JP2002075742A - バラントランス及びその特性調整方法 - Google Patents
バラントランス及びその特性調整方法Info
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- JP2002075742A JP2002075742A JP2000256055A JP2000256055A JP2002075742A JP 2002075742 A JP2002075742 A JP 2002075742A JP 2000256055 A JP2000256055 A JP 2000256055A JP 2000256055 A JP2000256055 A JP 2000256055A JP 2002075742 A JP2002075742 A JP 2002075742A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 一旦バラントランスが作製されるとバラント
ランスとして使用できる周波数帯域が調整できない。移
動体通信機器の種類に応じて使用周波数帯域が変わった
場合、設計し直す必要がある。コイルを構成している線
幅がばらつき、所望の特性が得られない場合、不良品に
するしかなかった。 【解決手段】 絶縁層と導体層を交互に積層し、絶縁層
の積層体内に、不平衡用端子とダミー端子間に接続され
た同じターン数を有する第１のコイルと第２のコイル及
び、１対の平衡用端子間に接続された同じターン数を有
する第３のコイルと第４のコイルを備える。第１のコイ
ルと第３のコイルが電磁気的に結合し、かつ第２のコイ
ルと第４のコイルが電磁気的に結合する。第３のコイル
と第４のコイルの接続点は、アース用端子を介してアー
スされる。不平衡用端子、ダミー端子、１対の平衡用端
子及び、アース用端子は積層体の側面に形成される。こ
のとき、ダミー端子の大きさは、他の端子の大きさと異
ならせて形成される。
ランスとして使用できる周波数帯域が調整できない。移
動体通信機器の種類に応じて使用周波数帯域が変わった
場合、設計し直す必要がある。コイルを構成している線
幅がばらつき、所望の特性が得られない場合、不良品に
するしかなかった。 【解決手段】 絶縁層と導体層を交互に積層し、絶縁層
の積層体内に、不平衡用端子とダミー端子間に接続され
た同じターン数を有する第１のコイルと第２のコイル及
び、１対の平衡用端子間に接続された同じターン数を有
する第３のコイルと第４のコイルを備える。第１のコイ
ルと第３のコイルが電磁気的に結合し、かつ第２のコイ
ルと第４のコイルが電磁気的に結合する。第３のコイル
と第４のコイルの接続点は、アース用端子を介してアー
スされる。不平衡用端子、ダミー端子、１対の平衡用端
子及び、アース用端子は積層体の側面に形成される。こ
のとき、ダミー端子の大きさは、他の端子の大きさと異
ならせて形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信機器等
において、伝送線路のインピーダンスを変換するための
インピーダンス変換器や、平衡伝送線路の信号及び不平
衡伝送線路の信号を相互に変換するための信号変換器な
いし位相変換器などに用いられるバラントランス及びそ
の特性調整方法に関する。
において、伝送線路のインピーダンスを変換するための
インピーダンス変換器や、平衡伝送線路の信号及び不平
衡伝送線路の信号を相互に変換するための信号変換器な
いし位相変換器などに用いられるバラントランス及びそ
の特性調整方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のバラントランスには、図１５に示
す様に、第１のストリップラインＳ１と第２のストリッ
プラインＳ２を接続すると共に、第１のストリップライ
ンＳ１に第３のストリップラインＳ３を、第２のストリ
ップラインＳ２に第４のストリップラインＳ４をそれぞ
れ電磁気的に結合させ、第１のストリップラインＳ１を
不平衡用端子１５１に、第３のストリップラインＳ３の
一端を平衡用端子１５２に、第４のストリップラインＳ
４の一端を平衡用端子１５３に接続し、第３のストリッ
プラインＳ３の他端と第４のストリップラインＳ４の他
端をアースしたものがある。この様なバラントランス
は、それぞれのストリップラインを使用する周波数の１
／４波長の長さにする必要があるために、形状が大型化
する。
す様に、第１のストリップラインＳ１と第２のストリッ
プラインＳ２を接続すると共に、第１のストリップライ
ンＳ１に第３のストリップラインＳ３を、第２のストリ
ップラインＳ２に第４のストリップラインＳ４をそれぞ
れ電磁気的に結合させ、第１のストリップラインＳ１を
不平衡用端子１５１に、第３のストリップラインＳ３の
一端を平衡用端子１５２に、第４のストリップラインＳ
４の一端を平衡用端子１５３に接続し、第３のストリッ
プラインＳ３の他端と第４のストリップラインＳ４の他
端をアースしたものがある。この様なバラントランス
は、それぞれのストリップラインを使用する周波数の１
／４波長の長さにする必要があるために、形状が大型化
する。
【０００３】この様な問題を解決するために本発明者
は、図１６に示す様に、不平衡用端子１６１とダミー端
子１６４間に接続された同じターン数の第１のコイルＬ
６と第２のコイルＬ７及び、１対の平衡用端子１６２、
１６３間に接続された同じターン数の第３のコイルＬ８
と第４のコイルＬ９を備え、第１のコイルＬ６と第３の
コイルＬ８を電磁気的に結合させ、かつ第２のコイルＬ
７と第４のコイルＬ９を電磁気的に結合させ、第３のコ
イルＬ８と第４のコイルＬ９の接続点がアースされ、不
平衡用端子１６１とアース間に第５のコイルＬ１０と容
量Ｃ８が並列に接続されたものを発明した（特願２００
０−２３１５１７号）。なお、Ｃ５は第１のコイルＬ６
と第３のコイルＬ８間に形成された容量、Ｃ６は第２の
コイルＬ７と第４のコイルＬ９間に形成された容量、Ｃ
７はコイルＬ８とコイルＬ９を容量結合するための容量
である。
は、図１６に示す様に、不平衡用端子１６１とダミー端
子１６４間に接続された同じターン数の第１のコイルＬ
６と第２のコイルＬ７及び、１対の平衡用端子１６２、
１６３間に接続された同じターン数の第３のコイルＬ８
と第４のコイルＬ９を備え、第１のコイルＬ６と第３の
コイルＬ８を電磁気的に結合させ、かつ第２のコイルＬ
７と第４のコイルＬ９を電磁気的に結合させ、第３のコ
イルＬ８と第４のコイルＬ９の接続点がアースされ、不
平衡用端子１６１とアース間に第５のコイルＬ１０と容
量Ｃ８が並列に接続されたものを発明した（特願２００
０−２３１５１７号）。なお、Ｃ５は第１のコイルＬ６
と第３のコイルＬ８間に形成された容量、Ｃ６は第２の
コイルＬ７と第４のコイルＬ９間に形成された容量、Ｃ
７はコイルＬ８とコイルＬ９を容量結合するための容量
である。
【０００４】この様なバラントランスは、絶縁体層と導
体層を交互に積層して形成され、これらの積層体の側面
に、同じ大きさの不平衡用端子、ダミー端子、１対の平
衡用端子及び、アース用端子が形成される。そして、こ
の様に形成されたバラントランスは、図１７に示す様
に、移動体通信機器等のプリント基板１８０に実装さ
れ、不平衡用端子１６１、平衡用端子１６２、１６３、
アース用端子１７５、１７６がそれぞれ所定の配線パタ
ーンＰ１に接続され、ダミー端子１６４がダミーの配線
パターンＰ２に接続される。
体層を交互に積層して形成され、これらの積層体の側面
に、同じ大きさの不平衡用端子、ダミー端子、１対の平
衡用端子及び、アース用端子が形成される。そして、こ
の様に形成されたバラントランスは、図１７に示す様
に、移動体通信機器等のプリント基板１８０に実装さ
れ、不平衡用端子１６１、平衡用端子１６２、１６３、
アース用端子１７５、１７６がそれぞれ所定の配線パタ
ーンＰ１に接続され、ダミー端子１６４がダミーの配線
パターンＰ２に接続される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この様なバラントラン
スは、コイルＬ６、Ｌ７、Ｌ８、Ｌ９、Ｌ１０を構成し
ている導体パターンの線幅が７５μｍ、コイルＬ６、Ｌ
７とコイルＬ８、Ｌ９の巻数比を不平衡用端子と平衡用
端子間のインピーダンス比が１：４になるように作製し
たところ、その大きさが２．０×１．２５×１．２５ｍ
ｍとなり、図１７のようにプリント基板に実装して測定
した結果、図１８に示すような特性が得られた。なお、
図１８（ａ）、（ｂ）において横軸は周波数、縦軸は減
衰量、１８１は平衡端子１５３から出力された信号の特
