JP2002082051A - ポリカーボネートの成分測定方法と装置、およびポリカーボネートの製造方法と装置 - Google Patents

ポリカーボネートの成分測定方法と装置、およびポリカーボネートの製造方法と装置

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JP2002082051A
JP2002082051A JP2000272752A JP2000272752A JP2002082051A JP 2002082051 A JP2002082051 A JP 2002082051A JP 2000272752 A JP2000272752 A JP 2000272752A JP 2000272752 A JP2000272752 A JP 2000272752A JP 2002082051 A JP2002082051 A JP 2002082051A
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Shigeki Hirata
滋己 平田
Toru Sawaki
透 佐脇
Katsuji Sasaki
勝司 佐々木
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Teijin Ltd
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    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
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    • C08G64/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbonic ester link in the main chain of the macromolecule
    • C08G64/20—General preparatory processes
    • C08G64/30—General preparatory processes using carbonates
    • C08G64/307—General preparatory processes using carbonates and phenols
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ポリカーボネートを製造する工程において、
芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとの成分濃
度もしくは成分比を迅速でかつ効率的に測定し、調節す
ることができ、それによりバラツキの少ない良好な品質
を有するポリカーボネートが得られる技術を提供する。 【解決手段】 芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエス
テルとを含む混合物（Ａ）中の芳香族ジヒドロキシ化合
物と炭酸ジエステルとの少なくともいずれか一方の成分
濃度および／または成分比を近赤外線分光法を用いて測
定する成分測定方法であって、混合物（Ａ）の測定中の
温度変化が１０℃以下であり、混合物（Ａ）の測定点箇
所における混合物流の線速度が０．０１〜１０ｍ／ｓｅ
ｃであることを特徴とする成分測定方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、主に、芳香族ジ
ヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとをアルカリ金属化
合物またはアルカリ土類金属化合物を含む触媒の存在
下、溶融重縮合反応させることによりポリカーボネート
を製造する工程において、芳香族ジヒドロキシ化合物と
炭酸ジエステルとの成分濃度もしくは成分比を近赤外線
分光法を用いて調節および最適化することを特徴とする
ポリカーボネートの製造方法およびそれにより得られる
ポリカーボネートに関するものである。
【０００２】より詳しくは芳香族ジヒドロキシ化合物と
炭酸ジエステルとの成分濃度もしくは成分比を近赤外線
光（波長１１００〜２５００ｎｍ）に基づいて測定し調
節および最適化することを特徴とするポリカーボネート
の製造方法およびそれにより得られるポリカーボネート
に関するものである。
【０００３】なお、本願発明は特に上記の場合に優れた
効果を発揮するため、以下の説明においては、主に芳香
族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとをアルカリ金
属化合物またはアルカリ土類金属化合物を含む触媒の存
在下、溶融重縮合反応させることによりポリカーボネー
トを製造する工程における本願発明の実施態様について
説明するが、本願発明の範囲はこれに限られず、芳香族
ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとを含む混合物中
の芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとの少な
くともいずれか一方の成分濃度および／または成分比を
近赤外線分光法を用いて測定する成分測定方法としても
有用であり、またこの成分測定結果に基づき、芳香族ジ
ヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとの少なくともいず
れか一方の成分濃度および／または成分比を調節および
／または最適化する方法としても有用である。
【０００４】
【従来の技術】ポリカーボネートは、従来、ビスフェノ
ールＡ等の芳香族ジヒドロキシ化合物とホスゲンとをメ
チレンクロライド等の有機溶剤の存在下に直接重合させ
る方法（界面法）、あるいは、芳香族ジヒドロキシ化合
物と炭酸ジエステルとをエステル交換反応させる方法
（溶融重縮合法）によって製造されている。
【０００５】これらのうち、溶融重縮合法は、界面法と
比較して安価にポリカーボネートを製造することができ
るという利点を有するとともに、ホスゲン等の毒性物質
を用いないので、環境衛生上好ましい。
【０００６】ところで一般にエステル交換法（溶融重縮
合法）では、芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステ
ル等との成分比の調整を、工程安定化や得られるポリカ
ーボネートの品質を維持する上で非常に厳密に行う必要
がある。
【０００７】すなわち芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸
ジエステルとの成分比の調整が不十分であると、反応速
度が著しく変動し工程の安定化が維持できなかったり、
また末端基構造の著しく異なるポリカーボネートが生成
し耐熱安定性の低下を引き起こしたりするため好ましく
ない。
【０００８】２種以上の混合物における成分濃度もしく
は成分比を測定する方法としては幾つかのオンラインお
よびオフラインクロマトグラフィー装置が使用されるの
が一般的である。ところが既存のクロマトグラフィー分
析法では、単一成分の測定に１５分から約１時間もの長
