JP2002075878A - 縦型熱処理装置 - Google Patents
縦型熱処理装置Info
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- JP2002075878A JP2002075878A JP2000262434A JP2000262434A JP2002075878A JP 2002075878 A JP2002075878 A JP 2002075878A JP 2000262434 A JP2000262434 A JP 2000262434A JP 2000262434 A JP2000262434 A JP 2000262434A JP 2002075878 A JP2002075878 A JP 2002075878A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ヒータユニットの上下からの放熱量を効果的に
補填し、均熱領域を長くし、或は均熱領域を変えること
なく縦型熱処理炉の炉高を低く、シリコンウェーハの大
径化に対応し、スループットの向上を図る。 【解決手段】有天筒状のヒータユニット３内に反応管が
設けられ、該反応管内で被処理基板に対して熱処理を行
う縦型熱処理装置に於いて、前記ヒータユニットが有天
筒状の断熱体８、該断熱体の内周面に設けられた発熱体
９を有し、該発熱体の上側、下側の少なくとも一方に環
状の加熱ランプ１５，１７を設けた。
補填し、均熱領域を長くし、或は均熱領域を変えること
なく縦型熱処理炉の炉高を低く、シリコンウェーハの大
径化に対応し、スループットの向上を図る。 【解決手段】有天筒状のヒータユニット３内に反応管が
設けられ、該反応管内で被処理基板に対して熱処理を行
う縦型熱処理装置に於いて、前記ヒータユニットが有天
筒状の断熱体８、該断熱体の内周面に設けられた発熱体
９を有し、該発熱体の上側、下側の少なくとも一方に環
状の加熱ランプ１５，１７を設けた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はシリコンウェーハ等
の被処理基板に成膜処理、熱拡散等の処理を行う縦型熱
処理装置に関するものである。
の被処理基板に成膜処理、熱拡散等の処理を行う縦型熱
処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図６に於いて、縦型熱処理装置の概略を
説明する。
説明する。
【０００３】筐体１に設けられたヒータベース２に有天
筒状のヒータユニット３が立設され、該ヒータユニット
３の内部に上端が閉塞され、下端が開放された反応管４
が同心に設けられている。前記ヒータユニット３、石英
製の反応管４により縦型熱処理炉１０が構成される。
筒状のヒータユニット３が立設され、該ヒータユニット
３の内部に上端が閉塞され、下端が開放された反応管４
が同心に設けられている。前記ヒータユニット３、石英
製の反応管４により縦型熱処理炉１０が構成される。
【０００４】前記反応管４にはボート５がボートエレベ
ータ６によって装入される。該ボートエレベータ６はボ
ート支持台７を昇降可能に支持し、該ボート支持台７は
前記反応管４の開口部を気密に閉塞する。前記ボート支
持台７にはボートキャップ１２を介して前記ボート５が
載置される。
ータ６によって装入される。該ボートエレベータ６はボ
ート支持台７を昇降可能に支持し、該ボート支持台７は
前記反応管４の開口部を気密に閉塞する。前記ボート支
持台７にはボートキャップ１２を介して前記ボート５が
載置される。
【０００５】前記ボート５はシリコンウェーハを水平姿
勢で多段に保持し、シリコンウェーハはボート５に支持
された状態で、前記反応管４に装入され成膜等の処理を
受ける。
勢で多段に保持し、シリコンウェーハはボート５に支持
された状態で、前記反応管４に装入され成膜等の処理を
受ける。
【０００６】前記反応管４内へのボート５の装入は所定
温度に下がった状態で装入され、装入後処理温度迄加熱
される。更に、前記ボート５の引出しは炉外での自然酸
化を防止する為、所定温度迄降温して実施される。
温度に下がった状態で装入され、装入後処理温度迄加熱
