JP2002094463A - 半導体光増幅装置及びそれに用いる利得調整方法 - Google Patents
半導体光増幅装置及びそれに用いる利得調整方法Info
- Publication number
- JP2002094463A JP2002094463A JP2000284463A JP2000284463A JP2002094463A JP 2002094463 A JP2002094463 A JP 2002094463A JP 2000284463 A JP2000284463 A JP 2000284463A JP 2000284463 A JP2000284463 A JP 2000284463A JP 2002094463 A JP2002094463 A JP 2002094463A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor optical
- semiconductor
- amplifier
- optical
- optical amplifier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 装置の大型や高コスト化を招くことなく、構
成する半導体光増幅器の利得を常に一定に保つことが可
能な半導体光増幅装置を提供する。 【解決手段】 半導体光増幅器１１−１〜１１−（ｎ＋
１）は入力光信号を増幅するｎ個の半導体光増幅器１１
−１〜１１−ｎと一つのモニタ用半導体光増幅器１１−
（ｎ＋１）とから、１チップ毎に切離されることなく、
アレイ状に構成されている。光モニタ１２はモニタ用半
導体光増幅器１１−（ｎ＋１）から出力される自然放出
光の光パワーをモニタし、自動利得調整回路２は光モニ
タ１２からの自然放出光の光パワーが一定となるよう
に、モニタ用半導体光増幅器１１−（ｎ＋１）のバイア
ス電流を制御するとともに、ｎ個の半導体光増幅器１１
−１〜１１−ｎのバイアス電流を、モニタ用半導体光増
幅器１１−（ｎ＋１）と同じように制御する。
成する半導体光増幅器の利得を常に一定に保つことが可
能な半導体光増幅装置を提供する。 【解決手段】 半導体光増幅器１１−１〜１１−（ｎ＋
１）は入力光信号を増幅するｎ個の半導体光増幅器１１
−１〜１１−ｎと一つのモニタ用半導体光増幅器１１−
（ｎ＋１）とから、１チップ毎に切離されることなく、
アレイ状に構成されている。光モニタ１２はモニタ用半
導体光増幅器１１−（ｎ＋１）から出力される自然放出
光の光パワーをモニタし、自動利得調整回路２は光モニ
タ１２からの自然放出光の光パワーが一定となるよう
に、モニタ用半導体光増幅器１１−（ｎ＋１）のバイア
ス電流を制御するとともに、ｎ個の半導体光増幅器１１
−１〜１１−ｎのバイアス電流を、モニタ用半導体光増
幅器１１−（ｎ＋１）と同じように制御する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体光増幅装置及
びそれに用いる利得調整方法に関し、特に半導体レーザ
の利得機能を利用し、注入電流を発振しきい値以下にバ
イアスして外部からの入射光に対して増幅器として動作
させる半導体光増幅器の利得調整方法に関する。
びそれに用いる利得調整方法に関し、特に半導体レーザ
の利得機能を利用し、注入電流を発振しきい値以下にバ
イアスして外部からの入射光に対して増幅器として動作
させる半導体光増幅器の利得調整方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、種々の光通信・交換システムにお
いては、光増幅器が多く適用されている。このうち、半
導体光増幅器（ＳＯＡ：Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ
Ｏｐｔｉｃａｌ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）は半導体レーザ
の利得機能を利用し、注入電流を発振しきい値以下にバ
イアスし、外部からの入射光に対して増幅器として動作
させるものである。半導体光増幅器は小型、広い利得波
長帯域幅、高飽和出力、アレイ化／集積化が可能である
等の特徴を持ち、大規模な光交換システムへの応用が期
待されている。
いては、光増幅器が多く適用されている。このうち、半
導体光増幅器（ＳＯＡ：Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ
Ｏｐｔｉｃａｌ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）は半導体レーザ
の利得機能を利用し、注入電流を発振しきい値以下にバ
イアスし、外部からの入射光に対して増幅器として動作
させるものである。半導体光増幅器は小型、広い利得波