時間を有し、また各々を測定する機器もしくは条件が異
なる場合には複数のクロマトグラフィー装置が必要であ
る。
【０００９】このような一連の手順により厳密な調節と
最適化に長時間を必要とするため、設備生産性の低下を
余儀なくされると共に、工程変動の対応に効果的に適用
できにくく、とくに連続生産工程においては実質上適用
できないのが実状である。
【００１０】そのため芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸
ジエステル等との成分濃度もしくは成分比を迅速でかつ
効率的に調節および最適化する手法を見つけるべく鋭意
努力を重ねた結果、近赤外線分光法で測定する方法を適
用することで既存のクロマトグラフィー装置に基づく問
題を解決しうることを見出し本願発明に至った。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本願発明は、芳香族ジ
ヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとをアルカリ金属化
合物またはアルカリ土類金属化合物を含む触媒の存在
下、溶融重縮合反応させることによりポリカーボネート
を製造する工程において、芳香族ジヒドロキシ化合物と
炭酸ジエステルとの成分濃度もしくは成分比を近赤外線
分光法を用いて測定、調節および最適化することを特徴
とするポリカーボネートの成分測定方法と装置、および
ポリカーボネートの製造方法と装置に関するものであ
る。
【００１２】より詳しくは芳香族ジヒドロキシ化合物と
炭酸ジエステルとの成分濃度を透過した近赤外線光（波
長１１００〜２５００ｎｍ）に基づいて測定することを
特徴とするポリカーボネートの成分測定方法と装置、お
よびポリカーボネートの製造方法と装置に関するもので
ある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】すなわち、本願発明は次
の通りである。
【００１４】１． 芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジ
エステルとを含む混合物（Ａ）中の芳香族ジヒドロキシ
化合物と炭酸ジエステルとの少なくともいずれか一方の
成分濃度および／または成分比を近赤外線分光法を用い
て測定する成分測定方法であって、混合物（Ａ）の測定
中の温度変化が１０℃以下であり、混合物（Ａ）の測定
点箇所における混合物流の線速度が０．０１〜１０ｍ／
ｓｅｃであることを特徴とする成分測定方法。
【００１５】２． 混合物を近赤外線分光法で測定する
際に使用する波長が、少なくとも１６００ｎｍ〜１９０
０ｎｍ帯域にあり、混合物を近赤外線分光法で測定する
際の測定値を多重回帰解析または部分最小二乗解析する
ことにより、成分濃度および／または成分比を決定する
ことを特徴とする上記１に記載の成分測定方法。
【００１６】３． 近赤外線分光法で測定に使用する波
長が、複数であることを特徴とする上記１または２に記
載の成分測定方法。
【００１７】４． 測定が連続的に行われることを特徴
とする上記１〜３のいずれかに記載の成分測定方法。
【００１８】５． 芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジ
エステルとをアルカリ金属化合物またはアルカリ土類金
属化合物を含む触媒の存在下、溶融重縮合反応させるこ
とによりポリカーボネートを製造する方法において、上
記１〜４のいずれかに記載された成分測定方法により成
分を測定する工程を含むことを特徴とするポリカーボネ
ートの製造方法。
【００１９】６． 成分を測定する工程が、重合反応槽
または反応混合物の移送配管にあることを特徴とする上
記５に記載のポリカーボネートの製造方法。
【００２０】７． 成分の測定結果に基づき、芳香族ジ
ヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとの少なくともいず
れか一方の成分濃度および／または成分比を調節および
／または最適化することを特徴とする上記５〜６のいず
れかに記載のポリカーボネートの製造方法。
【００２１】８． 芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジ
エステルとの成分比を炭酸ジエステル／芳香族ジヒドロ
キシ化合物（モル比）＝１．０〜１．１に調節すること
を特徴とする請求項７に記載のポリカーボネートの製造
方法。
【００２２】９． 成分を測定する工程における芳香族
ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとの成分比（モル
比）の変動が所定の成分比（モル比）に対し±０．５％
の範囲内にあることを特徴とする上記７または８に記載
のポリカーボネートの製造方法。
【００２３】１０． 芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸
ジエステルとを含む混合物中の芳香族ジヒドロキシ化合
物と炭酸ジエステルとの少なくともいずれか一方の成分
濃度および／または成分比を測定するための近赤外線分
光測定装置であって、混合物（Ａ）の測定中の温度変化
が１０℃以下であり、混合物（Ａ）の測定点箇所におけ
る混合物流の線速度が０．０１〜１０ｍ／ｓｅｃである
ようになしたことを特徴とする成分測定装置。
【００２４】１１． 上記１０に係る成分測定装置を備
えたポリカーボネート製造装置。
【００２５】本願発明に係るポリカーボネートとは、芳
香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとをアルカリ
金属化合物またはアルカリ土類金属化合物を含む触媒の
存在下、溶融重縮合反応させることにより得られるポリ
カーボネートである。
【００２６】芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステ
ルとのモル比は、ジヒドロキシ化合物１モルに対して
１．００〜１．１モルの炭酸ジエステルであるのが望ま
しい。このモル比は、仕込み原料における比を指すとと
もに、反応中も維持されることが望ましい。ただし、反
応中のモル比は、オリゴマーやポリマー中の構成要素と
して取り込まれたジヒドロキシ化合物由来成分および炭
酸ジエステル由来成分も含めて数えられるものであり、
未反応の芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルと
のモル比を意味するものではない。
【００２７】上記の芳香族ジヒドロキシ化合物として
は、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビ
ス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパン、
４，４−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘプタン、
２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジクロロフェ
ニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，