される。更に、前記ボート５の引出しは炉外での自然酸
化を防止する為、所定温度迄降温して実施される。
【０００７】次に、図７に於いて前記ヒータユニット３
の概略を説明する。
の概略を説明する。
【０００８】断熱体８は上端が閉塞された有天筒状をし
ており、該断熱体８の内円筒面全面に発熱体９が設けら
れている。該発熱体９は軸心方向に沿って下方より発熱
分体９L2，９L1，９C ，９U に４分割され、各分体はそ
れぞれ独立して発熱制御される様になっている。又、各
発熱分体は、円筒面に沿って螺旋状に設けた抵抗発熱線
（Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ合金線：金属発熱線、二桂化モリブ
デン、ＳｉＣ）、及び該抵抗発熱線を所定のピッチに保
持する保持部材から構成される。
ており、該断熱体８の内円筒面全面に発熱体９が設けら
れている。該発熱体９は軸心方向に沿って下方より発熱
分体９L2，９L1，９C ，９U に４分割され、各分体はそ
れぞれ独立して発熱制御される様になっている。又、各
発熱分体は、円筒面に沿って螺旋状に設けた抵抗発熱線
（Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ合金線：金属発熱線、二桂化モリブ
デン、ＳｉＣ）、及び該抵抗発熱線を所定のピッチに保
持する保持部材から構成される。
【０００９】上記従来のヒータユニット３により反応管
４内を加熱する場合、上方、下方からの放熱があり、前
記発熱分体９L1，９L2，９U は放熱量を補填する様制御
され、反応管４内に均熱領域１１が形成され、該均熱領
域１１で処理されたシリコンウェーハが製品となる。
４内を加熱する場合、上方、下方からの放熱があり、前
記発熱分体９L1，９L2，９U は放熱量を補填する様制御
され、反応管４内に均熱領域１１が形成され、該均熱領
域１１で処理されたシリコンウェーハが製品となる。
【００１０】前記ヒータユニット３の発熱分体９L1，９
L2の役割は下方への放熱される熱量を補填するものであ
り、前記発熱分体９U の役割は上方への放熱される熱量
を補填するものとなっている。
L2の役割は下方への放熱される熱量を補填するものであ
り、前記発熱分体９U の役割は上方への放熱される熱量
を補填するものとなっている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】近年に於いて、シリコ
ンウェーハの大径化は増々進み、シリコンウェーハの大
径化に対応して反応管４、ヒータユニット３の大径化も
進み、ヒータユニット３上端の放熱面積、下端の開口面
積も大きくなり、更に前記反応管４の熱伝導面積も大き
くなっている。この為、前記ヒータユニット３の上端、
下端から又前記反応管４を介して上端、下端からの放熱
量が大きくなっている。
ンウェーハの大径化は増々進み、シリコンウェーハの大
径化に対応して反応管４、ヒータユニット３の大径化も
進み、ヒータユニット３上端の放熱面積、下端の開口面
積も大きくなり、更に前記反応管４の熱伝導面積も大き
くなっている。この為、前記ヒータユニット３の上端、
下端から又前記反応管４を介して上端、下端からの放熱
量が大きくなっている。
【００１２】放熱量が多くなると、前記発熱分体９L1，
９L2，９U からの給熱量を多くしなければならないが、
前記抵抗発熱線の発熱量には限界があり、更に温度を高
くすると発熱体９C との温度干渉により、均熱領域１１
への影響が生じ、均熱性を崩すこととなり、結局給熱量
を多くする為には前記発熱分体９L1，９L2，９U の軸心
方向の長さを長くしなければならない。特に、下方への
放熱量が大きい為、発熱分体９U 以上に発熱分体９L1，
９L2を長くしなければならず、又本従来例の様に、下方
の発熱分体を分割し、放熱量を下側のものについて発熱
を多くする等しなければ、下方の発熱分体からの発熱が
前記均熱領域１１に影響するという問題も生じる。
９L2，９U からの給熱量を多くしなければならないが、
前記抵抗発熱線の発熱量には限界があり、更に温度を高
くすると発熱体９C との温度干渉により、均熱領域１１
への影響が生じ、均熱性を崩すこととなり、結局給熱量
を多くする為には前記発熱分体９L1，９L2，９U の軸心