長帯域幅、高飽和出力、アレイ化／集積化が可能である
等の特徴を持ち、大規模な光交換システムへの応用が期
待されている。
【０００３】大規模な光交換システムにおいてはその内
部で各入力ポートの光のパワーが揃っていることが重要
になる。しかしながら、半導体光増幅器の利得は周囲の
温度、入射光の偏光状態等によって変化する。
部で各入力ポートの光のパワーが揃っていることが重要
になる。しかしながら、半導体光増幅器の利得は周囲の
温度、入射光の偏光状態等によって変化する。
【０００４】したがって、半導体光増幅器をシステム内
で用いる際には、半導体光増幅器の利得の安定化が不可
欠であり、システム内には多くの半導体光増幅器が用い
られるため、小型・安価である必要がある。
で用いる際には、半導体光増幅器の利得の安定化が不可
欠であり、システム内には多くの半導体光増幅器が用い
られるため、小型・安価である必要がある。
【０００５】上記の利得調整方法としては、特開昭５９
−１００４６号公報に記載されているように、一つの半
導体光増幅器に関して一つの光モニタと、ＡＧＣ（Ａｕ
ｔｏｍａｔｉｃ Ｇａｉｎ Ｃｏｎｔｏｒｏｌ：自動利
得調整）回路とを設ける方法がある。
−１００４６号公報に記載されているように、一つの半
導体光増幅器に関して一つの光モニタと、ＡＧＣ（Ａｕ
ｔｏｍａｔｉｃ Ｇａｉｎ Ｃｏｎｔｏｒｏｌ：自動利
得調整）回路とを設ける方法がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
光増幅器では、上記公報記載の方法の場合、光モニタと
ＡＧＣ回路とを設けているので. これが装置の大型や高
コスト化を招く原因となっている。
光増幅器では、上記公報記載の方法の場合、光モニタと
ＡＧＣ回路とを設けているので. これが装置の大型や高
コスト化を招く原因となっている。
【０００７】また、光モニタへの入力光を信号光から分
岐しているため、仮に一つの光モニタで複数の半導体光
増幅器を制御しようとすると、モニタしている信号光の
みに分岐による損失が生じ、光パワーを同じにすること
ができない。
岐しているため、仮に一つの光モニタで複数の半導体光
増幅器を制御しようとすると、モニタしている信号光の
みに分岐による損失が生じ、光パワーを同じにすること
ができない。
【０００８】そこで、本発明の目的は上記の問題点を解
消し、装置の大型や高コスト化を招くことなく、構成す
る半導体光増幅器の利得を常に一定に保つことができる
半導体光増幅装置及びそれに用いる利得調整方法を提供
することにある。
消し、装置の大型や高コスト化を招くことなく、構成す
る半導体光増幅器の利得を常に一定に保つことができる
半導体光増幅装置及びそれに用いる利得調整方法を提供
することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体光増
幅装置は、半導体レーザの利得機能を利用し、注入電流
を発振しきい値以下にバイアスして外部からの入射光に
対して増幅器として動作させる半導体光増幅器を用いる
半導体光増幅装置であって、アレイ状に配置して構成さ
れるｎ＋１個の半導体光増幅器と、前記ｎ＋１個の半導
体光増幅器のバイアス電流を一括制御する自動利得調整
回路とを備えている。
幅装置は、半導体レーザの利得機能を利用し、注入電流
を発振しきい値以下にバイアスして外部からの入射光に
対して増幅器として動作させる半導体光増幅器を用いる
半導体光増幅装置であって、アレイ状に配置して構成さ
れるｎ＋１個の半導体光増幅器と、前記ｎ＋１個の半導
体光増幅器のバイアス電流を一括制御する自動利得調整
回路とを備えている。
【００１０】本発明による半導体光増幅装置の利得調整
方法は、半導体レーザの利得機能を利用し、注入電流を
発振しきい値以下にバイアスして外部からの入射光に対
して増幅器として動作させる半導体光増幅器を用いる半
導体光増幅装置の利得調整方法であって、アレイ状に配
置して構成されるｎ＋１個の半導体光増幅器のバイアス
電流を一括制御するようにしている。
方法は、半導体レーザの利得機能を利用し、注入電流を
発振しきい値以下にバイアスして外部からの入射光に対
して増幅器として動作させる半導体光増幅器を用いる半
導体光増幅装置の利得調整方法であって、アレイ状に配
置して構成されるｎ＋１個の半導体光増幅器のバイアス
電流を一括制御するようにしている。
【００１１】すなわち、本発明の半導体光増幅装置は、
半導体光増幅器（ＳＯＡ：Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ
Ｏｐｔｉｃａｌ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）をアレイ状に
配置して構成され、そのうちの一つの半導体光増幅器の
自然放出光（ＡＳＥ：Ａｍｐｌｉｆｉｅｄ Ｓｐｏｎｔ
