JP2002080616A - 表示素子用高分子フィルム及びこれを用いた表示素子用基板 - Google Patents
表示素子用高分子フィルム及びこれを用いた表示素子用基板Info
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- JP2002080616A JP2002080616A JP2001023795A JP2001023795A JP2002080616A JP 2002080616 A JP2002080616 A JP 2002080616A JP 2001023795 A JP2001023795 A JP 2001023795A JP 2001023795 A JP2001023795 A JP 2001023795A JP 2002080616 A JP2002080616 A JP 2002080616A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＴＦＴの製造工程における製造条件に耐え、
液晶自体に対しても耐性のある表示素子用基板を提供す
る。 【解決手段】 ３官能以上のアクリロイル基及び／又は
メタクリロイル基を有する高分子フィルムを基材とす
る、ジメチルスルホキシド、水酸化テトラメチルアンモ
ニウムに対する耐溶剤性、および表示素子等に用いられ
る液晶に対する耐性を合わせ持つ、Ｔｇが２００℃以上
で５００ｎｍの光線透過率が８５％以上の表示素子用高
分子フィルム及びこれを用いた表示素子用基板。
液晶自体に対しても耐性のある表示素子用基板を提供す
る。 【解決手段】 ３官能以上のアクリロイル基及び／又は
メタクリロイル基を有する高分子フィルムを基材とす
る、ジメチルスルホキシド、水酸化テトラメチルアンモ
ニウムに対する耐溶剤性、および表示素子等に用いられ
る液晶に対する耐性を合わせ持つ、Ｔｇが２００℃以上
で５００ｎｍの光線透過率が８５％以上の表示素子用高
分子フィルム及びこれを用いた表示素子用基板。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は薄膜トランジスタ
（以下、ＴＦＴと略す）等の表示素子用基板に用いられ
るプラスチック基材に関するものである。
（以下、ＴＦＴと略す）等の表示素子用基板に用いられ
るプラスチック基材に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶，プラズマディスプレイ，エレクト
ロルミネッセンス（ＥＬ），蛍光表示管，発光ダイオ−
ド等のディスプレイ基材としてはガラス板が多く用いら
れている。しかし、大面積化を考えた場合、割れ易い、
曲げられない、比重が大きく軽量化に不向き等の問題か
ら、近年、ガラス板の代わりにプラスチック素材を用い
る試みが数多く行われるようになってきた。これらのプ
ラスチック素材は、ガラス板に比べ耐溶剤性、耐液晶
性、耐熱性等に劣るため、種々の無機及び／又は有機質
バリヤー層を設けることでこれらの欠点を補う試みがな
されているものの、特にＴＦＴ液晶表示基板の製造工程
においては、例えばＴＮ、ＳＴＮなどの液晶表示基板と
は異なり、レジストの除去に使用されるジメチルスルホ
キシド（以下、ＤＭＳＯと略す）およびフォトリソグラ
フィーの現像液である水酸化テトラメチルアンモニウム
（以下、ＴＭＡＨと略す）に対する耐性が必要であり、
さらに表示素子に用いられる液晶ミクスチャー自体に対
しても耐性が必要とされる。例えば、ＴＮ、ＳＴＮの表
示基板材料で使用されるポリエーテルスルホン（ＰＥ
Ｓ）等は、耐液晶性はあるものの、ジメチルスルホキシ
ドに侵される。また、例えば、環状ポリオレフィン（Ｃ
ＯＰ）等は耐ジメチルスルホキシド性があるものの、液
晶に耐性がない等、レジスト除去溶剤、フォトリソグラ
フィーの現像液および液晶に対する耐性を合わせ持つ液
晶表示素子用耐熱性透明高分子フィルム素材が存在しな
かった。
ロルミネッセンス（ＥＬ），蛍光表示管，発光ダイオ−
ド等のディスプレイ基材としてはガラス板が多く用いら
れている。しかし、大面積化を考えた場合、割れ易い、
曲げられない、比重が大きく軽量化に不向き等の問題か
ら、近年、ガラス板の代わりにプラスチック素材を用い
る試みが数多く行われるようになってきた。これらのプ
ラスチック素材は、ガラス板に比べ耐溶剤性、耐液晶
性、耐熱性等に劣るため、種々の無機及び／又は有機質
バリヤー層を設けることでこれらの欠点を補う試みがな
されているものの、特にＴＦＴ液晶表示基板の製造工程
においては、例えばＴＮ、ＳＴＮなどの液晶表示基板と
は異なり、レジストの除去に使用されるジメチルスルホ
キシド（以下、ＤＭＳＯと略す）およびフォトリソグラ
フィーの現像液である水酸化テトラメチルアンモニウム
（以下、ＴＭＡＨと略す）に対する耐性が必要であり、
さらに表示素子に用いられる液晶ミクスチャー自体に対
しても耐性が必要とされる。例えば、ＴＮ、ＳＴＮの表
示基板材料で使用されるポリエーテルスルホン（ＰＥ
Ｓ）等は、耐液晶性はあるものの、ジメチルスルホキシ
ドに侵される。また、例えば、環状ポリオレフィン（Ｃ
ＯＰ）等は耐ジメチルスルホキシド性があるものの、液
晶に耐性がない等、レジスト除去溶剤、フォトリソグラ
フィーの現像液および液晶に対する耐性を合わせ持つ液
晶表示素子用耐熱性透明高分子フィルム素材が存在しな
かった。
【０００３】一方、ＴＦＴの製造工程においては、例え
ば特表平１０−５１２１０４号公報に示されるように、
エネルギービームによる半導体薄膜のアニーリングと入
射エネルギービームを吸収する材料で基板材料を保護す
ること、さらには、プラスチック基材自体の慎重なアニ
ーリングによって、基材の収縮率を飽和させる等の措置
が採られ、従来の方式よりも基板材料に求められる耐熱
性および寸法安定性という条件は、かなり緩和されてき
た。
ば特表平１０−５１２１０４号公報に示されるように、
エネルギービームによる半導体薄膜のアニーリングと入
射エネルギービームを吸収する材料で基板材料を保護す
ること、さらには、プラスチック基材自体の慎重なアニ
ーリングによって、基材の収縮率を飽和させる等の措置
が採られ、従来の方式よりも基板材料に求められる耐熱
性および寸法安定性という条件は、かなり緩和されてき
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような状況の中
で、本発明者らは、ＴＦＴの製造工程における製造条件
に耐え、液晶自体に対しても耐性のある耐熱性透明高分
子フィルムが提供できれば、何層にも及ぶ積層フィルム
によらなくてもＴＦＴ表示素子用基板のベースフィルム
（基材）を提供することができるものと考え、鋭意検討
を行った結果、以下の本発明に至った。
で、本発明者らは、ＴＦＴの製造工程における製造条件
に耐え、液晶自体に対しても耐性のある耐熱性透明高分
子フィルムが提供できれば、何層にも及ぶ積層フィルム
によらなくてもＴＦＴ表示素子用基板のベースフィルム
（基材）を提供することができるものと考え、鋭意検討
を行った結果、以下の本発明に至った。
【０００５】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、３官
能以上のアクリロイル基及び／又はメタクリロイル基を
有するモノマーを架橋させて得られる高分子フィルムを
基材とし、ジメチルスルホキシドおよび水酸化テトラメ
チルアンモニウムに対する耐性、および表示素子等に用
いられる液晶に対する耐性を合わせ持つ、Ｔｇが２００
℃以上の表示素子用高分子からなる、波長５００ｎｍの
光線透過率が８５％以上の表示素子用高分子フィルム及
びこれを用いた表示素子用基板である。
能以上のアクリロイル基及び／又はメタクリロイル基を
有するモノマーを架橋させて得られる高分子フィルムを
基材とし、ジメチルスルホキシドおよび水酸化テトラメ
チルアンモニウムに対する耐性、および表示素子等に用
いられる液晶に対する耐性を合わせ持つ、Ｔｇが２００
℃以上の表示素子用高分子からなる、波長５００ｎｍの
光線透過率が８５％以上の表示素子用高分子フィルム及
びこれを用いた表示素子用基板である。
【０００６】
【発明の実施の形態】前述のように、従来の方式よりも
基板材料に求められる耐熱性はかなり緩和されてきたと
はいえ、特にＴＦＴの製造工程における環境温度は、な
お２００℃を越える場合があり、この点から表示素子用
高分子のガラス転移温度は２００℃以上であることが好
ましい。また、表示素子用である以上透明性も重要な特
性の１つであり、波長５００ｎｍの光線透過率が８５％
以上であることが望ましい。さらに、フォトリソグラフ
ィー工程では、慎重に作製された積層フィルムでも、耐
溶剤性バリアと基材フィルムの隙間に溶剤が進入し、基
材フィルムを浸食することがしばしば起こることがあ
り、同様に、液晶を注入する工程においても、間隔を保
って張り合わされた２枚の基板が液晶中に一部浸漬され
ることによって、液晶が注入されるため、溶剤と同様
に、バリアと基材フィルムの隙間に液晶の進入が考えら
れる。したがって、この２工程における液体の浸漬に同
時に耐える表示素子用高分子フィルムである事が要求さ
れる。
基板材料に求められる耐熱性はかなり緩和されてきたと
はいえ、特にＴＦＴの製造工程における環境温度は、な
お２００℃を越える場合があり、この点から表示素子用
高分子のガラス転移温度は２００℃以上であることが好
ましい。また、表示素子用である以上透明性も重要な特
性の１つであり、波長５００ｎｍの光線透過率が８５％
以上であることが望ましい。さらに、フォトリソグラフ
ィー工程では、慎重に作製された積層フィルムでも、耐
溶剤性バリアと基材フィルムの隙間に溶剤が進入し、基
材フィルムを浸食することがしばしば起こることがあ
り、同様に、液晶を注入する工程においても、間隔を保
って張り合わされた２枚の基板が液晶中に一部浸漬され
ることによって、液晶が注入されるため、溶剤と同様
に、バリアと基材フィルムの隙間に液晶の進入が考えら
れる。したがって、この２工程における液体の浸漬に同
時に耐える表示素子用高分子フィルムである事が要求さ
れる。
【０００７】本発明の、レジスト除去溶剤であるＤＭＳ
Ｏおよびフォトリソグラフィーの現像液であるＴＭＡＨ
に対する耐性、および耐液晶性を合わせ持つ、Ｔｇが２
００℃以上の表示素子用高分子であって、波長５００ｎ
ｍの光線透過率が８５％以上の高分子フィルムが得られ
る表示素子用高分子としては、例えば３官能以上のアク
リロイル基及び／又はメタクリロイル基を有するモノマ
ーを架橋させて得られる高分子を挙げることができ、前
記モノマーとしては一般式（１）〜（４）に示される３
官能以上のアクリロイル基及び／又はメタクリロイル基
を有するものがよい。
Ｏおよびフォトリソグラフィーの現像液であるＴＭＡＨ
に対する耐性、および耐液晶性を合わせ持つ、Ｔｇが２
００℃以上の表示素子用高分子であって、波長５００ｎ
ｍの光線透過率が８５％以上の高分子フィルムが得られ
る表示素子用高分子としては、例えば３官能以上のアク
リロイル基及び／又はメタクリロイル基を有するモノマ
ーを架橋させて得られる高分子を挙げることができ、前
記モノマーとしては一般式（１）〜（４）に示される３
官能以上のアクリロイル基及び／又はメタクリロイル基
を有するものがよい。
【０００８】
【化５】
【０００９】
【化６】
【００１０】
【化７】
【００１１】
【化８】
【００１２】一般式（１）中のＲ1，Ｒ2，Ｒ3は、−Ｈ
または−ＣＨ3である。これらの中では、 Ｒ1，Ｒ2，Ｒ
3がすべてが−Ｈ であることが好ましい。一般式（２）
中のＹ1は、−Ｈ、−ＯＨ、アルキル基、−ＯＲ4、−
（ＣＨ2）nＯＨただし、ｎ＝１〜８、または、アクリロ
イル基もしくはメタクリロイル基を含むものであり、こ
の中では、アルキル基または−（ＣＨ2）nＯＨ が好ま
しく、その中でもエチル基または−ＣＨ2ＯＨ がより好
ましい。一般式（３）中のＹ1は、−Ｈ、−ＯＨ、アル
キル基、−ＯＲ4、−（ＣＨ2）nＯＨただし、ｎ＝１〜
８で、または、アクリロイル基もしくはメタクリロイル
基を含むものであり、この中では、アルキル基または−
（ＣＨ2）nＯＨ が好ましく、その中でもエチル基また
はメチルヒドロキシ基がより好ましい。一般式（４）中
のＸ1，Ｘ2，Ｘ3の各々は、アクリロイル基またはメタ
クリロイル基を含むものである。また、Ｙ3，Ｙ4，Ｙ5
の各々は、−Ｈ、−ＯＨ、アルキル基、または−Ｏ
Ｒ4、−（ＣＨ2）nＯＨただし、ｎ＝１〜８、アクリロ
イル基もしくはメタクリロイル基を含むものである。好
ましいＸ1，Ｘ2，Ｘ3の例としては、アクリロイル基を
含むものであり、その中でもメチレンオキサイド変性の
アクリロイル基がより好ましい。また、 Ｙ3，Ｙ4，Ｙ5
の内、１〜３個がアクリロイル基を含むもの（特にメチ
レンオキサイド変性のアクリロイル基）であり、 Ｙ3，
Ｙ4，Ｙ5の残りがアルキル基（特にエチル基）、−（Ｃ
Ｈ2）nＯＨ（特に−ＣＨ2ＯＨ）のいずれかであること
が好ましい。
または−ＣＨ3である。これらの中では、 Ｒ1，Ｒ2，Ｒ
3がすべてが−Ｈ であることが好ましい。一般式（２）
中のＹ1は、−Ｈ、−ＯＨ、アルキル基、−ＯＲ4、−
（ＣＨ2）nＯＨただし、ｎ＝１〜８、または、アクリロ
イル基もしくはメタクリロイル基を含むものであり、こ
の中では、アルキル基または−（ＣＨ2）nＯＨ が好ま
しく、その中でもエチル基または−ＣＨ2ＯＨ がより好
ましい。一般式（３）中のＹ1は、−Ｈ、−ＯＨ、アル
キル基、−ＯＲ4、−（ＣＨ2）nＯＨただし、ｎ＝１〜
８で、または、アクリロイル基もしくはメタクリロイル
基を含むものであり、この中では、アルキル基または−
（ＣＨ2）nＯＨ が好ましく、その中でもエチル基また
はメチルヒドロキシ基がより好ましい。一般式（４）中
のＸ1，Ｘ2，Ｘ3の各々は、アクリロイル基またはメタ
クリロイル基を含むものである。また、Ｙ3，Ｙ4，Ｙ5
の各々は、−Ｈ、−ＯＨ、アルキル基、または−Ｏ
Ｒ4、−（ＣＨ2）nＯＨただし、ｎ＝１〜８、アクリロ
イル基もしくはメタクリロイル基を含むものである。好
ましいＸ1，Ｘ2，Ｘ3の例としては、アクリロイル基を
含むものであり、その中でもメチレンオキサイド変性の
アクリロイル基がより好ましい。また、 Ｙ3，Ｙ4，Ｙ5
の内、１〜３個がアクリロイル基を含むもの（特にメチ
レンオキサイド変性のアクリロイル基）であり、 Ｙ3，
Ｙ4，Ｙ5の残りがアルキル基（特にエチル基）、−（Ｃ
Ｈ2）nＯＨ（特に−ＣＨ2ＯＨ）のいずれかであること
が好ましい。
【００１３】本発明の３官能以上のアクリロイル基及び
／又はメタクリロイル基を有するモノマーを架橋させて
得られる高分子フィルムは、該モノマーのアクリロイル
基及び／又はメタクリロイル基を電子線架橋、熱架橋、
紫外線（ＵＶ）架橋等によって、フィルム化することが
でき、熱架橋の場合には過酸化物を、また紫外線架橋で
は、光重合開始剤及び光開始剤を重合開始剤として用い
る。さらに、前記アクリロイル基及び／又はメタクリロ
イル基を有するモノマーを架橋させて得られる高分子中
に、ハイドロキノン、ベンゾキノンなどの熱重合禁止
剤、ポリアルキルアクリレート、シリコンオイル等のレ
ベリング剤、ガラス繊維、微小粒径のシリカ等のフィラ
ーを混入することができる。また、前記３官能以上のア
クリロイル基及び／又はメタクリロイル基を有する高分
子１種類以上と単官能以上のアクリロイル基及び／又は
メタクリロイル基を有する高分子１種類以上を混合して
フィルム化することも可能であり、この方法は、フィル
ムの靱性を高める上で効果的である。こうして得られた
ワニス状の物質を用いてキャスト法により製膜し、例え
ば酸化ケイ素系のガス・水蒸気バリヤーを施せば、ＴＦ
Ｔ表示素子用基板として使用できる。
／又はメタクリロイル基を有するモノマーを架橋させて
得られる高分子フィルムは、該モノマーのアクリロイル
基及び／又はメタクリロイル基を電子線架橋、熱架橋、
紫外線（ＵＶ）架橋等によって、フィルム化することが
でき、熱架橋の場合には過酸化物を、また紫外線架橋で
は、光重合開始剤及び光開始剤を重合開始剤として用い
る。さらに、前記アクリロイル基及び／又はメタクリロ
イル基を有するモノマーを架橋させて得られる高分子中
に、ハイドロキノン、ベンゾキノンなどの熱重合禁止
剤、ポリアルキルアクリレート、シリコンオイル等のレ
ベリング剤、ガラス繊維、微小粒径のシリカ等のフィラ
ーを混入することができる。また、前記３官能以上のア
クリロイル基及び／又はメタクリロイル基を有する高分
子１種類以上と単官能以上のアクリロイル基及び／又は
メタクリロイル基を有する高分子１種類以上を混合して
フィルム化することも可能であり、この方法は、フィル
ムの靱性を高める上で効果的である。こうして得られた
ワニス状の物質を用いてキャスト法により製膜し、例え
ば酸化ケイ素系のガス・水蒸気バリヤーを施せば、ＴＦ
Ｔ表示素子用基板として使用できる。
【００１４】
【実施例】以下、実施例に従い、説明する。 ＜実施例１＞ 熱架橋 一般式（４）において、 Ｘ1，Ｘ2，Ｘ3が総てメチレン
オキサイド変性のアクリロイル基、Ｙ3，Ｙ4，Ｙ5内２
つがエチル基、残り１つがメチレンオキサイド変性のア
クリロイル基である構造を持つアクリレート10ｇに、過
酸化物架橋剤として、0.2ｇのパーヘキサ２５Ｂ（四国
化成製）を添加してワニスを調製した。室温で１０分撹
拌した後、離型処理したガラス板上に作成した厚み０．
４ｍｍの枠内に前記ワニスを注入し、上部より離型処理
したガラス板をのせた後、１１０℃に設定した乾燥機に
３時間入て硬化させた。硬化終了後、ガラス板からフィ
ルムを剥離して試料を得た。 ＜実施例２＞ ＵＶ架橋１ 実施例１で用いたアクリレートと同一のアクリレート10
ｇに0.1ｇのイルガキャア１８４（チバスペシャリティ
ケミカル製）を添加して調製したワニスを、５０〜７０
℃で１０〜２０分撹拌した後、離型処理したガラス板上
に作成した厚み０．４ｍｍの枠内のワニスを注入した。
上部より離型処理したガラスをのせた後、両面から約５
００ｍＪ／ｃｍ2のＵＶ光を照射して硬化させ、ガラス
からフィルムを剥離して試料を得た。 ＜実施例３＞ ＵＶ架橋２ 実施例2で用いたアクリレート10ｇに代えて、一般式
（１）のＲ1，Ｒ2，Ｒ3が総て−Ｈである構造を持つア
クリレート10ｇを用いた以外は実施例２と同様にして試
料を得た。 ＜実施例４＞ ＵＶ架橋３ 実施例2で用いたアクリレート10ｇに代えて、一般式
（２）のＹ1が−ＣＨ2ＯＨ である構造を持つアクリレ
ート10ｇを用いた以外は実施例２と同様にして試料を得
た。 ＜実施例５＞ ＵＶ架橋４ 実施例2で用いたアクリレート10ｇに代えて、一般式
（３）のＹ2がエチル基である構造を持つアクリレート1
0ｇを用いた以外は実施例２と同様にして試料を得た。 ＜実施例６＞ ＵＶ架橋５ 実施例2で用いたアクリレート10ｇに代えて、一般式
（３）のＹ2がメチレンオキサイド変性のアクリロイル
基である構造を持つアクリレート10ｇを用いた以外は実
施例２と同様にして試料を得た。 ＜実施例７＞ ＵＶ架橋６ 実施例2で用いたアクリレート10ｇに代えて、一般式
（４）の Ｘ1，Ｘ2，Ｘ3が総てメチレンオキサイド変性
のアクリロイル基、 Ｙ3およびＹ4がメチレンオキサイ
ド変性のアクリロイル基、Ｙ5が−ＣＨ2ＯＣＨ3である
構造を持つアクリレート10ｇを用いた以外は実施例２と
同様にして試料を得た。 ＜実施例８＞ 電子線架橋 実施例１で用いたアクリレートと同一のアクリレート10
ｇを、離型処理したガラス板上に作成した厚み０．４ｍ
ｍの枠内に注入し、上部より離型処理したガラス板をの
せた後、上部より約５００ｋＧｙの電子線を照射して硬
化した。硬化終了後、ガラス板からフィルムを剥離して
試料を得た。
オキサイド変性のアクリロイル基、Ｙ3，Ｙ4，Ｙ5内２
つがエチル基、残り１つがメチレンオキサイド変性のア
クリロイル基である構造を持つアクリレート10ｇに、過
酸化物架橋剤として、0.2ｇのパーヘキサ２５Ｂ（四国
化成製）を添加してワニスを調製した。室温で１０分撹
拌した後、離型処理したガラス板上に作成した厚み０．
４ｍｍの枠内に前記ワニスを注入し、上部より離型処理
したガラス板をのせた後、１１０℃に設定した乾燥機に
３時間入て硬化させた。硬化終了後、ガラス板からフィ
ルムを剥離して試料を得た。 ＜実施例２＞ ＵＶ架橋１ 実施例１で用いたアクリレートと同一のアクリレート10
ｇに0.1ｇのイルガキャア１８４（チバスペシャリティ
ケミカル製）を添加して調製したワニスを、５０〜７０
℃で１０〜２０分撹拌した後、離型処理したガラス板上
に作成した厚み０．４ｍｍの枠内のワニスを注入した。
上部より離型処理したガラスをのせた後、両面から約５
００ｍＪ／ｃｍ2のＵＶ光を照射して硬化させ、ガラス
からフィルムを剥離して試料を得た。 ＜実施例３＞ ＵＶ架橋２ 実施例2で用いたアクリレート10ｇに代えて、一般式
（１）のＲ1，Ｒ2，Ｒ3が総て−Ｈである構造を持つア
クリレート10ｇを用いた以外は実施例２と同様にして試
料を得た。 ＜実施例４＞ ＵＶ架橋３ 実施例2で用いたアクリレート10ｇに代えて、一般式
（２）のＹ1が−ＣＨ2ＯＨ である構造を持つアクリレ
ート10ｇを用いた以外は実施例２と同様にして試料を得
た。 ＜実施例５＞ ＵＶ架橋４ 実施例2で用いたアクリレート10ｇに代えて、一般式
（３）のＹ2がエチル基である構造を持つアクリレート1
0ｇを用いた以外は実施例２と同様にして試料を得た。 ＜実施例６＞ ＵＶ架橋５ 実施例2で用いたアクリレート10ｇに代えて、一般式
（３）のＹ2がメチレンオキサイド変性のアクリロイル
基である構造を持つアクリレート10ｇを用いた以外は実
施例２と同様にして試料を得た。 ＜実施例７＞ ＵＶ架橋６ 実施例2で用いたアクリレート10ｇに代えて、一般式
（４）の Ｘ1，Ｘ2，Ｘ3が総てメチレンオキサイド変性
のアクリロイル基、 Ｙ3およびＹ4がメチレンオキサイ
ド変性のアクリロイル基、Ｙ5が−ＣＨ2ＯＣＨ3である
構造を持つアクリレート10ｇを用いた以外は実施例２と
同様にして試料を得た。 ＜実施例８＞ 電子線架橋 実施例１で用いたアクリレートと同一のアクリレート10
ｇを、離型処理したガラス板上に作成した厚み０．４ｍ
ｍの枠内に注入し、上部より離型処理したガラス板をの
せた後、上部より約５００ｋＧｙの電子線を照射して硬
化した。硬化終了後、ガラス板からフィルムを剥離して
試料を得た。
【００１５】＜比較例１＞実施例2で用いたアクリレー
ト10ｇに代えて、２官能アクリレートとしてイソシアヌ
ル酸エチレンオキサイド変性ジアクリレート10ｇを用い
た以外は実施例２と同様にして試料を得た。 ＜比較例２＞実施例2で用いたアクリレート10ｇに代え
て、２官能アクリレートとしてポリエチレングリコール
ジアクリレート10ｇを用いた以外は実施例２と同様にし
て試料を得た。 ＜比較例３＞実施例2で用いたアクリレート10ｇに代え
て、２官能アクリレートとしてトリプロピレングリコー
ルジアクリレート10ｇを用いた以外は実施例２と同様に
して試料を得た。
ト10ｇに代えて、２官能アクリレートとしてイソシアヌ
ル酸エチレンオキサイド変性ジアクリレート10ｇを用い
た以外は実施例２と同様にして試料を得た。 ＜比較例２＞実施例2で用いたアクリレート10ｇに代え
て、２官能アクリレートとしてポリエチレングリコール
ジアクリレート10ｇを用いた以外は実施例２と同様にし
て試料を得た。 ＜比較例３＞実施例2で用いたアクリレート10ｇに代え
て、２官能アクリレートとしてトリプロピレングリコー
ルジアクリレート10ｇを用いた以外は実施例２と同様に
して試料を得た。
【００１６】＜実施例９＞実施例３で用いた３官能アク
リレート5ｇと比較例１で用いた２官能アクリレート5ｇ
を混合したものを用いた以外は実施例２と同様にして試
料を得た。 ＜実施例１０＞実施例９で用いた２官能アクリレート5
ｇに代えて、トリプロピレングリコールジアクリレート
5ｇを用いた以外は実施例９と同様にして試料を得た。 ＜実施例１１＞実施例2で用いたアクリレート10ｇに代
えて、単官能アクリレートとしてイソボニルアクリレー
ト１ｇと実施例３で用いた３官能アクレート９ｇを混合
したものを用いた以外は実施例２と同様にして試料を得
た。
リレート5ｇと比較例１で用いた２官能アクリレート5ｇ
を混合したものを用いた以外は実施例２と同様にして試
料を得た。 ＜実施例１０＞実施例９で用いた２官能アクリレート5
ｇに代えて、トリプロピレングリコールジアクリレート
5ｇを用いた以外は実施例９と同様にして試料を得た。 ＜実施例１１＞実施例2で用いたアクリレート10ｇに代
えて、単官能アクリレートとしてイソボニルアクリレー
ト１ｇと実施例３で用いた３官能アクレート９ｇを混合
したものを用いた以外は実施例２と同様にして試料を得
た。
【００１７】以上のようにして作製した試料について、
下記に示す評価方法により、色、５００ｎｍの光線透過
率、耐ＤＭＳＯ性、耐ＴＭＡＨ性、耐液晶性を評価し
た。 評価方法 色： 目視による外観観察を行う。 ５００ｎｍの光線透過率： 分光光度計U3200（日
立製作所製）で測定した。 耐ＤＭＳＯ性： ４０℃のＤＭＳＯ溶液に試料を投
入して６０分放置。試料を取り出した後、目視にて外観
観察を行う。 耐ＴＭＡＨ性 ： ２４℃の１５％ＴＭＡＨ水溶液
に試料を投入して６０分放置する。試料を取り出した
後、目視にて外観観察を行う。 耐液晶性： 基板の表面にメルク社製ＺＬＩ−４
７９２を１滴滴下する。１２０℃のオーブン内に投入し
て１時間放置する。試料を取り出した後、目視にて外観
観察を行う。 Ｔｇ： 粘弾性測定装置 DMS-210（セイコーインスツルメンツ
製）の1Hzでのtanδの最大値をガラス転移点（Ｔｇ）と
した。 評価結果を表１〜３に示す。
下記に示す評価方法により、色、５００ｎｍの光線透過
率、耐ＤＭＳＯ性、耐ＴＭＡＨ性、耐液晶性を評価し
た。 評価方法 色： 目視による外観観察を行う。 ５００ｎｍの光線透過率： 分光光度計U3200（日
立製作所製）で測定した。 耐ＤＭＳＯ性： ４０℃のＤＭＳＯ溶液に試料を投
入して６０分放置。試料を取り出した後、目視にて外観
観察を行う。 耐ＴＭＡＨ性 ： ２４℃の１５％ＴＭＡＨ水溶液
に試料を投入して６０分放置する。試料を取り出した
後、目視にて外観観察を行う。 耐液晶性： 基板の表面にメルク社製ＺＬＩ−４
７９２を１滴滴下する。１２０℃のオーブン内に投入し
て１時間放置する。試料を取り出した後、目視にて外観
観察を行う。 Ｔｇ： 粘弾性測定装置 DMS-210（セイコーインスツルメンツ
製）の1Hzでのtanδの最大値をガラス転移点（Ｔｇ）と
した。 評価結果を表１〜３に示す。
【００１８】
【表1】
【００１９】
【表２】
【００２０】
【表３】
【００２１】表１〜３に示すように、３官能以上のアク
リロイル基及びメタクリロイル基（実施例１〜８）を有
するものでは、いずれもＴｇが２５０℃以上、５００ｎ
ｍの光線透過率が８９％以上であり、耐ＤＭＳＯ性、耐
ＴＭＡＨ性、耐液晶性に問題がなかった。これに対し、
２官能のアクリロイル基（比較例１〜３）を有するもの
では、いずれもレジスト除去溶剤に対する耐性に問題が
あり、Ｔｇが２００℃以下であった。また、本発明の３
官能以上のアクリロイル基と単官能以上のアクリロイル
基を有するものを混合して用いた場合は、実施例９〜１
１に示すように、Ｔｇが若干低下した他は、特に性能上
問題はなく、Ｔｇに関しても２００℃以上という条件は
満足していた。これらの混合組成物を用いた場合、取り
扱い時の感触から靭性が増加しており、特にプラスチッ
ク基板特有の割れにくいという性質をより多く備えてい
るものと考えられた。
リロイル基及びメタクリロイル基（実施例１〜８）を有
するものでは、いずれもＴｇが２５０℃以上、５００ｎ
ｍの光線透過率が８９％以上であり、耐ＤＭＳＯ性、耐
ＴＭＡＨ性、耐液晶性に問題がなかった。これに対し、
２官能のアクリロイル基（比較例１〜３）を有するもの
では、いずれもレジスト除去溶剤に対する耐性に問題が
あり、Ｔｇが２００℃以下であった。また、本発明の３
官能以上のアクリロイル基と単官能以上のアクリロイル
基を有するものを混合して用いた場合は、実施例９〜１
１に示すように、Ｔｇが若干低下した他は、特に性能上
問題はなく、Ｔｇに関しても２００℃以上という条件は
満足していた。これらの混合組成物を用いた場合、取り
扱い時の感触から靭性が増加しており、特にプラスチッ
ク基板特有の割れにくいという性質をより多く備えてい
るものと考えられた。
【００２２】<実施例12>実施例３に示す方法により、シ
ート状の基材を作製し、酸素及び水蒸気バリヤーとし
て、酸化ケイ素系の無機層を蒸着した。これを高分子基
板として、特表平１０−５１２１０４号公報に示す方法
に従って、ＴＦＴアレイを作製した。この作製工程中、
レジストの除去溶剤にＤＭＳＯおよびフォトリソグラフ
ィーの現像液にＴＭＡＨを使用したが、前記高分子基板
にふくれ、曇りなどの変性は見られなかった。カラーフ
ィルター基板についても同様のフォトリソグラフィー手
法によって作製した。この時もＤＭＳＯおよびＴＭＡＨ
を使用したが、ＴＦＴアレイ同様ふくれ、曇り等の変性
は見られなかった。次に、ＴＦＴ、カラーフィルターの
両基板を洗浄後、配向膜処理を施し、カラーフィルター
側にエポキシ接着剤をスクリーン印刷により塗布し、Ｔ
ＦＴ基板状にスペーサーを散布した後、両者を張り合わ
せた。この後、あらかじめ開けられた両基板の隙間から
真空注入法により液晶を注入した。液晶注入法は周知の
ように、両基板の隙間（開口部）を液晶中に浸漬して圧
力差により注入する方法であり、開口部周囲の基板部分
は必ず液晶中に浸漬される。この操作後も両基板に変性
は見られず、本発明により、プラスチック基板を用いた
良好なＴＦＴ液晶セルを得ることが証明された。
ート状の基材を作製し、酸素及び水蒸気バリヤーとし
て、酸化ケイ素系の無機層を蒸着した。これを高分子基
板として、特表平１０−５１２１０４号公報に示す方法
に従って、ＴＦＴアレイを作製した。この作製工程中、
レジストの除去溶剤にＤＭＳＯおよびフォトリソグラフ
ィーの現像液にＴＭＡＨを使用したが、前記高分子基板
にふくれ、曇りなどの変性は見られなかった。カラーフ
ィルター基板についても同様のフォトリソグラフィー手
法によって作製した。この時もＤＭＳＯおよびＴＭＡＨ
を使用したが、ＴＦＴアレイ同様ふくれ、曇り等の変性
は見られなかった。次に、ＴＦＴ、カラーフィルターの
両基板を洗浄後、配向膜処理を施し、カラーフィルター
側にエポキシ接着剤をスクリーン印刷により塗布し、Ｔ
ＦＴ基板状にスペーサーを散布した後、両者を張り合わ
せた。この後、あらかじめ開けられた両基板の隙間から
真空注入法により液晶を注入した。液晶注入法は周知の
ように、両基板の隙間（開口部）を液晶中に浸漬して圧
力差により注入する方法であり、開口部周囲の基板部分
は必ず液晶中に浸漬される。この操作後も両基板に変性
は見られず、本発明により、プラスチック基板を用いた
良好なＴＦＴ液晶セルを得ることが証明された。
【００２３】
【発明の効果】以上に述べたように、本発明の表示素子
用高分子フィルムは、レジスト除去溶剤であるジメチル
スルホキシドおよびフォトリソグラフィーの現像液であ
る水酸化テトラメチルアンモニウムに対する耐溶剤性、
および耐液晶性を合わせ持つものであり、しかも耐熱
性、透明性に優れるため、特にＴＦＴ用表示素子基板と
しての用途に最適である。従来こうした用途を目的とし
た高分子フィルムは、何層にも及ぶ積層材構造によって
その要求特性を維持してきたが、本発明は、従来の積層
材構造における欠点、すなわち多工程によるコスト高、
溶剤の層間進入によるふくれ、剥離等を克服し、良好な
ＴＦＴ用表示基板を提供することが出来るものであり、
電子産業上極めて有用である。
用高分子フィルムは、レジスト除去溶剤であるジメチル
スルホキシドおよびフォトリソグラフィーの現像液であ
る水酸化テトラメチルアンモニウムに対する耐溶剤性、
および耐液晶性を合わせ持つものであり、しかも耐熱
性、透明性に優れるため、特にＴＦＴ用表示素子基板と
しての用途に最適である。従来こうした用途を目的とし
た高分子フィルムは、何層にも及ぶ積層材構造によって
その要求特性を維持してきたが、本発明は、従来の積層
材構造における欠点、すなわち多工程によるコスト高、
溶剤の層間進入によるふくれ、剥離等を克服し、良好な
ＴＦＴ用表示基板を提供することが出来るものであり、
電子産業上極めて有用である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｃ０８Ｌ 33:00 Ｃ０８Ｌ 33:00 (72)発明者 田中 順二 東京都品川区東品川２丁目５番８号 住友 ベークライト株式会社内 Ｆターム(参考） 2H090 JB03 JD08 4F071 AA33 AA33X AF02 AF29Y AF30Y AH16 AH19 BA02 BB02 BB03 BC01 BC02 4J100 AL02Q AL08Q AL67P BA02P BA03P BA04P BC73P CA01 CA04 DA28 DA61 DA62 DA64 JA32 5C094 AA02 AA31 AA44 EB02
Claims (9)
- 【請求項１】 耐ジメチルスルホキシド性、耐水酸化テ
トラメチルアンモニウム性、および耐液晶性を有する、
Ｔｇが２００℃以上の表示素子用高分子からなる、波長
５００ｎｍの光線透過率が８５％以上であることを特徴
とする表示素子用高分子フィルム。 - 【請求項２】 表示素子用高分子が、３官能以上のアク
リロイル基及び／又はメタクリロイル基を有するモノマ
ーを架橋させて得られる表示素子用高分子である請求項
１記載の表示素子用高分子フィルム。 - 【請求項３】 表示素子用高分子が一般式（１）で示さ
れるモノマーを架橋させて得られる表示素子用高分子で
ある請求項１または２記載の表示素子用高分子フィル
ム。 【化１】 - 【請求項４】 表示素子用高分子が一般式（２）で示さ
れるモノマーを架橋させて得られる表示素子用高分子で
ある請求項１または２記載の表示素子用高分子フィル
ム。 【化２】 - 【請求項５】表示素子用高分子が一般式（３）で示され
るモノマーを架橋させて得られる表示素子用高分子であ
る請求項１または２記載の表示素子用高分子フィルム。 【化３】 - 【請求項６】表示素子用高分子が一般式（４）で示され
るモノマーを架橋させて得られる表示素子用高分子であ
る請求項１または２記載の表示素子用高分子フィルム。 【化４】 - 【請求項７】表示素子用高分子が一般式（１）で示され
るモノマー、一般式（２）で示されるモノマー、一般式
（３）で示されるモノマー及び一般式（４）で示される
モノマーからなる群から選ばれた1種類以上のモノマー
と、前記群に属さない単官能以上のアクリロイル基及び
／又はメタクリロイル基を有する1種類以上のモノマー
とを混合した後、架橋させて得られる表示素子用高分子
である請求項１または２記載の表示素子用高分子フィル
ム。 - 【請求項８】請求項１〜７のいずれか1項に記載の表示
素子用高分子フィルムを使用してなる表示素子用基板。 - 【請求項９】請求項１〜７のいずれか1項に記載の表示
素子用高分子フィルムを使用してなる薄膜トランジスタ
表示素子用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001023795A JP2002080616A (ja) | 2000-06-30 | 2001-01-31 | 表示素子用高分子フィルム及びこれを用いた表示素子用基板 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000-199041 | 2000-06-30 | ||
| JP2000199041 | 2000-06-30 | ||
| JP2001023795A JP2002080616A (ja) | 2000-06-30 | 2001-01-31 | 表示素子用高分子フィルム及びこれを用いた表示素子用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002080616A true JP2002080616A (ja) | 2002-03-19 |
Family
ID=26595133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001023795A Pending JP2002080616A (ja) | 2000-06-30 | 2001-01-31 | 表示素子用高分子フィルム及びこれを用いた表示素子用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002080616A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| EP1958981A2 (en) | 2007-02-15 | 2008-08-20 | FUJIFILM Corporation | Barriere laminate, barrier film substrate, methods for producing them, and device |
| EP2033988A2 (en) | 2007-09-05 | 2009-03-11 | Fujifilm Corporation | Gas-barrier film, and method for sealing display device with gas-barrier film |
| EP2036717A2 (en) | 2007-09-14 | 2009-03-18 | Fujifilm Corporation | Gas barrier film, and display device comprising the same |
| EP2040318A2 (en) | 2007-09-19 | 2009-03-25 | Fujifilm Corporation | Patterning method and display device |
| EP2040314A1 (en) | 2007-09-19 | 2009-03-25 | Fujifilm Corporation | Light-emitting device or display device, and method for producing them |
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| EP2050780A2 (en) | 2007-10-16 | 2009-04-22 | Fujifilm Corporation | Barrier laminate, barrier film substrate, device, and method for producing barrier laminate |
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| EP2128191A1 (en) | 2008-05-30 | 2009-12-02 | Fujifilm Corporation | Barrier laminate, gas barrier film, device, and method for producing barrier laminate |
| EP2128192A1 (en) | 2008-05-29 | 2009-12-02 | Fujifilm Corporation | Barrier laminate, gas barrier film and device using the same |
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| EP2141190A1 (en) | 2008-06-30 | 2010-01-06 | Fujifilm Corporation | Barrier laminate, gas barrier film, device and method for producing barrier laminate |
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| EP2289983A1 (en) | 2009-09-01 | 2011-03-02 | Fujifilm Corporation | Composite film |
| WO2011027902A1 (en) | 2009-09-01 | 2011-03-10 | Fujifilm Corporation | Barrier laminate, gas barrier film and method for manufacturing the barrier laminate |
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| WO2013027786A1 (ja) | 2011-08-24 | 2013-02-28 | 富士フイルム株式会社 | バリア性積層体およびガスバリアフィルム |
-
2001
- 2001-01-31 JP JP2001023795A patent/JP2002080616A/ja active Pending
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