性、１８２はリターンロスの特性、１８３は平衡端子１
５３から出力された信号の特性、１８４はリターンロス
の特性を示し、図１８（ｃ）において横軸は周波数、縦
軸は位相、１８５は位相特性を示している。
スは、コイルＬ６、Ｌ７、Ｌ８、Ｌ９、Ｌ１０を構成し
ている導体パターンの線幅が７５μｍ、コイルＬ６、Ｌ
７とコイルＬ８、Ｌ９の巻数比を不平衡用端子と平衡用
端子間のインピーダンス比が１：４になるように作製し
たところ、その大きさが２．０×１．２５×１．２５ｍ
ｍとなり、図１７のようにプリント基板に実装して測定
した結果、図１８に示すような特性が得られた。なお、
図１８（ａ）、（ｂ）において横軸は周波数、縦軸は減
衰量、１８１は平衡端子１５３から出力された信号の特
性、１８２はリターンロスの特性、１８３は平衡端子１
５３から出力された信号の特性、１８４はリターンロス
の特性を示し、図１８（ｃ）において横軸は周波数、縦
軸は位相、１８５は位相特性を示している。
【０００６】この種のバラントランスは、一般的に使用
周波数帯域において一方の平衡用端子から出力される信
号と他方の平衡用端子から出力される信号の位相差が１
７０〜１９０の範囲内で、不平衡用端子にもどってきた
信号の減衰量、すなわち、不平衡用端子におけるリター
ンロスが１０ｄＢ以上あることが望まれている。前記の
バラントランスは、９００〜２２６０ＭＨｚにおいて前
述の条件を満たしており、この周波数帯域がバラントラ
ンスとして使用でき、その帯域幅が１３６０ＭＨｚとな
る。
周波数帯域において一方の平衡用端子から出力される信
号と他方の平衡用端子から出力される信号の位相差が１
７０〜１９０の範囲内で、不平衡用端子にもどってきた
信号の減衰量、すなわち、不平衡用端子におけるリター
ンロスが１０ｄＢ以上あることが望まれている。前記の
バラントランスは、９００〜２２６０ＭＨｚにおいて前
述の条件を満たしており、この周波数帯域がバラントラ
ンスとして使用でき、その帯域幅が１３６０ＭＨｚとな
る。
【０００７】この種のバラントランスが実装される移動
体通信機器としては、ＧＳＭ、ＤＣＳ、Ｗ−ＬＡＮ、Ｗ
−ＣＤＭＡ等さまざまなものがあり、その使用周波数帯
域もさまざまである。しかしながら、前記のバラントラ
ンスは、コイルを構成している導体パターンの線幅や、
コイルのターン数によってバラントランスとして使用で
きる周波数帯域が決定されるため、一旦バラントランス
が作製されるとその使用できる周波数帯域を調整するこ
とができなかった。そのため、移動体通信機器の種類に
応じて使用周波数帯域が変った場合、設計をし直す必要
があり、生産性が低下すると共に、設計・製造が複雑に
なる。また、コイルを構成している導体パターンの線幅
のばらつき等により特性がばらつき、所定の特性が得ら
れない場合、不良品にするしかなかった。
体通信機器としては、ＧＳＭ、ＤＣＳ、Ｗ−ＬＡＮ、Ｗ
−ＣＤＭＡ等さまざまなものがあり、その使用周波数帯
域もさまざまである。しかしながら、前記のバラントラ
ンスは、コイルを構成している導体パターンの線幅や、
コイルのターン数によってバラントランスとして使用で
きる周波数帯域が決定されるため、一旦バラントランス
が作製されるとその使用できる周波数帯域を調整するこ
とができなかった。そのため、移動体通信機器の種類に
応じて使用周波数帯域が変った場合、設計をし直す必要
があり、生産性が低下すると共に、設計・製造が複雑に
なる。また、コイルを構成している導体パターンの線幅
のばらつき等により特性がばらつき、所定の特性が得ら
れない場合、不良品にするしかなかった。
【０００８】本発明は、移動体通信機器の種類に応じて
使用周波数帯域が変わった場合や、特性がばらついた場
合でも、使用できる周波数帯域を調整することができる
バラントランス及びその特性調整方法を提供することを
目的とする。
使用周波数帯域が変わった場合や、特性がばらついた場
合でも、使用できる周波数帯域を調整することができる
バラントランス及びその特性調整方法を提供することを
目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のバラントランス
は、積層体の側面に形成され、直列接続された第１と第
２のコイルの開放端が接続されたダミー端子によって不
平衡用端子におけるリターンロスの特性が調整できるこ
とに注目し、ダミー端子の形状によりバラントランスと
して使用できる周波数帯域を調整して上記課題を解決す
るものである。すなわち、絶縁層と導体層を交互に積層
し、絶縁層の積層体内に、不平衡用端子とダミー端子間
に接続された同じターン数を有する第１のコイルと第２
のコイル及び、１対の平衡用端子間に接続された同じタ
ーン数を有する第３のコイルと第４のコイルを備え、第
１のコイルと第３のコイルが電磁気的に結合し、かつ第
２のコイルと第４のコイルが電磁気的に結合し、第３の
コイルと第４のコイルの接続点がアース用端子を介して
アースされたバラントランスにおいて、不平衡用端子、
ダミー端子、１対の平衡用端子及び、アース用端子が積
層体の側面に形成され、ダミー端子を溶融半田に濡れな
い被覆層で覆う、又は、ダミー端子を他の端子の大きさ
と異なる大きさにする。
は、積層体の側面に形成され、直列接続された第１と第
２のコイルの開放端が接続されたダミー端子によって不
平衡用端子におけるリターンロスの特性が調整できるこ
とに注目し、ダミー端子の形状によりバラントランスと
して使用できる周波数帯域を調整して上記課題を解決す
るものである。すなわち、絶縁層と導体層を交互に積層
し、絶縁層の積層体内に、不平衡用端子とダミー端子間
に接続された同じターン数を有する第１のコイルと第２
のコイル及び、１対の平衡用端子間に接続された同じタ
ーン数を有する第３のコイルと第４のコイルを備え、第
１のコイルと第３のコイルが電磁気的に結合し、かつ第
２のコイルと第４のコイルが電磁気的に結合し、第３の
コイルと第４のコイルの接続点がアース用端子を介して
アースされたバラントランスにおいて、不平衡用端子、
ダミー端子、１対の平衡用端子及び、アース用端子が積
層体の側面に形成され、ダミー端子を溶融半田に濡れな
い被覆層で覆う、又は、ダミー端子を他の端子の大きさ
と異なる大きさにする。
【００１０】本発明の特性調整方法は、絶縁層と導体層
を交互に積層し、絶縁層の積層体内に、不平衡用端子と
ダミー端子間に接続された同じターン数を有する第１の
コイルと第２のコイル及び、１対の平衡用端子間に接続
された同じターン数を有する第３のコイルと第４のコイ
ルを備え、第１のコイルと第３のコイルが電磁気的に結
合し、かつ第２のコイルと第４のコイルが電磁気的に結
合し、第３のコイルと第４のコイルの接続点がアース用
端子を介してアースされたバラントランスの積層体の側
面に形成されたダミー端子の大きさを変えて不平衡用端
子におけるリターンロスの特性を調整する。また、本発
明の特性調整方法は、絶縁層と導体層を交互に積層し、
絶縁層の積層体内に、不平衡用端子とダミー端子間に接
続された同じターン数を有する第１のコイルと第２のコ
イル及び、１対の平衡用端子間に接続された同じターン
数を有する第３のコイルと第４のコイルを備え、第１の
コイルと第３のコイルが電磁気的に結合し、かつ第２の
コイルと第４のコイルが電磁気的に結合し、第３のコイ
ルと第４のコイルの接続点がアース用端子を介してアー
スされたバラントランスの積層体の側面に形成されたダ
ミー端子が電子機器のプリント基板の配線パターンに接
触しないように、基板に実装して不平衡用端子における
リターンロスの特性を調整する。
を交互に積層し、絶縁層の積層体内に、不平衡用端子と
ダミー端子間に接続された同じターン数を有する第１の
コイルと第２のコイル及び、１対の平衡用端子間に接続
された同じターン数を有する第３のコイルと第４のコイ
ルを備え、第１のコイルと第３のコイルが電磁気的に結
合し、かつ第２のコイルと第４のコイルが電磁気的に結
合し、第３のコイルと第４のコイルの接続点がアース用
端子を介してアースされたバラントランスの積層体の側
面に形成されたダミー端子の大きさを変えて不平衡用端
子におけるリターンロスの特性を調整する。また、本発
明の特性調整方法は、絶縁層と導体層を交互に積層し、
絶縁層の積層体内に、不平衡用端子とダミー端子間に接
続された同じターン数を有する第１のコイルと第２のコ
イル及び、１対の平衡用端子間に接続された同じターン
数を有する第３のコイルと第４のコイルを備え、第１の
コイルと第３のコイルが電磁気的に結合し、かつ第２の
コイルと第４のコイルが電磁気的に結合し、第３のコイ
ルと第４のコイルの接続点がアース用端子を介してアー