５−ジブロモフェニル）プロパン、ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）オキサイド、ビス（３，５−ジクロロ−４
−ヒドロキシフェニル）オキサイド、ｐ，ｐ’−ジヒド
ロキシジフェニル、３，３’−ジクロロ−４，４’−ジ
ヒドロキシジフェニル、ビス（ヒドロキシフェニル）ス
ルホン、レゾルシノール、ハイドロキノン、１，４−ジ
ヒドロキシ−２，５−ジクロロベンゼン、１，４−ジヒ
ドロキシ−３−メチルベンゼン、ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）スルフィド、ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）スルホキシド等が用いられるが、特に２，２−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（通称：ビスフェ
ノールＡ）が好ましい。
【００２８】一方、炭酸ジエステルとしては、具体的に
は、ジフェニルカーボネート、ジトリールカーボネー
ト、ビス（クロロフェニル）カーボネート、ｍ−クレジ
ルカーボネート、ジナフチルカーボネート、ビス（ジフ
ェニル）カーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチ
ルカーボネート、ジブチルカーボネート、ジシクロヘキ
シルカーボネート等が用いられる。これらのうち、特に
ジフェニルカーボネートが好ましい。
【００２９】さらに、本願発明で用いるポリカーボネー
トには、必要に応じ、共重合成分として、例えば、エチ
レングリコール、１，４−ブタンジオール、１，４−シ
クロヘキサンジメタノール、１，１０−デカンジオール
等の脂肪族ジオールを含有してもよく、例えば、コハク
酸、イソフタル酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、
アジピン酸、シクロヘキサンカルボン酸、テレフタル酸
等のジカルボン酸成分や、例えば、乳酸、Ｐ−ヒドロキ
シ安息香酸、６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のオキ
シ酸成分を含有してもよい。
【００３０】溶融重縮合反応の触媒としては、アルカリ
金属化合物、アルカリ土類金属化合物、含窒素塩基性化
合物を使用することができる。
【００３１】触媒として用いられるアルカリ金属化合物
としては、アルカリ金属の水酸化物、炭酸水素化物、炭
酸塩、酢酸塩、硝酸塩、亜硝酸塩、亜硫酸塩、シアン酸
塩、チオシアン酸塩、ステアリン酸塩、水素化ホウ素
塩、安息香酸塩、リン酸水素化物、ビスフェノール、フ
ェノールの塩等が挙げられ、その具体例としては、水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、炭酸
水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素リチウ
ム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸リチウム、酢
酸ナトリウム、酢酸カリウム、酢酸リチウム、硝酸ナト
リウム、硝酸カリウム、硝酸リチウム、亜硝酸ナトリウ
ム、亜硝酸カリウム、亜硝酸リチウム、亜硫酸ナトリウ
ム、亜硫酸カリウム、亜硫酸リチウム、シアン酸ナトリ
ウム、シアン酸カリウム、シアン酸リチウム、チオシア
ン酸ナトリウム、チオシアン酸カリウム、チオシアン酸
リチウム、ステアリン酸ナトリウム、ステアリン酸カリ
ウム、ステアリン酸リチウム、水素化ホウ素ナトリウ
ム、水素化ホウ素カリウム、水素化ホウ素リチウム、フ
ェニル化ホウ酸ナトリウム、安息香酸ナトリウム、安息
香酸カリウム、安息香酸リチウム、リン酸水素ジナトリ
ウム、リン酸水素ジカリウム、リン酸水素ジリチウム、
ビスフェノールＡのジナトリウム塩、ジカリウム塩、ジ
リチウム塩、フェノールのナトリウム塩、カリウム塩、
リチウム塩等が挙げられる。
【００３２】また、触媒として用いられるアルカリ土類
金属化合物としては、アルカリ土類金属の水酸化物、炭
酸水素化物、炭酸塩、酢酸塩、硝酸塩、亜硝酸塩、亜硫
酸塩、シアン酸塩、チオシアン酸塩、ステアリン酸塩、
安息香酸塩、ビスフェノール、フェノールの塩等が挙げ
られる。これらの具体例としては、水酸化カルシウム、
水酸化バリウム、水酸化ストロンチウム、炭酸水素カル
シウム、炭酸水素バリウム、炭酸水素ストロンチウム、
炭酸カルシウム、炭酸バリウム、炭酸ストロンチウム、
酢酸カルシウム、酢酸バリウム、酢酸ストロンチウム、
硝酸カルシウム、硝酸バリウム、硝酸ストロンチウム、
亜硝酸カルシウム、亜硝酸バリウム、亜硝酸ストロンチ
ウム、亜硫酸カルシウム、亜硫酸バリウム、亜硫酸スト
ロンチウム、シアン酸カルシウム、シアン酸バリウム、
シアン酸ストロンチウム、チオシアン酸カルシウム、チ
オシアン酸バリウム、チオシアン酸ストロンチウム、ス
テアリン酸カルシウム、ステアリン酸バリウム、ステア
リン酸ストロンチウム、水素化ホウ素カルシウム、水素
化ホウ素バリウム、水素化ホウ素ストロンチウム、安息
香酸カルシウム、安息香酸バリウム、安息香酸ストロン
チウム、ビスフェノールＡのカルシウム塩、バリウム
塩、ストロンチウム塩、フェノールのカルシウム塩、バ
リウム塩、ストロンチウム塩等が挙げられる。
【００３３】本願発明においては、所望により、触媒の
アルカリ金属化合物として、（ｉ）周期律表第１４族の
元素のアート錯体のアルカリ金属塩または（ｉｉ）周期
律表第１４族の元素のオキソ酸のアルカリ金属塩を用い
ることができる。ここで周期律表第１４族の元素とは、
ケイ素、ゲルマニウム、スズのことをいう。
【００３４】上記（ｉ）の周期率表第１４族元素のアー
ト錯体のアルカリ金属塩としては、特開平７−２６８０
９１号公報に記載のものをいうが、具体的には、ゲルマ
ニウム（Ｇｅ）の化合物として、ＮａＧｅ（ＯＭ
ｅ）5、ＮａＧｅ（ＯＥｔ）5、ＮａＧｅ（ＯＰｒ）5、
ＮａＧｅ（ＯＢｕ）5、ＮａＧｅ（ＯＰｈ）5、ＬｉＧｅ
（ＯＭｅ）5、ＬｉＧｅ（ＯＢｕ）5、ＬｉＧｅ（ＯＰ
ｈ）5を挙げることができ、スズ（Ｓｎ）の化合物とし
て、ＮａＳｎ（ＯＭｅ）3、ＮａＳｎ（ＯＭｅ）2（ＯＥ
ｔ）、ＮａＳｎ（ＯＰｒ）3、ＮａＳｎ（Ｏ−ｎ−Ｃ6Ｈ
13）3、ＮａＳｎ（ＯＭｅ）5、ＮａＳｎ（ＯＥｔ）5、
ＮａＳｎ（ＯＢｕ）5、ＮａＳｎ（Ｏ−ｎ−Ｃ
12Ｈ25）5、ＮａＳｎ（ＯＥｔ）3、ＮａＳｎ（ＯＰｈ）
5、ＮａＳｎＢｕ2（ＯＭｅ）3を挙げることができる。
【００３５】また、上記（ｉｉ）の周期律表第１４族元
素のオキソ酸のアルカリ金属塩としては、例えば、ケイ
酸（ｓｉｌｉｃｉｃ ａｃｉｄ）のアルカリ金属塩、ス
ズ酸（ｓｔａｎｉｃ ａｃｉｄ）のアルカリ金属塩、ゲ
ルマニウム（ＩＩ）酸（ｇｅｒｍａｎｏｕｓ ａｃｉ
ｄ）のアルカリ金属塩、ゲルマニウム（ＩＶ）酸（ｇｅ
ｒｍａｎｉｃ ａｃｉｄ）のアルカリ金属塩を好ましい
ものとして挙げることができる。
【００３６】ケイ酸のアルカリ金属塩は、例えば、モノ
ケイ酸（ｍｏｎｏｓｉｌｉｃｉｃａｃｉｄ）またはその
縮合体の酸性あるいは中性アルカリ金属塩であり、その
