JP2002064105A5 - ヘテロバイポーラトランジスタ - Google Patents
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【特許請求の範囲】
【請求項１】 基板と、
前記基板上に形成されたコレクタ層と、
前記コレクタ層上に形成されたベース層と、
前記ベース層上に形成されたエミッタ層とよりなるヘテロバイポーラトランジスタであって、
前記ベース層はＳｉＧｅＣ系の混晶よりなり、
前記ベース層中においてＣの濃度が、前記エミッタ層に面する第１の界面から前記コレクタ層に面する第２の界面まで増加し、
前記エミッタ層のうち前記ベース層に接する第１の領域と、前記コレクタ層のうち前記ベース層に接する第２の領域の少なくとも一方が、Ｃを含むことを特徴とするヘテロバイポーラトランジスタ。
【請求項２】 基板と、
前記基板上に形成されたコレクタ層と、
前記コレクタ層上に形成されたベース層と、
前記ベース層上に形成されたエミッタ層とよりなるヘテロバイポーラトランジスタであって、
前記ベース層はＳｉＧｅ二元系混晶よりなり、
前記エミッタ層のうち前記ベース層に接する第１の領域と、前記コレクタ層のうち前記ベース層に接する第２の領域の少なくとも一方が、Ｃを含むことを特徴とするヘテロバイポーラトランジスタ。
【請求項１】 基板と、
前記基板上に形成されたコレクタ層と、
前記コレクタ層上に形成されたベース層と、
前記ベース層上に形成されたエミッタ層とよりなるヘテロバイポーラトランジスタであって、
前記ベース層はＳｉＧｅＣ系の混晶よりなり、
前記ベース層中においてＣの濃度が、前記エミッタ層に面する第１の界面から前記コレクタ層に面する第２の界面まで増加し、
前記エミッタ層のうち前記ベース層に接する第１の領域と、前記コレクタ層のうち前記ベース層に接する第２の領域の少なくとも一方が、Ｃを含むことを特徴とするヘテロバイポーラトランジスタ。
【請求項２】 基板と、
前記基板上に形成されたコレクタ層と、
前記コレクタ層上に形成されたベース層と、
前記ベース層上に形成されたエミッタ層とよりなるヘテロバイポーラトランジスタであって、
前記ベース層はＳｉＧｅ二元系混晶よりなり、
前記エミッタ層のうち前記ベース層に接する第１の領域と、前記コレクタ層のうち前記ベース層に接する第２の領域の少なくとも一方が、Ｃを含むことを特徴とするヘテロバイポーラトランジスタ。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記の課題を、基板と、前記基板上に形成されたコレクタ層と、前記コレクタ層上に形成されたベース層と、前記ベース層上に形成されたエミッタ層とよりなるヘテロバイポーラトランジスタであって、前記ベース層はＳｉＧｅＣ系の混晶よりなり、前記ベース層中においてＣの濃度が、前記エミッタ層に面する第１の界面から前記コレクタ層に面する第２の界面まで増加し、前記エミッタ層のうち前記ベース層に接する第１の領域と、前記コレクタ層のうち前記ベース層に接する第２の領域の少なくとも一方が、Ｃを含むことを特徴とするヘテロバイポーラトランジスタにより解決する。
【課題を解決するための手段】
本発明は上記の課題を、基板と、前記基板上に形成されたコレクタ層と、前記コレクタ層上に形成されたベース層と、前記ベース層上に形成されたエミッタ層とよりなるヘテロバイポーラトランジスタであって、前記ベース層はＳｉＧｅＣ系の混晶よりなり、前記ベース層中においてＣの濃度が、前記エミッタ層に面する第１の界面から前記コレクタ層に面する第２の界面まで増加し、前記エミッタ層のうち前記ベース層に接する第１の領域と、前記コレクタ層のうち前記ベース層に接する第２の領域の少なくとも一方が、Ｃを含むことを特徴とするヘテロバイポーラトランジスタにより解決する。
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|---|---|---|---|
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