ａｎｅｏｕｓ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）の光パワーをモニタ
し、自動利得調整（ＡＧＣ：Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｇａ
ｉｎ Ｃｏｎｔｏｒｏｌ）回路でｎ＋１個の半導体光増
幅器のバイアス電流を一括制御している。これによっ
て、入力する光信号に対して一定の利得を提供すること
が可能となる。
半導体光増幅器（ＳＯＡ：Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ
Ｏｐｔｉｃａｌ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）をアレイ状に
配置して構成され、そのうちの一つの半導体光増幅器の
自然放出光（ＡＳＥ：Ａｍｐｌｉｆｉｅｄ Ｓｐｏｎｔ
ａｎｅｏｕｓ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）の光パワーをモニタ
し、自動利得調整（ＡＧＣ：Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｇａ
ｉｎ Ｃｏｎｔｏｒｏｌ）回路でｎ＋１個の半導体光増
幅器のバイアス電流を一括制御している。これによっ
て、入力する光信号に対して一定の利得を提供すること
が可能となる。
【００１２】具体的に、本発明の半導体光増幅装置で
は、ｎ＋１個の半導体光増幅器がアレイ状に配置されて
構成されており、その特性は均一である。光モニタは一
つのモニタ用半導体光増幅器に接続され、そのモニタ用
半導体光増幅器から出力される自然放出光の光パワーを
モニタする。自動利得調整回路は光モニタに接続され、
そのモニタ信号の光パワーが一定となるように、ｎ＋１
個の半導体光増幅器のバイアス電流を一括制御する。こ
れによって、装置の大型や高コスト化を招くことなく、
全ての半導体光増幅器の利得を常に一定に保つことが可
能になる。
は、ｎ＋１個の半導体光増幅器がアレイ状に配置されて
構成されており、その特性は均一である。光モニタは一
つのモニタ用半導体光増幅器に接続され、そのモニタ用
半導体光増幅器から出力される自然放出光の光パワーを
モニタする。自動利得調整回路は光モニタに接続され、
そのモニタ信号の光パワーが一定となるように、ｎ＋１
個の半導体光増幅器のバイアス電流を一括制御する。こ
れによって、装置の大型や高コスト化を招くことなく、
全ての半導体光増幅器の利得を常に一定に保つことが可
能になる。
【００１３】
【発明の実施の形態】次に、本発明の一実施例について
図面を参照して説明する。図１は本発明の一実施例によ
る半導体光増幅装置の構成を示すブロック図である。図
１において、本発明の一実施例による半導体光増幅装置
はアレイ状に配置されたｎ＋１個の半導体光増幅器（Ｓ
ＯＡ：Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｏｐｔｉｃａｌ
Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）１１−１〜１１−（ｎ＋１）と光
モニタ１２とからなるアレイＳＯＡ（半導体光増幅器）
１と、自動利得調整（ＡＧＣ：Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｇ
ａｉｎ Ｃｏｎｔｏｒｏｌ）回路２とから構成されてい
る。
図面を参照して説明する。図１は本発明の一実施例によ
る半導体光増幅装置の構成を示すブロック図である。図
１において、本発明の一実施例による半導体光増幅装置
はアレイ状に配置されたｎ＋１個の半導体光増幅器（Ｓ
ＯＡ：Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｏｐｔｉｃａｌ
Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）１１−１〜１１−（ｎ＋１）と光
モニタ１２とからなるアレイＳＯＡ（半導体光増幅器）
１と、自動利得調整（ＡＧＣ：Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｇ
ａｉｎ Ｃｏｎｔｏｒｏｌ）回路２とから構成されてい
る。
【００１４】ｎ＋１個の半導体光増幅器１１−１〜１１
−（ｎ＋１）は入力光信号を増幅するｎ個の半導体光増
幅器１１−１〜１１−ｎと一つのモニタ用半導体光増幅
器１１−（ｎ＋１）とから、１チップ毎に切離されるこ
となく、アレイ状に構成されている。
−（ｎ＋１）は入力光信号を増幅するｎ個の半導体光増
幅器１１−１〜１１−ｎと一つのモニタ用半導体光増幅
器１１−（ｎ＋１）とから、１チップ毎に切離されるこ
となく、アレイ状に構成されている。
【００１５】光モニタ１２はモニタ用半導体光増幅器１