具体例としては、オルトケイ酸モノナトリウム、オルト
ケイ酸ジナトリウム、オルトケイ酸トリナトリウム、オ
ルトケイ酸テトラナトリウムを挙げることができる。
【００３７】スズ酸のアルカリ金属塩は、例えば、モノ
スズ酸（ｍｏｎｏｓｔａｎｉｃ ａｃｉｄ）またはその
縮合体の酸性あるいは中性アルカリ金属塩であり、その
具体例としてはモノスズ酸ジナトリウム塩（Ｎａ2Ｓｎ
Ｏ3・ｘＣＨ２Ｏ、ｘ＝０〜５）、モノスズ酸テトラナ
トリウム塩（Ｎａ4ＳｎＯ4）を挙げることができる。
【００３８】ゲルマニウム（ＩＩ）酸（ｇｅｒｍａｎｏ
ｕｓ ａｃｉｄ）のアルカリ金属塩は、例えばモノゲル
マニウム酸またはその縮合体の酸性あるいは中性アルカ
リ金属塩であり、その具体例としてはゲルマニウム酸モ
ノナトリウム塩（ＮａＨＧｅＯ2）を挙げることができ
る。
【００３９】ゲルマニウム（ＩＶ）酸（ｇｅｒｍａｎｉ
ｃ ａｃｉｄ）のアルカリ金属塩は、例えば、モノゲル
マニウム（ＩＶ）酸またはその縮合体の酸性あるいは中
性アルカリ金属塩であり、その具体例としてはオルトゲ
ルマニウム酸モノリチウム酸（ＬｉＨ3ＧｅＯ4）、オル
トゲルマニウム酸ジナトリウム塩、オルトゲルマニウム
酸テトラナトリウム塩、ジゲルマニウム酸ジナトリウム
塩（Ｎａ2Ｇｅ2Ｏ5）、テトラゲルマニウム酸ジナトリ
ウム塩（Ｎａ2Ｇｅ4Ｏ9）、ペンタゲルマニウム酸ジナ
トリウム塩（Ｎａ2Ｇｅ5Ｏ11）を挙げることができる。
【００４０】触媒としてのアルカリ金属化合物またはア
ルカリ土類金属化合物は、当該触媒中のアルカリ金属元
素またはアルカリ土類金属元素が芳香族ジヒドロキシ化
合物１モル当り１×１０-8〜５×１０-5当量となる割合
で好ましく使用される。より好ましい割合は、同じ基準
に対し５×１０-7〜１×１０-5当量となる割合である。
当該触媒中のアルカリ金属元素量またはアルカリ土類金
属元素量が芳香族ジヒドロキシ化合物１モル当り１×１
０-8〜５×１０-5当量の範囲を逸脱すると、得られるポ
リカーボネートの諸物性に悪影響を及ぼしたり、また、
エステル交換反応が充分に進行せず高分子量のポリカー
ボネートが得られない等の問題が生じることがあるの
で、好ましくない。
【００４１】また、触媒としての含窒素塩基性化合物と
しては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド（Ｍｅ4ＮＯＨ）、テトラエチルアンモニウムヒドロ
キシド（Ｅｔ4ＮＯＨ）、テトラブチルアンモニウムヒ
ドロキシド（Ｂｕ4ＮＯＨ）、ベンジルトリメチルアン
モニウムヒドロキシド［φ−ＣＨ2（Ｍｅ）3ＮＯＨ］、
ヘキサデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド等の
アルキル、アリール、アルキルアリール基等を有するア
ンモニウムヒドロオキシド類、トリエチルアミン、トリ
ブチルアミン、ジメチルベンジルアミン、ヘキサデシル
ジメチルアミン等の３級アミン類、あるいは、テトラメ
チルアンモニウムボロハイドライド（Ｍｅ 4ＮＢＨ4）、
テトラブチルアンモニウムボロハイドライド（Ｂｕ4Ｎ
ＢＨ4）、テトラブチルアンモニウムテトラフェニルボ
レート（Ｍｅ4ＮＢＰｈ4）、テトラブチルアンモニウム
テトラフェニルボレート（Ｂｕ4ＮＢＰｈ4）等の塩基性
塩を挙げることができる。
【００４２】上記含窒素塩基性化合物は、含窒素塩基性
化合物中のアンモニウム窒素原子が芳香族ジヒドロキシ
化合物１モル当り１×１０-5〜５×１０-3当量となる割
合で用いるのが好ましい。より好ましい割合は同じ基準
に対し２×１０-5〜５×１０ -4当量となる割合である。
特に好ましい割合は同じ基準に対し５×１０-5〜５×１
０-4当量となる割合である。
【００４３】なお、本願明細書において、仕込み芳香族
ジオール化合物（芳香族ジヒドロキシ化合物ともいう）
に対するアルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合
物、含窒素塩基性化合物の割合いを、「芳香族ジヒドロ
キシ化合物１モルに対し金属または塩基性窒素としてＷ
（数値）当量のＺ（化合物名）量」として表現したが、
これは、例えば、Ｚがナトリウムフェノキシドや２，２
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンモノナトリ
ウム塩のようにナトリウム原子が一つであり、またはト
リエチルアミンのように塩基性窒素が一つであれば、Ｚ
の量がＷモルに相当する量であることを意味し、２，２
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンジナトリウ
ム塩のように二つであれば、Ｗ／２モルに相当する量で
あることを意味する。
【００４４】上記重縮合反応には、上記の触媒と一緒
に、必要により、周期律表第１４族元素のオキソ酸およ
び同元素の酸化物よりなる群から選ばれる少なくとも１
種の助触媒を共存させることができる。
【００４５】これら助触媒を特定の割合で用いることに
より、末端の封鎖反応、重縮合反応速度を損なうことな
く、重縮合反応中に生成し易い分岐反応や、成形加工時
における装置内での異物の生成、焼けといった好ましく
ない副反応をより効果的に抑制することができる。
【００４６】周期律表第１４族元素のオキソ酸として
は、例えばケイ酸、スズ酸、ゲルマニウム酸を挙げるこ
とができ、周期律表第１４族元素の酸化物としては、一
酸化ケイ素、二酸化ケイ素、一酸化スズ、二酸化スズ、
一酸化ゲルマニウム、二酸化ゲルマニウムおよびこれら
の縮合体を挙げることができる。
【００４７】助触媒は重縮合反応触媒中のアルカリ金属
元素１モル（原子）当り、助触媒中の周期律表第１４族
の金属元素が５０モル（原子）以下となる割合で存在せ
しめるのが好ましい。同金属元素が５０モル（原子）を
超える割合で助触媒を用いると、重縮合反応速度が遅く
なることがある。
【００４８】助触媒は、重縮合反応触媒のアルカリ金属
元素１モル（原子）当り、助触媒の周期律表第１４族の
金属元素が０．１〜３０モル（原子）となる割合で存在
せしめるのがさらに好ましい。
【００４９】これらの触媒系は、溶融重縮合反応に用い
ることにより重縮合反応および末端封止反応を迅速かつ
十分に進めることができる利点を有する。また、重縮合
反応系中に生成する分岐反応のような好ましくない副反
応を低いレベルに抑えることができる。
【００５０】本願発明では、以上のようなポリカーボネ
ートの分子量は、粘度平均分子量にして５０００〜１０
００００であり、光記録媒体として使用される場合の分
子量は１００００〜１８０００の範囲のものが好適に使
用される。
【００５１】本願発明では芳香族ジヒドロキシ化合物と
炭酸ジエステルとの成分濃度もしくは成分比を近赤外線
分光法を用いて測定し、調節および最適化する。
【００５２】なお、この調節、最適化方法は、公知のい
ずれの方法によっても良い。たとえば、原料供給比率を
変更するとか、反応温度、圧力、留出分の留出条件等を
変更することによって行うことができる。これらの条件
の変更の度合いと調節最適化の効果との関係は試行錯誤
により定めることができる。また、生産途中に芳香族ジ
ヒドロキシ化合物、炭酸ジエステル、触媒、その他の添
加物を加えることによって行うことも可能である。