スされたバラントランスの積層体の側面に形成されたダ
ミー端子が電子機器のプリント基板の配線パターンに接
触しないように、基板に実装して不平衡用端子における
リターンロスの特性を調整する。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明のバラントランスは、絶縁
層と導体層を交互に積層し、絶縁層の積層体内に、不平
衡用端子とダミー端子間に接続された同じターン数を有
する第１のコイルと第２のコイル及び、１対の平衡用端
子間に接続された同じターン数を有する第３のコイルと
第４のコイルを備える。この第１のコイルと第３のコイ
ルが電磁気的に結合し、かつ第２のコイルと第４のコイ
ルが電磁気的に結合する。また、第３のコイルと第４の
コイルの接続点がアース用端子を介してアースされる。
不平衡用端子とアース用端子間には、第５のコイルと容
量が並列に接続される。この不平衡用端子、ダミー端
子、１対の平衡用端子及び、アース用端子は、絶縁層と
導体層の積層体の側面に形成される。このダミー端子
は、その大きさが他の端子の大きさと異なるように形成
される。そして、このダミー端子の大きさによって不平
衡用端子におけるリターンロスの特性に形成された２つ
の減衰極の周波数が調整される。
層と導体層を交互に積層し、絶縁層の積層体内に、不平
衡用端子とダミー端子間に接続された同じターン数を有
する第１のコイルと第２のコイル及び、１対の平衡用端
子間に接続された同じターン数を有する第３のコイルと
第４のコイルを備える。この第１のコイルと第３のコイ
ルが電磁気的に結合し、かつ第２のコイルと第４のコイ
ルが電磁気的に結合する。また、第３のコイルと第４の
コイルの接続点がアース用端子を介してアースされる。
不平衡用端子とアース用端子間には、第５のコイルと容
量が並列に接続される。この不平衡用端子、ダミー端
子、１対の平衡用端子及び、アース用端子は、絶縁層と
導体層の積層体の側面に形成される。このダミー端子
は、その大きさが他の端子の大きさと異なるように形成
される。そして、このダミー端子の大きさによって不平
衡用端子におけるリターンロスの特性に形成された２つ
の減衰極の周波数が調整される。
【００１２】
【実施例】以下、本発明のバラントランス及びその特性
調整方法を図１乃至図１４を参照して説明する。図１は
本発明のバラントランスの回路図、図２は本発明のバラ
ントランスの分解斜視図、図３は本発明のバラントラン
スの第１の実施例を示す斜視図である。図１において、
１１は不平衡用端子、１２、１３は平衡用端子、１４は
ダミー端子である。不平衡用端子１１とダミー端子１４
間には、同じターン数を有するコイルＬ１とコイルＬ２
が直列に接続される。また、平衡用端子１２と平衡用端
子１３間には、同じターン数を有するコイルＬ３とコイ
ルＬ４が接続される。このコイルＬ３とコイルＬ４は、
接続点がアースされる。また、不平衡用端子１１とアー
ス間には、コイルＬ５と容量Ｃ４が並列に接続される。
そして、コイルＬ１とコイルＬ３が電磁気的に結合し、
コイルＬ２とコイルＬ４が電磁気的に結合する。なお、
Ｃ１はコイルＬ１とコイルＬ３間に形成される容量、Ｃ
２はコイルＬ２とコイルＬ４間に形成される容量、Ｃ３
はコイルＬ３とコイルＬ４が容量結合することにより形
成される容量である。
調整方法を図１乃至図１４を参照して説明する。図１は
本発明のバラントランスの回路図、図２は本発明のバラ
ントランスの分解斜視図、図３は本発明のバラントラン
スの第１の実施例を示す斜視図である。図１において、
１１は不平衡用端子、１２、１３は平衡用端子、１４は
ダミー端子である。不平衡用端子１１とダミー端子１４
間には、同じターン数を有するコイルＬ１とコイルＬ２
が直列に接続される。また、平衡用端子１２と平衡用端
子１３間には、同じターン数を有するコイルＬ３とコイ
ルＬ４が接続される。このコイルＬ３とコイルＬ４は、
接続点がアースされる。また、不平衡用端子１１とアー
ス間には、コイルＬ５と容量Ｃ４が並列に接続される。
そして、コイルＬ１とコイルＬ３が電磁気的に結合し、
コイルＬ２とコイルＬ４が電磁気的に結合する。なお、
Ｃ１はコイルＬ１とコイルＬ３間に形成される容量、Ｃ
２はコイルＬ２とコイルＬ４間に形成される容量、Ｃ３
はコイルＬ３とコイルＬ４が容量結合することにより形
成される容量である。
【００１３】この様な回路構成のバラントランスは、例
えば、図２に示す様に絶縁層と導体層を交互に積層して
積層体内に回路素子が形成される。絶縁層２１ａの表面
には、アース用電極２２が形成される。このアース用電
極２２は絶縁層２１ａの対向する側面まで引き出され
る。絶縁層２１ｂと絶縁層２１ｃの表面には、それぞれ
渦巻状のコイル用導体パターン２３が形成される。この
コイル用導体パターン２３は、絶縁層２１ｂの導体パタ
ーン２３と絶縁層２１ｃの導体パターン２３が接続され
てコイルＬ５が形成される。絶縁層２１ｄの表面には、
アース用電極２４が形成される。このアース用電極２４
は絶縁層２１ｄの対向する側面まで引き出される。絶縁
層２１ｅ、絶縁層２１ｆ、絶縁層２１ｇ、絶縁層２１ｈ
の表面には、それぞれコイル用導体パターン２５、２６
が互いに線対称になるように形成される。このコイル用
導体パターン２５、２６は、絶縁層２１ｅから絶縁層２
１ｈまでの導体パターン２５をらせん状に接続してコイ
ルＬ１が形成され、絶縁層２１ｅから絶縁層２１ｈまで
の導体パターン２６をらせん状に接続してコイルＬ２が
形成される。このコイルＬ１とコイルＬ２は、同じター
ン数になる様に形成され、絶縁層２１ｅの導体パターン
２５と導体パターン２６が接続されることにより互いに
接続される。そして、絶縁層２１ｈ上の導体パターン２
５の一端と導体パターン２６の一端が絶縁層２１ｈの互
いに対向する側面の対向する位置に引き出される。絶縁
層２１ｉ、絶縁層２１ｊ、絶縁層２１ｋ、絶縁層２１ｌ
の表面には、それぞれコイル用導体パターン２７、２８
が互いに線対称になるように形成される。このとき、絶
縁層２１ｉのコイル用導体パターン２７、２８は、絶縁
層２１ｈのコイル用導体パターン２５、２６と対向する
位置に形成される。このコイル用導体パターン２７、２
８は、絶縁層２１ｉから絶縁層２１ｌまでの導体パター
ン２７をらせん状に接続してコイルＬ３が形成され、絶
縁層２１ｉから絶縁層２１ｌまでの導体パターン２８を
らせん状に接続してコイルＬ４が形成される。このコイ
ルＬ３とコイルＬ４は、同じターン数になる様に形成さ
れ、絶縁層２１ｉの導体パターン２７の一端と導体パタ
ーン２８の一端が対向する側面の対向する位置に引き出
される。また、絶縁層２１ｌの導体パターン２７の他端
と導体パターン２８の他端が絶縁層２１ｌの互いに対向
する側面の対向する位置に引き出される。絶縁層２１ｍ
の表面には、容量結合用電極２９が形成される。この容
量結合用電極２９は、絶縁層２１ｍを介してコイルＬ３
とコイルＬ４に跨るように形成される。絶縁層２１ａか
ら絶縁層２１ｍまで順次積層し、保護用の絶縁層２１ｈ
で覆われた積層体の側面には、不平衡用端子、ダミー端
子、１対の平衡用端子及び、１対のアース用端子が形成
される。そして、絶縁層２１ｈの導体パターン２５の一
端が不平衡用端子に、絶縁層２１ｈの導体パターン２６
の一端がダミー端子に接続される。また、絶縁層２１ｌ
の導体パターン２７の一端が一方の平衡用端子に、絶縁
層２１ｌの導体パターン２８の一端が他方の平衡用端子
に接続される。さらに、絶縁層２１ｉの導体パターン２
７の他端が一方のアース用端子に、絶縁層２１ｉの導体
パターン２８の他端が他方のアース用端子に接続され
る。また、アース用電極２２、２４がそれぞれ両方のア
ース用端子に接続される。さらに、絶縁層２１ｂの導体
パターン２３の一端が不平衡用端子に、絶縁層２１ｃの
導体パターン２３の他端が他方のアース用端子に接続さ
れる。
えば、図２に示す様に絶縁層と導体層を交互に積層して
積層体内に回路素子が形成される。絶縁層２１ａの表面
には、アース用電極２２が形成される。このアース用電
極２２は絶縁層２１ａの対向する側面まで引き出され
る。絶縁層２１ｂと絶縁層２１ｃの表面には、それぞれ
渦巻状のコイル用導体パターン２３が形成される。この
コイル用導体パターン２３は、絶縁層２１ｂの導体パタ
ーン２３と絶縁層２１ｃの導体パターン２３が接続され
てコイルＬ５が形成される。絶縁層２１ｄの表面には、
アース用電極２４が形成される。このアース用電極２４
は絶縁層２１ｄの対向する側面まで引き出される。絶縁
層２１ｅ、絶縁層２１ｆ、絶縁層２１ｇ、絶縁層２１ｈ
の表面には、それぞれコイル用導体パターン２５、２６
