JP2002064101A - クロム層を有する配線の形成方法 - Google Patents
クロム層を有する配線の形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 クロム配線をウェットエッチングにより形成
する際のレジストパターンの表面変質層等をそれ専用の
装置を用いることなく取り除くことができるようにす
る。 【解決手段】 基板上に成膜されたクロム層上にレジス
トパターンが形成された対象物をクロムウェットエッチ
ング部２３内に搬入し、硝酸セリウム第２アンモンと過
塩素酸を含有する混酸を用い、レジストパターンをマス
クとしてクロム層をウェットエッチングすることによ
り、クロム配線を形成する。次に、対象物を後処理部２
４内に搬入し、硝酸、酢酸、燐酸を含有する混酸（硝酸
は数ｗｔ％含有）を用いて後処理を行い、レジストパタ
ーンの表面変質層等を取り除く。次に、対象物をレジス
ト剥離部３３内に搬入し、アミンを含有するレジスト剥
離液を用いてウェットエッチングすることにより、レジ
ストパターンを剥離する。
する際のレジストパターンの表面変質層等をそれ専用の
装置を用いることなく取り除くことができるようにす
る。 【解決手段】 基板上に成膜されたクロム層上にレジス
トパターンが形成された対象物をクロムウェットエッチ
ング部２３内に搬入し、硝酸セリウム第２アンモンと過
塩素酸を含有する混酸を用い、レジストパターンをマス
クとしてクロム層をウェットエッチングすることによ
り、クロム配線を形成する。次に、対象物を後処理部２
４内に搬入し、硝酸、酢酸、燐酸を含有する混酸（硝酸
は数ｗｔ％含有）を用いて後処理を行い、レジストパタ
ーンの表面変質層等を取り除く。次に、対象物をレジス
ト剥離部３３内に搬入し、アミンを含有するレジスト剥
離液を用いてウェットエッチングすることにより、レジ
ストパターンを剥離する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明はクロム層を有する
配線の形成方法に関する。
配線の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、アクティブマトリクス型の液晶
表示装置には、ＩＴＯ（インジウム−錫酸化物）からな
る画素電極をスイッチング素子としての薄膜トランジス
タのトップ側に位置させた構造のもの、つまりＴＯＰ−
ＩＴＯ構造といわれるものが開発されている。このよう
な構造の液晶表示装置において、画素電極および薄膜ト
ランジスタ等を備えたアクティブ基板を製造する場合、
配向膜の形成等もあるが、一応、画素電極の形成が最後
となる。
表示装置には、ＩＴＯ（インジウム−錫酸化物）からな
る画素電極をスイッチング素子としての薄膜トランジス
タのトップ側に位置させた構造のもの、つまりＴＯＰ−
ＩＴＯ構造といわれるものが開発されている。このよう
な構造の液晶表示装置において、画素電極および薄膜ト
ランジスタ等を備えたアクティブ基板を製造する場合、
配向膜の形成等もあるが、一応、画素電極の形成が最後
となる。
【０００３】一方、アクティブ基板上に走査信号ライン
やデータ信号ライン等をＡｌ（アルミニウム）系金属に
よって形成しているが、これらの一端部からなる接続パ
ッドを露出させた状態で、ＩＴＯ層をウェットエッチン
グによりパターニングして画素電極を形成すると、露出
された接続パッドがＩＴＯのエッチング液と反応して容
易に溶解してしまう。また、Ａｌ系金属層およびＩＴＯ
層とＩＴＯのエッチング液とが接触共存すると、Ａｌ系
金属層が酸化されるとともにＩＴＯ層が還元され（Ａｌ
−ＩＴＯ電池反応）、両者が共に激しく腐食されてしま
う。
やデータ信号ライン等をＡｌ（アルミニウム）系金属に
よって形成しているが、これらの一端部からなる接続パ
ッドを露出させた状態で、ＩＴＯ層をウェットエッチン
グによりパターニングして画素電極を形成すると、露出
された接続パッドがＩＴＯのエッチング液と反応して容
易に溶解してしまう。また、Ａｌ系金属層およびＩＴＯ
層とＩＴＯのエッチング液とが接触共存すると、Ａｌ系
金属層が酸化されるとともにＩＴＯ層が還元され（Ａｌ
−ＩＴＯ電池反応）、両者が共に激しく腐食されてしま
う。
【０００４】そこで、以上のような不都合を解消するた
めに、走査信号ラインやデータ信号ライン等を、ＩＴＯ
のエッチング液と反応せず、且つ、ＩＴＯとの間で電池
反応しない、クロムのみによって形成することが考えら
れている。次に、このような場合の従来のクロム配線の
形成方法の一例について、図６を参照して説明する。こ
の場合、図６（ａ）はクロムウェットエッチング装置の
概略構成図を示し、図６（ｂ）はハーフアッシング装置
の概略構成図を示し、図６（ｃ）はレジスト剥離装置の
概略構成図を示したものである。
めに、走査信号ラインやデータ信号ライン等を、ＩＴＯ
のエッチング液と反応せず、且つ、ＩＴＯとの間で電池
反応しない、クロムのみによって形成することが考えら
れている。次に、このような場合の従来のクロム配線の
形成方法の一例について、図６を参照して説明する。こ
の場合、図６（ａ）はクロムウェットエッチング装置の
概略構成図を示し、図６（ｂ）はハーフアッシング装置
の概略構成図を示し、図６（ｃ）はレジスト剥離装置の
概略構成図を示したものである。
【０００５】まず、クロムウェットエッチング装置１の
ローダー部２内に、図示していないが、ガラス等からな
るアクティブ基板上に成膜されたクロム層上にレジスト
パターンが形成されたもの（以下、対象物という。）を
搬入する。次に、この搬入された対象物をクロムウェッ
トエッチング部３内に搬入し、硝酸セリウム第２アンモ
ンと過塩素酸を含有する混酸を用い、レジストパターン
をマスクとしてクロム層をウェットエッチングすること
により、クロム配線を形成する。次に、対象物を水洗部
４内に搬入し、水洗を行い、次いで乾燥部５内に搬入
し、乾燥を行い、次いでアンローダー部６内に搬入し、
次いでアンローダー部６外に搬出する。
ローダー部２内に、図示していないが、ガラス等からな
るアクティブ基板上に成膜されたクロム層上にレジスト
パターンが形成されたもの（以下、対象物という。）を
搬入する。次に、この搬入された対象物をクロムウェッ
トエッチング部３内に搬入し、硝酸セリウム第２アンモ
ンと過塩素酸を含有する混酸を用い、レジストパターン
をマスクとしてクロム層をウェットエッチングすること
により、クロム配線を形成する。次に、対象物を水洗部
４内に搬入し、水洗を行い、次いで乾燥部５内に搬入
し、乾燥を行い、次いでアンローダー部６内に搬入し、
次いでアンローダー部６外に搬出する。
【０００６】ところで、クロムウェットエッチング部３
において、硝酸セリウム第２アンモンと過塩素酸を含有
する混酸を用い、レジストパターンをマスクとしてクロ
ム層をウェットエッチングすると、レジストパターンの
表面が変質したり同表面に析出物が析出したりする。こ
の表面変質層等は、レジストパターンを剥離しにくくす
るので、レジストパターンを剥離する前に取り除く必要
がある。
において、硝酸セリウム第２アンモンと過塩素酸を含有
する混酸を用い、レジストパターンをマスクとしてクロ
ム層をウェットエッチングすると、レジストパターンの
表面が変質したり同表面に析出物が析出したりする。こ
の表面変質層等は、レジストパターンを剥離しにくくす
るので、レジストパターンを剥離する前に取り除く必要
がある。
【０００７】そこで、次に、対象物をハーフアッシング
装置７のローダー部８内に搬入する。次に、この搬入さ
れた対象物をハーフアッシング部９内に搬入し、酸素プ
ラズマによるハーフアッシングにより、レジストパター
ンの表面変質層等を取り除く。次に、対象物をアンロー
ダー部１０内に搬入し、次いでアンローダー部１０外に
搬出する。
装置７のローダー部８内に搬入する。次に、この搬入さ
れた対象物をハーフアッシング部９内に搬入し、酸素プ
ラズマによるハーフアッシングにより、レジストパター
ンの表面変質層等を取り除く。次に、対象物をアンロー
ダー部１０内に搬入し、次いでアンローダー部１０外に
搬出する。
【０００８】次に、対象物をレジスト剥離装置１１のロ
ーダー部１２内に搬入する。次に、この搬入された対象
物をレジスト剥離部１３内に搬入し、アミンを含有する
レジスト剥離液を用いてウェットエッチングすることに
より、レジストパターンを剥離する。次に、対象物を水
洗部１４内に搬入し、水洗を行い、次いで乾燥部１５内
に搬入し、乾燥を行い、次いでアンローダー部１６内に
搬入し、次いでアンローダー部１６外に搬出する。
ーダー部１２内に搬入する。次に、この搬入された対象
物をレジスト剥離部１３内に搬入し、アミンを含有する
レジスト剥離液を用いてウェットエッチングすることに
より、レジストパターンを剥離する。次に、対象物を水
洗部１４内に搬入し、水洗を行い、次いで乾燥部１５内
に搬入し、乾燥を行い、次いでアンローダー部１６内に
搬入し、次いでアンローダー部１６外に搬出する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
このようなクロム配線の形成方法では、レジストパター
ンの表面変質層等を取り除くためにハーフアッシング装
置７を必要とするので、設備費が嵩むという問題があ
る。また、クロムウェットエッチング装置１のアンロー
ダー部６外に搬出された対象物をハーフアッシング装置
７のローダー部８内に搬入し、ハーフアッシング装置８
のアンローダー部１０外に搬出された対象物をレジスト
剥離装置１１のローダー部１２内に搬入しなければなら
ず、手間がかかり、スループットが低下するという問題
がある。この発明の課題は、レジストパターンの表面変
質層等をそれ専用の装置を用いることなく取り除くこと
ができるようにすることである。
このようなクロム配線の形成方法では、レジストパター
ンの表面変質層等を取り除くためにハーフアッシング装
置７を必要とするので、設備費が嵩むという問題があ
る。また、クロムウェットエッチング装置１のアンロー
ダー部６外に搬出された対象物をハーフアッシング装置
７のローダー部８内に搬入し、ハーフアッシング装置８
のアンローダー部１０外に搬出された対象物をレジスト
剥離装置１１のローダー部１２内に搬入しなければなら
ず、手間がかかり、スループットが低下するという問題
がある。この発明の課題は、レジストパターンの表面変
質層等をそれ専用の装置を用いることなく取り除くこと
ができるようにすることである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、クロム層を有する配線を形成するに際し、クロム層
をその上に形成されたレジストパターンをマスクとして
ウェットエッチングした後、酸性溶液を用いて前記レジ
ストパターンの表面変質層等を取り除き、前記レジスト
パターンを剥離液により剥離するようにしたものであ
る。請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明に
おいて、前記酸性溶液として硝酸溶液を用いるようにし
たものである。請求項３に記載の発明は、請求項１に記
載の発明において、前記酸性溶液として弗酸溶液を用い
るようにしたものである。請求項４に記載の発明は、ア
クティブ基板上に、薄膜トランジスタに接続される少な
くともクロム層を有する配線を形成するに際し、クロム
層上にレジストパターンを形成し、該レジストパターン
をマスクとして前記クロム層をウェットエッチングした
後、酸性溶液を用いて前記レジストパターンの表面変質
層等を取り除き、前記レジストパターンを剥離液により
剥離するようにしたものである。そして、請求項１また
は４に記載の発明によれば、クロム層をレジストパター
ンをマスクとしてウェットエッチングし、これに続いて
酸性溶液を用いて後処理を行うことにより、レジストパ
ターンの表面変質層等を取り除くことができるので、レ
ジストパターンの表面変質層等をそれ専用の装置を用い
ることなく取り除くことができる。
は、クロム層を有する配線を形成するに際し、クロム層
をその上に形成されたレジストパターンをマスクとして
ウェットエッチングした後、酸性溶液を用いて前記レジ
ストパターンの表面変質層等を取り除き、前記レジスト
パターンを剥離液により剥離するようにしたものであ
る。請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明に
おいて、前記酸性溶液として硝酸溶液を用いるようにし
たものである。請求項３に記載の発明は、請求項１に記
載の発明において、前記酸性溶液として弗酸溶液を用い
るようにしたものである。請求項４に記載の発明は、ア
クティブ基板上に、薄膜トランジスタに接続される少な
くともクロム層を有する配線を形成するに際し、クロム
層上にレジストパターンを形成し、該レジストパターン
をマスクとして前記クロム層をウェットエッチングした
後、酸性溶液を用いて前記レジストパターンの表面変質
層等を取り除き、前記レジストパターンを剥離液により
剥離するようにしたものである。そして、請求項１また
は４に記載の発明によれば、クロム層をレジストパター
ンをマスクとしてウェットエッチングし、これに続いて
酸性溶液を用いて後処理を行うことにより、レジストパ
ターンの表面変質層等を取り除くことができるので、レ
ジストパターンの表面変質層等をそれ専用の装置を用い
ることなく取り除くことができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１はこの発明の一実施形態にお
けるクロム配線の形成方法を説明するために示すもの
で、（ａ）はクロムウェットエッチング装置の概略構成
図を示し、（ｂ）はレジスト剥離装置の概略構成図を示
したものである。クロムウェットエッチング装置２１
は、左側から右側に向かって順に、ローダー部２２、ク
ロムウェットエッチング部２３、後処理部２４、水洗部
２５、乾燥部２６、アンローダー部２７が配置された構
造となっている。レジスト剥離装置３１は、左側から右
側に向かって順に、ローダー部３２、レジスト剥離部３
３、水洗部３４、乾燥部３５、アンローダー部３６が配
置された構造となっている。
けるクロム配線の形成方法を説明するために示すもの
で、（ａ）はクロムウェットエッチング装置の概略構成
図を示し、（ｂ）はレジスト剥離装置の概略構成図を示
したものである。クロムウェットエッチング装置２１
は、左側から右側に向かって順に、ローダー部２２、ク
ロムウェットエッチング部２３、後処理部２４、水洗部
２５、乾燥部２６、アンローダー部２７が配置された構
造となっている。レジスト剥離装置３１は、左側から右
側に向かって順に、ローダー部３２、レジスト剥離部３
３、水洗部３４、乾燥部３５、アンローダー部３６が配
置された構造となっている。
【００１２】次に、クロム配線を形成する対象物の一例
について、図２を参照して説明する。ガラス等からなる
アクティブ基板４１の上面の所定の箇所にはアルミニウ
ム系金属からなるゲート電極４２および走査信号ライン
（図示せず）等が形成されている。ゲート電極４２等を
含むアクティブ基板４１の上面全体にはゲート絶縁膜４
３および真性アモルファスシリコンからなる半導体薄膜
４４が成膜されている。ゲート電極４２上における半導
体薄膜４４の上面の所定の箇所にはチャネル保護膜４５
が形成されている。チャネル保護膜４５を含む半導体薄
膜４４の上面全体にはｎ型アモルファスシリコン層４６
およびクロム層４７が成膜されている。クロム層４７の
上面の所定の箇所にはレジストパターン４８ａ、４８ｂ
が形成されている。この場合、レジストパターン４８ａ
はソース電極を形成するためのものであり、レジストパ
ターン４８ｂはドレイン電極およびデータ信号ライン等
を形成するためのものである。なお、図２に示すもの
を、以下、対象物４０という。
について、図２を参照して説明する。ガラス等からなる
アクティブ基板４１の上面の所定の箇所にはアルミニウ
ム系金属からなるゲート電極４２および走査信号ライン
（図示せず）等が形成されている。ゲート電極４２等を
含むアクティブ基板４１の上面全体にはゲート絶縁膜４
３および真性アモルファスシリコンからなる半導体薄膜
４４が成膜されている。ゲート電極４２上における半導
体薄膜４４の上面の所定の箇所にはチャネル保護膜４５
が形成されている。チャネル保護膜４５を含む半導体薄
膜４４の上面全体にはｎ型アモルファスシリコン層４６
およびクロム層４７が成膜されている。クロム層４７の
上面の所定の箇所にはレジストパターン４８ａ、４８ｂ
が形成されている。この場合、レジストパターン４８ａ
はソース電極を形成するためのものであり、レジストパ
ターン４８ｂはドレイン電極およびデータ信号ライン等
を形成するためのものである。なお、図２に示すもの
を、以下、対象物４０という。
【００１３】さて、対象物４０にクロム配線を形成する
場合には、まず、対象物４０をクロムウェットエッチン
グ装置２１のローダー部２２内に搬入する。次に、この
搬入された対象物４０をクロムウェットエッチング部２
３内に搬入し、硝酸セリウム第２アンモンと過塩素酸を
含有する混酸を用い、レジストパターン４８ａ、４８ｂ
をマスクとしてクロム層４７をウェットエッチングする
ことにより、図３に示すように、レジストパターン４８
ａ下にソース電極（クロム配線）４７ａを形成するとと
もに、レジストパターン４８ｂ下にドレイン電極（クロ
ム配線）４７ｂおよびデータ信号ライン（クロム配線、
図示せず）等を形成する。
場合には、まず、対象物４０をクロムウェットエッチン
グ装置２１のローダー部２２内に搬入する。次に、この
搬入された対象物４０をクロムウェットエッチング部２
３内に搬入し、硝酸セリウム第２アンモンと過塩素酸を
含有する混酸を用い、レジストパターン４８ａ、４８ｂ
をマスクとしてクロム層４７をウェットエッチングする
ことにより、図３に示すように、レジストパターン４８
ａ下にソース電極（クロム配線）４７ａを形成するとと
もに、レジストパターン４８ｂ下にドレイン電極（クロ
ム配線）４７ｂおよびデータ信号ライン（クロム配線、
図示せず）等を形成する。
【００１４】次に、対象物４０を後処理部２４内に搬入
し、硝酸、酢酸、燐酸を含有する混酸（硝酸は数ｗｔ％
含有）を用いて後処理を行い、レジストパターン４８
ａ、４８ｂの表面変質層等を取り除く。次に、対象物４
０を水洗部２５内に搬入し、水洗を行い、次いで乾燥部
２６内に搬入し、乾燥を行い、次いでアンローダー部２
７内に搬入し、次いでアンローダー部２７外に搬出す
る。
し、硝酸、酢酸、燐酸を含有する混酸（硝酸は数ｗｔ％
含有）を用いて後処理を行い、レジストパターン４８
ａ、４８ｂの表面変質層等を取り除く。次に、対象物４
０を水洗部２５内に搬入し、水洗を行い、次いで乾燥部
２６内に搬入し、乾燥を行い、次いでアンローダー部２
７内に搬入し、次いでアンローダー部２７外に搬出す
る。
【００１５】次に、対象物４０をレジスト剥離装置３１
のローダー部３２内に搬入する。次に、この搬入された
対象物４０をレジスト剥離部３３内に搬入し、アミンを
含有するレジスト剥離液を用いてウェットエッチングす
ることにより、レジストパターン４８ａ、４８ｂを剥離
する（図４参照）。次に、対象物４０を水洗部３４内に
搬入し、水洗を行い、次いで乾燥部３５内に搬入し、乾
燥を行い、次いでアンローダー部３６内に搬入し、次い
でアンローダー部３６外に搬出する。
のローダー部３２内に搬入する。次に、この搬入された
対象物４０をレジスト剥離部３３内に搬入し、アミンを
含有するレジスト剥離液を用いてウェットエッチングす
ることにより、レジストパターン４８ａ、４８ｂを剥離
する（図４参照）。次に、対象物４０を水洗部３４内に
搬入し、水洗を行い、次いで乾燥部３５内に搬入し、乾
燥を行い、次いでアンローダー部３６内に搬入し、次い
でアンローダー部３６外に搬出する。
【００１６】このように、このクロム配線の形成方法で
は、クロム層４７をレジストパターン４８ａ、４８ｂを
マスクとしてウェットエッチングし、これに続いて混酸
を用いて後処理を行うことにより、レジストパターン４
８ａ、４８ｂの表面変質層等を取り除くことができるの
で、レジストパターン４８ａ、４８ｂの表面変質層等を
それ専用の装置を用いることなく取り除くことができ
る。この結果、従来のハーフアッシング装置を必要とせ
ず、設備費を低減することができ、また手間がかから
ず、スループットを向上することができる。また、後処
理部２４における１つの対象物４０に対する処理時間は
数十秒から１分程度である。これに対し、図６に示す従
来例のハーフアッシング装置７の場合には、数分であ
る。したがって、これによっても、処理時間が短縮さ
れ、スループットをより一層向上することができる。
は、クロム層４７をレジストパターン４８ａ、４８ｂを
マスクとしてウェットエッチングし、これに続いて混酸
を用いて後処理を行うことにより、レジストパターン４
８ａ、４８ｂの表面変質層等を取り除くことができるの
で、レジストパターン４８ａ、４８ｂの表面変質層等を
それ専用の装置を用いることなく取り除くことができ
る。この結果、従来のハーフアッシング装置を必要とせ
ず、設備費を低減することができ、また手間がかから
ず、スループットを向上することができる。また、後処
理部２４における１つの対象物４０に対する処理時間は
数十秒から１分程度である。これに対し、図６に示す従
来例のハーフアッシング装置７の場合には、数分であ
る。したがって、これによっても、処理時間が短縮さ
れ、スループットをより一層向上することができる。
【００１７】ところで、上記実施形態の形成方法により
形成されたクロム配線４７ａ、４７ｂを光学顕微鏡で観
察したところ、レジスト残りが全く無かった。これに対
し、上記実施形態の形成方法のうち後処理部２４による
後処理を行わなかった場合には、レジスト残りが顕著で
あった。これにより、上記実施形態の形成方法では、レ
ジストパターン４８ａ、４８ｂの表面変質層等を完全に
取り除くことができることが確認された。
形成されたクロム配線４７ａ、４７ｂを光学顕微鏡で観
察したところ、レジスト残りが全く無かった。これに対
し、上記実施形態の形成方法のうち後処理部２４による
後処理を行わなかった場合には、レジスト残りが顕著で
あった。これにより、上記実施形態の形成方法では、レ
ジストパターン４８ａ、４８ｂの表面変質層等を完全に
取り除くことができることが確認された。
【００１８】ここで、図４に示す工程後の工程について
説明すると、図５に示すように、ソース電極４７ａおよ
びドレイン電極４７ｂ等をマスクとしてｎ型アモルファ
スシリコン層４６および半導体薄膜４４をウェットエッ
チングすることにより、ソース電極４７ａ下およびドレ
イン電極４７ｂ下にオーミックコンタクト層４６ａ、４
６ｂを形成するとともに、オーミックコンタクト層４６
ａ、４６ｂ下およびチャネル保護膜４５下に半導体薄膜
４４を形成する。次に、ソース電極４７ａおよびドレイ
ン電極４７ｂ等を含むゲート絶縁膜４３の上面全体にオ
ーバーコート膜５１を形成する。次に、オーバーコート
膜５１のソース電極４７ａに対応する部分にコンタクト
ホール５２を形成する。次に、オーバーコート膜５１の
上面の所定の箇所にＩＴＯからなる画素電極５３をコン
タクトホール５２を介してソース電極４７ａに接続させ
て形成する。
説明すると、図５に示すように、ソース電極４７ａおよ
びドレイン電極４７ｂ等をマスクとしてｎ型アモルファ
スシリコン層４６および半導体薄膜４４をウェットエッ
チングすることにより、ソース電極４７ａ下およびドレ
イン電極４７ｂ下にオーミックコンタクト層４６ａ、４
６ｂを形成するとともに、オーミックコンタクト層４６
ａ、４６ｂ下およびチャネル保護膜４５下に半導体薄膜
４４を形成する。次に、ソース電極４７ａおよびドレイ
ン電極４７ｂ等を含むゲート絶縁膜４３の上面全体にオ
ーバーコート膜５１を形成する。次に、オーバーコート
膜５１のソース電極４７ａに対応する部分にコンタクト
ホール５２を形成する。次に、オーバーコート膜５１の
上面の所定の箇所にＩＴＯからなる画素電極５３をコン
タクトホール５２を介してソース電極４７ａに接続させ
て形成する。
【００１９】なお、上記実施形態では、後処理部２４に
おいて、硝酸、酢酸、燐酸を含有する混酸を用いた場合
について説明したが、これに限定されるものではない。
例えば、硝酸、塩酸を含有する混酸を用いてもよく、ま
た硝酸水溶液等の他の硝酸溶液を用いてもよい。また、
弗化アンモニウムや弗酸水溶液等の弗酸溶液を用いても
よい。
おいて、硝酸、酢酸、燐酸を含有する混酸を用いた場合
について説明したが、これに限定されるものではない。
例えば、硝酸、塩酸を含有する混酸を用いてもよく、ま
た硝酸水溶液等の他の硝酸溶液を用いてもよい。また、
弗化アンモニウムや弗酸水溶液等の弗酸溶液を用いても
よい。
【００２０】また、上記実施形態では、ソース電極、ド
レイン電極およびデータ信号ライン等をクロムのみから
なる配線によって形成する場合について説明したが、配
線は、クロム層を有するものであれば、他の金属層及び
／又は半導体層との積層体にも適用することができるも
のであり、その場合には、クロム層をエッチング液でエ
ッチングした後、クロム層下の他の金属層及び／又は半
導体層をそれぞれ適宜なエッチング液でエッチングして
配線を形成し、この後、クロム層上に形成されたレジス
トパターンをこの発明の方法により剥離すればよい。ま
た、この発明の方法は、ゲート電極および走査信号ライ
ン等他の配線に対しても適用可能であることは当然であ
るが、さらに、液晶表示装置の配線に限らず、他の装置
の配線にも適用することができる。
レイン電極およびデータ信号ライン等をクロムのみから
なる配線によって形成する場合について説明したが、配
線は、クロム層を有するものであれば、他の金属層及び
／又は半導体層との積層体にも適用することができるも
のであり、その場合には、クロム層をエッチング液でエ
ッチングした後、クロム層下の他の金属層及び／又は半
導体層をそれぞれ適宜なエッチング液でエッチングして
配線を形成し、この後、クロム層上に形成されたレジス
トパターンをこの発明の方法により剥離すればよい。ま
た、この発明の方法は、ゲート電極および走査信号ライ
ン等他の配線に対しても適用可能であることは当然であ
るが、さらに、液晶表示装置の配線に限らず、他の装置
の配線にも適用することができる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、レジストパターンの表面変質層等をそれ専用の装置
を用いることなく取り除くことができるので、従来のハ
ーフアッシング装置を必要とせず、設備費を低減するこ
とができ、また手間がかからず、スループットを向上す
ることができる。
ば、レジストパターンの表面変質層等をそれ専用の装置
を用いることなく取り除くことができるので、従来のハ
ーフアッシング装置を必要とせず、設備費を低減するこ
とができ、また手間がかからず、スループットを向上す
ることができる。
【図１】この発明の一実施形態におけるクロム配線の形
成方法を説明するために示すもので、（ａ）はクロムウ
ェットエッチング装置の概略構成図、（ｂ）はレジスト
剥離装置の概略構成図。
成方法を説明するために示すもので、（ａ）はクロムウ
ェットエッチング装置の概略構成図、（ｂ）はレジスト
剥離装置の概略構成図。
【図２】クロム配線を形成する対象物の一例の一部の断
面図。
面図。
【図３】図２に示す状態からクロム配線を形成した状態
の断面図。
の断面図。
【図４】図３に示す状態からレジストパターンを剥離し
た状態の断面図。
た状態の断面図。
【図５】図４に示す工程後の工程を説明するために示す
断面図。
断面図。
【図６】従来のクロム配線の形成方法の一例を説明する
ために示すもので、（ａ）はクロムウェットエッチング
装置の概略構成図、（ｂ）はハーフアッシング装置の概
略構成図、（ｃ）はレジスト剥離装置の概略構成図。
ために示すもので、（ａ）はクロムウェットエッチング
装置の概略構成図、（ｂ）はハーフアッシング装置の概
略構成図、（ｃ）はレジスト剥離装置の概略構成図。
２１ クロムウェットエッチング装置 ２２ ローダー部 ２３ クロムウェットエッチング部 ２４ 後処理部 ２５ 水洗部 ２６ 乾燥部 ２７ アンローダー部 ３１ レジスト剥離装置 ３２ ローダー部 ３３ レジスト剥離部 ３４ 水洗部 ３５ 乾燥部 ３６ アンローダー部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/336 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６２７Ｃ Ｆターム(参考） 2H092 HA02 HA06 JA24 JA34 JA41 JA46 JB22 JB31 KA05 MA18 NA27 5F033 GG04 HH04 HH07 HH38 JJ01 JJ38 KK04 KK07 MM05 QQ08 QQ19 VV15 XX33 XX34 5F043 AA26 BB18 CC16 GG02 5F110 CC07 DD02 EE03 GG02 GG15 HK04 HK09 HK16 HK21 NN02 NN12 QQ05
Claims (4)
- 【請求項１】 クロム層を有する配線を形成するに際
し、クロム層をその上に形成されたレジストパターンを
マスクとしてウェットエッチングした後、酸性溶液を用
いて前記レジストパターンの表面変質層等を取り除き、
前記レジストパターンを剥離液により剥離することを特
徴とするクロム層を有する配線の形成方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の発明において、前記酸
性溶液として硝酸溶液を用いることを特徴とするクロム
層を有する配線の形成方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載の発明において、前記酸
性溶液として弗酸溶液を用いることを特徴とするクロム
層を有する配線の形成方法。 - 【請求項４】 アクティブ基板上に、薄膜トランジスタ
に接続される少なくともクロム層を有する配線を形成す
るに際し、クロム層上にレジストパターンを形成し、該
レジストパターンをマスクとして前記クロム層をウェッ
トエッチングした後、酸性溶液を用いて前記レジストパ
ターンの表面変質層等を取り除き、前記レジストパター
ンを剥離液により剥離することを特徴とするクロム層を
有する配線の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000249216A JP2002064101A (ja) | 2000-08-21 | 2000-08-21 | クロム層を有する配線の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000249216A JP2002064101A (ja) | 2000-08-21 | 2000-08-21 | クロム層を有する配線の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002064101A true JP2002064101A (ja) | 2002-02-28 |
Family
ID=18738990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000249216A Pending JP2002064101A (ja) | 2000-08-21 | 2000-08-21 | クロム層を有する配線の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002064101A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2000
- 2000-08-21 JP JP2000249216A patent/JP2002064101A/ja active Pending
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