１−（ｎ＋１）に接続され、モニタ用半導体光増幅器１
１−（ｎ＋１）から出力される自然放出光（ＡＳＥ：Ａ
ｍｐｌｉｆｉｅｄ Ｓｐｏｎｔａｎｅｏｕｓ Ｅｍｉｓ
ｓｉｏｎ）の光パワーをモニタする。自動利得調整回路
２は光モニタ１２からの自然放出光の光パワーが一定と
なるように、モニタ用半導体光増幅器１１−（ｎ＋１）
のバイアス電流を制御するとともに、ｎ個の半導体光増
幅器１１−１〜１１−ｎのバイアス電流をモニタ用半導
体光増幅器１１−（ｎ＋１）のバイアス電流と同じよう
に制御する。
１−（ｎ＋１）に接続され、モニタ用半導体光増幅器１
１−（ｎ＋１）から出力される自然放出光（ＡＳＥ：Ａ
ｍｐｌｉｆｉｅｄ Ｓｐｏｎｔａｎｅｏｕｓ Ｅｍｉｓ
ｓｉｏｎ）の光パワーをモニタする。自動利得調整回路
２は光モニタ１２からの自然放出光の光パワーが一定と
なるように、モニタ用半導体光増幅器１１−（ｎ＋１）
のバイアス電流を制御するとともに、ｎ個の半導体光増
幅器１１−１〜１１−ｎのバイアス電流をモニタ用半導
体光増幅器１１−（ｎ＋１）のバイアス電流と同じよう
に制御する。
【００１６】ｎ個の半導体光増幅器１１−１〜１１−ｎ
とモニタ用半導体光増幅器１１−（ｎ＋１）とは１チッ
プ毎に切離されてなく、アレイ状になっているので、そ
の特性は均一であり、半導体光増幅器の利得は自然放出
光の出力パワーに正比例している。そのため、光モニタ
１２によってモニタされたモニタ用半導体光増幅器１１
−（ｎ＋１）から出力される自然放出光の出力パワーを
モニタして一定にすることによって、半導体光増幅器の
利得を一定にすることができる。
とモニタ用半導体光増幅器１１−（ｎ＋１）とは１チッ
プ毎に切離されてなく、アレイ状になっているので、そ
の特性は均一であり、半導体光増幅器の利得は自然放出
光の出力パワーに正比例している。そのため、光モニタ
１２によってモニタされたモニタ用半導体光増幅器１１
−（ｎ＋１）から出力される自然放出光の出力パワーを
モニタして一定にすることによって、半導体光増幅器の
利得を一定にすることができる。
【００１７】光モニタ１２は、通常のＬＤ（Ｌａｓｅｒ
Ｄｉｏｄｅ）に用いられるモニタ用ＰＤ（Ｐｈｏｔｏ
Ｄｉｏｄｅ）と同様に、モノリシックに構成され、モ
ニタ用半導体光増幅器１１−（ｎ＋１）から出力される
自然放出光をモニタする。
Ｄｉｏｄｅ）に用いられるモニタ用ＰＤ（Ｐｈｏｔｏ
Ｄｉｏｄｅ）と同様に、モノリシックに構成され、モ
ニタ用半導体光増幅器１１−（ｎ＋１）から出力される
自然放出光をモニタする。
【００１８】自動利得調整回路２は光モニタ１２でモニ
タされた自然放出光の光パワーが一定になるように、モ
ニタ用半導体光増幅器１１−（ｎ＋１）のバイアス電流
を制御するとともに、他の半導体光増幅器１１−１〜１
１−ｎのバイアス電流もモニタ用半導体光増幅器１１−
（ｎ＋１）と同様に制御する。
タされた自然放出光の光パワーが一定になるように、モ
ニタ用半導体光増幅器１１−（ｎ＋１）のバイアス電流
を制御するとともに、他の半導体光増幅器１１−１〜１
１−ｎのバイアス電流もモニタ用半導体光増幅器１１−
（ｎ＋１）と同様に制御する。
【００１９】半導体光増幅器１１−１〜１１−（ｎ＋
１）の利得は温度等によって変化するが、半導体光増幅
器１１−１〜１１−（ｎ＋１）は１チップ毎に切離され
てなくアレイ状になっており、その特性が同じであるた
め、モニタ用半導体光増幅器１１−（ｎ＋１）から出力
される自然放出光の光パワーを光モニタ１２でモニタ
し、自動利得調整回路２で自然放出光の光パワーが一定
になるようにバイアス電流を制御することによって、モ
ニタ用半導体光増幅器１１−（ｎ＋１）の利得を一定に
するとともに、他の半導体光増幅器１１−１〜１１−ｎ
の利得を、同じように制御されたバイアス電流を入力す
ることによって一定とする。
１）の利得は温度等によって変化するが、半導体光増幅
器１１−１〜１１−（ｎ＋１）は１チップ毎に切離され
てなくアレイ状になっており、その特性が同じであるた
め、モニタ用半導体光増幅器１１−（ｎ＋１）から出力
される自然放出光の光パワーを光モニタ１２でモニタ
し、自動利得調整回路２で自然放出光の光パワーが一定
になるようにバイアス電流を制御することによって、モ
ニタ用半導体光増幅器１１−（ｎ＋１）の利得を一定に
するとともに、他の半導体光増幅器１１−１〜１１−ｎ
の利得を、同じように制御されたバイアス電流を入力す
ることによって一定とする。
【００２０】図２は本発明の一実施例による半導体光増
幅装置を用いた光交換システムのインラインアンプの構
成を示すブロック図である。この図２を参照して本発明
の一実施例による半導体光増幅装置を光交換システムの
インラインアンプとして利用した場合の動作について説
明する。
幅装置を用いた光交換システムのインラインアンプの構
成を示すブロック図である。この図２を参照して本発明