が互いに線対称になるように形成される。このコイル用
導体パターン２５、２６は、絶縁層２１ｅから絶縁層２
１ｈまでの導体パターン２５をらせん状に接続してコイ
ルＬ１が形成され、絶縁層２１ｅから絶縁層２１ｈまで
の導体パターン２６をらせん状に接続してコイルＬ２が
形成される。このコイルＬ１とコイルＬ２は、同じター
ン数になる様に形成され、絶縁層２１ｅの導体パターン
２５と導体パターン２６が接続されることにより互いに
接続される。そして、絶縁層２１ｈ上の導体パターン２
５の一端と導体パターン２６の一端が絶縁層２１ｈの互
いに対向する側面の対向する位置に引き出される。絶縁
層２１ｉ、絶縁層２１ｊ、絶縁層２１ｋ、絶縁層２１ｌ
の表面には、それぞれコイル用導体パターン２７、２８
が互いに線対称になるように形成される。このとき、絶
縁層２１ｉのコイル用導体パターン２７、２８は、絶縁
層２１ｈのコイル用導体パターン２５、２６と対向する
位置に形成される。このコイル用導体パターン２７、２
８は、絶縁層２１ｉから絶縁層２１ｌまでの導体パター
ン２７をらせん状に接続してコイルＬ３が形成され、絶
縁層２１ｉから絶縁層２１ｌまでの導体パターン２８を
らせん状に接続してコイルＬ４が形成される。このコイ
ルＬ３とコイルＬ４は、同じターン数になる様に形成さ
れ、絶縁層２１ｉの導体パターン２７の一端と導体パタ
ーン２８の一端が対向する側面の対向する位置に引き出
される。また、絶縁層２１ｌの導体パターン２７の他端
と導体パターン２８の他端が絶縁層２１ｌの互いに対向
する側面の対向する位置に引き出される。絶縁層２１ｍ
の表面には、容量結合用電極２９が形成される。この容
量結合用電極２９は、絶縁層２１ｍを介してコイルＬ３
とコイルＬ４に跨るように形成される。絶縁層２１ａか
ら絶縁層２１ｍまで順次積層し、保護用の絶縁層２１ｈ
で覆われた積層体の側面には、不平衡用端子、ダミー端
子、１対の平衡用端子及び、１対のアース用端子が形成
される。そして、絶縁層２１ｈの導体パターン２５の一
端が不平衡用端子に、絶縁層２１ｈの導体パターン２６
の一端がダミー端子に接続される。また、絶縁層２１ｌ
の導体パターン２７の一端が一方の平衡用端子に、絶縁
層２１ｌの導体パターン２８の一端が他方の平衡用端子
に接続される。さらに、絶縁層２１ｉの導体パターン２
７の他端が一方のアース用端子に、絶縁層２１ｉの導体
パターン２８の他端が他方のアース用端子に接続され
る。また、アース用電極２２、２４がそれぞれ両方のア
ース用端子に接続される。さらに、絶縁層２１ｂの導体
パターン２３の一端が不平衡用端子に、絶縁層２１ｃの
導体パターン２３の他端が他方のアース用端子に接続さ
れる。
【００１４】この様に形成されたバラントランスは、図
３に示す様に、不平衡用端子３１、平衡用端子３２、３
３、アース用端子３５、３６が同じ太さで積層体の側面
と上下面の一部に形成され、ダミー端子３４の太さが他
の端子のいずれよりも太く積層体の側面と上下面の一部
に形成される。
３に示す様に、不平衡用端子３１、平衡用端子３２、３
３、アース用端子３５、３６が同じ太さで積層体の側面
と上下面の一部に形成され、ダミー端子３４の太さが他
の端子のいずれよりも太く積層体の側面と上下面の一部
に形成される。
【００１５】この様に形成されたバラントランスにおい
て、コイルを構成している導体パターンの線幅を７５μ
ｍにし、コイルＬ１、Ｌ２とコイルＬ３、Ｌ４の巻数比
を不平衡用端子と平衡用端子間のインピーダンス比が
１：４になる様にしたところ、図４に示す様な特性が得
られた。また、その大きさは２．０×１．２５×１．２
５ｍｍとなった。なお、図４（ａ）、（ｂ）において横
軸は周波数、縦軸は減衰量、４１は平衡用端子１３から
出力された信号の特性、４２はリターンロスの特性、４
３は平衡端子１４から出力された信号の特性、４４はリ
ターンロスの特性を示し、図４（ｃ）において横軸は周
波数、縦軸は位相、４５は位相特性を示している。この
バラントランスのリターンロスの特性は、第１の減衰極
の周波数が９９１．１ＭＨｚで、その減衰量が２１．９
ｄＢ、第２の減衰極の周波数が１８５０ＭＨｚで、その
減衰量が２１．８ｄＢとなった。これは前記のバラント
ランスにおけるリターンロスの特性が、第１の減衰極の
周波数と減衰量が９７０ＭＨｚ、２１．１ｄＢ、第２の
減衰極の周波数と減衰量が１８２９．３ＭＨｚ、１８．
７ｄＢであるので、本発明のバラントランスのリターン
ロスの特性に形成された２つの減衰極間の間隔は前記の
ものよりも広くなり、しかも減衰量が大きくなってい
る。
て、コイルを構成している導体パターンの線幅を７５μ
ｍにし、コイルＬ１、Ｌ２とコイルＬ３、Ｌ４の巻数比
を不平衡用端子と平衡用端子間のインピーダンス比が
１：４になる様にしたところ、図４に示す様な特性が得
られた。また、その大きさは２．０×１．２５×１．２
５ｍｍとなった。なお、図４（ａ）、（ｂ）において横
軸は周波数、縦軸は減衰量、４１は平衡用端子１３から
出力された信号の特性、４２はリターンロスの特性、４
３は平衡端子１４から出力された信号の特性、４４はリ
ターンロスの特性を示し、図４（ｃ）において横軸は周
波数、縦軸は位相、４５は位相特性を示している。この
バラントランスのリターンロスの特性は、第１の減衰極
の周波数が９９１．１ＭＨｚで、その減衰量が２１．９
ｄＢ、第２の減衰極の周波数が１８５０ＭＨｚで、その
減衰量が２１．８ｄＢとなった。これは前記のバラント
ランスにおけるリターンロスの特性が、第１の減衰極の
周波数と減衰量が９７０ＭＨｚ、２１．１ｄＢ、第２の
減衰極の周波数と減衰量が１８２９．３ＭＨｚ、１８．
７ｄＢであるので、本発明のバラントランスのリターン
ロスの特性に形成された２つの減衰極間の間隔は前記の
ものよりも広くなり、しかも減衰量が大きくなってい
る。
【００１６】図５は、本発明のバラントランスの第２の
実施例を示す斜視図である。このバラントランスは、第
１の実施例と同様に絶縁層と導体層を交互に積層し、積
層体５０内に図１の回路を構成したもので、不平衡用端
子５１、平衡用端子５２、５３、アース用端子５５、５
６が同じ太さで積層体の側面と上下面の一部に形成さ
れ、ダミー端子５４の太さが他の端子のいずれよりも細
く積層体の側面と上下面の一部に形成される。この様な
バラントランスは、ダミー端子５４の太さを他の端子と
同じ太さ又は他の端子よりも太くした状態で、その一部
をトリミング等の手段で除去することにより形成され
る。この様に形成されたバラントランスにおいて、コイ
ルを構成している導体パターンの線幅を７５μｍにし、
コイルＬ１、Ｌ２とコイルＬ３、Ｌ４の巻数比を不平衡
用端子と平衡用端子間のインピーダンス比が１：４にな
る様にしたところ、図６に示す様な特性が得られた。な
お、図６（ａ）、（ｂ）において横軸は周波数、縦軸は
減衰量、６１は平衡用端子１３から出力された信号の特
性、６２はリターンロスの特性、６３は平衡端子１４か
ら出力された信号の特性、６４はリターンロスの特性を
示し、図６（ｃ）において横軸は周波数、縦軸は位相、
６５は位相特性を示している。このバラントランスのリ
ターンロスの特性は、第１の減衰極の周波数が１０２
８．７ＭＨｚで、その減衰量が１８．８ｄＢ、第２の減
衰極の周波数が１８７５ＭＨｚで、その減衰量が２７．
７ｄＢとなった。
実施例を示す斜視図である。このバラントランスは、第
１の実施例と同様に絶縁層と導体層を交互に積層し、積
層体５０内に図１の回路を構成したもので、不平衡用端
子５１、平衡用端子５２、５３、アース用端子５５、５
６が同じ太さで積層体の側面と上下面の一部に形成さ
れ、ダミー端子５４の太さが他の端子のいずれよりも細
く積層体の側面と上下面の一部に形成される。この様な
バラントランスは、ダミー端子５４の太さを他の端子と
同じ太さ又は他の端子よりも太くした状態で、その一部
をトリミング等の手段で除去することにより形成され
る。この様に形成されたバラントランスにおいて、コイ
ルを構成している導体パターンの線幅を７５μｍにし、
コイルＬ１、Ｌ２とコイルＬ３、Ｌ４の巻数比を不平衡
用端子と平衡用端子間のインピーダンス比が１：４にな
る様にしたところ、図６に示す様な特性が得られた。な
お、図６（ａ）、（ｂ）において横軸は周波数、縦軸は
減衰量、６１は平衡用端子１３から出力された信号の特
性、６２はリターンロスの特性、６３は平衡端子１４か
ら出力された信号の特性、６４はリターンロスの特性を
示し、図６（ｃ）において横軸は周波数、縦軸は位相、
６５は位相特性を示している。このバラントランスのリ
ターンロスの特性は、第１の減衰極の周波数が１０２
