JP2002093241A - 透明導電性減反射材、その製造方法及び電子画像表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】高い光透過率及び低い光反射率を有する優れた
透明性と、導電性とを兼ね備えた透明導電性減反射材、
その製造方法及び電子画像表示装置を提供すること。 【解決手段】透明基材に、無電解めっきによる金属薄層
で形成された(ａ)透明導電層と、(ｂ)減反射層とを備
え、該(ａ)透明導電層が、透明基材上等に形成されてお
り、且つ少なくとも(ａ)透明導電層、(ｂ)減反射層及び
透明基材を含む層が透明性を有する透明導電性減反射
材、その製造方法、該透明導電性減反射材を備えた電子
画像表示装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、良好な光透過性を
有する透明性及び低い反射率を兼ね備え、タッチパネ
ル、エレクトロルミネッセンス(ＥＬ)等の電子機器等に
おける減反射材、帯電防止材、電磁波シールド材等に利
用可能な透明導電性減反射材、その製造方法及びそれを
備えた電子画像表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、透明導電性膜は、その導電性と
透明性とを活かしてタッチパネルの電極、ＥＬ電極、電
磁波遮蔽膜等に用いられている。このような透明導電性
膜は、ガラスやポエチレンテレフタレート(ＰＥＴ)等の
透明基材の表面に、インジウム−錫酸化物(ＩＴＯ)等の
金属酸化物；パラジウム、金等の金属薄層の導電性物質
層を形成することにより製造されている。前記導電性物
質の薄層は、透明性を必要とするため金属酸化物や金属
を非常に薄く形成する必要があり、従来は、スパッタリ
ングや真空蒸着により製造されている。しかし、これら
従来法は、高真空環境下において行なう必要があるた
め、非常に大型の装置を要し、且つ生産性が悪い等の問
題がある。

【発明が解決しようとする課題】

【０００３】ところで、金属層を形成する方法として
は、スパッタリング、真空蒸着法の他に、電解めっき法
や無電解めっき法等が知られている。しかし、電解めっ
き法や無電解めっき法によって、透明性及び導電性を有
する金属薄層が形成しうることは知られていない。しか
も、電解めっき法や無電解めっき法により形成された金
属層と、スパッタリングや真空蒸着法により形成された
金属層とは、これらの形成方法における前処理の相違等
により、厳密には得られる金属層自体が異なる。加え
て、無電解めっきにより形成された透明性及び導電性を
有する金属薄膜に、光の反射を抑制する減反射膜を組合
せた透明導電性膜については従来知られていない。

【０００４】従って、本発明の第１の目的は、高い光透
過率及び低い光反射率を有する優れた透明性と、導電性
とを兼ね備えた透明導電性減反射材を提供することにあ
る。本発明の第２の目的は、高い光透過率及び低い光反
射率を有する優れた透明性と、導電性とを兼ね備えた透
明導電性減反射材を、容易に得ることができる透明導電
性減反射材の製造方法を提供することにある。本発明の
第３の目的は、高い光透過率及び低い光反射率を有する
優れた透明性と、導電性とを兼ね備えた透明導電性減反
射材を備えた電子画像表示装置を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決するために鋭意検討した結果、無電解めっき法に
おける前処理条件等を、形成する金属薄膜の種類等に応
じて適宜制御することによって、透明性及び導電性を有
する金属薄膜を、透明基材上に直接若しくは一層以上の
層を介して形成しうること、加えて、得られた無電解め
っき法による金属薄膜に、減反射層を組合せることによ
り、高い光透過率及び低い光反射率を有する優れた透明
性と、導電性とを兼ね備えた透明導電性減反射材が得ら
れることを見出し本発明を完成した。

【０００６】すなわち本発明によれば、透明基材の片面
もしくは両面に、無電解めっきによる金属薄層で形成さ
れた(ａ)透明導電層と、(ｂ)減反射層とを備え、該(ａ)
透明導電層が、透明基材上に直接もしくは一層以上の層
を介して形成されており、且つ少なくとも(ａ)透明導電
層、(ｂ)減反射層及び透明基材を含む層が透明性を有す
ることを特徴とする透明導電性減反射材が提供される。
また本発明によれば、上記透明導電性減反射材のうち
(ａ)透明導電層が、透明基材上に直接もしくは一層以上
の層を介して、該透明基材と(ｂ)減反射層との間に形成
されている透明導電性減反射材の製造方法であって、透
明基材の片面もしくは両面に、直接または一層以上の層
を介して、無電解めっきにより(ａ)透明導電層としての
金属薄層を、透明性を有する厚さに形成する工程(Ａ)
と、得られた(ａ)透明導電層上に直接もしくは一層以上
の層を介して減反射層用塗液をウェットコーティング
し、硬化させて(ｂ)減反射層を形成する工程(Ｂ)とを含
むことを特徴とする透明導電性減反射材の製造方法が提
供される。更に本発明によれば、上記透明導電性減反射
材を備えた電子画像表示装置が提供される。