の一実施例による半導体光増幅装置を光交換システムの
インラインアンプとして利用した場合の動作について説
明する。
【００２１】光ＳＷ（スイッチ）３からの光パワーの揃
ったｎ個の入力信号光は半導体光増幅器１１−１〜１１
−ｎに入力されて増幅される。半導体光増幅器１１−１
〜１１−ｎ及びモニタ用半導体光増幅器１１−（ｎ＋
１）はアレイ状になっているため、その特性が均一であ
り、各光信号の利得は同じである。
ったｎ個の入力信号光は半導体光増幅器１１−１〜１１
−ｎに入力されて増幅される。半導体光増幅器１１−１
〜１１−ｎ及びモニタ用半導体光増幅器１１−（ｎ＋
１）はアレイ状になっているため、その特性が均一であ
り、各光信号の利得は同じである。
【００２２】しかしながら、半導体光増幅器１１−１〜
１１−ｎ及びモニタ用半導体光増幅器１１−（ｎ＋１）
の利得は温度等によって変化するので、アレイ状でかつ
特性が同じであるモニタ用半導体光増幅器１１−（ｎ＋
１）から出力される自然放出光の光パワーを光モニタ１
２でモニタし、自動利得調整回路２で自然放出光の光パ
ワーが一定になるようにバイアス電流を制御することに
よって、モニタ用半導体光増幅器１１−（ｎ＋１）の利
得を一定にするとともに、他の半導体光増幅器１１−１
〜１１−ｎの利得を、上記と同じように制御されたバイ
アス電流を入力させることによって一定とする。
１１−ｎ及びモニタ用半導体光増幅器１１−（ｎ＋１）
の利得は温度等によって変化するので、アレイ状でかつ
特性が同じであるモニタ用半導体光増幅器１１−（ｎ＋
１）から出力される自然放出光の光パワーを光モニタ１
２でモニタし、自動利得調整回路２で自然放出光の光パ
ワーが一定になるようにバイアス電流を制御することに
よって、モニタ用半導体光増幅器１１−（ｎ＋１）の利
得を一定にするとともに、他の半導体光増幅器１１−１
〜１１−ｎの利得を、上記と同じように制御されたバイ
アス電流を入力させることによって一定とする。
【００２３】上記のようにして、自動利得調整回路２か
らのバイアス電流によって制御される半導体光増幅器１
１−１〜１１−ｎ及びモニタ用半導体光増幅器１１−
（ｎ＋１）は温度等が変化しても、常に一定の利得が得
られる。したがって、半導体光増幅器１１−１〜１１−
ｎに入力された光パワーの揃ったｎ個の光信号は温度等
に左右されず、同じ利得を得て、常に一定のパワーで出
力されることとなる。
らのバイアス電流によって制御される半導体光増幅器１
１−１〜１１−ｎ及びモニタ用半導体光増幅器１１−
（ｎ＋１）は温度等が変化しても、常に一定の利得が得
られる。したがって、半導体光増幅器１１−１〜１１−
ｎに入力された光パワーの揃ったｎ個の光信号は温度等
に左右されず、同じ利得を得て、常に一定のパワーで出
力されることとなる。
【００２４】このように、ｎ個の半導体光増幅器１１−
１〜１１−ｎの出力光パワーを常に一定にすることがで
きる。したがって、温度等が変動しても全ての出力が同
じ光パワーであるため、光受信器側で光パワーのダウン
や急激な変動等によって、エラーが発生することはな
い。このため、光交換機への応用が期待される。
１〜１１−ｎの出力光パワーを常に一定にすることがで
きる。したがって、温度等が変動しても全ての出力が同
じ光パワーであるため、光受信器側で光パワーのダウン
や急激な変動等によって、エラーが発生することはな
い。このため、光交換機への応用が期待される。
【００２５】また、ｎ＋１個の半導体光増幅器１１−１
〜１１−（ｎ＋１）をアレイ状にしているため、半導体
光増幅器自体の特性のばらつきをなすことができる。こ
のため、一つの光モニタ１２でｎ＋１個の半導体光増幅
器１１−１〜１１−（ｎ＋１）の利得を一括制御するこ
とができる。
〜１１−（ｎ＋１）をアレイ状にしているため、半導体
光増幅器自体の特性のばらつきをなすことができる。こ
のため、一つの光モニタ１２でｎ＋１個の半導体光増幅
器１１−１〜１１−（ｎ＋１）の利得を一括制御するこ
とができる。
【００２６】さらに、一つの光モニタ１２でｎ＋１個の
半導体光増幅器１１−１〜１１−（ｎ＋１）の利得を一
括制御することができるので、大幅な小型化や低価格化
を図ることができる。
半導体光増幅器１１−１〜１１−（ｎ＋１）の利得を一
括制御することができるので、大幅な小型化や低価格化
を図ることができる。
【００２７】さらにまた、半導体光増幅器を用いている
ため、通常のＬＤとは異なり、インラインで光をモニタ
することができないが、モニタ用のチャネルを設けるこ
とで可能となる。これによって、光信号の出力を分岐す
る必要がなくなり、信号光の損失をなくすことができ
る。
ため、通常のＬＤとは異なり、インラインで光をモニタ
することができないが、モニタ用のチャネルを設けるこ
とで可能となる。これによって、光信号の出力を分岐す