８．７ＭＨｚで、その減衰量が１８．８ｄＢ、第２の減
衰極の周波数が１８７５ＭＨｚで、その減衰量が２７．
７ｄＢとなった。
【００１７】図７は、本発明のバラントランスの第３の
実施例を示す斜視図である。このバラントランスは、第
１の実施例と同様に絶縁層と導体層を交互に積層し、積
層体７０内に図１の回路を構成したもので、不平衡用端
子７１、平衡用端子７２、７３、ダミー端子７４、アー
ス用端子７５、７６が同じ太さで積層体７０の側面と上
下面の一部に形成され、ダミー端子７４が積層体７０の
側面の下半分と下面の一部に形成される。この様なバラ
ントランスは、ダミー端子７４の太さを他の端子と同じ
太さ又は他の端子よりも太くした状態で、ダミー端子７
４の積層体の側面の下半分と下面に形成された部分が他
の端子と同じ太さになるようにそれ以外の部分をトリミ
ング等の手段で除去することにより形成される。この様
に形成されたバラントランスにおいて、コイルを構成し
ている導体パターンの線幅を７５μｍにし、コイルＬ
１、Ｌ２とコイルＬ３、Ｌ４の巻数比を不平衡用端子と
平衡用端子間のインピーダンス比が１：４になる様にし
たところ、図８に示す様な特性が得られた。なお、図８
（ａ）、（ｂ）において横軸は周波数、縦軸は減衰量、
８１は平衡用端子１３から出力された信号の特性、８２
はリターンロスの特性、８３は平衡端子１４から出力さ
れた信号の特性、８４はリターンロスの特性を示し、図
８（ｃ）において横軸は周波数、縦軸は位相、８５は位
相特性を示している。このバラントランスのリターンロ
スの特性は、第１の減衰極の周波数と減衰量がそれぞれ
１０４６．８ＭＨｚ、１７．８ｄＢとなり、第２の減衰
極の周波数と減衰量がそれぞれ１８８５ＭＨｚ、２９．
４ｄＢとなった。
実施例を示す斜視図である。このバラントランスは、第
１の実施例と同様に絶縁層と導体層を交互に積層し、積
層体７０内に図１の回路を構成したもので、不平衡用端
子７１、平衡用端子７２、７３、ダミー端子７４、アー
ス用端子７５、７６が同じ太さで積層体７０の側面と上
下面の一部に形成され、ダミー端子７４が積層体７０の
側面の下半分と下面の一部に形成される。この様なバラ
ントランスは、ダミー端子７４の太さを他の端子と同じ
太さ又は他の端子よりも太くした状態で、ダミー端子７
４の積層体の側面の下半分と下面に形成された部分が他
の端子と同じ太さになるようにそれ以外の部分をトリミ
ング等の手段で除去することにより形成される。この様
に形成されたバラントランスにおいて、コイルを構成し
ている導体パターンの線幅を７５μｍにし、コイルＬ
１、Ｌ２とコイルＬ３、Ｌ４の巻数比を不平衡用端子と
平衡用端子間のインピーダンス比が１：４になる様にし
たところ、図８に示す様な特性が得られた。なお、図８
（ａ）、（ｂ）において横軸は周波数、縦軸は減衰量、
８１は平衡用端子１３から出力された信号の特性、８２
はリターンロスの特性、８３は平衡端子１４から出力さ
れた信号の特性、８４はリターンロスの特性を示し、図
８（ｃ）において横軸は周波数、縦軸は位相、８５は位
相特性を示している。このバラントランスのリターンロ
スの特性は、第１の減衰極の周波数と減衰量がそれぞれ
１０４６．８ＭＨｚ、１７．８ｄＢとなり、第２の減衰
極の周波数と減衰量がそれぞれ１８８５ＭＨｚ、２９．
４ｄＢとなった。
【００１８】図９は、本発明のバラントランスの第４の
実施例を示す斜視図である。このバラントランスは、不
平衡用端子９１、平衡用端子９２、９３、ダミー端子９
４、アース用端子９５、９６が同じ太さで積層体９０の
側面と上下面の一部に形成され、ダミー端子９４が積層
体９０の側面の下半分と下面の一部に形成される。この
様なバラントランスは、ダミー端子９４の太さを他の端
子と同じ太さ又は他の端子よりも太くした状態で、ダミ
ー端子９４の積層体の側面の上半分と上面に形成された
部分が他の端子と同じ太さになるようにそれ以外の部分
をトリミング等の手段で除去することにより形成され
る。この様に形成されたバラントランスにおいて、コイ
ルを構成している導体パターンの線幅、コイルＬ１、Ｌ
２とコイルＬ３、Ｌ４の巻数比を第１の実施例のものと
同様になる様にしたところ、図１０に示す様な特性が得
られた。なお、図１０（ａ）、（ｂ）において横軸は周
波数、縦軸は減衰量、１０１は平衡用端子１３から出力
された信号の特性、１０２はリターンロスの特性、１０
３は平衡端子１４から出力された信号の特性、１０４は
リターンロスの特性を示し、図１０（ｃ）において横軸
は周波数、縦軸は位相、１０５は位相特性を示してい
る。このバラントランスのリターンロスの特性は、第１
の減衰極の周波数と減衰量がそれぞれ１０５１．３ＭＨ
ｚ、１８．５ｄＢとなり、第２の減衰極の周波数と減衰
量がそれぞれ１８９５ＭＨｚ、２５．９ｄＢとなった。
実施例を示す斜視図である。このバラントランスは、不
平衡用端子９１、平衡用端子９２、９３、ダミー端子９
４、アース用端子９５、９６が同じ太さで積層体９０の
側面と上下面の一部に形成され、ダミー端子９４が積層
体９０の側面の下半分と下面の一部に形成される。この
様なバラントランスは、ダミー端子９４の太さを他の端
子と同じ太さ又は他の端子よりも太くした状態で、ダミ
ー端子９４の積層体の側面の上半分と上面に形成された
部分が他の端子と同じ太さになるようにそれ以外の部分
をトリミング等の手段で除去することにより形成され
る。この様に形成されたバラントランスにおいて、コイ
ルを構成している導体パターンの線幅、コイルＬ１、Ｌ
２とコイルＬ３、Ｌ４の巻数比を第１の実施例のものと
同様になる様にしたところ、図１０に示す様な特性が得
られた。なお、図１０（ａ）、（ｂ）において横軸は周
波数、縦軸は減衰量、１０１は平衡用端子１３から出力
された信号の特性、１０２はリターンロスの特性、１０
３は平衡端子１４から出力された信号の特性、１０４は
リターンロスの特性を示し、図１０（ｃ）において横軸
は周波数、縦軸は位相、１０５は位相特性を示してい
る。このバラントランスのリターンロスの特性は、第１
の減衰極の周波数と減衰量がそれぞれ１０５１．３ＭＨ
ｚ、１８．５ｄＢとなり、第２の減衰極の周波数と減衰
量がそれぞれ１８９５ＭＨｚ、２５．９ｄＢとなった。
【００１９】図１１は、本発明のバラントランスの第５
の実施例を示す斜視図である。このバラントランスは、
不平衡用端子１１１、平衡用端子１１２、１１３、アー
ス用端子１１５、１１６が積層体１１０の側面と上下面
の一部に形成される。この様なバラントランスは、積層
体の側面と上下面にダミー端子がその太さを他の端子と
同じ太さ又は他の端子よりも太くした状態で形成された
後、ダミー端子をトリミング等の手段で完全に除去する
ことにより形成される。この様に形成されたバラントラ
ンスにおいて、コイルを構成している導体パターンの線
幅、コイルＬ１、Ｌ２とコイルＬ３、Ｌ４の巻数比を第
１の実施例のものと同様になる様にしたところ、図１２
に示す様な特性が得られた。なお、図１２（ａ）、
（ｂ）において横軸は周波数、縦軸は減衰量、１２１は
平衡用端子１３から出力された信号の特性、１２２はリ
ターンロスの特性、１２３は平衡端子１４から出力され
た信号の特性、１２４はリターンロスの特性を示し、図
１２（ｃ）において横軸は周波数、縦軸は位相、１２５
は位相特性を示している。このバラントランスのリター
ンロスの特性は、第１の減衰極の周波数と減衰量がそれ
ぞれ１０６４．９ＭＨｚ、１７．４ｄＢとなり、第２の
減衰極の周波数と減衰量がそれぞれ１９３０ＭＨｚ、３
１．１ｄＢとなった。
の実施例を示す斜視図である。このバラントランスは、
不平衡用端子１１１、平衡用端子１１２、１１３、アー
ス用端子１１５、１１６が積層体１１０の側面と上下面
の一部に形成される。この様なバラントランスは、積層
体の側面と上下面にダミー端子がその太さを他の端子と
同じ太さ又は他の端子よりも太くした状態で形成された
後、ダミー端子をトリミング等の手段で完全に除去する
ことにより形成される。この様に形成されたバラントラ
ンスにおいて、コイルを構成している導体パターンの線
幅、コイルＬ１、Ｌ２とコイルＬ３、Ｌ４の巻数比を第
１の実施例のものと同様になる様にしたところ、図１２
に示す様な特性が得られた。なお、図１２（ａ）、
（ｂ）において横軸は周波数、縦軸は減衰量、１２１は
平衡用端子１３から出力された信号の特性、１２２はリ
ターンロスの特性、１２３は平衡端子１４から出力され
た信号の特性、１２４はリターンロスの特性を示し、図
１２（ｃ）において横軸は周波数、縦軸は位相、１２５
は位相特性を示している。このバラントランスのリター
ンロスの特性は、第１の減衰極の周波数と減衰量がそれ
ぞれ１０６４．９ＭＨｚ、１７．４ｄＢとなり、第２の
減衰極の周波数と減衰量がそれぞれ１９３０ＭＨｚ、３
１．１ｄＢとなった。
【００２０】図１３は、本発明のバラントランスの第６
の実施例を示す斜視図である。このバラントランスは、
不平衡用端子１３１、平衡用端子１３２、１３３、ダミ
ー端子１３４、アース用端子１３５、１３６が積層体１
３０の側面と上下面の一部に同じ太さで形成される。こ
の様なバラントランスは、ダミー端子１３４が電子機器
のプリント基板１４０に形成されたダミーの配線パター
ンＰ２に接触しないようにバラントランスを電子機器の
プリント基板１４０に実装し、不平衡用端子１３１、平
衡用端子１３２、１３３、アース用端子１３５、１３６
がそれぞれ所定の配線パターンＰ１に接続される。コイ
ルを構成している導体パターンの線幅、コイルＬ１、Ｌ
２とコイルＬ３、Ｌ４の巻数比が第１の実施例と同様に
なる様に形成されたバラントランスを前述の様に電子機
器のプリント基板に実装して測定したところ、図１４に
示す様な特性が得られた。なお、図１４（ａ）、（ｂ）
において横軸は周波数、縦軸は減衰量、１４１は平衡用
端子１３から出力された信号の特性、１４２はリターン
ロスの特性、１４３は平衡端子１４から出力された信号
の特性、１４４はリターンロスの特性を示し、図１４
（ｃ）において横軸は周波数、縦軸は位相、１４５は位
相特性を示している。このバラントランスのリターンロ
スの特性は、第１の減衰極の周波数と減衰量がそれぞれ
１００３．２ＭＨｚ、２０．１ｄＢとなり、第２の減衰
極の周波数と減衰量がそれぞれ１８６５ＭＨｚ、２４．
６ｄＢとなった。
の実施例を示す斜視図である。このバラントランスは、
不平衡用端子１３１、平衡用端子１３２、１３３、ダミ
ー端子１３４、アース用端子１３５、１３６が積層体１
３０の側面と上下面の一部に同じ太さで形成される。こ
の様なバラントランスは、ダミー端子１３４が電子機器
のプリント基板１４０に形成されたダミーの配線パター
ンＰ２に接触しないようにバラントランスを電子機器の
プリント基板１４０に実装し、不平衡用端子１３１、平
衡用端子１３２、１３３、アース用端子１３５、１３６
がそれぞれ所定の配線パターンＰ１に接続される。コイ
ルを構成している導体パターンの線幅、コイルＬ１、Ｌ
２とコイルＬ３、Ｌ４の巻数比が第１の実施例と同様に
なる様に形成されたバラントランスを前述の様に電子機
器のプリント基板に実装して測定したところ、図１４に
示す様な特性が得られた。なお、図１４（ａ）、（ｂ）
において横軸は周波数、縦軸は減衰量、１４１は平衡用
端子１３から出力された信号の特性、１４２はリターン
ロスの特性、１４３は平衡端子１４から出力された信号
の特性、１４４はリターンロスの特性を示し、図１４
（ｃ）において横軸は周波数、縦軸は位相、１４５は位
相特性を示している。このバラントランスのリターンロ
スの特性は、第１の減衰極の周波数と減衰量がそれぞれ
１００３．２ＭＨｚ、２０．１ｄＢとなり、第２の減衰
極の周波数と減衰量がそれぞれ１８６５ＭＨｚ、２４．
６ｄＢとなった。
【００２１】以上、本発明のバラントランス及びその特
性調整方法の実施例を述べたが、本発明はこれらの実施
例に限られるものではない。例えば、第６の実施例にお
いて、ダミー端子が電子機器のプリント基板に形成され
たダミーの配線パターンに接触しないようにバラントラ
ンスを電子機器のプリント基板に実装するかわりに、ダ
ミー端子が電子機器のプリント基板のダミーの配線パタ
ーンと接触しなようにダミー端子を溶融半田に濡れない
被覆層で覆ってもよい。また、第１の実施例から第５の
実施例において、ダミー端子を溶融半田に濡れない被覆
層で覆ってもよい。また、本発明のバラントランス及び
その特性調整方法は、不平衡用端子とアース用端子間に
コイルと容量が並列に接続されていないもの、すなわ
ち、絶縁層と導体層を交互に積層し、絶縁層の積層体内
に、不平衡用端子とダミー端子間に接続された同じター
ン数を有する第１のコイルと第２のコイル及び、１対の
平衡用端子間に接続された同じターン数を有する第３の
コイルと第４のコイルを備え、第１のコイルと第３のコ
イルが電磁気的に結合し、かつ第２のコイルと第４のコ
イルが電磁気的に結合し、第３のコイルと第４のコイル
の接続点がアース用端子を介してアースされたものにも
適用することができる。その場合、不平衡用端子におけ
るリターンロスの特性に減衰極が１つしか形成されない
のでその使用できる帯域幅が前述の実施例のものよりも
狭くなるが、ダミー端子によってこの減衰極の周波数を
調整することにより使用できる周波数帯域を調整するこ
とができる。
性調整方法の実施例を述べたが、本発明はこれらの実施
例に限られるものではない。例えば、第６の実施例にお
いて、ダミー端子が電子機器のプリント基板に形成され
たダミーの配線パターンに接触しないようにバラントラ
ンスを電子機器のプリント基板に実装するかわりに、ダ
ミー端子が電子機器のプリント基板のダミーの配線パタ
ーンと接触しなようにダミー端子を溶融半田に濡れない
被覆層で覆ってもよい。また、第１の実施例から第５の
実施例において、ダミー端子を溶融半田に濡れない被覆
層で覆ってもよい。また、本発明のバラントランス及び
その特性調整方法は、不平衡用端子とアース用端子間に
コイルと容量が並列に接続されていないもの、すなわ
ち、絶縁層と導体層を交互に積層し、絶縁層の積層体内
に、不平衡用端子とダミー端子間に接続された同じター
ン数を有する第１のコイルと第２のコイル及び、１対の
平衡用端子間に接続された同じターン数を有する第３の
コイルと第４のコイルを備え、第１のコイルと第３のコ
イルが電磁気的に結合し、かつ第２のコイルと第４のコ
イルが電磁気的に結合し、第３のコイルと第４のコイル
の接続点がアース用端子を介してアースされたものにも
適用することができる。その場合、不平衡用端子におけ
るリターンロスの特性に減衰極が１つしか形成されない
のでその使用できる帯域幅が前述の実施例のものよりも
狭くなるが、ダミー端子によってこの減衰極の周波数を
調整することにより使用できる周波数帯域を調整するこ
とができる。
【００２２】
【発明の効果】以上述べたように、本発明のバラントラ
ンスは、絶縁層と導体層を交互に積層し、絶縁層の積層
体内に、不平衡用端子とダミー端子間に接続された同じ
ターン数を有する第１のコイルと第２のコイル及び、１
対の平衡用端子間に接続された同じターン数を有する第
３のコイルと第４のコイルを備え、第１のコイルと第３
のコイルが電磁気的に結合し、かつ第２のコイルと第４
のコイルが電磁気的に結合し、第３のコイルと第４のコ
イルの接続点がアース用端子を介してアースされ、不平
衡用端子、ダミー端子、１対の平衡用端子及び、アース
用端子が積層体の側面に形成され、ダミー端子を溶融半
田に濡れない被覆層で覆い又は、ダミー端子の大きさを
他の端子の大きさと異ならせたので、ダミー端子の大き
さによってバラントランスとして使用できる周波数帯域
を異ならせることができる。従って、本発明のバラント
ランスは、移動体通信機器の種類や、特性のばらつき具
合に応じて、ダミー端子の形及び状態を変えることによ
りバラントランスとして使用できる周波数帯域を調整す
ることができる。また、本発明のバラントランスの特性
調整方法は、絶縁層と導体層を交互に積層し、絶縁層の
積層体内に、不平衡用端子とダミー端子間に接続された
同じターン数を有する第１のコイルと第２のコイル及
び、１対の平衡用端子間に接続された同じターン数を有
する第３のコイルと第４のコイルを備え、第１のコイル
と第３のコイルが電磁気的に結合し、かつ第２のコイル
と第４のコイルが電磁気的に結合し、第３のコイルと第
４のコイルの接続点がアース用端子を介してアースされ
たバラントランスの積層体の側面に形成されたダミー端
子の大きさを変えて不平衡用端子におけるリターンロス
の特性を調整するので、ダミー端子の一部又は全部を除
去するだけてバラントランスとして使用できる周波数帯
域を調整することができる。
ンスは、絶縁層と導体層を交互に積層し、絶縁層の積層
体内に、不平衡用端子とダミー端子間に接続された同じ
ターン数を有する第１のコイルと第２のコイル及び、１
対の平衡用端子間に接続された同じターン数を有する第
３のコイルと第４のコイルを備え、第１のコイルと第３
のコイルが電磁気的に結合し、かつ第２のコイルと第４
のコイルが電磁気的に結合し、第３のコイルと第４のコ
イルの接続点がアース用端子を介してアースされ、不平
衡用端子、ダミー端子、１対の平衡用端子及び、アース
用端子が積層体の側面に形成され、ダミー端子を溶融半
田に濡れない被覆層で覆い又は、ダミー端子の大きさを
他の端子の大きさと異ならせたので、ダミー端子の大き
さによってバラントランスとして使用できる周波数帯域
を異ならせることができる。従って、本発明のバラント
ランスは、移動体通信機器の種類や、特性のばらつき具
合に応じて、ダミー端子の形及び状態を変えることによ
りバラントランスとして使用できる周波数帯域を調整す
ることができる。また、本発明のバラントランスの特性
調整方法は、絶縁層と導体層を交互に積層し、絶縁層の
積層体内に、不平衡用端子とダミー端子間に接続された
同じターン数を有する第１のコイルと第２のコイル及
び、１対の平衡用端子間に接続された同じターン数を有
する第３のコイルと第４のコイルを備え、第１のコイル
と第３のコイルが電磁気的に結合し、かつ第２のコイル
と第４のコイルが電磁気的に結合し、第３のコイルと第
４のコイルの接続点がアース用端子を介してアースされ
たバラントランスの積層体の側面に形成されたダミー端
子の大きさを変えて不平衡用端子におけるリターンロス
の特性を調整するので、ダミー端子の一部又は全部を除
去するだけてバラントランスとして使用できる周波数帯
域を調整することができる。
【図１】 本発明のバラントランスの回路図である。
【図２】 本発明のバラントランスの分解斜視図であ
る。
る。
【図３】 本発明のバラントランスの第１の実施例を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図４】 本発明のバラントランスの第１の実施例の特
性図である。
性図である。
【図５】 本発明のバラントランスの第２の実施例を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図６】 本発明のバラントランスの第２の実施例の特
性図である。
性図である。
【図７】 本発明のバラントランスの第３の実施例を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図８】 本発明のバラントランスの第３の実施例の特
性図である。
性図である。
【図９】 本発明のバラントランスの第４の実施例を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図１０】 本発明のバラントランスの第４の実施例の
特性図である。
特性図である。
【図１１】 本発明のバラントランスの第５の実施例を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図１２】 本発明のバラントランスの第５の実施例の
特性図である。
特性図である。
【図１３】 本発明のバラントランスの第６の実施例を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図１４】 本発明のバラントランスの第６の実施例の
特性図である。
特性図である。
【図１５】 従来のバラントランスの回路図である。
【図１６】 従来のバラントランスの別の回路図であ
る。
る。
【図１７】 従来のバラントランスの斜視図である。
【図１８】 従来のバラントランスの特性図である。
１１ 不平衡用端子 １２、１３ 平衡用端子 １４ ダミー端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小宮山 繁 埼玉県比企郡玉川村大字玉川字日野原828 番地 東光株式会社玉川工場内 Ｆターム(参考） 5E070 AA16 AB03 AB07 BA12 CB01 CB13 CB18 EA01
Claims (15)
- 【請求項１】 絶縁層と導体層を交互に積層し、該絶縁
層の積層体内に、不平衡用端子とダミー端子間に接続さ
れた同じターン数を有する第１のコイルと第２のコイル
及び、１対の平衡用端子間に接続された同じターン数を
有する第３のコイルと第４のコイルを備え、 該第１のコイルと該第３のコイルが電磁気的に結合し、
かつ該第２のコイルと該第４のコイルが電磁気的に結合
し、該第３のコイルと該第４のコイルの接続点がアース
用端子を介してアースされたバラントランスにおいて、 該不平衡用端子、該ダミー端子、該１対の平衡用端子及
び、該アース用端子が該積層体の側面に形成され、該ダ
ミー端子を溶融半田に濡れない被覆層で覆ったことを特
徴とするバラントランス。 - 【請求項２】 絶縁層と導体層を交互に積層し、該絶縁
層の積層体内に、不平衡用端子とダミー端子間に接続さ
れた同じターン数を有する第１のコイルと第２のコイル
及び、１対の平衡用端子間に接続された同じターン数を
有する第３のコイルと第４のコイルを備え、 該第１のコイルと該第３のコイルが電磁気的に結合し、
かつ該第２のコイルと該第４のコイルが電磁気的に結合
し、該第３のコイルと該第４のコイルの接続点がアース
用端子を介してアースされたバラントランスにおいて、 該不平衡用端子、該ダミー端子、該１対の平衡用端子及
び、該アース用端子が該積層体の側面に形成され、該ダ
ミー端子の大きさを他の端子の大きさと異ならせたこと
を特徴とするバラントランス。 - 【請求項３】 絶縁層と導体層を交互に積層し、該絶縁
層の積層体内に、不平衡用端子とダミー端子間に接続さ
れた同じターン数を有する第１のコイルと第２のコイル
及び、１対の平衡用端子間に接続された同じターン数を
有する第３のコイルと第４のコイルを備え、 該第１のコイルと該第３のコイルが電磁気的に結合し、
かつ該第２のコイルと該第４のコイルが電磁気的に結合
し、該第３のコイルと該第４のコイルの接続点がアース
用端子を介してアースされたバラントランスにおいて、 該不平衡用端子、該ダミー端子、該１対の平衡用端子及
び、該アース用端子が該積層体の側面に形成され、該ダ
ミー端子が他の端子よりも太く形成されたことを特徴と
するバラントランス。 - 【請求項４】 絶縁層と導体層を交互に積層し、該絶縁
層の積層体内に、不平衡用端子とダミー端子間に接続さ
れた同じターン数を有する第１のコイルと第２のコイル
及び、１対の平衡用端子間に接続された同じターン数を
有する第３のコイルと第４のコイルを備え、 該第１のコイルと該第３のコイルが電磁気的に結合し、
かつ該第２のコイルと該第４のコイルが電磁気的に結合
し、該第３のコイルと該第４のコイルの接続点がアース
用端子を介してアースされたバラントランスにおいて、 該不平衡用端子、該ダミー端子、該１対の平衡用端子及
び、該アース用端子が該積層体の側面に形成され、該ダ
ミー端子が他の端子よりも細く形成されたことを特徴と
するバラントランス。 - 【請求項５】 絶縁層と導体層を交互に積層し、該絶縁
層の積層体内に、不平衡用端子とダミー端子間に接続さ
れた同じターン数を有する第１のコイルと第２のコイル
及び、１対の平衡用端子間に接続された同じターン数を
有する第３のコイルと第４のコイルを備え、 該第１のコイルと該第３のコイルが電磁気的に結合し、
かつ該第２のコイルと該第４のコイルが電磁気的に結合
し、該第３のコイルと該第４のコイルの接続点がアース
用端子を介してアースされたバラントランスにおいて、 該不平衡用端子、該ダミー端子、該１対の平衡用端子及
び、該アース用端子が該積層体の側面に形成され、該ダ
ミー端子が該積層体の側面の下半分に形成されることを
特徴とするバラントランス。 - 【請求項６】 絶縁層と導体層を交互に積層し、該絶縁
層の積層体内に、不平衡用端子とダミー端子間に接続さ
れた同じターン数を有する第１のコイルと第２のコイル
及び、１対の平衡用端子間に接続された同じターン数を
有する第３のコイルと第４のコイルを備え、 該第１のコイルと該第３のコイルが電磁気的に結合し、
かつ該第２のコイルと該第４のコイルが電磁気的に結合
し、該第３のコイルと該第４のコイルの接続点がアース
用端子を介してアースされたバラントランスにおいて、 該不平衡用端子、該ダミー端子、該１対の平衡用端子及
び、該アース用端子が該積層体の側面に形成され、該ダ
ミー端子が該積層体の側面の上半分に形成されることを
特徴とするバラントランス。 - 【請求項７】 前記不平衡用端子と前記アース用端子間
に第５のコイルと容量が並列に接続された請求項１、
２、３、４、５、６のいずれかに記載されたバラントラ
ンス。 - 【請求項８】 絶縁層と導体層を交互に積層し、該絶縁
層の積層体内に、不平衡用端子とダミー端子間に接続さ
れた同じターン数を有する第１のコイルと第２のコイル
及び、１対の平衡用端子間に接続された同じターン数を
有する第３のコイルと第４のコイルを備え、 該第１のコイルと該第３のコイルが電磁気的に結合し、
かつ該第２のコイルと該第４のコイルが電磁気的に結合
し、該第３のコイルと該第４のコイルの接続点がアース
用端子を介してアースされたバラントランスの特性調整
方法において、 該積層体の側面に形成されたダミー端子の大きさを変え
て不平衡用端子におけるリターンロスの特性を調整する
ことを特徴とするバラントランスの特性調整方法。 - 【請求項９】 絶縁層と導体層を交互に積層し、該絶縁
層の積層体内に、不平衡用端子とダミー端子間に接続さ
れた同じターン数を有する第１のコイルと第２のコイル
及び、１対の平衡用端子間に接続された同じターン数を
有する第３のコイルと第４のコイルを備え、 該第１のコイルと該第３のコイルが電磁気的に結合し、
かつ該第２のコイルと該第４のコイルが電磁気的に結合
し、該第３のコイルと該第４のコイルの接続点がアース
用端子を介してアースされたバラントランスの特性調整
方法において、 該積層体の側面に形成されたダミー端子の一部を除去し
て不平衡用端子におけるリターンロスの特性を調整した
ことを特徴とするバラントランスの特性調整方法。 - 【請求項１０】 絶縁層と導体層を交互に積層し、該絶
縁層の積層体内に、不平衡用端子とダミー端子間に接続
された同じターン数を有する第１のコイルと第２のコイ
ル及び、１対の平衡用端子間に接続された同じターン数
を有する第３のコイルと第４のコイルを備え、 該第１のコイルと該第３のコイルが電磁気的に結合し、
かつ該第２のコイルと該第４のコイルが電磁気的に結合
し、該第３のコイルと該第４のコイルの接続点がアース
用端子を介してアースされたバラントランスの特性調整
方法において、 該積層体の側面に形成されたダミー端子の全部を除去し
て不平衡用端子におけるリターンロスの特性を調整した
ことを特徴とするバラントランスの特性調整方法。 - 【請求項１１】 絶縁層と導体層を交互に積層し、該絶
縁層の積層体内に、不平衡用端子とダミー端子間に接続
された同じターン数を有する第１のコイルと第２のコイ
ル及び、１対の平衡用端子間に接続された同じターン数
を有する第３のコイルと第４のコイルを備え、 該第１のコイルと該第３のコイルが電磁気的に結合し、
かつ該第２のコイルと該第４のコイルが電磁気的に結合
し、該第３のコイルと該第４のコイルの接続点がアース
用端子を介してアースされたバラントランスの特性調整
方法において、 積層体の側面に形成されたダミー端子が電子機器のプリ
ント基板の配線パターンに接触しないように、バラント
ランスを該電子機器のプリント基板に実装して不平衡用
端子におけるリターンロスの特性を調整したことを特徴
とするバラントランスの特性調整方法。 - 【請求項１２】 絶縁層と導体層を交互に積層し、該絶
縁層の積層体内に、不平衡用端子とダミー端子間に接続
された同じターン数を有する第１のコイルと第２のコイ
ル及び、１対の平衡用端子間に接続された同じターン数
を有する第３のコイルと第４のコイルを備え、 該第１のコイルと該第３のコイルが電磁気的に結合し、
かつ該第２のコイルと該第４のコイルが電磁気的に結合
し、該第３のコイルと該第４のコイルの接続点がアース
用端子を介してアースされ、該不平衡用端子とアース用
端子間に第５のコイルと容量が並列に接続されたバラン
トランスの特性調整方法において、 該積層体の側面に形成されたダミー端子の大きさを変え
て不平衡用端子におけるリターンロスの特性を調整する
ことを特徴とするバラントランスの特性調整方法。 - 【請求項１３】 絶縁層と導体層を交互に積層し、該絶
縁層の積層体内に、不平衡用端子とダミー端子間に接続
された同じターン数を有する第１のコイルと第２のコイ
ル及び、１対の平衡用端子間に接続された同じターン数
を有する第３のコイルと第４のコイルを備え、 該第１のコイルと該第３のコイルが電磁気的に結合し、
かつ該第２のコイルと該第４のコイルが電磁気的に結合
し、該第３のコイルと該第４のコイルの接続点がアース
用端子を介してアースされ、該不平衡用端子とアース用
端子間に第５のコイルと容量が並列に接続されたバラン
トランスの特性調整方法において、 該積層体の側面に形成されたダミー端子の一部を除去し
て不平衡用端子におけるリターンロスの特性を調整した
ことを特徴とするバラントランスの特性調整方法。 - 【請求項１４】 絶縁層と導体層を交互に積層し、該絶
縁層の積層体内に、不平衡用端子とダミー端子間に接続
された同じターン数を有する第１のコイルと第２のコイ
ル及び、１対の平衡用端子間に接続された同じターン数
を有する第３のコイルと第４のコイルを備え、 該第１のコイルと該第３のコイルが電磁気的に結合し、
かつ該第２のコイルと該第４のコイルが電磁気的に結合
し、該第３のコイルと該第４のコイルの接続点がアース
用端子を介してアースされ、該不平衡用端子とアース用
端子間に第５のコイルと容量が並列に接続されたバラン
トランスの特性調整方法において、 該積層体の側面に形成されたダミー端子の全部を除去し
て不平衡用端子におけるリターンロスの特性を調整した
ことを特徴とするバラントランスの特性調整方法。 - 【請求項１５】 絶縁層と導体層を交互に積層し、該絶
縁層の積層体内に、不平衡用端子とダミー端子間に接続
された同じターン数を有する第１のコイルと第２のコイ
ル及び、１対の平衡用端子間に接続された同じターン数
を有する第３のコイルと第４のコイルを備え、 該第１のコイルと該第３のコイルが電磁気的に結合し、
かつ該第２のコイルと該第４のコイルが電磁気的に結合
し、該第３のコイルと該第４のコイルの接続点がアース
用端子を介してアースされ、該不平衡用端子とアース用
端子間に第５のコイルと容量が並列に接続されたバラン
トランスの特性調整方法において、 積層体の側面に形成されたダミー端子が電子機器のプリ
ント基板の配線パターンに接触しないように、バラント
ランスを該電子機器のプリント基板に実装して不平衡用
端子におけるリターンロスの特性を調整したことを特徴
とするバラントランスの特性調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000256055A JP2002075742A (ja) | 2000-08-25 | 2000-08-25 | バラントランス及びその特性調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000256055A JP2002075742A (ja) | 2000-08-25 | 2000-08-25 | バラントランス及びその特性調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002075742A true JP2002075742A (ja) | 2002-03-15 |
Family
ID=18744722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000256055A Pending JP2002075742A (ja) | 2000-08-25 | 2000-08-25 | バラントランス及びその特性調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002075742A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008198929A (ja) * | 2007-02-15 | 2008-08-28 | Sony Corp | バラントランス及びバラントランスの実装構造、並びに、この実装構造を内蔵した電子機器 |
| CN113889324A (zh) * | 2020-07-03 | 2022-01-04 | 三菱电机株式会社 | 绝缘变压器及使用该绝缘变压器的功率转换装置 |
-
2000
- 2000-08-25 JP JP2000256055A patent/JP2002075742A/ja active Pending
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| US7656262B2 (en) | 2007-02-15 | 2010-02-02 | Sony Corporation | Balun transformer, mounting structure of balun transformer, and electronic apparatus having built-in mounting structure |
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