【００５３】本願発明では近赤外分光器、フーリエ変換
近赤外分光器および従来改良型ＩＲ分光器を使用し測定
することができる。
【００５４】測定方法としては一旦採取後そのままもし
くは溶液状態にした後測定を行っても良いが、工程中の
測定すべき流体に直接プローブを浸漬し光ファイバーケ
ーブルを通って分光器に光学的に伝達する連続測定シス
テムであることが好ましい。
【００５５】なお、工程中の測定すべき流体は、混合物
（Ａ）の測定中の温度変化が１０℃以下であり、混合物
（Ａ）の測定点箇所における混合物流の線速度が０．０
１〜１０ｍ／ｓｅｃであることが望ましいことが判明し
た。この温度範囲や線速の範囲を外れると、測定データ
のばらつきが大きくなったり、再現性が不良になる場合
が増大する現象が見出されたためである。上記温度範囲
は５℃以内であることがより望ましく、線速度範囲は
０．０５〜５ｍ／ｓｅｃであることが望ましい。
【００５６】近赤外分光器により炭化水素、官能基等に
固有の吸収バンドが現われるものの、得られる近赤外線
スペクトルはこれら各々の吸収バンドが重なり合った形
となる。
【００５７】得られた吸収スペクトルは数学的に処理さ
れて、測定される濃度または性質を表わす誘導シグナル
を提供する。
【００５８】数学的処理の具体的な方法としては、例え
ば１次もしくは多次微分スペクトルに変換された後、多
重回帰分析または部分最小自乗法等により統計学的デー
タ処理を行う方法があり、有用である。
【００５９】１次もしくは多次微分スペクトルは近赤外
線スペクトルを１次もしくは多次微分して得られるスペ
クトルであり、この１次もしくは多次微分スペクトルは
近赤外線分光器自身に起因する変化を受けない成分であ
り、部分最小自乗法は因子分析を使用して測定成分の変
化がもっとも大きく現われるよう軸を再設定した後、回
帰分析で検量式を作成する方法で、混合物の解析に有効
である。
【００６０】また統計学的キャリブレーションから得ら
れるいずれの定数も、未知試料についての値を計算する
ために使用される。
【００６１】なお、近赤外線分光法で測定に使用する波
長は、少なくとも１６００ｎｍ〜１９００ｎｍ帯域にあ
ることが望ましい。この範囲を逸脱すると、統計的デー
タ処理における信頼性が低下する傾向が見られるからで
ある。
【００６２】近赤外線分光法で測定に使用する波長を複
数使用すること、すなわち複数の帯域について測定した
値を使用し、これらを平均して使用したり、重み付けし
て平均したりする方法も有効である場合が多い。なお、
「重み付けして平均する」とは、たとえば二つのデータ
をＸ，Ｙとした場合に、ＸをＹの倍の重み付けして平均
するとすれば、（２Ｘ＋Ｙ）／３であるようにして計算
される値である。
【００６３】（ＨＰＬＣ（液体クロマトグラフィー分析
法）との比較）近赤外線分光法は工程中の測定すべき流
体に直接プローブを浸漬し光ファイバーケーブルを通っ
て分光器に光学的に伝達することにより測定することが
可能であり、その際に要する測定時間はデータ処理等を
含めて５分以下となり連続測定システムとしてＨＰＬＣ
（液体クロマトグラフィー）等の従来測定法と比較して
非常に有用である。
【００６４】本願発明の方法を採用すれば、芳香族ジヒ
ドロキシ化合物と炭酸ジエステルとの成分比を所定範囲
に保つことが容易にでき、また、成分を測定する工程に
おける芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとの
成分比（モル比）の変動を狭く抑えることが容易にで
き、色相、ＯＨ末端基量に代表される品質の安定した製
品が得られることが判明した。そして、炭酸ジエステル
／芳香族ジヒドロキシ化合物（モル比）＝１．０〜１．
１、成分比（モル比）の変動が所定の成分比（モル比）
に対し±０．５％という特に望ましい範囲を確保するこ
とが可能であることが示された。
【００６５】本願発明では芳香族ジヒドロキシ化合物と
炭酸ジエステルとをアルカリ金属化合物またはアルカリ
土類金属化合物の存在下、溶融重縮合反応させることに
よりポリカーボネート（ａ）を製造する工程において、
スルホン酸化合物（ｂ）、リン化合物（ｃ）を好ましく
使用しうる。
【００６６】 スルホン酸化合物としては下記式（ＩＩ） Ａ2−ＳＯ3Ｘ1 ……（ＩＩ） （ここで、Ａ2は置換基を有していてもよい炭素数１〜
２０の炭化水素基であり、Ｘ1はアンモニウムカチオン
またはホスホニウムカチオンである。）のスルホン酸化
合物（ｂ）を添加するのが好適であり、これを添加する
ことで、溶融重縮合に使用したアルカリ金属またはアル
カリ土類金属化合物の活性を低下もしくは失活させるこ
とができ、色相、耐熱性、耐加水分解性等の品質に優れ
たポリカーボネート樹脂組成物を得ることができる。な
かでも、スルホン酸化合物（ｂ）が下記式（ＩＩＩ）
【００６７】
【化１】 （ここで、Ａ3、Ａ4、Ａ5、Ａ6およびＡ7は、互いに独
立に、炭素数１〜２０の１価の炭化水素基である。）で
示されるスルホン酸ホスホニウム塩であるとき、その効
果が大きいので、特に好ましい。
【００６８】すなわち、このようなスルホン酸化合物
（ｂ）は、ポリカーボネート製造時のエステル交換によ
る重縮合触媒の失活剤として機能し、ポリマーの熱安定
性を高める。
【００６９】これらのスルホン酸化合物（ｂ）として
は、特開平８−５９９７５号公報記載のような公知の触
媒失活剤が有効に使用されるが、この中でも、スルホン
酸のアンモニウム塩、スルホン酸のホスホニウム塩が好
ましい。さらには、ドデシルベンゼンスルホン酸のアン
モニウム塩、ホスホニウム塩、パラトルエンスルホン酸
のアンモニウム塩、ホスホニウム塩やベンゼンスルホン
酸のアンモニウム塩、ホスホニウム塩も好ましく使用さ
れる。本願発明においては、これらのうちでも、特にド
デシルベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム
塩、パラトルエンスルホン酸テトラブチルアンモニウム
塩は効果が良好であり最適である。
【００７０】触媒失活剤は触媒の活性を著しく低下させ
るものであり、このような触媒失活剤は単独でポリカー
ボネート樹脂に添加してもよく、水と触媒失活剤の混合
液として同時にポリカーボネート樹脂に添加してもよ
い。
【００７１】溶融重縮合により得られたポリカーボネー
ト樹脂に対するスルホン酸化合物（ｂ）からなる触媒失
活剤の添加量は、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金
属化合物より選ばれた前記主重縮合触媒１モル当り０．
５〜５０モルの割合で、好ましくは０．５〜１０モルの
割合で、更に好ましくは０．８〜５モルの割合で使用す
る。これは通常、ポリカーボネート樹脂に対し０．１〜
５００ｐｐｍの割合で使用することに相当する。
【００７２】またリン化合物（ｃ）としては、リン酸、
亜リン酸、次亜リン酸、ピロリン酸、ポリリン酸、リン
酸エステルおよび亜リン酸エステルを用いることができ
る。
【００７３】このようなリン酸エステルの具体例として
は、トリメチルホスフェート、トリエチルホスフェー
ト、トリブチルホスフェート、トリオクチルホスフェー
ト、トリデシルホスフェート、トリオクタデシルホスフ
ェート、ジステアリルペンタエリスリチルジホスフェー
ト等のトリアルキルホスフェート、トリシクロヘキシル
ホスフェート等のトリシクロアルキルホスフェート、ト
リフェニルホスフェート、トリクレジルホスフェート、
トリス（ノニルフェニル）ホスフェート、２−エチルフ
ェニルジフェニルホスフェート等のトリアリールホスフ
ェート等を挙げることができる。
【００７４】また、亜リン酸エステルとしては、下記一
般式（ＩＶ）で表わされる化合物を挙げることができ
る。
【００７５】Ｐ（ＯＲ）3 ……（ＩＶ） （式中、Ｒは脂肪族炭化水素基、脂環族炭化水素基また
は芳香族炭化水素基を表わす。３個のＲは同一であって
も異なっていてもよい） 上記式（ＩＶ）で表わされる化合物の具体例として、ト
リメチルホスファイト、トリエチルホスファイト、トリ
ブチルホスファイト、トリオクチルホスファイト、トリ
ス（２−エチルヘキシル）ホスファイト、トリノニルホ
スファイト、トリデシルホスファイト、トリオクタデシ
ルホスファイト、トリステアリルホスファイト等のトリ
アルキルホスファイト、トリシクロヘキシルホスファイ
ト等のトリシクロアルキルホスファイト、トリフェニル
ホスファイト、トリクレジルホスファイト、トリス（エ
チルフェニル）ホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔ
−ブチルフェニル）ホスファイト、トリス（ノニルフェ
ニル）ホスファイト、トリス（ヒドロキシフェニル）ホ
スファイト等のトリアリールホスファイト、フェニルジ
デシルホスファイト、ジフェニルデシルホスファイト、
ジフェニルイソオクチルホスファイト、フェニルイソオ
クチルホスファイト、２−エチルヘキシルジフェニルホ
スファイト等のアリールアルキルホスファイト等を挙げ
ることができる。さらに、亜リン酸エステルとして、ジ
ステアリルペンタエリスリチルジホスファイト、ビス
（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリチ
ルジホスファイト等を用いることもできる。
【００７６】これらの化合物は単独で、あるいは組み合
わせて用いることができる。これらのうちリン化合物
（ｃ）として、上記一般式（ＩＶ）で表わされる亜リン
酸エステルが好ましく、特に芳香族亜リン酸エステルが
好ましく用いられる。
【００７７】本願発明ではリン化合物（ｃ）は、ポリカ
ーボネート（ａ）１００重量部に対し、０．０００１〜
０．１重量部、好ましくは０．００１〜０．０５重量部
の量で添加しうる。上記範囲を逸脱するとリン化合物の
添加効果が十分に発現しないか、もしくはポリマー品質
へ悪影響を及ぼす等の問題が生じることがあるので、好
ましくない。
【００７８】本願発明において、得られるポリカーボネ
ート樹脂組成物に、本願発明の目的を損なわない範囲
で、さらに通常のその他の添加剤、例えば、上記以外の
耐熱安定剤、離型剤、加工安定剤、酸化防止剤、光安定
剤、紫外線吸収剤、金属不活性化剤、金属石鹸類、造核
剤、帯電防止剤、滑剤、難燃剤、防黴剤、着色剤、防曇
剤、天然油、合成油、ワックス、有機系充填剤、無機系
充填剤等を添加してもよい。
【００７９】これらの添加剤としては、具体的には次の
ようなものが挙げられる。すなはち離型剤としては例え
ば脂肪族アルコールと脂肪族カルボン酸のエステル化合
物が挙げられる。脂肪族アルコールとしてはエチレング
リコール、グリセリン、トリメチロールプロパン、ネオ
ペンチルグリコールおよびペンタエリスリトール等を挙
げることができ、また脂肪族カルボン酸としてはラウリ
ン酸、ドデシル酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、ヘ
プタデシル酸、ステアリン酸、ノナデカン酸、アラキン
酸、ベヘン酸およびリグノセリン酸等が挙げられる。
【００８０】加工安定剤としては、例えば、２−ｔ−ブ
チル−６−（３−ｔ−ブチル−２−ヒドロキシ−５−メ
チルベンジル）−４−メチルフェニルアクリレート、２
−［１−（２−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ペンチル
フェニル）エチル］−４，６−ジ−ｔ−ペンチルフェニ
ルアクリレート等が挙げられる。
【００８１】光安定剤としては、例えば、２−（３−ｔ
−ブチル−２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）−５
−クロロベンゾトリアゾール、２−（３，５−ジ−ｔ−
ブチル−２−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾー
ル、２−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ベン
ゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキシ−５−ｔ−オク
チルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（３，５−ジ
ｔ−ペンチル−２−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリア
ゾール、２−〔２−ヒドロキシ−３−（３，４，５，６
−テトラヒドロフタルイミドメチル）フェニル〕ベンゾ
トリアゾール、２−［２−ヒドロキシ−３，５−ビス
（α，α−ジメチルベンジル）フェニル］ベンゾトリア
ゾール、等のベンゾトリアゾール系化合物、２−ヒドロ
キシ−４−オクチルオキシベンゾフェノン、２−ヒドロ
キシ−４−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン
系化合物、２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル、３，５−
ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンゾエート等のヒド
ロキシベンゾフェノン系化合物、エチル−２−シアノ−
３，３−ジフェニルアクリレート等のシアノアクリレー
ト系化合物等の紫外線吸収剤、ニッケルジブチルジチオ
カーバメート、［２，２’−チオビス（４−ｔ−オクチ
ルフェノラート）］−２−エチルヘキシルアミンニッケ
ル、等のニッケル系クエンチャー等が挙げられる。
【００８２】金属不活性化剤としては、例えば、Ｎ，
Ｎ’−［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキ
シフェニル）プロピオニル］ヒドラジン等が、金属石鹸
類としては、例えば、ステアリン酸カルシウム、ステア
リン酸ニッケル等が挙げられる。
【００８３】また、造核剤としては、例えば、ジ（４−
ｔ−ブチルフェニル）ホスホン酸ナトリウム、ジベンジ
リデンソルビトール、メチレンビス（２，４−ジ−ｔ−
ブチルフェノール）アシッドホスフェートナトリウム塩
等のソルビトール系、リン酸塩系化合物が挙げられる。
【００８４】帯電防止剤としては、例えば、（β−ラウ
ラミドプロピル）トリメチルアンモニウムメチルスルフ
ェート等の第４級アンモニウム塩系、アルキルホスフェ
ート系化合物が挙げられ、難燃剤としては、例えばトリ
ス（２−クロロエチル）ホスフェート等の含ハロゲンリ