る必要がなくなり、信号光の損失をなくすことができ
る。
【００２８】図３は本発明の他の実施例による半導体光
増幅装置の構成を示すブロック図である。図３におい
て、本発明の他の実施例による半導体光増幅装置は、ｎ
＋１個の半導体光増幅器１１−１〜１１−（ｎ＋１）と
自動利得調整回路２との間にゲート制御回路４−１〜４
−（ｎ＋１）を設けた以外は図１に示す本発明の一実施
例による半導体光増幅装置と同様の構成となっており、
同一構成要素には同一符号を付してある。
増幅装置の構成を示すブロック図である。図３におい
て、本発明の他の実施例による半導体光増幅装置は、ｎ
＋１個の半導体光増幅器１１−１〜１１−（ｎ＋１）と
自動利得調整回路２との間にゲート制御回路４−１〜４
−（ｎ＋１）を設けた以外は図１に示す本発明の一実施
例による半導体光増幅装置と同様の構成となっており、
同一構成要素には同一符号を付してある。
【００２９】本実施例では、ｎポートの光パワーの揃っ
た光入力信号が半導体光増幅器１１−１〜１１−ｎに入
力される。半導体光増幅器１１−１〜１１−ｎは任意の
光信号のみを通過させる光ゲート機能を有する。光ゲー
トのＯＮ／ＯＦＦ信号は自動利得調整回路２に接続され
たゲート制御回路４−１〜４−ｎによって、利得制御信
号とともに出力される。
た光入力信号が半導体光増幅器１１−１〜１１−ｎに入
力される。半導体光増幅器１１−１〜１１−ｎは任意の
光信号のみを通過させる光ゲート機能を有する。光ゲー
トのＯＮ／ＯＦＦ信号は自動利得調整回路２に接続され
たゲート制御回路４−１〜４−ｎによって、利得制御信
号とともに出力される。
【００３０】このため、異なるゲートをＯＮしてもその
出力パワーは一定である。これによって、半導体光増幅
器を光ゲートとして用いることで、一定のパワーを出力
する光スイッチとして利用することができるという新た
な効果を得られる。
出力パワーは一定である。これによって、半導体光増幅
器を光ゲートとして用いることで、一定のパワーを出力
する光スイッチとして利用することができるという新た
な効果を得られる。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体レーザの利得機能を利用し、注入電流を発振しきい
値以下にバイアスして外部からの入射光に対して増幅器
として動作させる半導体光増幅器を用いる半導体光増幅
装置において、アレイ状に配置して構成されるｎ＋１個
の半導体光増幅器のバイアス電流を一括制御することに
よって、装置の大型や高コスト化を招くことなく、構成
する半導体光増幅器の利得を常に一定に保つことができ
るという効果がある。
導体レーザの利得機能を利用し、注入電流を発振しきい
値以下にバイアスして外部からの入射光に対して増幅器
として動作させる半導体光増幅器を用いる半導体光増幅
装置において、アレイ状に配置して構成されるｎ＋１個
の半導体光増幅器のバイアス電流を一括制御することに
よって、装置の大型や高コスト化を招くことなく、構成
する半導体光増幅器の利得を常に一定に保つことができ
るという効果がある。
【図１】本発明の一実施例による半導体光増幅装置の構
成を示すブロック図である。
成を示すブロック図である。
【図２】本発明の一実施例による半導体光増幅装置を用
いた光交換システムのインラインアンプの構成を示すブ
ロック図である。
いた光交換システムのインラインアンプの構成を示すブ
ロック図である。
【図３】本発明の他の実施例による半導体光増幅装置の
構成を示すブロック図である。
構成を示すブロック図である。
１ アレイ半導体光増幅器 ２ 自動利得調整回路 ３ 光スイッチ ４−１〜４−（ｎ＋１） ゲート制御回路 １１−１〜１１−ｎ 半導体光増幅器 １１−（ｎ＋１） モニタ用半導体光増幅器 １２ 光モニタ
Claims (8)
- 【請求項１】 半導体レーザの利得機能を利用し、注入
電流を発振しきい値以下にバイアスして外部からの入射
光に対して増幅器として動作させる半導体光増幅器を用
いる半導体光増幅装置であって、アレイ状に配置して構
成されるｎ＋１個の半導体光増幅器と、前記ｎ＋１個の
半導体光増幅器のバイアス電流を一括制御する自動利得
調整回路とを有することを特徴とする半導体光増幅装
置。 - 【請求項２】 前記ｎ＋１個の半導体光増幅器のうちの
一つからの自然放出光の光パワーをモニタするモニタ手
段を含み、前記自動利得調整回路が前記モニタ手段でモ
ニタされる光パワーを基に前記ｎ＋１個の半導体光増幅
器のバイアス電流を一括制御するようにしたことを特徴
とする請求項１記載の半導体光増幅装置。 - 【請求項３】 前記ｎ＋１個の半導体光増幅器のうちの
一つを、前記モニタ手段によって前記自然放出光の光パ
ワーがモニタされるモニタ専用回路としたことを特徴と
する請求項２記載の半導体光増幅装置。 - 【請求項４】 前記半導体光増幅器を光ゲートとして用