方向の長さを長くしなければならない。特に、下方への
放熱量が大きい為、発熱分体９U 以上に発熱分体９L1，
９L2を長くしなければならず、又本従来例の様に、下方
の発熱分体を分割し、放熱量を下側のものについて発熱
を多くする等しなければ、下方の発熱分体からの発熱が
前記均熱領域１１に影響するという問題も生じる。
【００１３】上記従来例では発熱分体９L1，９L2，９U
の長さが長くなり、特に下方の発熱分体９L1，９L2の長
さが長くなる。ところが反応管４の全長は建屋等装置が
収納される空間により制限され、従って前記均熱領域１
１が短くならざるを得ない。該均熱領域１１が短くなる
ことで、シリコンウェーハの処理枚数が減少し、スルー
プットが低下することとなる。
の長さが長くなり、特に下方の発熱分体９L1，９L2の長
さが長くなる。ところが反応管４の全長は建屋等装置が
収納される空間により制限され、従って前記均熱領域１
１が短くならざるを得ない。該均熱領域１１が短くなる
ことで、シリコンウェーハの処理枚数が減少し、スルー
プットが低下することとなる。
【００１４】又、前記発熱分体９L1，９L2，９U を長く
した場合は、多くの断熱材を必要とし、断熱材の保温量
が多くなり、ヒータの加熱、冷却に時間が掛かることと
なり、１バッチ当りの処理時間が長くなり、やはりスル
ープットの低下は避けられない。
した場合は、多くの断熱材を必要とし、断熱材の保温量
が多くなり、ヒータの加熱、冷却に時間が掛かることと
なり、１バッチ当りの処理時間が長くなり、やはりスル
ープットの低下は避けられない。
【００１５】本発明は斯かる実情に鑑み、ヒータユニッ
ト３の上下からの放熱量を効果的に補填し、均熱領域を
長くし、或は均熱領域を変えることなく縦型熱処理炉の
炉高を低くし、シリコンウェーハの大径化に対応し、ス
ループットの向上を図るものである。
ト３の上下からの放熱量を効果的に補填し、均熱領域を
長くし、或は均熱領域を変えることなく縦型熱処理炉の
炉高を低くし、シリコンウェーハの大径化に対応し、ス
ループットの向上を図るものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は、有天筒状のヒ
ータユニット内に反応管が設けられ、該反応管内で被処
理基板に対して熱処理を行う縦型熱処理装置に於いて、
前記ヒータユニットが有天筒状の断熱体、該断熱体の内
周面に設けられた発熱体を有し、該発熱体の上側、下側
の少なくとも一方に環状の加熱ランプを設けた縦型熱処
理装置に係り、又有天筒状のヒータユニット内に反応管
が設けられ、該反応管内で被処理基板に対して熱処理を
行う縦型熱処理装置に於いて、前記ヒータユニットが有
天筒状の断熱体、該断熱体の内周面に設けられた発熱体
を有し、該発熱体と上側、下側の少なくとも一方に環状
の加熱ランプを設け、該加熱ランプの中心位置に加熱ラ
ンプからの熱線をヒータユニット軸心方向に反射する反
射体を設けた縦型熱処理装置に係るものである。
ータユニット内に反応管が設けられ、該反応管内で被処
理基板に対して熱処理を行う縦型熱処理装置に於いて、
前記ヒータユニットが有天筒状の断熱体、該断熱体の内
周面に設けられた発熱体を有し、該発熱体の上側、下側
の少なくとも一方に環状の加熱ランプを設けた縦型熱処
理装置に係り、又有天筒状のヒータユニット内に反応管
が設けられ、該反応管内で被処理基板に対して熱処理を
行う縦型熱処理装置に於いて、前記ヒータユニットが有
天筒状の断熱体、該断熱体の内周面に設けられた発熱体
を有し、該発熱体と上側、下側の少なくとも一方に環状
の加熱ランプを設け、該加熱ランプの中心位置に加熱ラ
ンプからの熱線をヒータユニット軸心方向に反射する反
射体を設けた縦型熱処理装置に係るものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態を説明する。
実施の形態を説明する。
【００１８】図１は、縦型熱処理炉１０のヒータユニッ
ト３部分を示しており、図７で示したものと同等のもの
には同符号を付してある。
ト３部分を示しており、図７で示したものと同等のもの
には同符号を付してある。
【００１９】断熱体８は上端が閉塞された有天筒状をし
ており、該断熱体８の内円筒面全面に発熱体９が設けら
れている。該発熱体９は軸心方向に沿って発熱分体９L
，９C ，９U に３分割され、各発熱分体はそれぞれ独
立して発熱制御される様になっている。又、前記各発熱
分体は、円筒面に沿って螺旋状に設けられた抵抗発熱線
及び該抵抗発熱線を所定のピッチに保持する保持部材か
ら構成される。
ており、該断熱体８の内円筒面全面に発熱体９が設けら
れている。該発熱体９は軸心方向に沿って発熱分体９L
，９C ，９U に３分割され、各発熱分体はそれぞれ独
立して発熱制御される様になっている。又、前記各発熱
分体は、円筒面に沿って螺旋状に設けられた抵抗発熱線
及び該抵抗発熱線を所定のピッチに保持する保持部材か
ら構成される。
【００２０】前記断熱体８の前記発熱分体９U より上方
の位置に上外周溝１３が形成され、前記発熱分体９L よ
り下方の位置に下外周溝１４が形成され、前記上外周溝
１３に環状に形成された上加熱ランプ１５が前記断熱体
８と同心に嵌装され、該上加熱ランプ１５の外周側に環
状の反射鏡１６が前記上加熱ランプ１５と同心に設けら
れている。前記反射鏡１６の内面は熱を反射し易い鏡面
若しくは同等の性状を有しており、断面は好ましくは前
記上加熱ランプ１５の断面と同心の円弧形状となってい
る。
の位置に上外周溝１３が形成され、前記発熱分体９L よ
り下方の位置に下外周溝１４が形成され、前記上外周溝
１３に環状に形成された上加熱ランプ１５が前記断熱体
８と同心に嵌装され、該上加熱ランプ１５の外周側に環
状の反射鏡１６が前記上加熱ランプ１５と同心に設けら
れている。前記反射鏡１６の内面は熱を反射し易い鏡面
若しくは同等の性状を有しており、断面は好ましくは前
記上加熱ランプ１５の断面と同心の円弧形状となってい
る。
【００２１】前記下外周溝１４に環状に形成された下加
熱ランプ１７が前記断熱体８と同心に嵌装され、該下加
熱ランプ１７の外周側に環状の反射鏡１８が前記下加熱
ランプ１７と同心に設けられている。前記反射鏡１８の
内面は前記反射鏡１６と同様、熱を反射し易い鏡面若し
くは同等の性状を有しており、断面は好ましくは前記下
加熱ランプ１７の断面と同心の円弧形状となっている。
熱ランプ１７が前記断熱体８と同心に嵌装され、該下加
熱ランプ１７の外周側に環状の反射鏡１８が前記下加熱
ランプ１７と同心に設けられている。前記反射鏡１８の
内面は前記反射鏡１６と同様、熱を反射し易い鏡面若し
くは同等の性状を有しており、断面は好ましくは前記下
加熱ランプ１７の断面と同心の円弧形状となっている。
【００２２】尚、前記上加熱ランプ１５、下加熱ランプ
１７はそれぞれ要求される補填熱量に応じてランプ単体
の発熱容量が決定され、又何段（何周）にするかも選択
される。又、ランプは図２（Ａ）に示す様に円状であっ
ても、或は図２（Ｂ）に示す様に所要数に分割した円弧
（２等分した半円弧）で円を構成してもよい。
１７はそれぞれ要求される補填熱量に応じてランプ単体
の発熱容量が決定され、又何段（何周）にするかも選択
される。又、ランプは図２（Ａ）に示す様に円状であっ
ても、或は図２（Ｂ）に示す様に所要数に分割した円弧
（２等分した半円弧）で円を構成してもよい。
【００２３】前記上加熱ランプ１５、下加熱ランプ１７
は熱量の補填が必要とされると点灯される。熱量の補填
が必要な場合とは、例えば、前記ボート５の装入時、縦
型熱処理炉１０の昇温時等、温度設定値と炉内温度との
間に差が生じた場合である。
は熱量の補填が必要とされると点灯される。熱量の補填
が必要な場合とは、例えば、前記ボート５の装入時、縦
型熱処理炉１０の昇温時等、温度設定値と炉内温度との
間に差が生じた場合である。
【００２４】尚、前記上加熱ランプ１５、下加熱ランプ
１７は熱線による加熱であり、加熱時の応答性がよく、
更に反射鏡１６、反射鏡１８を使用することで、加熱方
向、対象物が特定でき、又局部的な加熱が可能であり、
シリコンウェーハには影響しない様に加熱、熱量の補填
ができる。従ってシリコンウェーハの加熱に寄与しない
ことから、シリコンウェーハの表面膜による吸収熱量を
考慮することなく加熱状態を決定できるので、温度制御
が容易になる。
１７は熱線による加熱であり、加熱時の応答性がよく、
更に反射鏡１６、反射鏡１８を使用することで、加熱方
向、対象物が特定でき、又局部的な加熱が可能であり、
シリコンウェーハには影響しない様に加熱、熱量の補填
ができる。従ってシリコンウェーハの加熱に寄与しない
ことから、シリコンウェーハの表面膜による吸収熱量を
考慮することなく加熱状態を決定できるので、温度制御
が容易になる。
【００２５】更に反射鏡１６、反射鏡１８により無用な
方向に対する熱の拡散が防止できるので、断熱材を少な
く、或は省略することができる。尚、反射鏡を省略し、
断熱材、熱遮蔽板を設けることもできる。
方向に対する熱の拡散が防止できるので、断熱材を少な
く、或は省略することができる。尚、反射鏡を省略し、
断熱材、熱遮蔽板を設けることもできる。
【００２６】前記上加熱ランプ１５、下加熱ランプ１７
による給熱は他の発熱分体９U 、発熱分体９L と熱干渉
を起さないので、該発熱分体９U 、発熱分体９L とは独
立した熱補填制御が可能となるので、発熱分体９U 、発
熱分体９L の長さを小さくしても、充分に対応が可能で
ある。
による給熱は他の発熱分体９U 、発熱分体９L と熱干渉
を起さないので、該発熱分体９U 、発熱分体９L とは独
立した熱補填制御が可能となるので、発熱分体９U 、発
熱分体９L の長さを小さくしても、充分に対応が可能で
ある。
【００２７】更に、前記上加熱ランプ１５、下加熱ラン
プ１７は断熱体８の外周側に設けたが、図３に示す様
に、内周側に設けてもよい。ランプを内周側に設けるこ
とで、加熱をより迅速に行うことができる。
プ１７は断熱体８の外周側に設けたが、図３に示す様
に、内周側に設けてもよい。ランプを内周側に設けるこ
とで、加熱をより迅速に行うことができる。
【００２８】図４は他の実施の形態を示している。
【００２９】該他の実施の形態では、上加熱ランプ１
５、下加熱ランプ１７をそれぞれ前記断熱体８の内周側
に設け、更に前記上加熱ランプ１５の中心位置となる様
断熱体８の天井８ａの下面に倒立円錐状の上反射体２０
を設け、前記断熱体８が縦型熱処理炉１０内に装入され
た状態で、前記下加熱ランプ１７の中心位置となる様
に、正立円錐状の下反射体２１が設けられる。図４で示
す実施の形態では、該下反射体２１が設けられる位置と
しては、前記ボートキャップ１２の中心位置となってい
る。
５、下加熱ランプ１７をそれぞれ前記断熱体８の内周側
に設け、更に前記上加熱ランプ１５の中心位置となる様
断熱体８の天井８ａの下面に倒立円錐状の上反射体２０
を設け、前記断熱体８が縦型熱処理炉１０内に装入され
た状態で、前記下加熱ランプ１７の中心位置となる様
に、正立円錐状の下反射体２１が設けられる。図４で示
す実施の形態では、該下反射体２１が設けられる位置と
しては、前記ボートキャップ１２の中心位置となってい
る。
【００３０】前記上反射体２０は上加熱ランプ１５から
の熱線を下方に反射し、前記下反射体２１は前記下加熱
ランプ１７からの熱線を上方に反射する。前記上反射体
２０、下反射体２１の反射面は前記反射鏡１６、反射鏡
１８と同様熱線をもっとも効果的に反射する性状が選択
される。例えば、表面を熱線の波長に合わせ、効果的な
材質でコーティグする等であり、好ましいコーティング
材料の１つとしては金メッキが挙げられる。
の熱線を下方に反射し、前記下反射体２１は前記下加熱
ランプ１７からの熱線を上方に反射する。前記上反射体
２０、下反射体２１の反射面は前記反射鏡１６、反射鏡
１８と同様熱線をもっとも効果的に反射する性状が選択
される。例えば、表面を熱線の波長に合わせ、効果的な
材質でコーティグする等であり、好ましいコーティング
材料の１つとしては金メッキが挙げられる。
【００３１】前記上反射体２０、下反射体２１は熱線を
軸心方向に反射するので、シリコンウェーハの中心部の
加熱が可能となり、シリコンウェーハ面内の温度分布を
小さくでき、昇温した場合のリカバリ時間を短縮でき
る。
軸心方向に反射するので、シリコンウェーハの中心部の
加熱が可能となり、シリコンウェーハ面内の温度分布を
小さくでき、昇温した場合のリカバリ時間を短縮でき
る。
【００３２】更に、上反射体２０、下反射体２１の形状
により、シリコンウェーハ中心部のの加熱状態を選択で
きる。例えば円錐形の代りに反射面を球面とする等であ
る。
により、シリコンウェーハ中心部のの加熱状態を選択で
きる。例えば円錐形の代りに反射面を球面とする等であ
る。
【００３３】尚、上記上反射体２０、下反射体２１は熱
を反射するものではなく、効果的に吸熱するＳｉ、Ｓｉ
Ｃ等を材質とする吸熱体であってもよい。吸熱、蓄熱す
ることで、２次的な給熱源として作用する。
を反射するものではなく、効果的に吸熱するＳｉ、Ｓｉ
Ｃ等を材質とする吸熱体であってもよい。吸熱、蓄熱す
ることで、２次的な給熱源として作用する。
【００３４】尚、発熱体９のヒータユニット３の上方か
らの放熱量は多くないことから、従来通りでも可能であ
る。更に、図５（Ａ）に示す様に、断熱体８の天井８ａ
内面に抵抗発熱線によるヒータ２３を設けてもよく、或
は図５（Ｂ）に示す様に加熱ランプ２４、反射鏡２５を
設けてもよい。
らの放熱量は多くないことから、従来通りでも可能であ
る。更に、図５（Ａ）に示す様に、断熱体８の天井８ａ
内面に抵抗発熱線によるヒータ２３を設けてもよく、或
は図５（Ｂ）に示す様に加熱ランプ２４、反射鏡２５を
設けてもよい。
【００３５】更に、上加熱ランプ１５及び下加熱ランプ
１７は放熱量に応じ、複数段設けてもよい。
１７は放熱量に応じ、複数段設けてもよい。
【００３６】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、前記ヒ
ータユニットが有天筒状の断熱体、該断熱体の内周面に
設けられた発熱体を有し、該発熱体と上側、下側の少な
くとも一方に環状の加熱ランプを設けたので、局部的に
被処理基板を加熱することなく熱補填でき、ヒータユニ
ットの上部熱補填部、下部熱補填部の長さが短くなり、
炉内の均熱長が長くなり、被処理基板の処理枚数が増大
するのでスループットが向上する。
ータユニットが有天筒状の断熱体、該断熱体の内周面に
設けられた発熱体を有し、該発熱体と上側、下側の少な
くとも一方に環状の加熱ランプを設けたので、局部的に
被処理基板を加熱することなく熱補填でき、ヒータユニ
ットの上部熱補填部、下部熱補填部の長さが短くなり、
炉内の均熱長が長くなり、被処理基板の処理枚数が増大
するのでスループットが向上する。
【００３７】更に、ランプ加熱であるので、応答性がよ
く、更に加熱源として熱容量が小さいので、昇温速度、
降温速度が大きく、１バッチ当りの処理時間が短くなる
のでスループットが向上する。
く、更に加熱源として熱容量が小さいので、昇温速度、
降温速度が大きく、１バッチ当りの処理時間が短くなる
のでスループットが向上する。
【００３８】更に又、昇温速度、降温速度が大きいの
で、基板装入時、昇温時のみの加熱で対応でき、ランニ
ングコストが低下する等の優れた効果を発揮する。
で、基板装入時、昇温時のみの加熱で対応でき、ランニ
ングコストが低下する等の優れた効果を発揮する。
【図１】本発明の実施の形態を示す要部断面図である。
【図２】（Ａ）（Ｂ）は該実施の形態に使用される加熱
ランプの説明図である。
ランプの説明図である。
【図３】該実施の形態の変形例の要部説明図である。
【図４】本発明の他の実施の形態を示す概略断面図であ
る。
る。
【図５】本発明の更に他の実施の形態の要部断面図であ
る。
る。
【図６】縦型熱処理装置の概略を示す説明図である。
【図７】従来例のヒータユニットを示す断面図である。
１ 筐体 ３ ヒータユニット ４ 反応管 ５ ボート ７ ボート支持台 ８ 断熱体 ９ 発熱体 １０ 縦型熱処理炉 １２ ボートキャップ １３ 上外周溝 １４ 下外周溝 １５ 上加熱ランプ １６ 反射鏡 １７ 下加熱ランプ １８ 反射鏡 ２０ 上反射体 ２１ 下反射体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 須田 敦彦 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 Ｆターム(参考） 4K030 CA04 FA10 KA04 KA09 KA23 KA45 5F045 AA03 AA20 AF03 BB08 DP19 DQ05 EK06 EK11 EK22
Claims (2)
- 【請求項１】 有天筒状のヒータユニット内に反応管が
設けられ、該反応管内で被処理基板に対して熱処理を行
う縦型熱処理装置に於いて、前記ヒータユニットが有天
筒状の断熱体、該断熱体の内周面に設けられた発熱体を
有し、該発熱体の上側、下側の少なくとも一方に環状の
加熱ランプを設けたことを特徴とする縦型熱処理装置。 - 【請求項２】 有天筒状のヒータユニット内に反応管が
設けられ、該反応管内で被処理基板に対して熱処理を行
う縦型熱処理装置に於いて、前記ヒータユニットが有天
筒状の断熱体、該断熱体の内周面に設けられた発熱体を
有し、該発熱体と上側、下側の少なくとも一方に環状の
加熱ランプを設け、該加熱ランプの中心位置に加熱ラン
プからの熱線をヒータユニット軸心方向に反射する反射
体を設けたことを特徴とする縦型熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000262434A JP2002075878A (ja) | 2000-08-31 | 2000-08-31 | 縦型熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000262434A JP2002075878A (ja) | 2000-08-31 | 2000-08-31 | 縦型熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002075878A true JP2002075878A (ja) | 2002-03-15 |
Family
ID=18750117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000262434A Pending JP2002075878A (ja) | 2000-08-31 | 2000-08-31 | 縦型熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002075878A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4676567B1 (ja) * | 2010-07-20 | 2011-04-27 | 三井造船株式会社 | 半導体基板熱処理装置 |
| JP2015179820A (ja) * | 2014-03-18 | 2015-10-08 | ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド | プロセス空間の高さ別に加熱温度が調節可能なヒータを備える基板処理装置 |
-
2000
- 2000-08-31 JP JP2000262434A patent/JP2002075878A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4676567B1 (ja) * | 2010-07-20 | 2011-04-27 | 三井造船株式会社 | 半導体基板熱処理装置 |
| WO2012011203A1 (ja) * | 2010-07-20 | 2012-01-26 | 三井造船株式会社 | 半導体基板熱処理装置 |
| JP2012028368A (ja) * | 2010-07-20 | 2012-02-09 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 半導体基板熱処理装置 |
| CN102484071A (zh) * | 2010-07-20 | 2012-05-30 | 三井造船株式会社 | 半导体基板热处理装置 |
| CN102484071B (zh) * | 2010-07-20 | 2013-08-21 | 三井造船株式会社 | 半导体基板热处理装置 |
| JP2015179820A (ja) * | 2014-03-18 | 2015-10-08 | ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド | プロセス空間の高さ別に加熱温度が調節可能なヒータを備える基板処理装置 |
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