29 | 1999-05-18 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JPH11236489A (ja) * | 1998-02-23 | 1999-08-31 | Matsushita Electric Works Ltd | 封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置 |
| JP2000169677A (ja) * | 1998-12-04 | 2000-06-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2000239355A (ja) * | 1999-02-23 | 2000-09-05 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2001192532A (ja) * | 2000-01-11 | 2001-07-17 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006041143A (ja) * | 2004-07-27 | 2006-02-09 | Matsushita Electric Works Ltd | 光半導体装置 |
| JP2007201405A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-08-09 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光ダイオード装置 |
| US9502624B2 (en) | 2006-05-18 | 2016-11-22 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
| US9634204B2 (en) | 2006-05-18 | 2017-04-25 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
| US9929318B2 (en) | 2006-05-18 | 2018-03-27 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
| US10263161B2 (en) | 2006-05-18 | 2019-04-16 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
| US10686102B2 (en) | 2006-05-18 | 2020-06-16 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
| US10971656B2 (en) | 2006-05-18 | 2021-04-06 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
| US11631790B2 (en) | 2006-05-18 | 2023-04-18 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3598963B2 (ja) | 2004-12-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW561177B (en) | Epoxy resin compositions and premolded semiconductor packages | |
| TW200812800A (en) | Semiconductor device encapsulated with resin composition | |
| JP2000017150A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2002212264A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 | |
| JP2002097252A (ja) | 光半導体装置用樹脂組成物及び光半導体装置 | |
| JPH09255852A (ja) | 封止材用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 | |
| JP4131330B2 (ja) | 光半導体装置 | |
| JP3359534B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2009176824A (ja) | モジュール基板、及びカメラモジュール | |
| JPH09169891A (ja) | 封止材用エポキシ樹脂組成物、その製造方法及び無機充填材 | |
| JP3982209B2 (ja) | 光半導体装置用樹脂組成物及び光半導体装置 | |
| JP2000022049A (ja) | 樹脂封止型半導体装置及び樹脂封止型半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JPH11106608A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JPH098178A (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 | |
| JP5226387B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置 | |
| JP2001226456A (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 | |
| JPH10182944A (ja) | 電子部品封止用樹脂組成物 | |
| JP2002322242A (ja) | 光半導体装置用樹脂組成物及び光半導体装置 | |
| JP3463615B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 | |
| JP2872828B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2005068330A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物 | |
| JP2002322345A (ja) | 光半導体装置用樹脂組成物及び光半導体装置 | |
| JPH09208807A (ja) | 封止材用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 | |
| JP2004155841A (ja) | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| KR20040071512A (ko) | 낮은 유전율을 갖는 반도체소자 봉지용 에폭시 수지조성물 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040428 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040511 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040712 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040824 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040906 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080924 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080924 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090924 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090924 Year of fee payment: 5 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090924 Year of fee payment: 5 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090924 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100924 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110924 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110924 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120924 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130924 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |