JP2002093655A - 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 - Google Patents
積層セラミックコンデンサおよびその製造方法Info
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- JP2002093655A JP2002093655A JP2000283314A JP2000283314A JP2002093655A JP 2002093655 A JP2002093655 A JP 2002093655A JP 2000283314 A JP2000283314 A JP 2000283314A JP 2000283314 A JP2000283314 A JP 2000283314A JP 2002093655 A JP2002093655 A JP 2002093655A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明の目的は、耐回路基板伸縮性ならびに耐
回路基板曲げ性に優れた、高信頼性の積層セラミックコ
ンデンサおよびその製造方法を提供することにある。 【解決手段】本発明の積層セラミックコンデンサは、複
数のセラミック層が積層されてなるセラミック積層体
と、それぞれの端縁がセラミック層の何れかの端面に露
出するようにセラミック層間に形成された複数の内部電
極と、露出した内部電極に電気的に接続されるように設
けられた端子電極とを備える積層セラミックコンデンサ
であって、端子電極は、導電成分と、Ｐｂを含まないＢ
−Ｓｉ−Ｂａ−Ｏ系結晶化ガラスフリットと、を含有す
る導電性ペーストが焼き付けされてなり、結晶化ガラス
フリットは、焼き付け時のピーク温度近傍で結晶化する
ことを特徴とする。
回路基板曲げ性に優れた、高信頼性の積層セラミックコ
ンデンサおよびその製造方法を提供することにある。 【解決手段】本発明の積層セラミックコンデンサは、複
数のセラミック層が積層されてなるセラミック積層体
と、それぞれの端縁がセラミック層の何れかの端面に露
出するようにセラミック層間に形成された複数の内部電
極と、露出した内部電極に電気的に接続されるように設
けられた端子電極とを備える積層セラミックコンデンサ
であって、端子電極は、導電成分と、Ｐｂを含まないＢ
−Ｓｉ−Ｂａ−Ｏ系結晶化ガラスフリットと、を含有す
る導電性ペーストが焼き付けされてなり、結晶化ガラス
フリットは、焼き付け時のピーク温度近傍で結晶化する
ことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、積層セラミックコ
ンデンサに関するもので、特に、回路基板等への実装時
に加わる熱衝撃による回路基板の収縮応力や回路基板に
加えられる外力による撓みに起因する応力に耐え得る機
械的強度を備える積層セラミックコンデンサおよびその
製造方法に関するものである。
ンデンサに関するもので、特に、回路基板等への実装時
に加わる熱衝撃による回路基板の収縮応力や回路基板に
加えられる外力による撓みに起因する応力に耐え得る機
械的強度を備える積層セラミックコンデンサおよびその
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の積層セラミックコンデン
サは、例えばセラミック積層体と、内部電極と、端子電
極と、めっき膜と、からなる。セラミック積層体は、例
えば厚さ数μｍ〜３０μｍの誘電体材料からなる生のセ
ラミック層が複数積層された生のセラミック積層体が焼
成されてなる。内部電極は、セラミック積層体内のセラ
ミック層間にあって、複数の生のセラミック層上に導電
性ペーストが印刷され、生のセラミック層とともに同時
焼成されてなり、内部電極のそれぞれの端縁は、上述の
セラミック層の何れかの端面に露出するように形成され
ている。端子電極は、セラミック積層体の端面に露出し
た内部電極の一端に接合されるように、導電性ペースト
がセラミック積層体の端面に塗布され焼き付けられてな
る。めっき膜は、例えば、ＳｎやＮｉ等の無電解めっき
や、はんだめっき等からなり、端子電極上に少なくとも
１層形成されてなる。
サは、例えばセラミック積層体と、内部電極と、端子電
極と、めっき膜と、からなる。セラミック積層体は、例
えば厚さ数μｍ〜３０μｍの誘電体材料からなる生のセ
ラミック層が複数積層された生のセラミック積層体が焼
成されてなる。内部電極は、セラミック積層体内のセラ
ミック層間にあって、複数の生のセラミック層上に導電
性ペーストが印刷され、生のセラミック層とともに同時
焼成されてなり、内部電極のそれぞれの端縁は、上述の
セラミック層の何れかの端面に露出するように形成され
ている。端子電極は、セラミック積層体の端面に露出し
た内部電極の一端に接合されるように、導電性ペースト
がセラミック積層体の端面に塗布され焼き付けられてな
る。めっき膜は、例えば、ＳｎやＮｉ等の無電解めっき
や、はんだめっき等からなり、端子電極上に少なくとも
１層形成されてなる。
【０００３】端子電極は、例えばＡｇ，Ｐｄ，Ａｇ−Ｐ
ｄ等の貴金属ならびにＣｕ，Ｎｉ等の卑金属を主成分と
する単体または合金粉末からなる導電成分と、ガラスフ
リットと、を含有する導電性ペーストからなり、内部電
極にＣｕやＮｉ等の卑金属を用いた積層セラミックコン
デンサの場合、材料の低価格や高導電性の観点から、端
子電極の導電成分としてＣｕが多く用いられる。端子電
極の導電成分としてＣｕを用いた場合、Ｃｕの酸化を抑
止するために、端子電極は還元性雰囲気で焼き付けされ
る必要があるが、この還元性雰囲気での焼き付けが可能
な導電性ペーストに用いられるガラスフリットとして
は、例えば実公昭５８−１４６００号公報においてＢａ
Ｏ系ガラスが提案されており、また特公平０４−１５６
０６号公報においてＺｎＯ系ガラスが提案されている。
ｄ等の貴金属ならびにＣｕ，Ｎｉ等の卑金属を主成分と
する単体または合金粉末からなる導電成分と、ガラスフ
リットと、を含有する導電性ペーストからなり、内部電
極にＣｕやＮｉ等の卑金属を用いた積層セラミックコン
デンサの場合、材料の低価格や高導電性の観点から、端
子電極の導電成分としてＣｕが多く用いられる。端子電
極の導電成分としてＣｕを用いた場合、Ｃｕの酸化を抑
止するために、端子電極は還元性雰囲気で焼き付けされ
る必要があるが、この還元性雰囲気での焼き付けが可能
な導電性ペーストに用いられるガラスフリットとして
は、例えば実公昭５８−１４６００号公報においてＢａ
Ｏ系ガラスが提案されており、また特公平０４−１５６
０６号公報においてＺｎＯ系ガラスが提案されている。
【０００４】このような積層セラミックコンデンサは、
回路基板やプリント配線基板に搭載され、基板上に形成
されたランドと積層セラミックコンデンサの端子電極と
が、はんだによって電気的かつ機械的に接合されて面実
装される。
回路基板やプリント配線基板に搭載され、基板上に形成
されたランドと積層セラミックコンデンサの端子電極と
が、はんだによって電気的かつ機械的に接合されて面実
装される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術によれば、周囲温度が急激に変化したり熱衝撃が加え
られた場合、回路基板の伸縮応力により積層セラミック
コンデンサの内部にクラックを生じ易い傾向があった。
また、積層セラミックコンデンサが回路基板上に実装さ
れているため、回路基板にかかる外力による撓みに起因
する応力が積層セラミックコンデンサに加わり易く、や
はり積層セラミックコンデンサの内部にクラックが生じ
易い傾向があった。
術によれば、周囲温度が急激に変化したり熱衝撃が加え
られた場合、回路基板の伸縮応力により積層セラミック
コンデンサの内部にクラックを生じ易い傾向があった。
また、積層セラミックコンデンサが回路基板上に実装さ
れているため、回路基板にかかる外力による撓みに起因
する応力が積層セラミックコンデンサに加わり易く、や
はり積層セラミックコンデンサの内部にクラックが生じ
易い傾向があった。
【０００６】したがって、上述のような耐回路基板伸縮
性や耐回路基板曲げ性は、実装した後の積層セラミック
コンデンサの信頼性を保証するための重要な特性である
が、従来のガラスフリット、すなわち実公昭５８−１４
６００号公報において提案されているＢａＯ系ガラスな
らびに特公平０４−１５６０６号公報において提案され
ているＺｎＯ系ガラスは、何れも還元性雰囲気での焼き
付けが可能であることにとどまり、積層セラミックコン
デンサの面実装に必要な耐回路基板伸縮性ならびに耐回
路基板曲げ性を示す端子電極の引張り強度ならびに撓み
強度が小さくなるという問題があった。
性や耐回路基板曲げ性は、実装した後の積層セラミック
コンデンサの信頼性を保証するための重要な特性である
が、従来のガラスフリット、すなわち実公昭５８−１４
６００号公報において提案されているＢａＯ系ガラスな
らびに特公平０４−１５６０６号公報において提案され
ているＺｎＯ系ガラスは、何れも還元性雰囲気での焼き
付けが可能であることにとどまり、積層セラミックコン
デンサの面実装に必要な耐回路基板伸縮性ならびに耐回
路基板曲げ性を示す端子電極の引張り強度ならびに撓み
強度が小さくなるという問題があった。
【０００７】また、環境問題を配慮してＰｂを含まない
電子部品への切り替えが地球規模で取り組まれており、
ガラスフリットについてもＰｂを含まない組成が求めら
れている。
電子部品への切り替えが地球規模で取り組まれており、
ガラスフリットについてもＰｂを含まない組成が求めら
れている。
【０００８】本発明の目的は、上述の問題点を解消すべ
くなされたもので、耐回路基板伸縮性ならびに耐回路基
板曲げ性に優れた、高信頼性の積層セラミックコンデン
サおよびその製造方法を提供することにある。
くなされたもので、耐回路基板伸縮性ならびに耐回路基
板曲げ性に優れた、高信頼性の積層セラミックコンデン
サおよびその製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の積層セラミックコンデンサは、複数のセ
ラミック層が積層されてなるセラミック積層体と、それ
ぞれの端縁がセラミック層の何れかの端面に露出するよ
うにセラミック層間に形成された複数の内部電極と、露
出した内部電極に電気的に接続されるように設けられた
端子電極とを備える積層セラミックコンデンサであっ
て、端子電極は、導電成分と、Ｐｂを含まないＢ−Ｓｉ
−Ｂａ−Ｏ系結晶化ガラスフリットと、を含有する導電
性ペーストが焼き付けされてなり、結晶化ガラスフリッ
トは、焼き付け時のピーク温度近傍で結晶化することを
特徴とする。
めに、本発明の積層セラミックコンデンサは、複数のセ
ラミック層が積層されてなるセラミック積層体と、それ
ぞれの端縁がセラミック層の何れかの端面に露出するよ
うにセラミック層間に形成された複数の内部電極と、露
出した内部電極に電気的に接続されるように設けられた
端子電極とを備える積層セラミックコンデンサであっ
て、端子電極は、導電成分と、Ｐｂを含まないＢ−Ｓｉ
−Ｂａ−Ｏ系結晶化ガラスフリットと、を含有する導電
性ペーストが焼き付けされてなり、結晶化ガラスフリッ
トは、焼き付け時のピーク温度近傍で結晶化することを
特徴とする。
【００１０】また、本発明の積層セラミックコンデンサ
の製造方法は、それぞれの端縁がセラミック層の何れか
の端面に露出するようにセラミック層間に形成された複
数の内部電極を備える、複数のセラミック層が積層され
てなるセラミック積層体の端面に、導電成分と、Ｐｂを
含まないＢ−Ｓｉ−Ｂａ−Ｏ系結晶化ガラスフリットを
含有してなる導電性ペーストを塗布し焼き付けして端子
電極を形成する工程を備え、焼き付け時のピーク温度近
傍で、結晶化ガラスフリットが結晶化することを特徴と
する。
の製造方法は、それぞれの端縁がセラミック層の何れか
の端面に露出するようにセラミック層間に形成された複
数の内部電極を備える、複数のセラミック層が積層され
てなるセラミック積層体の端面に、導電成分と、Ｐｂを
含まないＢ−Ｓｉ−Ｂａ−Ｏ系結晶化ガラスフリットを
含有してなる導電性ペーストを塗布し焼き付けして端子
電極を形成する工程を備え、焼き付け時のピーク温度近
傍で、結晶化ガラスフリットが結晶化することを特徴と
する。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の積層セラミックコンデン
サの端子電極形成に用いられる導電性ペーストに含有す
るガラスフリットは、Ｂ−Ｓｉ−Ｂａ−Ｏ系結晶化ガラ
スフリットを含み、この結晶化ガラスフリットは端子電
極の焼き付け形成時のピーク温度近傍で結晶化すること
を要する。すなわち、Ｂ−Ｓｉ−Ｂａ−Ｏ系結晶化ガラ
スは、端子電極の焼き付け時に電極塗膜内で結晶化が起
こり、ガラスの軟化による流動が抑制され電極塗膜内に
留まる。その結果、端子電極の焼き付け形成後の冷却時
における収縮が抑制され、セラミック積層体に与える残
留応力が小さくなる。この残留応力が小さくなった結果
として、積層セラミックコンデンサの回路基板実装時に
必要な耐回路基板伸縮性ならびに耐回路基板曲げ性が改
善される。また、Ｂ−Ｓｉ−Ｂａ−Ｏ系結晶化ガラスを
選択することによって、端子電極を還元性雰囲気ならび
に大気雰囲気中において焼き付け形成することができ、
加えて、セラミック積層体との界面部において、結晶化
していない非晶質部が流動し、セラミック積層体とのボ
ンディング機能も十分に得られる。
サの端子電極形成に用いられる導電性ペーストに含有す
るガラスフリットは、Ｂ−Ｓｉ−Ｂａ−Ｏ系結晶化ガラ
スフリットを含み、この結晶化ガラスフリットは端子電
極の焼き付け形成時のピーク温度近傍で結晶化すること
を要する。すなわち、Ｂ−Ｓｉ−Ｂａ−Ｏ系結晶化ガラ
スは、端子電極の焼き付け時に電極塗膜内で結晶化が起
こり、ガラスの軟化による流動が抑制され電極塗膜内に
留まる。その結果、端子電極の焼き付け形成後の冷却時
における収縮が抑制され、セラミック積層体に与える残
留応力が小さくなる。この残留応力が小さくなった結果
として、積層セラミックコンデンサの回路基板実装時に
必要な耐回路基板伸縮性ならびに耐回路基板曲げ性が改
善される。また、Ｂ−Ｓｉ−Ｂａ−Ｏ系結晶化ガラスを
選択することによって、端子電極を還元性雰囲気ならび
に大気雰囲気中において焼き付け形成することができ、
加えて、セラミック積層体との界面部において、結晶化
していない非晶質部が流動し、セラミック積層体とのボ
ンディング機能も十分に得られる。
【００１２】なお、導電成分は、特に限定はしないが、
例えばＡｇ，Ｐｄ，Ａｇ−Ｐｄ等の貴金属ならびにＣ
ｕ，Ｎｉ等の卑金属を主成分とする単体または合金粉末
を適宜用いることができる。
例えばＡｇ，Ｐｄ，Ａｇ−Ｐｄ等の貴金属ならびにＣ
ｕ，Ｎｉ等の卑金属を主成分とする単体または合金粉末
を適宜用いることができる。
【００１３】また、本発明における結晶化ガラスフリッ
トとは、製造時点では非晶質であるが、昇温し再び溶融
させたときに結晶化する性質を備えるガラスフリットを
言う。なお、結晶化するとは、結晶相が析出することに
より判断できるほか、高温時のガラスフリットの粘度が
ｌｏｇ10η＞９になることによっても判断できる。
トとは、製造時点では非晶質であるが、昇温し再び溶融
させたときに結晶化する性質を備えるガラスフリットを
言う。なお、結晶化するとは、結晶相が析出することに
より判断できるほか、高温時のガラスフリットの粘度が
ｌｏｇ10η＞９になることによっても判断できる。
【００１４】また、焼き付け時のピーク温度近傍で結晶
化するとは、焼き付け前時点では非晶質である結晶化ガ
ラスフリットが、焼き付け時に一定時間保持するピーク
温度近傍で結晶相を析出することを言う。
化するとは、焼き付け前時点では非晶質である結晶化ガ
ラスフリットが、焼き付け時に一定時間保持するピーク
温度近傍で結晶相を析出することを言う。
【００１５】本発明の積層セラミックコンデンサの一つ
の実施形態について、図１に基づいて詳細に説明する。
すなわち、積層セラミックコンデンサ１は、セラミック
積層体２と、内部電極３，３と、端子電極４，４と、め
っき膜５，５とから構成される。
の実施形態について、図１に基づいて詳細に説明する。
すなわち、積層セラミックコンデンサ１は、セラミック
積層体２と、内部電極３，３と、端子電極４，４と、め
っき膜５，５とから構成される。
【００１６】セラミック積層体２は、ＢａＴｉＯ3を主
成分とする誘電体材料からなるセラミック層２ａが複数
積層された生のセラミック積層体が焼成されてなる。
成分とする誘電体材料からなるセラミック層２ａが複数
積層された生のセラミック積層体が焼成されてなる。
【００１７】内部電極３，３は、セラミック積層体２内
のセラミック層２ａ間にあって、複数の生のセラミック
層２ａ上に導電性ペーストが印刷され、生のセラミック
層とともに積層されてなる生のセラミック積層体と同時
焼成されてなり、内部電極３，３のそれぞれの端縁は、
セラミック積層体２の何れかの端面に露出するように形
成されている。
のセラミック層２ａ間にあって、複数の生のセラミック
層２ａ上に導電性ペーストが印刷され、生のセラミック
層とともに積層されてなる生のセラミック積層体と同時
焼成されてなり、内部電極３，３のそれぞれの端縁は、
セラミック積層体２の何れかの端面に露出するように形
成されている。
【００１８】端子電極４，４は、セラミック積層体２の
端面に露出した内部電極３，３の一端と電気的かつ機械
的に接合されるように、Ｃｕを主成分とする導電成分
と、Ｐｂを含まないＢ−Ｓｉ−Ｂａ−Ｏ系結晶化ガラス
フリットとを含有する導電性ペーストがセラミック積層
体２の端面に塗布され焼き付けられてなる。
端面に露出した内部電極３，３の一端と電気的かつ機械
的に接合されるように、Ｃｕを主成分とする導電成分
と、Ｐｂを含まないＢ−Ｓｉ−Ｂａ−Ｏ系結晶化ガラス
フリットとを含有する導電性ペーストがセラミック積層
体２の端面に塗布され焼き付けられてなる。
【００１９】めっき膜５，５は、例えば、ＳｎやＮｉ等
の無電解めっきや、はんだめっき等からなり、端子電極
４，４上に少なくとも１層形成されてなる。
の無電解めっきや、はんだめっき等からなり、端子電極
４，４上に少なくとも１層形成されてなる。
【００２０】なお、本発明の積層セラミックコンデンサ
におけるセラミック積層体２の材料は、上述の実施形態
に限定されることなく、例えばＰｂＺｒＯ3等その他の
誘電体材料からなっても構わない。また、本発明の積層
セラミックコンデンサの内部電極３の枚数は、上述の実
施形態に限定されることなく、何層形成されていても構
わない。また、端子電極４，４の導電成分は、Ｃｕに限
定されることなく、例えばＡｇ，Ｐｄ，Ａｇ−Ｐｄ等の
貴金属ならびにＣｕ，Ｎｉ等の卑金属を主成分とする単
体または合金粉末を適宜用いることができる。また、め
っき膜５，５は、必ずしも備えている必要はなく、また
何層形成されていても構わない。
におけるセラミック積層体２の材料は、上述の実施形態
に限定されることなく、例えばＰｂＺｒＯ3等その他の
誘電体材料からなっても構わない。また、本発明の積層
セラミックコンデンサの内部電極３の枚数は、上述の実
施形態に限定されることなく、何層形成されていても構
わない。また、端子電極４，４の導電成分は、Ｃｕに限
定されることなく、例えばＡｇ，Ｐｄ，Ａｇ−Ｐｄ等の
貴金属ならびにＣｕ，Ｎｉ等の卑金属を主成分とする単
体または合金粉末を適宜用いることができる。また、め
っき膜５，５は、必ずしも備えている必要はなく、また
何層形成されていても構わない。
【００２１】
【実施例】本実施例において、定格電圧５０Ｖ，静電容
量１０ｎＦ，サイズ長さ２．００ｍｍ×幅１．２５ｍｍ
×厚さ０．６０ｍｍからなる本発明の積層セラミックコ
ンデンサを作製した。
量１０ｎＦ，サイズ長さ２．００ｍｍ×幅１．２５ｍｍ
×厚さ０．６０ｍｍからなる本発明の積層セラミックコ
ンデンサを作製した。
【００２２】まず、表１に示した組成比率となるように
各酸化物等の出発原料を調合し、これを１０００〜１２
００℃で溶融させた後、急冷してガラス化させ、これを
粗粉砕した後に微粉砕して、平均粒径が５μｍである試
料１〜８のガラスフリットを得た。
各酸化物等の出発原料を調合し、これを１０００〜１２
００℃で溶融させた後、急冷してガラス化させ、これを
粗粉砕した後に微粉砕して、平均粒径が５μｍである試
料１〜８のガラスフリットを得た。
【００２３】ここで、試料１と試料５のガラスフリット
について粘度曲線を図２に示す。従来の非晶質のＢ−Ｓ
ｉ−Ｂａ−Ｏ系非晶質ガラスである試料５のガラスフリ
ットは、温度の上昇に伴って粘度が低下するが、Ｂ−Ｓ
ｉ−Ｂａ−Ｏ系結晶化ガラスである試料１のガラスフリ
ットは、端子電極の焼き付け時のピーク温度近傍（８０
０℃前後）で粘度が大きく上昇し結晶化することが分か
る。なお、８００℃前後〜９２０℃前後の粘度は、測定
装置の測定限界（９Ｐａ・ｓ）を超えているため、図２
に示すことができなかった。
について粘度曲線を図２に示す。従来の非晶質のＢ−Ｓ
ｉ−Ｂａ−Ｏ系非晶質ガラスである試料５のガラスフリ
ットは、温度の上昇に伴って粘度が低下するが、Ｂ−Ｓ
ｉ−Ｂａ−Ｏ系結晶化ガラスである試料１のガラスフリ
ットは、端子電極の焼き付け時のピーク温度近傍（８０
０℃前後）で粘度が大きく上昇し結晶化することが分か
る。なお、８００℃前後〜９２０℃前後の粘度は、測定
装置の測定限界（９Ｐａ・ｓ）を超えているため、図２
に示すことができなかった。
【００２４】次いで、導電成分としてＣｕ粉末を７０重
量％と、試料１〜８のガラスフリットを４．５重量％
を、エチルセルロースとブチルカルビトールとテルピネ
オールとからなる有機ビヒクル２５．５重量％に混合さ
せて、三本ロールで混練・分散して、試料１〜８の導電
性ペーストを得た。
量％と、試料１〜８のガラスフリットを４．５重量％
を、エチルセルロースとブチルカルビトールとテルピネ
オールとからなる有機ビヒクル２５．５重量％に混合さ
せて、三本ロールで混練・分散して、試料１〜８の導電
性ペーストを得た。
【００２５】次いで、ＢａＴｉＯ3を主成分とするセラ
ミック層を準備し、所定枚数のセラミック層の表面上に
一方の端縁がセラミック層の何れかの端面側に露出する
ように、Ｎｉを導電成分とする内部電極形成用の導電性
ペーストを印刷して電極塗布膜を形成し、これら複数の
セラミック層を所定枚数積層し圧着して、複数の生のセ
ラミック素体を得た後、これを１３００℃で還元雰囲気
で焼成して、複数のセラミック積層体を得た。
ミック層を準備し、所定枚数のセラミック層の表面上に
一方の端縁がセラミック層の何れかの端面側に露出する
ように、Ｎｉを導電成分とする内部電極形成用の導電性
ペーストを印刷して電極塗布膜を形成し、これら複数の
セラミック層を所定枚数積層し圧着して、複数の生のセ
ラミック素体を得た後、これを１３００℃で還元雰囲気
で焼成して、複数のセラミック積層体を得た。
【００２６】次に、セラミック積層体の両端面に試料１
〜８の導電性ペーストを浸漬塗布し、導電成分のＣｕが
酸化しないように還元性雰囲気中で８００℃１０分ピー
クの条件で焼き付けして、内部電極に電気的かつ機械的
に接合された一対の端子電極を形成した。次に、この一
対の端子電極上にＮｉめっき膜を電解めっき処理により
形成し、さらにＮｉめっき膜上にＳｎめっき膜を電解め
っき処理により形成して、試料１〜８の積層セラミック
コンデンサを得た。
〜８の導電性ペーストを浸漬塗布し、導電成分のＣｕが
酸化しないように還元性雰囲気中で８００℃１０分ピー
クの条件で焼き付けして、内部電極に電気的かつ機械的
に接合された一対の端子電極を形成した。次に、この一
対の端子電極上にＮｉめっき膜を電解めっき処理により
形成し、さらにＮｉめっき膜上にＳｎめっき膜を電解め
っき処理により形成して、試料１〜８の積層セラミック
コンデンサを得た。
【００２７】そこで、試料１〜８の積層セラミックコン
デンサについて、引張り強度と撓み強度を測定し、これ
に評価を付して表１にまとめた。
デンサについて、引張り強度と撓み強度を測定し、これ
に評価を付して表１にまとめた。
【００２８】なお、引張り強度は、試料１〜８の積層セ
ラミックコンデンサの端子電極にＣｕ芯材Ｓｎメッキリ
ード線をＳｎ／Ｐｂ共晶はんだではんだ付けし、はんだ
付けされたリード線を１０ｍｍ／ｍｉｎの速度で引張
り、セラミック積層体と端子電極の界面の部分から破壊
が生じた時点の荷重とした。
ラミックコンデンサの端子電極にＣｕ芯材Ｓｎメッキリ
ード線をＳｎ／Ｐｂ共晶はんだではんだ付けし、はんだ
付けされたリード線を１０ｍｍ／ｍｉｎの速度で引張
り、セラミック積層体と端子電極の界面の部分から破壊
が生じた時点の荷重とした。
【００２９】また、撓み強度は、試料１〜８の積層セラ
ミックコンデンサをＥＩＡＪ評価法（ＪＩＳ−Ｃ６３０