ン酸エステル類、ヘキサブロモシクロドデカン、デカブ
ロモフェニルオキサイド等のハロゲン化物、三酸化アン
チモン、五酸化アンチモン、水酸化アルミニウム等の金
属無機化合物類、これらの混合物等が挙げられる。
【００８５】上記の各成分から本願発明の樹脂組成物を
製造する方法については特に制限はなく、各成分の配合
順序も任意である。例えば、溶融状態にあるポリカーボ
ネート（ａ）に、リン化合物（ｃ）および／またはスル
ホン酸化合物（ｂ）、その他の任意的成分を加えて混練
してもよく、また、ポリカーボネートの溶液に加えて混
練してもよい。より具体的には、重合反応が終了して得
られる溶融状態にある反応器内または押出機内の反応生
成物であるポリカーボネートに、直接リン化合物（ｃ）
および／またはスルホン酸化合物（ｂ）、その他の任意
的成分を別々にまたは同時的に加えて混練する方法、あ
るいは、得られたポリカーボネート（ａ）をペレット化
し、このペレットをリン化合物（ｃ）および／またはス
ルホン酸化合物（ｂ）、その他の任意的成分と共に一軸
または二軸押出機等に供給して溶融混練する方法、さら
に、得られたポリカーボネート（ａ）を適当な溶媒（例
えば、塩化メチレン、クロロホルム、トルエン、テトラ
ヒドロフラン等）に溶解させ、この溶液に別々にまたは
同時的に加えて撹拌する方法等を用いることができる。
溶融状態の熱履歴時間および再溶融回数を減らすという
点からは、溶融重縮合で得られた溶融状態のポリカーボ
ネート（ａ）にリン化合物（ｃ）、スルホン酸化合物
（ｂ）等の成分を添加・混練しペレット化するのが好ま
しい。
【００８６】本願発明では、ポリカーボネート樹脂組成
物は、減圧処理を施されていることが好ましい。減圧処
理に際しては、処理、装置は特に限定されないが、例え
ば減圧装置付反応器、減圧装置付押出機を用いることが
できる。減圧装置付反応器は、縦型槽型反応器、横型槽
型反応器のいずれでもよいが、横型槽型反応器が好まし
い。減圧装置付押出機は、ベント付の一軸押出機、二軸
押出機のいずれでもよく、押出機で減圧処理をしながら
ペレタイズすることもできる。その際の圧力は、減圧処
理を反応器において行う場合には、０．０５〜７５０ｍ
ｍＨｇ（６．７〜１０００００Ｐａ）、特に０．０５〜
５ｍｍＨｇ（６．７〜６７０Ｐａ）とするのが好まし
く、また、押出機を用いて行う場合には、１〜７５０ｍ
ｍＨｇ（１３０〜１０００００Ｐａ）、特に５〜７００
ｍｍＨｇ（６７０〜９３０００Ｐａ）とするのが好まし
い。このような減圧処理は２４０〜３５０℃で行うのが
好ましく、また、反応器を用いる場合には５分〜３時間
程度、押出機を用いる場合には１０秒〜１５分間程度の
時間で行うのが好ましい。このようにしてポリカーボネ
ート樹脂組成物に減圧処理を施すと、残留モノマーやオ
リゴマーを低減させたポリカーボネート系組成物を得る
ことができる。また、減圧処理を施す際、残留モノマー
やオリゴマーを低減させる目的で水もしくは飽和脂肪族
炭化水素、窒素等を加圧添加後減圧処理を行うことも必
要に応じて実施しうる。例えば、炭酸ジエステルとして
ジフェニルカーボネートを用いて溶融重縮合を行った場
合、減圧処理によってポリカーボネート中のジフェニル
カーボネートの残留量を減少させることができる。
【００８７】本願発明のポリカーボネート樹脂組成物で
は、このようなジフェニルカーボネートの含有量（残存
量）がポリマー１００重量部当り０．１重量部以下、特
に０．０２重量部以下であることが好ましいので、上記
減圧処理は有効である。
【００８８】
【発明の効果】このようにして、たとえば芳香族ジヒド
ロキシ化合物と該ジヒドロキシ化合物とをアルカリ金属
化合物またはアルカリ土類金属化合物の存在下、溶融重
縮合反応させることによりポリカーボネートを製造する
工程において、芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエス
テルとの成分濃度もしくは成分比を近赤外線分光法を用
いて迅速でかつ効率的に測定し、調節することができ、
それにより得られるポリカーボネートはバラツキの少な
い良好な品質を有する。
【００８９】
【実施例】以下、実施例および比較例に基づき、本願発
明の具体例を詳細に説明するが、本願発明は、これらに
よって限定されるものではない。
【００９０】なお、分析は下記の方法によった。
【００９１】（色相）日本電色工業（株）製の Ｃｏｌ
ｏｒ ａｎｄ Ｃｏｌｏｒ Ｄｅｆｅｒｅｎｃｅ Ｍｅ
ｔｅｒ ＮＤ−１００１ＤＰを用いてＣｏｌｏｒ ｂを
測定した。
【００９２】（末端基構造）ＮＭＲ測定法にて全末端基
に対するＯＨ末端基の割合（％）を求めた。
【００９３】［実施例１］次の条件で生産を行った。
【００９４】粉体状のビスフェノールＡ（以下ＢＰＡと
いう）と液体状のジフェニルカーボネート（以下ＤＰＣ
という）とを０．５０キロモル対０．５１５キロモルの
割合になるよう連続的に第一の槽型撹拌槽に仕込み、１
４０℃で溶解し、ついで、この混合物を１４０〜１４５
℃に維持した第二の槽型撹拌槽に連続的に移送し、ここ
で、ＢＰＡとＤＰＣとの成分モル比を１．０４に調節す
るように液体状のＤＰＣを追加した。
【００９５】この混合溶液を毎時ビスフェノールＡ換算
で０．１６キロモルづつ第三の温度１８０℃の槽型撹拌
槽に送液した。
【００９６】また第二槽型撹拌槽には循環ラインを設
け、該ラインにプローブを浸漬し光ファイバーケーブル
を通って近赤外分光器に接続することによりにＢＰＡと
ＤＰＣとのモル比を連続測定した。
【００９７】なお、モル比の調節は、下記における１０
日間は第二槽型撹拌槽内のサンプルから８時間毎に液体
クロマトグラフィーによってＤＰＣ／ＢＰＡモル比を求
め、この値と目標値である１．０４との差異を修正する
方法によったが、後の２０日間は、上記の近赤外分光器
によって求めた換算ＤＰＣ／ＢＰＡモル比を使用して、
この値と目標値である１．０４との差異を修正する方法
によった。
【００９８】触媒としてテトラメチルアンモニウムヒド
ロキシドを毎時０．０３モルおよびビスフェノールＡジ
ナトリウム塩を毎時０．００００８（５×１０-7モル／
モル−ＢＰＡ）添加し、滞留時間が４０分となるように
レベルを調整し撹拌した。
【００９９】次にこの反応溶液を毎時ＢＰＡ換算で０．
１６キロモルづつ次の第三の温度２１０℃、圧力１００
ｍｍＨｇの槽型撹拌槽に送液した。滞留時間が４０分と
なるようにレベルを調整しフェノールを溜出除去させな
がら撹拌した。
【０１００】次に、この反応溶液を毎時ＢＰＡ換算で
０．１６キロモルづつ次の第四の温度２６０℃、圧力１
５ｍｍＨｇの槽型撹拌槽に送液した。滞留時間が４０分
となるようにレベルを調整しフェノールを溜出除去させ
ながら撹拌した。反応が定常になって得られた反応物の
粘度平均分子量は６０００であった。
【０１０１】次にこの反応物をギアポンプにて２７５
℃、０．５ｍｍＨｇにコントロールされた二軸横型撹拌
重合槽に毎時ＢＰＡ換算で０．１６キロモル（約４０ｋ
ｇ／時間）づつ送り込み滞留時間４０分にて重合させ
た。この時のポリマーの粘度平均分子量は１５５００で
あった。
【０１０２】次に溶融状態のままで、このポリマーをギ
アポンプにて混練部、シール部、減圧部（圧力１５ｍｍ
