JP2002083798A - 表面処理方法 - Google Patents
表面処理方法Info
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- JP2002083798A JP2002083798A JP2000276612A JP2000276612A JP2002083798A JP 2002083798 A JP2002083798 A JP 2002083798A JP 2000276612 A JP2000276612 A JP 2000276612A JP 2000276612 A JP2000276612 A JP 2000276612A JP 2002083798 A JP2002083798 A JP 2002083798A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明の目的は半導体などの表面処理におい
て、配線の高速化のため配線間絶縁膜として使用される
Ｌｏｗ−Ｋ膜の一種であるＳｉＯＣなどの炭素を含んだ
シリコン酸化膜とパターンを形成するマスクであるレジ
ストとのエッチング速度の比、すなわち選択比をＳｉＯ
Ｃの抜け性を維持した状態で、高くした表面処理方法を
提供することである。 【解決手段】プラズマを用いる表面処理方法で、エッチ
ングガスとして希ガスとフルオロカーボン系ガスの混合
ガスに添加ガスとしてＣＯを添加し、ＳｉＯＣにエッチ
ストップを発生さすこと無く、対マスク高選択比エッチ
ングを可能とする。 【効果】通常のシリコン酸化膜のエッチングガスに添加
ガスとしてＣＯを添加した。この効果により、できるだ
け高い選択比を保ちつつ抜け性を維持したままＳｉＯＣ
膜のエッチングが実現できる。
て、配線の高速化のため配線間絶縁膜として使用される
Ｌｏｗ−Ｋ膜の一種であるＳｉＯＣなどの炭素を含んだ
シリコン酸化膜とパターンを形成するマスクであるレジ
ストとのエッチング速度の比、すなわち選択比をＳｉＯ
Ｃの抜け性を維持した状態で、高くした表面処理方法を
提供することである。 【解決手段】プラズマを用いる表面処理方法で、エッチ
ングガスとして希ガスとフルオロカーボン系ガスの混合
ガスに添加ガスとしてＣＯを添加し、ＳｉＯＣにエッチ
ストップを発生さすこと無く、対マスク高選択比エッチ
ングを可能とする。 【効果】通常のシリコン酸化膜のエッチングガスに添加
ガスとしてＣＯを添加した。この効果により、できるだ
け高い選択比を保ちつつ抜け性を維持したままＳｉＯＣ
膜のエッチングが実現できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子の表面処
理装置及び方法にかかわり、特にプラズマを用いて半導
体表面のエッチングを行う方法に関する。
理装置及び方法にかかわり、特にプラズマを用いて半導
体表面のエッチングを行う方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子のエッチングや成膜に現在広
く用いられている装置は、プラズマを利用する装置であ
る。本発明はこのようなプラズマを利用した装置に広く
応用できるものであるが、ここではそのうちの一つであ
るＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）方式と呼ばれてい
る装置を例に取り従来技術を説明する。この方式では、
外部より磁場を印加した真空容器中でマイクロ波により
プラズマを発生させる。試料に入射するイオンを加速す
るために試料にはバイアス電圧が印加される。エッチン
グのほかに膜の堆積などにもこの装置は使われている。
く用いられている装置は、プラズマを利用する装置であ
る。本発明はこのようなプラズマを利用した装置に広く
応用できるものであるが、ここではそのうちの一つであ
るＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）方式と呼ばれてい
る装置を例に取り従来技術を説明する。この方式では、
外部より磁場を印加した真空容器中でマイクロ波により
プラズマを発生させる。試料に入射するイオンを加速す
るために試料にはバイアス電圧が印加される。エッチン
