JP2002064256A

JP2002064256A - 配線基板

Info

Publication number: JP2002064256A
Application number: JP2000251180A
Authority: JP
Inventors: Yasuhiro Sugimoto; 康宏杉本; Michihiro Matsushima; 理浩松島
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: Niterra Co Ltd
Priority date: 2000-08-22
Filing date: 2000-08-22
Publication date: 2002-02-28

Abstract

(57)【要約】【課題】スルーホール内全体のループインダクタンスを
効果的に低減でき、且つ電気的特性の向上を図り得る内
外二重構造のスルーホール導体を絶縁性の基板内に有す
る配線基板を提供する。【解決手段】絶縁性のコア基板２と、このコア基板２を
貫通する外側スルーホール５およびその内周に沿って形
成した外側スルーホール導体６と、この外側スルーホー
ル導体６の内側に絶縁材８を介して同軸状に貫通する内
側スルーホール９およびその内周に沿って形成した内側
スルーホール導体１０と、を備え、この内側スルーホー
ル導体１０の外径ｄ１と外側スルーホール導体６の内径
ｄ２との比ｄ１／ｄ２が、０．８５以上で且つ１．００
未満の範囲にある、配線基板１。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板の表面と裏面
とにそれぞれ配線層を有し、且つかかる配線層同士が互
いに導通する内外二重のスルーホール導体を有する配線
基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、配線基板に対する高密度化および
高性能化の要請に伴って、基板の表裏面上の複数の配線
層を個別に導通させるため、上記基板を貫通するスルー
ホール内に内外二重のスルーホール導体を同軸状に形成
することが知られている。例えば、特開２０００−４０
８０号公報には、絶縁層を貫通する太径のシールド導通
接続穴(外側スルーホール導体)と、その内部に第１穴埋
め樹脂を介して細径の信号経由接続導通穴(内側スルー
ホール導体)とが、同軸心にして形成されている薄膜多
層印刷配線板が開示されている。また、特開２０００−
６８６４８号公報には、絶縁層を貫通する太径でテーパ
を有する第１導通接続穴(外側スルーホール導体)と、そ
の内部に第１絶縁体を介して細径で同様のテーパを有す
る第２接続導通穴(内側スルーホール導体)とを、同軸心
にして配置する薄膜多層印刷配線板が開示されている。

【０００３】ところで一般に、２本の平行な導線に通電
すると、各導線の自己インダクタンスＬ_１，Ｌ_２に両者
の相互インダクタンス(２×Ｍ)が加算されため、全体の
ループインダクタンスＬが大きくなることが知られてい
る。前記の各印刷配線板の場合も、絶縁層内に同軸で内
外二重に配置した内外一対の導通接続穴のうち、特にそ
の一方を電源に接続し、他方をグランド(接地)に接続さ
せて互いに逆方向に通電すると、各導通接続穴の自己イ
ンダクタンスＬ_１，Ｌ_２と共に両者に相互インダクタン
スＭが生じる。この場合、全体のインダクタンスＬは、
各導通接続穴の自己インダクタンスＬ_１，Ｌ_２の合計値
から両者の相互インダクタンス(２×Ｍ)を減算した値と
なる。このため、前記印刷配線板では内外二重の導通接
続穴による全体のインダクタンスＬを抑制することが可
能である。

【０００４】

【発明が解決すべき課題】しかし、単に同軸にして配置
した内外二重の導通接続穴(スルーホール導体)では、全
体のループインダクタンスＬが高くなる場合がある。こ
のため、全体のインダクタンスＬを低減することが不十
分となり、電気的特性の向上に寄与しにくく、例えば同
時スイッチングや放射ノイズの発生を効果的に防止する
ことができない、という問題があった。本発明は、以上
に説明した従来の技術における問題点を解決し、スルー
ホール内全体のループインダクタンスを効果的に低減で
き、且つ電気的特性の向上を図り得る内外二重構造のス
ルーホール導体を絶縁性の基板内に有する配線基板を提
供する、ことを課題とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、内外二重のス
ルーホール導体(スルーホール同軸構造)相互の位置関係
を規制することに、着想して成されたものである。即
ち、本発明の配線基板は、絶縁性の基板と、この基板を
貫通する外側スルーホールおよびその内周に沿って形成
した外側スルーホール導体と、この外側スルーホール導
体の内側に絶縁材を介して同軸状に貫通する内側スルー
ホールおよびその内周に沿って形成した内側スルーホー
ル導体と、を備え、この内側スルーホール導体の外径ｄ
１と外側スルーホール導体の内径ｄ２の比ｄ１／ｄ２
が、０．８５以上で且つ１．００未満の範囲にある、こ
とを特徴とする。

【０００６】これによれば、内・外側スルーホール導体
が適切に接近するため、両者の相互インダクタンス(２
×Ｍ)が大きくなる。このため、外・内側スルーホール
導体に逆方向の電流を流すと、両者の自己インダクタン
スＬ_１，Ｌ_２の合計値から上記相互インダクタンスを差
し引いた全体のループインダクタンスＬを低減すること
ができる。従って、同時スイッチングや放射ノイズを防
止するなど、基板内部における電気的特性を安定させた
配線基板とすることが可能となる。尚、上記比ｄ１／ｄ
２が、０．８５未満になると、内・外側スルーホール導
体の相互インダクタンス(２×Ｍ)が大きくならず、ルー
プインダクタンスＬを適正な水準まで低減できなくなる
ため、かかる範囲を除外した。一方、上記比ｄ１／ｄ２
の上限値は、１．００未満であるが、外・内側スルーホ
ール導体間の短絡を防ぎ且つ両導体の位置決め不良を防
ぐため、望ましい上限値は０．９８以下、より望ましく
は０．９３、またはこれ以下である。また、内・外側ス
ルーホール導体は、一方がグランド(接地)用回路に接続
され、他方が電源用回路にそれぞれ接続されると共に、
互いに逆方向に通電されるものが主な対象となる。

【０００７】また、前記内側スルーホール導体と外側ス
ルーホール導体との半径方向の間隔が、１０μｍよりも
大きく且つ１００μｍ以下の範囲にある、配線基板も含
まれる。これによれば、外・内側スルーホール導体が適
正な間隔(ｓ)を置いて接近するため、全体のループイン
ダクタンスＬを一層確実に低減することができる。尚、
上記間隔(ｓ)を１０超〜１００μｍの範囲とした理由
は、前記比ｄ１／ｄ２の場合における上限値および下限
値とそれぞれ同じである。特に、上記間隔(ｓ)が１０μ
ｍ以下になると、内・外側スルーホール導体が接近し過
ぎ、温度／湿度／バイアス電圧加速テスト(ＨＡＳＴ)の
上から好ましくなく、マイグレーション(溶出)による絶
縁の劣化や不良を生じる可能性があるため、かかる範囲
を除外したものである。

【０００８】前記内・外側スルーホール導体は、コア基
板にドリルやレーザ照射を用いて、内・外側スルーホー
ル導体の外円周形状とほぼ同じ断面形状の内・外側スル
ーホールを穿孔した後、これらのスルーホールの内周面
に銅などの金属メッキを所定の厚さになるまで施すこと
により形成される。上記レーザ照射には、例えばＣＯ _２
レーザによる長パルスや、高出力レーザのサイクルモー
ド法(巡回ショット)による孔明け加工が、形状精度の良
いスルーホールを形成する上で好ましい。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下において本発明の実施に好適
な形態を図面と共に説明する。図１(Ａ)は、本発明の配
線基板１における要部の断面を示す。図示のように、配
線基板１は、ビスマレイミド・トリアジン(ＢＴ)樹脂か
らなる厚さ約０．８ｍｍの絶縁性のコア基板(基板)２
と、その表面３上と裏面４下とに対称に配置した複数の
Ｃｕからなる配線層１２，１３，２０，２１，２８，２
９およびエポキシ系樹脂からなる絶縁層１４，１５，２
２，２３，３０，３１とを有している。図１(Ａ)におい
て、最上層に位置する絶縁層(ソルダーレジスト層)３０
には、これを貫通して配線層２８上から第１主面３４上
に突出するハンダ製で複数のフリップチップバンプ(Ｉ
Ｃ接続端子)３２が突設されている。各バンプ３２に
は、第１主面３４上に搭載される図示しないＩＣチップ
の端子が個別に接続される。

【００１０】また、最下層の絶縁層(ソルダーレジスト
層)３１に設けた開口部３３には、配線層２９の一部で
ある接続端子３５が第２主面３７側に露出している。端
子３５の表面には、Ａｕ・Ｎｉメッキ膜が被覆され且つ
図示しないマザーボードに接続される。尚、図１(Ａ)で
配線層１２，２０，２８は、絶縁層１４，２２中のビア
ホール１６，２４内に形成したビア導体１８，２６を介
して互いに導通され、配線層１３，２１，２９は、絶縁
層１５，２３中のビアホール１７，２５内に形成したビ
ア導体１９，２７を介して互いに導通されている。一
方、図１(Ｂ)に示すように、コア基板２には直径３５０
μｍの外側スルーホール５が、その表・裏面３，４間に
貫通し、該スルーホール５の内周面には円筒形で厚さ１
８μｍの外側スルーホール導体６が形成されている。こ
の導体６は、絶縁基板２の表面３上・裏面４下の配線層
１２，１３間を導通し、且つ電源用回路またはグランド
(接地)用回路に接続されている。

【００１１】また、外側スルーホール導体６の内側に
は、エポキシ樹脂などの絶縁材８が充填されると共に、
図１(Ｂ)に示すように、かかる絶縁材８内には外側スル
ーホール５と同軸心の位置に、直径２７０μｍの内側ス
ルーホール９が貫通し、このスルーホール９の内周面に
は円筒形で厚さ１８μｍの内側スルーホール導体１０が
形成されている。この導体１０は、前記配線層２０，２
１間を導通し、グランド(接地)用回路(導体６が電源用
回路に接続される場合)、または電源用回路(導体６がグ
ランド用回路に接続される場合)に接続されている。更
に、内側スルーホール導体１０の内側には、樹脂などの
絶縁材１１が充填される。尚、絶縁材１１に替えて、多
量の金属粉末を混練した導電性の樹脂ペーストを充填し
ても良い。図１(Ｂ)に示すように、外側スルーホール導
体６の内径ｄ２は３１４μｍであり、且つ内側スルーホ
ール導体１０の外径ｄ１は２７０μｍである場合、両者
間の比ｄ１／ｄ２は、約０．８６である。また、内・外
側スルーホール導体１０，６間の半径方向に沿った間隔
(ｓ)は、２２μｍである。

【００１２】以上のような配線基板１を得るには、図１
(Ａ)に示したように、先ず、コア基板２に、その表・裏
面３，４間を貫通する直径３５０μｍの外側スルーホー
ル５を、ドリルにより穿孔する。次に、この外側スルー
ホール５の内周面とコア基板２の表・裏面３，４とに無
電解銅メッキおよび電解銅メッキを施して、厚さ１８μ
ｍの外側スルーホール導体６と表・裏面の３，４メッキ
層とを形成する。更に、外側スルーホール導体６が形成
された外側スルーホール５内に樹脂ペーストを印刷・充
填してこれを硬化した後、その上・下面を研磨にて平坦
化する。これにより、図１(Ａ)，(Ｂ)に示したように、
外側スルーホール５内に絶縁材８が充填される。

【００１３】また、メッキ層の上下に所定パターンのエ
ッチングレジストを形成し、表・裏面３，４のメッキ層
のうち不要部分をエッチングして除去することにより、
図１(Ａ)に示したように、コア基板２の表面３上と裏面
４下に所定パターンの配線層１２，１３を形成する。更
に、フィルム化された絶縁層１４，１５を熱圧着し、Ｃ
Ｏ_２レーザにより、絶縁層１４，１５および絶縁材８を
孔明け加工して、内側スルーホール９やビアホール１
６，１７を形成する。その後、当該コア基板２を含むパ
ネルメッキを行うことにより、内側スルーホール導体１
０を形成し且つその内側に絶縁材１１を充填する。

【００１４】そして、サブトラクティブ法により、配線
層２０，２１およびビア導体１８，１９を形成する。こ
れ以降は、コア基板２の表面３上や裏面４下に配線層２
８，２９、絶縁層２２，３０，２３，３１、ビア導体２
６，２７を公知のビルドアップ技術(フルアディテイブ
法、セミアディテイブ法など、ここではサブトラクティ
ブ法)により形成する。尚、ハンダバンプ３２は、Ｓｎ
−Ｐｂ系やＳｎ−Ａｇ系ハンダペーストをスクリーン印
刷し且つリフロすることで形成する。これらにより、前
記図１(Ａ)に主要部の断面を示した配線基板１を得るこ
とができる。尚、ＢＴ樹脂などからなる絶縁層の表・裏
面に予めＣｕ箔を貼り付けた基板に、ドリルで外側スル
ーホール５を穿孔し、その後に外側スルーホール導体
６、外側の絶縁材８、内側スルーホール９、内側スルー
ホール導体１０、および内側の絶縁材１１を前記同様に
形成しても良い。

【００１５】

【実施例】ここで、本発明の具体的な実施例について比
較例と共に説明する。図２(Ａ)に示すように、軸方向の
長さＨが８４０μｍで、前記と同じ内径ｄ２と厚さとを
有する外側スルーホール導体６を複数個形成し、それら
の中に絶縁材８を介して同軸心で厚さが１８μｍで外径
ｄ１を１００μｍ〜３００μｍに変化させた実施例と比
較例の内側スルーホール導体１０を、個別に形成した。
次に、外・内側スルーホール導体６，１０に互いに逆方
向の電流を通電した状態で、両導体６，１０全体のルー
プインダクタンスＬを測定した。そして、外側スルーホ
ール導体６の内径ｄ２と内側スルーホール導体１０の外
径ｄ１との比ｄ１／ｄ２およびループインダクタンスＬ
の関係を、図２(Ｂ)のグラフに示した。

【００１６】図２(Ｂ)のグラフによれば、上記比ｄ１／
ｄ２が大きくなるに連れて、ループインダクタンスＬが
低減していく傾向が理解される。即ち、上記比ｄ１／ｄ
２が大きくなり且つ前記間隔(ｓ)が狭くなるに連れ、外
・内側スルーホール導体６，１０の相互インダクタンス
(２×Ｍ)が大きくなる。このため、外・内側スルーホー
ル導体６，１０の自己インダクタンスＬ_１，Ｌ_２の合計
値から上記相互インダクタンス(２×Ｍ)分を差し引いた
全体のループインダクタンスＬを低減させたことが理解
できる。そして、インダクタンスＬが０．３ｐＨ以下の
低い水準となる比ｄ１／ｄ２は、０．８５以上の実施例
のものであることが判明した。因みに、比ｄ１／ｄ２が
０．８５の場合における外・内側スルーホール導体６，
１０間の半径方向の間隔ｓは、約２３．６μｍであっ
た。

【００１７】以上の結果から、上記比ｄ１／ｄ２を０．
８５以上とした本発明による実施例の優位性が理解され
る。尚、比ｄ１／ｄ２の上限値は、外・内側スルーホー
ル導体６，１０間の短絡を防ぐと共に、両者の位置決め
不良を防ぐため、約０．９３程度が推奨される。因み
に、比ｄ１／ｄ２が０．９３である場合の外・内側スル
ーホール導体６，１０間の間隔ｓは、約１１μｍであっ
た。

【００１８】図３は、異なる形態の外・内側スルーホー
ル導体に関する。図３(Ａ)に示すように、コア基板２の
表面３と裏面４との間にＹＡＧレーザを照射することに
より、表面３寄りが太径で且つ裏面４寄りが細径となる
テーパを有する外側スルーホール４０を穿孔し、その内
周に沿って銅メッキすることにより、上記と同様のテー
パを有する外側スルーホール導体４２が形成されてい
る。かかる導体４２の両端の位置で且つコア基板２の表
面３上と裏面４下には、配線層４４，４６が接続されて
いる。また、外側スルーホール導体４２の内側には樹脂
等の絶縁材４８が充填され、且つ配線層４４，４６を有
するコア基板２の表面３上と裏面４下には、絶縁層５
０，５１がそれぞれ形成されている。

【００１９】上記絶縁材４８の軸心に沿ってＹＡＧレー
ザを絶縁層５０，５１と絶縁材４８とに照射することに
より、図３(Ａ)に示すように、外側スルーホール導体４
２のテーパとほぼ平行なテーパを有する細径の内側スル
ーホール５２が穿孔される。更に、内側スルーホール５
２の内周に沿って銅メッキを施すことにより、上記と同
様のテーパを有する内側スルーホール導体５４が形成さ
れる。この導体５４の内側にも絶縁材５９が充填される
と共に、かかる導体５４の両端の位置で且つ絶縁層５
０，５１の上／下には、配線層５６，５８が形成されて
いる。

【００２０】図３(ａ１)，(ａ２)に示すように、外側ス
ルーホール導体４２の内径ｄ１と内側スルーホール導体
５４の外径ｄ２とは、それらの軸方向の位置により上記
テーパに応じて相違している。しかし、外・内側スルー
ホール導体４２，５４のテーパは互いにほぼ平行である
ため、両者の軸方向に沿ったどの位置でも、上記内径ｄ
１と外径ｄ２との比ｄ１／ｄ２はほぼ一定になる。従っ
て、かかる比ｄ１／ｄ２が０．８５〜１．００未満の範
囲内に入るよう、テーパ状の外・内側スルーホール導体
４２，５４を形成することにより、これら全体のループ
インダクタンスＬを低減することが可能となる。従っ
て、テーパ状の外・内側スルーホール導体４２，５４を
前記配線基板１に適用することにより、同時スイッチン
グや放射ノイズを防止するなど、基板内部における電気
的特性を安定させることができる。

【００２１】図３(Ｂ)に示すように、コア基板２の表面
３と裏面４との間にＣＯ_２レーザを照射することによ
り、表・裏面３，４寄りが細径で且つ中間付近寄りが太
径となる断面ほぼ紡錘形の外側スルーホール６０を穿孔
し、その内周に沿って銅メッキすることにより、上記同
様の断面形状を有する外側スルーホール導体６２が形成
される。かかる導体６２の両端の位置で且つコア基板２
の表面３上と裏面４下には、配線層６４，６６が接続さ
れている。また、外側スルーホール導体６４の内側には
樹脂等の絶縁材６８が充填され、且つ配線層６４，６６
を有するコア基板２の表面３上と裏面４下には、絶縁層
７０，７１がそれぞれ形成されている。

【００２２】図３(Ｂ)に示すように、上記絶縁材６８の
軸心に沿って、ＣＯ_２レーザを絶縁層７０，７１と絶縁
材６８とに照射することにより、上記紡錘形の外側スル
ーホール６０と相似形で且つ軸方向に沿って平行な内側
スルーホール７２が穿孔される。更に、内側スルーホー
ル７２の内周に沿って銅メッキを施すことにより、上記
同様の断面形状を有する内側スルーホール導体７４が形
成される。導体７４の内側にも絶縁材７９が充填される
と共に、かかる導体７４の両端の位置で且つ絶縁層７
０，７１の上／下には、配線層７６，７８が形成されて
いる。

【００２３】図３(ｂ１)，(ｂ２)に示すように、外側ス
ルーホール導体６２の内径ｄ１と内側スルーホール導体
７４の外径ｄ２とは、それらの軸方向の位置により上記
紡錘形状に応じて相違している。しかし、外・内側スル
ーホール導体６２，７４の断面形状は互いにほぼ平行で
あるため、両者の軸方向に沿ったどの位置においても、
上記内径ｄ１と外径ｄ２との比ｄ１／ｄ２はほぼ一定に
なる。従って、上記比ｄ１／ｄ２が０．８５〜１．００
未満の範囲内に入るように、紡錘形状の外・内側スルー
ホール導体６２，７４を形成することにより、これら全
体のループインダクタンスＬを低減することが可能とな
る。そして、以上の紡錘形状の外・内側スルーホール導
体６２，７４を前記配線基板１に適用することによって
も、同時スイッチングや放射ノイズを防止するなど、基
板内部における電気的特性を安定させることができる。
尚、上記各形態の他、外側スルーホール導体４２，６２
の断面をストレートの形状とし、内側スルーホール導体
５４，７４の断面をテーパ状または紡錘形状にしたり、
あるいは、導体４２，６２と導体５４，７４とを上記と
逆の形状にした場合でも、上記比ｄ１／ｄ２が０．８５
〜１．００未満の範囲内にあれば良い。

【００２４】本発明は以上に説明した各形態に限定され
るものではない。前記外側スルーホール導体をグランド
用回路に接続し、内側スルーホール導体を電源用回路に
接続する形態の他、前記外側スルーホール導体を電源用
回路に接続し、内側スルーホール導体をグランド用回路
に接続しても良い。また、外側スルーホール導体をグラ
ンド用回路に接続し、且つ内側スルーホール導体を信号
用回路の配線としても、両者を流れる電流が相互に逆向
きの場合には、内・外側スルーホール導体の全体におけ
るループインダクタンスを低減することができる。ま
た、前記内・外側スルーホール導体１０，６等は、コア
基板２における所定の位置に、任意の数が前記各形態の
何れかにして形成される。

【００２５】更に、コア基板２の材質は、前記ＢＴ樹脂
の他、ガラス−エポキシ樹脂複合材料、同様の耐熱性、
機械強度、可撓性、加工容易性等を有するガラス織布
や、ガラス織布等のガラス繊維とエポキシ樹脂、ポリイ
ミド樹脂、またはＢＴ樹脂等の樹脂との複合材料である
ガラス繊維−樹脂材料を用いても良い。あるいは、ポリ
イミド繊維等の有機繊維と樹脂との複合材料や、連続気
孔を有するＰＴＦＥ等３次元網目構造のフッ素系樹脂に
エポキシ樹脂等の樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料
等を用いることも可能である。

【００２６】また、前記内・外側スルーホール導体１
０，６等や配線層１２，１４等の材質は、前記Ｃｕの
他、Ａｇ，Ａｕ，Ｎｉや、Ｎｉ−Ａｕ等にしても良い。
また、導体の構成としては、単一の膜(単一の材料およ
び単一のメッキ法からなる膜)である形態と、互いに材
料またはメッキ法が異なる複数の膜からなる積層膜の形
態とがある。あるいは、かかる金属のメッキ膜を用い
ず、導電性樹脂を塗布する等の方法により形成しても良
い。更に、前記ビア導体１８等は、ビアホール１６等に
倣った円錐形状の形態に限らず、ビアホール１６内を埋
め尽くす形態のフィルドビアとしても良い。尚、ビアホ
ール１６等の孔明け加工は、絶縁層が感光性を有する場
合には、フォトリソグラフィ技術を用いて行っても良
い。

【００２７】また、絶縁層１４，１５等の材質は、前記
エポキシ樹脂を主成分とするものの他、同様の耐熱性、
パターン成形性等を有するポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂、
ＰＰＥ樹脂、或いは、連続気孔を有するＰＴＦＥ等３次
元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂等の樹脂を含
浸させた樹脂−樹脂複合材料等を用いることもできる。
且つ絶縁層の形成には、液状樹脂をロールコータにより
塗布する方法の他、絶縁性のフィルムを熱圧着する方法
を用いることもできる。尚、スルーホール同軸構造に用
いる絶縁材は、例えばＴａ_２Ｏ_５またはＳｉＯ _２などの
材料をスパッタリングまたは蒸着などの方法で形成して
も良い。スパッタリングによる場合、ＲＦ,ＤＣなどの
方式を問わず、何れの方法も適用可能である。また、蒸
着による場合、例えば真空チャンバ内で放電により絶縁
材形成用のターゲットをたたき、これから飛び出した原
子を積層していく方法が用いられる。

【００２８】

【発明の効果】以上に説明した本発明の配線基板によれ
ば、内・外側スルーホール導体が適切に接近し、両者の
相互インダクタンスが大きくなるため、内・外側スルー
ホール導体に逆方向の電流を流すと、両者の自己インダ
クタンスの合計から上記相互インダクタンスを差し引い
た全体のループインダクタンスを低減することができ
る。従って、同時スイッチングや放射ノイズを防止する
等、基板内部における電気的特性を安定させた配線基板
とすることができる。また、請求項２の配線基板によれ
ば、内・外側スルーホール導体が適正な間隔を置いて接
近するため、全体のループインダクタンスを一層確実に
低減することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】(Ａ)は本発明の配線基板における主要部を示す
断面図、(Ｂ)は(Ａ)中のＢ−Ｂ線に沿った視角の断面
図。

【図２】(Ａ)は図１の配線基板における内・外側スルー
ホール導体を示す概略図、(Ｂ)は(Ａ)の各導体に関する
実施例および比較例の特性を示すグラフ。

【図３】(Ａ)，(Ｂ)はそれぞれ異なる形態の内・外側ス
ルーホール導体を示す断面図、(ａ１)，(ａ２)，(ｂ
１)，(ｂ２)は(Ａ)，(Ｂ)中の同じ符号の位置における
断面図。

【符号の説明】１…………………配線基板２…………………コア基板(絶縁性の基板) ５,４０,６０……外側スルーホール６,４２,６２……外側スルーホール導体８,４８,６８……絶縁材９,５２,７２……内側スルーホール１０,５４,７４…内側スルーホール導体ｄ１………………内側スルーホール導体の外径ｄ２………………外側スルーホール導体の内径ｓ…………………内・外側スルーホール導体の間隔

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁性の基板と、上記基板を貫通する外側スルーホールおよびその内周に
沿って形成した外側スルーホール導体と、上記外側スルーホール導体の内側に絶縁材を介して同軸
状に貫通する内側スルーホールおよびその内周に沿って
形成した内側スルーホール導体と、を備え、上記内側スルーホール導体の外径ｄ１と外側スルーホー
ル導体の内径ｄ２の比ｄ１／ｄ２が、０．８５以上で且
つ１．００未満の範囲にある、ことを特徴とする配線基板。
【請求項２】前記内側スルーホール導体と外側スルーホ
ール導体との半径方向の間隔が、１０μｍよりも大きく
且つ１００μｍ以下の範囲にある、ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。