Ｈｇ）からなる単位添加ゾーンを３つ有する二軸押出機
（Ｌ／Ｄ＝４４、バレル温度２６０℃）に毎時ＢＰＡ換
算で０．１６キロモル（約４０ｋｇ／時間）づつ送り込
みポリカーボネートに対してドデシルベンゼンスルホン
酸テトラブチルホスホニウム塩１０ｐｐｍ、トリスノニ
ルフェニルホスファイト３０ｐｐｍ、ステアリン酸モノ
グリセリド５００ｐｐｍを連続的に添加しポリカーボネ
ートと混練し、ダイを通してストランド状とし、カッタ
ーで切断してペレットとした。
【０１０３】上記の生産において、近赤外線分析器の予
測能力を評価するために、ＤＰＣ／ＢＰＡの成分モル比
について、１０日間実際にオンラインで測定したときに
得た３０個の近赤外線測定値と、それと同時期に既存の
液体クロマトグラフィー装置を用いて測定した３０個の
測定値とを比較し、得られた近赤外線スペクトルを２次
微分スペクトルに変換した後、部分最小自乗法（ＰＬＳ
法）により統計学的処理を行なうことにより相関を得
た。その相関係数は０．９９であった。
【０１０４】ついで、次の２０日の間実際にオンライン
で測定したときに得た６０個の近赤外線測定値から上記
相関式を使用して換算した「換算ＤＰＣ／ＢＰＡモル
比」と、それと同時期期に既存のクロマトグラフィー装
置を用いて測定した６０個の測定値とを比較した。その
結果、換算ＤＰＣ／ＢＰＡモル比とクロマトグラフィー
値との差を換算ＤＰＣ／ＢＰＡモル比で割った値のばら
つき（σ）は０．００２であった。
【０１０５】なお、上記２０日の間、原料の実際のＤＰ
Ｃ／ＢＰＡモル比は１．０３７〜１．０４４の間に保た
れた。これと対照的に最初の１０日間はＤＰＣ／ＢＰＡ
モル比は１．０３１〜１．０４８の間にあった。
【０１０６】また上記２０日の間に得られたポリカーボ
ネートも下表１のように品質のバラツキが少なく良好な
ものであった。Col bについてはそのバラツキがσ＝
０．１１であり、最初の１０日間のσ＝０．１９に比べ
小さくなった。
【０１０７】上記の結果から分かるようにＢＰＡとＤＰ
Ｃの成分比測定において、近赤外線測定法がクロマトグ
ラフィー法を十分に対置しうる正確度を得るだけでな
く、近赤外線測定法の反復性はクロマトグラフィー法よ
り優れている。
【０１０８】またクロマトグラフィー法は１回の測定が
前処理やデータ解析等を含めて実質上１時間以上要する
のに対し、近赤外線測定法は数分と極めて短い時間で可
能となることから、設備を大幅に簡略化でき特に連続プ
ロセスへの適応において非常に有効である。
【０１０９】なお、上記において、近赤外線分光法によ
る測定環境は液温が１４０〜１４５℃であり、混合物流
の線速度が０．０７ｍ／ｓｅｃであった。近赤外線分光
法で使用した波長は１６００ｎｍ〜１８５０ｎｍであっ
た。
【０１１０】
【表１】
フロントページの続き (72)発明者 佐々木 勝司 山口県岩国市日の出町２番１号 帝人株式 会社岩国研究センター内 Ｆターム(参考） 2G059 AA01 BB08 CC12 DD16 EE10 EE12 EE13 HH01 HH06 JJ01 MM01 MM02 MM12 4J029 AA09 AB01 AC01 BB04A BB04B BB10A BB10B BB12A BB13A BB13B BF14A BH02 DB07 DB11 DB13 HC05A HC05B JF021 JF031 JF041 KE05 KJ05 LB09

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエス
    テルとを含む混合物（Ａ）中の芳香族ジヒドロキシ化合
    物と炭酸ジエステルとの少なくともいずれか一方の成分
    濃度および／または成分比を近赤外線分光法を用いて測
    定する成分測定方法であって、 混合物（Ａ）の測定中の温度変化が１０℃以下であり、 混合物（Ａ）の測定点箇所における混合物流の線速度が
    ０．０１〜１０ｍ／ｓｅｃであることを特徴とする成分
    測定方法。
  2. 【請求項２】 混合物を近赤外線分光法で測定する際に
    使用する波長が、少なくとも１６００ｎｍ〜１９００ｎ
    ｍ帯域にあり、 混合物を近赤外線分光法で測定する際の測定値を多重回
    帰解析または部分最小二乗解析することにより、成分濃
    度および／または成分比を決定することを特徴とする請
    求項１に記載の成分測定方法。
  3. 【請求項３】 近赤外線分光法で測定に使用する波長
    が、複数であることを特徴とする請求項１または２に記
    載の成分測定方法。
  4. 【請求項４】 測定が連続的に行われることを特徴とす
    る請求項１〜３のいずれかに記載の成分測定方法。
  5. 【請求項５】 芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエス
    テルとをアルカリ金属化合物またはアルカリ土類金属化
    合物を含む触媒の存在下、溶融重縮合反応させることに
    よりポリカーボネートを製造する方法において、請求項
    １〜４のいずれかに記載された成分測定方法により成分
    を測定する工程を含むことを特徴とするポリカーボネー
    トの製造方法。
  6. 【請求項６】 成分を測定する工程が、重合反応槽また
    は反応混合物の移送配管にあることを特徴とする請求項
    ５に記載のポリカーボネートの製造方法。
  7. 【請求項７】 成分の測定結果に基づき、芳香族ジヒド
    ロキシ化合物と炭酸ジエステルとの少なくともいずれか
    一方の成分濃度および／または成分比を調節および／ま
    たは最適化することを特徴とする請求項５〜６のいずれ
    かに記載のポリカーボネートの製造方法。
  8. 【請求項８】 芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエス
    テルとの成分比を炭酸ジエステル／芳香族ジヒドロキシ
    化合物（モル比）＝１．０〜１．１に調節することを特
    徴とする請求項７に記載のポリカーボネートの製造方
    法。
  9. 【請求項９】 成分を測定する工程における芳香族ジヒ
    ドロキシ化合物と炭酸ジエステルとの成分比（モル比）
    の変動が所定の成分比（モル比）に対し±０．５％の範
    囲内にあることを特徴とする請求項７または８に記載の
    ポリカーボネートの製造方法。
  10. 【請求項１０】 芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエ
    ステルとを含む混合物中の芳香族ジヒドロキシ化合物と
    炭酸ジエステルとの少なくともいずれか一方の成分濃度
    および／または成分比を測定するための近赤外線分光測
    定装置であって、 混合物（Ａ）の測定中の温度変化が１０℃以下であり、 混合物（Ａ）の測定点箇所における混合物流の線速度が
    ０．０１〜１０ｍ／ｓｅｃであるようになしたことを特
    徴とする成分測定装置。
  11. 【請求項１１】 請求項１０に係る成分測定装置を備え
    たポリカーボネート製造装置。
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