グのほかに膜の堆積などにもこの装置は使われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年の半導体素子で
は、高速，高集積化に伴い、配線の信号遅延の問題が重
要視されるようになってきている。このことから、配線
間容量を低減することを目的とし、低誘電率（Ｌｏｗ−
Ｋ）膜が層間絶縁膜として採用されつつある。そのＬｏ
ｗ−Ｋ材料の一つとしてシリコン酸化膜中に炭素を含ん
だＳｉＯＣ膜がある。本膜は酸化膜を加工する際に一般
的に使用するガス、Ｃ5Ｆ8等のフルオロカーボン系のガ
スと酸素及びアルゴン（希ガス）の混合ガスによりエッ
チングをおこなった場合、膜中に炭素を含むためエッチ
ングの途中でエッチングの進行が止まってしまう現象で
あるエッチストップ２１が発生し易い。そのため、エッ
チストップを防ぐために通常のシリコン酸化膜のエッチ
ングより多くの酸素が必要となる。その結果、ＳｉＯＣ
膜をエッチングする際にパターン形成のためのマスクと
なるレジストのエッチング速度の増加により削れ量２０
が増大し、ＳｉＯＣ膜とレジストとのエッチング速度の
比である選択比が低下してしまう問題がある。
は、高速，高集積化に伴い、配線の信号遅延の問題が重
要視されるようになってきている。このことから、配線
間容量を低減することを目的とし、低誘電率（Ｌｏｗ−
Ｋ）膜が層間絶縁膜として採用されつつある。そのＬｏ
ｗ−Ｋ材料の一つとしてシリコン酸化膜中に炭素を含ん
だＳｉＯＣ膜がある。本膜は酸化膜を加工する際に一般
的に使用するガス、Ｃ5Ｆ8等のフルオロカーボン系のガ
スと酸素及びアルゴン（希ガス）の混合ガスによりエッ
チングをおこなった場合、膜中に炭素を含むためエッチ
ングの途中でエッチングの進行が止まってしまう現象で
あるエッチストップ２１が発生し易い。そのため、エッ
チストップを防ぐために通常のシリコン酸化膜のエッチ
ングより多くの酸素が必要となる。その結果、ＳｉＯＣ
膜をエッチングする際にパターン形成のためのマスクと
なるレジストのエッチング速度の増加により削れ量２０
が増大し、ＳｉＯＣ膜とレジストとのエッチング速度の
比である選択比が低下してしまう問題がある。
【０００４】本発明の目的は、上記課題を解決して、Ｓ
ｉＯＣなどの有機シリコン酸化膜とレジストのエッチン
グ速度の比となる選択比をできるだけ高くし、且つエッ
チングの進行が途中で止まる現象であるエッチストップ
を発生させずにＳｉＯＣ膜を加工する表面処理方法を提
供することである。
ｉＯＣなどの有機シリコン酸化膜とレジストのエッチン
グ速度の比となる選択比をできるだけ高くし、且つエッ
チングの進行が途中で止まる現象であるエッチストップ
を発生させずにＳｉＯＣ膜を加工する表面処理方法を提
供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】希ガスとフルオロカーボ
ン系ガスの混合ガスに、添加ガスとして一酸化炭素を用
い、エッチストップを発生させずにマスク材であるレジ
ストとの選択比を高くした状態でエッチングすることが
できる。
ン系ガスの混合ガスに、添加ガスとして一酸化炭素を用
い、エッチストップを発生させずにマスク材であるレジ
ストとの選択比を高くした状態でエッチングすることが
できる。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の一実施例について説明す
る。
る。
【０００７】図１は、本発明を適用したプラズマエッチ
ング装置の模式図であり、電子サイクロトロン共鳴を応
用したプラズマ処理装置である。真空容器であるエッチ
ング室１の周囲に電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）用
磁場を発生するためにコイル２が設置されている。エッ
チング用ガスは、マスフローコントローラ３を介しガス
源に接続されたガス供給管４を通して供給され、直径が
０.４ないし０.５mm程度の微細な穴５が数１００個程度
設けられたシリコンあるいはガラス状炭素からなるガス
供給板６からエッチング室１に導入される。ガス供給板
６の上方にはＵＨＦ帯のマイクロ波を放射する円盤状の
アンテナ７が設けられ、アンテナ７へのマイクロ波は電
源８からマッチング回路９，導入軸１０を通して給電さ
れる。マイクロ波はアンテナ７の周囲から放射されると
ともに、アンテナ７の上方の空間での共振電界が誘電体
１１を通ってエッチング室内に導入される。マイクロ波
の周波数は、プラズマの電子温度を０.２５ｅＶ から１
ｅＶの低温度にできる帯域が選定されていて、３００Ｍ
Ｈｚから１ＧＨｚの範囲である。本実施例では４５０Ｍ
Ｈｚ付近の周波数帯を使用した。また、誘電体１１とし
ては、石英やアルミナが使用できるし、ポリイミドなど
の耐熱性ポリマーで誘電損失が小さいものが使用でき
る。
ング装置の模式図であり、電子サイクロトロン共鳴を応
用したプラズマ処理装置である。真空容器であるエッチ
ング室１の周囲に電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）用
磁場を発生するためにコイル２が設置されている。エッ
チング用ガスは、マスフローコントローラ３を介しガス
源に接続されたガス供給管４を通して供給され、直径が
０.４ないし０.５mm程度の微細な穴５が数１００個程度
設けられたシリコンあるいはガラス状炭素からなるガス
供給板６からエッチング室１に導入される。ガス供給板
６の上方にはＵＨＦ帯のマイクロ波を放射する円盤状の
アンテナ７が設けられ、アンテナ７へのマイクロ波は電
源８からマッチング回路９，導入軸１０を通して給電さ
れる。マイクロ波はアンテナ７の周囲から放射されると
ともに、アンテナ７の上方の空間での共振電界が誘電体
１１を通ってエッチング室内に導入される。マイクロ波
の周波数は、プラズマの電子温度を０.２５ｅＶ から１
ｅＶの低温度にできる帯域が選定されていて、３００Ｍ
Ｈｚから１ＧＨｚの範囲である。本実施例では４５０Ｍ
Ｈｚ付近の周波数帯を使用した。また、誘電体１１とし
ては、石英やアルミナが使用できるし、ポリイミドなど
の耐熱性ポリマーで誘電損失が小さいものが使用でき
る。
【０００８】ガス供給板６の下方にはウエハ載置電極１
２が設けられ、ウエハ１３が静電吸着により支持（静電
吸着用電源は図示せず）されている。ウエハ１３にプラ
ズマ中のイオンを引き込むため、高周波電源１４からウ
エハ載置電極１２に高周波バイアスが印加される。
２が設けられ、ウエハ１３が静電吸着により支持（静電
吸着用電源は図示せず）されている。ウエハ１３にプラ
ズマ中のイオンを引き込むため、高周波電源１４からウ
エハ載置電極１２に高周波バイアスが印加される。
【０００９】また、アンテナ７、およびエッチング室内
壁１５は温度調節されている。図示していない温度調節
器から冷媒を内壁１５に導入して温度調節され、内壁１
５は一定の温度に保持されている。本実施例では３０〜
８０℃に設定した。
壁１５は温度調節されている。図示していない温度調節
器から冷媒を内壁１５に導入して温度調節され、内壁１
５は一定の温度に保持されている。本実施例では３０〜
８０℃に設定した。
【００１０】エッチング室１に直結接続された真空室に
は、排気速度が２０００から30000Ｌ／ｓ程度のターボ
分子ポンプが設置されている。また、図には示していな
いが、ターボ分子ポンプの開口部には排気速度調整用の
コンダクタンスバルブが設置され、エッチングに適した
流量と圧力を達成するために排気速度が調節される。さ
らに、大気開放時などにターボ分子ポンプを隔離するた
めにストップバルブも設けられている。
は、排気速度が２０００から30000Ｌ／ｓ程度のターボ
分子ポンプが設置されている。また、図には示していな
いが、ターボ分子ポンプの開口部には排気速度調整用の
コンダクタンスバルブが設置され、エッチングに適した
流量と圧力を達成するために排気速度が調節される。さ
らに、大気開放時などにターボ分子ポンプを隔離するた
めにストップバルブも設けられている。
【００１１】次に、本発明のプラズマエッチング装置を
用いたＳｉＯＣエッチングの一実施例について説明す
る。
用いたＳｉＯＣエッチングの一実施例について説明す
る。
【００１２】高真空に排気された状態のエッチング室１
に、図には示していないが、搬送室から搬送アームによ
ってウエハが搬入され、ウエハ載置電極１２の上に受け
渡される。搬送アームが後退してエッチング室１と搬送
室間のバルブが閉じられた後、ウエハ載置電極１２が上
昇して、エッチングに適した位置で停止する。本一実施
例の場合は、ウエハ１３とガス導入板６との距離（電極
間距離）を３０mmから１００mmとした。
に、図には示していないが、搬送室から搬送アームによ
ってウエハが搬入され、ウエハ載置電極１２の上に受け
渡される。搬送アームが後退してエッチング室１と搬送
室間のバルブが閉じられた後、ウエハ載置電極１２が上
昇して、エッチングに適した位置で停止する。本一実施
例の場合は、ウエハ１３とガス導入板６との距離（電極
間距離）を３０mmから１００mmとした。
【００１３】エッチングガスとして、アルゴン，Ｃ
5Ｆ8，酸素の混合ガスを使用し、それぞれの流量１００
０，１５，４０sccmを導入した。ここに添加ガスとして
一酸化炭素（ＣＯ）を添加した。圧力は２Ｐａである。
ＵＨＦマイクロ波電源の出力を６００Ｗとし、ウエハへ
のバイアス電源１４の出力を２ｋＷとした。コイル２に
電流を印加し、ＵＨＦマイクロ波４５０ＭＨｚの共鳴磁
場０.０１６Ｔ をガス供給板６とウエハ載置電極１２
(すなわちウエハ１３)の間に発生させた。次にマイクロ
波電源８を動作させた。電子サイクロトロン共鳴によ
り、磁場強度0.016ＴのＥＣＲ領域に強いプラズマが発
生する。
5Ｆ8，酸素の混合ガスを使用し、それぞれの流量１００
０，１５，４０sccmを導入した。ここに添加ガスとして
一酸化炭素（ＣＯ）を添加した。圧力は２Ｐａである。
ＵＨＦマイクロ波電源の出力を６００Ｗとし、ウエハへ
のバイアス電源１４の出力を２ｋＷとした。コイル２に
電流を印加し、ＵＨＦマイクロ波４５０ＭＨｚの共鳴磁
場０.０１６Ｔ をガス供給板６とウエハ載置電極１２
(すなわちウエハ１３)の間に発生させた。次にマイクロ
波電源８を動作させた。電子サイクロトロン共鳴によ
り、磁場強度0.016ＴのＥＣＲ領域に強いプラズマが発
生する。
【００１４】エッチング特性の均一化を図る上で、ウエ
ハ１３の表面における入射イオン密度を均一にする必要
があるが、ＥＣＲ位置を磁場コイル２で自由に調節する
ことができるため、最適なイオン密度分布が得られる。
本一実施例では、ＥＣＲ領域の形状をウエハ１３側に凸
の状態とした。
ハ１３の表面における入射イオン密度を均一にする必要
があるが、ＥＣＲ位置を磁場コイル２で自由に調節する
ことができるため、最適なイオン密度分布が得られる。
本一実施例では、ＥＣＲ領域の形状をウエハ１３側に凸
の状態とした。
【００１５】プラズマが着火した後に、図には示してい
ないが、高周波電源１４に並列に接続された直流電源か
ら高電圧がウエハ載置電極１２に印加され、ウエハ１３
はウエハ載置電極１２に静電吸着される。静電吸着され
たウエハ１３の裏面にヘリウムガスが導入され、冷媒に
より温度調節されたウエハ載置電極１２のウエハ載置面
とウエハ間でヘリウムガスを介してウエハの温度調節が
行われる。
ないが、高周波電源１４に並列に接続された直流電源か
ら高電圧がウエハ載置電極１２に印加され、ウエハ１３
はウエハ載置電極１２に静電吸着される。静電吸着され
たウエハ１３の裏面にヘリウムガスが導入され、冷媒に
より温度調節されたウエハ載置電極１２のウエハ載置面
とウエハ間でヘリウムガスを介してウエハの温度調節が
行われる。
【００１６】次に、高周波電源１４を動作させ、ウエハ
載置電極１２に高周波バイアスを印加する。これによ
り、ウエハ１３にプラズマ中からイオンが垂直に入射す
る。バイアス電圧がウエハ１３に印加されると同時に、
エッチングが開始される。所定のエッチング時間でエッ
チングを終了する。あるいは、図示していないが、反応
生成物のプラズマ発光強度変化をモニターし、エッチン
グ終点を判定してエッチング終了時間を求め、適切なオ
ーバーエッチングを実施した後、エッチングを終了す
る。エッチングの終了は、高周波バイアス電圧の印加を
停止したときである。これと同時に、エッチングガスの
供給も停止する。
載置電極１２に高周波バイアスを印加する。これによ
り、ウエハ１３にプラズマ中からイオンが垂直に入射す
る。バイアス電圧がウエハ１３に印加されると同時に、
エッチングが開始される。所定のエッチング時間でエッ
チングを終了する。あるいは、図示していないが、反応
生成物のプラズマ発光強度変化をモニターし、エッチン
グ終点を判定してエッチング終了時間を求め、適切なオ
ーバーエッチングを実施した後、エッチングを終了す
る。エッチングの終了は、高周波バイアス電圧の印加を
停止したときである。これと同時に、エッチングガスの
供給も停止する。
【００１７】次に、静電吸着したウエハ１３をウエハ載
置電極１２から脱着する工程が必要であり、除電ガスと
してアルゴンや実際にエッチングに使用するガス種など
が使用される。静電吸着電圧の供給を停止して給電ライ
ンをアースに接続した後、マイクロ波の放電を維持しな
がら１０秒間程度の除電時間を設ける。これにより、ウ
エハ１３上の電荷がプラズマを介してアースに除去さ
れ、ウエハ１３が容易に脱着できるようになる。除電工
程が終了すると、除電ガスの供給停止とともにマイクロ
波の供給も停止される。さらには、コイル２への電流供
給も停止する。また、ウエハ載置電極１２の高さを、ウ
エハ受け渡し位置まで下降させる。
置電極１２から脱着する工程が必要であり、除電ガスと
してアルゴンや実際にエッチングに使用するガス種など
が使用される。静電吸着電圧の供給を停止して給電ライ
ンをアースに接続した後、マイクロ波の放電を維持しな
がら１０秒間程度の除電時間を設ける。これにより、ウ
エハ１３上の電荷がプラズマを介してアースに除去さ
れ、ウエハ１３が容易に脱着できるようになる。除電工
程が終了すると、除電ガスの供給停止とともにマイクロ
波の供給も停止される。さらには、コイル２への電流供
給も停止する。また、ウエハ載置電極１２の高さを、ウ
エハ受け渡し位置まで下降させる。
【００１８】この後しばらくの間、エッチング室１を高
真空まで排気する。高真空排気が完了した時点で、搬送
室間のバルブを開け、搬送アームを挿入してウエハ１３
を受け取り、搬出する。次のエッチングがある場合は、
新しいウエハを搬入し、再び上述の手順に従ってエッチ
ングが実施される。
真空まで排気する。高真空排気が完了した時点で、搬送
室間のバルブを開け、搬送アームを挿入してウエハ１３
を受け取り、搬出する。次のエッチングがある場合は、
新しいウエハを搬入し、再び上述の手順に従ってエッチ
ングが実施される。
【００１９】以上で、エッチング工程の代表的な流れを
説明した。
説明した。
【００２０】次に、添加ガスであるＣＯの添加効果につ
いて簡単に説明する。図２は、添加ガスの一例であるＣ
Ｏの添加量とマスク材であるレジストのエッチング速度
１６、及び被エッチング材であるＳｉＯＣの最大エッチ
ング量１７の関係を示す図である。添加ガスＣＯの増加
とともにレジストのエッチング速度は減少していくが、
逆に被エッチング材であるＳｉＯＣはエッチストップす
ることなくエッチングが進行するようになる。
いて簡単に説明する。図２は、添加ガスの一例であるＣ
Ｏの添加量とマスク材であるレジストのエッチング速度
１６、及び被エッチング材であるＳｉＯＣの最大エッチ
ング量１７の関係を示す図である。添加ガスＣＯの増加
とともにレジストのエッチング速度は減少していくが、
逆に被エッチング材であるＳｉＯＣはエッチストップす
ることなくエッチングが進行するようになる。
【００２１】本一実施例でのＣＯ添加量は、アルゴン，
Ｃ5Ｆ8，酸素流量１０００，１５，４０sccmの混合ガス
に対して０，１００，２００sccmと変化させた。この条
件でＣＯ添加量０（図３ｂ），１００（ｃ），２００
（ｄ）sccmと増加するに従い、図３のようにＳｉＯＣの
最大エッチ量も増加していき抜け性が増加するが、レジ
ストの削れ量は減少傾向となる。
Ｃ5Ｆ8，酸素流量１０００，１５，４０sccmの混合ガス
に対して０，１００，２００sccmと変化させた。この条
件でＣＯ添加量０（図３ｂ），１００（ｃ），２００
（ｄ）sccmと増加するに従い、図３のようにＳｉＯＣの
最大エッチ量も増加していき抜け性が増加するが、レジ
ストの削れ量は減少傾向となる。
【００２２】なお、本一実施例では、ＵＨＦ型ＥＣＲプ
ラズマエッチング装置を用いた場合を前提に説明した
が、他のプラズマ源でも何等問題はなく、ＵＨＦ型ＥＣ
Ｒプラズマエッチング装置に限定されるものではない。
したがって、マイクロ波以外の誘導型プラズマ装置でも
本発明を適用することができる。
ラズマエッチング装置を用いた場合を前提に説明した
が、他のプラズマ源でも何等問題はなく、ＵＨＦ型ＥＣ
Ｒプラズマエッチング装置に限定されるものではない。
したがって、マイクロ波以外の誘導型プラズマ装置でも
本発明を適用することができる。
【００２３】また、側壁の温度調節は冷媒による例を示
したが、本発明はこれに限定されるものではなく、水冷
や気体による強制冷却、あるいはヒーターの使用、赤外
線を使用するランプ加熱などでも良い。
したが、本発明はこれに限定されるものではなく、水冷
や気体による強制冷却、あるいはヒーターの使用、赤外
線を使用するランプ加熱などでも良い。
【００２４】以上のことにより、本発明では、一般的な
酸化膜エッチングガスとＣＯ添加ガスの効果でマスクで
あるレジストとの選択比を低下さすことなく、エッチス
トップが発生しにくくなる、すなわち抜け性が向上する
エッチングが可能となる。
酸化膜エッチングガスとＣＯ添加ガスの効果でマスクで
あるレジストとの選択比を低下さすことなく、エッチス
トップが発生しにくくなる、すなわち抜け性が向上する
エッチングが可能となる。
【００２５】
【発明の効果】以上のように本発明により、ＳｉＯＣな
どの有機シリコン酸化膜をマスクであるレジストに対し
て高い選択比で、なおかつ抜け性を維持したエッチング
ができる。
どの有機シリコン酸化膜をマスクであるレジストに対し
て高い選択比で、なおかつ抜け性を維持したエッチング
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適応する装置の全体構成図である。
【図２】堆積性ガスの添加量の違いによるレジストのエ
ッチング速度、及びＳｉＯＣ膜の最大エッチング量の関
係図である。
ッチング速度、及びＳｉＯＣ膜の最大エッチング量の関
係図である。
【図３】堆積性ガスの添加量の違いによるエッチング形
状の断面図である。
状の断面図である。
１…エッチング室、２…コイル、３…マスフローコント
ローラ、４…ガス供給管、５…ガス供給穴、６…ガス供
給板、７…アンテナ、８…マイクロ波電源、９…マッチ
ング回路、１０…高周波導入軸、１１…誘電体、１２…
ウエハ載置電極、１３…ウエハ、１４…高周波電源、１
５…エッチング室内壁、１６、１７…特性曲線、１８…
レジストマスク、１９…ＳｉＯＣ、２０…レジストの削
れ量、２１…エッチストップ。
ローラ、４…ガス供給管、５…ガス供給穴、６…ガス供
給板、７…アンテナ、８…マイクロ波電源、９…マッチ
ング回路、１０…高周波導入軸、１１…誘電体、１２…
ウエハ載置電極、１３…ウエハ、１４…高周波電源、１
５…エッチング室内壁、１６、１７…特性曲線、１８…
レジストマスク、１９…ＳｉＯＣ、２０…レジストの削
れ量、２１…エッチストップ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 剛 山口県下松市大字東豊井794番地 日立テ クノエンジニアリング株式会社笠戸事業所 内 (72)発明者 川原 博宣 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸事業所内 Ｆターム(参考） 5F004 AA05 BA14 BB11 BB22 CA09 CB02 DA00 DA23 DA26 DB00 EB03
Claims (6)
- 【請求項１】炭素を含むシリコン酸化膜（以下、有機シ
リコン酸化膜と呼ぶ）をプラズマエッチングする方法に
おいて、フルオロカーボン系ガスに炭素と酸素を構成元
素として含むガスを添加することを特徴とする表面処理
方法。 - 【請求項２】請求項１記載の表面処理方法において、フ
ルオロカーボン系ガスと炭素と酸素を構成元素として含
むガスの比率が１：２から１：２０の間であることを特
徴とする表面処理方法。 - 【請求項３】請求項１記載の表面処理方法において、炭
素と酸素を構成元素として含むガスが、ＣＯ，ＣＯ2 の
うち、どちらかであることを特徴とする表面処理方法。 - 【請求項４】請求項１記載の表面処理方法において、希
ガスを添加することを特徴とする表面処理方法。 - 【請求項５】請求項１記載の表面処理方法において、酸
素を添加することを特徴とする表面処理方法。 - 【請求項６】請求項１記載の表面処理方法において、処
理圧力が０.５ から６Ｐａであることを特徴とする表面
処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000276612A JP2002083798A (ja) | 2000-09-07 | 2000-09-07 | 表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000276612A JP2002083798A (ja) | 2000-09-07 | 2000-09-07 | 表面処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002083798A true JP2002083798A (ja) | 2002-03-22 |
Family
ID=18762045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000276612A Pending JP2002083798A (ja) | 2000-09-07 | 2000-09-07 | 表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002083798A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006278517A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
| JP2007142066A (ja) * | 2005-11-17 | 2007-06-07 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
| CN100365772C (zh) * | 2004-06-16 | 2008-01-30 | 东京毅力科创株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
| JP2009071142A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Seiko Epson Corp | 強誘電体メモリ装置の製造方法 |
-
2000
- 2000-09-07 JP JP2000276612A patent/JP2002083798A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100365772C (zh) * | 2004-06-16 | 2008-01-30 | 东京毅力科创株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
| JP2006278517A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
| JP2007142066A (ja) * | 2005-11-17 | 2007-06-07 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP4684866B2 (ja) * | 2005-11-17 | 2011-05-18 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2009071142A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Seiko Epson Corp | 強誘電体メモリ装置の製造方法 |
| US7799580B2 (en) | 2007-09-14 | 2010-09-21 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing ferroelectric memory device |
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