【０００７】

【発明の実施の形態】本発明の透明導電性減反射材は、
透明基材の片面もしくは両面に、無電解めっきによる金
属薄層で形成された(ａ)透明導電層と、(ｂ)減反射層と
を備え、該(ａ)透明導電層が、透明基材上に直接もしく
は一層以上の層を介して形成されており、且つ少なくと
も(ａ)透明導電層、(ｂ)減反射層及び透明基材を含む層
が透明性を有する。ここで、透明基材及び(ａ)透明導電
層の透明とは、全光線透過率が５０％以上、好ましくは
７０％以上、より好ましくは８０％以上であり、さらに
好ましくは９０％以上であることをいう。また、少なく
とも(ａ)透明導電層、(ｂ)減反射層及び透明基材を含む
層が透明性を有するとは、これらを含む層の全光線透過
率が３０％以上、好ましくは４０％以上、より好ましく
は６０％以上であり、さらに好ましくは８０％以上であ
ることをいう。更に、少なくとも(ａ)透明導電層、(ｂ)
減反射層及び透明基材を含む層の光透過率は、５５０ｎ
ｍの光に対して３０％以上で、反射率が５５０ｎｍの光
に対して１０％以下であることが好ましい。前記全光線
透過率は、ヘイズメーター(「ＮＤＨ２０００」、日本
電色工業(株)社製)により測定した値であり、分光透過
率は、ＵＶスペクトル(「U−best 50」、日本分光社製)
により測定した値である。また前記反射率は、分光光度
計(「U−best 50」、日本分光社製)により、５°、−５
°正反射率を測定した値である。

【０００８】本発明において透明基材は、透明性を有し
ておれば、材質の種類、厚さ、大きさ、形状等は特に限
定されない。透明基材の材質としては、例えば、ＰＥ
Ｔ、ポリブチレンテレフタレート(ＰＢＴ)、ポリカーボ
ネート(ＰＣ)、ポリメタクリル酸メチル(ＰＭＭＡ)共重
合体、トリアセチルセルロース(ＴＡＣ)、ポリオレフィ
ン(ＰＯ)、ポリアミド(ＰＡ)、ポリ塩化ビニル(ＰＶ
Ｃ)、ポリアラミドシリコーン(ＰＡＳ)等が好ましく挙
げられる。入手性等の観点等から、ＴＡＣ、ＰＥＴが望
ましく挙げられる。透明基材の形状は、例えば、板状も
しくはフィルム状等が挙げられる。生産性、運搬性の点
からフィルム状が好ましい。透明基材の厚さは、例え
ば、フィルム上の場合、好ましくは１０〜５００μｍ、
より好ましくは５０〜３００μｍ、更に好ましくは７０
〜２００μｍである。透明基材の大きさは、生産性等か
ら５００ｍｍ以上、特に１０００ｍｍ以上が好ましい。

【０００９】本発明において無電解めっきによる金属薄
層で形成された(ａ)透明導電層を構成する金属として
は、無電解めっき法で析出し得る全ての金属が挙げられ
る。例えば、ニッケル(Ｎｉ)、コバルト(Ｃｏ)、銅(Ｃ
ｕ)、パラジウム(Ｐｄ)、銀(Ａｇ)、金(Ａｕ)又はこれ
らを基とする合金等が好ましく挙げられる。導電性ある
いは入手性等の観点から、より好ましくは、Ｎｉ、Ｃ
ｏ、Ｃｕ、Ａｇ等が挙げられる。(ａ)透明導電層の膜厚
は、通常１〜５０ｎｍ、好ましくは２〜４０ｎｍであ
る。該膜厚が１ｎｍ未満では十分な導電性が得られず、
また５０ｎｍを超えると十分な透明性が得られなくなり
好ましくない。

【００１０】本発明において(ｂ)減反射層は、前記(ａ)
透明導電層による光の反射を抑制して本発明の透明導電
性減反射材の光透過率を向上させる機能を有する層であ
る。(ｂ)減反射層は、単層もしくは多層のいずれでも良
い。その膜厚は、基材や(ｂ)減反射層の構成材料等によ
って異なるが、一層あたり可視光波長と同じ厚さもしく
はそれ以下の厚さが好ましい。減反射の性能から、減反
射層の膜厚は、可視光線の波長以下、特に１／４以下が
好ましい。(ｂ)減反射層の屈折率は、１．４〜２．０の
範囲が好ましい。１．４未満では減反射率効果が十分に
得られず、２．０を越える場合は、製造をウェットコー
トにより行なう適切な材料の選択が困難である。

【００１１】(ｂ)減反射層を構成する材料は、上記機能
を有するものであれば特に限定されず、例えば、酸化亜
鉛、酸化チタン、フッ化マグネシウム、酸化アルミニウ
ム、酸化シラン、酸化タンタル、酸化イットリウム、酸
化イッテルビウム、酸化ジルコニウム、酸化インジウム
錫、フッ化セリウム、酸化セリウム、フッ化ランタン、
フッ化マグネシウム等の無機物；酸化シラン、有機修飾
コロイダルシリカ等のシラン化合物；(メタ)アクリル酸
エステル多官能モノマー、含フッ素重合体等の有機物等
が挙げられる。これらの材料は、単独または混合物とし
て用いることができる。

【００１２】本発明の透明導電性減反射材は、上記透明
基材、(ａ)透明導電層及び(ｂ)減反射層を備えておれば
良いが、透明性が確保でき、且つ本発明の目的を損なわ
ない範囲で、また用途に応じて所望の効果を得るため
に、他の層を一層以上有していても良い。他の層は、特
に限定されず、適宜選択することができる。

【００１３】本発明の透明導電性減反射材において、各
層の配置は、上記透明基材の片面もしくは両面に、直接
もしくは一層以上の層を介して(ａ)透明導電層が形成さ
れておれば良い。好ましくは、該(ａ)透明導電層が、上
記透明基材の片面もしくは両面に、直接もしくは一層以
上の層を介して透明基材と(ｂ)減反射層との間に形成さ
れている構成が望ましい。(ｂ)減反射層は、通常、(ａ)
透明導電層上に直接もしくは１層以上の他の層を介して
その上に１層以上、好ましくは２層形成されるが、場合
によっては透明基材における(ａ)透明導電層が形成され
ない面側の透明基材面上に直接もしくは１層以上の他の
層を介して形成することもできる。従って、(ａ)透明導
電層又は(ｂ)減反射層は、透明基材の片面もしくは両面
にそれぞれ別個に又は両方が形成されていても良い。ま
た、(ｂ)減反射層は、使用する用途にもよるが、本発明
の透明導電性減反射材の両面が空気と接する構成で使用
する場合は、透明基材の両面に(ｂ)減反射層が形成され
ていることが望ましい。

【００１４】本発明の透明導電性減反射材を製造する方
法は特に限定されないが、以下の本発明の製造方法等に
より好ましく得ることができる。本発明の製造方法で
は、透明基材の片面もしくは両面に、直接または一層以
上の層を介して、無電解めっきにより(ａ)透明導電層と
しての金属薄層を、透明性を有する厚さに形成する工程
(Ａ)と、得られた(ａ)透明導電層上に直接もしくは一層
以上の層を介して減反射層用塗液をウェットコーティン
グし、硬化させて(ｂ)減反射層を形成する工程(Ｂ)とを
含む。本発明の製造方法では、前記工程(Ａ)及び工程
(Ｂ)以外に、他の層を形成する工程等の他の工程を必要
に応じて含んでいても良い。

【００１５】前記工程(Ａ)においては、例えば、透明基
材の片面もしくは両面等の(ａ)透明導電層を形成する基
材表面を、脱脂処理し、アルカリ性溶液を用いて粗面化
する。次いで、該粗面化された面を触媒化した後、無電
解めっきを施し、基材上へ(ａ)透明導電層を形成する。
ここで、(ａ)透明導電層を、透明性を有する厚さ、通常
１〜５０μｍに制御し、密着性良く形成するには、前処
理条件、無電解めっき浴の条件等に十分配慮して行うこ
とにより実施することができる。例えば、下記各条件等
の例示から適宜選択して行なうことができる。工程(Ａ)
の具体例としては、例えば、工程１(脱脂工程)：脱脂−
水洗、工程２：表面粗面化−水洗、工程３(活性化工
程)：活性化−水洗、工程４(触媒付与促進工程)：触媒
付与促進、工程５(触媒付与工程)：触媒付与−水洗、工
程６(反応促進工程)：反応促進−水洗、工程７(無電解
めっき工程)；無電解めっき−水洗、工程８；乾燥の工
程を順次行う方法等が挙げられる。

【００１６】上記具体例について更に詳細に説明する。
工程１の脱脂工程は、アルカリ性型、酸性型あるいはエ
マルション型の脱脂剤、例えば、市販品のメルテックス
(株)のクリーナー１６０、エンボンドＣＡ等を使用して
行なうことができる。脱脂剤の使用濃度は、通常３０〜
１００ｇ／Ｌであり、処理温度は３０〜９０℃、処理時
間は３〜１０分間が好ましい。

【００１７】工程２の表面粗面化工程は、例えば、水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、アン
モニア等のアルカリ類を用いて、好ましくは更に界面活
性剤を併用して行なうことができる。界面活性剤として
は、例えば、ナフタレンスルホン酸塩、アルキルベンゼ
ンスルホン酸塩等の陰イオン型界面活性剤；４級アンモ
ニウム型等の陽イオン型界面活性剤；ポリオキシエチレ
ン型等の非イオン型界面活性剤；ベタイン型等の両性界
面活性剤等が挙げられ、特に好ましくは、陽イオン界面
活性剤で、その中でも第４級アルキルアンモニウム型の
界面活性剤の使用が望ましい。使用濃度は、アルカリ類
が、通常１５０〜２５０ｇ／Ｌ、界面活性剤の濃度が、
通常０．１〜１０ｇ／Ｌであり、処理温度は５０〜９０
℃、処理時間は１〜３０分間が好ましい。

【００１８】工程３の活性化工程は、界面活性剤や不飽
和脂肪族炭化水素等の表面処理剤を用いて、表面処理し
て活性化させる。表面処理剤としては、例えば、メルテ
ックス(株)製のエンプレートプロモーター８４５、メル
プレートＰＣ−３２１等の市販品が挙げられる。表面処
理剤の使用濃度は、例えば、上記エンプレートプロモー
ター８４５の表面処理剤の場合、通常５〜２０ｍｌ／Ｌ
であり、処理温度は室温〜５０℃、処理時間は３０秒間
〜３分間が好ましい。

【００１９】工程４の触媒付与促進工程は、塩酸系や硫
酸系の酸性水溶液を用いて行なうことができる。酸性水
溶液としては、例えば、メルテックス(株)製のエンプレ
ートアクチベーター８５０アディティブ、エンプレート
アクチベーターＰＣ２３６アディティブ等の市販の予備
浸漬液等が挙げられる。酸性水溶液の使用濃度は、例え
ば、上記エンプレートアクチベーター８５０アディティ
ブの場合、通常１２０〜１８０ｇ／Ｌであり、３６％塩
酸の場合、通常２０〜４０ｍｌ／Ｌである。また処理温
度は０〜４０℃、処理時間は３０秒間〜３分間が好まし
い。

【００２０】工程５の触媒付与工程は、コロイド系、イ
オン系のパラジュウム触媒等の付与により行なうことが
できる。パラジウム触媒としては、例えば、メルテック
ス(株)製のエンプレートアクチベーター８５０、エンプ
レートアクチベーター４４４等の市販品が挙げられる。
また、上記パラジウム触媒は、メルテックス(株)製のエ
ンプレートアクチベーター８５０アディティブ、エンプ
レートＰＣ−２３６アディティブ、エンプレートアクチ
ベーター４４４アディティブ、塩酸、硫酸等の酸性物質
との併用が好ましい。パラジウム触媒の使用濃度は、例
えば、上記エンプレートアクチベーター８５０の場合、
通常１０〜７０ｍｌ／Ｌ、これにエンプレートアクチベ
ーター８５０アディティブを通常１２０〜１８０ｇ／Ｌ
と、３６％塩酸を通常２０〜４０ｍｌ／Ｌ併用する濃度
等が好ましい。また、処理温度は１５〜３５℃、処理時
間は２〜６分間が好ましい。

【００２１】工程６の反応促進工程は、フッ素系、塩酸
系あるいは硫酸系の酸性水溶液を用いて行なうことがで
きる。酸性水溶液としては、例えば、メルテックス(株)
製のエンプレートアクセレレーター８６０、エンプレー
トＰＡ−４８１、エンプレートＰＡ−３６０等の市販の
反応促進剤等が挙げられる。酸性水溶液の使用濃度は、
例えば、上記エンプレートアクセレレーター８６０の場
合、通常５０〜１５０ｍｌ／Ｌである。また、処理温度
は１０〜３５℃、処理時間は２〜６分間が好ましい。

【００２２】工程７の無電解めっき工程は、例えば、無
電解ニッケルめっき、無電解銅めっき、無電解コバルト
めっき又は無電解銀めっき浴等を用いて行なうことがで
きる。めっき浴としては、例えば、メルテックス(株)製
のエンプレートＮＩ−４２６、メルプレートＮＩ−８０
２、メルプレートＮＩ−５４０５等の市販品が挙げられ
る。めっき浴の使用濃度は、例えば、上記エンプレート
ＮＩ−４２６の場合、通常４２６Ａを８０〜１２０ｍｌ
／Ｌ、同４２６Ｂを１００ｍＬ／Ｌ、メルプレートＮＩ
−８０２の場合、通常８０２Ａを６０ｍｌ／Ｌ、同８０
２Ｂを８０〜１２０ｍｌ／Ｌ、同８０２Ｃを８０〜１２
０ｍｌ／Ｌ、メルプレートＮＩ−５４０５の場合、通常
５４０５Ａを６０ｍｌ／Ｌ、同５４０５Ｂを２００ｍｌ
／Ｌ使用する。また、処理温度は５０〜６５℃、特に６
０〜６５℃、処理時間は１〜３０秒間が好ましい。

【００２３】工程８の乾燥は、特に限定されないが、例
えば、好ましくは７０〜１２０℃、より好ましくは８０
〜１００℃で、１分間〜３時間程度の乾燥条件が挙げら
れる。

【００２４】上記各工程間においては、各処理後に、室
温程度の清浄水で、３０秒間〜１０分間程度の水洗を行
って処理溶液の除去を行うのが望ましい。また前記各工
程の処理槽をライン中に配置することにより、めっきに
よる金属薄膜層を連続的に形成させることもできる。

【００２５】本発明の製造方法において、上記低屈折率
を示す(ｂ)減反射層を形成するための工程(Ｂ)は、工程
(Ａ)で得られた(ａ)透明導電層上に直接もしくは一層以
上の層を介して減反射層用塗液をウェットコーティング
し、硬化させる工程である。この工程は、本発明の透明
導電性減反射材を製造する際に、例えば、透明基板上に
直接もしくは一層以上の層を介して(ｂ)減反射層を形成
させる場合にも応用することができる。また、本発明の
製造法以外の方法において、(ｂ)減反射層を形成する場
合には、例えば、蒸着法、スパッタ法等を採用すること
もできる。

【００２６】工程(Ｂ)において用いる減反射層用塗液
は、(ｂ)減反射層を形成しうるものであれば特に限定さ
れない。減反射層用塗液の塗膜成分としては、例えば、
酸化亜鉛、酸化チタン、フッ化マグネシウム、酸化アル
ミニウム、酸化シラン、酸化タンタル、酸化イットリウ
ム、酸化イッテルビウム、酸化ジルコニウム、酸化イン
ジウム錫、フッ化セリウム、酸化セリウム、フッ化ラン
タン、フッ化マグネシウム等の無機物；酸化シラン、有
機修飾コロイダルシリカ等のシラン化合物；(メタ)アク
リル酸エステル多官能モノマー、含フッ素重合体等の有
機物等が挙げられる。これらの塗膜成分は、単独または
混合物として用いることができる。減反射層用塗液に
は、必要により、例えば、無機充填剤、無機又は有機顔
料、ポリマー、重合開始剤、重合禁止剤、酸化防止剤、
分散剤、界面活性剤、光安定剤、光吸収剤、レベリング
剤等の添加剤等を配合することもできる。

【００２７】工程(Ｂ)において減反射層用塗液をウェッ
トコーティングするには、例えば、ロールコート法、ス
ピンコート法、ディップコート法等により所望厚さにな
るようにコーティングすることができる。ウェットコー
ティングの条件等は、目的に応じて適宜選択して行なう
ことができる。

【００２８】ウェットコーティングした減反射層用塗膜
の硬化は、塗膜の材料に応じて、例えば、熱や紫外線、
電子線等の活性エネルギー線照射等により硬化反応させ
ることによって行うことができる。より好ましくは、紫
外線硬化である。硬化条件は、塗膜の材料等に応じて適
宜選択することができる。

【００２９】本発明の電子画像表示装置は、本発明の透
明導電性減反射材を備えたものであれば良く、該透明導
電性減反射材は、例えば、電子画像表示装置の電磁波遮
蔽材、透明電極等に常法により設けて用いることができ
る。具体的には、例えば、電磁波遮蔽材に用いる場合、
透明導電性減反射材を、電子画像表示装置に適合する大
きさにして、樹脂板に貼り付けてもよいし、粘着剤等を
用いて、装置表面に密着させて設けることができる。ま
た、電子画像表示装置の透明電極等に用いる場合は、透
明導電性減反射材を、電子画像表示装置の必要個所に適
合する大きさに調整し、組み込む方法により設置するこ
とができる。

【００３０】

【発明の効果】本発明の透明導電性減反射材は、透明基
材と、無電解めっきによる金属薄層で形成された(ａ)透
明導電層と、(ｂ)減反射層とを備え、透明性を有するの
で、透明性、導電性、減反射性に優れ、電子画像表示装
置の材料等に有効である。本発明の製造方法では、透明
基材等に無電解めっきにより(ａ)透明導電層としての金
属薄層を、透明性を有する厚さに形成する工程(Ａ)と、
特定位置に、減反射層用塗液をウェットコーティング
し、硬化させて(ｂ)減反射層を形成する工程(Ｂ)とを含
むので、前記透明導電性減反射材を容易に、高い生産性
で製造することができる。本発明の電子画像表示装置
は、前記本発明の透明導電性材を備えるので、電子画像
表示部の光透過性及び導電性に優れ、また減反射能、帯
電防止能、電磁波シールド能等を得ることもできる。

【００３１】

【実施例】以下、実施例及び比較例により本発明を更に
詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。
尚、例中で行なった各試験方法及び評価方法を以下に示
す。 (１)めっき層の厚さの測定：別途試験片のめっき前後の
質量から、めっきされた金属薄膜の厚さを計算で求め、
実際の処理時間あたりの膜厚に換算して求めた。 (２)表面抵抗値の測定：抵抗率計(三菱化学(株)社製、
「Loresta MP MCP−T350」)により表面抵抗値を測定し
た。 (３)分光透過率：ＵＶスペクトル(「U−best 50」、日
本分光社製)により波長４００〜８００ｎｍで透過率を
測定した。 (４)全光線透過率：ヘイズメーター(「ＮＤＨ２００
０」、日本電色工業(株)社製)により透過率を測定し
た。 (５)分光反射率：分光光度計(「U−best 50」、日本分
光社製)により、５°、−５°正反射率を測定した。 (６)減反射層の屈折率：厚さ１８８μｍのＰＥＴフィル
ム(東洋紡績(株)製、商品名Ａ４１００)に、減反射層を
形成し、その最小反射率から以下の式(１)により求め
た。

【数１】

【００３２】実験例１−ａ〜１−ｆ ＰＥＴフィルム(東洋紡績(株)製、商品名「Ａ４１０
０」大きさ：縦×横×厚さ＝１００ｍｍ×１００ｍｍ×
１８８μｍ)の片面に、以下の無電解めっき処理の各工
程に従って、ニッケルめっき層を形成した。 ＜無電解めっき処理＞まず、６０ｇ／Ｌ濃度の商品名
「クリーナー１６０」(メルテックス(株)製)の浴(浴温
度６０℃)を５分間接触させ、上記フィルムの片面を脱
脂処理し、水洗した。次に、水酸化ナトリウムを濃度２
００ｇ／Ｌ及び界面活性剤を濃度１ｇ／Ｌで含む浴(浴
温度６０℃)で１０分間、表面粗面化処理を行ない、水
洗した。次に、１５ｍｌ／Ｌ濃度の商品名「エンプレー
トプロモーター８４５」(メルテックス(株)製)の浴(浴
温度２５℃)により１分間活性化処理を行ない、水洗し
た。次に、商品名「エンプレートアクチベーター８５０
アディティブ」(メルテックス(株)製)を濃度１５０ｇ／
Ｌ及び塩酸を濃度３０ｍｌ／Ｌで含む浴(浴温度２５℃)
で１分間、触媒付与促進処理を行なった。次に、商品名
「エンプレートアクチベーター８５０」(メルテックス
(株)製)を濃度１５ｍｌ／Ｌ、商品名「エンプレートア
クチベーター８５０アディティブ」(メルテックス(株)
製)を濃度１５０ｇ／Ｌ及び塩酸を濃度３０ｍｌ／Ｌで
含む浴(浴温度２５℃)で、５分間、触媒付与処理を行な
い、水洗した。次に、１００ｍｌ／Ｌ濃度の商品名「エ
ンプレートアクセレレーター８６０」(メルテックス
(株)製)の浴(浴温度２５℃)により３分間、反応促進処
理を行ない、水洗した。次に、商品名「エンプレートＮ
Ｉ−４２６Ａ」(メルテックス(株)製)を濃度１００ｍｌ
／Ｌ及び商品名「エンプレートＮＩ−４２６Ｂ」(メル
テックス(株)製)を濃度１００ｍｌ／Ｌで含むめっき浴
(浴温度６０℃)を用いて、実験例１−ａでは３０秒間、
実験例１−ｂでは６０秒間、実験例１−ｃでは９０秒
間、実験例１−ｄでは１２０秒間、実験例１−ｅでは１
５０秒間、実験例１−ｆでは１８０秒間、無電解めっき
を行ない、水洗した。最後に、１００℃で５分間乾燥
し、ニッケルめっき層を形成した。得られた各ニッケル
めっき層を設けた透明導電膜における、波長３１０ｎｍ
〜９００ｎｍの光線透過率(％)の関係を図１に示す。ま
た、上記無電解めっき処理時間と波長６００ｎｍにおけ
る分光透過率(％)との関係を図２に示す。更に、５５０
ｎｍの波長における分光透過率(％)及び形成したニッケ
ルめっき層の表面抵抗値を表１に示す。なお、図１及び
表１には、用いたＰＥＴフィルム自体の光線透過率を併
せて示す。

【００３３】

【表１】

【００３４】製造例１(減反射層用塗液(１)の調製) １，１０−ジアクリロイルオキシ−２，２，３，３，
４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９−オ
クタデカフルオロデカン８０質量部、テトラアクリル酸
テトラメチロールメタン(＝ペンタエリスリトールテト
ラアクリレート)２０質量部、ブチルアルコール９００
質量部、及び光重合開始剤としてＢＭＳ(商品名「KAYAC
URE BMS」、日本化薬社製)５質量部を混合し、減反射層
用塗液(１)を調製した。

【００３５】製造例２(減反射層用塗液(２)の調製) トリアクリル酸テトラメチロールメタン(＝ペンタエリ
スリトールトリアクリレート)２５質量部、シリカ微粒
子(日産化学(株)製、商品名「XBA−ST」)７５質量部、
ブチルアルコール９００質量部、及び光重合開始剤とし
て製造例１と同様なＢＭＳ ５質量部を混合し、減反射
層用塗液(２)を調製した。

【００３６】製造例３(減反射層用塗液(３)の調製) 平均粒径０．０５μｍのＩＴＯ微粒子１０％エタノール
分散液９００質量部、トリアクリル酸テトラメチロール
メタン１０質量部、ブチルアルコール９００質量部及び
重合開始剤として「イルガキュア９０７」(商品名、チ
バ・スペシャルティ・ケミカルズ社製)０．５質量部を
混合し、減反射層用塗液(３)を調製した。

【００３７】製造例４(減反射層用塗液(４)の調製) ＩＴＯに代えて、平均粒径０．０７μｍの酸化セリウム
微粒子１０％ＩＰＡ分散液を用いた以外は製造例３と同
様にして、減反射層用塗液(４)を調製した。

【００３８】製造例５(減反射層用塗液(５)の調製) アクリル酸ブチル６０質量部、アクリル酸ヘプタデカフ
ルオロデカン２４０質量部、アゾビスイソ酪酸ジメチル
１質量部、及びベンゾトリフルオリド３００質量部を脱
気ガラス封管に封入し、５０℃で２時間反応を行った。
反応物とベンゾトリフルオリド２４００質量部とを混合
し、減反射層用塗液(５)を調製した。

【００３９】実施例１−１〜１−４ ＰＥＴフィルム(東洋紡績(株)製、商品名「Ａ４１０
０」、大きさ：縦×横×厚さ＝１００ｍｍ×１００ｍｍ
×１８８μｍ)の片面に、実験例１−ａに示す無電解め
っき処理を行ない、フィルムの片面に、厚さ１０．５ｎ
ｍのニッケルめっき層を形成した。但し、無電解めっき
の時間は、実験例１−ａの３０秒間に代えて５秒間とし
た。次いで、ニッケルめっき層上に、製造例１〜４で調
製した減反射層用塗液(１)〜(４)を用いて以下の方法で
減反射層を形成し、透明導電製減反射膜を作製した。減
反射層の形成は、まず、ディップコーター(杉山元理化
学機器(株)製)により、減反射層用塗液(１)〜(４)をそ
れぞれニッケルめっき層上に、乾燥膜厚で最小反射率を
示す光の波長が５５０ｎｍ程度になるように塗布し、次
いで、紫外線照射装置(岩崎電気(株)製)により窒素雰囲
気下で１２０Ｗ高圧水銀灯を用いて４００ｍＪの紫外線
を照射して塗膜を硬化させることにより行なった。得ら
れたニッケルめっき層の表面抵抗値、減反射層の屈折
率、作製した透明導電性減反射膜の全光線透過率及び分
光反射率を測定した。結果を表２に示す。また、作製し
た透明導電性減反射膜の波長４００〜８００ｎｍにおけ
る分光透過率及び分光反射率のそれぞれの結果を図３〜
図１０に示す。なお、図３及び図７は実施例１−１で作
製した透明導電性減反射膜の分光透過率及び分光反射率
のそれぞれの結果、図４及び図８は実施例１−２で作製
した透明導電性減反射膜の分光透過率及び分光反射率の
それぞれの結果、図５及び図９は実施例１−３で作製し
た透明導電性減反射膜の分光透過率及び分光反射率のそ
れぞれの結果、図６及び図１０は実施例１−４で作製し
た透明導電性減反射膜の分光透過率及び分光反射率のそ
れぞれの結果である。

【００４０】比較例１ 実施例１−１で作製した、ニッケルめっき層を形成し、
減反射層を形成していない透明導電性膜を作製した。得
られた透明導電性膜について実施例１−１〜１−４と同
様に各測定を行なった。結果を表２、図１１及び図１２
に示す。なお、図１１及び図１２は、分光透過率及び分
光反射率のそれぞれの結果である。

【００４１】

【表２】

【００４２】実施例２−１ 無電解めっき処理における無電解めっきを以下のめっき
浴による条件で行ない、ニッケルめっき層の代わりにコ
バルトめっき層を形成した以外は、実施例１−４と同様
に透明導電性減反射膜を作製し、各測定を行なった。結
果を表３に示す。 ＜めっき浴とその条件＞硝酸コバルトを濃度０．１ｍｏ
ｌ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム・６水和物を濃度０．２
ｍｏｌ／Ｌ、クエン酸ナトリウム・１水和物を濃度０．
２ｍｏｌ／Ｌ及びホウ酸を濃度０．２ｍｏｌ／Ｌで含
む、ｐＨ８のめっき浴(浴温度９０℃)を用いて６０秒
間、無電解めっきを行ない、水洗した。

【００４３】実施例２−２ 無電解めっき処理における無電解めっきを以下のめっき
浴による条件で行ない、ニッケルめっき層の代わりに銅
めっき層を形成した以外は、実施例１−４と同様に透明
導電性減反射膜を作製し、各測定を行なった。結果を表
３に示す。 ＜めっき浴とその条件＞商品名「メルプレートＣＵ−３
９０Ａ」(メルテックス(株)製)を濃度８０ｍｌ／Ｌ、商
品名「メルプレートＣＵ−３９０Ｂ」(メルテックス
(株)製)を濃度８０ｍｌ／Ｌ及び商品名「メルプレート
ＣＵ−３９０Ｃ」(メルテックス(株)製)を濃度２０ｍｌ
／Ｌで含むめっき浴(浴温度２５℃)を用いて１０秒間、
無電解めっきを行ない、水洗した。

【００４４】

【表３】

【００４５】以上の結果より、実施例１−１〜１−４
は、比較例１に比べて、減反射層を透明導電層であるめ
っき層上に構成したので反射率が低減され、光線透過率
が向上していることがわかる。また実施例２−１及び２
−２では、Ｎｉ以外のＣｏ、Ｃｕの金属でも同様に無電
解めっきにより透明導電層が形成でき、減反射層を積層
することにより導電性と減反射性とを合わせ有する透明
導電性減反射膜が得られることがわかる。

【００４６】実施例３ 実施例１−１で作製した透明導電性減反射膜を接着層
で、ハンドローラーを用いて平面ＣＲＴディスプレイ表
面に直接貼り合せた。得られた平面ＣＲＴディスプレイ
の画像の見やすさを評価以下の基準で評価した。結果を
表４に示す。この実施例では画面表面の反射が抑えら
れ、非常に鮮明で見やすい画像が得られた。 ＜評価基準＞ ○：背景光の映り込みが少なく画像が鮮明に見える、
△：背景光の反射が認められる、×：反射が多く画面が
見づらい。

【００４７】比較例２ 比較例１で作製した透明導電性膜を接着層で、ハンドロ
ーラーを用いて平面ＣＲＴディスプレイ表面に直接貼り
合せた。得られた平面ＣＲＴディスプレイの画像の見や
すさを実施例３と同様な基準で評価した。結果を表４に
示す。この比較例では、減反射層を形成していないため
表面反射が大きく、貼り付けていない部分より見づらく
なった。また反射箇所が増えるため、より画面が不鮮明
であった。

【００４８】

【表４】

【図面の簡単な説明】

【図１】実験例１−ａ〜１−ｆにおいて作製した、めっ
き層を有する透明導電性膜の波長３１０ｎｍ〜９００ｎ
ｍにおける光線透過率(％)を示すグラフである。

【図２】実験例１−ａ〜１−ｆにおいて作製した、めっ
き層を有する透明導電性膜の波長６００ｎｍにおけるめ
っき時間と光線透過率との関係を表したグラフである。

【図３】実施例１−１で作製した透明導電性減反射膜の
光線透過率(％)を示すグラフである。

【図４】実施例１−２で作製した透明導電性減反射膜の
光線透過率(％)を示すグラフである。

【図５】実施例１−３で作製した透明導電性減反射膜の
光線透過率(％)を示すグラフである。

【図６】実施例１−４で作製した透明導電性減反射膜の
光線透過率(％)を示すグラフである。

【図７】実施例１−１で作製した透明導電性減反射膜の
光線反射率(％)を示すグラフである。

【図８】実施例１−２で作製した透明導電性減反射膜の
光線反射率(％)を示すグラフである。

【図９】実施例１−３で作製した透明導電性減反射膜の
光線反射率(％)を示すグラフである。

【図１０】実施例１−４で作製した透明導電性減反射膜
の光線反射率(％)を示すグラフである。

【図１１】比較例１で作製した透明導電性膜の光線透過
率(％)を示すグラフである。

【図１２】比較例１で作製した透明導電性膜の光線反射
率(％)を示すグラフである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ２３Ｃ 28/00 Ｃ２３Ｃ 28/00 Ａ Ｈ０１Ｂ 13/00 ５０３ Ｈ０１Ｂ 13/00 ５０３Ｂ (72)発明者 永倉 雅之 埼玉県大宮市吉野町２−３−１ メルテッ クス株式会社内 (72)発明者 岩沢 裕之 埼玉県大宮市吉野町２−３−１ メルテッ クス株式会社内 Ｆターム(参考） 4F100 AA17 AA20 AA28 AA33 AB01B AB01D AB01E AB15B AB15D AB16B AB16D AB17B AB17D AB24B AB24D AK25 AK42A AR00C AT00A BA03 BA04 BA05 BA06 BA07 BA10A BA10C BA10E BA13 CA30 EH462 EH71B EH71D EH712 EJ082 GB41 JA20A JD08 JG01 JG01B JG01D JG01E JG03 JM02B JM02D JN01 JN01A JN01B JN01C JN01D JN01E JN06 JN06B JN06C JN06D JN06E JN08 JN08B JN08C JN08D JN08E JN18C JN18E YY00A YY00B YY00C YY00D YY00E 4K022 AA16 AA43 BA01 BA06 BA08 BA14 BA31 CA02 CA06 CA07 DA01 DB29 EA04 4K044 AA16 AB05 BA06 BA21 BB03 BB15 BC09 BC14 CA15 CA53 5G307 FA02 FB02 FC08 FC09 5G323 BA01 BB06 BC03

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明基材の片面もしくは両面に、無電解
   めっきによる金属薄層で形成された(ａ)透明導電層と、
   (ｂ)減反射層とを備え、該(ａ)透明導電層が、透明基材
   上に直接もしくは一層以上の層を介して形成されてお
   り、且つ少なくとも(ａ)透明導電層、(ｂ)減反射層及び
   透明基材を含む層が透明性を有することを特徴とする透
   明導電性減反射材。
2. 【請求項２】 少なくとも(ａ)透明導電層、(ｂ)減反射
   層及び透明基材を含む層の光透過率が、５５０ｎｍの光
   に対して３０％以上、反射率が５５０ｎｍの光に対して
   １０％以下である請求項１記載の透明導電性減反射材。
3. 【請求項３】 (ａ)透明導電層が、透明基材上に直接も
   しくは一層以上の層を介して、該透明基材と(ｂ)減反射
   層との間に形成されていることを特徴とする請求項１又
   は２記載の透明導電性減反射材。
4. 【請求項４】 透明基材が、厚さ１０〜５００μｍのポ
   リエチレンテレフタレートフィルムであり、(ａ)透明導
   電層の厚さが１〜５０ｎｍである請求項１〜３のいずれ
   か１項記載の透明導電性減反射材。
5. 【請求項５】 無電解金属めっきが、無電解ニッケルめ
   っき、無電解銅めっき、無電解コバルトめっき又は無電
   解銀めっきである請求項１〜４のいずれか１項記載の透
   明導電性減反射材。
6. 【請求項６】 (ｂ)減反射層が、１層もしくは２層以上
   からなり、屈折率が１．４〜２．０である請求項１〜５
   のいづれか１項記載の透明導電性減反射材。
7. 【請求項７】 請求項３記載の透明導電性減反射材の製
   造方法であって、透明基材の片面もしくは両面に、直接
   または一層以上の層を介して、無電解めっきにより(ａ)
   透明導電層としての金属薄層を、透明性を有する厚さに
   形成する工程(Ａ)と、得られた(ａ)透明導電層上に直接
   もしくは一層以上の層を介して減反射層用塗液をウェッ
   トコーティングし、硬化させて(ｂ)減反射層を形成する
   工程(Ｂ)とを含むことを特徴とする透明導電性減反射材
   の製造方法。
8. 【請求項８】 請求項１〜６のいずれか１項記載の透明
   導電性減反射材を備えた電子画像表示装置。