JP2002069624A5 - スパッタリングターゲットとそれを用いたＧｅ系薄膜および光ディスク、半導体デバイス、液晶表示素子、ＰＤＰ - Google Patents
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Description
【特許請求の範囲】
【請求項１】 高純度Ｇｅ、もしくはＡｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｏ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｕ、ＢおよびＣから選ばれる少なくとも1種の元素を0.1〜50原子％の範囲で含むＧｅ合金からなるスパッタリングターゲットであって、
前記高純度ＧｅまたはＧｅ合金は、Ａｇ含有量およびＡｕ含有量がそれぞれ5ppm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項２】 請求項１記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲット全体としての前記Ａｇ含有量およびＡｕ含有量のバラツキがそれぞれ30％以内であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項３】 請求項１記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記高純度ＧｅまたはＧｅ合金は、前記ＡｇおよびＡｕの合計含有量が8ppm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項４】 請求項３記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲット全体としての前記ＡｇおよびＡｕの合計含有量のバラツキが30％以内であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項５】 請求項１ないし請求項４のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲットはバッキングプレートと接合されていることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項６】 請求項１ないし請求項５のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲットは光ディスクの構成層を形成する際に用いられることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項７】 請求項１ないし請求項５のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲットは光ディスクの中間層を構成するＧｅ層、Ｇｅ化合物層またはＧｅ合金層を形成する際に用いられることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項８】 請求項１ないし請求項５のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたことを特徴とするＧｅ系薄膜。
【請求項９】 請求項８記載のＧｅ系薄膜において、
Ｇｅ単体膜、Ｇｅ化合物膜またはＧｅ合金膜であることを特徴とするＧｅ系薄膜。
【請求項１０】 請求項１ないし請求項５のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたＧｅ単体膜、Ｇｅ化合物膜またはＧｅ合金膜を具備することを特徴とする光ディスク。
【請求項１１】 請求項１ないし請求項５のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたＧｅ単体膜、Ｇｅ化合物膜またはＧｅ合金膜を具備することを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１２】 請求項１ないし請求項５のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたＧｅ単体膜、Ｇｅ化合物膜またはＧｅ合金膜を具備することを特徴とする液晶表示素子。
【請求項１３】 請求項１ないし請求項５のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたＧｅ単体膜、Ｇｅ化合物膜またはＧｅ合金膜を具備することを特徴とするＰＤＰ。
【請求項１】 高純度Ｇｅ、もしくはＡｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｏ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｕ、ＢおよびＣから選ばれる少なくとも1種の元素を0.1〜50原子％の範囲で含むＧｅ合金からなるスパッタリングターゲットであって、
前記高純度ＧｅまたはＧｅ合金は、Ａｇ含有量およびＡｕ含有量がそれぞれ5ppm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項２】 請求項１記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲット全体としての前記Ａｇ含有量およびＡｕ含有量のバラツキがそれぞれ30％以内であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項３】 請求項１記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記高純度ＧｅまたはＧｅ合金は、前記ＡｇおよびＡｕの合計含有量が8ppm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項４】 請求項３記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲット全体としての前記ＡｇおよびＡｕの合計含有量のバラツキが30％以内であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項５】 請求項１ないし請求項４のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲットはバッキングプレートと接合されていることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項６】 請求項１ないし請求項５のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲットは光ディスクの構成層を形成する際に用いられることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項７】 請求項１ないし請求項５のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲットは光ディスクの中間層を構成するＧｅ層、Ｇｅ化合物層またはＧｅ合金層を形成する際に用いられることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項８】 請求項１ないし請求項５のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたことを特徴とするＧｅ系薄膜。
【請求項９】 請求項８記載のＧｅ系薄膜において、
Ｇｅ単体膜、Ｇｅ化合物膜またはＧｅ合金膜であることを特徴とするＧｅ系薄膜。
【請求項１０】 請求項１ないし請求項５のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたＧｅ単体膜、Ｇｅ化合物膜またはＧｅ合金膜を具備することを特徴とする光ディスク。
【請求項１１】 請求項１ないし請求項５のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたＧｅ単体膜、Ｇｅ化合物膜またはＧｅ合金膜を具備することを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１２】 請求項１ないし請求項５のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたＧｅ単体膜、Ｇｅ化合物膜またはＧｅ合金膜を具備することを特徴とする液晶表示素子。
【請求項１３】 請求項１ないし請求項５のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたＧｅ単体膜、Ｇｅ化合物膜またはＧｅ合金膜を具備することを特徴とするＰＤＰ。
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば光ディスクの構成層としてのＧｅ層、Ｇｅ化合物層、Ｇｅ合金層などを形成する際に用いられるスパッタリングターゲットとそれを用いたＧｅ系薄膜および光ディスク、半導体デバイス、液晶表示素子、ＰＤＰに関する。
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば光ディスクの構成層としてのＧｅ層、Ｇｅ化合物層、Ｇｅ合金層などを形成する際に用いられるスパッタリングターゲットとそれを用いたＧｅ系薄膜および光ディスク、半導体デバイス、液晶表示素子、ＰＤＰに関する。
本発明のスパッタリングターゲットは、例えば請求項６に記載したように、光ディスクの構成層を形成する際に用いられるものである。特に、請求項７に記載したように、光ディスクの中間層を構成するＧｅ層、Ｇｅ化合物層またはＧｅ合金層の形成用として好適である。
また、本発明のＧｅ系薄膜は、本発明のスパッタリングターゲットを用いて形成されたことを特徴としている。本発明の光ディスクは、本発明のスパッタリングターゲットを用いて形成されたＧｅ単体膜、Ｇｅ化合物膜またはＧｅ合金膜を具備することを特徴としている。本発明の半導体デバイス、液晶表示素子、ＰＤＰは、本発明のスパッタリングターゲットを用いて形成されたＧｅ単体膜、Ｇｅ化合物膜またはＧｅ合金膜を具備することを特徴としている。
また、本発明のＧｅ系薄膜は、本発明のスパッタリングターゲットを用いて形成されたことを特徴としている。本発明の光ディスクは、本発明のスパッタリングターゲットを用いて形成されたＧｅ単体膜、Ｇｅ化合物膜またはＧｅ合金膜を具備することを特徴としている。本発明の半導体デバイス、液晶表示素子、ＰＤＰは、本発明のスパッタリングターゲットを用いて形成されたＧｅ単体膜、Ｇｅ化合物膜またはＧｅ合金膜を具備することを特徴としている。
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|---|---|---|---|
| JP2000261374A JP4900993B2 (ja) | 2000-08-30 | 2000-08-30 | スパッタリングターゲットとそれを用いたＧｅ系薄膜の製造方法 |
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| JP2000261374A JP4900993B2 (ja) | 2000-08-30 | 2000-08-30 | スパッタリングターゲットとそれを用いたＧｅ系薄膜の製造方法 |
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| JPS63274764A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-11 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 光磁気記録用合金タ−ゲツト |
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| JPH0254760A (ja) * | 1988-08-19 | 1990-02-23 | Hitachi Metals Ltd | ターゲットの製造方法 |
| JPH08249721A (ja) * | 1995-03-14 | 1996-09-27 | Hitachi Maxell Ltd | 光記録媒体 |
| JPH09185846A (ja) * | 1996-01-08 | 1997-07-15 | Hitachi Ltd | 情報記録媒体および情報メモリ装置 |
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2000
- 2000-08-30 JP JP2000261374A patent/JP4900993B2/ja not_active Expired - Lifetime
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