いるようにしたことを特徴とする請求項１から請求項３
のいずれか記載の半導体光増幅装置。 - 【請求項５】 半導体レーザの利得機能を利用し、注入
電流を発振しきい値以下にバイアスして外部からの入射
光に対して増幅器として動作させる半導体光増幅器を用
いる半導体光増幅装置の利得調整方法であって、アレイ
状に配置して構成されるｎ＋１個の半導体光増幅器のバ
イアス電流を一括制御するようにしたことを特徴とする
利得調整方法。 - 【請求項６】 前記ｎ＋１個の半導体光増幅器のうちの
一つからの自然放出光の光パワーをモニタし、そのモニ
タされる光パワーを基に前記ｎ＋１個の半導体光増幅器
のバイアス電流を一括制御するようにしたことを特徴と
する請求項５記載の利得調整方法。 - 【請求項７】 前記ｎ＋１個の半導体光増幅器のうちの
一つを、前記自然放出光の光パワーがモニタされるモニ
タ専用回路としたことを特徴とする請求項６記載の利得
調整方法。 - 【請求項８】 前記半導体光増幅器を光ゲートとして用
いるようにしたことを特徴とする請求項５から請求項７
のいずれか記載の利得調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000284463A JP3606183B2 (ja) | 2000-09-20 | 2000-09-20 | 半導体光増幅装置及びそれに用いる利得調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000284463A JP3606183B2 (ja) | 2000-09-20 | 2000-09-20 | 半導体光増幅装置及びそれに用いる利得調整方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002094463A true JP2002094463A (ja) | 2002-03-29 |
| JP3606183B2 JP3606183B2 (ja) | 2005-01-05 |
Family
ID=18768668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000284463A Expired - Fee Related JP3606183B2 (ja) | 2000-09-20 | 2000-09-20 | 半導体光増幅装置及びそれに用いる利得調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3606183B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016100425A (ja) * | 2014-11-20 | 2016-05-30 | 富士通株式会社 | 光増幅装置 |
| CN110662979A (zh) * | 2017-05-23 | 2020-01-07 | 罗伯特·博世有限公司 | 用于发射辐射到周围环境中的发送单元 |
-
2000
- 2000-09-20 JP JP2000284463A patent/JP3606183B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016100425A (ja) * | 2014-11-20 | 2016-05-30 | 富士通株式会社 | 光増幅装置 |
| CN110662979A (zh) * | 2017-05-23 | 2020-01-07 | 罗伯特·博世有限公司 | 用于发射辐射到周围环境中的发送单元 |
| KR20200009060A (ko) * | 2017-05-23 | 2020-01-29 | 로베르트 보쉬 게엠베하 | 주변 환경 내로 방사선을 방출하기 위한 송신 유닛 |
| JP2020521139A (ja) * | 2017-05-23 | 2020-07-16 | ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツングＲｏｂｅｒｔ Ｂｏｓｃｈ Ｇｍｂｈ | 環境に放射線を放出するための送出ユニット |
| US11579261B2 (en) | 2017-05-23 | 2023-02-14 | Robert Bosch Gmbh | Transmitter unit for emitting radiation into a surrounding area |
| KR102555227B1 (ko) * | 2017-05-23 | 2023-07-14 | 로베르트 보쉬 게엠베하 | 주변 환경 내로 방사선을 방출하기 위한 송신 유닛 |