２）に準拠して測定した。すなわち、撓み強度は、ラン
ドが形成された長さ１００ｍｍ×幅４０ｍｍ×厚さ１．
６ｍｍのガラスエポキシ基板の中央部に積層セラミック
コンデンサを搭載し、Ｓｎ／Ｐｂ共晶はんだを用いて面
実装した後、ガラスエポキシ基板の両端を支持した状態
で回路基板の下面中央部を押し棒によって押し上げ、回
路基板が撓み、面実装された積層セラミックコンデンサ
が破壊した時点における押し棒の移動距離とした。
ミックコンデンサをＥＩＡＪ評価法（ＪＩＳ−Ｃ６３０
２）に準拠して測定した。すなわち、撓み強度は、ラン
ドが形成された長さ１００ｍｍ×幅４０ｍｍ×厚さ１．
６ｍｍのガラスエポキシ基板の中央部に積層セラミック
コンデンサを搭載し、Ｓｎ／Ｐｂ共晶はんだを用いて面
実装した後、ガラスエポキシ基板の両端を支持した状態
で回路基板の下面中央部を押し棒によって押し上げ、回
路基板が撓み、面実装された積層セラミックコンデンサ
が破壊した時点における押し棒の移動距離とした。
【００３０】
【表１】
【００３１】表１から明らかであるように、Ｂ−Ｓｉ−
Ｂａ−Ｏ系結晶化ガラスフリットを含有する導電性ペー
ストを用いて端子電極を形成した試料１〜４の積層セラ
ミックコンデンサは、引張り強度が１１．０〜１２．６
Ｎで何れも１０Ｎ以上であり、撓み強度は３．３４〜
３．５１ｍｍであり、従来のＢ−Ｓｉ−Ｂａ−Ｏ系非晶
質ガラスあるいはＢ−Ｓｉ−Ｚｎ−Ｏ系非晶質ガラスを
含有する導電性ペーストを用いて端子電極を形成した試
料５〜８の積層セラミックコンデンサの引張り強度であ
る８．０〜１５．０Ｎと比較しても遜色のない強度を備
え、なおかつ撓み強度１．５３〜２．１６ｍｍと比較し
て１５４．６〜２２９．４％の強度改善が図られた。
Ｂａ−Ｏ系結晶化ガラスフリットを含有する導電性ペー
ストを用いて端子電極を形成した試料１〜４の積層セラ
ミックコンデンサは、引張り強度が１１．０〜１２．６
Ｎで何れも１０Ｎ以上であり、撓み強度は３．３４〜
３．５１ｍｍであり、従来のＢ−Ｓｉ−Ｂａ−Ｏ系非晶
質ガラスあるいはＢ−Ｓｉ−Ｚｎ−Ｏ系非晶質ガラスを
含有する導電性ペーストを用いて端子電極を形成した試
料５〜８の積層セラミックコンデンサの引張り強度であ
る８．０〜１５．０Ｎと比較しても遜色のない強度を備
え、なおかつ撓み強度１．５３〜２．１６ｍｍと比較し
て１５４．６〜２２９．４％の強度改善が図られた。
【００３２】
【発明の効果】以上のように本発明の積層セラミックコ
ンデンサは、複数のセラミック層が積層されてなるセラ
ミック積層体と、それぞれの端縁がセラミック層の何れ
かの端面に露出するようにセラミック層間に形成された
複数の内部電極と、露出した内部電極に電気的に接続さ
れるように設けられた端子電極とを備える積層セラミッ
クコンデンサであって、端子電極は、導電成分と、Ｐｂ
を含まないＢ−Ｓｉ−Ｂａ−Ｏ系結晶化ガラスフリット
と、を含有する導電性ペーストが焼き付けされてなり、
結晶化ガラスフリットは、焼き付け時のピーク温度近傍
で結晶化することを特徴とすることで、耐回路基板伸縮
性ならびに耐回路基板曲げ性に優れる効果が得られると
同時に、ガラスフリット中にＰｂを含有しないことか
ら、環境に優しいという付随的な効果が得られる。
ンデンサは、複数のセラミック層が積層されてなるセラ
ミック積層体と、それぞれの端縁がセラミック層の何れ
かの端面に露出するようにセラミック層間に形成された
複数の内部電極と、露出した内部電極に電気的に接続さ
れるように設けられた端子電極とを備える積層セラミッ
クコンデンサであって、端子電極は、導電成分と、Ｐｂ
を含まないＢ−Ｓｉ−Ｂａ−Ｏ系結晶化ガラスフリット
と、を含有する導電性ペーストが焼き付けされてなり、
結晶化ガラスフリットは、焼き付け時のピーク温度近傍
で結晶化することを特徴とすることで、耐回路基板伸縮
性ならびに耐回路基板曲げ性に優れる効果が得られると
同時に、ガラスフリット中にＰｂを含有しないことか
ら、環境に優しいという付随的な効果が得られる。
【図１】本発明に係る一つの実施の形態の積層セラミッ
クコンデンサの断面図である。
クコンデンサの断面図である。
【図２】非晶質ガラスと結晶化ガラスの、温度と粘度の
関係を示す粘度曲線グラフである。
関係を示す粘度曲線グラフである。
１ 積層セラミックコンデンサ ２ セラミック積層体 ２ａ セラミック層 ３ 内部電極 ４ 端子電極 ５ めっき膜
Claims (2)
- 【請求項１】 複数のセラミック層が積層されてなるセ
ラミック積層体と、それぞれの端縁が前記セラミック層
の何れかの端面に露出するように前記セラミック層間に
形成された複数の内部電極と、露出した前記内部電極に
電気的に接続されるように設けられた端子電極とを備え
る積層セラミックコンデンサであって、 前記端子電極は、導電成分と、Ｐｂを含まないＢ−Ｓｉ
−Ｂａ−Ｏ系結晶化ガラスフリットと、を含有する導電
性ペーストが焼き付けされてなり、 前記結晶化ガラスフリットは、前記焼き付け時のピーク
温度近傍で結晶化することを特徴とする、積層セラミッ
クコンデンサ。 - 【請求項２】 それぞれの端縁がセラミック層の何れか
の端面に露出するようにセラミック層間に形成された複
数の内部電極を備える、複数の前記セラミック層が積層
されてなるセラミック積層体の端面に、 導電成分と、Ｐｂを含まないＢ−Ｓｉ−Ｂａ−Ｏ系結晶
化ガラスフリットを含有してなる導電性ペーストを塗布
し焼き付けして端子電極を形成する工程を備え、 前記焼き付け時のピーク温度近傍で、前記結晶化ガラス
フリットが結晶化することを特徴とする、積層セラミッ
クコンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000283314A JP2002093655A (ja) | 2000-09-19 | 2000-09-19 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000283314A JP2002093655A (ja) | 2000-09-19 | 2000-09-19 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002093655A true JP2002093655A (ja) | 2002-03-29 |
Family
ID=18767696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000283314A Pending JP2002093655A (ja) | 2000-09-19 | 2000-09-19 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002093655A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008041786A (ja) * | 2006-08-03 | 2008-02-21 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミック電子部品 |
| US10903009B2 (en) | 2018-10-10 | 2021-01-26 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic electronic component |
-
2000
- 2000-09-19 JP JP2000283314A patent/JP2002093655A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008041786A (ja) * | 2006-08-03 | 2008-02-21 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミック電子部品 |
| US10903009B2 (en) | 2018-10-10 | 2021-01-26 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic electronic component |
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