JP2002069624A5 - スパッタリングターゲットとそれを用いたGe系薄膜および光ディスク、半導体デバイス、液晶表示素子、PDP - Google Patents
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【特許請求の範囲】
【請求項1】 高純度Ge、もしくはAl、Si、Fe、Cr、Ta、Nb、Cu、Mn、Mo、W、Ni、Ti、Zr、Hf、Co、Ir、Pt、Ru、BおよびCから選ばれる少なくとも1種の元素を0.1〜50原子%の範囲で含むGe合金からなるスパッタリングターゲットであって、
前記高純度GeまたはGe合金は、Ag含有量およびAu含有量がそれぞれ5ppm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項2】 請求項1記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲット全体としての前記Ag含有量およびAu含有量のバラツキがそれぞれ30%以内であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項3】 請求項1記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記高純度GeまたはGe合金は、前記AgおよびAuの合計含有量が8ppm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項4】 請求項3記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲット全体としての前記AgおよびAuの合計含有量のバラツキが30%以内であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項5】 請求項1ないし請求項4のいずれか1項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲットはバッキングプレートと接合されていることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項6】 請求項1ないし請求項5のいずれか1項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲットは光ディスクの構成層を形成する際に用いられることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項7】 請求項1ないし請求項5のいずれか1項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲットは光ディスクの中間層を構成するGe層、Ge化合物層またはGe合金層を形成する際に用いられることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項8】 請求項1ないし請求項5のいずれか1項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたことを特徴とするGe系薄膜。
【請求項9】 請求項8記載のGe系薄膜において、
Ge単体膜、Ge化合物膜またはGe合金膜であることを特徴とするGe系薄膜。
【請求項10】 請求項1ないし請求項5のいずれか1項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたGe単体膜、Ge化合物膜またはGe合金膜を具備することを特徴とする光ディスク。
【請求項11】 請求項1ないし請求項5のいずれか1項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたGe単体膜、Ge化合物膜またはGe合金膜を具備することを特徴とする半導体デバイス。
【請求項12】 請求項1ないし請求項5のいずれか1項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたGe単体膜、Ge化合物膜またはGe合金膜を具備することを特徴とする液晶表示素子。
【請求項13】 請求項1ないし請求項5のいずれか1項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたGe単体膜、Ge化合物膜またはGe合金膜を具備することを特徴とするPDP。
【請求項1】 高純度Ge、もしくはAl、Si、Fe、Cr、Ta、Nb、Cu、Mn、Mo、W、Ni、Ti、Zr、Hf、Co、Ir、Pt、Ru、BおよびCから選ばれる少なくとも1種の元素を0.1〜50原子%の範囲で含むGe合金からなるスパッタリングターゲットであって、
前記高純度GeまたはGe合金は、Ag含有量およびAu含有量がそれぞれ5ppm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項2】 請求項1記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲット全体としての前記Ag含有量およびAu含有量のバラツキがそれぞれ30%以内であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項3】 請求項1記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記高純度GeまたはGe合金は、前記AgおよびAuの合計含有量が8ppm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項4】 請求項3記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲット全体としての前記AgおよびAuの合計含有量のバラツキが30%以内であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項5】 請求項1ないし請求項4のいずれか1項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲットはバッキングプレートと接合されていることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項6】 請求項1ないし請求項5のいずれか1項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲットは光ディスクの構成層を形成する際に用いられることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項7】 請求項1ないし請求項5のいずれか1項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲットは光ディスクの中間層を構成するGe層、Ge化合物層またはGe合金層を形成する際に用いられることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項8】 請求項1ないし請求項5のいずれか1項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたことを特徴とするGe系薄膜。
【請求項9】 請求項8記載のGe系薄膜において、
Ge単体膜、Ge化合物膜またはGe合金膜であることを特徴とするGe系薄膜。
【請求項10】 請求項1ないし請求項5のいずれか1項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたGe単体膜、Ge化合物膜またはGe合金膜を具備することを特徴とする光ディスク。
【請求項11】 請求項1ないし請求項5のいずれか1項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたGe単体膜、Ge化合物膜またはGe合金膜を具備することを特徴とする半導体デバイス。
【請求項12】 請求項1ないし請求項5のいずれか1項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたGe単体膜、Ge化合物膜またはGe合金膜を具備することを特徴とする液晶表示素子。
【請求項13】 請求項1ないし請求項5のいずれか1項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたGe単体膜、Ge化合物膜またはGe合金膜を具備することを特徴とするPDP。
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば光ディスクの構成層としてのGe層、Ge化合物層、Ge合金層などを形成する際に用いられるスパッタリングターゲットとそれを用いたGe系薄膜および光ディスク、半導体デバイス、液晶表示素子、PDPに関する。
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば光ディスクの構成層としてのGe層、Ge化合物層、Ge合金層などを形成する際に用いられるスパッタリングターゲットとそれを用いたGe系薄膜および光ディスク、半導体デバイス、液晶表示素子、PDPに関する。
本発明のスパッタリングターゲットは、例えば請求項6に記載したように、光ディスクの構成層を形成する際に用いられるものである。特に、請求項7に記載したように、光ディスクの中間層を構成するGe層、Ge化合物層またはGe合金層の形成用として好適である。
また、本発明のGe系薄膜は、本発明のスパッタリングターゲットを用いて形成されたことを特徴としている。本発明の光ディスクは、本発明のスパッタリングターゲットを用いて形成されたGe単体膜、Ge化合物膜またはGe合金膜を具備することを特徴としている。本発明の半導体デバイス、液晶表示素子、PDPは、本発明のスパッタリングターゲットを用いて形成されたGe単体膜、Ge化合物膜またはGe合金膜を具備することを特徴としている。
また、本発明のGe系薄膜は、本発明のスパッタリングターゲットを用いて形成されたことを特徴としている。本発明の光ディスクは、本発明のスパッタリングターゲットを用いて形成されたGe単体膜、Ge化合物膜またはGe合金膜を具備することを特徴としている。本発明の半導体デバイス、液晶表示素子、PDPは、本発明のスパッタリングターゲットを用いて形成されたGe単体膜、Ge化合物膜またはGe合金膜を具備することを特徴としている。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000261374A JP4900993B2 (ja) | 2000-08-30 | 2000-08-30 | スパッタリングターゲットとそれを用いたGe系薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2000261374A JP4900993B2 (ja) | 2000-08-30 | 2000-08-30 | スパッタリングターゲットとそれを用いたGe系薄膜の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002069624A JP2002069624A (ja) | 2002-03-08 |
JP2002069624A5 true JP2002069624A5 (ja) | 2007-10-11 |
JP4900993B2 JP4900993B2 (ja) | 2012-03-21 |
Family
ID=18749222
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000261374A Expired - Lifetime JP4900993B2 (ja) | 2000-08-30 | 2000-08-30 | スパッタリングターゲットとそれを用いたGe系薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4900993B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4343717B2 (ja) * | 2003-01-22 | 2009-10-14 | キヤノン株式会社 | 気密容器の支持構造体の製造方法及び画像表示装置の製造方法 |
JP4276849B2 (ja) * | 2003-01-27 | 2009-06-10 | 日鉱金属株式会社 | Ge−Cr合金スパッタリングターゲット |
JP2004319411A (ja) * | 2003-04-21 | 2004-11-11 | Mitsubishi Materials Corp | マイクロマシンスイッチの接触電極用薄膜およびこの接触電極用薄膜を形成するためのスパッタリングターゲット |
JP5457794B2 (ja) * | 2009-10-30 | 2014-04-02 | 株式会社神戸製鋼所 | Al基合金スパッタリングターゲット |
US10760156B2 (en) | 2017-10-13 | 2020-09-01 | Honeywell International Inc. | Copper manganese sputtering target |
US11035036B2 (en) | 2018-02-01 | 2021-06-15 | Honeywell International Inc. | Method of forming copper alloy sputtering targets with refined shape and microstructure |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5861666A (ja) * | 1981-10-09 | 1983-04-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JPS61124562A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-12 | Fujitsu Ltd | 金属堆積用材 |
JPS63274764A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-11 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 光磁気記録用合金タ−ゲツト |
JPH01287836A (ja) * | 1988-05-14 | 1989-11-20 | Hoya Corp | 書き換え可能な相変化型光メモリ媒体 |
JPH0254760A (ja) * | 1988-08-19 | 1990-02-23 | Hitachi Metals Ltd | ターゲットの製造方法 |
JPH08249721A (ja) * | 1995-03-14 | 1996-09-27 | Hitachi Maxell Ltd | 光記録媒体 |
JPH09185846A (ja) * | 1996-01-08 | 1997-07-15 | Hitachi Ltd | 情報記録媒体および情報メモリ装置 |
JPH11339317A (ja) * | 1998-05-25 | 1999-12-10 | Teijin Ltd | 相変化型光記録媒体およびその製造方法 |
JP2000026957A (ja) * | 1998-07-10 | 2000-01-25 | Mitsubishi Materials Corp | 半導体素子のGe−Si系薄膜形成用スパッタリングターゲット |
-
2000
- 2000-08-30 JP JP2000261374A patent/JP4900993B2/ja not_active Expired - Lifetime
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