| CN110662979B (zh) * | 2017-05-23 | 2024-04-30 | 罗伯特·博世有限公司 | 用于发射辐射到周围环境中的发送单元 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3606183B2 (ja) | 2005-01-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20040062557A1 (en) | Optical receiver | |
| JP6608747B2 (ja) | 波長多重光受信装置及びその駆動方法 | |
| JP3757018B2 (ja) | 光増幅装置および光増幅装置の制御方法ならびに光増幅装置を用いた光伝送システム | |
| JPH10163972A (ja) | 光増幅媒体制御方法及び光増幅装置並びにそれを利用したシステム | |
| JP2008294462A (ja) | 低電力レーザドライバ | |
| US6606447B2 (en) | Optical attenuator including dual control loops | |
| US6661569B2 (en) | Semiconductor optical amplifier module with monitoring device | |
| JP2009043784A (ja) | レーザダイオード駆動回路およびレーザダイオード駆動方法 | |
| JP2001154160A (ja) | 光スイッチ | |
| JP2002094463A (ja) | 半導体光増幅装置及びそれに用いる利得調整方法 | |
| JPH10284789A (ja) | レーザダイオード駆動回路 | |
| US20090154506A1 (en) | Tunable laser module | |
| JP2002076481A (ja) | 光直接増幅器及びその制御方法 | |
| US6868235B2 (en) | Optical transmission module with light element temperature control | |
| US8837542B1 (en) | Laser diode driving apparatus for optical communication | |
| US6522675B1 (en) | Wavelength control circuit and wavelength control method of light emitting device | |
| JPH05267757A (ja) | ファイバ形光増幅器 | |
| JP2694803B2 (ja) | 光半導体レーザ装置の波長安定化方式 | |
| JPH06252486A (ja) | 光ファイバ増幅器 | |
| JP3033515B2 (ja) | 光ファイバ増幅器及びその駆動方法 | |
| JP2000292756A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3275866B2 (ja) | 半導体レーザ駆動装置及び半導体レーザ駆動方法 | |
| JPH0818136A (ja) | 光増幅器 | |
| JP2000305057A (ja) | 異種磁気光学型光減衰素子をカスケード接続した光減衰装置及び光伝送装置 | |
| JP2000261077A (ja) | 光回路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040614 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040622 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040712 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040914 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040927 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071015 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081015 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091015 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091015 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101015 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |